JPH0683040A - 半導体装置基板 - Google Patents
半導体装置基板Info
- Publication number
- JPH0683040A JPH0683040A JP23849292A JP23849292A JPH0683040A JP H0683040 A JPH0683040 A JP H0683040A JP 23849292 A JP23849292 A JP 23849292A JP 23849292 A JP23849292 A JP 23849292A JP H0683040 A JPH0683040 A JP H0683040A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- photomask
- substrate
- pattern
- metallic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】フォトマスク等の半導体装置基板を純水等を用
いて洗浄を行ったときにその表面に水滴が付着してしま
うのを極力防止する。 【構成】半導体装置基板の表面の疎水性を有する部分
（金属パターン）２の表面を親水性を有する材料（SiO2
膜）３で被覆することによって水滴が生じるのを防止す
る。
いて洗浄を行ったときにその表面に水滴が付着してしま
うのを極力防止する。 【構成】半導体装置基板の表面の疎水性を有する部分
（金属パターン）２の表面を親水性を有する材料（SiO2
膜）３で被覆することによって水滴が生じるのを防止す
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体用フォトマス
ク，液晶パネル基板等の半導体装置基板に関する。
ク，液晶パネル基板等の半導体装置基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】例えば半導体用フォトマスクはガラス基
板表面に金属（クロム，酸化鉄，ニッケル等）によって
所定のパターンを形成したものである。フォトマスク
は、半導体プロセスにおけるフォトリソグラフィ工程に
用いられ、半導体基板にパターンを転写するために用い
られる。この工程中、フォトマスク表面にはダストが付
着してしまったり、汚れ等が生じる。フォトマスク表面
のダストや汚れは転写時にパターン欠陥を生じさせた
り、半導体基板を汚染してしまう問題を生じさせること
がある。そこで従来、所定のサイクルでフォトマスクを
洗浄し、フォトマスクに付着したダストや汚れを落とし
ていた。この洗浄工程は、フォトマスクを純水等の中で
洗浄するというものであった。
板表面に金属（クロム，酸化鉄，ニッケル等）によって
所定のパターンを形成したものである。フォトマスク
は、半導体プロセスにおけるフォトリソグラフィ工程に
用いられ、半導体基板にパターンを転写するために用い
られる。この工程中、フォトマスク表面にはダストが付
着してしまったり、汚れ等が生じる。フォトマスク表面
のダストや汚れは転写時にパターン欠陥を生じさせた
り、半導体基板を汚染してしまう問題を生じさせること
がある。そこで従来、所定のサイクルでフォトマスクを
洗浄し、フォトマスクに付着したダストや汚れを落とし
ていた。この洗浄工程は、フォトマスクを純水等の中で
洗浄するというものであった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記のフォトマスク洗
浄工程において、洗浄後にフォトマスク表面にしみが残
るという問題が生じていた。このしみは、純水中で洗浄
した後にフォトマスクを引き上げたときにフォトマスク
表面に水滴が付着し、この水滴が乾いた後に玉状のしみ
となって残ってしまうからであった。このようなしみの
発生を防止するため従来から種々の方法が提案されたい
た。例えば純水からフォトマスクを引き上げるときに微
低速で引き上げてゆくことにより純水の表面張力を利用
してフォトマスク表面に付着する水滴の量を極力少なく
したり（特開昭６１−２７０３９９号）、表面に残った
水分を温風や装置の余熱等によって乾燥させていた（特
開昭６０−２２３１３０号，特開昭６３−６７７３５
号）。
浄工程において、洗浄後にフォトマスク表面にしみが残
るという問題が生じていた。このしみは、純水中で洗浄
した後にフォトマスクを引き上げたときにフォトマスク
表面に水滴が付着し、この水滴が乾いた後に玉状のしみ
となって残ってしまうからであった。このようなしみの
発生を防止するため従来から種々の方法が提案されたい
た。例えば純水からフォトマスクを引き上げるときに微
低速で引き上げてゆくことにより純水の表面張力を利用
してフォトマスク表面に付着する水滴の量を極力少なく
したり（特開昭６１−２７０３９９号）、表面に残った
水分を温風や装置の余熱等によって乾燥させていた（特
開昭６０−２２３１３０号，特開昭６３−６７７３５
号）。
【０００４】しかしながら上記ような方法を採用しても
なおフォトマスク表面には水滴が付着し、しみを生じて
しまう問題があった。特にガラス基板と金属パターンと
の境目の部分に水滴が付着し、しみを生じさせてしまっ
ていた。フォトマスクはガラス基板上に金属によりパタ
ーンを形成したものである。ここでパターン部の金属は
疎水性である。そのため、疎水性材料（金属パターン）
の部分には水が玉状になって残ってしまっていた。すな
わち、フォトマスクを洗浄水から引き上げたときに疎水
性の金属パターン部分に洗浄水が水滴状になって残って
しまい、後の乾燥処理でしみを生じてしまっていた。ま
た、ガラス基板部分と金属パターン部分とでは段差があ
り、その段差部分に水滴が付着し易い問題もあった。な
お図２はフォトマスクを洗浄槽から引き上げたときのフ
ォトマスク断面を示したものであるが、図示するよう
に、金属パターン２の部分に水滴が付着している。
なおフォトマスク表面には水滴が付着し、しみを生じて
しまう問題があった。特にガラス基板と金属パターンと
の境目の部分に水滴が付着し、しみを生じさせてしまっ
ていた。フォトマスクはガラス基板上に金属によりパタ
ーンを形成したものである。ここでパターン部の金属は
疎水性である。そのため、疎水性材料（金属パターン）
の部分には水が玉状になって残ってしまっていた。すな
わち、フォトマスクを洗浄水から引き上げたときに疎水
性の金属パターン部分に洗浄水が水滴状になって残って
しまい、後の乾燥処理でしみを生じてしまっていた。ま
た、ガラス基板部分と金属パターン部分とでは段差があ
り、その段差部分に水滴が付着し易い問題もあった。な
お図２はフォトマスクを洗浄槽から引き上げたときのフ
ォトマスク断面を示したものであるが、図示するよう
に、金属パターン２の部分に水滴が付着している。
【０００５】この発明の目的は、純水等を用いて洗浄を
行ったときにその表面に水滴が付着してしまうのを極力
防止することのできる半導体装置基板を提供することに
ある。
行ったときにその表面に水滴が付着してしまうのを極力
防止することのできる半導体装置基板を提供することに
ある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明は、疎水性を有
する疎水部が設けられた半導体装置基板において、前記
疎水部の表面を親水性材料で被覆したことを特徴とす
る。
する疎水部が設けられた半導体装置基板において、前記
疎水部の表面を親水性材料で被覆したことを特徴とす
る。
【０００７】
【作用】この発明の半導体装置基板では表面の疎水部
（フォトマスクの場合金属パターン）が親水性材料で被
覆され親水性を有するようになり、濡れ性が良くなって
水滴ができ難くなる。したがって水滴によるしみも生じ
にくくなる。
（フォトマスクの場合金属パターン）が親水性材料で被
覆され親水性を有するようになり、濡れ性が良くなって
水滴ができ難くなる。したがって水滴によるしみも生じ
にくくなる。
【０００８】
【実施例】図１はこの発明の実施例に係るフォトマスク
を示した図である。同図（Ａ）は平面図、同図（Ｂ）は
そのＡ−Ａ断面図である。
を示した図である。同図（Ａ）は平面図、同図（Ｂ）は
そのＡ−Ａ断面図である。
【０００９】この実施例のフォトマスクは、ガラス基板
１上に金属パターン２を形成し、この金属パターン２を
親水性材料３で被覆したものである。このフォトマスク
の製造方法を説明する。まず、ガラス基板１上に５００
〜３０００Å程度の金属膜（クロム，酸化鉄，ニッケル
等）を真空蒸着またはスパッタリング方式により形成す
る。これらの金属材料は一般に疎水性を示す。次に金属
膜上にフォトレジスト膜を塗布し、公知のフォトリソグ
ラフィ技術によってマスタマスクのパターンを転写し、
不要な部分のフォトレジスト膜を除去し、続いてエッチ
ングを行って不要な金属膜を除去し、所望の金属パター
ン２を得る。この工程までは、一般的なフォトマスク製
造方法と同様である。なおこの方法以外にも例えば、パ
ターニングを電子ビーム（ＥＢ）で描画したマスタマス
クがそのまま使用そのまま使用されることもある。
１上に金属パターン２を形成し、この金属パターン２を
親水性材料３で被覆したものである。このフォトマスク
の製造方法を説明する。まず、ガラス基板１上に５００
〜３０００Å程度の金属膜（クロム，酸化鉄，ニッケル
等）を真空蒸着またはスパッタリング方式により形成す
る。これらの金属材料は一般に疎水性を示す。次に金属
膜上にフォトレジスト膜を塗布し、公知のフォトリソグ
ラフィ技術によってマスタマスクのパターンを転写し、
不要な部分のフォトレジスト膜を除去し、続いてエッチ
ングを行って不要な金属膜を除去し、所望の金属パター
ン２を得る。この工程までは、一般的なフォトマスク製
造方法と同様である。なおこの方法以外にも例えば、パ
ターニングを電子ビーム（ＥＢ）で描画したマスタマス
クがそのまま使用そのまま使用されることもある。
【００１０】次に、上記の金属パターン２上に親水性の
膜を形成する。親水性の膜としては例えばSiO2膜が用い
られる。SiO2膜は低温ＣＶＤ法等によって金属パターン
２の表面に形成される。このように金属パターン２の表
面に親水性のSiO2膜を形成することによって、基板表面
全体が親水性を有するようになり、純水等を用いてフォ
トマスクの洗浄を行ったときに、基板表面に水滴が生じ
るのを防止することができる。
膜を形成する。親水性の膜としては例えばSiO2膜が用い
られる。SiO2膜は低温ＣＶＤ法等によって金属パターン
２の表面に形成される。このように金属パターン２の表
面に親水性のSiO2膜を形成することによって、基板表面
全体が親水性を有するようになり、純水等を用いてフォ
トマスクの洗浄を行ったときに、基板表面に水滴が生じ
るのを防止することができる。
【００１１】なおSiO2膜は、フォトマスクの全面に形成
しても、金属パターン２上にのみ形成してもよい。ま
た、低温ＣＶＤ方式の他に、ＳＯＧ（Spin on Grass）
法によってSiO2膜を形成してもよい。ＳＯＧ法を用いた
場合には、ガラス基板１と金属パターン２との段差が軽
減されるため、段差部分に水滴が残留するということが
なくなって、しみの発生をさらに防止することができ
る。また上記の実施例では、SiO2膜を親水性の膜として
形成したが、他の親水性の材料を用いてもよい。例え
ば、水酸基，アミノ基等の酸素，窒素，イオウ等の原子
を含むものは親水性を有するものが多く、それらの親水
性を有する材料を金属パターン上に成膜することによっ
て金属パターン上に水滴が形成されるのを防止すること
ができる。また、フォトマスク以外にも液晶パネル装置
等の半導体装置の基板においても疎水性部分を被覆する
ことによって同様の効果を得ることができる。
しても、金属パターン２上にのみ形成してもよい。ま
た、低温ＣＶＤ方式の他に、ＳＯＧ（Spin on Grass）
法によってSiO2膜を形成してもよい。ＳＯＧ法を用いた
場合には、ガラス基板１と金属パターン２との段差が軽
減されるため、段差部分に水滴が残留するということが
なくなって、しみの発生をさらに防止することができ
る。また上記の実施例では、SiO2膜を親水性の膜として
形成したが、他の親水性の材料を用いてもよい。例え
ば、水酸基，アミノ基等の酸素，窒素，イオウ等の原子
を含むものは親水性を有するものが多く、それらの親水
性を有する材料を金属パターン上に成膜することによっ
て金属パターン上に水滴が形成されるのを防止すること
ができる。また、フォトマスク以外にも液晶パネル装置
等の半導体装置の基板においても疎水性部分を被覆する
ことによって同様の効果を得ることができる。
【００１２】
【発明の効果】この発明によれば、基板表面の疎水性の
部分が親水性の材料で被覆されるため、基板表面に水滴
が生じ難くなる。これによってしみの発生を抑えること
ができる。
部分が親水性の材料で被覆されるため、基板表面に水滴
が生じ難くなる。これによってしみの発生を抑えること
ができる。
【図１】この発明の実施例であるフォトマスクの平面
図，側面断面図
図，側面断面図
【図２】従来のフォトマスクの側面断面図
１ ガラス基板 ２ 金属パターン ３ SiO2膜
Claims (1)
- 【請求項１】疎水性を有する疎水部が設けられた半導体
装置基板において、前記疎水部の表面を親水性材料で被
覆したことを特徴とする半導体装置基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23849292A JPH0683040A (ja) | 1992-09-07 | 1992-09-07 | 半導体装置基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23849292A JPH0683040A (ja) | 1992-09-07 | 1992-09-07 | 半導体装置基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0683040A true JPH0683040A (ja) | 1994-03-25 |
Family
ID=17031056
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23849292A Pending JPH0683040A (ja) | 1992-09-07 | 1992-09-07 | 半導体装置基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0683040A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8372297B2 (en) | 2008-03-14 | 2013-02-12 | Postech Academy-Industry Foundation | Method for fabricating membrane having hydrophilicity and hydrophobicity |
| US10667909B2 (en) | 2016-05-16 | 2020-06-02 | Valve Medical Ltd. | Inverting temporary valve sheath |
-
1992
- 1992-09-07 JP JP23849292A patent/JPH0683040A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8372297B2 (en) | 2008-03-14 | 2013-02-12 | Postech Academy-Industry Foundation | Method for fabricating membrane having hydrophilicity and hydrophobicity |
| US10667909B2 (en) | 2016-05-16 | 2020-06-02 | Valve Medical Ltd. | Inverting temporary valve sheath |
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