JPH0679145U - マルチコレクタトランジスタ - Google Patents

マルチコレクタトランジスタ

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Publication number
JPH0679145U
JPH0679145U JP2679993U JP2679993U JPH0679145U JP H0679145 U JPH0679145 U JP H0679145U JP 2679993 U JP2679993 U JP 2679993U JP 2679993 U JP2679993 U JP 2679993U JP H0679145 U JPH0679145 U JP H0679145U
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
collector
emitter region
transistor
collector transistor
peripheral length
Prior art date
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Pending
Application number
JP2679993U
Other languages
English (en)
Inventor
忍 笠原
泰久 石川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsumi Electric Co Ltd
Original Assignee
Mitsumi Electric Co Ltd
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Publication date
Application filed by Mitsumi Electric Co Ltd filed Critical Mitsumi Electric Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【目的】少ない面積で、電流比精度の良いマルチコレク
タトランジスタに関する。 【構成】複数のコレクタ領域６，７がエミッタ領域３の
周囲に配されてなるマルチコレクタトランジスタにおい
て、上記エミッタ領域３の形状を楕円形に形成する。

Description

【考案の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本考案は、マルチコレクタトランジスタの構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】
図２は、一般的なラテラル（横）形ＰＮＰタイプのマルチコレクタトランジス タの断面図である。図中、１はＰ形の半導体基板、２はＮ+形の埋込層、３はＰ 形のエミッタ領域、４，５はＮ，Ｎ+形のベース領域、６，７はそれぞれＰ形の コレクタ領域、８は酸化膜等で形成される絶縁膜、９はエミッタ電極、１０はベ ース電極、１１，１２はそれぞれコレクタ電極である。
【０００３】 図３は、平面から見たマルチコレクタトランジスタの従来例を示す図である。 同図は、説明上図２における絶縁膜８を省略し、又符号を図２と同一に付した ので、符号の説明を省略する。
【０００４】 図３において、コレクタ領域６，７はエミッタ領域３の周囲に配され、このエ ミッタ領域３と対向する周辺長の比によってコレクタ領域６，７に流れる電流が 分割され、電流比としてコレクタ電極１１，１２から取り出される。
【０００５】
【考案が解決しようとする課題】
しかしながら、上記従来例においては、エミッタ領域３の形状が円形であるた め、エミッタ領域３と対向するコレクタ領域６の周辺長ｌが寸法的に小さくなり 、図４に示す如く側面からの電流の回り込みＡ，Ｂが生じてしまう。この結果、 コレクタ電極１１から取り出される電流と、コレクタ電極１２から取り出される 電流の比（電流比）がくずれ、電流比精度が悪く、設計値とのズレが生じてしま うという課題があった。
【０００６】
【課題を解決するための手段】 上記エミッタ領域の形状を楕円形に形成したものである。
【０００７】
【作用】
このマルチコレクタトランジスタは、エミッタ領域の周辺長を長くし、複数の コレクタ電極から取り出される電流の比を設計値に近づけ、又面積を小さくする 。
【０００８】
【実施例】
次に、本考案に係るマルチコレクタトランジスタの実施例について説明する。 図１は、平面から見た図である。図１中、上記図２，３と対応する部分は同一符 号を付し、その詳細な説明を省略する。又、絶縁膜８の図を省略する。
【０００９】 図１において、エミッタ領域３の形状が楕円形に形成されており、これに応じ てコレクタ６，７のエミッタ領域３と対向する周辺の形状も楕円形に形成される 。
【００１０】 図１の構成においては、エミッタ領域の周辺長が上記従来例で述べた円形のエ ミッタ領域の周辺長に比べて大きくなり、又コレクタ領域６の周辺長が上記従来 例で述べたコレクタ領域６の周辺長に比べ大きくなる。この周辺長が大きくなる ことによって、上述した側面から電流の回り込みＡ，Ｂが生じても、その影響が 低減し、コレクタ電極１１とコレクタ電極１２から取り出される電流の比は精度 が良くなり、設計値に近づくことになる。
【００１１】 実際の測定の結果、エミッタ領域３の周辺長が、上述した従来例の周辺長に比 べ約１．４５倍となり、この結果電流比精度は約７０％向上した。又、上述した 従来例のエミッタ領域の周辺長を１．４５倍とした場合、その面積に対して本考 案の場合の面積は約３５％減少し、少ない面積で電流比精度の良いマルチコレク タトランジスタを実現している。
【００１２】
【考案の効果】
上述の如く、本考案に係るマルチコレクタトランジスタは、複数のコレクタ領 域がエミッタ領域の周囲に配されてなるマルチコレクタトランジスタにおいて、 上記エミッタ領域の形状を楕円形に形成されてなる構成のため、エミッタ領域の 周辺長が長くなって複数のコレクタ領域から取り出される電流比の精度が良くな って設計値に近づき、又従来例のエミッタ領域の面積を大きくして、本考案と同 程度の電流比精度にした場合、その面積に比べて本考案の面積は小さくでき、少 ない面積で電流比精度の良いマルチコレクタトランジスタを実現できる等の効果 が生じる。
【図面の簡単な説明】
【図１】マルチコレクタトランジスタの平面から見た
図。
【図２】一般的なマルチコレクタトランジスタの断面
図。
【図３】従来例を示し、マルチコレクタトランジスタの
平面から見た図。
【図４】図３の一部拡大図。
【符号の説明】
３ エミッタ領域 ４，５ ベース領域 ６，７ コレクタ領域

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項１】 複数のコレクタ領域がエミッタ領域の周
    囲に配されてなるマルチコレクタトランジスタにおい
    て、 上記エミッタ領域の形状を楕円形に形成されてなる構成
    のマルチコレクタトランジスタ。
JP2679993U 1993-04-23 1993-04-23 マルチコレクタトランジスタ Pending JPH0679145U (ja)

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JP2679993U JPH0679145U (ja) 1993-04-23 1993-04-23 マルチコレクタトランジスタ

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JPH0679145U true JPH0679145U (ja) 1994-11-04

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