JPH0678180A - 輝度信号ノイズ低減回路 - Google Patents

輝度信号ノイズ低減回路

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JPH0678180A
JPH0678180A JP4226750A JP22675092A JPH0678180A JP H0678180 A JPH0678180 A JP H0678180A JP 4226750 A JP4226750 A JP 4226750A JP 22675092 A JP22675092 A JP 22675092A JP H0678180 A JPH0678180 A JP H0678180A
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JP
Japan
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signal
limiter
attenuator
control signal
edge detection
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Application number
JP4226750A
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English (en)
Inventor
Masahiro Yamaguchi
雅弘 山口
Toshitaka Senuma
俊隆 瀬沼
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Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【目的】輝度信号に対する垂直方向ノイズ低減動作部あ
るいは水平方向ノイズ低減動作部におけるリミッタの振
幅制限レベル及びアッテネータの減衰量を、輝度信号の
状況に応じて適切に設定する。 【構成】輝度信号に対する垂直方向ノイズ低減回路ブロ
ック(33)と水平方向ノイズ低減回路ブロック(3
4)に加えて、輝度信号についてのn次アダマール変換
出力信号を発生するアダマール変換部(51)と、アダ
マール変換部(51)から得られるn次アダマール変換
出力信号に基づいてリミッタ制御信号及びアッテネータ
制御信号を形成し、リミッタ制御信号によって回路ブロ
ック(33)及び回路ブロック(34)におけるリミッ
タ(42,47)のノイズ成分に対する振幅制限レベル
を制御するとともに、アッテネータ制御信号によって回
路ブロック(33)及び回路ブロック(34)における
アッテネータ(43,48)におけるノイズ成分に対す
る減衰量を制御する制御信号供給部(54,91,9
2,93,94)とが設けられる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、ビデオテープレコーダ
(VTR)により磁気テープから再生される再生映像信
号等の映像信号を構成する輝度信号に、それに混入した
ノイズを低減させる処理を行う輝度信号ノイズ低減回路
に関する。
【0002】
【従来の技術】磁気テープに記録された映像信号がVT
Rによって再生されるにあたっては、VTRにおいて、
それにより得られた再生映像信号に対してのシグナル対
ノイズ比(S/N比)を改善するための処理が施され
る。特に、再生映像信号を構成する輝度信号に対して
は、それに含まれる高域小振幅成分がノイズ成分と見做
され、斯かるノイズ成分を低減させる処理が行われる。
そして、このような輝度信号についてのノイズ低減処理
として、例えば、その輝度信号を含む映像信号に基づい
て得られる再生画像における各水平ライン方向を水平方
向とするとともに再生画像における水平ラインの配列方
向を垂直方向として、垂直方向ノイズ低減処理と水平方
向ノイズ低減処理とが行われる。
【0003】従来においては、垂直方向ノイズ低減処理
と水平方向ノイズ低減処理とが、例えば、図5に示され
る如くのノイズ低減回路が用いられて行われている。図
5のノイズ低減回路にあっては、ノイズ低減前の輝度信
号Yiが供給される入力端子11と、ノイズ低減がなさ
れた輝度信号Yoが導出される出力端子12との間に、
垂直方向ノイズ低減回路ブロック13と水平方向ノイズ
低減回路ブロック14とが、中間端子15を介して直列
接続されている。
【0004】垂直方向ノイズ低減回路ブロック13にお
いては、入力端子11からの輝度信号Yiが供給される
1H(Hは映像信号の1水平期間をあらわす)遅延部1
6と減算部17とが、櫛形フィルタによって成るノイズ
検出部を形成するものとされている。減算部17におい
ては、入力端子11よりの輝度信号Yiから、輝度信号
Yiが1H遅延部16によって1Hに相当する時間だけ
遅延されて得られる遅延輝度信号Ydが減算され、減算
部17から垂直方向ノイズ成分Nvが取り出される。そ
して、減算部17から得られる垂直方向ノイズ成分Nv
は、リミッタ18による振幅制限とアッテネータ19に
よる減衰(レベル低減)とが順次施され、垂直方向ノイ
ズ成分Nv’として減算部20に供給される。減算部2
0には入力端子11よりの輝度信号Yiも供給され、減
算部20においては、リミッタ18による振幅制限とア
ッテネータ19による減衰とが順次施された垂直方向ノ
イズ成分Nv’が輝度信号Yiから減じられて、減算部
20の出力端に垂直方向ノイズ低減が施された輝度信号
Yo’が得られ、それが中間端子15に導出される。
【0005】また、水平方向ノイズ低減回路ブロック1
4においては、中間端子15からの垂直方向ノイズ低減
が施された輝度信号Yo’が供給される高域通過フィル
タ(HPF)21が、ノイズ検出部を形成するものとさ
れている。そして、HPF部21により取り出された水
平方向ノイズ成分Nhが、リミッタ22による振幅制限
とアッテネータ23による減衰とが順次施され、水平方
向ノイズ成分Nh’として減算部24に供給される。減
算部24には中間端子15よりの垂直方向ノイズ低減が
施された輝度信号Yo’も供給され、減算部24におい
ては、リミッタ22による振幅制限とアッテネータ23
による減衰とが順次施された水平方向ノイズ成分Nh’
が輝度信号Yo’から減じられて、減算部24の出力端
にノイズ低減が施された輝度信号Yoが得られ、それが
出力端子12に導出される。
【0006】このようにして、輝度信号Yiが、垂直方
向ノイズ低減回路ブロック13における垂直方向ノイズ
低減処理と、水平方向ノイズ低減回路ブロック14にお
ける水平方向ノイズ低減処理とを順次受けて、ノイズ低
減が施されたものとされる。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】上述の如くの垂直方向
ノイズ低減回路ブロック13と水平方向ノイズ低減回路
ブロック14とを備えた従来のノイズ低減回路にあって
は、垂直方向ノイズ低減回路ブロック13のリミッタ1
8における垂直方向ノイズ成分Nvに対する振幅制限レ
ベル及び垂直方向ノイズ低減回路ブロック13のアッテ
ネータ19における垂直方向ノイズ成分Nvに対する減
衰量が、輝度信号Yiの状況に応じて適切に選定される
もとで、垂直方向ノイズ低減処理が適正に行われ、ま
た、水平方向ノイズ低減回路ブロック14のリミッタ2
2における水平方向ノイズ成分Nhに対する振幅制限レ
ベル及び水平方向ノイズ低減回路ブロック14のアッテ
ネータ23における水平方向ノイズ成分Nhに対する減
衰量が、輝度信号Yiの状況に応じて適切に選定される
もとで、水平方向ノイズ低減処理が適正に行われること
になる。しかしながら、垂直方向ノイズ低減回路ブロッ
ク13のリミッタ18における振幅制限レベル及びアッ
テネータ19における減衰量、及び、水平方向ノイズ低
減回路ブロック14のリミッタ22における振幅制限レ
ベル及びアッテネータ23における減衰量の夫々は、予
め設定される値をとるものとされる。
【0008】従って、垂直方向ノイズ低減回路ブロック
13のリミッタ18における振幅制限レベル及びアッテ
ネータ19における減衰量、及び、水平方向ノイズ低減
回路ブロック14のリミッタ22における振幅制限レベ
ル及びアッテネータ23における減衰量の夫々を、輝度
信号Yiに対する垂直方向ノイズ低減回路ブロック13
による垂直方向ノイズ低減処理及び水平方向ノイズ低減
回路ブロック14による水平方向ノイズ低減処理が常時
適正に行われるように、輝度信号Yiの状況に応じて適
切に設定することは、著しく困難なこととされている。
【0009】斯かる点に鑑み、本発明は、映像信号を構
成する輝度信号に対して、櫛形フィルタによって成るノ
イズ検出部,ノイズ検出部からのノイズ成分が供給され
るリミッタ,リミッタを経たノイズ成分が供給されるア
ッテネータ、及び、輝度信号からアッテネータからの出
力信号を減算する減算部を含んで構成される垂直方向ノ
イズ低減動作部と、HPFによって成るノイズ検出部,
ノイズ検出部からのノイズ成分が供給されるリミッタ,
リミッタを経たノイズ成分が供給されるアッテネータ、
及び、輝度信号からアッテネータからの出力信号を減算
する減算部を含んで構成される水平方向ノイズ低減動作
部とのうちの一方あるいは両者によるノイズ低減処理を
行うにあたり、垂直方向ノイズ低減動作部のリミッタに
おける振幅制限レベル及びアッテネータにおける減衰
量、あるいは、水平方向ノイズ低減動作部のリミッタに
おける振幅制限レベル及びアッテネータにおける減衰
量、もしくは、垂直方向ノイズ低減動作部のリミッタに
おける振幅制限レベル及びアッテネータにおける減衰量
及び水平方向ノイズ低減動作部のリミッタにおける振幅
制限レベル及びアッテネータにおける減衰量の夫々が、
輝度信号の状況に応じて適切に設定される状態が自動的
にとられることになる輝度信号ノイズ低減回路を提供す
ることを目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】上述の目的を達成すべ
く、本発明に係る輝度信号ノイズ低減回路は、映像信号
を構成する輝度信号におけるノイズ成分を取り出すノイ
ズ検出部,ノイズ検出部からのノイズ成分が供給される
リミッタ,リミッタを経たノイズ成分が供給されるアッ
テネータ、及び、輝度信号からアッテネータからの出力
信号を減算する減算部を含んで構成されるノイズ低減動
作部に加えて、ノイズ低減動作部に供給される輝度信号
が供給され、その輝度信号についてのn次(nは正数)
アダマール変換出力信号を発生するアダマール変換部
と、アダマール変換部から得られるn次アダマール変換
出力信号に基づいてリミッタ制御信号及びアッテネータ
制御信号を形成し、リミッタ制御信号によってリミッタ
におけるノイズ検出部からのノイズ成分に対する振幅制
限レベルを制御するとともに、アッテネータ制御信号に
よってアッテネータにおけるリミッタを経たノイズ成分
に対する減衰量を制御する制御信号供給部とが設けられ
て構成される。
【0011】
【作用】このように構成される本発明に係る映像信号ノ
イズ低減回路にあっては、ノイズ低減動作部が、例え
ば、ノイズ検出部が櫛形フィルタ部によって形成される
垂直方向ノイズ低減動作部、あるいは、ノイズ検出部が
HPF部によって形成される水平方向ノイズ低減動作部
とされる。そして、アダマール変換部から得られる、輝
度信号についてのn次アダマール変換出力信号に基づい
て、制御信号供給部により形成されるリミッタ制御信号
及びアッテネータ制御信号の夫々は、輝度信号の、それ
を含む映像信号に基づいて得られる再生画像において水
平方向,垂直方向、あるいは、斜め方向のエッジをあら
わすことになる部分の状況に応じたものとされる。それ
により、リミッタ制御信号によって制御される、リミッ
タにおけるノイズ検出部からのノイズ成分に対する振幅
制限レベルが、輝度信号の状況に応じて適切に設定され
たものとされ、また、アッテネータ制御信号によって制
御される、アッテネータにおけるノイズ検出部からのノ
イズ成分に対する減衰量も、輝度信号の状況に応じて適
切に設定されたものとされる。その結果、垂直方向ノイ
ズ低減動作部とされたノイズ低減動作部による輝度信号
に対する垂直方向ノイズ低減処理、あるいは、水平方向
ノイズ低減動作部とされたノイズ低減動作部による輝度
信号に対する水平方向ノイズ低減処理が、輝度信号に含
まれたノイズ成分の状態に応じて適正に行われることに
なる。
【0012】
【実施例】図1は、本発明に係る映像信号ノイズ低減回
路の一例を示す。図1に示される例にあっては、例え
ば、VTRにより得られた再生映像信号を形成する輝度
信号である、ノイズ低減前の輝度信号YIが供給される
入力端子31と、ノイズ低減がなされた輝度信号YOが
導出される出力端子32との間に、垂直方向ノイズ低減
回路ブロック33と水平方向ノイズ低減回路ブロック3
4とが、中間端子35を介して直列接続されている。そ
して、さらに、垂直方向ノイズ低減回路ブロック33及
び水平方向ノイズ低減回路ブロック34の夫々における
動作状態を設定する動作状態設定部36が、入力端子3
1からの輝度信号YIが供給され、垂直方向ノイズ低減
回路ブロック33及び水平方向ノイズ低減回路ブロック
34の両者に制御信号を供給するものとされて、設けら
れている。
【0013】垂直方向ノイズ低減回路ブロック33にお
いては、入力端子31からの輝度信号YIが供給される
1H遅延部37,輝度信号YIが1H遅延部37により
1Hに相当する時間だけ遅延されて得られる遅延輝度信
号YDが供給される1H遅延部38,入力端子31から
の輝度信号YIと遅延輝度信号YDが1H遅延部38に
よりさらに1Hに相当する時間だけ遅延されて得られる
遅延輝度信号YD’とが供給される加算部39,加算部
39において輝度信号YIと遅延輝度信号YD’とが加
算されて得られる加算信号YAが供給され、加算信号Y
Aのレベルを半減させるレベル調整部40、及び、遅延
輝度信号YDとレベル調整部40によりレベルが半減さ
れた加算信号YAとが供給される減算部41が、3ライ
ン合成型の櫛形フィルタによって成るノイズ検出部を形
成するものとされている。減算部41においては、1H
遅延部37よりの遅延輝度信号YDからレベル調整部4
0によりレベルが半減された加算信号YAが減算され、
減算部41から垂直方向ノイズ成分NVが取り出され
る。
【0014】減算部41から得られる垂直方向ノイズ成
分NVは、リミッタ42による振幅制限とアッテネータ
43による減衰(レベル低減)とが順次施され、垂直方
向ノイズ成分NV’として減算部45に供給される。減
算部45には1H遅延部37よりの遅延輝度信号YDも
供給され、減算部45においては、リミッタ42による
振幅制限とアッテネータ43による減衰とが順次施され
た垂直方向ノイズ成分NV’が遅延輝度信号YDから減
じられて、減算部45の出力端に垂直方向ノイズ低減が
施された輝度信号YO’が得られ、それが中間端子35
に導出される。
【0015】また、水平方向ノイズ低減回路ブロック3
4においては、中間端子35からの垂直方向ノイズ低減
が施された輝度信号YO’が供給されるHPF46が、
ノイズ検出部を形成するものとされている。そして、H
PF46により取り出された水平方向ノイズ成分NH
が、リミッタ47による振幅制限とアッテネータ48に
よる減衰とが順次施され、水平方向ノイズ成分NH’と
されて減算部49に供給される。減算部49には中間端
子35よりの垂直方向ノイズ低減が施された輝度信号Y
O’も供給され、減算部49においては、リミッタ47
による振幅制限とアッテネータ48による減衰とが順次
施された水平方向ノイズ成分NH’が輝度信号YO’か
ら減じられて、減算部49の出力端にノイズ低減が施さ
れた輝度信号YOが得られ、それが出力端子32に導出
される。
【0016】動作状態設定部36においては、入力端子
31からの輝度信号YIと垂直方向ノイズ低減回路ブロ
ック33における1H遅延部37から得られる遅延輝度
信号YDとが供給されるアダマール変換部51が設けら
れている。アダマール変換部51は、図2に示される如
くに、輝度信号YIを含んだ映像信号に基づいて得られ
る再生画像画面52における4水平方向画素×2垂直方
向画素=8画素で成る区分画像ブロック53を単位とす
るもとで、輝度信号YIに対するアダマール変換(直交
変換の一種)を行って8次アダマール変換出力信号を発
生するものとされる。再生画像画面52における区分画
像ブロック53は、水平方向に1画素ずつ、また、垂直
方向に1水平ラインずつ移動せしめられていくものとさ
れる。そして、図2に示される如く、8画素で成る区分
画像ブロック53における各画素に対応する輝度信号成
分をf0,f1,f2,f3,f4,f5,f6及びf
7とするとき、アダマール変換部51から得られる8次
アダマール変換出力信号F0,F1,F2,F3,F
4,F5,F6及びF7は、下記の式1の行列式によっ
てあらわされるものとされる。なお、アダマール変換部
51は、この例の場合には、4水平方向画素×2垂直方
向画素=8画素を区分画像ブロックとして8次アダマー
ル変換出力信号F0〜F7を発生するものとされている
が、一般的には、n画素(nは正整数)を区分画像ブロ
ックとしてn次アダマール変換出力信号を発生するもの
とされる。
【0017】
【式1】
【0018】従って、8次アダマール変換出力信号F0
〜F7の夫々は、下記の如くにあらわされる。 F0 = f0+f1+f2+f3+f4+f5+f6
+f7 F1 = f0−f1+f2−f3+f4−f5+f6
−f7 F2 = f0+f1−f2−f3+f4+f5−f6
−f7 F3 = f0−f1−f2+f3+f4−f5−f6
+f7 F4 = f0+f1+f2+f3−f4−f5−f6
−f7 F5 = f0−f1+f2−f3−f4+f5−f6
−f7 F6 = f0+f1−f2−f3−f4−f5+f6
+f7 F7 = f0−f1−f2+f3−f4+f5+f6
−f7
【0019】このようにして得られる8次アダマール変
換出力信号F0〜F7を、4水平方向画素×2垂直方向
画素=8画素で成る区分画像ブロック53における係数
パターンによってあらわせば、図3に示される如くにな
る。図3において、ハッチングが施されていない画素対
応部が係数+1 をあらわし、ハッチングが施された画素
対応部が係数−1 をあらわしている。これよりして、或
る区分画像ブロック53について、アダマール変換出力
信号F0が所定以上のレベルを有するものとされるとき
には、その区分画像ブロック53が水平方向,垂直方
向,斜め方向のいずれの方向にもエッジ部が無いものと
されており、アダマール変換出力信号F1〜F3の少な
くとも1つが所定以上のレベルを有するものとされると
きには、その区分画像ブロック53が水平方向エッジ部
を有したものとされており、アダマール変換出力信号F
4が所定以上のレベルを有するものとされるときには、
その区分画像ブロック53が垂直方向エッジ部を有した
ものとされており、さらに、アダマール変換出力信号F
5〜F7の少なくとも1つが所定以上のレベルを有する
ものとされるときには、その区分画像ブロック53が斜
め方向エッジ部を有したものとされていることになる。
【0020】アダマール変換部51から得られる8次ア
ダマール変換出力信号F0〜F7は、エッジ検出信号形
成部54に供給される。エッジ検出信号形成部54は、
アダマール変換部51から供給される8次アダマール変
換出力信号F0〜F7に基づいて、図2に示される再生
画像画面52におけるエッジ部の状態をあらわすエッジ
無検出パルス信号PF,水平エッジ検出パルス信号P
H,垂直エッジ検出パルス信号PVもしくは斜めエッジ
検出パルス信号PSを送出するものとされ、具体的に
は、例えば、図4に示される如くに構成される。
【0021】図4に示されるエッジ検出信号形成部54
の具体構成例においては、アダマール変換部51からの
8次アダマール変換出力信号F0〜F7が夫々供給され
る入力端子55,56,57,58,59,60,61
及び62が設けられており、これら入力端子55〜62
には、各々が一対のレベルコンパレータ63及び64と
レベルコンパレータ63及び64の夫々の出力端が接続
されたオアゲート回路65とを含んで構成されたエッジ
検出部66,67,68,69,70,71,72及び
73が夫々接続されている。レベルコンパレータ63に
おいては、8次アダマール変換出力信号F0〜F7の夫
々のレベルが所定の正の基準電圧レベル+VRと比較さ
れて、8次アダマール変換出力信号F0〜F7の夫々の
レベルが正の基準電圧レベル+VRを越えるとき、レベ
ルコンパレータ63の出力端に高レベル(“1”のレベ
ル)の出力信号が得られ、それ以外のときには、レベル
コンパレータ63の出力端に低レベル(“0”のレベ
ル)の出力信号が得られる。また、レベルコンパレータ
64においては、8次アダマール変換出力信号F0〜F
7の夫々のレベルが所定の負の基準電圧レベル−VRと
比較されて、8次アダマール変換出力信号F0〜F7の
夫々のレベルが負の基準電圧レベル−VRをよ越える
(絶対値が|VR|より大)のとき、レベルコンパレー
タ64の出力端に高レベル(“1”のレベル)の出力信
号が得られ、それ以外のときには、レベルコンパレータ
64の出力端に低レベル(“0”のレベル)の出力信号
が得られる。そして、オアゲート回路65からは、レベ
ルコンパレータ63及び64の少なくとも一方から高レ
ベルの出力信号が得られるとき高レベルをとり、レベル
コンパレータ63及び64のいずれからも高レベルの出
力信号が得られないとき低レベルをとる出力信号が得ら
れる。
【0022】エッジ検出部66〜73の夫々におけるオ
アゲート回路65から得られる出力信号は、波形整形部
75,76,77,78,79,80,81及び82に
夫々供給され、波形整形部75〜82は、エッジ検出部
66〜73の夫々におけるオアゲート回路65から得ら
れる出力信号の高レベル部分に応じて高レベルをとるパ
ルス信号P0,P1,P2,P3,P4,P5,P6及
びP7を夫々送出する。従って、これらパルス信号P0
〜P7の各々は、入力端子55〜62に夫々供給される
8次アダマール変換出力信号F0〜F7の各々が所定以
上のレベルを有しているとき、それに応じて得られるこ
とになる。そして、波形整形部75から得られるパルス
信号P0が、出力端子85にエッジ無検出パルス信号P
Fとして導出され、波形整形部76から得られるパルス
信号P1,波形整形部77から得られるパルス信号P2
もしくは波形整形部78から得られるパルス信号P3
が、オアゲート回路83を通じて、出力端子86に水平
エッジ検出パルス信号PHとして導出され、波形整形部
79から得られるパルス信号P4が、出力端子87に垂
直エッジ検出パルス信号PVとして導出され、さらに、
波形整形部80から得られるパルス信号P5,波形整形
部81から得られるパルス信号P6もしくは波形整形部
82から得られるパルス信号P7が、オアゲート回路8
4を通じて、出力端子88に斜めエッジ検出パルス信号
PSとして導出される。
【0023】このようにして、エッジ検出信号形成部5
4から送出されるエッジ無検出パルス信号PF,水平エ
ッジ検出パルス信号PH,垂直エッジ検出パルス信号P
Vもしくは斜めエッジ検出パルス信号PSは、リミッタ
制御信号形成部91,アッテネータ制御信号形成部9
2,リミッタ制御信号形成部93及びアッテネータ制御
信号形成部94の夫々に供給される。リミッタ制御信号
形成部91は、エッジ無検出パルス信号PF,水平エッ
ジ検出パルス信号PH,垂直エッジ検出パルス信号PV
もしくは斜めエッジ検出パルス信号PSに応じて、リミ
ッタ制御信号CAを形成し、それを垂直方向ノイズ低減
回路ブロック33におけるリミッタ42に供給して、リ
ミッタ42における垂直方向ノイズ成分NVに対する振
幅制限レベル(リミッタ42の振幅制限レベル)を制御
し、それを所定の値に設定する。また、アッテネータ制
御信号形成部92は、エッジ無検出パルス信号PF,水
平エッジ検出パルス信号PH,垂直エッジ検出パルス信
号PVもしくは斜めエッジ検出パルス信号PSに応じ
て、アッテネータ制御信号CBを形成し、それを垂直方
向ノイズ低減回路ブロック33におけるアッテネータ4
3に供給して、アッテネータ43におけるリミッタ42
を経た垂直方向ノイズ成分NVに対する減衰量(アッテ
ネータ43の減衰量)を制御し、それを所定の値に設定
する。
【0024】さらに、リミッタ制御信号形成部93は、
エッジ無検出パルス信号PF,水平エッジ検出パルス信
号PH,垂直エッジ検出パルス信号PVもしくは斜めエ
ッジ検出パルス信号PSに応じて、リミッタ制御信号C
Cを形成し、それを水平方向ノイズ低減回路ブロック3
4におけるリミッタ47に供給して、リミッタ47にお
ける水平方向ノイズ成分NHに対する振幅制限レベル
(リミッタ47の振幅制限レベル)を制御し、それを所
定の値に設定する。また、アッテネータ制御信号形成部
94は、エッジ無検出パルス信号PF,水平エッジ検出
パルス信号PH,垂直エッジ検出パルス信号PVもしく
は斜めエッジ検出パルス信号PSに応じて、アッテネー
タ制御信号CDを形成し、それを水平方向ノイズ低減回
路ブロック34におけるアッテネータ48に供給して、
アッテネータ48におけるリミッタ47を経た水平方向
ノイズ成分NHに対する減衰量(アッテネータ48の減
衰量)を制御し、それを所定の値に設定する。
【0025】リミッタ制御信号形成部91からリミッタ
42に供給されるリミッタ制御信号CAは、エッジ検出
信号形成部54からエッジ無検出パルス信号PFもしく
は水平エッジ検出パルス信号PHが送出されるとき、リ
ミッタ42の振幅制限レベルを大に設定し、エッジ検出
信号形成部54から垂直エッジ検出パルス信号PVが送
出されるとき、リミッタ42の振幅制限レベルを小に設
定し、エッジ検出信号形成部54から斜めエッジ検出パ
ルス信号PSが送出されるとき、リミッタ42の振幅制
限レベルを中程度に設定するものとされる。そして、リ
ミッタ制御信号CAは、例えば、2ビットコード信号と
され、エッジ検出信号形成部54からエッジ無検出パル
ス信号PFもしくは水平エッジ検出パルス信号PHが送
出されるとき“11”とされ、エッジ検出信号形成部5
4から垂直エッジ検出パルス信号PVが送出されるとき
“01”とされ、エッジ検出信号形成部54から斜めエ
ッジ検出パルス信号PSが送出されるとき“10”とさ
れる。
【0026】アッテネータ制御信号形成部92からアッ
テネータ43に供給されるアッテネータ制御信号CB
は、エッジ検出信号形成部54からエッジ無検出パルス
信号PFが送出されるとき、アッテネータ43の減衰量
を小傾向の中程度に設定し、エッジ検出信号形成部54
から水平エッジ検出パルス信号PHが送出されるとき、
アッテネータ43の減衰量を小に設定し、エッジ検出信
号形成部54から垂直エッジ検出パルス信号PVが送出
されるとき、アッテネータ43の減衰量を大に設定し、
エッジ検出信号形成部54から斜めエッジ検出パルス信
号PSが送出されるとき、アッテネータ43の減衰量を
大傾向の中程度に設定するものとされる。そして、アッ
テネータ制御信号CBは、例えば、3ビットコード信号
とされ、エッジ検出信号形成部54からエッジ無検出パ
ルス信号PFが送出されるとき“101”とされ、エッ
ジ検出信号形成部54から水平エッジ検出パルス信号P
Hが送出されるとき“111”とされ、エッジ検出信号
形成部54から垂直エッジ検出パルス信号PVが送出さ
れるとき“001”とされ、エッジ検出信号形成部54
から斜めエッジ検出パルス信号PSが送出されるとき
“011”とされる。
【0027】また、リミッタ制御信号形成部93からリ
ミッタ47に供給されるリミッタ制御信号CCは、エッ
ジ検出信号形成部54からエッジ無検出パルス信号PF
もしくは垂直エッジ検出パルス信号PVが送出されると
き、リミッタ47の振幅制限レベルを大に設定し、エッ
ジ検出信号形成部54から水平エッジ検出パルス信号P
Hが送出されるとき、リミッタ47の振幅制限レベルを
小に設定し、エッジ検出信号形成部54から斜めエッジ
検出パルス信号PSが送出されるとき、リミッタ47の
振幅制限レベルを中程度に設定するものとされる。そし
て、リミッタ制御信号CCは、例えば、2ビットコード
信号とされ、エッジ検出信号形成部54からエッジ無検
出パルス信号PFもしくは垂直エッジ検出パルス信号P
Vが送出されるとき“11”とされ、エッジ検出信号形
成部54から水平エッジ検出パルス信号PHが送出され
るとき“01”とされ、エッジ検出信号形成部54から
斜めエッジ検出パルス信号PSが送出されるとき“1
0”とされる。
【0028】さらに、アッテネータ制御信号形成部94
からアッテネータ48に供給されるアッテネータ制御信
号CDは、エッジ検出信号形成部54からエッジ無検出
パルス信号PFが送出されるとき、アッテネータ48の
減衰量を小傾向の中程度に設定し、エッジ検出信号形成
部54から水平エッジ検出パルス信号PHが送出される
とき、アッテネータ48の減衰量を大に設定し、エッジ
検出信号形成部54から垂直エッジ検出パルス信号PV
が送出されるとき、アッテネータ48の減衰量を小に設
定し、エッジ検出信号形成部54から斜めエッジ検出パ
ルス信号PSが送出されるとき、アッテネータ48の減
衰量を大傾向の中程度に設定するものとされる。そし
て、アッテネータ制御信号CDは、例えば、3ビットコ
ード信号とされ、エッジ検出信号形成部54からエッジ
無検出パルス信号PFが送出されるとき“101”とさ
れ、エッジ検出信号形成部54から水平エッジ検出パル
ス信号PHが送出されるとき“001”とされ、エッジ
検出信号形成部54から垂直エッジ検出パルス信号PV
が送出されるとき“111”とされ、エッジ検出信号形
成部54から斜めエッジ検出パルス信号PSが送出され
るとき“011”とされる。
【0029】上述の如くの、設定されるリミッタ42及
び47の振幅制限レベル及びアッテネータ43及び48
の減衰量と、エッジ検出信号形成部54からのエッジ無
検出パルス信号PF,水平エッジ検出パルス信号PH,
垂直エッジ検出パルス信号PV及び斜めエッジ検出パル
ス信号PSの送出状態と、リミッタ制御信号形成部91
からのリミッタ制御信号CAによって設定されるリミッ
タ42の振幅制限レベル,アッテネータ制御信号形成部
92からのアッテネータ制御信号CBによって設定され
るアッテネータ43の減衰量,リミッタ制御信号形成部
93からのリミッタ制御信号CCによって設定されるリ
ミッタ47の振幅制限レベル、及び、アッテネータ制御
信号形成部94からのアッテネータ制御信号CDによっ
て設定されるアッテネータ48の減衰量との関係は、下
記の表1の如くにまとめられる。
【0030】
【表1】
【0031】このようにして、輝度信号YIに対して、
垂直方向ノイズ低減回路ブロック33による垂直方向ノ
イズ低減処理が、垂直方向ノイズ低減回路ブロック33
におけるリミッタ42の振幅制限レベル及びアッテネー
タ43の減衰量が、輝度信号YIについての8次アダマ
ール変換出力信号F0〜F7を発生するアダマール変換
部51が設けられた動作状態設定部36における、リミ
ッタ制御信号形成部91からのリミッタ制御信号CA及
びアッテネータ制御信号形成部92からのアッテネータ
制御信号CBによって、夫々、輝度信号YIの状況に応
じた設定がなされるもとで施され、また、水平方向ノイ
ズ低減回路ブロック34による水平方向ノイズ低減処理
が、水平方向ノイズ低減回路ブロック34におけるリミ
ッタ47の振幅制限レベル及びアッテネータ48の減衰
量が、輝度信号YIについての8次アダマール変換出力
信号F0〜F7を発生するアダマール変換部51が設け
られた動作状態設定部36における、リミッタ制御信号
形成部93からのリミッタ制御信号CC及びアッテネー
タ制御信号形成部94からのアッテネータ制御信号CD
によって、夫々、輝度信号YIの状況に応じた設定がな
されるもとで施される。従って、輝度信号YIに対して
の垂直方向ノイズ低減処理及び水平方向ノイズ低減処理
が、輝度信号YIに含まれたノイズ成分の状態に応じて
適正に行われることになる。
【0032】なお、上述の例にあっては、垂直方向ノイ
ズ低減回路ブロック33と水平方向ノイズ低減回路ブロ
ック34との両者が備えられ、垂直方向ノイズ低減回路
ブロック33及び水平方向ノイズ低減回路ブロック34
の夫々の動作状態が、動作状態設定部36によって設定
されるようになされているが、本発明に係る輝度信号ノ
イズ低減回路にあっては、水平方向ノイズ低減回路ブロ
ック34が設けられないで垂直方向ノイズ低減回路ブロ
ック33のみが設けられ、それに伴って、動作状態設定
部36が、アダマール変換部51,エッジ検出信号形成
部54,リミッタ制御信号形成部91及びアッテネータ
制御信号形成部92から成るものとされてもよく、ま
た、垂直方向ノイズ低減回路ブロック33が設けられな
いで水平方向ノイズ低減回路ブロック34のみが設けら
れ、それに伴って、動作状態設定部36が、アダマール
変換部51,エッジ検出信号形成部54,リミッタ制御
信号形成部93及びアッテネータ制御信号形成部94か
ら成るものとされてもよい。
【0033】
【発明の効果】以上の説明から明らかな如く、本発明に
係る映像信号ノイズ低減回路にあっては、輝度信号に対
しての、ノイズ検出部が櫛形フィルタ部によって形成さ
れる垂直方向ノイズ低減動作部、あるいは、ノイズ検出
部がHPF部によって形成される水平方向ノイズ低減動
作部、もしくは、垂直方向ノイズ低減動作部と水平方向
ノイズ低減動作部との両者が備えられ、垂直方向ノイズ
低減動作部あるいは水平方向ノイズ低減動作部における
リミッタのノイズ検出部からのノイズ成分に対する振幅
制限レベル及び垂直方向ノイズ低減動作部におけるアッ
テネータのリミッタを経たノイズ成分に対する減衰量
が、輝度信号についてのn次アダマール変換出力信号に
基づいて形成されるリミッタ制御信号及びアッテネータ
制御信号によって夫々設定されるもとで、輝度信号に垂
直方向ノイズ低減動作部による垂直方向ノイズ低減処理
及び水平方向ノイズ低減動作部による水平方向ノイズ低
減処理の一方もしくは両方が施され、その際、n次アダ
マール変換出力信号に基づいて形成されるリミッタ制御
信号及びアッテネータ制御信号の夫々は、輝度信号の、
それを含む映像信号に基づいて得られる再生画像におい
て水平方向,垂直方向、あるいは、斜め方向のエッジを
あらわすことになる部分の状況に応じたものとされ、そ
れにより、リミッタ制御信号によって設定されるリミッ
タの振幅制限レベル及びアッテネータ制御信号によって
設定されるアッテネータの減衰量が、輝度信号の状況に
応じて適切に設定されたものとされる。従って、本発明
に係る映像信号ノイズ低減回路によれば、垂直方向ノイ
ズ低減動作部による輝度信号に対する垂直方向ノイズ低
減処理、あるいは、水平方向ノイズ低減動作部による輝
度信号に対する水平方向ノイズ低減処理を、輝度信号に
含まれたノイズ成分の状態に応じて適正に行うことがで
きることになる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る輝度信号ノイズ低減回路の一例を
示すブロック構成図である。
【図2】図1に示される例に備えられたアダマール変換
部の動作説明に供される概念図である。
【図3】図1に示される例に備えられたアダマール変換
部の動作説明に供される概念図である。
【図4】図1に示される例に備えられたエッジ検出信号
形成部の具体構成例を示すブロック構成図である。
【図5】従来のノイズ低減回路を示すブロック構成図で
ある。
【符号の説明】
33 垂直方向ノイズ低減回路ブロック 34 水平方向ノイズ低減回路ブロック 36 動作状態設定部 37,38 1H遅延部 39 加算部 40 レベル調整部 41,45,49 減算部 42,47 リミッタ 43,48 アッテネータ 46 HPF 51 アダマール変換部 54 エッジ検出信号形成部 65,83,84 オアゲート回路 66,67,68,69,70,71,72,73 エ
ッジ検出部 75,76,77,78,79,80,81,82 波
形整形部 91,93 リミッタ制御信号形成部 92,94 アッテネータ制御信号形成部

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】映像信号を構成する輝度信号におけるノイ
    ズ成分を取り出すノイズ検出部,該ノイズ検出部からの
    ノイズ成分が供給されるリミッタ,該リミッタを経たノ
    イズ成分が供給されるアッテネータ、及び、上記輝度信
    号から上記アッテネータからの出力信号を減算する減算
    部を含んで構成されるノイズ低減動作部と、 該ノイズ低減動作部に供給される輝度信号が供給され、
    該輝度信号についてのn次(nは正数)アダマール変換
    出力信号を発生するアダマール変換部と、 該アダマール変換部から得られるn次(nは正数)アダ
    マール変換出力信号に基づいてリミッタ制御信号及びア
    ッテネータ制御信号を形成し、上記リミッタ制御信号を
    上記リミッタに供給して、該リミッタにおける上記ノイ
    ズ検出部からのノイズ成分に対する振幅制限レベルを制
    御するとともに、上記アッテネータ制御信号を上記アッ
    テネータに供給して、該アッテネータにおける上記リミ
    ッタを経たノイズ成分に対する減衰量を制御する制御信
    号供給部と、 を備えて構成される輝度信号ノイズ低減回路。
  2. 【請求項2】制御信号供給部が、上記アダマール変換部
    から得られるn次アダマール変換出力信号に基づいて、
    エッジ無検出信号,水平エッジ検出信号,垂直エッジ検
    出信号及び斜めエッジ検出信号を選択的に形成するエッ
    ジ検出信号形成部と、該エッジ検出信号形成部により形
    成されるエッジ無検出信号,水平エッジ検出信号,垂直
    エッジ検出信号もしくは斜めエッジ検出信号に応じて上
    記リミッタ制御信号を形成し、該リミッタ制御信号を上
    記リミッタに供給するリミッタ制御信号形成部と、上記
    エッジ検出信号形成部により形成されるエッジ無検出信
    号,水平エッジ検出信号,垂直エッジ検出信号もしくは
    斜めエッジ検出信号に応じて上記アッテネータ制御信号
    を形成し、該アッテネータ制御信号を上記アッテネータ
    に供給するアッテネータ制御信号形成部とを含んで構成
    されることを特徴とする請求項1記載の輝度信号ノイズ
    低減回路。
  3. 【請求項3】ノイズ低減動作部が、櫛形フィルタ部によ
    って形成されたノイズ検出部を含む垂直方向ノイズ低減
    動作部とされ、上記リミッタ制御信号形成部及び上記ア
    ッテネータ制御信号形成部が、上記エッジ検出信号形成
    部によりエッジ無検出信号が形成されるとき、上記リミ
    ッタにおける振幅制限レベルを大となすリミッタ制御信
    号及び上記アッテネータにおける減衰量を中程度となす
    アッテネータ制御信号を夫々形成し,上記エッジ検出信
    号形成部により水平エッジ検出信号が形成されるとき、
    上記リミッタにおける振幅制限レベルを大となすリミッ
    タ制御信号及び上記アッテネータにおける減衰量を小と
    なすアッテネータ制御信号を夫々形成し,上記エッジ検
    出信号形成部により垂直エッジ検出信号が形成されると
    き、上記リミッタにおける振幅制限レベルを小となすリ
    ミッタ制御信号及び上記アッテネータにおける減衰量を
    大となすアッテネータ制御信号を夫々形成し、さらに、
    上記エッジ検出信号形成部により斜めエッジ検出信号が
    形成されるとき、上記リミッタにおける振幅制限レベル
    を中程度となすリミッタ制御信号及び上記アッテネータ
    における減衰量を中程度となすアッテネータ制御信号を
    夫々形成するものとされることを特徴とする請求項2記
    載の輝度信号ノイズ低減回路。
  4. 【請求項4】ノイズ低減動作部が、高域通過フィルタ部
    によって形成されたノイズ検出部を含む水平方向ノイズ
    低減動作部とされ、上記リミッタ制御信号形成部及び上
    記アッテネータ制御信号形成部が、上記エッジ検出信号
    形成部によりエッジ無検出信号が形成されるとき、上記
    リミッタにおける振幅制限レベルを大となすリミッタ制
    御信号及び上記アッテネータにおける減衰量を中程度と
    なすアッテネータ制御信号を夫々形成し,上記エッジ検
    出信号形成部により水平エッジ検出信号が形成されると
    き、上記リミッタにおける振幅制限レベルを小となすリ
    ミッタ制御信号及び上記アッテネータにおける減衰量を
    大となすアッテネータ制御信号を夫々形成し,上記エッ
    ジ検出信号形成部により垂直エッジ検出信号が形成され
    るとき、上記リミッタにおける振幅制限レベルを大とな
    すリミッタ制御信号及び上記アッテネータにおける減衰
    量を小となすアッテネータ制御信号を夫々形成し、さら
    に、上記エッジ検出信号形成部により斜めエッジ検出信
    号が形成されるとき、上記リミッタにおける振幅制限レ
    ベルを中程度となすリミッタ制御信号及び上記アッテネ
    ータにおける減衰量を中程度となすアッテネータ制御信
    号を夫々形成するものとされることを特徴とする請求項
    2記載の輝度信号ノイズ低減回路。
  5. 【請求項5】アダマール変換部が、4水平方向画素×2
    垂直方向画素を区分画像ブロックとして8次アダマール
    変換出力信号を発生するものとされたことを特徴とする
    請求項1,2,3又は4記載の輝度信号ノイズ低減回
    路。
  6. 【請求項6】映像信号を構成する輝度信号におけるノイ
    ズ成分を取り出す櫛形フィルタ部によって形成されたノ
    イズ検出部,該ノイズ検出部からのノイズ成分が供給さ
    れる第1のリミッタ,該第1のリミッタを経たノイズ成
    分が供給される第1のアッテネータ、及び、上記輝度信
    号から上記第1のアッテネータからの出力信号を減算す
    る減算部を含んで構成される垂直方向ノイズ低減動作部
    と、 上記輝度信号におけるノイズ成分を取り出す高域通過フ
    ィルタ部によって形成されたノイズ検出部,該ノイズ検
    出部からのノイズ成分が供給される第2のリミッタ,該
    第2のリミッタを経たノイズ成分が供給される第2のア
    ッテネータ、及び、上記輝度信号から上記第2のアッテ
    ネータからの出力信号を減算する減算部を含んで構成さ
    れる水平方向ノイズ低減動作部と、 上記垂直方向ノイズ低減動作部及び水平方向ノイズ低減
    動作部に供給される輝度信号が供給され、該輝度信号に
    ついてのn次アダマール変換出力信号を発生するアダマ
    ール変換部と、 該アダマール変換部から得られるn次アダマール変換出
    力信号に基づいて第1のリミッタ制御信号及び第1のア
    ッテネータ制御信号を形成し、上記第1のリミッタ制御
    信号を上記第1のリミッタに供給して、該第1のリミッ
    タにおける上記ノイズ検出部からのノイズ成分に対する
    振幅制限レベルを制御するとともに、上記第1のアッテ
    ネータ制御信号を上記第1のアッテネータに供給して、
    該第1のアッテネータにおける上記第1のリミッタを経
    たノイズ成分に対する減衰量を制御する第1の制御信号
    供給部と、 上記アダマール変換部から得られるn次アダマール変換
    出力信号に基づいて第2のリミッタ制御信号及び第2の
    アッテネータ制御信号を形成し、上記第2のリミッタ制
    御信号を上記第2のリミッタに供給して、該第2のリミ
    ッタにおける上記ノイズ検出部からのノイズ成分に対す
    る振幅制限レベルを制御するとともに、上記第2のアッ
    テネータ制御信号を上記第2のアッテネータに供給し
    て、該第2のアッテネータにおける第2のリミッタを経
    たノイズ成分に対する減衰量を制御する第2の制御信号
    供給部と、 を備えて構成される輝度信号ノイズ低減回路。
  7. 【請求項7】第1及び第2の制御信号供給部が、上記ア
    ダマール変換部から得られるn次アダマール変換出力信
    号に基づいて、エッジ無検出信号,水平エッジ検出信
    号,垂直エッジ検出信号及び斜めエッジ検出信号を選択
    的に形成するエッジ検出信号形成部と、該エッジ検出信
    号形成部により形成されるエッジ無検出信号,水平エッ
    ジ検出信号,垂直エッジ検出信号もしくは斜めエッジ検
    出信号に応じて上記第1のリミッタ制御信号を形成し、
    該第1のリミッタ制御信号を上記第1のリミッタに供給
    する第1のリミッタ制御信号形成部と、上記エッジ検出
    信号形成部により形成されるエッジ無検出信号,水平エ
    ッジ検出信号,垂直エッジ検出信号もしくは斜めエッジ
    検出信号に応じて上記第1のアッテネータ制御信号を形
    成し、該第1のアッテネータ制御信号を上記第1のアッ
    テネータに供給する第1のアッテネータ制御信号形成部
    と、上記エッジ検出信号形成部により形成されるエッジ
    無検出信号,水平エッジ検出信号,垂直エッジ検出信号
    もしくは斜めエッジ検出信号に応じて上記第2のリミッ
    タ制御信号を形成し、該第2のリミッタ制御信号を上記
    第2のリミッタに供給する第2のリミッタ制御信号形成
    部と、上記エッジ検出信号形成部により形成されるエッ
    ジ無検出信号,水平エッジ検出信号,垂直エッジ検出信
    号もしくは斜めエッジ検出信号に応じて上記第2のアッ
    テネータ制御信号を形成し、該第2のアッテネータ制御
    信号を上記第2のアッテネータに供給する第2のアッテ
    ネータ制御信号形成部と、 を含んで構成されることを特徴とする請求項6記載の輝
    度信号ノイズ低減回路。
  8. 【請求項8】第1のリミッタ制御信号形成部及び第1の
    アッテネータ制御信号形成部が、上記エッジ検出信号形
    成部によりエッジ無検出信号が形成されるとき、上記第
    1のリミッタにおける振幅制限レベルを大となす第1の
    リミッタ制御信号及び上記第1のアッテネータにおける
    減衰量を中程度となす第1のアッテネータ制御信号を夫
    々形成し,上記エッジ検出信号形成部により水平エッジ
    検出信号が形成されるとき、上記第1のリミッタにおけ
    る振幅制限レベルを大となす第1のリミッタ制御信号及
    び上記第1のアッテネータにおける減衰量を小となす第
    1のアッテネータ制御信号を夫々形成し,上記エッジ検
    出信号形成部により垂直エッジ検出信号が形成されると
    き、上記第1のリミッタにおける振幅制限レベルを小と
    なす第1のリミッタ制御信号及び上記第1のアッテネー
    タにおける減衰量を大となす第1のアッテネータ制御信
    号を夫々形成し、さらに、上記エッジ検出信号形成部に
    より斜めエッジ検出信号が形成されるとき、上記第1の
    リミッタにおける振幅制限レベルを中程度となす第1の
    リミッタ制御信号及び上記第1のアッテネータにおける
    減衰量を中程度となす第1のアッテネータ制御信号を夫
    々形成するものとされるとともに、第2のリミッタ制御
    信号形成部及び第2のアッテネータ制御信号形成部が、
    上記エッジ検出信号形成部によりエッジ無検出信号が形
    成されるとき、上記第2のリミッタにおける振幅制限レ
    ベルを大となす第2のリミッタ制御信号及び上記第2の
    アッテネータにおける減衰量を中程度となす第2のアッ
    テネータ制御信号を夫々形成し,上記エッジ検出信号形
    成部により水平エッジ検出信号が形成されるとき、上記
    第2のリミッタにおける振幅制限レベルを小となす第2
    のリミッタ制御信号及び上記第2のアッテネータにおけ
    る減衰量を大となす第2のアッテネータ制御信号を夫々
    形成し,上記エッジ検出信号形成部により垂直エッジ検
    出信号が形成されるとき、上記第2のリミッタにおける
    振幅制限レベルを大となす第2のリミッタ制御信号及び
    上記第2のアッテネータにおける減衰量を小となす第2
    のアッテネータ制御信号を夫々形成し、さらに、上記エ
    ッジ検出信号形成部により斜めエッジ検出信号が形成さ
    れるとき、上記第2のリミッタにおける振幅制限レベル
    を中程度となす第2のリミッタ制御信号及び上記第2の
    アッテネータにおける減衰量を中程度となす第2のアッ
    テネータ制御信号を夫々形成するものとされることを特
    徴とする請求項7記載の輝度信号ノイズ低減回路。
  9. 【請求項9】アダマール変換部が、4水平方向画素×2
    垂直方向画素を区分画像ブロックとして8次アダマール
    変換出力信号を発生するものとされたことを特徴とする
    請求項6,7又は8記載の輝度信号ノイズ低減回路。
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KR100421882B1 (ko) * 2001-11-07 2004-03-09 엘지전자 주식회사 다이나믹 노이즈 제거회로
JP2007053697A (ja) * 2005-08-19 2007-03-01 Toshiba Corp デジタルノイズ低減装置及び方法及び映像信号処理装置

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