JPH0677504A - センサ用チップの実装方法 - Google Patents
センサ用チップの実装方法Info
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- JPH0677504A JPH0677504A JP22760692A JP22760692A JPH0677504A JP H0677504 A JPH0677504 A JP H0677504A JP 22760692 A JP22760692 A JP 22760692A JP 22760692 A JP22760692 A JP 22760692A JP H0677504 A JPH0677504 A JP H0677504A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sensor chip
- space
- base
- chip
- mounting
- Prior art date
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- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/1015—Shape
- H01L2924/10155—Shape being other than a cuboid
- H01L2924/10158—Shape being other than a cuboid at the passive surface
Landscapes
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
- Die Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 正常なセンサ機能を失うようなチップの歪み
を回避しつつセンサ用チップを基台への実装することの
出来る方法を提供する。 【構成】 この発明のセンサ用チップの実装方法は、厚
みの厚い部分１ａと厚みの薄い部分１ｂを有し前記薄い
部分の裏側は裏面に開口した空間１０となっているとと
もに前記薄い部分に感応部１１が設けられてなるセンサ
用チップ１を、その裏面で基台２の表面にダイボンディ
ングするにあたり、前記センサ用チップが基台上の所定
の位置に載置された状態で前記空間を外部に連通させる
通気手段２１を前記基台に設けておき、この通気手段に
より前記空間を外部に連通させた状態で前記ダイボンデ
ィングを行うことを特徴とする。
を回避しつつセンサ用チップを基台への実装することの
出来る方法を提供する。 【構成】 この発明のセンサ用チップの実装方法は、厚
みの厚い部分１ａと厚みの薄い部分１ｂを有し前記薄い
部分の裏側は裏面に開口した空間１０となっているとと
もに前記薄い部分に感応部１１が設けられてなるセンサ
用チップ１を、その裏面で基台２の表面にダイボンディ
ングするにあたり、前記センサ用チップが基台上の所定
の位置に載置された状態で前記空間を外部に連通させる
通気手段２１を前記基台に設けておき、この通気手段に
より前記空間を外部に連通させた状態で前記ダイボンデ
ィングを行うことを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明はセンサ用チップの実装
方法に関する。
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体製造技術などで使われてい
る微細加工技術を応用して極く小さなセンサ用チップを
得て、これを基台に取り付けるなどして実装し小型のセ
ンサとすることが行われている。センサの種類として
は、赤外線センサや圧力センサなどが挙げられる。
る微細加工技術を応用して極く小さなセンサ用チップを
得て、これを基台に取り付けるなどして実装し小型のセ
ンサとすることが行われている。センサの種類として
は、赤外線センサや圧力センサなどが挙げられる。
【０００３】例えば、赤外線センサ用チップの場合、図
７や図８にみるように、チップ１自体が厚みの厚い部分
１ａと厚みの薄い部分１ｂとを有している。薄い部分１
ｂは裏側が裏面に開口した空間１０になっていて、空間
１０のある分だけ厚みが薄いのである。そして、センサ
機能用の感応部１１は、チップ１の薄い部分１ｂに設け
られている。
７や図８にみるように、チップ１自体が厚みの厚い部分
１ａと厚みの薄い部分１ｂとを有している。薄い部分１
ｂは裏側が裏面に開口した空間１０になっていて、空間
１０のある分だけ厚みが薄いのである。そして、センサ
機能用の感応部１１は、チップ１の薄い部分１ｂに設け
られている。
【０００４】一方、赤外線センサ用チップと基台の実装
方法は、半導体装置での素子用チップと基台の実装方法
に準じて行うことが先ず考えられる。すなわち、従来の
半導体装置の場合、図９にみるように、素子用チップ９
１を基台９２にダイボンディングにより実装する方法で
ある。半導体装置の製造では、ダイボンディング部９３
をボンディング用接着材（ダイボンディングペースト）
である銀ペースト等で形成して固着する実装方法が利用
されており、同じようにしてセンサ用チップを基台にチ
ップの裏面でダイボンディングすることが考えられるの
である。
方法は、半導体装置での素子用チップと基台の実装方法
に準じて行うことが先ず考えられる。すなわち、従来の
半導体装置の場合、図９にみるように、素子用チップ９
１を基台９２にダイボンディングにより実装する方法で
ある。半導体装置の製造では、ダイボンディング部９３
をボンディング用接着材（ダイボンディングペースト）
である銀ペースト等で形成して固着する実装方法が利用
されており、同じようにしてセンサ用チップを基台にチ
ップの裏面でダイボンディングすることが考えられるの
である。
【０００５】しかしながら、実際には、図１２にみるよ
うに、センサ用チップ１を基台２にチップの裏面をダイ
ボンディングして実装すると、センサ用チップ１の薄い
部分１ｂに歪み（くぼみ）が生じ、感応部１１に悪影響
が出て正常なセンサ機能が損なわれるという不都合を招
来する。
うに、センサ用チップ１を基台２にチップの裏面をダイ
ボンディングして実装すると、センサ用チップ１の薄い
部分１ｂに歪み（くぼみ）が生じ、感応部１１に悪影響
が出て正常なセンサ機能が損なわれるという不都合を招
来する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】この発明は、上記事情
に鑑み、正常なセンサ機能を失うようなチップの歪みを
回避しつつセンサ用チップを基台への実装することの出
来る方法を提供することを課題とする。
に鑑み、正常なセンサ機能を失うようなチップの歪みを
回避しつつセンサ用チップを基台への実装することの出
来る方法を提供することを課題とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、この発明にかかるセンサ用チップの実装方法では、
厚みの厚い部分と厚みの薄い部分を有し前記薄い部分の
裏側は裏面に開口した空間となっているとともに前記薄
い部分に感応部が設けられてなるセンサ用チップを、そ
の裏面で基台の表面にダイボンディングするようにする
センサ用チップの実装方法において、前記センサ用チッ
プが基台上の所定の位置に載置された状態で前記空間を
外部に連通させる通気手段を前記基台に設けておき、こ
の通気手段により前記空間を外部に連通させた状態で前
記ダイボンディングを行うようにしている。
め、この発明にかかるセンサ用チップの実装方法では、
厚みの厚い部分と厚みの薄い部分を有し前記薄い部分の
裏側は裏面に開口した空間となっているとともに前記薄
い部分に感応部が設けられてなるセンサ用チップを、そ
の裏面で基台の表面にダイボンディングするようにする
センサ用チップの実装方法において、前記センサ用チッ
プが基台上の所定の位置に載置された状態で前記空間を
外部に連通させる通気手段を前記基台に設けておき、こ
の通気手段により前記空間を外部に連通させた状態で前
記ダイボンディングを行うようにしている。
【０００８】この発明のセンサ用チップの実装方法で
は、ダイボンディングの際のセンサ用チップの空間を外
部に連通させておくのであるが、その具体的な形態とし
ては、例えば、下記の３つの形態が挙げられる。第１の
形態は、通気手段が基台の表面に形成された溝であり、
この溝に空間の開口が臨むようにセンサ用チップを載置
することにより、前記溝を介して空間を外部に連通させ
るという形態である。
は、ダイボンディングの際のセンサ用チップの空間を外
部に連通させておくのであるが、その具体的な形態とし
ては、例えば、下記の３つの形態が挙げられる。第１の
形態は、通気手段が基台の表面に形成された溝であり、
この溝に空間の開口が臨むようにセンサ用チップを載置
することにより、前記溝を介して空間を外部に連通させ
るという形態である。
【０００９】第２の形態は、通気手段が基台表裏を貫通
するように基台に形成された貫通孔であり、この貫通孔
に空間の開口が臨むようにセンサ用チップを載置するこ
とにより、前記貫通孔を介して空間を外部に連通させる
という形態である。第３の形態は、通気手段が基台の表
面に形成された突出部であり、この突出部の頂面にセン
サ用チップの裏面が接触するようにしてセンサ用チップ
を載置することにより、基台の突出部未形成域とセンサ
用チップの間に生じる隙間を介してセンサ用チップの空
間を外部に連通させるという形態である。
するように基台に形成された貫通孔であり、この貫通孔
に空間の開口が臨むようにセンサ用チップを載置するこ
とにより、前記貫通孔を介して空間を外部に連通させる
という形態である。第３の形態は、通気手段が基台の表
面に形成された突出部であり、この突出部の頂面にセン
サ用チップの裏面が接触するようにしてセンサ用チップ
を載置することにより、基台の突出部未形成域とセンサ
用チップの間に生じる隙間を介してセンサ用チップの空
間を外部に連通させるという形態である。
【００１０】以下、この発明のセンサ用チップの実装方
法を具体的に説明する。この発明のセンサ用チップの実
装構造におけるセンサ用チップとしては、赤外線センサ
用チップや圧力センサ用チップが挙げられる。赤外線セ
ンサ用チップの場合、図７および図８にみるように、チ
ップ１自体が厚みの厚い部分１ａと厚みの薄い部分１ｂ
とを有している。チップ１の薄い部分１ｂの裏側は裏面
に開口した空間１０になっていて、空間１０のある分だ
け厚みが薄くなっているのである。そして、薄膜素子構
成の感応部１１がチップ１の薄い部分１ｂに設けられて
いる。
法を具体的に説明する。この発明のセンサ用チップの実
装構造におけるセンサ用チップとしては、赤外線センサ
用チップや圧力センサ用チップが挙げられる。赤外線セ
ンサ用チップの場合、図７および図８にみるように、チ
ップ１自体が厚みの厚い部分１ａと厚みの薄い部分１ｂ
とを有している。チップ１の薄い部分１ｂの裏側は裏面
に開口した空間１０になっていて、空間１０のある分だ
け厚みが薄くなっているのである。そして、薄膜素子構
成の感応部１１がチップ１の薄い部分１ｂに設けられて
いる。
【００１１】赤外線センサ用チップ１の感応部１１はサ
ーミスタなどを有しており、赤外線の受光状態の変化に
伴い感応部１１が温度変化し、その結果、サーミスタの
抵抗が変化するので、赤外線センサ用チップ１では、サ
ーミスタの抵抗変化を利用して赤外線の検知を行う。そ
して、赤外線センサ用チップ１では、感応部１１が熱容
量の小さな薄い部分１ｂに設けられているため、赤外線
の受光状態の変化に鋭敏に追随し温度変化することが出
来る。
ーミスタなどを有しており、赤外線の受光状態の変化に
伴い感応部１１が温度変化し、その結果、サーミスタの
抵抗が変化するので、赤外線センサ用チップ１では、サ
ーミスタの抵抗変化を利用して赤外線の検知を行う。そ
して、赤外線センサ用チップ１では、感応部１１が熱容
量の小さな薄い部分１ｂに設けられているため、赤外線
の受光状態の変化に鋭敏に追随し温度変化することが出
来る。
【００１２】圧力センサ用チップの場合、感応部１１は
歪み検出素子などを有することになる。一方、赤外線セ
ンサ用チップが固定される基台としては、いわゆるピン
などの付いたステムないしフレームなどが挙げられる
が、これ以外のものであってもよい。基台の材料として
は、鉄コバトルト合金なとが挙げられる。
歪み検出素子などを有することになる。一方、赤外線セ
ンサ用チップが固定される基台としては、いわゆるピン
などの付いたステムないしフレームなどが挙げられる
が、これ以外のものであってもよい。基台の材料として
は、鉄コバトルト合金なとが挙げられる。
【００１３】そして、この発明の場合、赤外線センサ用
チップを裏面で基台にボンディング用接着材（ダイボン
ディングペースト）である銀ペースト等や他の適当な接
着材で固着すること（ダイボンディング）で実装するの
である。普通、ボンディング用接着材を、基台の表面に
塗布したあとセンサ用チップを位置合わせしながら所定
の位置に載置し、加熱処理して接着材を硬化させチップ
を基台に固着させるようにする。この後、普通、赤外線
入射窓のあるキャップを被せたりする。
チップを裏面で基台にボンディング用接着材（ダイボン
ディングペースト）である銀ペースト等や他の適当な接
着材で固着すること（ダイボンディング）で実装するの
である。普通、ボンディング用接着材を、基台の表面に
塗布したあとセンサ用チップを位置合わせしながら所定
の位置に載置し、加熱処理して接着材を硬化させチップ
を基台に固着させるようにする。この後、普通、赤外線
入射窓のあるキャップを被せたりする。
【００１４】
【作用】この発明のセンサ用チップの実装方法の場合、
ダイボンディングの際、センサ用チップの厚みの薄い部
分の裏側にある空間が外部に連通しているため、センサ
用チップの薄い部分に歪みが生じ難くなる。空間が外部
に連通してない場合、図１０にみるように、基台２の表
面に接着材８を塗布してセンサ用チップ１を載置して加
熱処理する。銀ペーストなどの接着材は熱硬化性樹脂が
使われているため、高温（１５０〜２００℃）で加熱処
理する必要がある。加熱処理では、昇温に伴い空間１０
内の空気は膨張するけれど、図１１にみるように、接着
材が未硬化の場合、昇温で一時的に接着材の粘度が下が
るために空間１０内の空気の膨張分は空間１０よりうま
く抜け出る。接着材が硬化した後、降温し室温に戻すの
であるが、空間１０から抜け出た空気は接着材が硬化し
ているため再流入出来ず、室温に戻った段階では空間１
０内は減圧状態になってしまい、図１２にみるように、
薄い部分１ｂが空間１０側に引っ張られて歪んでしまう
ことになる。
ダイボンディングの際、センサ用チップの厚みの薄い部
分の裏側にある空間が外部に連通しているため、センサ
用チップの薄い部分に歪みが生じ難くなる。空間が外部
に連通してない場合、図１０にみるように、基台２の表
面に接着材８を塗布してセンサ用チップ１を載置して加
熱処理する。銀ペーストなどの接着材は熱硬化性樹脂が
使われているため、高温（１５０〜２００℃）で加熱処
理する必要がある。加熱処理では、昇温に伴い空間１０
内の空気は膨張するけれど、図１１にみるように、接着
材が未硬化の場合、昇温で一時的に接着材の粘度が下が
るために空間１０内の空気の膨張分は空間１０よりうま
く抜け出る。接着材が硬化した後、降温し室温に戻すの
であるが、空間１０から抜け出た空気は接着材が硬化し
ているため再流入出来ず、室温に戻った段階では空間１
０内は減圧状態になってしまい、図１２にみるように、
薄い部分１ｂが空間１０側に引っ張られて歪んでしまう
ことになる。
【００１５】これに対し、この発明のセンサ用チップの
実装方法の場合、接着材が硬化した後、同じように降温
し室温に戻すのであるが、空間１０内から出た空気量に
見合う量の空気が通気手段を通して流入するため、室温
に戻った段階で空間１０内が減圧状態になることはな
く、薄い部分１ｂは歪んだりしないのである。なお、普
通、この発明の実装方法の終了後も、空間１０は通気手
段により外部に連通したままであるが、そのまま外部に
連通させておくことが好ましい。空間１０を封じてしま
うと、その後のキャップ被着工程などで空間１０内外で
圧力差が生じる不都合な事態を招く恐れがあるため、空
間１０を外部に連通させたままにしておくのがよいので
ある。
実装方法の場合、接着材が硬化した後、同じように降温
し室温に戻すのであるが、空間１０内から出た空気量に
見合う量の空気が通気手段を通して流入するため、室温
に戻った段階で空間１０内が減圧状態になることはな
く、薄い部分１ｂは歪んだりしないのである。なお、普
通、この発明の実装方法の終了後も、空間１０は通気手
段により外部に連通したままであるが、そのまま外部に
連通させておくことが好ましい。空間１０を封じてしま
うと、その後のキャップ被着工程などで空間１０内外で
圧力差が生じる不都合な事態を招く恐れがあるため、空
間１０を外部に連通させたままにしておくのがよいので
ある。
【００１６】このように、この発明の場合、薄い部分１
ｂの歪みを回避しつつ実装が行えるため、センサ機能が
損なわれることはないのである。
ｂの歪みを回避しつつ実装が行えるため、センサ機能が
損なわれることはないのである。
【００１７】
【実施例】以下、この発明のセンサ用チップの実装方法
の実施例を説明する。この発明は、勿論、下記の実施例
に限らない。 −実施例１− 図１は、実施例１におけるセンサ用チップを基台にボン
ディングするときの様子をあらわす。
の実施例を説明する。この発明は、勿論、下記の実施例
に限らない。 −実施例１− 図１は、実施例１におけるセンサ用チップを基台にボン
ディングするときの様子をあらわす。
【００１８】実施例１の場合、図１にみるように、基台
２の表面に接着材８を塗布して赤外線センサ用チップ１
を所定の位置に載置して加熱処理するようにする。赤外
線センサ用チップ１は、図７および図８にみるように、
チップ１自体が厚みの厚い部分１ａと厚みの薄い部分１
ｂとを有している。チップ１の薄い部分１ｂの裏側は裏
面に開口した空間１０になっていて、空間１０のある分
だけ厚みが薄くなっているのである。そして、感応部１
１はチップ１の薄い部分１ｂに設けられている。
２の表面に接着材８を塗布して赤外線センサ用チップ１
を所定の位置に載置して加熱処理するようにする。赤外
線センサ用チップ１は、図７および図８にみるように、
チップ１自体が厚みの厚い部分１ａと厚みの薄い部分１
ｂとを有している。チップ１の薄い部分１ｂの裏側は裏
面に開口した空間１０になっていて、空間１０のある分
だけ厚みが薄くなっているのである。そして、感応部１
１はチップ１の薄い部分１ｂに設けられている。
【００１９】赤外線センサ用チップ１は、図８にみるよ
うに、厚みの厚いシリコン層１５の上に絶縁薄層１６が
設けられてなる基板が使われており、厚い部分１ａはシ
リコン層１５と薄い絶縁薄層１６からなり、厚みの薄い
部分１ｂは絶縁薄層１６のみからなっている。各感応部
１１はサーミスタを有しており、赤外線の受光状態の変
化に伴い感応部１１が温度変化でサーミスタの抵抗が変
化することを利用して赤外線を検知する。この赤外線セ
ンサ用チップ１では、各感応部１１が相互に接続されて
ブリッジ構成で１個のセンサの働きをするようになって
いる。
うに、厚みの厚いシリコン層１５の上に絶縁薄層１６が
設けられてなる基板が使われており、厚い部分１ａはシ
リコン層１５と薄い絶縁薄層１６からなり、厚みの薄い
部分１ｂは絶縁薄層１６のみからなっている。各感応部
１１はサーミスタを有しており、赤外線の受光状態の変
化に伴い感応部１１が温度変化でサーミスタの抵抗が変
化することを利用して赤外線を検知する。この赤外線セ
ンサ用チップ１では、各感応部１１が相互に接続されて
ブリッジ構成で１個のセンサの働きをするようになって
いる。
【００２０】この赤外線センサ用チップ１は、半導体製
造技術などで使われている微細加工技術を応用して得る
ことが出来、極く小さなチップである。一方、図２にみ
るように、基台２の赤外線センサ用チップ載置側の表面
には２本の溝（通気手段）２１が対辺に渡るように形成
されており、そして、図１にみるように、溝２１に空間
１０の開口が臨むように赤外線センサ用チップ１を載置
することにより、溝２１を介して空間１０を外部に連通
させることが出来る。この結果、薄い部分１ｂの歪みを
防ぎつつ実装が行えるようになることは前述の通りであ
る。
造技術などで使われている微細加工技術を応用して得る
ことが出来、極く小さなチップである。一方、図２にみ
るように、基台２の赤外線センサ用チップ載置側の表面
には２本の溝（通気手段）２１が対辺に渡るように形成
されており、そして、図１にみるように、溝２１に空間
１０の開口が臨むように赤外線センサ用チップ１を載置
することにより、溝２１を介して空間１０を外部に連通
させることが出来る。この結果、薄い部分１ｂの歪みを
防ぎつつ実装が行えるようになることは前述の通りであ
る。
【００２１】−実施例２− 図３は、実施例２におけるセンサ用チップを基台にボン
ディングするときの様子をあらわす。実施例２の場合、
図４にみるように、基台２の表裏を貫通する貫通孔（通
気手段）２２が基台２に４つ形成されており、図３にみ
るように、貫通孔２２に空間１０の開口が臨むようにセ
ンサ用チップ１を載置することにより、各貫通孔２２を
介して赤外線センサ用チップ１の各空間１０を外部にそ
れぞれ連通させることが出来る。この結果、薄い部分１
ｂの歪みを防ぎつつ実装が行えるようになることは前述
の通りである。
ディングするときの様子をあらわす。実施例２の場合、
図４にみるように、基台２の表裏を貫通する貫通孔（通
気手段）２２が基台２に４つ形成されており、図３にみ
るように、貫通孔２２に空間１０の開口が臨むようにセ
ンサ用チップ１を載置することにより、各貫通孔２２を
介して赤外線センサ用チップ１の各空間１０を外部にそ
れぞれ連通させることが出来る。この結果、薄い部分１
ｂの歪みを防ぎつつ実装が行えるようになることは前述
の通りである。
【００２２】−実施例３− 図５は、実施例３におけるセンサ用チップを基台にボン
ディングするときの様子をあらわす。実施例３の場合、
図６にみるように、基台２の表面に突出部（通気手段）
２３が形成されていて、図５にみるように、この突出部
２３の頂面に赤外線センサ用チップ１の裏面が接触する
ようにして赤外線センサ用チップ１が載置することによ
り、基台２の突出部未形成域とセンサ用チップ１の裏面
の間に生じる隙間２５を介して赤外線センサ用チップ１
の空間１０を外部に連通させることが出来る。この結
果、薄い部分１ｂの歪みを防ぎつつ実装が行えるように
なることは前述の通りである。
ディングするときの様子をあらわす。実施例３の場合、
図６にみるように、基台２の表面に突出部（通気手段）
２３が形成されていて、図５にみるように、この突出部
２３の頂面に赤外線センサ用チップ１の裏面が接触する
ようにして赤外線センサ用チップ１が載置することによ
り、基台２の突出部未形成域とセンサ用チップ１の裏面
の間に生じる隙間２５を介して赤外線センサ用チップ１
の空間１０を外部に連通させることが出来る。この結
果、薄い部分１ｂの歪みを防ぎつつ実装が行えるように
なることは前述の通りである。
【００２３】なお、上記実施例の基台２における溝２
１、貫通孔２２、突出部２３等はプレス、切削、エッチ
ング、放電加工など適当な加工方法で簡単に形成するこ
とが出来る。
１、貫通孔２２、突出部２３等はプレス、切削、エッチ
ング、放電加工など適当な加工方法で簡単に形成するこ
とが出来る。
【００２４】
【発明の効果】この発明のセンサ用チップの実装方法の
場合、ダイボンディングの際、センサ用チップの厚みの
薄い部分の裏側にある空間を外部に連通させておくた
め、ダイボンディングが終わった段階で空間が減圧状態
になることがなくなり、センサ用チップの薄い部分が歪
むという事態を回避することが出来、正常なセンサ機能
を損なわずに実装が行えるから、この発明は非常に有用
である。
場合、ダイボンディングの際、センサ用チップの厚みの
薄い部分の裏側にある空間を外部に連通させておくた
め、ダイボンディングが終わった段階で空間が減圧状態
になることがなくなり、センサ用チップの薄い部分が歪
むという事態を回避することが出来、正常なセンサ機能
を損なわずに実装が行えるから、この発明は非常に有用
である。
【図１】実施例１のダイボンディング時の様子をあらわ
す概略断面図である。
す概略断面図である。
【図２】実施例１で用いる基台をあらわす斜視図であ
る。
る。
【図３】実施例２のダイボンディング時の様子をあらわ
す概略断面図である。
す概略断面図である。
【図４】実施例２で用いる基台をあらわす斜視図であ
る。
る。
【図５】実施例３のダイボンディング時の様子をあらわ
す概略断面図である。
す概略断面図である。
【図６】実施例３で用いる基台をあらわす斜視図であ
る。
る。
【図７】実施例で使う赤外線センサ用チップをあらわす
概略斜視図である。
概略斜視図である。
【図８】実施例で使う赤外線センサ用チップをあらわす
概略断面図である。
概略断面図である。
【図９】半導体装置での素子用チップの実装構造をあら
わす説明図である。
わす説明図である。
【図10】比較用の実装方法での熱処理開始前の状態をあ
らわす説明図である。
らわす説明図である。
【図11】比較用の実装方法での熱処理中の状態をあらわ
す説明図である。
す説明図である。
【図12】比較用の実装方法での熱処理完了時の状態をあ
らわす説明図である。
らわす説明図である。
１ 赤外線センサ用チップ １ａ 厚みの厚い部分 １ｂ 厚みの薄い部分 ２ 基台 １０ 空間 １１ 感応部 ２１ 溝（通気手段） ２２ 貫通孔（通気手段） ２３ 突出部（通気手段）
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成４年１１月２日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１２】圧力センサ用チップの場合、感応部１１は
歪み検出素子などを有することになる。一方、赤外線セ
ンサ用チップが固定される基台としては、いわゆるピン
などの付いたステムないしフレームなどが挙げられる
が、これ以外のものであってもよい。基台の材料として
は、銅、鉄クロム合金、鉄ニッケル合金、鉄ニッケルク
ロム合金、鉄ニッケルコバルト合金などが挙げられる。
歪み検出素子などを有することになる。一方、赤外線セ
ンサ用チップが固定される基台としては、いわゆるピン
などの付いたステムないしフレームなどが挙げられる
が、これ以外のものであってもよい。基台の材料として
は、銅、鉄クロム合金、鉄ニッケル合金、鉄ニッケルク
ロム合金、鉄ニッケルコバルト合金などが挙げられる。
フロントページの続き (72)発明者 檜村 芳正 大阪府門真市大字門真1048番地松下電工株 式会社内
Claims (4)
- 【請求項１】 厚みの厚い部分と厚みの薄い部分を有し
前記薄い部分の裏側は裏面に開口した空間となっている
とともに前記薄い部分に感応部が設けられてなるセンサ
用チップを、その裏面で基台の表面にダイボンディング
するようにするセンサ用チップの実装方法において、前
記センサ用チップが基台上の所定の位置に載置された状
態で前記空間を外部に連通させる通気手段を前記基台に
設けておき、この通気手段により前記空間を外部に連通
させた状態で前記ダイボンディングを行うことを特徴と
するセンサ用チップの実装方法。 - 【請求項２】 通気手段が基台の表面に形成された溝で
あり、この溝に空間の開口が臨むようにセンサ用チップ
を載置することにより、前記溝を介して空間を外部に連
通させる請求項１記載のセンサ用チップの実装方法。 - 【請求項３】 通気手段が基台表裏を貫通するように基
台に形成された貫通孔であり、この貫通孔に空間の開口
が臨むようにセンサ用チップを載置することにより、前
記貫通孔を介して空間を外部に連通させる請求項１記載
のセンサ用チップの実装方法。 - 【請求項４】 通気手段が基台の表面に形成された突出
部であり、この突出部の頂面にセンサ用チップの裏面が
接触するようにしてセンサ用チップを載置することによ
り、基台の突出部未形成域とセンサ用チップの間に生じ
る隙間を介してセンサ用チップの空間を外部に連通させ
る請求項１記載のセンサ用チップの実装方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22760692A JPH0677504A (ja) | 1992-08-26 | 1992-08-26 | センサ用チップの実装方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22760692A JPH0677504A (ja) | 1992-08-26 | 1992-08-26 | センサ用チップの実装方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0677504A true JPH0677504A (ja) | 1994-03-18 |
Family
ID=16863581
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22760692A Pending JPH0677504A (ja) | 1992-08-26 | 1992-08-26 | センサ用チップの実装方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0677504A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9285274B2 (en) | 2011-08-04 | 2016-03-15 | Seiko Epson Corporation | Infrared detecting element and electronic device |
-
1992
- 1992-08-26 JP JP22760692A patent/JPH0677504A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9285274B2 (en) | 2011-08-04 | 2016-03-15 | Seiko Epson Corporation | Infrared detecting element and electronic device |
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