JPH0677317A - Assembly of semiconductor device - Google Patents

Assembly of semiconductor device

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JPH0677317A
JPH0677317A JP25408892A JP25408892A JPH0677317A JP H0677317 A JPH0677317 A JP H0677317A JP 25408892 A JP25408892 A JP 25408892A JP 25408892 A JP25408892 A JP 25408892A JP H0677317 A JPH0677317 A JP H0677317A
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JP
Japan
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submount
assembling
chip
elements
separated
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JP25408892A
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Japanese (ja)
Inventor
Harumi Nishiguchi
晴美 西口
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Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/93Batch processes
    • H01L24/95Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L24/97Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
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    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector

Abstract

PURPOSE:To provide an assembling method in which a large number of LD chips are bonded to a submount at one time while they are lined up in the same direction. CONSTITUTION:A method for assembling a semiconductor device is provided with steps of: joining, to an adhesive film 9, an LD bar 7 having scribing lines 8 on which a number of LD chips 1 are formed; and expanding the adhesive film 9 in the lengthwise direction of the LD bar 7. This assembling method is also provided with the steps of: vacuum-chucking each of the LD chips 1 that are separated from each other and lined up at constant intervals in the same direction as a result of the expansion by an array of chuction collets arranged on the same pitches as the LD chips 1 and bonding the chips to the bonding surface of a submount 10 to which a solder 5 is applied; separating, chip by chip, the submount 10 to which the LD chips 1 are adhered along dicing lines 11.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】この発明は半導体装置の組立方法
に関し、特に複数の素子が作製された半導体を粘着性フ
ィルムに貼り付け、分離された上記半導体の各素子が一
定間隔で同一方向を向いて位置するように、この粘着性
フィルムをエキスパンドし、その後サブマウント材に接
着する半導体装置の組立方法に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for assembling a semiconductor device, and in particular, a semiconductor having a plurality of elements is attached to an adhesive film, and the separated semiconductor elements face the same direction at regular intervals. The present invention relates to a method of assembling a semiconductor device in which the adhesive film is expanded so as to be positioned at a predetermined position and then adhered to the submount material.

【0002】[0002]

【従来の技術】図6はボンディング装置において、LD
チップをサブマウントに接着する際の従来のボンディン
グ方法を示す斜視図であり、1はLDチップ、2はこの
LDチップ1の前端面にあたる光出射端面、3はLDチ
ップ1をチップトレイ(図示せず。)から取り出しサブ
マウント材に運ぶための吸着コレット、4はLDチップ
1をハンダ5で接着するサブマウントである。また、図
6は1個のLDチップ1を吸着コレット3で真空吸着
し、サブマウント4上方まで移動させた後、吸着コレッ
ト3を下降してサブマウント4上面に接着したところを
示したものである。
2. Description of the Related Art FIG. 6 shows an LD in a bonding apparatus.
FIG. 3 is a perspective view showing a conventional bonding method for adhering a chip to a submount; 1 is an LD chip, 2 is a light emitting end face corresponding to the front end face of the LD chip 1, and 3 is the LD chip 1 in a chip tray (not shown). No.) and a suction collet 4 for carrying the LD chip 1 to the submount material and bonding the LD chip 1 with solder 5. Further, FIG. 6 shows a state in which one LD chip 1 is vacuum-sucked by the suction collet 3 and moved to a position above the submount 4, and then the suction collet 3 is lowered and bonded to the upper surface of the submount 4. is there.

【0003】次に従来の組立方法について説明する。複
数のレーザ素子が作製されたウエハはバー状に劈開され
て、1チップのLDチップ1に分離され、その後チップ
毎に組立を行う。
Next, a conventional assembling method will be described. A wafer on which a plurality of laser elements are manufactured is cleaved in a bar shape and separated into one LD chip 1, and then each chip is assembled.

【0004】組立では、まずボンディング装置の吸着コ
レット3をチップトレイ上に持っていき、このチップト
レイに前もって並べられたLDチップ1を一個真空吸着
する。吸着コレット3に吸着されたLDチップ1はスラ
イドされて、加熱プレートの上に置かれたサブマウント
4上まで運ばれる。その後、LDチップ1の光出射端面
2がサブマウント4の一端面と同一面になるように、あ
るいはその近くで平行になるように吸着コレット3を位
置付けて、サブマウント4にハンダ5で接着させる。そ
の際、接着には、予めサブマウントに蒸着したハンダ又
は予め接着位置に置かれたリボンハンダ等のハンダを用
いている。
In the assembly, first, the suction collet 3 of the bonding apparatus is brought onto the chip tray, and one LD chip 1 arranged in advance on this chip tray is vacuum-sucked. The LD chip 1 sucked by the suction collet 3 is slid and carried to the submount 4 placed on the heating plate. After that, the suction collet 3 is positioned so that the light emitting end face 2 of the LD chip 1 is flush with one end face of the submount 4 or is parallel to the one end face and is bonded to the submount 4 with solder 5. . At that time, for adhesion, solder such as vapor deposited in advance on the submount or ribbon solder placed in advance at the adhesion position is used.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】従来のボンディング装
置は、以上のようにして半導体装置の組立を行っている
ので、1チップごとに分離されたLDチップ1はその光
出射端面2を揃えてチップトレイに並べなければならな
い。このように、分離された後のLDチップ1を方向を
揃えて並べることは作業能率が悪く、また1チップごと
に組立を行わなければならず、時間がかかる等の問題点
があった。
Since the conventional bonding apparatus assembles the semiconductor device as described above, the LD chips 1 separated for each chip have their light emitting end faces 2 aligned. I have to put them in a tray. As described above, it is not efficient to arrange the separated LD chips 1 in the same direction, and it is necessary to assemble each chip one by one, which is time-consuming.

【0006】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、一度に大量のチップを、向きを
揃えてサブマウントにダイボンドすることのできる半導
体装置の組立方法を提供することを目的とする。
The present invention has been made to solve the above problems, and provides a method of assembling a semiconductor device capable of die-bonding a large number of chips to a submount at the same time in the same direction. With the goal.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】この発明に係る半導体装
置の組立方法は、複数のレーザ素子が作製された半導体
を分離して、サブマウント材にダイボンドする半導体レ
ーザ装置の組立方法において、複数のレーザ素子が作製
されたスクライブライン入りの半導体を貼着した粘着性
フィルムを、分離された上記各素子が一定間隔で同一方
向向きに位置するように、エキスパンドする工程と、一
定間隔に分離された上記各素子を別途待機したサブマウ
ント材に接着する工程と、上記素子が接着された上記サ
ブマウント材を1チップ毎に分離する工程とを備えたも
のである。
A method for assembling a semiconductor device according to the present invention is a method for assembling a semiconductor laser device, wherein semiconductors having a plurality of laser elements are separated and die-bonded to a submount material. Laser element was produced, the adhesive film to which the scribe line-containing semiconductor was attached, the step of expanding so that each of the separated elements were oriented in the same direction at regular intervals, and separated at regular intervals The method further comprises a step of separately adhering each of the elements to a submount material that is on standby, and a step of separating the submount material to which the elements are adhered for each chip.

【0008】また上記半導体装置の組立方法において、
複数のレーザ素子が作製された上記半導体はバー状に劈
開された半導体であり、上記サブマウント材への接着工
程は、この半導体に作製された各素子を一定間隔で同一
方向向きに位置するように直線状に分離し、アレイ状の
吸着コレットで吸着した後、上記サブマウント材に接着
する工程としたものである。
In the method of assembling the above semiconductor device,
The semiconductor in which a plurality of laser elements are manufactured is a semiconductor cleaved in a bar shape, and the step of adhering to the submount material is such that each element manufactured in this semiconductor is positioned in the same direction at regular intervals. It is a process of linearly separating it, adsorbing it with an array-shaped adsorption collet, and then adhering it to the submount material.

【0009】また上記半導体装置の組立方法において、
上記サブマウント材への接着工程は、エキスパンドされ
た上記粘着フィルムの貼着面がサブマウント材表面にく
るように、貼着された各素子をジャンクションダウンに
て接着する工程としたものである。
In the method of assembling the above semiconductor device,
The step of adhering to the submount material is a step of adhering the adhered elements by junction down so that the adhering surface of the expanded adhesive film comes to the surface of the submount material.

【0010】また、この発明に係る半導体装置の組立方
法は、複数のレーザ素子が作製された半導体を分離し
て、サブマウント材にダイボンドする半導体レーザ装置
の組立方法において、複数のレーザ素子が縦横に作製さ
れたスクライブライン入りの大口径半導体を貼着した粘
着性フィルムを、分離された上記各素子が縦横に等間隔
で同一向きに位置するようにエキスパンドする工程と、
上記各素子を2次元アレイ状の吸着コレットで吸着し、
縦横に接着箇所が配置された大面積のサブマウント材に
接着する工程と、上記素子が接着された上記サブマウン
ト材を1チップ毎に分離する工程とを備えたものであ
る。
Also, in the method of assembling a semiconductor device according to the present invention, in the method of assembling a semiconductor laser device in which a semiconductor having a plurality of laser elements is separated and die-bonded to a submount material, the plurality of laser elements are arranged vertically and horizontally. An adhesive film having a large-diameter semiconductor with a scribe line produced in a step of expanding each of the separated elements so that they are positioned in the same direction at equal intervals vertically and horizontally,
Adsorb each element with a two-dimensional array type adsorption collet,
It is provided with a step of adhering to a large-area submount material in which adhering points are arranged vertically and horizontally, and a step of separating the submount material to which the elements are adhered into chips.

【0011】また該半導体装置の組立方法において、サ
ブマウント材への接着工程は、最終的に分離される部分
がハーフカットされた大面積のサブマウント材を使用し
て、該ハーフカットのラインに沿って上記素子を接着す
る工程としたものである。
Further, in the method of assembling the semiconductor device, the step of adhering to the submount material uses a large-area submount material in which a finally separated portion is half-cut, and This is a step of adhering the above elements along the above.

【0012】[0012]

【作用】この発明においては、半導体レーザ装置の組立
において、複数の素子が作製されたスクライブライン入
りの半導体を粘着性フィルムに貼り付けた後、分離され
た各素子が一定間隔に同一方向向きに並ぶように、この
粘着性フィルムを平行にエキスパンドする工程を有して
いるから、この工程を経て分離された各素子は粘着性フ
ィルム上で一定間隔に同一向きに並んでおり、サブマウ
ント材に上記各素子を接着する際、一度にダイボンドで
きる。よって、従来の組立のように改めて並べる必要も
なく、1チップ毎に組立を行わなくてもよい。
According to the present invention, in assembling a semiconductor laser device, after a semiconductor having a scribe line in which a plurality of elements are manufactured is attached to an adhesive film, the separated elements are oriented in the same direction at regular intervals. Since it has a step of expanding this adhesive film in parallel so that it is lined up, each element separated through this step is lined up in the same direction on the adhesive film at a constant interval, and is attached to the submount material. When the above-mentioned elements are bonded together, they can be die-bonded at one time. Therefore, it is not necessary to re-arrange as in conventional assembly, and it is not necessary to assemble each chip.

【0013】[0013]

【実施例】実施例1.以下、本発明の一実施例を図につ
いて説明する。図1は本発明の第1の実施例による半導
体装置の組立方法の組立工程を示す斜視図であり、図6
と同一符号は同一又は相当部分を示し、6は本実施例の
ボンディング装置のアレイ状吸着コレット、7は複数の
LDチップ1が作製されたウエハをバー状に劈開したL
Dバー、8はスクライブライン、即ちLDバー7のLD
チップ1を個々に分割するためのラインであり、本実施
例ではほぼ分離できる程度までレーザ等で切り込みを入
れて形成している。また9はLDバー7を貼着した粘着
フィルム、10はバー状のサブマウント、11はこのサ
ブマウント10の分離位置を示すダイシングラインであ
る。
EXAMPLES Example 1. An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a perspective view showing an assembling process of a semiconductor device assembling method according to a first embodiment of the present invention.
The same reference numerals denote the same or corresponding portions, 6 is an array-shaped suction collet of the bonding apparatus of this embodiment, and 7 is an L-shaped wafer formed by cutting a plurality of LD chips 1 into a bar shape.
D bar, 8 is a scribe line, that is, LD of LD bar 7
This is a line for dividing the chip 1 into individual pieces, and in this embodiment, it is formed by cutting with a laser or the like to the extent that it can be separated. Further, 9 is an adhesive film to which the LD bar 7 is attached, 10 is a bar-shaped submount, and 11 is a dicing line showing the separation position of the submount 10.

【0014】本実施例による組立方法は、複数のLDチ
ップ1が作製されたスクライブライン8入りのLDバー
7を粘着フィルム9に貼着させ、この粘着フィルム9を
上記LDバー7の長手方向にエキスパンドする工程と、
このエキスパンドする工程で引き伸ばされた結果、スク
ライブライン8で分離され、直線上に一定間隔に同一向
きに並んで位置付けられた各LDチップ1を、このLD
チップ1のピッチと同一ピッチを有するアレイ状吸着コ
レット6で一度に真空吸着するとともに、このピッチを
維持してサブマウント10上へ移動し、ハンダ5の付着
したサブマウント10の接着面へ一度に接着する工程
と、このLDチップ1の接着されたサブマウント10を
ダイシングライン11で1チップ毎に分離する工程とか
らなる。
In the assembling method according to this embodiment, the LD bar 7 having the scribe lines 8 in which a plurality of LD chips 1 are manufactured is attached to the adhesive film 9, and the adhesive film 9 is arranged in the longitudinal direction of the LD bar 7. The process of expanding,
As a result of being stretched in the expanding step, the LD chips 1 separated by the scribe line 8 and positioned in a straight line in the same direction at the same intervals are
The array-shaped suction collet 6 having the same pitch as the pitch of the chip 1 is vacuum-sucked at one time, and while maintaining this pitch, it is moved onto the submount 10 and is once attached to the bonding surface of the submount 10 to which the solder 5 is attached. It consists of a step of adhering and a step of separating the submount 10 to which the LD chip 1 is adhered by a dicing line 11 for each chip.

【0015】次に、上記工程に基づき図面を参照して動
作を説明する。まず、図1(a) に示すように、スクライ
ブライン8の入ったLDバー7を貼着した粘着フィルム
9を、矢印A方向にエキスパンドする。
Next, the operation will be described based on the above steps with reference to the drawings. First, as shown in FIG. 1A, the adhesive film 9 to which the LD bar 7 having the scribe line 8 is attached is expanded in the direction of arrow A.

【0016】このように両側に粘着フィルム9を引き伸
ばすと、図1(b) に示すように、粘着フィルム9上のL
Dバー7は、スクライブライン8で分離され、LDチッ
プ1は粘着フィルム9上で、直線上に等間隔に同一向き
に並んで位置付けられる。このとき、各LDチップ1の
間隔は各LDチップ1のピッチが吸着コレット6の各コ
レット間のピッチと等しくなるように、機械的にエキス
パンドされる。またコレット間のピッチはサブマウント
10のダイシングライン11で形成された各チップのピ
ッチに対応している。
When the adhesive film 9 is stretched on both sides in this way, as shown in FIG. 1 (b), L on the adhesive film 9 is extended.
The D bars 7 are separated by the scribe lines 8, and the LD chips 1 are positioned on the adhesive film 9 in a straight line at equal intervals in the same direction. At this time, the space between the LD chips 1 is mechanically expanded so that the pitch of the LD chips 1 becomes equal to the pitch between the collets of the suction collet 6. The pitch between the collets corresponds to the pitch of each chip formed on the dicing line 11 of the submount 10.

【0017】このようにエキスパンドで上記間隔に並ん
だLDチップ1の上方に吸着コレット6を移動して、各
LDチップ1に各コレットが相対するように位置付けた
後、吸着コレット6を下降させて各LDチップ1を真空
吸着する。その後、吸着コレット6を上昇させてLDチ
ップ1を粘着フィルム9から剥離し、加熱装置を有する
プレート(図示せず。)上に載せられたサブマウント1
0の上方までスライドさせる。
As described above, the suction collets 6 are moved above the LD chips 1 arranged in the above-mentioned interval by the expansion, and positioned so that the collets face each LD chip 1, and then the suction collets 6 are lowered. Each LD chip 1 is vacuum-sucked. After that, the suction collet 6 is raised to peel the LD chip 1 from the adhesive film 9, and the submount 1 placed on a plate (not shown) having a heating device.
Slide above 0.

【0018】それから図1(c) に示すように、サブマウ
ント10のダイシングライン11により形成されたサブ
マウント10の各チップにLDチップ1を載せて、ハン
ダ5で接着する。このとき、LDチップ1の光出射端面
2がサブマウント10の一端面と平行で、かつ充分、端
面付近に位置するように接着する。
Then, as shown in FIG. 1C, the LD chip 1 is placed on each chip of the submount 10 formed by the dicing line 11 of the submount 10 and is bonded by the solder 5. At this time, the light emitting end face 2 of the LD chip 1 is bonded so that the light emitting end face 2 is parallel to the one end face of the submount 10 and sufficiently located near the end face.

【0019】最後に、ダイシング等の方法により、サブ
マウント10のダイシングライン11に沿って1チップ
毎に分離する。この際、接着材として、予めSi,Si
C等のサブマウント又はチップ裏面にAuSi,AuS
u等のハンダ材10を蒸着しておくことにより、容易に
接着ができる。
Finally, by dicing or the like, the chips are separated along the dicing line 11 of the submount 10 chip by chip. At this time, as the adhesive material, Si, Si
AuSi, AuS on the submount such as C or the back of the chip
By pre-depositing the solder material 10 such as u, adhesion can be easily performed.

【0020】このように本実施例によれば、LDチップ
1の作製されたスクライブライン8入りのLDバー7を
粘着フィルム9に貼着した後、この粘着フィルム9をL
Dバー7の長手方向にエキスパンドする工程により、L
Dバー7は分離されて、各LDチップ1は等間隔に直線
状に広がり、同一方向向きに並ぶ。また、このように位
置付けられたLDチップ1を、アレイ状吸着コレット6
で一度に吸着し、そのままの状態でサブマウント10の
各チップ上に接着する工程により、吸着されたLDチッ
プ1全てに対して、サブマウント10の各チップの一端
面にLDチップ1の光出射端面2が揃うように接着させ
る。これによって、従来の組立のようにLDチップ1を
チップトレイに並べる工程を省略するとともに、1チッ
プずつ組立る必要がなくなり、これはまた組立作業能率
を高め、組立時間の短縮をも図ることができる。
As described above, according to this embodiment, after the LD bar 7 having the scribe line 8 on which the LD chip 1 is manufactured is adhered to the adhesive film 9, the adhesive film 9 is attached to L
By the process of expanding in the longitudinal direction of the D bar 7, L
The D bar 7 is separated, the LD chips 1 spread linearly at equal intervals, and are arranged in the same direction. In addition, the LD chip 1 positioned as described above is attached to the array-shaped suction collet 6
The light is emitted from the LD chip 1 to one end face of each chip of the submount 10 with respect to all the adsorbed LD chips 1 by the process of adsorbing the LD chips 1 at once by the process of adhering onto the respective chips of the submount 10 as they are. Bond the end faces 2 so that they are aligned. This eliminates the step of arranging the LD chips 1 on the chip tray as in conventional assembly, and eliminates the need to assemble one chip at a time, which also improves the assembly work efficiency and shortens the assembly time. it can.

【0021】実施例2.この発明の第2の実施例を図に
ついて説明する。図2は本発明の第2の実施例による半
導体装置の組立方法の組立工程の概略を示す斜視図であ
り、12はLDチップ1が縦横に整然と格子状に作製さ
れた大口径ウエハ、13は2次元アレイ状の吸着コレッ
ト、14は大口径サブマウント基板である。
Example 2. A second embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 2 is a perspective view showing an outline of an assembling process of a method for assembling a semiconductor device according to a second embodiment of the present invention. 12 is a large-diameter wafer in which the LD chips 1 are produced in a lattice shape in a vertical and horizontal manner, and 13 is a The two-dimensional array-shaped suction collet 14 is a large-diameter submount substrate.

【0022】本実施例による組立方法は、大口径ウエハ
12の各LDチップ1を縦横に等間隔に平行性を維持し
て分離するために、粘着フィルム9をx軸と、y軸方向
にそれぞれエキスパンドする工程と、このエキスパンド
する工程により、x,y軸方向に等間隔に向きを揃えて
並んだ各LDチップ1を、2次元アレイ状の吸着コレッ
ト13で一度に真空吸着し、大口径サブマウント基板1
4の接着面へ移動して接着する工程と、LDチップ1の
接着されたサブマウント基板14をダイシングライン1
1で1チップ毎に分離する工程とからなる。
In the assembling method according to this embodiment, in order to separate the LD chips 1 of the large-diameter wafer 12 at equal intervals in the vertical and horizontal directions, the adhesive film 9 is separated in the x-axis and y-axis directions, respectively. By the expanding step and the expanding step, the LD chips 1 aligned in the x- and y-axis directions at equal intervals are vacuum-sucked at once by the suction collet 13 in a two-dimensional array, and the large-diameter sub Mount board 1
4 and the step of adhering the sub-mount substrate 14 on which the LD chip 1 is adhered to the dicing line 1
1 for separating each chip.

【0023】次に、上記工程に基づき図面を参照して動
作を説明する。まず、図2(a) に示すように、スクライ
ブライン8入り大口径ウエハ12を貼着した粘着フィル
ム9を、平行性を維持してx軸方向である矢印Aの方向
へエキスパンドし、x軸に対して予め定められた間隔を
有した後、y軸方向である矢印Bの方向へ同様にエキス
パンドする。あるいは、x,y軸へのエキスパンドを同
時に実施する。このとき平行性を維持してx,y軸方向
にエキスパンドされることから、粘着フィルム9の面は
吸着コレット13の吸着面、及び大口径サブマウント基
板14の接着面に対して平行になっている。
Next, the operation will be described based on the above steps with reference to the drawings. First, as shown in FIG. 2 (a), the adhesive film 9 with the large-diameter wafer 12 containing the scribe lines 8 is expanded in the direction of arrow A, which is the x-axis direction while maintaining the parallelism, and the x-axis direction is expanded. After having a predetermined interval with respect to, the same expansion is performed in the direction of arrow B, which is the y-axis direction. Alternatively, expanding on the x and y axes is performed simultaneously. At this time, since the parallelism is maintained and expanded in the x- and y-axis directions, the surface of the adhesive film 9 becomes parallel to the suction surface of the suction collet 13 and the adhesion surface of the large-diameter submount substrate 14. There is.

【0024】このように、x軸とy軸方向にエキスパン
ドすることによって、図2(b) に示すように、大口径ウ
エハ12はスクライブライン8で分離され、粘着フィル
ム9上の各LDチップ1は平行性を維持して、縦横に等
間隔に同一向きに並んで広げられる。これによって、上
記粘着フィルム9上の各LDチップ1は吸着コレット1
3及び上記サブマウント基板14に対してそれぞれ平行
に位置付けられ、各LDチップ1のピッチは吸着コレッ
ト13の各コレットのピッチと等しく、またこのピッチ
は大口径サブマウント基板14上にダイシングライン1
1により形成された格子状の各チップに対応する。
By thus expanding in the x-axis and y-axis directions, the large-diameter wafer 12 is separated at the scribe line 8 as shown in FIG. 2 (b), and each LD chip 1 on the adhesive film 9 is separated. Are parallel and spread in the same direction at equal intervals vertically and horizontally. As a result, each LD chip 1 on the adhesive film 9 is attached to the suction collet 1.
3 and the submount substrate 14 respectively, the pitch of each LD chip 1 is equal to the pitch of each collet of the suction collet 13, and this pitch is on the large-diameter submount substrate 14 and the dicing line 1
It corresponds to each grid-shaped chip formed by 1.

【0025】吸着コレット13は縦横に等間隔に並んだ
LDチップ1を第1の実施例と同様に真空吸着して、図
2(c) に示すようにサブマウント基板14に接着する。
その後、ダイシング等により上記サブマウント基板14
のダイシングライン11に沿って1チップ毎に分離す
る。
The suction collet 13 vacuum-sucks the LD chips 1 arranged vertically and horizontally at equal intervals as in the first embodiment, and adheres them to the submount substrate 14 as shown in FIG. 2 (c).
Thereafter, the submount substrate 14 is diced or the like.
The chips are separated along the dicing line 11 for each chip.

【0026】このように本実施例によれば、大口径ウエ
ハ12を粘着フィルム9に貼着した後、この粘着フィル
ム9を平行性を維持してx,y軸方向にエキスパンドす
る工程により、上記大口径ウエハ12の各LDチップ1
がx,y軸方向に等間隔に向きを揃えて並ぶように分離
される。このように分離された各LDチップ1のピッチ
は2次元アレイの吸着コレット13のピッチと等しく、
大口径サブマウント基板14の各サブマウントのピッチ
に対応し、またx,y軸方向にエキスパンドされた粘着
フィルム9の面は吸着コレット13の吸着面及び大口径
サブマウント基板14の接着面に対して平行になってい
ることから、上記吸着コレット13に真空吸着された各
LDチップ1は、上記サブマウント基板14に接着する
工程で上記サブマウントの各チップ毎に向きを揃えて同
時に接着される。これによって、大口径ウエハ12に作
製されたLDチップ1に対する半導体装置の組立方法に
おいても、一度に全部あるいは任意のブロックずつ実施
でき、同様に組立作業能率を高め、組立時間の短縮を図
ることができる。
As described above, according to this embodiment, after the large-diameter wafer 12 is attached to the adhesive film 9, the adhesive film 9 is expanded in the x and y axis directions while maintaining the parallelism. Each LD chip 1 of large diameter wafer 12
Are separated so that they are aligned in the x and y axis directions at equal intervals. The pitch of each LD chip 1 thus separated is equal to the pitch of the suction collet 13 of the two-dimensional array,
The surface of the adhesive film 9 corresponding to the pitch of each submount of the large-diameter submount substrate 14 and expanded in the x- and y-axis directions is with respect to the suction surface of the suction collet 13 and the bonding surface of the large-diameter submount substrate 14. Since the LD chips 1 are vacuum-sucked to the suction collet 13, the LD chips 1 vacuum-sucked to the suction collet 13 are bonded to the submount substrate 14 at the same time while aligning the directions of the chips of the submount. . As a result, even in the method of assembling the semiconductor device with respect to the LD chip 1 formed on the large diameter wafer 12, all or arbitrary blocks can be carried out at once, and the assembling work efficiency can be improved and the assembling time can be shortened. it can.

【0027】なお、大口径サブマウントにチップを接着
した状態において、一括してチップの端面保護膜を形成
したり、サブマウントにパターン電極を設けておくこと
によって、素子特性の評価やバーンイン等を行うことも
可能である。
In the state where the chip is bonded to the large-diameter submount, the chip end face protective film is collectively formed or the submount is provided with the pattern electrode, so that the evaluation of the device characteristics and the burn-in can be performed. It is also possible to do so.

【0028】実施例3.この発明の第3の実施例を図に
ついて説明する。図3は本発明の第3の実施例による半
導体装置の組立方法の組立工程において、サブマウント
材に接着されたLDチップを示した斜視図であり、14
は平行にハーフカットされたハーフカット部15を有す
る大口径サブマウント基板である。
Example 3. A third embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 3 is a perspective view showing an LD chip adhered to a submount material in an assembling process of a semiconductor device assembling method according to a third embodiment of the present invention.
Is a large-diameter submount substrate having a half-cut portion 15 which is half-cut in parallel.

【0029】本実施例による組立方法は、上記第2の実
施例のサブマウント材への接着工程が、最終的に分離さ
れる部分をハーフカットしたハーフカット部15を有す
る大口径サブマウント基板14を使用して、このハーフ
カット部15に沿ってLDチップ1を接着する工程を有
する組立方法である。
In the assembling method according to the present embodiment, in the step of adhering to the submount material of the second embodiment, the large-diameter submount substrate 14 having the half cut portion 15 obtained by half-cutting the finally separated portion is used. Is an assembling method including a step of adhering the LD chip 1 along the half cut portion 15 by using.

【0030】本実施例による組立方法では、大口径サブ
マウント基板14にダイボンドする際、LDチップ1の
光出射端面2に当たる位置に平行ラインを入れ予めダイ
シング等によりハーフカットしておく。このように、ハ
ーフカット部15を設けることによって、このハーフカ
ット部15にLDチップ1の光出射端面2を向けて沿う
ように運び、揃えて接着することができる。これは上記
第2の実施例の効果に加えて、後でサブマウントを分離
する際、光出射端面2によごれがつかないという効果も
ある。
In the assembling method according to this embodiment, when die-bonding to the large-diameter submount substrate 14, a parallel line is put in a position corresponding to the light emitting end face 2 of the LD chip 1 and half-cutting is performed in advance by dicing or the like. By providing the half-cut portion 15 in this manner, the light-emitting end face 2 of the LD chip 1 can be carried along the half-cut portion 15 so as to be aligned and bonded. In addition to the effect of the second embodiment, this has an effect that the light emitting end face 2 is not contaminated when the submount is separated later.

【0031】実施例4.この発明の第4の実施例を図に
ついて説明する。図4は本発明の第4の実施例による半
導体装置の組立方法の組立工程において、サブマウント
材に接着されたLDチップを示した斜視図であり、14
は1個分の大きさのチップになるように予め格子状にハ
ーフカットされた格子状ライン16を有する大口径サブ
マウント基板である。
Example 4. A fourth embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 4 is a perspective view showing an LD chip adhered to a submount material in an assembling process of a semiconductor device assembling method according to a fourth embodiment of the present invention.
Is a large-diameter submount substrate having grid lines 16 that are half-cut in advance in a grid shape to form a chip of one size.

【0032】本実施例では、上記第3の実施例における
平行ラインのハーフカット部15のかわりに、1チップ
の大きさのサブマウントの角になるように格子状のハー
フカットライン16を設けた。このような大口径サブマ
ウント基板14であっても上記第3の実施例と同様の効
果があり、また後の分離が容易である。
In this embodiment, instead of the parallel-line half-cut portion 15 in the third embodiment, a grid-like half-cut line 16 is provided so as to form a corner of a submount having a size of one chip. . Even such a large-diameter submount substrate 14 has the same effect as that of the third embodiment, and can be easily separated later.

【0033】実施例5.図5は本発明の第5の実施例に
よる半導体装置の組立方法を示した斜視図であり、17
は粘着テープ18(方形のその一部を図示)に接着され
たLDチップ1の裏面、19はLDチップ1の上面であ
る。
Example 5. FIG. 5 is a perspective view showing a method of assembling a semiconductor device according to a fifth embodiment of the present invention.
Is the back surface of the LD chip 1 adhered to the adhesive tape 18 (a part of the square is shown), and 19 is the upper surface of the LD chip 1.

【0034】本実施例による組立方法は、第1ないし第
4の実施例での吸着コレットを用いず、特にジャンクシ
ョンダウンにて接着する組立工程を備えたものであり、
大口径ウエハ12を貼着した粘着テープ18をエキスパ
ンドして平行性を維持して分離し、大口径サブマウント
基板14上にLDチップ1の上面19が接着するように
粘着テープ18にLDチップ1を貼着させたまま運び、
加熱して接着させるものである。図5は本実施例の組立
工程において、エキスパンドする工程を経た後、大口径
サブマウント基板17の上方で、粘着テープ18に貼着
されたLDチップ1がLDチップ1の上面19を下にし
て待機したところであり、この上面19が接着面とな
る。
The assembling method according to the present embodiment includes an assembling step of adhering at the junction down without using the suction collet in the first to fourth embodiments.
The adhesive tape 18 to which the large-diameter wafer 12 is adhered is expanded to be separated while maintaining parallelism, and the LD chip 1 is attached to the adhesive tape 18 so that the upper surface 19 of the LD chip 1 is adhered onto the large-diameter submount substrate 14. Carry with the attached
It is heated and bonded. FIG. 5 shows that in the assembly process of this embodiment, after the expanding process, the LD chip 1 attached to the adhesive tape 18 is placed above the large-diameter submount substrate 17 with the upper surface 19 of the LD chip 1 facing downward. This is the standby position, and the upper surface 19 serves as an adhesive surface.

【0035】このように本実施例によれば、吸着コレッ
トを使用していないが、等間隔に同一向きに並んで分離
されたLDチップ1を一度に上記サブマウント基板14
に接着することができる。また図示しないが、LDバー
7であっても同様にサブマウント10に接着することが
できる。以上、第1ないし第5の実施例では、LD(レ
ーザダイオード)チップについてのみ示したが、これは
LED(発光ダイオード),PD(ホトダイオード)等
であってもよい。
As described above, according to the present embodiment, although the suction collet is not used, the LD chips 1 separated in the same direction at equal intervals are separated at a time from the submount substrate 14 described above.
Can be glued to. Although not shown, the LD bar 7 can also be similarly bonded to the submount 10. Although only the LD (laser diode) chip is shown in the first to fifth embodiments, it may be an LED (light emitting diode), a PD (photodiode) or the like.

【0036】[0036]

【発明の効果】以上のように本発明にかかる半導体装置
の組立方法によれば、複数のレーザ素子が作製されたス
クライブライン入りの半導体を粘着性フィルムに貼り付
け、この各素子が等間隔に同一方向向きに並んで分離す
るように、この粘着性フィルムをエキスパンドし、この
工程を経た各素子をサブマウント材に接着するようにし
たので、一度に大量の素子をこのサブマウント材へボン
ディングすることができ、これによって、従来の組立の
ように素子をチップトレイに並べる必要がなくなり1チ
ップ毎に組立を行わなくてもよく、作業時間が短縮さ
れ、作業が容易になるという効果がある。
As described above, according to the method for assembling a semiconductor device of the present invention, a semiconductor with a plurality of laser elements and containing scribe lines is attached to an adhesive film, and the elements are arranged at equal intervals. This adhesive film is expanded so as to be separated side by side in the same direction, and each element that has undergone this process is bonded to the submount material, so a large number of elements are bonded to this submount material at one time. As a result, it is not necessary to arrange the elements on the chip tray as in the conventional assembly, and it is not necessary to assemble each chip one by one, and the working time is shortened and the work is facilitated.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の一実施例の組立工程を示した斜視図で
ある。
FIG. 1 is a perspective view showing an assembly process of an embodiment of the present invention.

【図2】本発明の第2の実施例の組立工程を示した斜視
図である。
FIG. 2 is a perspective view showing an assembling process of a second embodiment of the present invention.

【図3】本発明の第3の実施例のサブマウント材を図示
した斜視図である。
FIG. 3 is a perspective view illustrating a submount material according to a third embodiment of the present invention.

【図4】本発明の第4の実施例のサブマウント材を図示
した斜視図である。
FIG. 4 is a perspective view illustrating a submount material according to a fourth embodiment of the present invention.

【図5】本発明の第5の実施例の組立方法の概略を示し
た斜視図である。
FIG. 5 is a perspective view showing an outline of an assembling method according to a fifth embodiment of the present invention.

【図6】従来のボンディング方法を示した斜視図であ
る。
FIG. 6 is a perspective view showing a conventional bonding method.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 LDチップ 2 光出射端面 3 吸着コレット 4 サブマウント 5 ハンダ 6 アレイ状吸着コレット 7 LDバー 8 スクライブライン 9 粘着フィルム 10 バー状サブマウント 11 ダイシングライン 12 大口径ウエハ 13 2次元アレイ状吸着コレット 14 大口径サブマウント基板 1 LD chip 2 Light emitting end face 3 Adsorption collet 4 Submount 5 Solder 6 Array adsorption collet 7 LD bar 8 Scribe line 9 Adhesive film 10 Bar submount 11 Dicing line 12 Large diameter wafer 13 Two-dimensional array adsorption collet 14 Large Sub-mount board

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 複数のレーザ素子が作製された半導体を
分離して、サブマウント材にダイボンドする半導体レー
ザ装置の組立方法において、 複数のレーザ素子が作製されたスクライブライン入りの
半導体を貼着した粘着性フィルムを、分離された上記各
素子が一定間隔で同一方向を向いて位置するように、エ
キスパンドする工程と、 分離された上記各素子を、別途待機したサブマウント材
に接着する工程と、 上記各素子が接着されたサブマウント材を1チップ毎に
分離する工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の
組立方法。
1. A method for assembling a semiconductor laser device in which a semiconductor having a plurality of laser elements is separated and die-bonded to a submount material, a scribe line semiconductor having a plurality of laser elements is attached. A step of expanding the adhesive film so that the separated elements are positioned in the same direction at regular intervals, and a step of adhering the separated elements to a sub-mount material that has been on standby separately, And a step of separating the submount material, to which the above-mentioned elements are bonded, for each chip.
【請求項2】 請求項1記載の半導体装置の組立方法に
おいて、 複数のレーザ素子が作製された上記半導体はバー状に劈
開された半導体であり、 上記サブマウント材への接着工程は、一定間隔で同一方
向向きに位置するように直線状に分離された該半導体の
各素子を、アレイ状の吸着コレットで吸着して、上記サ
ブマウント材に接着する工程であることを特徴とする半
導体装置の組立方法。
2. The method of assembling a semiconductor device according to claim 1, wherein the semiconductor on which a plurality of laser elements are manufactured is a bar-shaped cleaved semiconductor, and the step of adhering to the submount material is performed at regular intervals. In the semiconductor device, each element of the semiconductor separated linearly so as to be positioned in the same direction is adsorbed by an array-shaped adsorption collet and adhered to the submount material. Assembly method.
【請求項3】 請求項1記載の半導体装置の組立方法に
おいて、 上記サブマウント材への接着工程は、エキスパンドされ
た上記粘着フィルムの貼着面がサブマウント材表面にく
るように、貼着された各素子をジャンクションダウンに
て接着する工程であることを特徴とする半導体装置の組
立方法。
3. The method of assembling a semiconductor device according to claim 1, wherein the step of adhering to the submount material is performed so that the adhered surface of the expanded adhesive film comes to the surface of the submount material. A method of assembling a semiconductor device, which comprises a step of adhering each element by junction down.
【請求項4】 複数のレーザ素子が作製された半導体を
分離して、サブマウント材にダイボンドする半導体レー
ザ装置の組立方法において、 複数のレーザ素子が縦横に作製されたスクライブライン
入りの半導体を貼着した粘着性フィルムを、分離された
上記各素子が縦横に一定間隔で同一方向向きに位置する
ように、エキスパンドする工程と、 該素子を2次元アレイ状の吸着コレットで吸着し、縦横
に接着箇所が配置されたサブマウント材に接着する工程
と、 上記素子が接着された上記サブマウント材を1チップ毎
に分離する工程とを備えたことを特徴とする半導体装置
の組立方法。
4. A method of assembling a semiconductor laser device, wherein semiconductors having a plurality of laser elements are separated and die-bonded to a submount material. The step of expanding the adhered adhesive film so that the above-mentioned separated elements are positioned in the same direction in the vertical and horizontal directions at regular intervals, and the elements are adsorbed by a two-dimensional array-shaped adsorption collet and adhered in the vertical and horizontal directions. A method of assembling a semiconductor device, comprising: a step of adhering to a submount material on which parts are arranged; and a step of separating the submount material to which the elements are adhered for each chip.
【請求項5】 請求項4記載の半導体装置の組立方法に
おいて、 上記サブマウント材への接着工程は、最終的に分離され
る部分がハーフカットされたサブマウント材を使用し
て、該ハーフカットのラインに沿って上記素子を接着す
る工程であることを特徴とする半導体装置の組立方法。
5. The method of assembling a semiconductor device according to claim 4, wherein, in the step of adhering to the submount material, a submount material in which a finally separated portion is halfcut is used. A method of assembling a semiconductor device, which comprises the step of adhering the above-mentioned elements along the line.
【請求項6】 請求項1ないし5のいずれかに記載の半
導体装置の組立方法において、 複数のレーザ素子を、ホトダイオード、あるいは発光ダ
イオードとした半導体装置の組立方法。
6. The method of assembling a semiconductor device according to claim 1, wherein the plurality of laser elements are photodiodes or light emitting diodes.
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