JP2002335032A - Optical device and its manufacturing method - Google Patents

Optical device and its manufacturing method

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JP2002335032A
JP2002335032A JP2001137739A JP2001137739A JP2002335032A JP 2002335032 A JP2002335032 A JP 2002335032A JP 2001137739 A JP2001137739 A JP 2001137739A JP 2001137739 A JP2001137739 A JP 2001137739A JP 2002335032 A JP2002335032 A JP 2002335032A
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JP
Japan
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submount
solder
optical
chip
melting point
Prior art date
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Application number
JP2001137739A
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Japanese (ja)
Inventor
Takashi Kobayashi
Tadashi Taniguchi
高志 小林
正 谷口
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Sony Corp
ソニー株式会社
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an optical apparatus and its manufacturing method, which improves the thermal radiation characteristics from a semiconductor light emitting element chip. SOLUTION: The optical apparatus is composed of a semiconductor light emitting element such as semiconductor laser chip LD, etc., a sub-mount SM and a heat sink HS bonded in this order. The chip LD is bonded to the sub- mount SM with first solder SJa having a first melting point, and the sub-mount SM is bonded to the heat sink SH with second solder SJb having a second melting point lower than the first melting point. After bonding the chip LD to the sub-mount SM with the first solder SJa, the sub-mount SM is bonded to the heat sink HS with the second solder SJb.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、光学装置およびそ
の製造方法に関し、特に、CD(コンパクトディス
ク)、MD(ミニディスク)、DVD(デジタル多用途
ディスク)などの光ディスクシステム、バーコードリー
ダおよびレーザディスプレイなどの表示装置、あるい
は、レーザビームプリンタなどの電子機器に適用可能な
光学装置およびその製造方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an optical device and a method of manufacturing the same, and more particularly, to an optical disk system such as a CD (compact disk), MD (mini disk), DVD (digital versatile disk), a bar code reader, and a laser. The present invention relates to an optical device applicable to a display device such as a display, or an electronic device such as a laser beam printer, and a method for manufacturing the same.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来、CD、MD、DVDなどの光ディ
スクシステムにおいては、その光源として半導体レーザ
や、半導体レーザを受光素子や光学部品と一体化した集
積光学装置が用いられている。
2. Description of the Related Art Conventionally, in an optical disk system such as a CD, an MD, and a DVD, a semiconductor laser or an integrated optical device in which the semiconductor laser is integrated with a light receiving element or an optical component is used as a light source.
【0003】例えば、CDおよびMDでは780nm帯
の半導体レーザが採用され、一方、DVDでは660n
m帯の半導体レーザが採用されている。さらに、次世代
光ディスクの光源としては、400nm帯で発光するI
II族窒化物半導体レーザの採用が有望視されている。
For example, a semiconductor laser of 780 nm band is adopted for CD and MD, while 660 nm is used for DVD.
An m-band semiconductor laser is employed. Further, as a light source of a next-generation optical disk, an I-light emitting in a 400 nm band is used.
The use of group II nitride semiconductor lasers is promising.
【0004】図12(a)は、上記の半導体レーザをC
ANパッケージ化した形態の一例の一部切欠斜視図であ
り、図12(b)は要部拡大斜視図である。例えばAl
GaAs系、AlGaInP系、あるいはAlGaN系
の半導体からなる半導体レーザチップLDが、ハンダ接
合SJによりサブマウントSMに接合されている。また
サブマウントSMは、半導体レーザチップLDの接合面
の裏面側から、銀ペースト接合AJによりヒートシンク
HSに接合されている。ヒートシンクHSはパッケージ
部材PKと一体に形成されて、半導体レーザチップL
D、サブマウントSMおよびヒートシンクHSなどを収
容している。パッケージ部材には窓WDが設けられてお
り、半導体レーザチップLDに所定の電圧が印加される
と所定の波長のレーザ光が窓WDを透過して外部に出射
される。サブマウントSMは、フォトダイオードPDが
形成された半導体ブロックであり、半導体レーザチップ
LDの裏面側に出射されたレーザ光を受光してパワーを
モニターすることが可能となっている。
FIG. 12A shows that the above-described semiconductor laser is
FIG. 12B is a partially cutaway perspective view of an example of an AN package form, and FIG. 12B is an enlarged perspective view of a main part. For example, Al
A semiconductor laser chip LD made of a GaAs-based, AlGaInP-based, or AlGaN-based semiconductor is joined to the submount SM by a solder joint SJ. The submount SM is joined to the heat sink HS by silver paste joining AJ from the back side of the joining surface of the semiconductor laser chip LD. The heat sink HS is formed integrally with the package member PK, and the semiconductor laser chip L
D, a submount SM, a heat sink HS, and the like. The package member is provided with a window WD. When a predetermined voltage is applied to the semiconductor laser chip LD, a laser beam having a predetermined wavelength passes through the window WD and is emitted to the outside. The submount SM is a semiconductor block on which the photodiode PD is formed, and is capable of receiving a laser beam emitted to the back side of the semiconductor laser chip LD and monitoring the power.
【0005】上記のCANパッケージ形態の半導体レー
ザを製造するには、まず、サブマウント上に半導体レー
ザチップを位置決めしてハンダ接合により固定し、次
に、半導体レーザチップが接合されたサブマウントをヒ
ートシンク上に位置決めして銀ペーストを用いて接着固
着する。
In order to manufacture the semiconductor laser of the above-described CAN package type, first, a semiconductor laser chip is positioned on a submount and fixed by soldering, and then the submount to which the semiconductor laser chip is bonded is mounted on a heat sink. It is positioned above and is adhered and fixed using silver paste.
【0006】上記の構造を有するCANパッケージ形態
などの半導体レーザにおいて、半導体レーザチップから
の熱の放散特性が半導体レーザの動作や寿命に大きな影
響を与えており、半導体レーザの安定駆動および長寿命
化のためには半導体レーザチップからの放熱特性を確保
する必要がある。
[0006] In a semiconductor laser having the above structure, such as a CAN package, the heat dissipation characteristic of the semiconductor laser chip has a great influence on the operation and life of the semiconductor laser. Therefore, it is necessary to secure the heat radiation characteristics from the semiconductor laser chip.
【0007】[0007]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
従来の形態の半導体レーザでは、サブマウントとヒート
シンクの接合に、ハンダと比較して熱伝導性の低い銀ペ
ーストを用いていることから、半導体レーザチップから
の熱の放散が不十分であるという問題が生じてきてい
る。銀ペーストは、熱伝導率が約4W/K・mで、10
μmの膜厚で用いられ、一方、例えばSn−Pb系のハ
ンダは熱伝導率が約50W/K・mで、4μmの膜厚で
用いられ、銀ペーストはハンダより熱伝導率が低い上に
厚膜で用いられるので、熱の放散が低いものとなってし
まう。特に、半導体レーザが使用される光ディスクの開
発においては、ROMからRAMへの流れと、2倍、4
倍との高速化の流れとがあり、これに従って半導体レー
ザの高出力化と高駆動電流化が求められ、さらなる熱放
散性の確保が要求されるようになる。また、次世代光デ
ィスクシステムにおいて光源として採用が有望視されて
いるIII族窒化物半導体レーザは、発光波長が短波長
化に応じて駆動電圧および駆動電力が高くなり、半導体
レーザの発熱量が益々増大していく。このため、半導体
レーザチップからの熱放散性を向上させる必要がある。
However, in the above-described conventional semiconductor laser, a silver paste having a lower thermal conductivity than solder is used for joining the submount and the heat sink. A problem has arisen that the heat dissipation from the chip is insufficient. Silver paste has a thermal conductivity of about 4 W / K · m and
On the other hand, for example, Sn-Pb-based solder has a thermal conductivity of about 50 W / K · m and is used at a thickness of 4 μm, and silver paste has a lower thermal conductivity than solder. Since it is used as a thick film, heat dissipation is low. In particular, in the development of optical discs using semiconductor lasers, the flow from ROM to RAM has to be doubled,
In accordance with this, there is a demand for higher output and higher drive current of the semiconductor laser, and further heat dissipation is required. In addition, the drive voltage and the drive power of the group III nitride semiconductor laser, which is expected to be used as a light source in the next-generation optical disk system, increase as the emission wavelength becomes shorter, and the heat generation of the semiconductor laser increases more and more. I will do it. Therefore, it is necessary to improve the heat dissipation from the semiconductor laser chip.
【0008】サブマウントとヒートシンクとの接合を、
半導体レーザチップとサブマウントの接合と同様にハン
ダにより行うことにより、熱伝導性の低い銀ペーストの
使用を回避して、熱放散性を向上させることが可能であ
るが、この場合、サブマウントとヒートシンクの間と、
半導体レーザチップとサブマウントの間の接合を同時に
位置決めして固着するので、位置ずれを起こさないよう
に高精度に制御することが必要となる。また、半導体レ
ーザチップとサブマウント間を予めハンダ接合した後
に、サブマウントとヒートシンクとの間の接合を行う場
合には、上記の位置ずれの問題の他、半導体レーザチッ
プとサブマウント間のハンダが再溶融されるので、半導
体レーザチップへのストレスの印加が起こったり、半導
体レーザチップの電極が剥がれてしまうなどの悪影響を
及ぼしてしまう。
The joining between the submount and the heat sink is
By using solder in the same manner as the bonding of the semiconductor laser chip and the submount, it is possible to avoid the use of a silver paste having low thermal conductivity and improve the heat dissipation. Between the heat sinks,
Since the joint between the semiconductor laser chip and the submount is positioned and fixed at the same time, it is necessary to perform high-precision control so as not to cause displacement. In addition, if the bonding between the submount and the heat sink is performed after the soldering between the semiconductor laser chip and the submount in advance, the solder between the semiconductor laser chip and the submount may be damaged in addition to the above-described position shift. Since the re-melting is performed, adverse effects such as application of stress to the semiconductor laser chip and peeling of the electrodes of the semiconductor laser chip occur.
【0009】本発明は、上記の状況に鑑みてなされたも
のであり、従って本発明の目的は、半導体レーザチップ
などの半導体発光素子チップ、サブマウントおよびヒー
トシンクが順に接合された構成の光学装置において、半
導体発光素子チップからの熱放散特性を向上することが
できる光学装置と、その製造方法を提供することであ
る。
The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide an optical device having a configuration in which a semiconductor light emitting element chip such as a semiconductor laser chip, a submount, and a heat sink are sequentially joined. Another object of the present invention is to provide an optical device capable of improving heat dissipation characteristics from a semiconductor light emitting element chip, and a method for manufacturing the same.
【0010】[0010]
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明の光学装置は、半導体発光素子チップと、上
記半導体発光素子チップが接合されたサブマウントと、
上記サブマウントが接合されたヒートシンクとを有し、
上記半導体発光素子チップが第1の融点を有する第1の
ハンダにより上記サブマウントに接合されており、上記
サブマウントが上記第1の融点よりも低い第2の融点を
有する第2のハンダにより上記ヒートシンクに接合され
ている。
To achieve the above object, an optical device according to the present invention comprises a semiconductor light emitting element chip, a submount to which the semiconductor light emitting element chip is bonded,
A heat sink to which the submount is joined,
The semiconductor light-emitting element chip is joined to the submount by a first solder having a first melting point, and the submount is joined by a second solder having a second melting point lower than the first melting point. Joined to heat sink.
【0011】上記本発明の光学装置は、好適には、上記
基板上に、上記サブマウントが、上記半導体発光素子チ
ップの接合された面の裏面側から上記ヒートシンクに接
合されている。
In the optical device of the present invention, preferably, the submount is joined to the heat sink from the back side of the surface to which the semiconductor light emitting element chip is joined, on the substrate.
【0012】上記本発明の光学装置は、好適には、上記
基板上に、上記サブマウントに受光素子が形成されてい
る。また、好適には、上記ヒートシンクは受光素子が形
成された半導体素子である。また、好適には、上記ヒー
トシンクに受光素子が形成された半導体素子が接合され
ている。
Preferably, in the optical device of the present invention, a light receiving element is formed on the submount on the substrate. Preferably, the heat sink is a semiconductor element on which a light receiving element is formed. Preferably, a semiconductor element having a light receiving element formed thereon is joined to the heat sink.
【0013】上記本発明の光学装置は、好適には、上記
基板上に、上記ヒートシンクが固着されているパッケー
ジ部材に収容されている。さらに好適には、上記パッケ
ージ部材に、レンズ、プリズムあるいは回折光学素子な
どを含む光学部材がさらに固着されている
The optical device of the present invention is preferably housed in a package member on which the heat sink is fixed on the substrate. More preferably, an optical member including a lens, a prism, a diffractive optical element, or the like is further fixed to the package member.
【0014】上記本発明の光学装置は、半導体レーザチ
ップなどの半導体発光素子チップ、サブマウントおよび
ヒートシンクが順に接合された構成の光学装置におい
て、半導体発光素子チップが第1の融点を有する第1の
ハンダにより上記サブマウントに接合されており、か
つ、サブマウントが上記第1の融点よりも低い第2の融
点を有する第2のハンダにより上記ヒートシンクに接合
されているので、半導体発光素子チップからの熱放散特
性を向上することができる。ここで、第1のハンダと第
2のハンダの融点が異なり、サブマウントおよびヒート
シンク間の第2のハンダの方が融点が低いので、サブマ
ウントに対する半導体発光素子チップの位置決めを行っ
て接合した後、この接合ハンダを再溶融することなく、
ヒートシンクに対するサブマウントの位置決めを行って
接合することができる。
The optical device of the present invention is an optical device having a structure in which a semiconductor light emitting element chip such as a semiconductor laser chip, a submount and a heat sink are sequentially joined, wherein the semiconductor light emitting element chip has a first melting point. Since the submount is joined to the heat sink by a second solder having a second melting point lower than the first melting point, the submount is joined to the submount by solder. Heat dissipation characteristics can be improved. Here, since the melting points of the first solder and the second solder are different and the melting point of the second solder between the submount and the heat sink is lower, the semiconductor light emitting element chip is positioned with respect to the submount and joined. , Without re-melting this joining solder
The submount can be positioned relative to the heat sink and joined.
【0015】また、上記の目的を達成するため、本発明
の光学装置の製造方法は、第1の融点を有する第1のハ
ンダにより、半導体発光素子チップをサブマウントに接
合する工程と、上記第1の融点よりも低い第2の融点を
有する第2のハンダにより、上記サブマウントをヒート
シンクに接合する工程とを有する。
In order to achieve the above object, a method of manufacturing an optical device according to the present invention comprises the steps of: joining a semiconductor light emitting element chip to a submount with a first solder having a first melting point; Bonding the submount to the heat sink with a second solder having a second melting point lower than the first melting point.
【0016】上記の本発明の光学装置の製造方法は、好
適には、上記サブマウントを上記ヒートシンクに接合す
る工程においては、上記第1の融点未満かつ上記第2の
融点以上の温度の熱処理を施す。
In the method of manufacturing an optical device according to the present invention, preferably, in the step of bonding the submount to the heat sink, a heat treatment at a temperature lower than the first melting point and higher than the second melting point is performed. Apply.
【0017】上記の本発明の光学装置の製造方法は、好
適には、上記サブマウントを上記ヒートシンクに接合す
る工程においては、上記サブマウントの上記半導体発光
素子チップが接合された面の裏面側から接合する。
In the method of manufacturing an optical device according to the present invention, preferably, in the step of bonding the submount to the heat sink, the submount is mounted on the back surface side of the surface of the submount to which the semiconductor light emitting element chip is bonded. Join.
【0018】上記の本発明の光学装置の製造方法は、好
適には、上記半導体発光素子チップを上記サブマウント
に接合する工程の前に、上記サブマウントの一の面上に
上記第1のハンダを成膜する工程をさらに有し、上記半
導体発光素子チップをサブマウントに接合する工程の
後、上記サブマウントを上記ヒートシンクに接合する工
程の前に、上記サブマウントの上記一の面の裏の面上に
上記第2のハンダを成膜する工程をさらに有する。
Preferably, in the method of manufacturing an optical device according to the present invention, the first solder is provided on one surface of the submount before the step of bonding the semiconductor light emitting element chip to the submount. After the step of bonding the semiconductor light-emitting element chip to the submount, and before the step of bonding the submount to the heat sink, the back of the one surface of the submount is The method further includes a step of forming the second solder on the surface.
【0019】上記の本発明の光学装置の製造方法は、好
適には、上記半導体発光素子チップを上記サブマウント
に接合する工程の前に、上記サブマウントの一の面上に
上記第1のハンダを成膜する工程と、上記サブマウント
の上記一の面の裏の面上に上記第2のハンダを成膜する
工程をさらに有する。さらに好適には、上記半導体発光
素子チップを上記サブマウントに接合する工程におい
て、上記第2のハンダの成膜面を中空に浮かせた状態で
上記第1の融点以上の温度の熱処理を施す。
Preferably, in the method of manufacturing an optical device according to the present invention, the first solder is provided on one surface of the submount before the step of bonding the semiconductor light emitting element chip to the submount. And a step of forming the second solder on the back surface of the one surface of the submount. More preferably, in the step of bonding the semiconductor light-emitting element chip to the submount, a heat treatment at a temperature equal to or higher than the first melting point is performed in a state where the film-forming surface of the second solder is floated in the air.
【0020】上記の本発明の光学装置の製造方法は、好
適には、上記半導体発光素子チップを上記サブマウント
に接合する工程においては、複数個のサブマウントが集
積されたサブマウント集積ウェーハに対応する個数の上
記半導体発光素子チップを接合し、上記半導体発光素子
チップをサブマウントに接合する工程の後、上記サブマ
ウントを上記ヒートシンクに接合する工程の前に、上記
サブマウント集積ウェーハを個片処理する工程をさらに
有する。
Preferably, in the method of manufacturing an optical device according to the present invention, the step of bonding the semiconductor light emitting element chip to the submount corresponds to a submount integrated wafer on which a plurality of submounts are integrated. After the step of bonding the semiconductor light-emitting element chips of a desired number and bonding the semiconductor light-emitting element chips to the submount, before the step of bonding the submount to the heat sink, the submount integrated wafer is individually processed. Further comprising the step of:
【0021】さらに好適には、上記半導体発光素子チッ
プを上記サブマウント集積ウェーハに接合する工程の前
に、上記サブマウント集積ウェーハの一の面上に上記第
1のハンダを成膜する工程をさらに有し、上記半導体発
光素子チップをサブマウント集積ウェーハに接合する工
程の後、上記サブマウントを個片処理する工程の前に、
上記サブマウント集積ウェーハの上記一の面の裏の面上
に上記第2のハンダを成膜する工程をさらに有する。
More preferably, before the step of bonding the semiconductor light emitting element chip to the submount integrated wafer, the step of forming the first solder on one surface of the submount integrated wafer is further performed. Having, after the step of bonding the semiconductor light emitting element chip to the submount integrated wafer, before the step of processing the submount individually,
The method further includes the step of forming the second solder on the back surface of the one surface of the submount integrated wafer.
【0022】また、さらに好適には、上記半導体発光素
子チップを上記サブマウント集積ウェーハに接合する工
程の前に、上記サブマウント集積ウェーハの一の面上に
上記第1のハンダを成膜する工程と、上記サブマウント
集積ウェーハの上記一の面の裏の面上に上記第2のハン
ダを成膜する工程をさらに有し、さらに好適には、上記
半導体発光素子チップを上記サブマウント集積ウェーハ
に接合する工程において、上記第2のハンダの成膜面を
中空に浮かせた状態で上記第1の融点以上の温度の熱処
理を施す。
More preferably, the step of forming the first solder on one surface of the submount integrated wafer before the step of bonding the semiconductor light emitting element chip to the submount integrated wafer. And further comprising a step of depositing the second solder on the back surface of the one surface of the submount integrated wafer, more preferably, the semiconductor light emitting element chip on the submount integrated wafer In the joining step, a heat treatment at a temperature equal to or higher than the first melting point is performed while the film-forming surface of the second solder is floated in the air.
【0023】上記の本発明の光学装置の製造方法は、第
1の融点を有する第1のハンダにより、半導体発光素子
チップをサブマウントに接合し、次に、第1の融点より
も低い第2の融点を有する第2のハンダにより、サブマ
ウントをヒートシンクに接合する。上記本発明の光学装
置の製造方法では、半導体発光素子チップとサブマウン
トとをハンダによりに接合し、サブマウントとヒートシ
ンクとをハンダにより接合しているので、半導体発光素
子チップからの熱放散特性を向上することができる。さ
らに、サブマウントに対する半導体発光素子チップの位
置決めを行って接合した後、第1の融点未満かつ第2の
融点以上の温度で熱処理することにより、この接合ハン
ダを再溶融することなく、ヒートシンクに対するサブマ
ウントの位置決めを行って接合することができる。
In the above-described method of manufacturing an optical device according to the present invention, the semiconductor light emitting element chip is joined to the submount by the first solder having the first melting point, and then the second soldering element having a second melting point lower than the first melting point. The submount is joined to the heat sink by a second solder having a melting point of. In the method for manufacturing an optical device according to the present invention, the semiconductor light emitting element chip and the submount are joined by solder, and the submount and the heat sink are joined by solder. Can be improved. Further, after the semiconductor light emitting element chip is positioned with respect to the submount and bonded, a heat treatment is performed at a temperature lower than the first melting point and higher than the second melting point, so that the bonding solder is not melted again, and The mount can be positioned and joined.
【0024】サブマウントに第1および第2のハンダを
それぞれ供給した後に半導体発光素子チップを位置決め
して接合する場合、第2のハンダの面は中空に浮かせて
おくことなどにより第2のハンダを未使用のまま保つこ
とができる。さらに、サブマウント集積ウェーハを用い
ることにより、複数個のサブマウントに対して、各ハン
ダの成膜および半導体発光素子チップの接合を同時に行
うことができ、製造の効率を向上させることができる。
In the case where the semiconductor light emitting element chips are positioned and joined after the first and second solders are supplied to the submount, respectively, the second solder may be floated in a hollow manner to remove the second solder. Can be kept unused. Furthermore, by using the submount integrated wafer, the formation of each solder and the bonding of the semiconductor light emitting element chips can be simultaneously performed on a plurality of submounts, and the manufacturing efficiency can be improved.
【0025】[0025]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を用いて詳しく説明する。
Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings.
【0026】第1実施形態 図1(a)は、本実施形態に係るCANパッケージ化し
た形態の半導体レーザの一部切欠斜視図であり、図1
(b)は要部拡大斜視図である。例えばAlGaAs
系、AlGaInP系、あるいはAlGaN系の半導体
からなる半導体レーザチップLDが、第1ハンダ接合S
JaによりサブマウントSMに接合されている。またサ
ブマウントSMは、半導体レーザチップLDの接合面の
裏面側から、第2ハンダ接合SJbによりヒートシンク
HSに接合されている。ヒートシンクHSはパッケージ
部材PKと一体に形成されて、半導体レーザチップL
D、サブマウントSMおよびヒートシンクHSなどを収
容している。パッケージ部材には窓WDが設けられてお
り、半導体レーザチップLDに所定の電圧が印加される
と所定の波長のレーザ光が窓WDを透過して外部に出射
される。サブマウントSMは、フォトダイオードPDが
形成された半導体ブロックであり、半導体レーザチップ
LDの裏面側に出射されたレーザ光を受光してパワーを
モニターすることが可能となっている。
First Embodiment FIG. 1A is a partially cutaway perspective view of a semiconductor laser in a CAN package according to the present embodiment.
(B) is a principal part enlarged perspective view. For example, AlGaAs
Semiconductor laser chip LD made of an Al-based, AlGaInP-based, or AlGaN-based semiconductor has a first solder junction S
It is joined to the submount SM by Ja. The submount SM is joined to the heat sink HS by a second solder joint SJb from the back surface side of the joining surface of the semiconductor laser chip LD. The heat sink HS is formed integrally with the package member PK, and the semiconductor laser chip L
D, a submount SM, a heat sink HS, and the like. The package member is provided with a window WD. When a predetermined voltage is applied to the semiconductor laser chip LD, a laser beam having a predetermined wavelength passes through the window WD and is emitted to the outside. The submount SM is a semiconductor block on which the photodiode PD is formed, and is capable of receiving a laser beam emitted to the back side of the semiconductor laser chip LD and monitoring the power.
【0027】上記の構造において、第1ハンダ接合SJ
aを構成する第1ハンダと第2ハンダ接合SJbを構成
する第2ハンダは融点が異なっており、第1ハンダの融
点(第1融点)よりも第2ハンダの融点(第2融点)の
方が低い。
In the above structure, the first solder joint SJ
The melting point of the first solder and the melting point of the second solder forming the second solder joint SJb are different from each other, and the melting point of the second solder (second melting point) is higher than the melting point of the first solder (first melting point). Is low.
【0028】上記の第1ハンダおよび第2ハンダの例と
しては、例えば、高融点側の第1ハンダとして、Pb−
5Sn、Pb−10Snなどの通常ハンダ、あるいは、
Sn−Ag、Sn−Sb、Sn−Pb−Agなどの高温
ハンダを用い、低融点側の第2ハンダとして、Sn−P
b−In、Sn−Bi、Sn−Pb−Biなどの低融点
ハンダを用いることができる。
Examples of the first solder and the second solder include, for example, Pb-
Normal solder such as 5Sn, Pb-10Sn, or
A high-temperature solder such as Sn-Ag, Sn-Sb or Sn-Pb-Ag is used, and Sn-P is used as the second solder on the low melting point side.
Low melting point solder such as b-In, Sn-Bi, Sn-Pb-Bi can be used.
【0029】本実施形態のCANパッケージ形態の半導
体レーザは、半導体レーザチップLDがハンダによりサ
ブマウントSMに接合されており、かつ、サブマウント
SMがハンダによりヒートシンクHSに接合されている
ので、半導体レーザチップLDからの熱放散特性を向上
することができる。
In the semiconductor laser of the present embodiment in the form of a CAN package, the semiconductor laser chip LD is joined to the submount SM by solder, and the submount SM is joined to the heat sink HS by solder. The heat dissipation characteristics from the chip LD can be improved.
【0030】上記のCANパッケージ形態の半導体レー
ザの製造方法について、図2および図3の斜視図を用い
て説明する。まず、図2(a)に示すように、予めフォ
トダイオードPDや電極などが形成された半導体ブロッ
クなどからなるサブマウントSMの半導体レーザチップ
接合箇所に、真空蒸着などの方法により第1ハンダSL
aを成膜する。次に、成膜された第1ハンダSLa上
に、半導体レーザチップLDを位置決めしてマウントす
る。
A method for manufacturing the above-described semiconductor laser in the form of a CAN package will be described with reference to the perspective views of FIGS. First, as shown in FIG. 2A, a first solder SL is formed on a semiconductor laser chip bonding portion of a submount SM including a semiconductor block on which a photodiode PD, an electrode, and the like are formed in advance by a method such as vacuum deposition.
a is formed. Next, the semiconductor laser chip LD is positioned and mounted on the formed first solder SLa.
【0031】次に、図2(b)に示すように、テーブル
TB上にて、第1ハンダSLaの融点以上の熱処理を施
すことにより第1ハンダSLaを溶融し、冷却すること
で固化させ、形成される第1ハンダ接合SJaにより、
半導体レーザチップLDとサブマウントSMとを接合す
る。サブマウントSMの半導体レーザチップLDの接合
された面の裏面側にはハンダなどは形成されていないの
で、テーブルTB上に戴置して熱処理しても何ら問題は
生じない。
Next, as shown in FIG. 2B, the first solder SLa is melted by performing a heat treatment at a temperature equal to or higher than the melting point of the first solder SLa on the table TB, and solidified by cooling. By the first solder joint SJa to be formed,
The semiconductor laser chip LD and the submount SM are joined. Since no solder or the like is formed on the back side of the surface of the submount SM to which the semiconductor laser chip LD is joined, no problem occurs even if the submount SM is placed on the table TB and heat-treated.
【0032】まず、図3(a)に示すように、サブマウ
ントSMの半導体レーザチップLDの接合された面の裏
面側に、真空蒸着などの方法により第2ハンダSLbを
成膜する。上記の第2ハンダSLbとしては、その融点
(第2融点)が第1ハンダSLaの融点(第1融点)よ
りも低いものを用いる。
First, as shown in FIG. 3A, a second solder SLb is formed on the back surface of the surface of the submount SM to which the semiconductor laser chip LD is joined by a method such as vacuum evaporation. As the above-mentioned second solder SLb, one having a melting point (second melting point) lower than that of the first solder SLa (first melting point) is used.
【0033】次に、成膜された第2ハンダSLb側から
サブマウントSMを位置決めしてヒートシンクHS上に
マウントし、第1の融点未満かつ第2の融点以上の温度
で熱処理を施すことにより、第1ハンダ接合SJaのハ
ンダを再溶融することなく、第2ハンダSLbのみを溶
融させることができ、これを固化させることで、ヒート
シンクに対するサブマウントの位置決めを行って接合す
ることができる。以降は、パッケージ部材などを組み立
てることで、図1に示すCANパッケージ形態の半導体
レーザを製造することができる。
Next, the submount SM is positioned from the side of the formed second solder SLb, mounted on the heat sink HS, and subjected to a heat treatment at a temperature lower than the first melting point and higher than the second melting point. Only the second solder SLb can be melted without re-melting the solder of the first solder joint SJa. By solidifying the second solder SLb, the submount can be positioned with respect to the heat sink and joined. Thereafter, by assembling the package members and the like, the semiconductor laser in the CAN package form shown in FIG. 1 can be manufactured.
【0034】本実施形態に係るCANパッケージ形態の
半導体レーザの製造方法では、半導体レーザチップLD
とサブマウントSMとをハンダによりに接合し、サブマ
ウントSMとヒートシンクHSとをハンダにより接合し
ているので、半導体レーザチップLDからの熱放散特性
を向上することができる。さらに、サブマウントSMに
対する半導体レーザチップLDの位置決めを行って接合
した後、第1の融点未満かつ第2の融点以上の温度で熱
処理することにより、このハンダ接合SJaを再溶融す
ることなく、ヒートシンクHSに対するサブマウントS
Mの位置決めを行って接合することができる。
In the method of manufacturing a semiconductor laser in the form of a CAN package according to this embodiment, the semiconductor laser chip LD
The submount SM and the submount SM are joined by solder, and the submount SM and the heat sink HS are joined by solder, so that the heat dissipation characteristics from the semiconductor laser chip LD can be improved. Further, after positioning and bonding of the semiconductor laser chip LD with respect to the submount SM, heat treatment is performed at a temperature lower than the first melting point and higher than the second melting point, so that the solder bonding SJa is not melted again, Submount S for HS
M can be positioned and joined.
【0035】第2実施形態 本実施形態は、第1実施形態と同様、CANパッケージ
化した形態の半導体レーザに係り、その構造は実質的に
第1実施形態と同様である。
Second Embodiment As in the first embodiment, this embodiment relates to a semiconductor laser in a CAN package, and its structure is substantially the same as that of the first embodiment.
【0036】上記のCANパッケージ形態の半導体レー
ザの製造方法について図4の斜視図を用いて説明する。
まず、図4(a)に示すように、予めフォトダイオード
PDや電極などが形成された半導体ブロックなどからな
るサブマウントSMの半導体レーザチップ接合箇所に、
真空蒸着などの方法により第1ハンダSLaを成膜す
る。さらに、サブマウントSMの半導体レーザチップ接
合面の裏面側に、真空蒸着などの方法により第2ハンダ
SLbを成膜する。上記の第2ハンダSLbとしては、
その融点(第2融点)が第1ハンダSLaの融点(第1
融点)よりも低いものを用いる。次に、成膜された第1
ハンダSLa上に、半導体レーザチップLDを位置決め
してマウントする。
A method for manufacturing the above-described semiconductor laser in the form of a CAN package will be described with reference to the perspective view of FIG.
First, as shown in FIG. 4A, a semiconductor laser chip bonding portion of a submount SM composed of a semiconductor block or the like in which a photodiode PD, an electrode, and the like are formed in advance,
The first solder SLa is formed by a method such as vacuum evaporation. Further, a second solder SLb is formed on the back surface of the semiconductor laser chip bonding surface of the submount SM by a method such as vacuum evaporation. As the second solder SLb,
The melting point (second melting point) is the melting point (first melting point) of the first solder SLa.
Melting point). Next, the first film
The semiconductor laser chip LD is positioned and mounted on the solder SLa.
【0037】次に、図4(b)に示すように、第2ハン
ダSLbの成膜面がテーブルなどに接触しないように、
サブマウントSMを保持具HDにより中空に保持しなが
ら、第1ハンダSLaの融点以上の熱処理を施すことに
より第1ハンダSLaを溶融し、冷却することで固化さ
せ、形成される第1ハンダ接合SJaにより、半導体レ
ーザチップLDとサブマウントSMとを接合する。
Next, as shown in FIG. 4B, the second solder SLb is formed so that the film forming surface thereof does not contact a table or the like.
While the submount SM is held hollow by the holder HD, the first solder SLa is melted by performing a heat treatment at a temperature equal to or higher than the melting point of the first solder SLa, and solidified by cooling to form a first solder joint SJa to be formed. Thereby, the semiconductor laser chip LD and the submount SM are joined.
【0038】上記の熱処理により、第2ハンダSLbも
溶融するが、第2ハンダSLbの成膜面がテーブルなど
に接触していないので、第2ハンダSLbを未使用のま
ま保つことができる。溶融状態での第2ハンダSLbの
酸化などを防止するために、窒素などの不活性ガスを吹
きつけることも好ましく行うことができる。
The above-mentioned heat treatment also melts the second solder SLb, but since the film formation surface of the second solder SLb is not in contact with a table or the like, the second solder SLb can be kept unused. In order to prevent oxidation of the second solder SLb in the molten state, it is also preferable to blow an inert gas such as nitrogen.
【0039】以降は、図3(b)に示す第1実施形態と
同様に、第2ハンダSLb側からサブマウントSMを位
置決めしてヒートシンクHS上にマウントし、第1の融
点未満かつ第2の融点以上の温度で熱処理を施して、第
1ハンダ接合SJaのハンダを再溶融することなく、第
2ハンダ接合SJbを形成し、さらにパッケージ部材な
どを組み立てることで、本実施形態に係るCANパッケ
ージ形態の半導体レーザを製造することができる。
Thereafter, as in the first embodiment shown in FIG. 3B, the submount SM is positioned from the second solder SLb side and mounted on the heat sink HS, and has a temperature lower than the first melting point and the second melting point. By applying a heat treatment at a temperature equal to or higher than the melting point to form the second solder joint SJb without re-melting the solder of the first solder joint SJa, and further assembling a package member and the like, the CAN package form according to the present embodiment is obtained. Semiconductor laser can be manufactured.
【0040】本実施形態に係るCANパッケージ形態の
半導体レーザの製造方法では、半導体レーザチップLD
とサブマウントSMとをハンダによりに接合し、サブマ
ウントSMとヒートシンクHSとをハンダにより接合し
ているので、半導体レーザチップLDからの熱放散特性
を向上することができる。さらに、サブマウントSMに
対する半導体レーザチップLDの位置決めを行って接合
した後、第1の融点未満かつ第2の融点以上の温度で熱
処理することにより、このハンダ接合SJaを再溶融す
ることなく、ヒートシンクHSに対するサブマウントS
Mの位置決めを行って接合することができる。
In the method of manufacturing a semiconductor laser in the form of a CAN package according to this embodiment, the semiconductor laser chip LD
The submount SM and the submount SM are joined by solder, and the submount SM and the heat sink HS are joined by solder, so that the heat dissipation characteristics from the semiconductor laser chip LD can be improved. Further, after positioning and bonding of the semiconductor laser chip LD with respect to the submount SM, heat treatment is performed at a temperature lower than the first melting point and higher than the second melting point, so that the solder bonding SJa is not melted again, Submount S for HS
M can be positioned and joined.
【0041】第3実施形態 本実施形態は、第1実施形態と同様、CANパッケージ
化した形態の半導体レーザに係り、その構造は実質的に
第1実施形態と同様である。
Third Embodiment As in the first embodiment, the present embodiment relates to a semiconductor laser packaged in a CAN package, and its structure is substantially the same as that of the first embodiment.
【0042】上記のCANパッケージ形態の半導体レー
ザの製造方法について図5および図6の斜視図を用いて
説明する。まず、図5(a)に示すように、シリコン半
導体ウェーハ上に、複数個のサブマウント領域毎にフォ
トダイオードや電極などを形成して、サブマウント集積
ウェーハSSを形成する。次に、サブマウント集積ウェ
ーハSSの各サブマウント領域における半導体レーザチ
ップ接合箇所に、真空蒸着などの方法により第1ハンダ
SLaを成膜する。次に、各サブマウント領域におい
て、成膜された第1ハンダSLa上に、半導体レーザチ
ップLDを位置決めしてマウントする。
A method of manufacturing the above-described semiconductor laser in the form of a CAN package will be described with reference to the perspective views of FIGS. First, as shown in FIG. 5A, a submount integrated wafer SS is formed on a silicon semiconductor wafer by forming photodiodes and electrodes for each of a plurality of submount regions. Next, the first solder SLa is formed by a method such as vacuum evaporation on the semiconductor laser chip bonding portion in each submount region of the submount integrated wafer SS. Next, in each submount area, the semiconductor laser chip LD is positioned and mounted on the first solder SLa on which the film is formed.
【0043】次に、図5(b)に示すように、テーブル
TB上にて、第1ハンダSLaの融点以上の熱処理を施
すことにより第1ハンダSLaを溶融し、冷却すること
で固化させ、形成される第1ハンダ接合SJaにより、
半導体レーザチップLDとサブマウントSMとを接合す
る。サブマウント集積ウェーハSSの半導体レーザチッ
プLDの接合された面の裏面側にはハンダなどは形成さ
れていないので、テーブルTB上に戴置して熱処理して
も何ら問題は生じない。
Next, as shown in FIG. 5 (b), the first solder SLa is melted by performing a heat treatment above the melting point of the first solder SLa on the table TB, and solidified by cooling. By the first solder joint SJa to be formed,
The semiconductor laser chip LD and the submount SM are joined. Since no solder or the like is formed on the back side of the surface of the submount integrated wafer SS to which the semiconductor laser chip LD is bonded, no problem occurs even if the substrate is placed on the table TB and heat-treated.
【0044】まず、図6(a)に示すように、サブマウ
ント集積ウェーハSSの半導体レーザチップLDの接合
された面の裏面側に、真空蒸着などの方法により第2ハ
ンダSLbを成膜する。上記の第2ハンダSLbとして
は、その融点(第2融点)が第1ハンダSLaの融点
(第1融点)よりも低いものを用いる。
First, as shown in FIG. 6A, a second solder SLb is formed on the back surface of the surface of the submount integrated wafer SS to which the semiconductor laser chips LD are joined by a method such as vacuum evaporation. As the above-mentioned second solder SLb, one having a melting point (second melting point) lower than that of the first solder SLa (first melting point) is used.
【0045】次に、図6(b)に示すように、サブマウ
ント集積ウェーハSSを各サブマウントSM領域毎にダ
イシング(個片処理)する。以上で、第1実施形態と同
様の図3(a)に示す形態と同じ形態となり、この工程
以降は第1実施形態と同様に、第2ハンダSLb側から
サブマウントSMを位置決めしてヒートシンクHS上に
マウントし、第1の融点未満かつ第2の融点以上の温度
で熱処理を施して、第1ハンダ接合SJaのハンダを再
溶融することなく、第2ハンダ接合SJbを形成し、さ
らにパッケージ部材などを組み立てることで、本実施形
態に係るCANパッケージ形態の半導体レーザを製造す
ることができる。
Next, as shown in FIG. 6B, the submount integrated wafer SS is diced (individual processing) for each submount SM area. As described above, the same configuration as that of the first embodiment shown in FIG. 3A is obtained. After this step, as in the first embodiment, the submount SM is positioned from the second solder SLb side and the heat sink HS The second solder joint SJb is formed without re-melting the solder of the first solder joint SJa by performing a heat treatment at a temperature lower than the first melting point and equal to or higher than the second melting point. By assembling such components, the semiconductor laser in the form of a CAN package according to the present embodiment can be manufactured.
【0046】本実施形態に係るCANパッケージ形態の
半導体レーザの製造方法では、半導体レーザチップLD
からの熱放散特性を向上し、サブマウントSMに対する
半導体レーザチップLDの位置決めを行って接合した
後、第1の融点未満かつ第2の融点以上の温度で熱処理
することにより、このハンダ接合SJaを再溶融するこ
となく、ヒートシンクHSに対するサブマウントSMの
位置決めを行って接合することができることに加えて、
さらに、サブマウント集積ウェーハSSを用いることに
より、複数個のサブマウントSMに対して、各ハンダの
成膜および半導体レーザチップLDの接合を同時に行う
ことができ、製造の効率を向上させることができる。
In the method for manufacturing a semiconductor laser in the form of a CAN package according to this embodiment, the semiconductor laser chip LD
After improving the heat dissipation characteristic from the semiconductor laser chip LD and positioning the semiconductor laser chip LD with the submount SM and joining them, the solder joint SJa is subjected to a heat treatment at a temperature lower than the first melting point and higher than the second melting point. In addition to being able to position and join the submount SM to the heat sink HS without re-melting,
Further, by using the submount integrated wafer SS, it is possible to simultaneously form the solder and bond the semiconductor laser chip LD to the plurality of submounts SM, thereby improving the manufacturing efficiency. .
【0047】第4実施形態 本実施形態は、第3実施形態と同様にサブマウント集積
ウェーハSSを用いるCANパッケージ化した形態の半
導体レーザの製造方法である。
Fourth Embodiment The present embodiment is a method for manufacturing a semiconductor laser in a form of a CAN package using a submount integrated wafer SS as in the third embodiment.
【0048】まず、図7(a)に示すように、シリコン
半導体ウェーハ上に、複数個のサブマウント領域毎にフ
ォトダイオードや電極などを形成して、サブマウント集
積ウェーハSSを形成する。次に、サブマウント集積ウ
ェーハSSの各サブマウント領域における半導体レーザ
チップ接合箇所に、真空蒸着などの方法により第1ハン
ダSLaを成膜する。さらに、サブマウント集積ウェー
ハSSの半導体レーザチップLD接合面の裏面側に、真
空蒸着などの方法により第2ハンダSLbを成膜する。
上記の第2ハンダSLbとしては、その融点(第2融
点)が第1ハンダSLaの融点(第1融点)よりも低い
ものを用いる。次に、各サブマウント領域において、成
膜された第1ハンダSLa上に、半導体レーザチップL
Dを位置決めしてマウントする。
First, as shown in FIG. 7A, a submount integrated wafer SS is formed on a silicon semiconductor wafer by forming photodiodes and electrodes for each of a plurality of submount regions. Next, the first solder SLa is formed by a method such as vacuum evaporation on the semiconductor laser chip bonding portion in each submount region of the submount integrated wafer SS. Further, the second solder SLb is formed on the back surface side of the semiconductor laser chip LD bonding surface of the submount integrated wafer SS by a method such as vacuum evaporation.
As the above-mentioned second solder SLb, one having a melting point (second melting point) lower than that of the first solder SLa (first melting point) is used. Next, in each submount area, the semiconductor laser chip L is formed on the first solder SLa on which the film is formed.
Position and mount D.
【0049】次に、図7(b)に示すように、第2ハン
ダSLbの成膜面がテーブルなどに接触しないように、
サブマウント集積ウェーハSSを支持体SPにより中空
に保持しながら、第1ハンダSLaの融点以上の熱処理
を施すことにより第1ハンダSLaを溶融し、冷却する
ことで固化させ、形成される第1ハンダ接合SJaによ
り、半導体レーザチップLDとサブマウント集積ウェー
ハSSの各サブマウントとを接合する。
Next, as shown in FIG. 7 (b), the film formation surface of the second solder SLb is set so as not to contact a table or the like.
The first solder SLa is melted by performing a heat treatment at a temperature equal to or higher than the melting point of the first solder SLa while the submount integrated wafer SS is held hollow by the support SP, and solidified by cooling, thereby forming the first solder. The semiconductor laser chip LD and each submount of the submount integrated wafer SS are joined by the joining SJa.
【0050】上記の熱処理により、第2ハンダSLbも
溶融するが、第2ハンダSLbの成膜面がテーブルなど
に接触していないので、第2ハンダSLbを未使用のま
ま保つことができる。溶融状態での第2ハンダSLbの
酸化などを防止するために、窒素などの不活性ガスを吹
きつけることも好ましく行うことができる。
Although the second solder SLb is also melted by the above heat treatment, the second solder SLb can be kept unused since the film formation surface of the second solder SLb is not in contact with a table or the like. In order to prevent oxidation of the second solder SLb in the molten state, it is also preferable to blow an inert gas such as nitrogen.
【0051】以降は、第3実施形態と同様に、サブマウ
ント集積ウェーハSSを各サブマウントSM領域毎にダ
イシング(個片処理)した後、第2ハンダSLb側から
サブマウントSMを位置決めしてヒートシンクHS上に
マウントし、第1の融点未満かつ第2の融点以上の温度
で熱処理を施して、第1ハンダ接合SJaのハンダを再
溶融することなく、第2ハンダ接合SJbを形成し、さ
らにパッケージ部材などを組み立てることで、本実施形
態に係るCANパッケージ形態の半導体レーザを製造す
ることができる。
Thereafter, as in the third embodiment, the sub-mount integrated wafer SS is diced (individually processed) for each sub-mount SM area, and then the sub-mount SM is positioned from the second solder SLb and the heat sink is positioned. The second solder joint SJb is formed without re-melting the solder of the first solder joint SJa by performing a heat treatment at a temperature lower than the first melting point and higher than the second melting point. By assembling the members and the like, the semiconductor laser in the form of a CAN package according to the present embodiment can be manufactured.
【0052】本実施形態に係るCANパッケージ形態の
半導体レーザの製造方法では、半導体レーザチップLD
からの熱放散特性を向上し、サブマウントSMに対する
半導体レーザチップLDの位置決めを行って接合した
後、第1の融点未満かつ第2の融点以上の温度で熱処理
することにより、このハンダ接合SJaを再溶融するこ
となく、ヒートシンクHSに対するサブマウントSMの
位置決めを行って接合することができることに加えて、
さらに、サブマウント集積ウェーハSSを用いることに
より、複数個のサブマウントSMに対して、各ハンダの
成膜および半導体レーザチップLDの接合を同時に行う
ことができ、製造の効率を向上させることができる。
In the method of manufacturing a semiconductor laser in the form of a CAN package according to the present embodiment, the semiconductor laser chip LD
After improving the heat dissipation characteristic from the semiconductor laser chip LD and positioning the semiconductor laser chip LD with the submount SM and joining them, the solder joint SJa is subjected to a heat treatment at a temperature lower than the first melting point and higher than the second melting point. In addition to being able to position and join the submount SM to the heat sink HS without re-melting,
Further, by using the submount integrated wafer SS, it is possible to simultaneously form the solder and bond the semiconductor laser chip LD to the plurality of submounts SM, thereby improving the manufacturing efficiency. .
【0053】第5実施形態 図8(a)は本実施形態に係るレーザカプラの模式構成
図であり、図8(b)は要部拡大斜視図である。例え
ば、シリコンの単結晶を切り出した基板である集積回路
基板PDICをヒートシンクHSとして、この上面にモ
ニター用の光検出素子としてのPINダイオードPD3
が形成されたサブマウントSMが配置され、さらに、こ
のサブマウントSM上に、半導体レーザチップLDが配
置されている。ここで、半導体レーザチップLDとサブ
マウントSMは、第1ハンダ接合SJaにより接合さ
れ、一方、サブマウントSMと集積回路基板PDICは
第2ハンダ接合SJbにより接合されている。第1ハン
ダ接合SJaを構成する第1ハンダと第2ハンダ接合S
Jbを構成する第2ハンダは融点が異なっており、第1
ハンダの融点(第1融点)よりも第2ハンダの融点(第
2融点)の方が低い。
Fifth Embodiment FIG. 8A is a schematic configuration diagram of a laser coupler according to this embodiment, and FIG. 8B is an enlarged perspective view of a main part. For example, an integrated circuit substrate PDIC, which is a substrate obtained by cutting a single crystal of silicon, is used as a heat sink HS, and a PIN diode PD3 as a photodetector for monitoring is provided on the upper surface thereof.
Are formed, and a semiconductor laser chip LD is disposed on the submount SM. Here, the semiconductor laser chip LD and the submount SM are joined by a first solder joint SJa, while the submount SM and the integrated circuit board PDIC are joined by a second solder joint SJb. The first solder and the second solder joint S that constitute the first solder joint SJa
The second solder constituting Jb has a different melting point, and
The melting point of the second solder (second melting point) is lower than the melting point of solder (first melting point).
【0054】集積回路基板PDICには、例えば第1フ
ォトダイオードPD1,および第2フォトダイオードP
D2が形成され、この第1および第2フォトダイオード
(PD1,PD2)上に、半導体レーザチップLDと所
定間隔をおいて、プリズムPRが搭載されている。上記
の構成が、第1パッケージ部材PK1の凹部に装填さ
れ、ガラスなどの透明な第2パッケージ部材PK2によ
り封止されている。
The integrated circuit substrate PDIC includes, for example, a first photodiode PD1 and a second photodiode P
D2 is formed, and a prism PR is mounted on the first and second photodiodes (PD1, PD2) at a predetermined distance from the semiconductor laser chip LD. The above configuration is loaded in the concave portion of the first package member PK1, and is sealed by a transparent second package member PK2 such as glass.
【0055】半導体レーザチップLDから出射されたレ
ーザ光LTは、プリズムPRの分光面Sで反射して進行
方向を屈曲し、第2パッケージ部材PK2から出射方向
に出射され、例えば対物レンズなどを介して光ディスク
(CD)などの被照射対象物に照射される。上記の被照
射対象物からの反射光は、被照射対象物への入射方向と
反対方向に進み、レーザカプラからの出射方向からプリ
ズムPRの分光面Sに入射する。このプリズムPRの上
面で焦点を結びながら、プリズムPRの下面となる集積
回路基板PDIC上に形成された第1フォトダイオード
PD1および第2フォトダイオードPD2に入射する。
第1フォトダイオードPD1および第2フォトダイオー
ドPD2から、入射した光の量に応じた電気信号に変換
され、トラッキングエラー信号、フォーカスエラー信号
および光記録信号などが検出される。
The laser beam LT emitted from the semiconductor laser chip LD is reflected on the spectral surface S of the prism PR, bends in the traveling direction, emitted from the second package member PK2 in the emission direction, and passes through, for example, an objective lens. Irradiation is performed on an object to be irradiated such as an optical disk (CD). The reflected light from the irradiation target advances in the direction opposite to the incident direction on the irradiation target, and enters the spectral surface S of the prism PR from the emission direction from the laser coupler. While focusing on the upper surface of the prism PR, the light enters the first photodiode PD1 and the second photodiode PD2 formed on the integrated circuit substrate PDIC which is the lower surface of the prism PR.
From the first photodiode PD1 and the second photodiode PD2, they are converted into electric signals corresponding to the amount of incident light, and a tracking error signal, a focus error signal, an optical recording signal, and the like are detected.
【0056】また、サブマウントSM上に形成されたP
INダイオードPD3は、半導体レーザチップLDのリ
ア側に出射されたレーザ光LT’を感知し、レーザ光の
強度を測定して、レーザ光の強度が一定となるように駆
動電流を制御するAPC(Automatic Power Control )
制御が行われる。
The P formed on the submount SM
The IN diode PD3 senses the laser light LT ′ emitted to the rear side of the semiconductor laser chip LD, measures the intensity of the laser light, and controls the driving current so that the intensity of the laser light becomes constant. Automatic Power Control)
Control is performed.
【0057】本実施形態に係るレーザカプラは、CD、
DVDあるいはその他の光ディスクシステムの光学ピッ
クアップ装置を構成するのに好適な複合光学装置であ
る。上記レーザカプラにおいて、半導体レーザチップL
DがハンダによりサブマウントSMに接合されており、
かつ、サブマウントSMがハンダによりヒートシンクH
Sとなる集積回路基板PDICに接合されているので、
半導体レーザチップLDからの熱放散特性を向上するこ
とができる。
The laser coupler according to this embodiment includes a CD,
This is a composite optical device suitable for constituting an optical pickup device of a DVD or other optical disk system. In the above laser coupler, the semiconductor laser chip L
D is joined to the submount SM by soldering,
Also, the submount SM is connected to the heat sink H by soldering.
Since it is bonded to the integrated circuit substrate PDIC that becomes S,
The heat dissipation characteristics from the semiconductor laser chip LD can be improved.
【0058】本実施形態に係るレーザカプラは、半導体
レーザチップLD、サブマウントSMおよび集積回路基
板PDICの部分に関しては、第1実施形態と同様の方
法で製造することができる。即ち、サブマウントSMに
対する半導体レーザチップLDの位置決めを行って接合
した後、第1の融点未満かつ第2の融点以上の温度で熱
処理することにより、このハンダ接合SJaを再溶融す
ることなく、集積回路基板PDICに対するサブマウン
トSMの位置決めを行って接合することができる。
The laser coupler according to this embodiment can be manufactured by the same method as that of the first embodiment with respect to the semiconductor laser chip LD, the submount SM, and the integrated circuit board PDIC. That is, after the semiconductor laser chip LD is positioned with respect to the submount SM and joined, a heat treatment is performed at a temperature lower than the first melting point and higher than the second melting point, so that the solder joint SJa can be integrated without re-melting. The submount SM can be positioned and joined to the circuit board PDIC.
【0059】第6実施形態 図9は本実施形態に係るレーザカプラの模式構成図であ
る。例えば、パッケージ部材PKの一部を構成するヒー
トシンクHS上に、サブマウントSMが配置され、さら
に、このサブマウントSM上に半導体レーザチップLD
が配置されている。また、ヒートシンクHS上に、集積
回路基板PDICが配置されている。ここで、半導体レ
ーザチップLDとサブマウントSMは、第1ハンダ接合
SJaにより接合され、一方、サブマウントSMと集積
回路基板PDICは第2ハンダ接合SJbにより接合さ
れている。第1ハンダ接合SJaを構成する第1ハンダ
と第2ハンダ接合SJbを構成する第2ハンダは融点が
異なっており、第1ハンダの融点(第1融点)よりも第
2ハンダの融点(第2融点)の方が低い。
Sixth Embodiment FIG. 9 is a schematic structural view of a laser coupler according to the present embodiment. For example, a submount SM is disposed on a heat sink HS that constitutes a part of the package member PK, and further, a semiconductor laser chip LD is disposed on the submount SM.
Is arranged. Further, the integrated circuit board PDIC is arranged on the heat sink HS. Here, the semiconductor laser chip LD and the submount SM are joined by a first solder joint SJa, while the submount SM and the integrated circuit board PDIC are joined by a second solder joint SJb. The first solder constituting the first solder joint SJa and the second solder constituting the second solder joint SJb have different melting points, and the melting point of the second solder (second melting point) is higher than the melting point of the first solder (first melting point). Melting point).
【0060】パッケージ部材PKの開口部は、レンズ
(LS1,LS2,LS3)を備えたマルチレンズと、
偏光分離面などの分光面(Sa,Sb,Sc,Sd)を
有するマルチプリズムMPが配置されて、これによりパ
ッケージ内部が封止されている。
The opening of the package member PK includes a multi-lens having lenses (LS1, LS2, LS3),
A multi-prism MP having a light-splitting surface (Sa, Sb, Sc, Sd) such as a polarization splitting surface is arranged, thereby sealing the inside of the package.
【0061】半導体レーザチップLDから出射されたレ
ーザ光LTは、マルチプリズムMPの分光面Saを透過
して出射方向に出射され、例えば対物レンズなどを介し
て光ディスク(MD)などの被照射対象物に照射され
る。上記の被照射対象物からの反射光は、被照射対象物
への入射方向と反対方向に進み、レーザカプラからの出
射方向から入射して、マルチプリズムMPの分光面Sa
で反射し、さらに分光面(Sa,Sb,Sc)において
それぞれ入射光の一部が透過し、残部が反射して集積回
路基板PDICのフォトダイオードに入射する構成であ
る。
The laser light LT emitted from the semiconductor laser chip LD is transmitted through the spectral surface Sa of the multi-prism MP and emitted in the emission direction, and is irradiated with an object to be irradiated such as an optical disk (MD) via an objective lens or the like. Is irradiated. The reflected light from the irradiation target travels in the direction opposite to the incident direction on the irradiation target, enters from the emission direction from the laser coupler, and enters the spectral surface Sa of the multi-prism MP.
, And a part of the incident light is transmitted through each of the spectral surfaces (Sa, Sb, Sc), and the rest is reflected and enters the photodiode of the integrated circuit substrate PDIC.
【0062】本実施形態に係るレーザカプラは、MDあ
るいはその他の光ディスクシステムの光学ピックアップ
装置を構成するのに好適な複合光学装置である。上記レ
ーザカプラにおいて、半導体レーザチップLDがハンダ
によりサブマウントSMに接合されており、かつ、サブ
マウントSMがハンダによりヒートシンクHSに接合さ
れているので、半導体レーザチップLDからの熱放散特
性を向上することができる。
The laser coupler according to this embodiment is a composite optical device suitable for constituting an optical pickup device of an MD or other optical disk system. In the above laser coupler, the semiconductor laser chip LD is joined to the submount SM by solder, and the submount SM is joined to the heat sink HS by solder, so that the heat dissipation characteristic from the semiconductor laser chip LD is improved. be able to.
【0063】本実施形態に係るレーザカプラは、半導体
レーザチップLD、サブマウントSMおよびヒートシン
クHSの部分に関しては、第1実施形態と同様の方法で
製造することができる。即ち、サブマウントSMに対す
る半導体レーザチップLDの位置決めを行って接合した
後、第1の融点未満かつ第2の融点以上の温度で熱処理
することにより、このハンダ接合SJaを再溶融するこ
となく、ヒートシンクHSに対するサブマウントSMの
位置決めを行って接合することができる。
The laser coupler according to this embodiment can be manufactured by the same method as in the first embodiment with respect to the semiconductor laser chip LD, the submount SM, and the heat sink HS. That is, after the semiconductor laser chip LD is positioned with respect to the submount SM and joined, a heat treatment is performed at a temperature lower than the first melting point and equal to or higher than the second melting point, so that the solder joint SJa does not re-melt, The submount SM can be positioned and joined to the HS.
【0064】第7実施形態 図10は本実施形態に係るレーザカプラの模式構成図で
ある。例えば、集積回路基板PDICをヒートシンクH
Sとして、この上面にサブマウントSMが配置され、さ
らに、このサブマウントSM上に半導体レーザチップL
Dが配置されている。ここで、半導体レーザチップLD
とサブマウントSMは、第1ハンダ接合SJaにより接
合され、一方、サブマウントSMと集積回路基板PDI
Cは第2ハンダ接合SJbにより接合されている。第1
ハンダ接合SJaを構成する第1ハンダと第2ハンダ接
合SJbを構成する第2ハンダは融点が異なっており、
第1ハンダの融点(第1融点)よりも第2ハンダの融点
(第2融点)の方が低い。
Seventh Embodiment FIG. 10 is a schematic structural view of a laser coupler according to the present embodiment. For example, an integrated circuit board PDIC is mounted on a heat sink H
As S, a submount SM is disposed on the upper surface, and a semiconductor laser chip L is further mounted on the submount SM.
D is arranged. Here, the semiconductor laser chip LD
And the submount SM are joined by a first solder joint SJa, while the submount SM and the integrated circuit board PDI are joined together.
C is joined by a second solder joint SJb. First
The first solder constituting the solder joint SJa and the second solder constituting the second solder joint SJb have different melting points,
The melting point of the second solder (second melting point) is lower than the melting point of the first solder (first melting point).
【0065】集積回路基板PDIC上に、半導体レーザ
チップLDと所定間隔をおいて、プリズムPRが搭載さ
れ、パッケージ部材PKの開口部は、回折格子(GR
1,GR2)および異方性光学プリズムIPを有する光
学部材によりパッケージ内部が封止されている。
A prism PR is mounted on the integrated circuit substrate PDIC at a predetermined distance from the semiconductor laser chip LD, and an opening of the package PK is formed by a diffraction grating (GR).
The inside of the package is sealed by an optical member having (1, GR2) and an anisotropic optical prism IP.
【0066】半導体レーザチップLDから出射されたレ
ーザ光LTは、回折格子(GR1,GR2)を経て出射
方向に出射され、例えば対物レンズなどを介して光ディ
スクなどの被照射対象物に照射され、上記の被照射対象
物からの反射光は、被照射対象物への入射方向と反対方
向に進み、レーザカプラからの出射方向から入射して、
回折格子GR2で進行方向を屈曲させ、異方性光学プリ
ズムIPにより分割されながら、集積回路基板PDIC
のフォトダイオードに入射する構成である。
The laser light LT emitted from the semiconductor laser chip LD is emitted in the emission direction via diffraction gratings (GR1 and GR2), and is applied to an object to be irradiated such as an optical disk via an objective lens, for example. The reflected light from the object to be irradiated, proceeds in the direction opposite to the direction of incidence on the object to be irradiated, enters from the direction of emission from the laser coupler,
While the traveling direction is bent by the diffraction grating GR2 and divided by the anisotropic optical prism IP, the integrated circuit substrate PDIC
In this case.
【0067】本実施形態に係るレーザカプラは、光ディ
スクシステムの光学ピックアップ装置を構成するのに好
適な複合光学装置である。上記レーザカプラにおいて、
半導体レーザチップLDがハンダによりサブマウントS
Mに接合されており、かつ、サブマウントSMがハンダ
によりヒートシンクHSに接合されているので、半導体
レーザチップLDからの熱放散特性を向上することがで
きる。
The laser coupler according to the present embodiment is a composite optical device suitable for constituting an optical pickup device of an optical disk system. In the above laser coupler,
Semiconductor laser chip LD is soldered to submount S
M, and the submount SM is joined to the heat sink HS by solder, so that the heat dissipation characteristics from the semiconductor laser chip LD can be improved.
【0068】本実施形態に係るレーザカプラは、半導体
レーザチップLD、サブマウントSMおよびヒートシン
クHSとなる集積回路基板PDICの部分に関しては、
第1実施形態と同様の方法で製造することができる。即
ち、サブマウントSMに対する半導体レーザチップLD
の位置決めを行って接合した後、第1の融点未満かつ第
2の融点以上の温度で熱処理することにより、このハン
ダ接合SJaを再溶融することなく、集積回路基板PD
ICに対するサブマウントSMの位置決めを行って接合
することができる。
In the laser coupler according to the present embodiment, the semiconductor laser chip LD, the submount SM, and the integrated circuit board PDIC serving as the heat sink HS
It can be manufactured by the same method as in the first embodiment. That is, the semiconductor laser chip LD for the submount SM
After performing the positioning and bonding, heat treatment is performed at a temperature lower than the first melting point and higher than the second melting point, so that the solder bonding SJa is not re-melted, and the integrated circuit substrate PD is not melted.
The submount SM can be positioned and bonded to the IC.
【0069】本実施形態のレーザカプラは、図11に示
すように、ヒートシンクHS上にサブマウントSMと半
導体レーザチップLDが接合され、また、ヒートシンク
HS上の他の部分に集積回路基板PDICが固着されて
いる構成とすることも可能である。
In the laser coupler of the present embodiment, as shown in FIG. 11, a submount SM and a semiconductor laser chip LD are joined on a heat sink HS, and an integrated circuit board PDIC is fixed to another portion on the heat sink HS. It is also possible to adopt the configuration described.
【0070】本発明は、上記の実施の形態に限定されな
い。上記の各実施形態では、半導体発光素子としては半
導体レーザに限らず、LEDなどの半導体発光素子を用
いてもよい。第1のハンダおよび第2のハンダは、例示
したハンダに限らず、融点が異なっており、その間の温
度の熱処理で一方が溶融し、他方が溶融しない温度を選
択できれば、どのようなハンダを用いてもよい。その
他、本発明の要旨を変更しない範囲で種々の変更をする
ことができる。
The present invention is not limited to the above embodiment. In each of the above embodiments, the semiconductor light emitting device is not limited to the semiconductor laser, and a semiconductor light emitting device such as an LED may be used. The first solder and the second solder are not limited to the exemplified solders, but have different melting points. Any solder can be selected as long as one can be melted by a heat treatment at a temperature in between and the other can be melted. You may. In addition, various changes can be made without departing from the scope of the present invention.
【0071】[0071]
【発明の効果】本発明の光学装置によれば、半導体レー
ザチップなどの半導体発光素子チップ、サブマウントお
よびヒートシンクが順に接合された構成の光学装置にお
いて、半導体発光素子チップが第1の融点を有する第1
のハンダにより上記サブマウントに接合されており、か
つ、サブマウントが上記第1の融点よりも低い第2の融
点を有する第2のハンダにより上記ヒートシンクに接合
されているので、半導体発光素子チップからの熱放散特
性を向上することができる。
According to the optical device of the present invention, in an optical device in which a semiconductor light emitting device chip such as a semiconductor laser chip, a submount and a heat sink are sequentially joined, the semiconductor light emitting device chip has a first melting point. First
And the submount is joined to the heat sink by a second solder having a second melting point lower than the first melting point. Can improve the heat dissipation characteristics.
【0072】また、本発明光学装置の製造方法によれ
ば、サブマウントに対する半導体発光素子チップの位置
決めを行って接合した後、第1の融点未満かつ第2の融
点以上の温度で熱処理することにより、この接合ハンダ
を再溶融することなく、ヒートシンクに対するサブマウ
ントの位置決めを行って接合することができ、例えばサ
ブマウントに接合された半導体レーザチップを発光させ
ながらサブマウントごと位置合わせして、数μm程度に
まで高精度に位置決め可能である。
Further, according to the method of manufacturing the optical device of the present invention, the semiconductor light emitting element chips are positioned with respect to the submount and joined, and then heat-treated at a temperature lower than the first melting point and higher than the second melting point. It is possible to perform positioning by positioning the submount with respect to the heat sink without remelting the bonding solder. For example, the submount is aligned with the submount while emitting light from the semiconductor laser chip bonded to the submount, and a few μm Positioning can be performed with a high degree of accuracy.
【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]
【図1】図1(a)は本発明の第1実施形態に係る光学
装置の一部切欠斜視図であり、図1(b)は要部拡大斜
視図である。
FIG. 1A is a partially cutaway perspective view of an optical device according to a first embodiment of the present invention, and FIG. 1B is an enlarged perspective view of a main part.
【図2】図2は図1に示す光学装置の製造方法の製造工
程を示す斜視図であり、(a)は半導体レーザチップの
マウント工程まで、(b)は第1ハンダ接合を形成する
熱処理工程までを示す。
FIGS. 2A and 2B are perspective views showing a manufacturing process of the method for manufacturing the optical device shown in FIG. 1, in which FIG. 2A is a process up to a semiconductor laser chip mounting process, and FIG. 2B is a heat treatment for forming a first solder joint; The process is shown.
【図3】図3は図2の続きの工程を示す斜視図であり、
(a)は第2ハンダを成膜する工程まで、(b)は第2
ハンダ接合を形成する熱処理工程までを示す。
FIG. 3 is a perspective view showing a step subsequent to that of FIG. 2;
(A) shows the process until the second solder film is formed, and (b) shows the process
The steps up to a heat treatment step for forming a solder joint are shown.
【図4】図4は第2実施形態に係る光学装置の製造方法
の製造工程を示す斜視図であり、(a)は半導体レーザ
チップのマウント工程まで、(b)は第1ハンダ接合を
形成する熱処理工程までを示す。
FIGS. 4A and 4B are perspective views showing a manufacturing process of a method for manufacturing an optical device according to a second embodiment, in which FIG. 4A shows up to a mounting step of a semiconductor laser chip, and FIG. Up to the heat treatment step.
【図5】図5は第3実施形態に係る光学装置の製造方法
の製造工程を示す斜視図であり、(a)は半導体レーザ
チップのマウント工程まで、(b)は第1ハンダ接合を
形成する熱処理工程までを示す。
FIGS. 5A and 5B are perspective views showing a manufacturing process of a method of manufacturing an optical device according to a third embodiment, wherein FIG. 5A shows a semiconductor laser chip mounting process, and FIG. Up to the heat treatment step.
【図6】図6は図5の続きの工程を示す斜視図であり、
(a)は第2ハンダを成膜する工程まで、(b)はダイ
シング工程までを示す。
FIG. 6 is a perspective view showing a step that follows the step in FIG. 5;
(A) shows up to the step of forming a second solder film, and (b) shows up to the dicing step.
【図7】図7は第4実施形態に係る光学装置の製造方法
の製造工程を示す斜視図であり、(a)は半導体レーザ
チップのマウント工程まで、(b)は第1ハンダ接合を
形成する熱処理工程までを示す。
FIGS. 7A and 7B are perspective views showing a manufacturing process of a method for manufacturing an optical device according to a fourth embodiment, in which FIG. 7A shows a semiconductor laser chip mounting process, and FIG. Up to the heat treatment step.
【図8】図8(a)は第5実施形態に係る光学装置の模
式構成図であり、図8(b)は要部拡大斜視図である。
FIG. 8A is a schematic configuration diagram of an optical device according to a fifth embodiment, and FIG. 8B is an enlarged perspective view of a main part.
【図9】図9は、第6実施形態に係る光学装置の模式構
成図である。
FIG. 9 is a schematic configuration diagram of an optical device according to a sixth embodiment.
【図10】図10は、第7実施形態に係る光学装置の模
式構成図である。
FIG. 10 is a schematic configuration diagram of an optical device according to a seventh embodiment.
【図11】図11は、第7実施形態に係る光学装置の模
式構成図である。
FIG. 11 is a schematic configuration diagram of an optical device according to a seventh embodiment.
【図12】図12(a)は、従来の光学装置の一部切欠
斜視図であり、図12(b)は要部拡大斜視図である。
FIG. 12A is a partially cutaway perspective view of a conventional optical device, and FIG. 12B is an enlarged perspective view of a main part.
【符号の説明】[Explanation of symbols]
AJ…銀ペースト接合、GR1,GR2…回折格子、H
D…保持具、HS…ヒートシンク、IP…異方性光学プ
リズム、LD…半導体レーザチップ、LS1,LS2,
LS3…レンズ、LT…光、ML…マルチレンズ、MP
…マルチプリズム、PD,PD1,PD2,PD3…フ
ォトダイオード、PDIC…集積回路基板、PK,PK
1,PK2…パッケージ部材、PR…プリズム、S,S
a,Sb,Sc,Sd…分光面、SLa,SLb…ハン
ダ、SJ,SJa,SJb…ハンダ接合、SM…サブマ
ウント、SP…支持体、SS…サブマウント集積ウェー
ハ、TB…テーブル、WD…窓。
AJ: silver paste bonding, GR1, GR2: diffraction grating, H
D: holder, HS: heat sink, IP: anisotropic optical prism, LD: semiconductor laser chip, LS1, LS2
LS3: lens, LT: light, ML: multi-lens, MP
... Multi prism, PD, PD1, PD2, PD3 ... Photodiode, PDIC ... Integrated circuit board, PK, PK
1, PK2: package member, PR: prism, S, S
a, Sb, Sc, Sd: spectral surface, SLa, SLb: solder, SJ, SJa, SJb: solder bonding, SM: submount, SP: support, SS: submount integrated wafer, TB: table, WD: window .
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 5D119 AA33 AA36 AA38 BA01 FA05 FA28 FA32 NA04 5F073 AB21 AB25 AB27 BA04 EA29 FA02 FA06 FA13 FA22 FA23 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page F term (reference) 5D119 AA33 AA36 AA38 BA01 FA05 FA28 FA32 NA04 5F073 AB21 AB25 AB27 BA04 EA29 FA02 FA06 FA13 FA22 FA23

Claims (20)

    【特許請求の範囲】[Claims]
  1. 【請求項1】半導体発光素子チップと、 上記半導体発光素子チップが接合されたサブマウント
    と、 上記サブマウントが接合されたヒートシンクとを有し、 上記半導体発光素子チップが第1の融点を有する第1の
    ハンダにより上記サブマウントに接合されており、 上記サブマウントが上記第1の融点よりも低い第2の融
    点を有する第2のハンダにより上記ヒートシンクに接合
    されている光学装置。
    1. A semiconductor light emitting device chip comprising: a semiconductor light emitting element chip; a submount to which the semiconductor light emitting element chip is joined; and a heat sink to which the submount is joined, wherein the semiconductor light emitting element chip has a first melting point. An optical device joined to the submount by one solder, and the submount is joined to the heat sink by a second solder having a second melting point lower than the first melting point.
  2. 【請求項2】上記サブマウントが、上記半導体発光素子
    チップの接合された面の裏面側から上記ヒートシンクに
    接合されている請求項1に記載の光学装置。
    2. The optical device according to claim 1, wherein the submount is joined to the heat sink from the back side of the surface to which the semiconductor light emitting element chip is joined.
  3. 【請求項3】上記サブマウントに受光素子が形成されて
    いる請求項1に記載の光学装置。
    3. The optical device according to claim 1, wherein a light receiving element is formed on the submount.
  4. 【請求項4】上記ヒートシンクは受光素子が形成された
    半導体素子である請求項1に記載の光学装置。
    4. The optical device according to claim 1, wherein said heat sink is a semiconductor element having a light receiving element formed thereon.
  5. 【請求項5】上記ヒートシンクに受光素子が形成された
    半導体素子が接合されている請求項1に記載の光学装
    置。
    5. The optical device according to claim 1, wherein a semiconductor element having a light receiving element is joined to the heat sink.
  6. 【請求項6】上記ヒートシンクが固着されているパッケ
    ージ部材に収容されている請求項1に記載の光学装置。
    6. The optical device according to claim 1, wherein the heat sink is accommodated in a package member to which the heat sink is fixed.
  7. 【請求項7】上記パッケージ部材に光学部材がさらに固
    着されている請求項6に記載の光学装置。
    7. The optical device according to claim 6, wherein an optical member is further fixed to said package member.
  8. 【請求項8】上記光学部材は、レンズを含む請求項7に
    記載の光学装置。
    8. The optical device according to claim 7, wherein said optical member includes a lens.
  9. 【請求項9】上記光学部材は、プリズムを含む請求項7
    に記載の光学装置。
    9. The optical member includes a prism.
    An optical device according to claim 1.
  10. 【請求項10】上記光学部材は、回折光学素子を含む請
    求項7に記載の光学装置。
    10. The optical device according to claim 7, wherein said optical member includes a diffractive optical element.
  11. 【請求項11】第1の融点を有する第1のハンダによ
    り、半導体発光素子チップをサブマウントに接合する工
    程と、 上記第1の融点よりも低い第2の融点を有する第2のハ
    ンダにより、上記サブマウントをヒートシンクに接合す
    る工程とを有する光学装置の製造方法。
    11. A step of joining a semiconductor light-emitting element chip to a submount with a first solder having a first melting point, and a step of bonding a second solder having a second melting point lower than the first melting point. Bonding the submount to a heat sink.
  12. 【請求項12】上記サブマウントを上記ヒートシンクに
    接合する工程においては、上記第1の融点未満かつ上記
    第2の融点以上の温度の熱処理を施す請求項11に記載
    の光学装置の製造方法。
    12. The method of manufacturing an optical device according to claim 11, wherein in the step of bonding the submount to the heat sink, a heat treatment is performed at a temperature lower than the first melting point and higher than the second melting point.
  13. 【請求項13】上記サブマウントを上記ヒートシンクに
    接合する工程においては、上記サブマウントの上記半導
    体発光素子チップが接合された面の裏面側から接合する
    請求項11に記載の光学装置の製造方法。
    13. The method of manufacturing an optical device according to claim 11, wherein, in the step of joining the submount to the heat sink, the submount is joined from the back side of the surface of the submount to which the semiconductor light emitting element chip is joined.
  14. 【請求項14】上記半導体発光素子チップを上記サブマ
    ウントに接合する工程の前に、上記サブマウントの一の
    面上に上記第1のハンダを成膜する工程をさらに有し、 上記半導体発光素子チップをサブマウントに接合する工
    程の後、上記サブマウントを上記ヒートシンクに接合す
    る工程の前に、上記サブマウントの上記一の面の裏の面
    上に上記第2のハンダを成膜する工程をさらに有する請
    求項11に記載の光学装置の製造方法。
    14. The semiconductor light emitting device according to claim 1, further comprising, before the step of bonding the semiconductor light emitting device chip to the submount, forming the first solder on one surface of the submount. After the step of joining the chip to the submount and before the step of joining the submount to the heat sink, a step of depositing the second solder on the back surface of the one surface of the submount is included. The method for manufacturing an optical device according to claim 11, further comprising:
  15. 【請求項15】上記半導体発光素子チップを上記サブマ
    ウントに接合する工程の前に、上記サブマウントの一の
    面上に上記第1のハンダを成膜する工程と、上記サブマ
    ウントの上記一の面の裏の面上に上記第2のハンダを成
    膜する工程をさらに有する請求項11に記載の光学装置
    の製造方法。
    15. A step of depositing the first solder on one surface of the submount before the step of joining the semiconductor light emitting element chip to the submount; The method of manufacturing an optical device according to claim 11, further comprising a step of forming the second solder on a surface opposite to the surface.
  16. 【請求項16】上記半導体発光素子チップを上記サブマ
    ウントに接合する工程において、上記第2のハンダの成
    膜面を中空に浮かせた状態で上記第1の融点以上の温度
    の熱処理を施す請求項15に記載の光学装置の製造方
    法。
    16. A step of bonding the semiconductor light emitting element chip to the submount, performing a heat treatment at a temperature equal to or higher than the first melting point in a state where a film-forming surface of the second solder is floated in the air. 16. The method for manufacturing an optical device according to item 15.
  17. 【請求項17】上記半導体発光素子チップを上記サブマ
    ウントに接合する工程においては、複数個のサブマウン
    トが集積されたサブマウント集積ウェーハに対応する個
    数の上記半導体発光素子チップを接合し、 上記半導体発光素子チップをサブマウントに接合する工
    程の後、上記サブマウントを上記ヒートシンクに接合す
    る工程の前に、上記サブマウント集積ウェーハを個片処
    理する工程をさらに有する請求項11に記載の光学装置
    の製造方法。
    17. In the step of bonding the semiconductor light-emitting element chip to the submount, a number of the semiconductor light-emitting element chips corresponding to a submount integrated wafer on which a plurality of submounts are integrated is bonded. The optical device according to claim 11, further comprising, after the step of bonding the light-emitting element chip to the submount, and before the step of bonding the submount to the heat sink, processing the individual submount integrated wafers individually. Production method.
  18. 【請求項18】上記半導体発光素子チップを上記サブマ
    ウント集積ウェーハに接合する工程の前に、上記サブマ
    ウント集積ウェーハの一の面上に上記第1のハンダを成
    膜する工程をさらに有し、 上記半導体発光素子チップをサブマウント集積ウェーハ
    に接合する工程の後、上記サブマウントを個片処理する
    工程の前に、上記サブマウント集積ウェーハの上記一の
    面の裏の面上に上記第2のハンダを成膜する工程をさら
    に有する請求項17に記載の光学装置の製造方法。
    18. The method according to claim 18, further comprising, before the step of bonding the semiconductor light-emitting element chip to the submount integrated wafer, forming the first solder on one surface of the submount integrated wafer. After the step of bonding the semiconductor light-emitting element chip to the submount integrated wafer, and before the step of individually processing the submount, the second surface on the back surface of the one surface of the submount integrated wafer. The method for manufacturing an optical device according to claim 17, further comprising a step of forming a solder film.
  19. 【請求項19】上記半導体発光素子チップを上記サブマ
    ウント集積ウェーハに接合する工程の前に、上記サブマ
    ウント集積ウェーハの一の面上に上記第1のハンダを成
    膜する工程と、上記サブマウント集積ウェーハの上記一
    の面の裏の面上に上記第2のハンダを成膜する工程をさ
    らに有する請求項17に記載の光学装置の製造方法。
    19. A step of depositing the first solder on one surface of the integrated submount wafer prior to the step of bonding the semiconductor light emitting element chip to the integrated submount wafer; 18. The method of manufacturing an optical device according to claim 17, further comprising a step of forming the second solder on a surface behind the one surface of the integrated wafer.
  20. 【請求項20】上記半導体発光素子チップを上記サブマ
    ウント集積ウェーハに接合する工程において、上記第2
    のハンダの成膜面を中空に浮かせた状態で上記第1の融
    点以上の温度の熱処理を施す請求項19に記載の光学装
    置の製造方法。
    20. In the step of bonding the semiconductor light emitting element chip to the submount integrated wafer, the second
    20. The method of manufacturing an optical device according to claim 19, wherein the heat treatment is performed at a temperature equal to or higher than the first melting point while the surface on which the solder is deposited is floated in the air.
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7283448B2 (en) 2003-05-09 2007-10-16 Samsung Electronics Co., Ltd. Integrated optical pickup and method of manufacturing the same and optical information storage system including the optical pickup
US7558161B2 (en) 2004-06-01 2009-07-07 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd Integrated optical system and method of manufacturing the same and information recording and/or reproducing apparatus using the integrated optical system
JP2010073758A (en) * 2008-09-16 2010-04-02 Furukawa Electric Co Ltd:The Semiconductor laser module
JP2016015415A (en) * 2014-07-02 2016-01-28 住友電気工業株式会社 Three-color light source
WO2019116654A1 (en) * 2017-12-13 2019-06-20 ソニー株式会社 Method for manufacturing light-emitting module, light-emitting module, and device

Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5877273A (en) * 1981-11-02 1983-05-10 Hitachi Ltd Laser diode
JPS61162014A (en) * 1985-01-10 1986-07-22 Ricoh Co Ltd Light source device for parallel laser beam
JPS63132495A (en) * 1986-11-21 1988-06-04 Mitsubishi Electric Corp Sub-mount for photo-semiconductor device
JPS6466977A (en) * 1987-09-08 1989-03-13 Oki Electric Ind Co Ltd Manufacture of optical semiconductor device
JPH02165684A (en) * 1988-12-20 1990-06-26 Toshiba Corp Semiconductor laser device
JPH03195903A (en) * 1989-12-25 1991-08-27 Sharp Corp Semiconductor laser apparatus
JPH05291696A (en) * 1992-04-08 1993-11-05 Sharp Corp Semiconductor laser chip and manufacture thereof
JPH05327022A (en) * 1992-05-26 1993-12-10 Furukawa Electric Co Ltd:The Inspection and manufacture of sub-mount chip package part
JPH0677317A (en) * 1992-08-26 1994-03-18 Mitsubishi Electric Corp Assembly of semiconductor device
JPH08329544A (en) * 1995-06-02 1996-12-13 Matsushita Electric Ind Co Ltd Magneto-optical pickup
JPH0982936A (en) * 1995-09-13 1997-03-28 Sony Corp Optical device
JPH09172224A (en) * 1995-12-20 1997-06-30 Toshiba Corp Submount for phototransistor and its mounting method

Patent Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5877273A (en) * 1981-11-02 1983-05-10 Hitachi Ltd Laser diode
JPS61162014A (en) * 1985-01-10 1986-07-22 Ricoh Co Ltd Light source device for parallel laser beam
JPS63132495A (en) * 1986-11-21 1988-06-04 Mitsubishi Electric Corp Sub-mount for photo-semiconductor device
JPS6466977A (en) * 1987-09-08 1989-03-13 Oki Electric Ind Co Ltd Manufacture of optical semiconductor device
JPH02165684A (en) * 1988-12-20 1990-06-26 Toshiba Corp Semiconductor laser device
JPH03195903A (en) * 1989-12-25 1991-08-27 Sharp Corp Semiconductor laser apparatus
JPH05291696A (en) * 1992-04-08 1993-11-05 Sharp Corp Semiconductor laser chip and manufacture thereof
JPH05327022A (en) * 1992-05-26 1993-12-10 Furukawa Electric Co Ltd:The Inspection and manufacture of sub-mount chip package part
JPH0677317A (en) * 1992-08-26 1994-03-18 Mitsubishi Electric Corp Assembly of semiconductor device
JPH08329544A (en) * 1995-06-02 1996-12-13 Matsushita Electric Ind Co Ltd Magneto-optical pickup
JPH0982936A (en) * 1995-09-13 1997-03-28 Sony Corp Optical device
JPH09172224A (en) * 1995-12-20 1997-06-30 Toshiba Corp Submount for phototransistor and its mounting method

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7283448B2 (en) 2003-05-09 2007-10-16 Samsung Electronics Co., Ltd. Integrated optical pickup and method of manufacturing the same and optical information storage system including the optical pickup
US7558161B2 (en) 2004-06-01 2009-07-07 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd Integrated optical system and method of manufacturing the same and information recording and/or reproducing apparatus using the integrated optical system
JP2010073758A (en) * 2008-09-16 2010-04-02 Furukawa Electric Co Ltd:The Semiconductor laser module
JP2016015415A (en) * 2014-07-02 2016-01-28 住友電気工業株式会社 Three-color light source
CN106415953A (en) * 2014-07-02 2017-02-15 住友电气工业株式会社 Three-color light source
US9941667B2 (en) 2014-07-02 2018-04-10 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Three-color light source
US10374395B2 (en) 2014-07-02 2019-08-06 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Three-color light source
WO2019116654A1 (en) * 2017-12-13 2019-06-20 ソニー株式会社 Method for manufacturing light-emitting module, light-emitting module, and device

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