KR100594316B1 - Expanding tape attached to back side of wafer - Google Patents

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KR100594316B1
KR100594316B1 KR1020050004480A KR20050004480A KR100594316B1 KR 100594316 B1 KR100594316 B1 KR 100594316B1 KR 1020050004480 A KR1020050004480 A KR 1020050004480A KR 20050004480 A KR20050004480 A KR 20050004480A KR 100594316 B1 KR100594316 B1 KR 100594316B1
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sawing
expanding tape
adhesive
adhered
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윤여황
천대상
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삼성전자주식회사
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Abstract

본 발명은 웨이퍼의 후면에 접착되는 익스팬딩 테이프에 관한 것이다. 본 발명은, 웨이퍼의 후면에 접착되어 상기 웨이퍼가 소잉될 때 상기 웨이퍼를 고정시키는 익스팬딩 테이프에 있어서, 상기 웨이퍼의 후면에 접착되는 그물 모양의 접착 필름, 및 상기 접착 테이프의 후면에 접착되는 베이스 필름을 구비함으로써, 반도체 칩들이 오염되는 현상이 방지되고, 다이 어태치 공정에서 반도체 칩들을 베이스 필름으로부터 분리하는 과정에서 반도체 칩들이 크랙되는 현상이 방지된다. The present invention relates to an expanding tape adhered to the backside of a wafer. The present invention relates to an expanding tape that is bonded to a rear surface of a wafer to fix the wafer when the wafer is sawn, the mesh adhesive film bonded to the rear surface of the wafer, and the base bonded to the rear surface of the adhesive tape. By providing the film, the phenomenon in which the semiconductor chips are contaminated is prevented, and the phenomenon in which the semiconductor chips are cracked in the process of separating the semiconductor chips from the base film in the die attach process is prevented.

Description

웨이퍼의 후면에 접착되는 익스팬딩 테이프{Expanding tape attached to back side of wafer}Expanding tape attached to back side of wafer}

본 발명의 상세한 설명에서 인용되는 도면을 보다 충분히 이해하기 위하여 각 도면의 간단한 설명이 제공된다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS In order to better understand the drawings cited in the detailed description of the invention, a brief description of each drawing is provided.

도 1은 종래의 익스팬딩 테이프(expandiing tape)의 단면도이다.1 is a cross-sectional view of a conventional expanding tape.

도 2는 도 1에 도시된 익스팬딩 테이프의 평면도이다.FIG. 2 is a plan view of the expanding tape shown in FIG. 1.

도 3은 도 1에 도시된 익스팬딩 테이프가 웨이퍼의 후면에 접착된 상태 및 소잉(sawing)을 위해 블래이드(blade)가 웨이퍼 상에 정렬된 상태를 도시한 단면도이다. 3 is a cross-sectional view showing a state in which the expanding tape shown in FIG. 1 is adhered to the back side of the wafer and a blade is aligned on the wafer for sawing.

도 4는 도 3에 도시된 웨이퍼의 소잉 과정에서 블래이드에 의해 베이스 필름의 일부까지 절단된 상태를 보여준다. FIG. 4 shows a state in which a portion of the base film is cut by the blade in the sawing process of the wafer illustrated in FIG. 3.

도 5는 도 3에 도시된 웨이퍼의 소잉 과정에서 블래이드에 의해 접착 필름의 일부만 절단된 상태를 보여준다. FIG. 5 shows a state in which only a part of the adhesive film is cut by the blade in the sawing process of the wafer illustrated in FIG. 3.

도 6은 본 발명에 따른 익스팬딩 테이프의 평면도이다. 6 is a plan view of an expanding tape according to the present invention.

도 7은 도 6에 도시된 익스팬딩 테이프를 A-A"선을 따라 절단한 단면도이다.FIG. 7 is a cross-sectional view of the expanding tape illustrated in FIG. 6 taken along the line AA ′.

도 8은 도 6에 도시된 익스팬딩 테이프가 웨이퍼에 접착된 상태 및 소잉을 위해 블래이드가 웨이퍼 상에 정렬된 상태의 단면도이다.FIG. 8 is a cross-sectional view of the state in which the expanding tape shown in FIG. 6 is adhered to the wafer and the blades are aligned on the wafer for sawing.

도 9는 도 8에 도시된 웨이퍼가 블래이드에 의해 절단된 상태를 보여준다. 9 shows a state in which the wafer shown in FIG. 8 is cut by a blade.

도 10은 도 8에 도시된 웨이퍼가 소잉되어 분리된 반도체 칩들을 다이 어태치(die attach) 공정에서 픽업하는 방법을 설명하기 위한 도면이다.FIG. 10 is a diagram for describing a method of picking up semiconductor chips separated by sawing of the wafer illustrated in FIG. 8 in a die attach process; FIG.

도 11은 도 10에서 픽업된 반도체 칩이 다이 어태치(die attach) 공정에서 서브스트래이트(substrate)에 올려진 상태를 보여준다. FIG. 11 illustrates a state in which the semiconductor chip picked up in FIG. 10 is mounted on a substrate in a die attach process.

도 12는 도 11에 도시된 반도체 칩이 압력에 의해 서브스트래이트에 접착된 상태를 보여준다. FIG. 12 shows a state in which the semiconductor chip shown in FIG. 11 is bonded to the substrate by pressure.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

101,601;익스팬딩 테이프들, 111,611; 접착 필름들101,601; expanding tapes, 111,611; Adhesive films

121,621; 베이스 필름들, 311,811; 웨이퍼들121,621; Base films, 311,811; Wafers

321,821; 블래이드들, 711; 단위 접착 필름321,821; Blades, 711; Unit adhesive film

1011; 플런저 핀, 2021; 콜렛1011; Plunger pin, 2021; Collet

1111; 히팅 브록, 1121; 서브스트래이트1111; Heating Brock, 1121; Substrates

본 발명은 반도체 조립 공정 중 백 랩(Back Lap) 공정에 사용되는 익스팬딩 테이프(exapnding tape)에 관한 것으로서, 특히 웨이퍼의 후면에 접착되며 웨이퍼를 소잉(sawing)할 때 블래이드(blade)의 소잉 깊이가 너무 깊거나 너무 얕음으로 인하여 발생하는 문제를 해결하기 위한 익스팬딩 테이프에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an expanding tape used for a back lap process in a semiconductor assembly process, and more particularly to the sawing depth of the blade when the wafer is bonded and adhered to the back side of the wafer. The invention relates to an expanding tape for solving a problem caused by too deep or too shallow.

반도체 집적회로 장치를 조립하기 위해서는 먼저, 웨이퍼에 다수개의 반도체 칩들을 형성한다. 상기 반도체 칩들을 낱개로 분리하기 위하여 소잉 공정에서 블래이드를 사용하여 상기 웨이퍼를 소잉한다. 그러나, 웨이퍼만을 소잉할 경우, 반도체 칩들이 분리된 후에는 외부로 떨어져 나가서 사용할 수가 없게 된다. 이를 방지하기 위하여 익스팬딩 테이프를 웨이퍼의 후면에 접착함으로써 소잉에 의해 분리된 반도체 칩들은 외부로 흩어지지 않고 그대로 유지된다. 따라서, 다이 어태치 공정에서 상기 분리된 반도체 칩들을 하나씩 떼어내어 반도체 칩을 패키징(packaging)하는 패키징 공정을 진행할 수가 있는 것이다. In order to assemble a semiconductor integrated circuit device, first, a plurality of semiconductor chips are formed on a wafer. The wafer is sawed using a blade in a sawing process to separate the semiconductor chips individually. However, when sawing only the wafer, after the semiconductor chips are separated, they are dropped out and cannot be used. In order to prevent this, the semiconductor chips separated by sawing are adhered to each other by adhering the expanding tape to the back side of the wafer, and are kept intact. Therefore, in the die attach process, the separated semiconductor chips may be separated one by one, thereby packaging the semiconductor chip.

도 1은 종래의 익스팬딩 테이프(expandiing tape)의 단면도이다. 도 1을 참조하면, 익스팬딩 테이프(101)는 접착 필름(adhesive film)(111)과 베이스 필름(base film)(121)으로 구성된다. 1 is a cross-sectional view of a conventional expanding tape. Referring to FIG. 1, the expanding tape 101 is composed of an adhesive film 111 and a base film 121.

도 2는 도 1에 도시된 익스팬딩 테이프(101)의 평면도이다. 도 2에 도시된 바와 같이, 익스팬딩 테이프(101)의 상부는 웨이퍼(도 3의 311)에 접착되는 부분으로서, 평평하게 이루어져 있다. FIG. 2 is a plan view of the expanding tape 101 shown in FIG. 1. As shown in FIG. 2, the upper portion of the expanding tape 101 is a flat portion that is attached to the wafer (311 of FIG. 3).

도 3은 도 1에 도시된 익스팬딩 테이프(101)가 웨이퍼(311)의 후면에 접착된 상태 및 소잉을 위해 블래이드(321)가 웨이퍼 상에 정렬된 상태를 도시한 단면도이다. 도 3에 도시된 바와 같이, 접착 필름(111)은 웨이퍼(311)와 동일한 크기를 가지며, 베이스 필름(121)은 접착 필름(111)과 웨이퍼(311)보다 넓은 크기를 갖는다. 따라서, 베이스 필름(121)을 이용하여 웨이퍼(311)를 용이하게 운반할 수가 있다. 블래이드(321)는 웨이퍼(311)의 상부에 놓이며, 위에서 아래로 웨이퍼(311)를 절단 하게 된다. 3 is a cross-sectional view showing a state in which the expanding tape 101 shown in FIG. 1 is adhered to the rear surface of the wafer 311 and the blade 321 is aligned on the wafer for sawing. As shown in FIG. 3, the adhesive film 111 has the same size as the wafer 311, and the base film 121 has a larger size than the adhesive film 111 and the wafer 311. Therefore, the wafer 311 can be easily transported using the base film 121. The blade 321 is placed on the top of the wafer 311 and cuts the wafer 311 from the top to the bottom.

도 4는 도 3에 도시된 웨이퍼(311)의 소잉 과정에서 블래이드(321)에 의해 베이스 필름(121)의 일부까지 절단된 상태를 보여준다. 도 4에 도시된 바와 같이, 블래이드(도 3의 321)의 높이(height)가 증가시 즉, 소잉의 깊이가 깊을 경우, 베이스 필름(121)의 일부까지 절단되며, 그로 인하여 베이스 필름(121)에 버(burr)가 발생하여 베이스 필름(121)의 부서진 가루가 웨이퍼(311)에 형성된 반도체 칩들(미도시)에 묻어서 반도체 칩들이 오염될 수가 있다. 4 illustrates a state in which a portion of the base film 121 is cut by the blade 321 in the sawing process of the wafer 311 illustrated in FIG. 3. As shown in FIG. 4, when the height of the blade (321 of FIG. 3) increases, that is, when the depth of sawing is deep, it is cut to a part of the base film 121, thereby the base film 121. Ever (burr) is generated and the broken powder of the base film 121 is buried in the semiconductor chips (not shown) formed on the wafer 311, the semiconductor chips may be contaminated.

도 5는 도 3에 도시된 웨이퍼(311)의 소잉 과정에서 블래이드(도 3의 321)에 의해 접착 필름(111)의 일부만 절단된 상태를 보여준다. 도 5에 도시된 바와 같이, 블래이드(도 3의 321)의 높이가 감소시 즉, 소잉의 깊이가 얕을 경우, 접착 필름(111)이 완전히 절단되지 않게 된다. 이로 인하여 다이 어태치(Die Attach) 공정에서 반도체 칩들을 베이스 필름(121)으로부터 분리하는 과정에서 반도체 칩들이 잘 분리되지 않게 되어 반도체 칩들에 크랙(crack)이 발생할 수가 있다. 5 illustrates a state in which only a part of the adhesive film 111 is cut by the blade (321 of FIG. 3) in the sawing process of the wafer 311 illustrated in FIG. 3. As shown in FIG. 5, when the height of the blade 321 of FIG. 3 decreases, that is, when the depth of sawing is shallow, the adhesive film 111 is not completely cut. As a result, in the process of detaching the semiconductor chips from the base film 121 in the die attach process, the semiconductor chips are hardly separated, and cracks may occur in the semiconductor chips.

여기서, 완전히 절단되지 않은 접착 필름(111)을 완전히 절단하기 위해 DBG(Dicing Before Grinding) 시스템에서 래이저(LASER) 절단을 이용하기도 한다. Here, laser cutting may also be used in a DBG (Dicing Before Grinding) system to completely cut the adhesive film 111 that is not completely cut.

상술한 바와 같이 종래 기술에 따르면, 블래이드(321)의 높이 즉, 소잉 깊이가 변동함에 따라 반도체 칩들이 오염되거나 또는 반도체 칩들의 분리가 잘 되지 않아서 반도체 칩들이 크랙되는 경우가 발생할 수가 있다. 이런 경우가 발생하게 되면 반도체 칩들이 패키징(pacaging)된 후에 불량으로 처리가 되어 커다란 손실을 가져오게 된다. As described above, according to the related art, when the height of the blade 321, that is, the sawing depth varies, the semiconductor chips may be contaminated or the semiconductor chips may be cracked due to poor separation of the semiconductor chips. When this happens, the semiconductor chips are packaged (packaged) and treated as bad, resulting in a great loss.

본 발명이 이루고자하는 기술적 과제는 소잉시 블래이드의 깊이 조절이 용이하며, 소잉 후 반도체 칩에 접착된 접착 필름이 베이스 필름으로부터 용이하게 분리되는 익스팬딩 테이프를 제공하는 것이다. The technical problem to be achieved by the present invention is to provide an expanding tape that is easy to adjust the depth of the blade during sawing, the adhesive film adhered to the semiconductor chip after sawing is easily separated from the base film.

상기 기술적 과제를 이루기 위하여 본 발명은The present invention to achieve the above technical problem

웨이퍼의 후면에 접착되어 상기 웨이퍼가 소잉될 때 상기 웨이퍼를 고정시키는 익스팬딩 테이프에 있어서, 상기 웨이퍼의 후면에 접착되는 그물 모양의 접착 필름; 및 상기 접착 테이프의 후면에 접착되는 베이스 필름을 구비하는 익스팬딩 테이프를 제공한다.An expanding tape adhered to a rear surface of a wafer to fix the wafer when the wafer is sawn, the expanding tape comprising: a mesh-shaped adhesive film adhered to a rear surface of the wafer; And a base film adhered to a rear surface of the adhesive tape.

바람직하기는, 상기 접착 필름은 막대 모양을 갖는 다수개의 단위 접착 필름들로 구성되며, 상기 다수개의 단위 접착 필름들은 상호간에 접촉됨이 없이 수직으로 일정한 간격으로 배열된다.Preferably, the adhesive film is composed of a plurality of unit adhesive films having a rod shape, and the plurality of unit adhesive films are vertically arranged at regular intervals without being in contact with each other.

바람직하기는 또한, 상기 웨이퍼를 소잉하는 블래이드는 상기 소잉 공정에서 상기 웨이퍼만을 소잉하도록 소잉 깊이가 설정된다.Preferably, the sawing blade is set to sawing depth so as to saw only the wafer in the sawing process.

바람직하기는 또한, 상기 소잉에 의해 분리된 반도체 칩은 상기 접착 테이프가 접착된 상태로 다이 어태치 공정에서 서브스트레이트에 어태치된다.Preferably, the semiconductor chip separated by the sawing is attached to the substrate in a die attach process with the adhesive tape adhered thereto.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명함으로써, 본 발명을 상세히 설명한다. 각 도면에 제시된 동일한 참조부호는 동일한 부재를 나타낸다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. Like reference numerals in the drawings denote like elements.

도 6은 본 발명에 따른 익스팬딩 테이프의 평면도이고, 도 7은 도 6에 도시된 익스팬딩 테이프를 A-A'선을 따라 절단한 단면도이다. 도 6 및 도 7을 참조하면, 익스팬딩 테이프(601)는 그물 모양의 접착 필름(611)과, 접착 필름(611)의 후면에 접착되는 베이스 필름(621)으로 구성된다. FIG. 6 is a plan view of an expanding tape according to the present invention, and FIG. 7 is a cross-sectional view of the expanding tape shown in FIG. 6 taken along line AA ′. 6 and 7, the expanding tape 601 is composed of a mesh-like adhesive film 611 and a base film 621 adhered to the rear surface of the adhesive film 611.

구체적으로, 접착 필름(611)은 막대 모양으로 형성된 다수개의 단위 접착 필름(711)들이 상호간에 접촉됨이 없이 일정한 간격으로 배열되어 있으며, 단위 접착 필름(711)들은 베이스 필름(621)에 대하여 수직으로 형성되어 있다. 단위 접착 필름(711)들의 사이사이에는 빈 공간(721)들이 형성되어 있다. 접착 필름(611)은 접착력을 가지고 있으므로, 웨이퍼(도 8의 811)의 후면에 접착될 경우 견고한 접착력을 유지한다. In detail, the adhesive films 611 are arranged at regular intervals without a plurality of unit adhesive films 711 formed in the shape of rods, and the unit adhesive films 711 are perpendicular to the base film 621. It is formed. Empty spaces 721 are formed between the unit adhesive films 711. Since the adhesive film 611 has an adhesive force, when the adhesive film 611 is adhered to the rear surface of the wafer 811 of FIG. 8, the adhesive film 611 maintains a strong adhesive force.

베이스 필름(621)은 접착 필름(611)보다 넓은 크기를 갖는다. 이렇게 함으로써 접착 필름(611)을 웨이퍼(도 8의 811)에 접착한 상태에서 웨이퍼(도 8의 811)를 운반할 때 베이스 필름(621)을 이용하여 운반할 수가 있다. The base film 621 has a larger size than the adhesive film 611. In this manner, the base film 621 can be used to transport the wafer (811 in FIG. 8) while the adhesive film 611 is bonded to the wafer (811 in FIG. 8).

도 8은 도 6에 도시된 익스팬딩 테이프가 웨이퍼에 접착된 상태 및 소잉을 위해 블래이드가 웨이퍼 상에 정렬된 상태의 단면도이다. 도 8에 도시된 바와 같이, 접착 필름(611)은 웨이퍼(811)와 동일한 크기를 갖는다. 웨이퍼(811)에는 스크라이브 라인들(미도시)을 경계선으로 하여 다수개의 반도체 칩(도 10의 813)들이 바둑판 모양으로 형성된다. 블래이드(821)는 상기 스크라이브 라인(scribe line)들을 따라 웨이퍼(811)를 소잉한다. FIG. 8 is a cross-sectional view of the state in which the expanding tape shown in FIG. 6 is adhered to the wafer and the blades are aligned on the wafer for sawing. As shown in FIG. 8, the adhesive film 611 has the same size as the wafer 811. In the wafer 811, a plurality of semiconductor chips 813 of FIG. 10 are formed in a checkerboard shape with scribe lines (not shown) as boundaries. The blade 821 saws the wafer 811 along the scribe lines.

도 9는 도 8에 도시된 웨이퍼가 블래이드에 의해 절단된 상태를 보여준다. 도 9에 도시된 바와 같이, 블래이드(821)의 높이 즉, 소잉의 깊이를 얕게 하여 웨이퍼(811)만 절단되도록 한다. 이 경우, 소잉 과정에서 블래이드(821)에 변동이 생긴다 하더라도 블래이드(821)는 접착 필름(611)의 일부만 절단하게 되며, 베이스 필름(621)은 절대적으로 절단되지 않게 된다. 따라서, 베이스 필름(621)의 버(burr) 현상이 발생하지 않게 되어 웨이퍼(811)의 반도체 칩들이 오염되는 것을 방지할 수가 있다. 9 shows a state in which the wafer shown in FIG. 8 is cut by a blade. As shown in FIG. 9, the height of the blade 821, that is, the depth of sawing is made shallow so that only the wafer 811 is cut. In this case, even if the blade 821 changes in the sawing process, the blade 821 may cut only a part of the adhesive film 611, and the base film 621 may not be cut. Therefore, the burr phenomenon of the base film 621 does not occur, and it is possible to prevent the semiconductor chips of the wafer 811 from being contaminated.

도 10은 도 8에 도시된 웨이퍼가 소잉되어 분리된 반도체 칩을 다이 어태치(die attach) 공정에서 픽업하는 방법을 설명하기 위한 도면이다. 다이 어태치 공정에서 소잉이 완료된 반도체 칩(813)들을 베이스 필름(621)으로부터 픽업(pick-up)하기 위해서는 플런저 핀(plunger pin)(1011)을 이용하여 베이스 필름(621)의 후면을 들어올린 상태에서 콜랫(collet)(1021)을 이용하여 반도체 칩(813)을 픽업한다. 이렇게 함으로써 반도체 칩(813)에 접착된 접착 필름은 베이스 필름(621)으로부터 용이하게 분리될 수가 있다. FIG. 10 is a diagram for describing a method of picking up a semiconductor chip separated by sawing of the wafer illustrated in FIG. 8 in a die attach process; FIG. In order to pick up the semiconductor chips 813 that have been sawed in the die attach process from the base film 621, the back surface of the base film 621 is lifted up using a plunger pin 1011. In the state, the semiconductor chip 813 is picked up using the collet 1021. In this way, the adhesive film adhered to the semiconductor chip 813 can be easily separated from the base film 621.

이 때, 접착 필름(611)의 중간중간에 빈 공간(void)들이 형성되어 있기 때문에 접착 필름(611)은 베이스 필름(621)으로부터 용이하게 분리된다. 따라서, 다이 어태치 공정에서 반도체 칩(813)을 픽업할 때 반도체 칩(813)이 크랙되는 현상이 방지된다. At this time, since voids are formed in the middle of the adhesive film 611, the adhesive film 611 is easily separated from the base film 621. Therefore, the phenomenon that the semiconductor chip 813 is cracked when the semiconductor chip 813 is picked up in the die attach process is prevented.

도 11은 도 10에서 픽업된 반도체 칩이 다이 어태치(die attach) 공정에서 서브스트래이트(substrate)에 올려진 상태를 보여준다. 도 11을 참조하면, 콜렛(1021)에 의해 픽업된 반도체 칩(813)은 다이 어태치용 히팅 블록(heating block)(1111) 위에 놓인 서브스트래이트(substrate)(1121)의 중앙에 놓이게 된다. 서브스트래이트(1121)는 리드 프래임(lead frame)이나 인쇄 회로 기판(printed circuit board) 등에 구성되며, 히팅 블록(1111)에 의해 적정 온도로 가열 상태로 유지되어 반도체 칩(813)이 용이하게 접착되도록 한다. FIG. 11 illustrates a state in which the semiconductor chip picked up in FIG. 10 is mounted on a substrate in a die attach process. Referring to FIG. 11, the semiconductor chip 813 picked up by the collet 1021 is placed at the center of the substrate 1121 on the heating block 1111 for die attach. The substrate 1121 is composed of a lead frame, a printed circuit board, or the like. The substrate 1121 is maintained in a heated state at an appropriate temperature by the heating block 1111 to facilitate the semiconductor chip 813. To bond.

도 12는 도 11에 도시된 반도체 칩이 압력에 의해 서브스트래이트에 접착된 상태를 보여준다. 서브스트래이트(1121)에 올려진 반도체 칩(813)은 콜렛(1021)에 의해 위에서 아래로 압력을 받게 되며, 이로 인하여 반도체 칩(813)은 접착 필름(611a)에 의해 서브스트래이트(1121)에 견고하게 접착된다. 접착이 되면 접착 필름(611a)의 중간중간에 형성되어 있던 빈 공간(도 7의 721)들은 모두 없어지게 되므로, 반도체 칩(813)은 서브스트래이트(1121)에 충분히 접착된다. FIG. 12 shows a state in which the semiconductor chip shown in FIG. 11 is bonded to the substrate by pressure. The semiconductor chip 813 mounted on the substrate 1121 is pressed from the top to the bottom by the collet 1021, and thus the semiconductor chip 813 is pressed by the adhesive film 611a. Firmly adhered to 1121). When the adhesive is applied, all of the empty spaces (721 of FIG. 7) formed in the middle of the adhesive film 611a disappear, so that the semiconductor chip 813 is sufficiently adhered to the substrate 1121.

도면과 명세서에서 최적 실시예가 개시되었으며, 여기서 사용된 용어들은 단지 본 발명을 설명하기 위한 목적에서 사용된 것이며, 의미한정이나 특허청구범위에 기재된 본 발명의 범위를 제한하기 위하여 사용된 것은 아니다. 따라서, 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능할 것이므로, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위에 기재된 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.The best embodiments have been disclosed in the drawings and the specification, and the terminology used herein is for the purpose of describing the invention only and is not intended to be limiting of the scope of the invention as defined in the appended claims or claims. Therefore, those skilled in the art will be able to various modifications and equivalent other embodiments therefrom, the true technical protection scope of the present invention will be determined by the technical spirit described in the appended claims.

상술한 바와 같이 본 발명에 따라 접착 필름(611)을 그물 모양으로 제작함으로써, 소잉 공정에서 반도체 칩(813)들이 오염되는 현상이 방지되고, 다이 어태치 공정에서 반도체 칩(813)을 픽업할 때, 반도체 칩(813)이 베이스 필름(621)으로부 터 용이하게 분리되어 반도체 칩(813)들에 크랙이 발생하지 않게 된다. 또한, 소잉 과정에서 완전히 절단되지 않은 접착 필름(611)을 베이스 필름(621)으로부터 완전히 떼어내기 위해 래이저를 이용하여 접착 필름(611)을 절단하는 공정을 스킵(skip)할 수가 있다. As described above, by manufacturing the adhesive film 611 in a mesh shape according to the present invention, the phenomenon that the semiconductor chips 813 are contaminated in the sawing process is prevented, and when picking up the semiconductor chips 813 in the die attach process The semiconductor chip 813 is easily separated from the base film 621 so that cracks do not occur in the semiconductor chips 813. In addition, in order to completely remove the adhesive film 611 not completely cut in the sawing process from the base film 621, it is possible to skip the step of cutting the adhesive film 611 using a laser.

Claims (5)

웨이퍼의 후면에 접착되어 상기 웨이퍼가 소잉될 때 상기 웨이퍼를 고정시키는 익스팬딩 테이프에 있어서,An expanding tape adhered to a back side of a wafer to fix the wafer when the wafer is sawn, 상기 웨이퍼의 후면에 접착되는 그물 모양의 접착 필름; 및A mesh-shaped adhesive film adhered to the back side of the wafer; And 상기 접착 테이프의 후면에 접착되는 베이스 필름을 구비하는 것을 특징으로 하는 익스팬딩 테이프.And a base film adhered to the rear surface of the adhesive tape. 제1항에 있어서, 상기 접착 필름은 The method of claim 1, wherein the adhesive film 막대 모양을 갖는 다수개의 단위 접착 필름들로 구성된 것을 특징으로 하는 익스팬딩 테이프.Expanding tape comprising a plurality of unit adhesive films having a rod shape. 제2항에 있어서, 상기 다수개의 단위 접착 필름들은 The method of claim 2, wherein the plurality of unit adhesive films 상호간에 접촉됨이 없이 수직으로 일정한 간격으로 배열된 것을 특징으로 하는 익스팬딩 테이프.Expanding tape, characterized in that arranged vertically at regular intervals without being in contact with each other. 제1항에 있어서, 상기 웨이퍼를 소잉하는 블래이드는 The blade of claim 1 wherein the blade sawing the wafer 상기 소잉 공정에서 상기 웨이퍼만을 소잉하도록 소잉 깊이가 설정되는 것을 특징으로 하는 익스팬딩 테이프.An sawing depth is set so as to saw only the wafer in the sawing process. 제1항에 있어서, 상기 소잉에 의해 분리된 반도체 칩은 상기 접착 테이프가 접착된 상태로 다이 어태치 공정에서 서브스트레이트에 어태치되는 것을 특징으로 하는 익스팬딩 테이프.The expanding tape according to claim 1, wherein the semiconductor chip separated by sawing is attached to a substrate in a die attach process with the adhesive tape adhered thereto.
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