JP2003318205A - Method of bonding film-like die bonding material of diced wafer - Google Patents
Method of bonding film-like die bonding material of diced waferInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明はダイシング済みウェ
ハのフィルム状ダイボンディング材貼付け方法に関し、
特に、ハーフカットした後にウェハのバックグラインド
を行い、ダイシング済みウェハのフィルム状ダイボンデ
ィング材貼付け方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for pasting a film-shaped die bonding material on a wafer after dicing,
In particular, the present invention relates to a method for attaching a film-shaped die bonding material to a dicing-completed wafer by back-grinding the wafer after half cutting.
【０００２】[0002]
【従来の技術】近年、半導体装置の薄化・多段積み化が
進んでいる。それにともない、チップの薄化が必要にな
ってきている。チップを薄くする方法としては、たとえ
ば特開２０００−１９５８２６に開示されているハーフ
カットした後にウェハのバックグラインドを行う方法な
どがある。この方法には薄チップのダイシング時のチッ
ピングを低減できるという利点がある。しかし、薄チッ
プを多段積みする際はあらかじめ半導体ウェハ裏面に特
開２０００−９１３５７に開示されているようなフィル
ム状ダイボンディング材を貼付け、フィルム状ダイボン
ディング材ごと半導体ウェハをダイシングし、チップの
裏面にフィルム状ダイボンディング材がついた状態でチ
ップマウントを行うのが主流である。ところが、ハーフ
カット後にバックグラインドを行う方法では、チップ裏
面に同サイズにフィルム状ダイボンディング材を貼りつ
けることが非常に困難である。2. Description of the Related Art In recent years, semiconductor devices have become thinner and more stacked. Along with that, it is necessary to reduce the chip thickness. As a method for thinning the chip, for example, there is a method disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 2000-195826, in which the wafer is back-ground after being half-cut. This method has the advantage that chipping during dicing of thin chips can be reduced. However, when stacking thin chips in multiple stages, a film-shaped die bonding material as disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 2000-91357 is pasted on the back surface of the semiconductor wafer in advance, and the semiconductor wafer is diced together with the film-shaped die bonding material, and the back surface of the chips is stacked. The mainstream is to mount chips with the film-shaped die bonding material attached. However, with the method of performing back grinding after half-cutting, it is very difficult to attach the film-shaped die bonding material to the back surface of the chip in the same size.
【０００３】また、従来のバックグラインドをして薄く
したウェハの裏面にフィルム状ダイボンディング材を貼
付けダイシングする方法では、ダイシング時に大きなチ
ッピングが発生するという問題がある。そのため従来技
術としては図３に紹介するような、あらかじめフィルム
状ダイボンディング材１０を貼りつけたＵＶシート１１
にダイシング済み半導体ウェハ２を貼りつけ、その後再
度ダイシングブレード１２によりダイシングを行い、フ
ィルム状ダイボンディング材１０をチップとほぼ同サイ
ズに切断し、ピックアップヘッド６によりチップマウン
トを行うという方法がある。Further, in the conventional method in which a film-shaped die bonding material is attached to the back surface of a wafer thinned by back grinding, there is a problem that large chipping occurs during dicing. Therefore, as a conventional technique, as shown in FIG. 3, a UV sheet 11 to which a film-shaped die bonding material 10 has been attached in advance is introduced.
There is a method in which the dicing-completed semiconductor wafer 2 is attached to the substrate, dicing is then performed again by the dicing blade 12, the film-shaped die bonding material 10 is cut into almost the same size as the chip, and the chip is mounted by the pickup head 6.
【０００４】また、その他の従来技術として図４に紹介
するような、ダイシング済みウェハ２をＵＶシート１１
へ貼りつけ、チップマウンターにウェハをセットし、あ
らかじめフィルム状ダイボンディング材１３を貼りつけ
た基板（もしくはリードフレーム）１４にチップマウン
トするという方法がある。Further, as another conventional technique, as shown in FIG.
Then, the wafer is set on a chip mounter, and the chip is mounted on a substrate (or a lead frame) 14 to which a film-shaped die bonding material 13 is previously attached.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の第１の
ダイシング済みウェハフィルム状ダイボンディング材を
貼付ける方法においては、フィルム状ダイボンディング
材１０をチップとほぼ同サイズに切断する際に、チップ
をダイシングブレード１２で傷つけてしまう可能性があ
る。SUMMARY OF THE INVENTION In the above-mentioned first conventional method of attaching the dicing wafer film-shaped die bonding material, when the film-shaped die bonding material 10 is cut into almost the same size as the chip, May be damaged by the dicing blade 12.
【０００６】上述の第２の方法にはフィルム状ダイボン
ディング材１３の基板１４（もしくはリードフレーム）
への貼付け精度が悪いという問題がある。また、チップ
多段積みする際、チップ同士のクリアランスが狭い場合
には、ボンディングパッドにフィルム状ダイボンディン
グ材１３が被り、次工程のワイヤーボンディングができ
ない等の問題が特に顕著に発生する。In the second method described above, the substrate 14 (or the lead frame) of the film die bonding material 13 is used.
There is a problem that the accuracy of pasting on is poor. Further, when the chips are stacked in multiple stages, if the clearance between the chips is narrow, the film-shaped die bonding material 13 covers the bonding pad, and the problem that wire bonding in the next step cannot be performed occurs remarkably.
【０００７】本発明のダイシング済みウェハのフィルム
状ダイボンディング材貼付け方法は、ハーフカットした
後にウェハのバックグラインドを行う方法を用いて薄く
研削した半導体ウェハの組立工程において、半導体チッ
プを多段積みする際に用いているフィルム状ダイボンデ
ィング材をチップ裏面に貼り、チップマウントする製造
方法。シート状のフィルム状ダイボンディング材にダイ
シング済み半導体ウェハをウェハマウントし、チップの
ピックアップ時にチップとほぼ同サイズにフィルム状ダ
イボンディング材を切断し、チップマウントを行う。The method for attaching a film-shaped die bonding material to a dicing-completed wafer according to the present invention is a method of stacking semiconductor chips in multiple stages in the process of assembling a semiconductor wafer thinly ground by a method of back grinding the wafer after half-cutting. A manufacturing method in which the film-shaped die bonding material used in is attached to the back surface of the chip and the chip is mounted. The dicing-completed semiconductor wafer is wafer-mounted on a sheet-shaped film-shaped die bonding material, and the film-shaped die bonding material is cut to a size almost the same as the chip at the time of picking up the chip, and the chip is mounted.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】本発明のダイシング済み
ウェハのフィルム状ダイボンディング材貼付け方法は、
ハーフカットした後にウェハのバックグラインドを用い
研削した半導体ウェハの組立工程において、あらかじめ
切り込みを入れたフィルム状ダイボンディング材にダイ
シング済みウェハを貼りつけ、チップマウンターにてピ
ックアップする時に前記フィルム状ダイボンディング材
をチップとほぼ同サイズに切断し、マウントする。ま
た，バックグラインド保護シートで保持されたダイシン
グ済み半導体ウェハをあらかじめ前記フィルム状ダイボ
ンディング材を貼りつけた粘着シートもしくはＵＶシー
トにウェハマウントし、前記バックグラインド保護シー
トを剥離する、前記フィルム状ダイボンディング材はあ
らかじめ切り込みを入れておき、次にチップマウンター
にウェハをセットして、ピックアップヘッドにてチップ
を持ち上げ、前記切り込みから前記フィルム状ダイボン
ディング材をチップとほぼ同サイズに切断し熱圧着によ
りチップマウントを行う。また、前記バックグラインド
保護シートで保持されたダイシング済み半導体ウェハを
あらかじめ前記フィルム状ダイボンディング材を貼りつ
けた粘着シートもしくはＵＶシートにウェハマウント
し、前記バックグラインド保護シートを剥離する、前記
フィルム状ダイボンディング材は前記粘着シートもしく
はＵＶシートに貼った後にチップダイシング装置等で切
り込みを入れる、次にチップマウンターにウェハをセッ
トし、ピックアップヘッドにてチップを持ち上げ、前記
切り込みから前記フィルム状ダイボンディング材をチッ
プとほぼ同サイズに切断し熱圧着によりチップマウント
を行う。また、前記切り込みは等間隔であることを特徴
とする。また、前記切り込みは４０〜１００μｍの間隔
であることを特徴とする。また、前記バックグラインド
保護シートで保持されたダイシング済み半導体ウェハ
を、あらかじめ前記特定の波長の光に反応し脆くなるも
しくは破れやすくなる特性を持つ様に調整された前記フ
ィルム状ダイボンディング材を貼りつけた粘着シートま
たはＵＶシートにウェハマウントし、前記バックグライ
ンド保護シートを剥離する、次にチップ上面から特定の
波長光源から特定の波長の光を照射し、チップとその間
のスクライブ線部から特定の波長の光がスクライブ線部
の前記フィルム状ダイボンディング材にのみ照射され、
次にチップマウンターにウェハをセットし、ピックアッ
プヘッドにてチップを持ち上げ、前記フィルム状ダイボ
ンディング材をチップとほぼ同サイズに切断し熱圧着に
よりチップマウントを行うことを特徴としている。A method for attaching a film-shaped die bonding material to a dicing-completed wafer according to the present invention comprises:
In the process of assembling a semiconductor wafer that has been half-cut and then ground using the wafer back-grind, the film-shaped die bonding material is attached when the dicing wafer is pasted to the film-shaped die bonding material with pre-cuts and picked up by the chip mounter. Cut the chip to about the same size as the chip and mount it. Further, the dicing semiconductor wafer held by the back grind protection sheet is wafer-mounted on an adhesive sheet or a UV sheet to which the film die bonding material is previously attached, and the back grind protection sheet is peeled off. Cut the material in advance, then set the wafer on the chip mounter, lift the chip with the pickup head, cut the film-shaped die bonding material from the cut into almost the same size as the chip, and chip by thermocompression bonding Mount it. Also, the dicing semiconductor wafer held by the back grind protection sheet is wafer-mounted on an adhesive sheet or a UV sheet to which the film die bonding material is previously attached, and the back grind protection sheet is peeled off. The bonding material is attached to the adhesive sheet or the UV sheet, and then a cut is made by a chip dicing device or the like, then a wafer is set in a chip mounter, the chip is lifted by a pickup head, and the film-shaped die bonding material is cut from the cut. Cut into almost the same size as the chip and mount the chip by thermocompression bonding. Further, the cuts are characterized by being at regular intervals. Further, the cuts are characterized by having an interval of 40 to 100 μm. Further, the dicing-completed semiconductor wafer held by the back-grinding protection sheet is pasted with the film-shaped die-bonding material adjusted so as to have a property of becoming brittle or easily broken in response to light of the specific wavelength. The wafer is mounted on an adhesive sheet or UV sheet, the back grind protection sheet is peeled off, then light of a specific wavelength is irradiated from a specific wavelength light source from the top surface of the chip, and a specific wavelength is measured from the scribe line portion between the chip and Light is irradiated only to the film-shaped die bonding material of the scribe line portion,
Next, the wafer is set on a chip mounter, the chip is lifted by a pickup head, the film-shaped die bonding material is cut into almost the same size as the chip, and the chip is mounted by thermocompression bonding.
【０００９】[0009]
【発明の実施の形態】次に、本発明について図面を参照
して説明する。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Next, the present invention will be described with reference to the drawings.
【００１０】図１は本発明の第１の実施形態の構成を示
す概略図である。図１を参照すると、バックグラインド
保護シート１で保持されたダイシング済み半導体ウェハ
２及び、の例えば５０μｍピッチに切り込みを入れたフ
ィルム状ダイボンディング材３を貼りつけた粘着シート
もしくはＵＶシート４及び、ダイシング後チップをピッ
クアップするチップマウンターのピックアップヘッド６
から構成される。FIG. 1 is a schematic diagram showing the configuration of the first embodiment of the present invention. Referring to FIG. 1, a dicing-completed semiconductor wafer 2 held by a back-grinding protection sheet 1 and an adhesive sheet or UV sheet 4 to which a film-like die bonding material 3 having cuts at, for example, a pitch of 50 μm is attached, and dicing Pickup head 6 of chip mounter for picking up rear chip
Composed of.
【００１１】図１について、図を参照して説明する。バ
ックグラインド保護シート１で保持されたダイシング済
み半導体ウェハ２をあらかじめフィルム状ダイボンディ
ング材３を貼りつけた粘着シートもしくはＵＶシート４
等にウェハマウントし、バックグラインド保護シート１
を剥離する。フィルム状ダイボンディング材３はあらか
じめ等間隔の切り込み５、例えば５０μｍピッチ、を入
れておく。切り込みを施す方法には、あらかじめ切り込
みを入れたフィルム状ダイボンディング材を用いる方法
と、粘着シートもしくはＵＶシートに貼った後にチップ
ダイシング装置等で切り込みを入れる方法がある。次に
チップマウンターにウェハをセットし、ピックアップヘ
ッド６にてチップ持ち上げ、このとき等間隔の切り込み
５からフィルム状ダイボンディング材３をチップとほぼ
同サイズに破り熱圧着によりチップマウントを行う。な
お、チップ裏面とフィルム状ダイボンディング材との界
面の切り込みによるボイドは、熱可塑性のフィルム状ダ
イボンディング材を使用すれば、マウント以降の熱・荷
重でつぶすことができる。FIG. 1 will be described with reference to the drawings. An adhesive sheet or a UV sheet 4 in which a film-shaped die bonding material 3 is attached in advance to a semiconductor wafer 2 which has been diced and held by a back grinding protection sheet 1.
Back-grinding protection sheet 1
Peel off. The film-shaped die bonding material 3 is preliminarily provided with the notches 5 at equal intervals, for example, a pitch of 50 μm. The method of making the cuts includes a method of using a film-shaped die-bonding material in which the cuts have been made beforehand, and a method of making the cuts with a chip dicing device or the like after adhering to the adhesive sheet or UV sheet. Next, the wafer is set on the chip mounter, and the chips are lifted by the pickup head 6. At this time, the film-shaped die bonding material 3 is broken into substantially the same size as the chips from the notches 5 at equal intervals, and the chips are mounted by thermocompression bonding. It should be noted that the void due to the notch at the interface between the back surface of the chip and the film-shaped die bonding material can be crushed by heat and load after mounting by using a thermoplastic film-shaped die bonding material.
【００１２】他の実施例として図２について、図を参照
し説明する。実施例の切り込みを入れたフィルム状ダイ
ボンディング材３の代わりに、特定の波長光９（例えば
ＵＶ）に反応し脆くなるもしくは破れやすくなる特性を
持つフィルム状ダイボンディング材７を用いてもよい。
その場合は、バックグラインド保護シート１で保持され
たダイシング済み半導体ウェハ２を、あらかじめフィル
ム状ダイボンディング材７を貼りつけた粘着シートもし
くはＵＶシート４等にウェハマウントし、バックグライ
ンド保護シート１を剥離する。次にチップ上面から特定
の波長光源８から特定の波長の光９を照射する。チップ
とチップとの間のスクライブ線部から特定の波長の光９
がスクライブ線部のフィルム状ダイボンディング材７に
のみ照射され、フィルム状ダイボンディング材７はチッ
プサイズとほぼ同サイズに破れやすくなる。次にチップ
マウンターにウェハをセットし、ピックアップヘッド６
にてチップを持ち上げ、フィルム状ダイボンディング材
７をチップとほぼ同サイズに切断し熱圧着によるチップ
マウントを行う。As another embodiment, FIG. 2 will be described with reference to the drawings. Instead of the notched film-shaped die bonding material 3 of the embodiment, a film-shaped die bonding material 7 having a characteristic of becoming brittle or easily broken in response to light 9 having a specific wavelength (for example, UV) may be used.
In that case, the dicing-completed semiconductor wafer 2 held by the back-grinding protection sheet 1 is wafer-mounted on an adhesive sheet or a UV sheet 4 or the like to which a film-shaped die bonding material 7 is previously attached, and the back-grinding protection sheet 1 is peeled off. To do. Next, light 9 having a specific wavelength is emitted from a specific wavelength light source 8 from the top surface of the chip. Light of a specific wavelength from the scribe line between the chips 9
Is irradiated only to the film-shaped die bonding material 7 in the scribe line portion, and the film-shaped die bonding material 7 is likely to be broken to a size almost equal to the chip size. Next, the wafer is set on the chip mounter and the pickup head 6
The chip is lifted, the film-shaped die bonding material 7 is cut into almost the same size as the chip, and chip mounting is performed by thermocompression bonding.
【００１３】[0013]
【発明の効果】以上説明したように、本発明の、第１の
効果は、ハーフカットした後にウェハのバックグライン
ドを行い、フィルム状ダイボンディング材を使用するこ
とによって、フィルム状ダイボンディング材を用いた５
０μｍ等の薄チップのマウントが安定してできるという
効果がある。As described above, the first effect of the present invention is to use the film-shaped die bonding material by back-grinding the wafer after half-cutting and using the film-shaped die bonding material. Was 5
There is an effect that a thin chip of 0 μm or the like can be stably mounted.
【図１】本発明の第１の実施形態を示す断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view showing a first embodiment of the present invention.
【図２】本発明の第２の実施形態を示す断面図である。FIG. 2 is a sectional view showing a second embodiment of the present invention.
【図３】従来の実施形態における断面図である。FIG. 3 is a sectional view of a conventional embodiment.
【図４】他の従来の実施形態における断面図である。FIG. 4 is a cross-sectional view of another conventional embodiment.
１ バックグラインド保護シート ２ ダイシング済み半導体ウエハ ３ フィルム状ダイボンディング材 ４ 粘着シートもしくはＵＶシート ５ 切り込み ６ ピックアップヘッド ７ フィルム状ダイボンディング材 ８ 特定の波長光源 ９ 特定の波長光 １０ フィルム状ダイボンディング材 １１ ＵＶシート １２ ダイシングブレード １３ フィルム状ダイボンディング材 １４ 基板（もしくはリードフレーム） 1 Back grinding protection sheet 2 Dicing semiconductor wafer 3 Film die bonding material 4 Adhesive sheet or UV sheet 5 notches 6 pickup head 7 Film die bonding material 8 Specific wavelength light source 9 Specific wavelength light 10 Film die bonding material 11 UV sheet 12 dicing blade 13 Film die bonding material 14 PCB (or lead frame)
Claims (6)
ラインドを用い研削した半導体ウェハの組立工程におい
て、あらかじめ切り込みを入れたフィルム状ダイボンデ
ィング材にダイシング済みウェハを貼りつけ、チップマ
ウンターにてピックアップする時に前記フィルム状ダイ
ボンディング材をチップとほぼ同サイズに切断し、マウ
ントする半導体装置製造方法。1. In a process of assembling a semiconductor wafer which is half-cut and then ground by using a wafer back-grind, the dicing wafer is attached to a film-shaped die bonding material which is pre-cut and is picked up by a chip mounter. A method for manufacturing a semiconductor device in which a film-shaped die bonding material is cut into almost the same size as a chip and mounted.
たダイシング済み半導体ウェハをあらかじめ前記フィル
ム状ダイボンディング材を貼りつけた粘着シートもしく
はＵＶシートにウェハマウントし、前記バックグライン
ド保護シートを剥離する、前記フィルム状ダイボンディ
ング材はあらかじめ切り込みを入れておき、次にチップ
マウンターにウェハをセットして、ピックアップヘッド
にてチップを持ち上げ、前記切り込みから前記フィルム
状ダイボンディング材をチップとほぼ同サイズに切断し
熱圧着によりチップマウントを行う半導体装置製造方
法。2. The film, wherein a dicing-completed semiconductor wafer held by a back-grinding protection sheet is wafer-mounted on an adhesive sheet or a UV sheet to which the film-shaped die bonding material is previously attached, and the back-grinding protection sheet is peeled off. The die-shaped die bonding material is cut in advance, then the wafer is set on the chip mounter, the chip is lifted by the pickup head, and the film-shaped die bonding material is cut from the cut to the same size as the chip and heat is applied. A semiconductor device manufacturing method in which chip mounting is performed by pressure bonding.
されたダイシング済み半導体ウェハをあらかじめ前記フ
ィルム状ダイボンディング材を貼りつけた粘着シートも
しくはＵＶシートにウェハマウントし、前記バックグラ
インド保護シートを剥離する、前記フィルム状ダイボン
ディング材は前記粘着シートもしくはＵＶシートに貼っ
た後にチップダイシング装置等で切り込みを入れる、次
にチップマウンターにウェハをセットし、ピックアップ
ヘッドにてチップを持ち上げ、前記切り込みから前記フ
ィルム状ダイボンディング材をチップとほぼ同サイズに
切断し熱圧着によりチップマウントを行う半導体装置製
造方法。3. The semiconductor wafer, which has been diced and held by the back grind protection sheet, is wafer-mounted on an adhesive sheet or a UV sheet to which the film-shaped die bonding material is previously attached, and the back grind protection sheet is peeled off. The film-shaped die bonding material is attached to the adhesive sheet or the UV sheet, and then a cut is made by a chip dicing device or the like, then a wafer is set on a chip mounter, the chip is lifted by a pickup head, and the film-shaped die is cut from the cut. A semiconductor device manufacturing method in which a bonding material is cut into almost the same size as a chip, and chip mounting is performed by thermocompression bonding.
とする請求項２乃至３記載の半導体装置製造方法。4. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 2, wherein the notches are arranged at equal intervals.
であることを特徴とする請求項２乃至４記載の半導体装
置製造方法。5. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 2, wherein the cuts are spaced at intervals of 40 to 100 μm.
されたダイシング済み半導体ウェハを、あらかじめ前記
特定の波長の光に反応し脆くなるもしくは破れやすくな
る特性を持つ様に調整された前記フィルム状ダイボンデ
ィング材を貼りつけた粘着シートまたはＵＶシートにウ
ェハマウントし、前記バックグラインド保護シートを剥
離する、次にチップ上面から特定の波長光源から特定の
波長の光を照射し、チップとその間のスクライブ線部か
ら特定の波長の光がスクライブ線部の前記フィルム状ダ
イボンディング材にのみ照射され、次にチップマウンタ
ーにウェハをセットし、ピックアップヘッドにてチップ
を持ち上げ、前記フィルム状ダイボンディング材をチッ
プとほぼ同サイズに切断し熱圧着によりチップマウント
を行う半導体装置製造方法。6. The film-shaped die-bonding material prepared in advance so that the dicing-completed semiconductor wafer held by the back-grinding protection sheet has a property of reacting with light of the specific wavelength and becoming brittle or easily broken. The wafer is mounted on a pressure-sensitive adhesive sheet or a UV sheet, and the back-grinding protective sheet is peeled off. Then, light of a specific wavelength is irradiated from a specific wavelength light source from the top surface of the chip, and a scribe line portion between the chip and Light of a specific wavelength is irradiated only to the film-shaped die bonding material of the scribe line part, then the wafer is set on the chip mounter, the chip is lifted by the pickup head, and the film-shaped die bonding material is almost the same as the chip. Made of semiconductor device that is cut to size and chip-mounted by thermocompression bonding Build method.
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