JPH0677169A - ドライエッチング装置 - Google Patents

ドライエッチング装置

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Publication number
JPH0677169A
JPH0677169A JP23009392A JP23009392A JPH0677169A JP H0677169 A JPH0677169 A JP H0677169A JP 23009392 A JP23009392 A JP 23009392A JP 23009392 A JP23009392 A JP 23009392A JP H0677169 A JPH0677169 A JP H0677169A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
dry etching
etching apparatus
wafer holding
wafer contact
Prior art date
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Pending
Application number
JP23009392A
Other languages
English (en)
Inventor
Yoshihiko Ito
善彦 伊藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Renesas Semiconductor Manufacturing Co Ltd
Kansai Nippon Electric Co Ltd
Original Assignee
Renesas Semiconductor Manufacturing Co Ltd
Kansai Nippon Electric Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 ウェーハ保持機構のウェーハ接触部の欠落を
検知可能なドライエッチング装置を提供する。 【構成】 ウェーハ表面を下向きに保持するドライエッ
チング装置において、ウェーハ保持治具2’のウェーハ
接触部5’を3か所とし、先端に傾斜を設ける。ウェー
ハ接触部が欠落するとウェーハ1は落下し、ウェーハ有
無検知センサーで検知できる。 【効果】 欠落した部分が発生するゴミに起因する製品
不良の発生を防止できる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この考案はドライエッチング装置
の構造に関し、特に枚葉処理方式のドライエッチング装
置の構造に関する。
【0002】
【従来の技術】従来のドライエッチング装置のウェーハ
保持機構の構造を図面を参照して説明する。図3はウェ
ーハ保持部の下面図、図4はウェーハ保持部の要部断面
図である。1はウェーハ、2はウェーハ保持治具、3は
ウェーハ保持爪、4は電極である。ウェーハ1は表面を
下向きにしてウェーハ保持治具2の保持爪3により4点
を保持され電極4に裏面を接触する。図示しない対向電
極との間にガスプラズマを発生させ、ウェーハ1の表面
をエッチングする。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】ところで、従来のドラ
イエッチング装置のウェーハ保持治具2は例えば石英等
の材料を用いて作られており、ウェーハ保持中に割れが
生じウェーハ保持爪3が欠落することがあった。ところ
が、4点支持のため1点が欠落してもウェーハ1は保持
され続け、エッチングは通常通り続行される。しかし、
欠落したウェーハ保持爪3のかけらはプラズマ中にさら
されるため、エッチングされゴミを発生させる。これが
ウェーハ1に付着してこのウェーハ1を製品不良にする
ことがあった。さらに、ウェーハ保持は正常に行われて
いるのでウェーハ保持爪3の欠落を発見するのが遅れ、
多量の後続の製品を不良とさせてしまうことがあった。
【0004】
【課題を解決するための手段】この考案は上記の問題点
を解決するため、ウェーハ保持治具のウェーハ接触部を
3か所とし、かつそのウェーハ接触部分にウェーハ中心
方向へ向かう傾斜を設けている。
【0005】
【作用】上記の構成によると、ウェーハ接触部が1点欠
落すると2点支持となり、かつウェーハ接触部分に傾斜
がついているため、ウェーハはすべりエッチング室内に
落下する。
【0006】するとウェーハ保持部もしくはウェーハ搬
送機構に備えられているウェーハ有無検知センサーがウ
ェーハ落下を検知し、エッチングを停止させるとともに
アラームを出すことができる。
【0007】
【実施例】以下、この考案について図面を参照して説明
する。
【0008】図1はこの考案の一実施例の下面図、図2
はウェーハ保持部の要部断面図である。ウェーハ保持治
具2’は3点のウェーハ保持爪3’を有しており、これ
のウェーハ接触部5はウェーハ中心方向へ向かう傾斜が
ついている。この実施例によればウェーハ保持爪3’の
1点が欠落して、接触部5が2点となったときウェーハ
1はエッチング室内に落下する。
【0009】
【発明の効果】以上説明したように、この発明日はウェ
ーハ接触部欠落時にウェーハを落下させ、ウェーハ有無
検知センサーで検知しエッチングを停止させることがで
きるため、欠落部のエッチングによるゴミ発生を防止す
ることができ、ゴミ付着による製品不良の多量発生を防
止することができるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本考案の一実施例の下面図
【図2】 本考案の一実施例の要部断面図
【図3】 従来のドライエッチング装置ウェーハ保持部
の下面図
【図4】 従来のドライエッチング装置ウェーハ保持部
の要部断面図
【符号の説明】
1 ウェーハ 2,2’ ウェーハ保持治具 3,3’ ウェーハ保持爪 5’ ウェーハ接触部

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】ウェーハ表面を下向きに保持する構造を有
    するドライエッチング装置において、ウェーハ接触部を
    3か所とし、かつそのウェーハ接触部分にウェーハ中心
    方向へ向かう傾斜をつけたことを特徴とするドライエッ
    チング装置。
  2. 【請求項2】上記ウェーハを保持する高校のウェーハ接
    触部は、石英製である請求項1のドライエッチング装
    置。
  3. 【請求項3】ウェーハ接触部は爪状に形成されている請
    求項2または請求項3に記載のドライエッチング装置。
JP23009392A 1992-08-28 1992-08-28 ドライエッチング装置 Pending JPH0677169A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19855654A1 (de) * 1998-10-30 2000-06-15 Mosel Vitelic Inc Plasmakammer-Wafer-Klemmring mit erosionsresistenten Spitzen
WO2006115277A1 (ja) * 2005-04-21 2006-11-02 Ebara Corporation ウエハ受渡装置、ポリッシング装置、及びウエハ受け取り方法

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19855654A1 (de) * 1998-10-30 2000-06-15 Mosel Vitelic Inc Plasmakammer-Wafer-Klemmring mit erosionsresistenten Spitzen
WO2006115277A1 (ja) * 2005-04-21 2006-11-02 Ebara Corporation ウエハ受渡装置、ポリッシング装置、及びウエハ受け取り方法
JP2006303249A (ja) * 2005-04-21 2006-11-02 Ebara Corp ウエハ受渡装置、ポリッシング装置、及びウエハ受け取り方法
US8118640B2 (en) 2005-04-21 2012-02-21 Ebara Corporation Wafer transferring apparatus, polishing apparatus, and wafer receiving method
KR101374693B1 (ko) * 2005-04-21 2014-03-17 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 웨이퍼 수수장치, 폴리싱장치 및 웨이퍼 수취방법

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