JPS61124136A - 反応性イオンエツチング装置 - Google Patents
反応性イオンエツチング装置Info
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- JPS61124136A JPS61124136A JP24531084A JP24531084A JPS61124136A JP S61124136 A JPS61124136 A JP S61124136A JP 24531084 A JP24531084 A JP 24531084A JP 24531084 A JP24531084 A JP 24531084A JP S61124136 A JPS61124136 A JP S61124136A
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- Japan
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- etching
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- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、エツチング装置に関し、特に近年の半導体集
積回路の微細化にともない、ウェットエツチングに比し
てサイドエツチングが少く均一性が良いために広く用い
られている反応性イオンエツチング装置に関する。
積回路の微細化にともない、ウェットエツチングに比し
てサイドエツチングが少く均一性が良いために広く用い
られている反応性イオンエツチング装置に関する。
反応性イオンエツチングを良好に行うには主にガスの種
類、ガスの流量、ガスの流量比、ＲＦ定電力圧力を適正
にするとと本にエツチング前やエツチング中に付着する
粒子を最少限におさえる必要がある。被エツチング物に
付着する物質としては、大気中の粉じん、エツチング装
置内の粉じんエツチングによって生した反応生成物等が
上げられ、このような物質が半導体集積回路の歩留を著
しく低下させる。
類、ガスの流量、ガスの流量比、ＲＦ定電力圧力を適正
にするとと本にエツチング前やエツチング中に付着する
粒子を最少限におさえる必要がある。被エツチング物に
付着する物質としては、大気中の粉じん、エツチング装
置内の粉じんエツチングによって生した反応生成物等が
上げられ、このような物質が半導体集積回路の歩留を著
しく低下させる。
従来、このような問題を解決するために、エツチング室
内の汚染の程度を調べる手段として、エツチング室内に
鏡面ウェーハーを導入し、反応ガスを導入したり、プラ
ズマを発生させた後にそのウェーハーを取り出し、表面
に付着した粒子の個数を目視あるいは、光学顕微鏡で数
える方法を用いている。
内の汚染の程度を調べる手段として、エツチング室内に
鏡面ウェーハーを導入し、反応ガスを導入したり、プラ
ズマを発生させた後にそのウェーハーを取り出し、表面
に付着した粒子の個数を目視あるいは、光学顕微鏡で数
える方法を用いている。
しかしこのような方法では測定作業時の汚染や測定者に
よるバラツキ、測定作業の時間が長い等の欠点を有し、
エツチング室内での汚染状態を容易にかつ正確に知るこ
とができない。
よるバラツキ、測定作業の時間が長い等の欠点を有し、
エツチング室内での汚染状態を容易にかつ正確に知るこ
とができない。
本発明は、エツチング装置内にたとえばレーザーを用い
た粒子測定器を設けることにより、エツチング室内の汚
染状態を容易かつ正確に検知し、エツチング室内を清浄
に保つことで歩留の良いエツチングを行える反応性イオ
ンエツチング装置を提供するものである。
た粒子測定器を設けることにより、エツチング室内の汚
染状態を容易かつ正確に検知し、エツチング室内を清浄
に保つことで歩留の良いエツチングを行える反応性イオ
ンエツチング装置を提供するものである。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の実施例の断面図である。
本装置社、エツチング室１と粒子測定室２と試料室３か
ら構成される。エツチング室１と粒子測定室２は常時真
空に保たれ、試料室のみ試料の出入れ時に大気になる。
ら構成される。エツチング室１と粒子測定室２は常時真
空に保たれ、試料室のみ試料の出入れ時に大気になる。
大気状態の試料室に鏡面つニーバーを設置し、約１０Ｐ
ａまで真空引きした後試料室と粒子測定室の間のパルプ
７を開は鏡面ウェーハー４を粒子測定室に搬送し？１ｌ
１１定を行う。次に鏡面ウェーハーをエツチング室に搬
送し、平行平板電極の下部電極５に設置し反応ガスを１
分間導入する。次に鏡面ウェーハーを再び粒子測定室に
搬送し、測定を行った後に試料室に回収する。
ａまで真空引きした後試料室と粒子測定室の間のパルプ
７を開は鏡面ウェーハー４を粒子測定室に搬送し？１ｌ
１１定を行う。次に鏡面ウェーハーをエツチング室に搬
送し、平行平板電極の下部電極５に設置し反応ガスを１
分間導入する。次に鏡面ウェーハーを再び粒子測定室に
搬送し、測定を行った後に試料室に回収する。
以上の手順により測定した結果、従来の方法に比べて１
０〜１００倍の感度で粒子を検出でき、装置外での汚染
や測定者によるバラツキを無視できることが判った。
０〜１００倍の感度で粒子を検出でき、装置外での汚染
や測定者によるバラツキを無視できることが判った。
以上説明したように反応性イオンエツチング装置内にレ
ーザーを用いた粒子測定器を設けることにより、エツチ
ング室の汚染の程度を容易かつ正確に検知できるのでエ
ツチング室内を常に清浄に保つことができ、歩留の良い
エツチングを行える。
ーザーを用いた粒子測定器を設けることにより、エツチ
ング室の汚染の程度を容易かつ正確に検知できるのでエ
ツチング室内を常に清浄に保つことができ、歩留の良い
エツチングを行える。
第１図は本発明の反応性イオンエツチング装置を示す断
面図である。 １・・・・・・エツチング室、２・・・・・・粒子測定
室、３・・・・・・試料室、４・・・・・・鏡面ウニ
” −１５・・・・・・下部電極、６・・・・・・レー
ザーを用いた粒子測定器、７・・・・・・パルプ。
面図である。 １・・・・・・エツチング室、２・・・・・・粒子測定
室、３・・・・・・試料室、４・・・・・・鏡面ウニ
” −１５・・・・・・下部電極、６・・・・・・レー
ザーを用いた粒子測定器、７・・・・・・パルプ。
Claims (1)
- エッチング室と、試料を設置する室と、鏡面ウェーハ
ー上の粒子の数と大きさを計測する室とを有することを
特徴とする反応性イオンエッチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24531084A JPS61124136A (ja) | 1984-11-20 | 1984-11-20 | 反応性イオンエツチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24531084A JPS61124136A (ja) | 1984-11-20 | 1984-11-20 | 反応性イオンエツチング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61124136A true JPS61124136A (ja) | 1986-06-11 |
Family
ID=17131771
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24531084A Pending JPS61124136A (ja) | 1984-11-20 | 1984-11-20 | 反応性イオンエツチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61124136A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06177073A (ja) * | 1992-12-07 | 1994-06-24 | Nippon Ee S M Kk | エッチング装置 |
-
1984
- 1984-11-20 JP JP24531084A patent/JPS61124136A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06177073A (ja) * | 1992-12-07 | 1994-06-24 | Nippon Ee S M Kk | エッチング装置 |
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