JPH0677123A

JPH0677123A - 現像制御方法

Info

Publication number: JPH0677123A
Application number: JP22378092A
Authority: JP
Inventors: Toshio Onodera; 俊雄小野寺
Original assignee: Oki Electric Industry Co Ltd
Current assignee: Oki Electric Industry Co Ltd
Priority date: 1992-08-24
Filing date: 1992-08-24
Publication date: 1994-03-18

Abstract

(57)【要約】【目的】パターン寸法の均一性の向上、寸法コントロ
ール性の向上、耐ノッチレーション等の向上を行うこと
ができる現像制御方法を提供する。【構成】レジストパターン残しが疎である露光された
ウェハ上のレジストを現像するのに、現像液に対する窒
素ガスの溶解度よりも大である溶解度を持つ気体を溶解
して調整した現像液を用いるか、又は露光部のレジスト
に溶存している窒素ガスの濃度よりも現像液中の窒素ガ
ス濃度が大になるように窒素ガスを溶解して調整した現
像液を用いる。レジストパターン残しが密である露光さ
れたウェハ上のレジストに対しては、それぞれ上記の現
像液と逆の溶解度又は濃度であるものを用いる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明はフォトレジストの現像制
御方法に関し、特に半導体装置を製造する際に使用する
フォトレジストの現像制御方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】ＬＩＳ等の半導体装置の製造において微
細加工により集積度を高めるためには、フォトリソグラ
フィ技術が用いられている。このフォトリソグラフィ技
術の構成は、ウェハにフォトレジストを塗布する塗布工
程と、フォトレジストに回路等のパターンを転写する露
光工程と、フォトレジストパターンを精度よくウェハに
形成する現像工程とに大まかに分かれている。

【０００３】この現像工程に用いられる現像液の供給方
法には、次に説明する供給方法がある。（１）現像液を加圧して現像ニユットに供給する方法：
この現像液の供給方法に使用する現像装置の全体を図２
及び図３に示す。これらの現像装置は現像ユニット１３
と現像液供給タンク１２とを備え、これらの間は供給用
ライン１４を介して接続されている。また、現像液供給
タンク１２には現像液供給タンク１２内を加圧するため
の用供給ライン１５が接続されている。図２は現像液供
給タンク１２が現像装置本体１１と一体となった現像装
置であり、図３は現像液供給タンク１２が現像装置本体
１１と別体になった現像装置である。

【０００４】これらの現像装置において、現像液供給タ
ンク１２内の現像液は加圧用ライン１５から加圧窒素等
の加圧ガスを送りこんで現像液供給タンク１２内に収容
されている現像液を現像ユニット１３に供給する。（２）現像液を高低差により現像ニユットに供給する方
法：この現像液の供給方法に使用する現像装置の全体を
図４に示す。この現像装置は現像ユニット１３より高い
位置に現像液供給タンク１２を内部に有する現像液供給
ユニット１６を配置し、現像液供給タンク１２内の圧力
は内圧調整部２１により調整されている。さらに前記現
像液供給タンク１２は供給用ライン１４により現像ユニ
ット１３と接続されている。

【０００５】この現像装置において、現像液供給ユニッ
ト１６と現像ユニット１３との高低差を利用して現像液
を現像液供給タンク１２から現像ユニット１３へ供給し
ている。（３）現像液を供給ポンプを用いて現像ユニットに供給
する方法：この現像液の供給方法に使用する現像装置の
全体を図５及び図６に示す。これらの現像装置は現像ユ
ニット１３と現像液供給タンク１２との間の供給用ライ
ン１４中に供給ポンプ３１を介設したものである。ま
た、現像液供給タンク１２には現像液供給タンク１２内
を加圧するための加圧用ライン１５が接続されている。
図５は現像液供給タンク１２と供給ポンプ３１が現像装
置本体１１と一体となった現像装置であり、図６は現像
液供給タンク１２と供給ポンプ３１が現像装置本体１１
と別体になった現像装置である。

【０００６】これらの現像装置において、現像液供給タ
ンク１２内の現像液は加圧用ライン１５から加圧窒素Ｎ
₂ガス等の加圧ガスを送りこんで供給用ライン１４へ供
給すると同時に、供給ポンプ３１により圧送して、現像
液を現像ユニット１３に供給する。上記（１）〜（３）
に説明した現像装置を用いた現像工程においては、現像
液供給タンク１２内は常圧もしくは加圧状態の窒素Ｎ₂
ガス等の雰囲気に保持されている。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】現像ユニットにおい
て、ウェハに対して適用される現像液には通常、窒素Ｎ
₂ガス等が溶解しており、この窒素ガス等の溶存ガスは
ウェハ上のレジストの現像液に対する溶解度や溶解速度
に影響を与えている。この現像液中に溶解している溶存
ガスの濃度、溶存ガスの種類、複数種の溶存ガスの混合
割合等は、上記（１）〜（３）の現像液の供給方法の違
い、及び現像液の温度、現像液中のガスの溶存圧力、現
像液のウェハへの適用方法等の現像液の取扱いの違いに
より、レジストの現像液に対する溶解度や溶解速度は様
々に異なっており、レジストを極めて高精度に現像する
ことは困難であった。

【０００８】さらに詳細に言えば、現像液をウェハに適
用する従来の方法においては次に述べるようなレジスト
パターンの不均一性が生ずる。現像液が一つのウェハの
全体に接触するのに時間的経過が生じる方法を適用する
場合、現像液の適用開始と適用終了時とでは周囲の大気
等のガスが現像液中に移行する割合が異なっており、最
初に現像液が接触したレジスト部分と最後に接触したレ
ジスト部分においては、形成されたパターンに不均一性
が生ずる（同一ウェハ面内の不均一性）。

【０００９】また同一の現像装置を使用してウェハに現
像液を適用しても、各ウェハ間においては、現像液の適
用に時間的経過があるので、現像液中に溶存しているガ
スの濃度、種類、混合割合等の条件が変動する場合があ
り、そのために形成されたパターンに不均一性が生ずる
（各ウェハ間の不均一性）。また用いる現像装置によっ
て形成されたパターンに不均一性が生ずる（現像装置間
による不均一性）。

【００１０】また現像液の供給系が異なった場合に成形
されたパターンに不均一性が生ずる（現像液供給系によ
る不均一性）。また、同じ現像液供給タンクから各々異
なる現像ユニットに現像液を供給した場合に不均一性が
生ずる（現像ユニット間による不均一性）。またレジス
トの種類によってレジストが現像液に溶け易いものや溶
け難いものの種類があり、同じ種類のレジストでも温度
等によって窒素Ｎ₂ガスの溶存量が異なる場合がありレ
ジストが現像液に溶け易いものや溶け難いものがあるの
で、形成されたパターンに不均一性が生ずる（各種レジ
スト毎の不均一性）。

【００１１】つぎに、形成されるレジストのパターンの
種類、即ち、ホール系パターン、ライン系パターン、孤
立残し系パターン等の違いによってもその解像特性、寸
法制御の方法、レジストパターンの断面等のパターン形
状のコントロール性、耐ノッチレーション等の特性が異
なり、それらの特性を制御することは困難である（各種
レジストパターン毎による不均一性）。

【００１２】また上記の何れの場合でもレジストパター
ンの寸法をコントロールすることは困難である。本発明
者らは、さらに解決すべき課題を次のように検討した。
ポジ型フォトレジストには感光成分としてナフトキノン
ジアジドが含まれているが、このポジ型フォトレジスト
に光が照射されると次式のようにナフトキノンジアジド
が変化し、同時に窒素Ｎ₂ガスが放出される。

【００１３】

【化１】

【００１４】露光された部分は、ナフトキノンジアジド
がアルカリ水溶液に可溶なインデンカルボン酸に最終的
に変化し、露光されたレジストはアルカリ水溶液である
現像液に溶ける性質になるが、同時に上記式（１）で示
されるようにレジスト中には窒素Ｎ₂ガスが含まれてい
る。ところで、露光されたウェハ上のレジストに現像液
を接触させると露光された部分のレジストが現像液にと
けるが、この溶けたレジスト成分の量が多いと未露光部
分のレジストの溶解を促進させると一般に言われてい
る。レジストに接触した直後の現像液はレジスト成分の
濃度は低いので未露光部分のレジストの溶解はそれ程問
題はないが、接触時間の経過と共に未露光部分のレジス
トの溶解が進み、そのために現像液中のレジスト成分の
濃度が上昇し、加速度的に未露光部分のレジストの溶解
を進めるようになる。したがって、レジストパターンを
形成している未露光部分のレジストが溶解するために、
レジスト寸法が変化し、寸法不均一、寸法コントロール
性の低下等の上記した問題点が生ずることになる。

【００１５】また、現像液中に溶けだすレジストの量が
少ない場合には、上記とは反対に、未露光部のレジスト
の溶解が進まず現像作用が進まない。そこで本発明の目
的は、レジストの同一ウェハ面内、各ウェハ間、現像装
置間、現像液供給系ごと、現像ユニット間、各種レジス
トごと、各種レジストパターン毎によって変化する上記
の不均一性を解消し、パターン寸法の均一性の向上や、
寸法制御のやりやすさの向上、レジストパターン等の解
像特性の向上、パターン形状コントロール性の向上、耐
ノッチレーション等の向上ができる現像制御方法を提供
することを目的とする。

【００１６】

【課題を解決するための手段】上記した問題点を解決す
るために本発明は、レジストパターン残しが疎である露
光されたウェハ上のレジストに対し、現像液に対する窒
素Ｎ₂ガスの溶解度よりも大である溶解度を持つ気体を
溶解して調整した現像液を適用することを特徴とする現
像制御方法とするものである。

【００１７】前記現像液に対する窒素Ｎ₂ガスの溶解度
よりも大である溶解度を持つ気体には、ＡｒガスとＯ₂
ガスと飽和炭化水素ガスと不飽和炭化水素ガスとＣＦ₄
ガスとＳＦ₆ガスとＮＦ₃ガスからなるグループから選
ばれた一種類のガス、又はその２種類以上のガスからな
る混合ガス、Ｎ₂ガスとＡｒガスからなる混合ガス、Ｎ
₂ガスとＯ₂ガスからなる混合ガス、Ｎ₂ガスとＣＦ₄
ガスからなる混合ガス、及びＮ₂ガスとＡｒガスとＯ₂
ガスからなる混合ガスの何れかのガスが使用できる。

【００１８】また、本発明はレジストパターン残しが疎
である露光されたウェハ上のレジストに対し、露光部の
レジストに溶存している窒素Ｎ₂ガスの濃度よりも濃度
が大になるように窒素Ｎ₂ガスを溶解して調整した現像
液を適用することを特徴とする現像制御方法とするもの
である。また、本発明はレジストパターン残しが密であ
る露光されたウェハ上のレジストに対し、現像液に対す
る窒素Ｎ₂ガスの溶解度よりも小である溶解度を持つ気
体を溶解して調整した現像液を適用することを特徴とす
る現像制御方法とするものである。

【００１９】前記現像液に対する窒素Ｎ₂ガスの溶解度
よりも小である溶解度を持つ気体が、ＨｅガスとＮｅガ
スからなるグループから選ばれた一種類のガス、Ｈｅガ
スとＮｅガスからなる混合ガス、Ｎ₂ガスとＨｅガスか
らなる混合ガス、及びＮ₂ガスとＮｅガスからなる混合
ガスの何れかのガスが使用できる。また、本発明はレジ
ストパターン残しが密である露光されたウェハ上のレジ
ストに対し、露光部のレジストに溶存している窒素Ｎ₂
ガスの濃度よりも濃度が小になるように窒素Ｎ₂ガスを
溶解して調整した現像液を適用することを特徴とする現
像制御方法とするものである。

【００２０】

【実施例１】図１は本発明の現像制御方法で用いられる
現像装置の構成を示す。この現像装置は、フォトレジス
トの現像液が貯蔵されている現像液供給ユニット２と、
この現像液供給ユニット２から供給される現像液により
ウェハ上のフォトレジストの所定部分を除去する現象を
行なう現像ユニット３と、前記現像液供給ユニット２か
らこの現像ユニット３に現像液を供給する供給ライン４
の途中に、現像液における気体の溶解状態を調整する溶
解気体調整ユニット１を配置したものである。この現像
装置については、本出願人が既に、特願平２−４３２１
６号として特許出願している。

【００２１】そして、上記の現像装置を用いて、現像液
供給ユニット２から現像液を溶解気体調整ユニット１へ
供給し、この溶解気体調整ユニット１で現像液に溶解さ
せる適切な気体を選択し、現像液中に溶存する気体が適
切な濃度となるように調整する。この調整された現像液
をウェハ上のレジストに適用する。本実施例１は、レジ
ストパターン残しが疎である場合のウェハ上のレジスト
の現像制御方法に関し、このようなレジストパターンは
ライン系パターンである場合、又は孤立残しパターンで
疎である場合に相当する。その現像制御方法を次に説明
する。

【００２２】ポジレジストが塗布されたウェハを例にす
ると、ポジレジストの露光された露光部は感光剤の分解
により現像液に対するレジストの溶解度が増し、同時に
この露光部に窒素Ｎ₂ガスが溶存して多く存在してい
る。これに対して、未露光部は露光部より現像液に対し
て難溶化状態であり、かつ、窒素Ｎ₂ガスの存在が少な
い。このように、ポジレジストの露光部と未露光部とに
は現像液に対する溶解性に差が生じている。

【００２３】ウェハ上のレジストパターン残しが疎であ
る場合、現像時においては露光されたレジストの現像液
に溶け出す量が比較的多くなる。この溶け出した露光部
分のレジスト成分が他の未溶解の露光部分のレジストの
溶解を促進させるので、加速度的にレジストの溶解を進
めるようになりレジストの溶解を制御することが困難と
なる。このようなレジストの溶解が制御困難になると、
レジストパターンを形成している未露光部分のレジスト
が溶解するために、レジスト寸法が変化し、寸法不均
一、寸法コントロール性の低下等の上記した問題点が生
ずることになる。したがって、このようなウェハ上のレ
ジストパターン残しが疎である場合の現像においては、
レジストが現像液中に溶解することを防ぐ必要がある。

【００２４】このレジストが現像液中に溶解することを
防ぐ１番目の解決策として、現像液に対する窒素Ｎ₂ガ
スの溶解度よりも大である溶解度を持つ気体を現像液に
溶解して調整した現像液を用いる。このような現像液で
はレジスト中に含まれる窒素Ｎ₂ガスの溶解があまり起
こらないので、前記式（１）で示される反応で生成され
る窒素Ｎ₂ガスがレジスト中に残ることになり、それに
伴って前記式（１）で生成される分解産物が多量に現像
液中に溶解することを防ぐ。したがって、現像液に対す
る窒素Ｎ₂ガスの溶解度よりも大である溶解度を持つ前
記気体の種類、その濃度及び混合気体の混合比等を選択
し調整することにより現像を制御することができる。

【００２５】前記の現像液に対する窒素Ｎ₂ガスの溶解
度よりも大である溶解度を持つ気体には、Ａｒガス、Ｏ
₂ガス、飽和炭化水素ガス、不飽和炭化水素ガス、ＣＦ
₄ガス、ＳＦ₆ガス、ＮＦ₃ガスの各々の単独ガスが使
用でき、またこれらのガスから選ばれた２種類以上のガ
スからなる混合ガス、さらにＮ₂ガスとＡｒガスからな
る混合ガス、Ｎ₂ガスとＯ₂ガスからなる混合ガス、Ｎ
₂ガスとＣＦ₄ガスからなる混合ガス、及びＮ₂ガスと
ＡｒガスとＯ₂ガスからなる混合ガスの何れかが好適に
使用される。これらのガスを現像液に溶かして使用する
際には、水に溶解してｐＨ７以上と調整することが望ま
しい。

【００２６】また、レジストが現像液中に溶解すること
を防ぐ２番目の解決策として、露光部のレジストに溶存
している窒素Ｎ₂ガスの濃度よりも現像液に含まれる窒
素ガスの濃度が大になるように、現像液に窒素Ｎ₂ガス
を溶解して調整した現像液を用いる。このような現像液
ではレジスト中に含まれる窒素Ｎ₂ガスの溶解があまり
起こらないので、前記式（１）で示される反応で生成さ
れる窒素Ｎ₂ガスがレジスト中に残ることになり、それ
に伴って前記式（１）で生成される分解産物が多量に現
像液中に溶解することを防ぐ。したがって、露光部のレ
ジスト中に含まれている窒素Ｎ₂ガスの濃度よりも、そ
の窒素Ｎ₂ガスの濃度が大である現像液を用い、その濃
度を調整することにより、現像を制御することができ
る。

【００２７】以上の１番目の解決策及び２番目の解決策
により得られる効果を図７に示す。図７は、マスク寸法
に対する露光量と寸法の関係を表している。図７中、曲
線４１は、現像液中の気体を未調整のままの現像液を用
いて得られたレジストの寸法特性曲線の一例である。曲
線４２は、現像液中の気体を上記の１番目の解決策又は
２番目の解決策により調整した現像液を用いた場合のレ
ジストの寸法特性曲線の一例である。目標寸法４３を設
定し、目標寸法４３の許容寸法の上限４４と、目標寸法
４３の許容寸法の下限４５を設定すると、未調整の場合
では曲線４１に基づいて未調整の現像液での適正な露光
量領域４６が求められ、また、調整した場合では曲線４
２に基づいて調整された現像液での適正な露光量領域４
７が求められる。

【００２８】図７に示されるように、調整された現像液
での適正な露光量領域４７は未調整の現像液での適正な
露光量領域４６にくらべ、その帯域が広く、即ち、寸法
の許容範囲に入る露光量の領域が広く、裕度が高いこと
が理解される。つぎに、同一のウェハ面内においてパタ
ーン寸法の不均一性が問題になる場合の解決手段を説明
する。この場合には、現像液をレジストに適用する時に
周辺の大気等のガスが現像液に溶け込んで、現像液中の
溶存ガスが不均一になって同一のウェハ面内においてパ
ターン寸法が不均一になる。その解決方法には、現像液
を予め窒素Ｎ₂ガスで過飽和又は飽和に近い状態に調整
すれば、現像液中に周辺ガスが溶け込まなくなるので、
レジスト中に溶存している溶存ガスの濃度は常に一定と
なり、均一のパターンが得られる。

【００２９】

【実施例２】本実施例２は、レジストパターン残しが密
である場合のウェハ上のレジストの現像制御方法に関
し、このようなレジストパターンはライン系パターンで
ある場合、又は孤立残しパターンで密である場合に相当
する。その現像制御方法を次に説明する。

【００３０】本実施例２の現像制御方法に用いる現像装
置は前記実施例１に記載のものと同じものが使用でき
る。ウェハ上のレジストパターン残しが密である場合、
現像時においては露光されたレジストの現像液に溶けだ
す量が比較的少ない。このような場合、露光されたレジ
ストの現像液に溶解する量が少ないために、現像液中に
溶解しているレジストが未溶解のレジスト部分を溶解さ
せる促進作用は弱い。したがって、レジストパターンの
形成が進まないために、レジストを現像液中に溶解させ
て現像作用を促進させる必要がある。

【００３１】この露光されたレジストが現像液中に溶解
することを促進させる１番目の解決策として、現像液に
対する窒素Ｎ₂ガスの溶解度よりも小である溶解度を持
つ気体を溶解して調整した現像液を用いる。このような
現像液はレジスト中に含まれる窒素Ｎ₂ガスが現像液に
溶解されやすい状態であるので、前記式（１）で示され
る反応で生成される窒素Ｎ₂ガスが現像液に溶解されや
すくなる。それと同時にレジストの分解産物が現像液に
溶解されやすくなり、現像反応が進む。したがって、現
像液に対する窒素Ｎ₂ガスの溶解度よりも小である溶解
度を持つ気体の種類、その濃度及び混合気体の混合割合
等を選択し調整することにより現像を制御することがで
きる。

【００３２】前記の現像液に対する窒素Ｎ₂ガスの溶解
度よりも小である溶解度を持つ気体には、例えば、Ｈｅ
ガス又はＮｅガスの単独ガス、ＨｅガスとＮｅガスから
なる混合ガス、Ｎ₂ガスとＨｅガスからなる混合ガス、
及びＮ₂ガスとＮｅガスからなる混合ガスの何れかが使
用できる。また、この露光されたレジストが現像液中に
溶解することを促進させる２番目の解決策として、露光
部のレジストに溶存している窒素Ｎ₂ガスの濃度よりも
現像液中の窒素Ｎ₂ガスの濃度が小になるように窒素Ｎ
₂ガスを溶解して調整した現像液を用いる。このような
現像液は、レジスト中に含まれる窒素Ｎ₂ガスが現像液
に溶解されやすい状態であるので、前記式（１）で示さ
れる反応で生成される窒素Ｎ₂ガスが現像液に溶解され
やすくなる。それと同時にレジストの分解産物が現像液
に溶解されやすくなり、現像反応が進む。したがって、
前記現像液中の窒素Ｎ₂ガスの濃度を選択し調整するこ
とにより現像を制御することができる。

【００３３】以上の１番目の解決策及び２番目の解決策
により得られる効果を図８に示す。図８は、マスク寸法
に対する露光量と寸法の関係を表している。図８中、曲
線５１は、現像液中の気体を未調整のままの現像液を用
いて得られたレジストの寸法特性曲線の一例である。曲
線５２は、現像液中の気体を上記の１番目の解決策又は
２番目の解決策により調整した現像液を用いた場合のレ
ジストの寸法特性曲線の一例である。目標寸法５３を設
定し、目標寸法５３の許容寸法の上限５４と、目標寸法
の許容寸法５３の下限５５を設定すると、未調整の場合
では曲線５１に基づいて未調整の現像液での適正な露光
量領域５６が求められ、また、調整した場合では曲線５
２に基づいて調整された現像液での適正な露光量領域５
７が求められる。

【００３４】図８に示されるように、調整された現像液
での適正な露光量領域５７は未調整の現像液での適正な
露光量領域５６にくらべ、その帯域が広く、即ち、寸法
の許容範囲に入る露光量の領域が広く、裕度が高いこと
が理解される。

【００３５】

【発明の効果】（１）ライン系パターンまたは孤立残し
パターンで疎であるものを現像する場合は、レジストの
露光部と、未露光部の溶解性の差が小さくなるように調
整することにより、レジスト及びレジスト中の気体の溶
解性を制御し、寸法制御性を向上させることができる。

【００３６】（２）ホール系パターンまたは、孤立残し
パターンで密であるものを現像する場合は、レジストの
露光部と未露光部の溶解性の差が大きくなるように調整
することにより、レジスト及びレジスト中の気体の溶解
性を制御し、寸法制御性を向上させることができる。（３）本発明の現像制御方法によれば、同一ウェハ面
内、各ウェハ間、現像装置間、現像液供給系ごと、現像
ユニット間、各種レジストごと、各種レジストパターン
毎によって変化する上記の不均一性を解消し、パターン
寸法の均一性の向上や、寸法制御のやりやすさの向上、
レジストパターン等の解像特性の向上、パターン形状コ
ントロール性の向上、及び耐ノッチレーション等の向上
ができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の現像制御方法で用いられる現像装置の
構成を示す。

【図２】従来の現像液を加圧して現像ニユットに供給す
る方法に使用する現像装置であり、現像液供給タンクが
現像装置本体と一体となった現像装置を示す。

【図３】従来の現像液を加圧して現像ニユットに供給す
る方法に使用する現像装置であり、現像液供給タンクが
現像装置本体と別体である現像装置を示す。

【図４】従来の現像液を高低差により現像ニユットに供
給する方法に使用する現像装置を示す。

【図５】従来の現像液を供給ポンプを用いて現像ユニッ
トに供給する方法に使用する現像装置であり、現像液供
給タンクが現像装置本体と一体となった現像装置を示
す。

【図６】従来の現像液を供給ポンプを用いて現像ユニッ
トに供給する方法に使用する現像装置であり、現像液供
給タンクが現像装置本体と別体である現像装置を示す。

【図７】実施例１の場合のマスク寸法に対する露光量と
寸法の関係を示す。

【図８】実施例２の場合のマスク寸法に対する露光量と
寸法の関係を示す。

【符号の説明】

１溶解気体調整ユニット２現像液供給ユニット３現像ユニット４供給ライン４１，５１，４２，５２曲線４３，５３目標寸法４４，５４目標寸法の許容寸法の上限４５，５５目標寸法の許容寸法の下限４６，５６未調整の現像液での適正な露光量領域４７，５７調整された現像液での適正な露光量領域

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】レジストパターン残しが疎である露光さ
れたウェハ上のレジストに対し、現像液に対する窒素Ｎ₂ガスの溶解度よりも大である溶
解度を持つ気体を溶解して調整した現像液を適用するこ
とを特徴とする現像制御方法。
【請求項２】レジストパターン残しが疎である露光さ
れたウェハ上のレジストに対し、露光部のレジストに溶存している窒素Ｎ₂ガスの濃度よ
りも現像液中の窒素Ｎ ₂ガスの濃度が大になるように窒
素Ｎ₂ガスを溶解して調整した現像液を適用することを
特徴とする現像制御方法。
【請求項３】レジストパターン残しが密である露光さ
れたウェハ上のレジストに対し、現像液に対する窒素Ｎ₂ガスの溶解度よりも小である溶
解度を持つ気体を溶解して調整した現像液を適用するこ
とを特徴とする現像制御方法。
【請求項４】レジストパターン残しが密である露光さ
れたウェハ上のレジストに対し、露光部のレジストに溶存している窒素Ｎ₂ガスの濃度よ
りも現像液中の窒素Ｎ ₂ガスの濃度が小になるように窒
素Ｎ₂ガスを溶解して調整した現像液を適用することを
特徴とする現像制御方法。
【請求項５】前記現像液に対する窒素Ｎ₂ガスの溶解
度よりも大である溶解度を持つ気体が、ＡｒガスとＯ₂
ガスと飽和炭化水素ガスと不飽和炭化水素ガスとＣＦ₄
ガスとＳＦ₆ガスとＮＦ₃ガスからなるグループから選
ばれた一種類のガス、又はその２種類以上のガスからな
る混合ガス、Ｎ₂ガスとＡｒガスからなる混合ガス、Ｎ
₂ガスとＯ₂ガスからなる混合ガス、Ｎ₂ガスとＣＦ₄
ガスからなる混合ガス、及びＮ₂ガスとＡｒガスとＯ₂
ガスからなる混合ガスの何れかである請求項１記載の現
像制御方法。
【請求項６】前記現像液に対する窒素Ｎ₂ガスの溶解
度よりも小である溶解度を持つ気体が、ＨｅガスとＮｅ
ガスからなるグループから選ばれた一種類のガス、Ｈｅ
ガスとＮｅガスからなる混合ガス、Ｎ₂ガスとＨｅガス
からなる混合ガス、及びＮ₂ガスとＮｅガスからなる混
合ガスの何れかである請求項３記載の現像制御方法。