JPH0677122A - 薬液用配管と薬液供給装置 - Google Patents
薬液用配管と薬液供給装置Info
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- JPH0677122A JPH0677122A JP5165308A JP16530893A JPH0677122A JP H0677122 A JPH0677122 A JP H0677122A JP 5165308 A JP5165308 A JP 5165308A JP 16530893 A JP16530893 A JP 16530893A JP H0677122 A JPH0677122 A JP H0677122A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 レジスト薬液等の薬液供給でゲル状異物を効
果的に除去する。 【構成】 はじめに制御弁１８と制御弁２０は閉じられ
ている。レジストボトル内のレジスト液は、ポンプ装置
１２に吸引され、フィルターハウジング内に圧送され
る。この時の供給量は２．５ｍｌであり、濾過レート
は、０．１ｍｌ／秒である。濾過されたレジスト液は、
伸縮性予備室１６に充填される。伸縮性予備室１６密閉
容器１５内の圧力によって加圧状態になる。レジスト液
の対象物への供給は、制御弁１８を開くことによって行
われ、２秒間で２ｍｌのレジスト液がレジストノズル１
９から放出される。伸縮性予備室１６に残ったポンプ装
置１２の供給量と対象物への供給量の差分は、制御弁２
０を開くことで、フィルターエレメント１４を逆方向に
通過して排出ノズル２１より排出される。
果的に除去する。 【構成】 はじめに制御弁１８と制御弁２０は閉じられ
ている。レジストボトル内のレジスト液は、ポンプ装置
１２に吸引され、フィルターハウジング内に圧送され
る。この時の供給量は２．５ｍｌであり、濾過レート
は、０．１ｍｌ／秒である。濾過されたレジスト液は、
伸縮性予備室１６に充填される。伸縮性予備室１６密閉
容器１５内の圧力によって加圧状態になる。レジスト液
の対象物への供給は、制御弁１８を開くことによって行
われ、２秒間で２ｍｌのレジスト液がレジストノズル１
９から放出される。伸縮性予備室１６に残ったポンプ装
置１２の供給量と対象物への供給量の差分は、制御弁２
０を開くことで、フィルターエレメント１４を逆方向に
通過して排出ノズル２１より排出される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造装置
に於けるホトレジスト塗布装置等の薬液供給機構におい
て極めて清浄な薬液を供給できる薬液用配管に関するも
のである。
に於けるホトレジスト塗布装置等の薬液供給機構におい
て極めて清浄な薬液を供給できる薬液用配管に関するも
のである。
【０００２】また、本発明は、半導体装置の製造工程の
スピンコートによるレジスト薄膜形成に於いて、極めて
清浄な薬液を供給することのできる薬液供給装置に関す
るものである。
スピンコートによるレジスト薄膜形成に於いて、極めて
清浄な薬液を供給することのできる薬液供給装置に関す
るものである。
【０００３】
【従来の技術】半導体装置の製造に於けるホトリソグラ
フィー工程ではパターン形成の素材としてホトレジスト
材料が使用される。パターン寸法が２μｍ以下の超ＬＳ
Ｉの製造に於いては、ノボラック樹脂をベースレジンと
した高解像度のポジ型ホトレジストが使用される。この
ホトレジストの感光剤にはナフトキノンジアジドを感光
基とし、ポリヒドロキシベンゾフェノン等を骨格材料と
して構成されている。溶媒にはエチルセロソブルアセテ
ートが用いられている。このようにして、ホトレジスト
は、使用者に薬液として供給されている。
フィー工程ではパターン形成の素材としてホトレジスト
材料が使用される。パターン寸法が２μｍ以下の超ＬＳ
Ｉの製造に於いては、ノボラック樹脂をベースレジンと
した高解像度のポジ型ホトレジストが使用される。この
ホトレジストの感光剤にはナフトキノンジアジドを感光
基とし、ポリヒドロキシベンゾフェノン等を骨格材料と
して構成されている。溶媒にはエチルセロソブルアセテ
ートが用いられている。このようにして、ホトレジスト
は、使用者に薬液として供給されている。
【０００４】ホトレジスト塗布装置のホトレジスト供給
機構は、薬液瓶からホトレジストをくみ出して加圧する
ベローズポンプとホトレジスト中の異物を除去する濾過
器、及び半導体基板に滴下するホトレジストの温度を一
定に保つ為の熱交換器を主要部品とし、配管によってそ
れらを連結している。熱交換器の配管は２重構造をして
おり、内管にホトレジストを通し、外管に温度調節され
た温調水を循環させる方法が一般に用いられている。ホ
トレジストに接する配管は金属イオン等の不純物が溶出
しない様に高純度の弗素樹脂が使用されている。
機構は、薬液瓶からホトレジストをくみ出して加圧する
ベローズポンプとホトレジスト中の異物を除去する濾過
器、及び半導体基板に滴下するホトレジストの温度を一
定に保つ為の熱交換器を主要部品とし、配管によってそ
れらを連結している。熱交換器の配管は２重構造をして
おり、内管にホトレジストを通し、外管に温度調節され
た温調水を循環させる方法が一般に用いられている。ホ
トレジストに接する配管は金属イオン等の不純物が溶出
しない様に高純度の弗素樹脂が使用されている。
【０００５】また、半導体装置の製造工程に於けるレジ
スト薄膜の形成は、スピンコートによる方法が使用され
ている。レジスト薬液の供給は、ベローズポンプ等によ
って加圧する。この時、ポンプの入口または、出口に弗
素樹脂膜等を使用したフィルター装置を配置している。
半導体基板にレジスト薄膜を形成するのに必要な工程時
間は、基板１枚あたり３０〜５０秒程度であり、工程時
間中に２〜３ｍｌのレジスト薬液を２秒程度で基板上に
滴下する。滴下時間は、ポンプの駆動速度によって制御
される。また、最近は、ポンプ内で発生する異物を除去
するために、フィルター装置をポンプの出口に配置して
いる。
スト薄膜の形成は、スピンコートによる方法が使用され
ている。レジスト薬液の供給は、ベローズポンプ等によ
って加圧する。この時、ポンプの入口または、出口に弗
素樹脂膜等を使用したフィルター装置を配置している。
半導体基板にレジスト薄膜を形成するのに必要な工程時
間は、基板１枚あたり３０〜５０秒程度であり、工程時
間中に２〜３ｍｌのレジスト薬液を２秒程度で基板上に
滴下する。滴下時間は、ポンプの駆動速度によって制御
される。また、最近は、ポンプ内で発生する異物を除去
するために、フィルター装置をポンプの出口に配置して
いる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記従来の構
成では、半導体装置の微細化に伴いホトリソグラフィー
工程に要求される最小パターン寸法は量産段階で０.５
μｍ程度である。ホトレジスト中の異物はパターン欠陥
の原因となり、微細パターン形成に於ける大きな問題と
なる。ノボラック樹脂系のポジ型ホトレジストの異物は
感光剤が析出したものが大部分である。一旦析出物が発
生すると、それを核として急速に異物が増加する。特に
高解像度ホトレジストでは骨格材料への感光基の組込量
を多くしているために析出しやすい。また、感光剤が溶
媒のエチルセロソブルアセテートに対して難溶性である
ことも異物発生の原因となっている。ホトレジストの濾
過器は異物の除去に有効である。しかし、濾過器の後に
ホトレジストの薬液が通過する熱交換器や配管内で析出
する異物の発生を阻止することはできない。熱交換器や
配管内で析出した異物は内壁等の接液部に付着し成長す
る。成長して寸法が増大した異物は、ホトレジストの塗
布動作時に押し流されて半導体基板上に滴下される。異
物の寸法は直径が数μｍにもなりパターン欠陥の原因と
なる。このため、定期的にベローズポンプを動作させて
配管内のホトレジストを捨てたり、配管内を溶剤で洗浄
したりすることが付着した異物を除去するのに有効であ
る。しかし、高価なホトレジストの消費量が増加するた
めコスト面で不利が生じる。
成では、半導体装置の微細化に伴いホトリソグラフィー
工程に要求される最小パターン寸法は量産段階で０.５
μｍ程度である。ホトレジスト中の異物はパターン欠陥
の原因となり、微細パターン形成に於ける大きな問題と
なる。ノボラック樹脂系のポジ型ホトレジストの異物は
感光剤が析出したものが大部分である。一旦析出物が発
生すると、それを核として急速に異物が増加する。特に
高解像度ホトレジストでは骨格材料への感光基の組込量
を多くしているために析出しやすい。また、感光剤が溶
媒のエチルセロソブルアセテートに対して難溶性である
ことも異物発生の原因となっている。ホトレジストの濾
過器は異物の除去に有効である。しかし、濾過器の後に
ホトレジストの薬液が通過する熱交換器や配管内で析出
する異物の発生を阻止することはできない。熱交換器や
配管内で析出した異物は内壁等の接液部に付着し成長す
る。成長して寸法が増大した異物は、ホトレジストの塗
布動作時に押し流されて半導体基板上に滴下される。異
物の寸法は直径が数μｍにもなりパターン欠陥の原因と
なる。このため、定期的にベローズポンプを動作させて
配管内のホトレジストを捨てたり、配管内を溶剤で洗浄
したりすることが付着した異物を除去するのに有効であ
る。しかし、高価なホトレジストの消費量が増加するた
めコスト面で不利が生じる。
【０００７】また、レジスト薬液中に含まれる異物は、
形成されたレジストパターンに欠陥を生じさせる。半導
体装置の微細化が、量産レベルでハーフミクロンまで進
んだため、レジスト薬液中の異物を抑える技術がより一
層重要になってきている。異物を除去するために０.２
〜０.１μｍ相当の穴径をもつフィルター装置が使用さ
れている。しかし、ハーフミクロンの製造工程で多用さ
れるポジ型ホトレジストは、感光物質を主成分とするゲ
ル状異物が発生しやすい。ゲル状異物は、圧力を加える
と変形しながらフィルター穴を通過する。このため、除
去率が著しく低下する。現在使用されているフィルター
装置の濾過面積は、８００ｃｍ2程度である。この面積
を広くして、低い差圧で使用するようにすれば、除去率
は改善されるが、経済的ではない。
形成されたレジストパターンに欠陥を生じさせる。半導
体装置の微細化が、量産レベルでハーフミクロンまで進
んだため、レジスト薬液中の異物を抑える技術がより一
層重要になってきている。異物を除去するために０.２
〜０.１μｍ相当の穴径をもつフィルター装置が使用さ
れている。しかし、ハーフミクロンの製造工程で多用さ
れるポジ型ホトレジストは、感光物質を主成分とするゲ
ル状異物が発生しやすい。ゲル状異物は、圧力を加える
と変形しながらフィルター穴を通過する。このため、除
去率が著しく低下する。現在使用されているフィルター
装置の濾過面積は、８００ｃｍ2程度である。この面積
を広くして、低い差圧で使用するようにすれば、除去率
は改善されるが、経済的ではない。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記の問題点を解決する
ために、本発明の薬液用配管は、２つの導電膜に挟まれ
た誘電体からなる振動フィルムと、前記振動フィルムで
外被を覆われた薬液を供給する第一のチューブと、前記
振動フィルムの外表面を覆う第二のチューブと、前記第
二のチューブの周囲を温調水で満たす第三のチューブを
備えている。また、前記導電膜に交流電圧を印加する。
ために、本発明の薬液用配管は、２つの導電膜に挟まれ
た誘電体からなる振動フィルムと、前記振動フィルムで
外被を覆われた薬液を供給する第一のチューブと、前記
振動フィルムの外表面を覆う第二のチューブと、前記第
二のチューブの周囲を温調水で満たす第三のチューブを
備えている。また、前記導電膜に交流電圧を印加する。
【０００９】上記の問題点を解決するために、本発明の
薬液供給装置は、薬液加圧装置の出口に、加圧された密
閉容器に納められた伸縮性の予備室の入口を接続し、前
記予備室の出口から弁を通じて薬液を供給する。また、
前記薬液をポンプ装置で加圧した後、フィルター装置で
濾過をおこない、フィルター装置の入口を分岐してフィ
ルター装置の入口の圧力よりも低い圧力に解放される弁
を備えた薬液加圧装置を有している。
薬液供給装置は、薬液加圧装置の出口に、加圧された密
閉容器に納められた伸縮性の予備室の入口を接続し、前
記予備室の出口から弁を通じて薬液を供給する。また、
前記薬液をポンプ装置で加圧した後、フィルター装置で
濾過をおこない、フィルター装置の入口を分岐してフィ
ルター装置の入口の圧力よりも低い圧力に解放される弁
を備えた薬液加圧装置を有している。
【００１０】
【作用】上記本発明の構成によれば、薬液配管によれば
半導体製造工程のホトレジスト塗布装置に於けるホトレ
ジスト供給機構に於て極めて清浄なホトレジストを供給
することが可能となる。また、配管内を定期的に洗浄す
る必要が無い為に無駄なホトレジストの消費が減少でき
る。
半導体製造工程のホトレジスト塗布装置に於けるホトレ
ジスト供給機構に於て極めて清浄なホトレジストを供給
することが可能となる。また、配管内を定期的に洗浄す
る必要が無い為に無駄なホトレジストの消費が減少でき
る。
【００１１】また、本発明の薬液供給装置によれば、極
めて清浄な薬液供給ができる。特にフィルター装置を通
過するゲル状異物を効果的に阻止できるため、半導体装
置の製造に使用されるレジスト・スピンコーターのレジ
スト薬液供給装置として最適である。
めて清浄な薬液供給ができる。特にフィルター装置を通
過するゲル状異物を効果的に阻止できるため、半導体装
置の製造に使用されるレジスト・スピンコーターのレジ
スト薬液供給装置として最適である。
【００１２】
【実施例】図１は本発明の一実施例における薬液用配管
の構造を示したものである。これはホトレジスト塗布装
置のホトレジスト供給用に用いられる。ホトレジスト７
に接液する第一のチューブ８は肉厚が１００μｍの高純
度弗素樹脂を使用し、内径は６ｍｍ程度である。第一の
チューブ８の外被に密着する振動フィルムは導電膜６と
導電膜４に挟まれた誘電体５からなる。誘電体５は厚さ
が５μｍのポリエチレン膜である。導電膜４は誘電体の
両面にアルミニュウムを蒸着して形成されている。
の構造を示したものである。これはホトレジスト塗布装
置のホトレジスト供給用に用いられる。ホトレジスト７
に接液する第一のチューブ８は肉厚が１００μｍの高純
度弗素樹脂を使用し、内径は６ｍｍ程度である。第一の
チューブ８の外被に密着する振動フィルムは導電膜６と
導電膜４に挟まれた誘電体５からなる。誘電体５は厚さ
が５μｍのポリエチレン膜である。導電膜４は誘電体の
両面にアルミニュウムを蒸着して形成されている。
【００１３】導電膜６と導電膜４の間には交流電源１０
から配線９を通じて４０ｋＨｚの交流電圧が印加されて
いる。導電膜４を保護する第二のチューブ３は厚さが１
００μｍのポリエチレンを使用している。これは、振動
フィルムからの熱伝導率を向上させるために導電膜４に
溶着されている。第三のチューブ１内に満たされた温調
水２は温度調節器を通して循環されている。これによっ
て、誘電体５からの発熱を冷却すると共にホトレジスト
の温度を一定に保っている。この例では、ノボラック樹
脂系のポジ型ホトレジストを使用しているので、ホトレ
ジスト塗布の環境温度が２３℃である。このためホトレ
ジスト温度を２５℃に保っている。
から配線９を通じて４０ｋＨｚの交流電圧が印加されて
いる。導電膜４を保護する第二のチューブ３は厚さが１
００μｍのポリエチレンを使用している。これは、振動
フィルムからの熱伝導率を向上させるために導電膜４に
溶着されている。第三のチューブ１内に満たされた温調
水２は温度調節器を通して循環されている。これによっ
て、誘電体５からの発熱を冷却すると共にホトレジスト
の温度を一定に保っている。この例では、ノボラック樹
脂系のポジ型ホトレジストを使用しているので、ホトレ
ジスト塗布の環境温度が２３℃である。このためホトレ
ジスト温度を２５℃に保っている。
【００１４】導電膜４、６で挟まれた誘電体５は、交流
電界中に置かれるために振動を生じる。振動は第一のチ
ューブ８に伝達されてホトレジスト７で満たされた第一
のチューブ８の内壁面を常に振動させる。内壁面に付着
した異物は振動による加速度を受けて内壁面からすぐに
剥離する。ホトレジスト７中の異物は、ホトレジスト塗
布装置が塗布動作を行うに従って排出される為にパター
ン欠陥を生じる寸法までに成長することはない。第三の
チューブ１に満たされた温調水２は、振動する誘電体５
の発熱でレジスト温度が上昇するのを防止すると共にレ
ジスト温度を一定に保つ。第二のチューブ３は、温調水
２から導電膜４、６と誘電体５を保護する。
電界中に置かれるために振動を生じる。振動は第一のチ
ューブ８に伝達されてホトレジスト７で満たされた第一
のチューブ８の内壁面を常に振動させる。内壁面に付着
した異物は振動による加速度を受けて内壁面からすぐに
剥離する。ホトレジスト７中の異物は、ホトレジスト塗
布装置が塗布動作を行うに従って排出される為にパター
ン欠陥を生じる寸法までに成長することはない。第三の
チューブ１に満たされた温調水２は、振動する誘電体５
の発熱でレジスト温度が上昇するのを防止すると共にレ
ジスト温度を一定に保つ。第二のチューブ３は、温調水
２から導電膜４、６と誘電体５を保護する。
【００１５】また、図２は、本発明の実施例を示したも
のである。本例で使用するレジスト液は、ノボラック樹
脂系のポジ型ホトレジストである。はじめに構成要素の
詳細を説明する。レジスト液との接液部は、全て弗素樹
脂製の部材を使用している。ポンプ装置１２は、工程最
大容積が１０ｍｌのベローズポンプであり、出口側に逆
止弁を備える。フィルター装置は、フィルターハウジン
グ１３とフィルターエレメント１４から構成されてい
る。フィルターエレメント１４は、フィルター穴径が
０.１μｍ相当の弗素樹脂膜を使用し、濾過面積は８０
０ｃｍ2である。密閉容器１５の内部は、加圧口１７よ
り窒素ガスによって、０.５ｋｇ／ｃｍ2の圧力に保たれ
ている。伸縮性予備室１６は、厚さが１００μｍの弗素
樹脂製の管であり、最大で１５ｍｌのレジスト液を充填
できる。本実施例では、レジスト液をレジストノズル１
９から供給するためのサイクル時間は３５秒であり、２
ｍｌのレジスト液を２秒間で供給する。次に本例の動作
を説明する。はじめに制御弁１８と制御弁２０は閉じら
れている。レジストボトル１１内のレジスト液は、ポン
プ装置１２に吸引され、フィルターハウジング１３内に
圧送される。この時の供給量は２.５ｍｌであり、濾過
レートは、０.１ｍｌ／秒である。濾過されたレジスト
液は、伸縮性予備室１６に充填される。伸縮性予備室１
６は密閉容器１５内の圧力によって加圧状態になってい
る。レジスト液の対象物への供給は、制御弁１８を開く
ことによって行われ、２秒間で２ｍｌのレジスト液がレ
ジストノズル１９から放出される。伸縮性予備室１６に
残ったポンプ装置１２の供給量と対象物への供給量の差
分は、制御弁２０を開くことで、フィルターエレメント
１４を逆方向に通過して排出ノズル２１より排出され
る。このときフィルターエレメント１４は逆洗されると
ともにフィルターハウジング１３の上部に滞留した気泡
も排出される。
のである。本例で使用するレジスト液は、ノボラック樹
脂系のポジ型ホトレジストである。はじめに構成要素の
詳細を説明する。レジスト液との接液部は、全て弗素樹
脂製の部材を使用している。ポンプ装置１２は、工程最
大容積が１０ｍｌのベローズポンプであり、出口側に逆
止弁を備える。フィルター装置は、フィルターハウジン
グ１３とフィルターエレメント１４から構成されてい
る。フィルターエレメント１４は、フィルター穴径が
０.１μｍ相当の弗素樹脂膜を使用し、濾過面積は８０
０ｃｍ2である。密閉容器１５の内部は、加圧口１７よ
り窒素ガスによって、０.５ｋｇ／ｃｍ2の圧力に保たれ
ている。伸縮性予備室１６は、厚さが１００μｍの弗素
樹脂製の管であり、最大で１５ｍｌのレジスト液を充填
できる。本実施例では、レジスト液をレジストノズル１
９から供給するためのサイクル時間は３５秒であり、２
ｍｌのレジスト液を２秒間で供給する。次に本例の動作
を説明する。はじめに制御弁１８と制御弁２０は閉じら
れている。レジストボトル１１内のレジスト液は、ポン
プ装置１２に吸引され、フィルターハウジング１３内に
圧送される。この時の供給量は２.５ｍｌであり、濾過
レートは、０.１ｍｌ／秒である。濾過されたレジスト
液は、伸縮性予備室１６に充填される。伸縮性予備室１
６は密閉容器１５内の圧力によって加圧状態になってい
る。レジスト液の対象物への供給は、制御弁１８を開く
ことによって行われ、２秒間で２ｍｌのレジスト液がレ
ジストノズル１９から放出される。伸縮性予備室１６に
残ったポンプ装置１２の供給量と対象物への供給量の差
分は、制御弁２０を開くことで、フィルターエレメント
１４を逆方向に通過して排出ノズル２１より排出され
る。このときフィルターエレメント１４は逆洗されると
ともにフィルターハウジング１３の上部に滞留した気泡
も排出される。
【００１６】また、本発明者の検討によれば、フィルタ
ー装置のゲル状異物の除去率は、フィルター装置の出口
と入り口の差圧を十分に低く保つことで向上することが
見いだされた。従来技術では、レジスト薬液の滴下時間
内に所要量を濾過するため、濾過レートが１〜１.５ｍ
ｌ／秒となっていた。
ー装置のゲル状異物の除去率は、フィルター装置の出口
と入り口の差圧を十分に低く保つことで向上することが
見いだされた。従来技術では、レジスト薬液の滴下時間
内に所要量を濾過するため、濾過レートが１〜１.５ｍ
ｌ／秒となっていた。
【００１７】本実施例では、薬液加圧装置の出口に、加
圧された密閉容器に納められた伸縮性予備室１６の入口
を接続し、予備室１６の出口から制御可能な弁を通じて
対象物に薬液を供給する薬液供給装置を備えている。薬
液加圧装置は、薬液をポンプ装置で加圧した後、フィル
ター装置で濾過をおこない、フィルター装置の入口側を
分岐してポンプの加圧圧力よりも低い圧力に解放できる
制御可能な弁を備えている。これによって従来技術の１
／１０以下の濾過レートを適用できるため、フィルター
装置の差圧を十分に低くできる。
圧された密閉容器に納められた伸縮性予備室１６の入口
を接続し、予備室１６の出口から制御可能な弁を通じて
対象物に薬液を供給する薬液供給装置を備えている。薬
液加圧装置は、薬液をポンプ装置で加圧した後、フィル
ター装置で濾過をおこない、フィルター装置の入口側を
分岐してポンプの加圧圧力よりも低い圧力に解放できる
制御可能な弁を備えている。これによって従来技術の１
／１０以下の濾過レートを適用できるため、フィルター
装置の差圧を十分に低くできる。
【００１８】また、以上の構成により、レジスト薬液供
給の対象物である半導体基板にレジスト薄膜を形成する
工程時間は、基板１枚あたり３０〜５０秒にすることが
できる。このため、工程中でレジスト薬液が滴下される
時間は、２秒程度であるため、残りの時間をレジスト薬
液の濾過に費やしても支障はない。本実施例では、レジ
スト薬液が滴下される時間外に、加圧された密閉容器１
５に納められた伸縮性の予備室１６に、ポンプ装置で加
圧されたレジスト薬液がフィルター装置を通って供給さ
れる。このときの濾過レートは、０.１ｍｌ／秒程度で
あり、ゲル状異物のフィルター通過は極めて少なくなっ
ている。
給の対象物である半導体基板にレジスト薄膜を形成する
工程時間は、基板１枚あたり３０〜５０秒にすることが
できる。このため、工程中でレジスト薬液が滴下される
時間は、２秒程度であるため、残りの時間をレジスト薬
液の濾過に費やしても支障はない。本実施例では、レジ
スト薬液が滴下される時間外に、加圧された密閉容器１
５に納められた伸縮性の予備室１６に、ポンプ装置で加
圧されたレジスト薬液がフィルター装置を通って供給さ
れる。このときの濾過レートは、０.１ｍｌ／秒程度で
あり、ゲル状異物のフィルター通過は極めて少なくなっ
ている。
【００１９】伸縮性の予備室１６に所要量まで充填が終
わるとポンプは動作を停止する。工程中にレジスト薬液
を供給する時は、伸縮性の予備室１６の出口にある弁を
開いて供給する。このときの供給圧力は、伸縮性の予備
室１６が納められている密閉容器１５の加圧量によって
制御される。供給量は予備室１６の出口にある弁の開放
時間によって制御できる。この供給量は、通常ポンプ装
置が送り出す液量よりも少なく設定されている。予備室
１６内に残留した過剰なレジスト薬液はフィルター装置
の入口側から分岐した弁を通じて排出される。このと
き、薬液の流れ方向が濾過時の逆となるため、フィルタ
ー装置を逆洗することになり、フィルター装置の濾過寿
命を延ばす効果がある。
わるとポンプは動作を停止する。工程中にレジスト薬液
を供給する時は、伸縮性の予備室１６の出口にある弁を
開いて供給する。このときの供給圧力は、伸縮性の予備
室１６が納められている密閉容器１５の加圧量によって
制御される。供給量は予備室１６の出口にある弁の開放
時間によって制御できる。この供給量は、通常ポンプ装
置が送り出す液量よりも少なく設定されている。予備室
１６内に残留した過剰なレジスト薬液はフィルター装置
の入口側から分岐した弁を通じて排出される。このと
き、薬液の流れ方向が濾過時の逆となるため、フィルタ
ー装置を逆洗することになり、フィルター装置の濾過寿
命を延ばす効果がある。
【００２０】
【発明の効果】本発明の薬液配管によれば半導体製造工
程のホトレジスト塗布装置に於けるホトレジスト供給機
構に於て極めて清浄なホトレジストを供給することがで
きるので、パターン欠陥の原因となる異物を低減でき
る。また配管内を定期的に洗浄する必要が無い為に無駄
なホトレジストの消費が減少し、ホトレジスト塗布装置
の稼働率が上がる。本発明の薬液配管は様々な高純度薬
液の清浄な供給に適用できるため工業的価値が高い。
程のホトレジスト塗布装置に於けるホトレジスト供給機
構に於て極めて清浄なホトレジストを供給することがで
きるので、パターン欠陥の原因となる異物を低減でき
る。また配管内を定期的に洗浄する必要が無い為に無駄
なホトレジストの消費が減少し、ホトレジスト塗布装置
の稼働率が上がる。本発明の薬液配管は様々な高純度薬
液の清浄な供給に適用できるため工業的価値が高い。
【００２１】また、本発明の薬液供給装置によれば、極
めて清浄な薬液供給が可能である。特にフィルター装置
を通過するゲル状異物を効果的に阻止できるため、半導
体装置の製造に使用されるレジスト・スピンコーターの
レジスト薬液供給装置として最適であり、工業的価値が
高い。
めて清浄な薬液供給が可能である。特にフィルター装置
を通過するゲル状異物を効果的に阻止できるため、半導
体装置の製造に使用されるレジスト・スピンコーターの
レジスト薬液供給装置として最適であり、工業的価値が
高い。
【図１】本発明の一実施例における薬液用配管の構造を
示す図
示す図
【図２】本発明の一実施例における薬液供給装置を説明
する構成図
する構成図
１ 第三のチューブ ２ 温調水 ３ 第二のチューブ ４ 導電膜 ５ 誘電体 ６ 導電膜 ７ ホトレジスト ８ 第一のチューブ ９ 配線 １０ 交流電源 １２ ポンプ装置 １３ フィルターハウジング １４ フィルターエレメント １５ 密閉容器 １６ 伸縮性予備室 １７ 加圧口 １８ 制御弁 １９ レジストノズル ２０ 制御弁 ２１ 排出ノズル
Claims (4)
- 【請求項１】 ２つの導電膜に挟まれた誘電体からなる
振動フィルムと、前記振動フィルムで外被を覆われた薬
液を供給する第一のチューブと、前記振動フィルムの外
表面を覆う第二のチューブと、前記第二のチューブの周
囲を温調水で満たす第三のチューブを備えることを特徴
とする薬液用配管。 - 【請求項２】 前記導電膜に交流電圧を印加することを
特徴とする請求項１記載の薬液用配管。 - 【請求項３】 薬液加圧装置の出口に、加圧された密閉
容器に納められた伸縮性の予備室の入口を接続し、前記
予備室の出口から弁を通じて薬液を供給することを特徴
とする薬液供給装置。 - 【請求項４】 前記薬液をポンプ装置で加圧した後、フ
ィルター装置で濾過をおこない、フィルター装置の入口
を分岐してフィルター装置の入口の圧力よりも低い圧力
に解放される弁を備えた薬液加圧装置を有する請求項３
記載の薬液供給装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5165308A JPH0677122A (ja) | 1992-07-06 | 1993-07-05 | 薬液用配管と薬液供給装置 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17800292 | 1992-07-06 | ||
| JP4-178002 | 1992-07-06 | ||
| JP5165308A JPH0677122A (ja) | 1992-07-06 | 1993-07-05 | 薬液用配管と薬液供給装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0677122A true JPH0677122A (ja) | 1994-03-18 |
Family
ID=26490093
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5165308A Pending JPH0677122A (ja) | 1992-07-06 | 1993-07-05 | 薬液用配管と薬液供給装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0677122A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10303116A (ja) * | 1997-04-28 | 1998-11-13 | Tokyo Electron Ltd | 気泡発生防止機構およびそれを用いた液処理装置、ならびに液供給機構 |
| JP2005524871A (ja) * | 2002-05-09 | 2005-08-18 | ボーデン・ケミカル・インコーポレーテッド | 突起状の塊がない材料の製造方法および使用方法、ならびに、突起状の塊がない材料で被膜された製造物 |
| JP2007258367A (ja) * | 2006-03-22 | 2007-10-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薬液供給装置および半導体装置の製造方法 |
-
1993
- 1993-07-05 JP JP5165308A patent/JPH0677122A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10303116A (ja) * | 1997-04-28 | 1998-11-13 | Tokyo Electron Ltd | 気泡発生防止機構およびそれを用いた液処理装置、ならびに液供給機構 |
| JP2005524871A (ja) * | 2002-05-09 | 2005-08-18 | ボーデン・ケミカル・インコーポレーテッド | 突起状の塊がない材料の製造方法および使用方法、ならびに、突起状の塊がない材料で被膜された製造物 |
| JP2007258367A (ja) * | 2006-03-22 | 2007-10-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薬液供給装置および半導体装置の製造方法 |
| JP4646234B2 (ja) * | 2006-03-22 | 2011-03-09 | パナソニック株式会社 | 薬液供給装置および半導体装置の製造方法 |
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