JPH0676941B2 - 圧力検出装置 - Google Patents
圧力検出装置Info
- Publication number
- JPH0676941B2 JPH0676941B2 JP61073717A JP7371786A JPH0676941B2 JP H0676941 B2 JPH0676941 B2 JP H0676941B2 JP 61073717 A JP61073717 A JP 61073717A JP 7371786 A JP7371786 A JP 7371786A JP H0676941 B2 JPH0676941 B2 JP H0676941B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- temperature
- pressure
- circuit
- output
- terminal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L1/00—Measuring force or stress, in general
- G01L1/20—Measuring force or stress, in general by measuring variations in ohmic resistance of solid materials or of electrically-conductive fluids; by making use of electrokinetic cells, i.e. liquid-containing cells wherein an electrical potential is produced or varied upon the application of stress
- G01L1/22—Measuring force or stress, in general by measuring variations in ohmic resistance of solid materials or of electrically-conductive fluids; by making use of electrokinetic cells, i.e. liquid-containing cells wherein an electrical potential is produced or varied upon the application of stress using resistance strain gauges
- G01L1/2268—Arrangements for correcting or for compensating unwanted effects
- G01L1/2281—Arrangements for correcting or for compensating unwanted effects for temperature variations
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
- Indication And Recording Devices For Special Purposes And Tariff Metering Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、圧力検出装置に係り、特に圧力検出素子の出
力温度補償手段に関する。
力温度補償手段に関する。
従来、圧力検出装置として用いられている半導体圧力セ
ンサの出力温度補償は、感温素子の出力をもとにゲージ
抵抗の温度変化を打ち消すような補償回路により行なつ
ている。
ンサの出力温度補償は、感温素子の出力をもとにゲージ
抵抗の温度変化を打ち消すような補償回路により行なつ
ている。
この温度補償回路は、各々の半導体圧力センサがそれぞ
れ異なつた非線形な温度特性を有するため、温度により
変化せず圧力に比例する出力を得るために、最適な非線
形感温素子の選定および、調整工程を必要とする。
れ異なつた非線形な温度特性を有するため、温度により
変化せず圧力に比例する出力を得るために、最適な非線
形感温素子の選定および、調整工程を必要とする。
従来の調整工程は、温度補償回路を構成する厚膜導体抵
抗をレーザでカツトすることで補償に必要な最適抵抗値
を得ていたが、レーザトリミング箇所が十数ケ所に及
び、その中にはセンサ単体を高，低温雰囲気下において
レーザトリミングする工程も必要としていた。
抗をレーザでカツトすることで補償に必要な最適抵抗値
を得ていたが、レーザトリミング箇所が十数ケ所に及
び、その中にはセンサ単体を高，低温雰囲気下において
レーザトリミングする工程も必要としていた。
この調整工程を簡素化するものとして、米国特許第4192
005号の第１図に示されるように温度補償回路の代わり
に、無補償状態の感圧素子出力と温度センサの出力をメ
モリに記憶させておき、温度センサの出力に応じて、マ
イクロコンで感圧素子出力を、目標とする温度に依存せ
ず圧力にのみ比例する出力に変換していた。
005号の第１図に示されるように温度補償回路の代わり
に、無補償状態の感圧素子出力と温度センサの出力をメ
モリに記憶させておき、温度センサの出力に応じて、マ
イクロコンで感圧素子出力を、目標とする温度に依存せ
ず圧力にのみ比例する出力に変換していた。
ところが感温素子出力は、圧力に無関係な変化成分（以
後ゼロ点と称する）と圧力に比例して変化する成分（以
後スパンと称する）に分離して考えることができるが、
温度特性無補償時の−40〜125℃における出力変化は、
それぞれ約５％〜15％にも及ぶ。
後ゼロ点と称する）と圧力に比例して変化する成分（以
後スパンと称する）に分離して考えることができるが、
温度特性無補償時の−40〜125℃における出力変化は、
それぞれ約５％〜15％にも及ぶ。
従つてこれらをマイクロコンに入力して出力補償する場
合のデータ入力側の実質的なダイナミツクレンジは、正
規なものの80％程度しか用いることができず、分解能が
制限され、高精度化の障害となつていた。
合のデータ入力側の実質的なダイナミツクレンジは、正
規なものの80％程度しか用いることができず、分解能が
制限され、高精度化の障害となつていた。
本発明の目的は、感温素子による測定を高分解能に、か
つ測定誤差をなくすことのできる圧力検出装置を提供す
ることにある。
つ測定誤差をなくすことのできる圧力検出装置を提供す
ることにある。
感圧素子の温度特性を補正する方法として、感圧素子の
駆動回路に印加する電力を、測定検出回路より得られる
温度と、温度及び駆動回路印加電圧の関係を記憶させた
メモリを用いて、マイクロコンで制御し感圧素子温度特
性及び回路自体の温度特性と相殺させることで、温度変
化に依存せず圧力のみと比例した出力特性を得ようとい
うものである。
駆動回路に印加する電力を、測定検出回路より得られる
温度と、温度及び駆動回路印加電圧の関係を記憶させた
メモリを用いて、マイクロコンで制御し感圧素子温度特
性及び回路自体の温度特性と相殺させることで、温度変
化に依存せず圧力のみと比例した出力特性を得ようとい
うものである。
すなわち、本発明は、ROMの内蔵されたマイクロコンピ
ユータと、圧力変動によつて変化する抵抗値によつて圧
力を検出する圧力検出回路と、該回路に電力を供給して
該回路を駆動する駆動回路と、前記圧力検出回路の雰囲
気温度を検出する温度検出回路とよりなる圧力検出装置
において、上記圧力検出回路を構成する素子に供給する
電力の温度による変化特性より求められる温度特性補償
電力を予め上記メモリに格納すると共に、上記マイクロ
コンピユータの指令に基づいて駆動しゼロドリフトを補
償するゼロ点補償回路を設け、上記温度検出回路により
検出された温度から当該温度における前記メモリに記憶
されている圧力検出素子の温度特性補償電力を求め、最
適温度補償供給電流を上記圧力検出回路の入力端子に最
適温度補償供給電圧を上記圧力検出回路の出力端子に供
給することを特徴とするものである。
ユータと、圧力変動によつて変化する抵抗値によつて圧
力を検出する圧力検出回路と、該回路に電力を供給して
該回路を駆動する駆動回路と、前記圧力検出回路の雰囲
気温度を検出する温度検出回路とよりなる圧力検出装置
において、上記圧力検出回路を構成する素子に供給する
電力の温度による変化特性より求められる温度特性補償
電力を予め上記メモリに格納すると共に、上記マイクロ
コンピユータの指令に基づいて駆動しゼロドリフトを補
償するゼロ点補償回路を設け、上記温度検出回路により
検出された温度から当該温度における前記メモリに記憶
されている圧力検出素子の温度特性補償電力を求め、最
適温度補償供給電流を上記圧力検出回路の入力端子に最
適温度補償供給電圧を上記圧力検出回路の出力端子に供
給することを特徴とするものである。
以下、本発明の実施例について説明する。
第１図には、本発明の一実施例が示されている。
図において、G5は半導体拡散技術により形成されたピエ
ゾ抵抗素子とエツチングにより形成されたシリコンダイ
ヤフラムを有する感圧素子上の不感圧帯に形成された不
純物拡散層から成る感温素子の出力を温度センサ４とし
て用いる。
ゾ抵抗素子とエツチングにより形成されたシリコンダイ
ヤフラムを有する感圧素子上の不感圧帯に形成された不
純物拡散層から成る感温素子の出力を温度センサ４とし
て用いる。
G5は電源端子ＶCCに接続された感圧素子の駆動電流を決
める抵抗RT1と端子ａで直列に接続させる。
める抵抗RT1と端子ａで直列に接続させる。
温度により変化する端子ａの電位は、増幅回路３により
増幅され、A/D変換器（以下A/D）２を介してマイクロプ
ロセツサ（以下CPU）１に入力される。なおG5より温度
データを取込む場合、増幅器を介さずにA/D変換する方
法も採用できるのは周知の通りである。
増幅され、A/D変換器（以下A/D）２を介してマイクロプ
ロセツサ（以下CPU）１に入力される。なおG5より温度
データを取込む場合、増幅器を介さずにA/D変換する方
法も採用できるのは周知の通りである。
増幅回路３のオペアンプOPTの負入力端子は前記ａ端子
に、正入力端子は電源端子ＶCCに接続された抵抗RT
2と、GNDに接続された抵抗RT3の接続される端子ｂに、
出力端子はA/D2にそれぞれ接続される。
に、正入力端子は電源端子ＶCCに接続された抵抗RT
2と、GNDに接続された抵抗RT3の接続される端子ｂに、
出力端子はA/D2にそれぞれ接続される。
RT4はオペアンプOPTの帰還抵抗である。
抵抗RT1乃至RT4は温度変化に対して鈍感な抵抗で構成さ
れている。
れている。
G1乃至G4は前記G5と同じくシリコンダイヤフラムの表面
に形成された不純物拡散層から成るゲージ抵抗で、その
うちのG1乃至G4はG1とG3及びG2とG4が互いに対向する辺
になる様接続されたホイートストンブリツジ７を構成し
ており、入力端子P2を介して一端をGNDに接続した抵抗R
5と直列に接続されている。
に形成された不純物拡散層から成るゲージ抵抗で、その
うちのG1乃至G4はG1とG3及びG2とG4が互いに対向する辺
になる様接続されたホイートストンブリツジ７を構成し
ており、入力端子P2を介して一端をGNDに接続した抵抗R
5と直列に接続されている。
感圧素子G1乃至G4はダイヤフラムに作用する圧力が零の
時、G1＝G2＝G3＝G4となる様設定する。
時、G1＝G2＝G3＝G4となる様設定する。
ブリツジ７の入力端子P1に接続される定電流回路６は、
CPU1に制御され、温度変化に伴い感圧素子の出力に応じ
あらかじめROM11にセツトされたデータに応じて電位を
変化させるD/A5と、これに直列に接続された抵抗RS1,RS
1と端子Ｃで直列に接続されたRS2、前記RS2と端子ｄで
接続された電源端子ＶCCに接続された抵抗RS3とGNDに接
続された抵抗RS4、及びオペアンプOPSより成る。
CPU1に制御され、温度変化に伴い感圧素子の出力に応じ
あらかじめROM11にセツトされたデータに応じて電位を
変化させるD/A5と、これに直列に接続された抵抗RS1,RS
1と端子Ｃで直列に接続されたRS2、前記RS2と端子ｄで
接続された電源端子ＶCCに接続された抵抗RS3とGNDに接
続された抵抗RS4、及びオペアンプOPSより成る。
抵抗RS1乃至RS4は温度変化に対して鈍感な抵抗で構成さ
れている。
れている。
オペアンプOPSの正入力端子は、前記端子Ｃに、負入力
端子はブリツジ７の入力端子P2に、出力端子はブリツジ
７の入力端子P1に接続される。
端子はブリツジ７の入力端子P2に、出力端子はブリツジ
７の入力端子P1に接続される。
ブリツジ７の出力端子Q1に接続される定電源回路９はCP
U1に制御されD/A8とこれに直列に接続された抵抗RZ1,RZ
1と端子ｅで接続された抵抗RZ2,RZ2と端子ｆで接続され
た電源端子ＶCCに接続されたRZ3とGND端子に接続された
抵抗RZ4、及びオペアンプOPZより成る。
U1に制御されD/A8とこれに直列に接続された抵抗RZ1,RZ
1と端子ｅで接続された抵抗RZ2,RZ2と端子ｆで接続され
た電源端子ＶCCに接続されたRZ3とGND端子に接続された
抵抗RZ4、及びオペアンプOPZより成る。
抵抗RZ1乃至RZ4は温度変化に対して鈍感な抵抗で構成さ
れている。
れている。
オペアンプOPZの出力端子は、ブリツジ７の出力端子Q1
に、正端子は前記端子ｅに、負端子はオペアンプOPZの
出力端子ｇに接続される。
に、正端子は前記端子ｅに、負端子はオペアンプOPZの
出力端子ｇに接続される。
ブリツジ７の出力端子Q1は抵抗R2を介してオペアンプOP
Aの正端子へ、ブリツジ７の出力端子Q2は抵抗R1を介し
てオペアンプOPAの負端子へそれぞれ接続される。
Aの正端子へ、ブリツジ７の出力端子Q2は抵抗R1を介し
てオペアンプOPAの負端子へそれぞれ接続される。
R3はオペアンプOPAの帰還抵抗、R4は分圧抵抗である。
抵抗R1乃至R4は温度変化に対して鈍感な抵抗で構成され
ている。
ている。
ダイヤフラムに圧力が作用するとブリツジ７の平衡がく
ずれ、出力端子Q1,Q2の電位V1,V2の電位差V1−V2がその
圧力に応じて変化する。
ずれ、出力端子Q1,Q2の電位V1,V2の電位差V1−V2がその
圧力に応じて変化する。
オペアンプOPA及び抵抗R1乃至R4で構成された平衡入力
型増幅回路10は、ブリツジ７の出力電圧V1−V2を所定の
出力電圧E0に増幅する。
型増幅回路10は、ブリツジ７の出力電圧V1−V2を所定の
出力電圧E0に増幅する。
前記出力電圧は第２図に示すようにゲージ抵抗の温度特
性により零点誤差とスパン誤差が含まれる。
性により零点誤差とスパン誤差が含まれる。
ゲージ抵抗のスパン特性は第３図（ａ）に示すように温
度変化するが、ブリツジ７の入力端子P1に印加する電流
変化を第３図（ｂ）に示すようにスパン温度特性の逆特
性として与えることで第３図（ｃ）に示すごとくスパン
温度特性を相殺させることができる。
度変化するが、ブリツジ７の入力端子P1に印加する電流
変化を第３図（ｂ）に示すようにスパン温度特性の逆特
性として与えることで第３図（ｃ）に示すごとくスパン
温度特性を相殺させることができる。
前記原理に基づいた温度と入力端子P1に印加させる電圧
の関係値をROM11に記憶させる。
の関係値をROM11に記憶させる。
温度センサ４により感知されるブリツジ周囲の温度を電
圧に変換し、増幅回路３、D/A2を介しCPU1に入力するこ
とで、その温度に対する印加すべき電圧値がROM11より
わかる。
圧に変換し、増幅回路３、D/A2を介しCPU1に入力するこ
とで、その温度に対する印加すべき電圧値がROM11より
わかる。
この電圧データをD/A5に出力し、定電流回路６を介して
ブリツジの入力端子P1に与えることでスパン温度特性が
補正されるため、スパン誤差が相殺される。
ブリツジの入力端子P1に与えることでスパン温度特性が
補正されるため、スパン誤差が相殺される。
抵抗RS3とRS4の値を適当に与えることで端子ｄに任意の
電位が与えられる。オペアンプOPSの正端子に与えられ
るｃ端子の電位ＶＣは、D/Aで与えられる電位ＶDAと前
記ｄ端子の電位Ｖｄ及び抵抗RS1,RS2により以下の式で
与えられる。
電位が与えられる。オペアンプOPSの正端子に与えられ
るｃ端子の電位ＶＣは、D/Aで与えられる電位ＶDAと前
記ｄ端子の電位Ｖｄ及び抵抗RS1,RS2により以下の式で
与えられる。
上記のごとく抵抗RS1とRS2を任意に与えることで、Ｃ端
子の電位を自在に変えることができるため、Ｃ端子電圧
を微小変化させる場合でもD/A5に大きな電位変化を与え
ることが可能でありA/D変換器の分解能による誤差を最
小限抑えることができ、高精度補償ができる。
子の電位を自在に変えることができるため、Ｃ端子電圧
を微小変化させる場合でもD/A5に大きな電位変化を与え
ることが可能でありA/D変換器の分解能による誤差を最
小限抑えることができ、高精度補償ができる。
ゲージ抵抗及びオペアンプOPS,OPZ,OPAのゼロ点温度特
性は第４図（ａ）に示すごとく温度変化するが、ブリツ
ジ７の出力端子Q1に印加する電圧変化を第４図（ｂ）に
示すようにゼロ点温度特性の逆特性を与えることで第４
図（ｃ）に示すごとくゼロ点温度特性誤差を相殺させる
ことができる。
性は第４図（ａ）に示すごとく温度変化するが、ブリツ
ジ７の出力端子Q1に印加する電圧変化を第４図（ｂ）に
示すようにゼロ点温度特性の逆特性を与えることで第４
図（ｃ）に示すごとくゼロ点温度特性誤差を相殺させる
ことができる。
上記原理に基づいた温度と入力端子Q1に印加させる電圧
の関係値をROM11に記憶させる。
の関係値をROM11に記憶させる。
温度センサ４、増幅回路３、A/D2によりブリツジ周囲の
温度がCPU1に与えられ、CPU1は温度に対する端子Q1に与
える電位を前記ROMにより得、その電圧データをD/A8に
出力し定電圧回路９に与えることで端子Q1にゼロ点温度
特性を補償するための電位を与えることができ、これに
より第４図（ｃ）に示すごとくゼロ点誤差を相殺でき
る。
温度がCPU1に与えられ、CPU1は温度に対する端子Q1に与
える電位を前記ROMにより得、その電圧データをD/A8に
出力し定電圧回路９に与えることで端子Q1にゼロ点温度
特性を補償するための電位を与えることができ、これに
より第４図（ｃ）に示すごとくゼロ点誤差を相殺でき
る。
第５図にゼロ点とスパン温度特性を補償するための温度
と印加電圧の関係をROMに記憶させる手順の一例をフロ
ーチヤートにより示す。
と印加電圧の関係をROMに記憶させる手順の一例をフロ
ーチヤートにより示す。
第１図に示した回路構成をもつセンサ組立て後ブリツジ
７に一定電流が印加されるようD/A5及びD/A8をCPU1で制
御し、温度センサ４の増幅後の出力及びセンサ出力E0を
モニタできるよう外部計測器を設置し、測定結果を記憶
し演算可能で計算結果を任意にROMに書込むことのでき
る計算機を前記測定器に接続する。
７に一定電流が印加されるようD/A5及びD/A8をCPU1で制
御し、温度センサ４の増幅後の出力及びセンサ出力E0を
モニタできるよう外部計測器を設置し、測定結果を記憶
し演算可能で計算結果を任意にROMに書込むことのでき
る計算機を前記測定器に接続する。
測定回数をｉ、任意の温をＴｉ、初期設定温度をＴａ、
温度変化量をＴｓとしてはじめに設定し、計算機に記憶
させておき、センサの温度状態を次式のごとく設定す
る。
温度変化量をＴｓとしてはじめに設定し、計算機に記憶
させておき、センサの温度状態を次式のごとく設定す
る。
Ｔｉ＝Ｔａ×ｉ×Ｔｓ ダイヤフラムに大気圧Ｐａが印加されている時の任意の
温度Ｔｉでのセンサ出力E0をf1（Ｔｉ）としてf
1（Ｔｉ）測定後、Ｔｉ、f1（Ｔｉ）を外部計算機に記
憶させる。
温度Ｔｉでのセンサ出力E0をf1（Ｔｉ）としてf
1（Ｔｉ）測定後、Ｔｉ、f1（Ｔｉ）を外部計算機に記
憶させる。
次に同温度Ｔｉでセンサに圧力Ｐｂを印加し、そのとき
のセンサ出力E0をf2（Ｔｉ）として、f2（Ｔｉ）測定
後、Ｔｉ,f2（Ｔｉ）を外部記憶部に記憶させる。
のセンサ出力E0をf2（Ｔｉ）として、f2（Ｔｉ）測定
後、Ｔｉ,f2（Ｔｉ）を外部記憶部に記憶させる。
スパン出力をｇ（Ｔｉ）として、外部計算機でｇ
（Ｔｉ）を計算後、外部計算機に記憶させる。
（Ｔｉ）を計算後、外部計算機に記憶させる。
以上のセンサ出力測定を、測定開始前に決めた測定回数
だけくり返し行なう。
だけくり返し行なう。
測定終終了後、外部計算機でゼロ点出力（Ｐ＝Ｐａでの
スパン出力）f1（Ｔｉ）とＴｉの関係を次式で近似する
ため最小２乗法により係数α１乃至α４を求める。
スパン出力）f1（Ｔｉ）とＴｉの関係を次式で近似する
ため最小２乗法により係数α１乃至α４を求める。
ｆ（Ｔ）＝α０＋α1T＋α2T2＋α3T3 次にｆ（Ｔ）の次式による逆特性Ｆ（Ｔ）を求めるため
同様に最小２乗法でA0乃至A3を求める。
同様に最小２乗法でA0乃至A3を求める。
Ｆ（Ｔ）＝A0＋A1T＋A2T2＋A3T3 次にスパン出力ｇ（Ｔｉ）とＴｉの関係を次式で近似す
るため最小２乗法により係数β０乃至β３を求める。
るため最小２乗法により係数β０乃至β３を求める。
ｇ（Ｔ）＝β０＋β1T＋β2T2＋β3T3 次にｇ（Ｔ）の次式による逆特性Ｇ（Ｔ）を求めるため
最小２乗法によりβ０乃至β３を求める。
最小２乗法によりβ０乃至β３を求める。
Ｇ（Ｔ）＝β０＋β1T＋β2T2＋β3T3 以上により求めたＦ（Ｔ）,G（Ｔ）の温度特性式を外部
計算機によりROMに記憶させる。
計算機によりROMに記憶させる。
第二の調整方法について、第６図に示すフローチヤート
を用いて説明する。
を用いて説明する。
例えば、あらかじめ異なる９種類の温度と温度補償値の
関係を記憶させてあるROMを用いることで温度補償工程
を簡略化したものである。
関係を記憶させてあるROMを用いることで温度補償工程
を簡略化したものである。
第１図に示したセンサ組立て後、圧力印加装置外部計算
機及び計測器を設置し、温度雰囲気Ｔａ，印加圧力Ｐａ
でのセンサ出力Ｖａを測定し、計算機に記憶させ、次に
印加圧力Ｐｂでのセンサ出力Ｖｂを測定後、同様に計算
機に記憶させ、次にスパン出力Ｖｓ＝Ｖａ−Ｖｂを計算
し計算機に記憶させる。
機及び計測器を設置し、温度雰囲気Ｔａ，印加圧力Ｐａ
でのセンサ出力Ｖａを測定し、計算機に記憶させ、次に
印加圧力Ｐｂでのセンサ出力Ｖｂを測定後、同様に計算
機に記憶させ、次にスパン出力Ｖｓ＝Ｖａ−Ｖｂを計算
し計算機に記憶させる。
第７図（ａ）に温度Ｔａにおけるゼロ点出力Ｖａとゼロ
点温度特性式との相関関係を示し、第７図（ｂ）に温度
Ｔａにおけるスパン出力Ｖｓとスパン温度特性式の相関
関係を示す。
点温度特性式との相関関係を示し、第７図（ｂ）に温度
Ｔａにおけるスパン出力Ｖｓとスパン温度特性式の相関
関係を示す。
第７図（ａ）は乃至の領域に分けてあるが各領域で
のゼロ点温度補償に用いる中心特性が既知であるので、
前記Ｖａをこの表に照合して該当する領域を選択し、そ
の領域番号を計算機に記憶させる。
のゼロ点温度補償に用いる中心特性が既知であるので、
前記Ｖａをこの表に照合して該当する領域を選択し、そ
の領域番号を計算機に記憶させる。
ただし、各領域には幅があるので、中心特性からのずれ
が誤差となるのはまぬがれない。
が誤差となるのはまぬがれない。
第７図（ｂ）も同様に乃至の領域に分けてあり、前
記Ｖｓに該当する領域を選択し、領域番号を記憶させ
る。
記Ｖｓに該当する領域を選択し、領域番号を記憶させ
る。
以上により選択されたゼロ点及びスパンの温度特性の組
を第８図より選択し、補償に必要なデータが記憶されて
いるROMの番地を指定する。
を第８図より選択し、補償に必要なデータが記憶されて
いるROMの番地を指定する。
以上説明したように、本発明によれば、感圧素子温度に
対応して感圧素子に流す電力を制御することにより、温
度依存性のない高精度な圧力センサを提供することがで
きる。
対応して感圧素子に流す電力を制御することにより、温
度依存性のない高精度な圧力センサを提供することがで
きる。
特にマイクロコンを用いて感圧素子データとこれに対応
した感圧素子電力データを記憶部に記憶させとくことに
より、調整作業を削除できるメリツトをもつている。
した感圧素子電力データを記憶部に記憶させとくことに
より、調整作業を削除できるメリツトをもつている。
第１図は本発明の一実施例を示す回路図、第２図は圧力
検出器の出力誤差の種類を説明した図、第３図と第４図
は本発明による温度補償原理を説明するための特性図、
第５図，第６図はROMにデータを書込む手順を示すフロ
ーチヤート、第７図はゼロ点特性式とゼロ点出力の相関
図とスパン特性式とスパン出力の相関図、第８図は第６
図に示したROM作成手順に用いるROMに記憶されている特
性のパターンを示す図である。 １……マイクロコン、２……A/D変換器、３……増幅回
路、４……温度センサ、５……D/A変換器、６……定電
流駆動回路、７……ブリツジ（感圧部）、８……D/A変
換器、９……定電圧駆動回路、10……検出回路、11……
ROM。
検出器の出力誤差の種類を説明した図、第３図と第４図
は本発明による温度補償原理を説明するための特性図、
第５図，第６図はROMにデータを書込む手順を示すフロ
ーチヤート、第７図はゼロ点特性式とゼロ点出力の相関
図とスパン特性式とスパン出力の相関図、第８図は第６
図に示したROM作成手順に用いるROMに記憶されている特
性のパターンを示す図である。 １……マイクロコン、２……A/D変換器、３……増幅回
路、４……温度センサ、５……D/A変換器、６……定電
流駆動回路、７……ブリツジ（感圧部）、８……D/A変
換器、９……定電圧駆動回路、10……検出回路、11……
ROM。
Claims (1)
- 【請求項１】ROMの内蔵されたマイクロコンピユータ
と、圧力変動によつて変化する抵抗値によつて圧力を検
出する圧力検出回路と、該回路に電力を供給して該回路
を駆動する駆動回路と、前記圧力検出回路の雰囲気温度
を検出する温度検出回路とよりなる圧力検出装置におい
て、上記圧力検出回路を構成する素子に供給する電力の
温度による変化特性より求められる温度特性補償電力を
予め上記メモリに格納すると共に、上記マイクロコンピ
ユータの指令に基づいて駆動しゼロドリフトを補償する
ゼロ点補償回路を設け、上記温度検出回路により検出さ
れた温度から当該温度における前記メモリに記憶されて
いる圧力検出素子の温度特性補償電力を求め、最適温度
補償供給電流を上記圧力検出回路の入力端子に最適温度
補償供給電圧を上記圧力検出回路の出力端子に供給する
ことを特徴とする圧力検出装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61073717A JPH0676941B2 (ja) | 1986-03-31 | 1986-03-31 | 圧力検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61073717A JPH0676941B2 (ja) | 1986-03-31 | 1986-03-31 | 圧力検出装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62229040A JPS62229040A (ja) | 1987-10-07 |
| JPH0676941B2 true JPH0676941B2 (ja) | 1994-09-28 |
Family
ID=13526251
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61073717A Expired - Lifetime JPH0676941B2 (ja) | 1986-03-31 | 1986-03-31 | 圧力検出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0676941B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4569701B2 (ja) * | 2002-11-08 | 2010-10-27 | 株式会社デンソー | ガス濃度検出装置 |
-
1986
- 1986-03-31 JP JP61073717A patent/JPH0676941B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62229040A (ja) | 1987-10-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3399953B2 (ja) | 圧力センサ | |
| JP2954406B2 (ja) | カテーテル先端圧力トランスジューサの温度補償装置および方法 | |
| US4798093A (en) | Apparatus for sensor compensation | |
| EP0239094B1 (en) | Semiconductor strain gauge bridge circuit | |
| JP2002148131A (ja) | 物理量検出装置 | |
| JPH0777266B2 (ja) | 半導体歪み検出装置 | |
| GB2201791A (en) | Transducer signal conditioner | |
| JP2579143B2 (ja) | プロセス変数センサのディジタル補正の方法およびそのためのプロセス変数発信器 | |
| US5764067A (en) | Method and apparatus for sensor signal conditioning using low-cost, high-accuracy analog circuitry | |
| US4196382A (en) | Physical quantities electric transducers temperature compensation circuit | |
| GB2156087A (en) | Temperature compensated resistance bridge circuit | |
| JPH0676941B2 (ja) | 圧力検出装置 | |
| JPS6255629B2 (ja) | ||
| JPS6248280B2 (ja) | ||
| JPH0313537B2 (ja) | ||
| US11747379B2 (en) | Active measurement correction of resistive sensors | |
| JPH0814521B2 (ja) | 半導体圧力センサの温度補償方法 | |
| JPH0476047B2 (ja) | ||
| KR19980084452A (ko) | 압력센서의 온도 보상 회로 | |
| US4044613A (en) | Direct reading temperature measuring bridge circuit | |
| KR830001352B1 (ko) | 영점 온도보상을 갖는 반도체 압력검출장치 | |
| JPH0431535Y2 (ja) | ||
| JPH07139985A (ja) | 熱式空気流量測定装置 | |
| SU1401258A2 (ru) | Тензопреобразователь | |
| JP2639101B2 (ja) | 圧力検出装置 |