JPH0673544A - Electron beam heater - Google Patents
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- JPH0673544A JPH0673544A JP4229648A JP22964892A JPH0673544A JP H0673544 A JPH0673544 A JP H0673544A JP 4229648 A JP4229648 A JP 4229648A JP 22964892 A JP22964892 A JP 22964892A JP H0673544 A JPH0673544 A JP H0673544A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、電子ビーム加熱装置に
係わり、更に詳しくは、真空蒸着、スパッタ蒸着、イオ
ンプレーティング、ＣＶＤ（化学的気相蒸着法）等の連
続真空処理設備において電子ビームにより走行基板を加
熱する装置に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an electron beam heating apparatus, and more particularly to an electron beam in a continuous vacuum processing equipment such as vacuum vapor deposition, sputter vapor deposition, ion plating, CVD (chemical vapor deposition). The present invention relates to a device for heating a traveling substrate by means of.
【０００２】[0002]
【従来の技術】真空蒸着(vacuum deposition) 、スパッ
タ蒸着(sputter deposition)、イオンプレーティング(i
on plating) 、或いは化学蒸着(chemical vapor deposi
tion,ＣＶＤ) 等の成膜プロセスにおいて連続した薄板
状の走行基板を加熱するために電子ビームを用いた電子
ビーム加熱装置が従来から用いられている。かかる電子
ビーム加熱装置は、電子ビームの照射ポイントを自由に
選択でき、加熱温度を各々のポイントの滞在時間を調整
することにより、自由に調整できることから、所定の範
囲内の任意の場所に、任意の温度分布で短時間で加熱で
き、かつ許容エネルギー密度が高いため、走行基板の狭
い範囲で加熱できるため装置が小型になる、等の多くの
長所を有する。従って、電子ビーム加熱装置は、予熱用
に、例えば成膜前に走行基板を加熱して表面に付着した
不純物を蒸発して清浄するため、又は成膜した膜と走行
基板の密着性を向上させるために用いられ、かつ、後熱
用に、例えば、成膜後に膜と走行基板との密着性を熱拡
散によって更に向上させるため、又は成膜後の多層膜、
複合膜、あるいは膜と走行基板の合金化のために用いら
れている。2. Description of the Related Art Vacuum deposition, sputter deposition, ion plating (i.
on plating, or chemical vapor deposi
An electron beam heating apparatus using an electron beam has been conventionally used for heating a continuous thin plate-shaped traveling substrate in a film forming process such as ionization (CVD, CVD). In such an electron beam heating apparatus, the irradiation point of the electron beam can be freely selected, and the heating temperature can be freely adjusted by adjusting the staying time of each point, so that the heating temperature can be adjusted to any place within a predetermined range. Since it can be heated in a short time with the above temperature distribution and has a high allowable energy density, it can be heated in a narrow range of the traveling substrate, so that the device can be downsized, and many other advantages are provided. Therefore, the electron beam heating device preheats, for example, heats the traveling substrate before film formation to evaporate and clean impurities adhering to the surface, or improve adhesion between the formed film and the traveling substrate. And for post-heating, for example, to further improve the adhesion between the film and the traveling substrate by thermal diffusion after film formation, or a multilayer film after film formation,
It is used for alloying composite films, or films and running substrates.
【０００３】かかる従来の電子ビーム加熱装置は、例え
ば図５に示すように、１０-3〜１０ -5Ｔｏｒｒに真空排
気された（排気装置は示さず）真空チャンバー１５と、
薄板状の走行基板１１を水平に案内するガイドローラー
１６と、電子ビーム１３を照射しこれを前後、左右にス
イープ（掃射）させる電子銃１２とを備え、走行する薄
板状の走行基板１１に電子銃１２より電子ビーム１３を
照射し、走行基板１１を加熱するようになっている。Such a conventional electron beam heating apparatus is, for example,
For example, as shown in FIG.-3-10 -FiveVacuum exhaust to Torr
A evacuated vacuum chamber 15 (exhaust not shown),
Guide rollers for horizontally guiding the thin plate-shaped traveling substrate 11
16 and the electron beam 13 to irradiate it and move it forward and backward and left and right.
Equipped with an electron gun 12 for sweeping,
The electron beam 13 is emitted from the electron gun 12 onto the plate-shaped traveling substrate 11.
The traveling substrate 11 is heated by irradiation.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の電子ビ
ーム加熱装置は、前述した多くの長所を有するにもかか
わらず、加熱効率が低い問題点があった。すなわち図５
に示した装置において、走行基板１１に入射した電子ビ
ーム１３の一部（例えば１／３以上）が走行基板表面で
反射（後方散乱）し、後方散乱した電子は真空チャンバ
ー１５の壁に衝突したり、一部は相互に干渉或いは衝突
して散乱してしまい加熱に用いられなかった。そのた
め、高価な電子銃を用いて走行基板を加熱してもロスが
多いため加熱効率が悪くなる問題点があった。However, the conventional electron beam heating apparatus has a problem that the heating efficiency is low in spite of the many advantages described above. That is, FIG.
In the apparatus shown in FIG. 2, a part (for example, 1/3 or more) of the electron beam 13 incident on the traveling substrate 11 is reflected (backscattered) on the surface of the traveling substrate, and the backscattered electrons collide with the wall of the vacuum chamber 15. Or, some of them were not used for heating because they interfered with each other or collided and scattered. Therefore, even if the traveling substrate is heated by using an expensive electron gun, there is a problem that the heating efficiency is deteriorated due to a large loss.
【０００５】本発明は、かかる問題点を解決するために
創案されたものである。すなわち、本発明は、無駄に消
費される電子ビームを低減することにより、電子銃を用
いて走行基板を加熱する際の加熱効率が高い電子ビーム
加熱装置を提供することを目的とするものである。The present invention was devised to solve such problems. That is, it is an object of the present invention to provide an electron beam heating apparatus which has a high heating efficiency when a traveling substrate is heated by using an electron gun by reducing an unnecessary electron beam. .
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】本発明によれば、真空中
で連続的に走行する走行基板に電子ビームを照射して加
熱する電子ビームの加熱装置において、前記走行基板
は、走行基板の走行方向に沿って前記電子ビームを少な
くとも部分的に囲む、ことを特徴とする電子ビーム加熱
装置が提供される。According to the present invention, in a heating device of an electron beam for irradiating an electron beam onto a traveling substrate continuously traveling in a vacuum to heat the traveling substrate, the traveling substrate is a traveling substrate. An electron beam heating device is provided, which at least partially surrounds the electron beam along a direction.
【０００７】本発明の好ましい実施例によれば、前記走
行基板の少なくとも一部は走行基板自体により囲まれる
凹部を形成するように走行し、前記電子ビームは前記凹
部の内部に照射される。前記走行基板の凹部は、軸線が
互いに平行でかつ台形状に配列された少なくとも４つの
ガイドローラーにより案内された走行基板により形成さ
れ、前記台形の上辺は前記凹部の入口開口部を構成し、
台形の下辺は前記電子ビームに対向しており、かつ台形
の底角が鋭角である、ことが好ましい。更に、前記台形
の底角を構成するガイドローラはそれぞれ２つであり、
前記凹部の内側に配置されたガイドローラは前記電子ビ
ームが直接当たらないように走行基板の背後に配置され
ている、ことが好ましい。According to a preferred embodiment of the present invention, at least a part of the traveling substrate travels so as to form a recess surrounded by the traveling substrate itself, and the electron beam is applied to the inside of the recess. The recess of the traveling substrate is formed by a traveling substrate guided by at least four guide rollers whose axes are parallel to each other and arranged in a trapezoid, and the upper side of the trapezoid constitutes an inlet opening of the recess,
It is preferable that the lower side of the trapezoid faces the electron beam, and the base angle of the trapezoid is an acute angle. Further, each of the guide rollers forming the base angle of the trapezoid is two,
It is preferable that the guide roller arranged inside the concave portion is arranged behind the traveling substrate so that the electron beam does not hit directly.
【０００８】更に、本発明によれば、真空中で連続的に
走行する走行基板に電子ビームを照射して加熱する電子
ビームの加熱装置において、走行基板の走行方向に直交
する両側部の電子ビームの照射側に、走行基板と鋭角を
なして配置された電子反射板を備え、該電子反射板は原
子番号４０以上の元素を少なくとも主成分とする、こと
を特徴とする電子ビームの加熱装置が提供される。本発
明の好ましい実施例によれば、前記電子反射板は、モリ
ブデン、タンタル、タングステンのいずれかを少なくと
も主成分とする。Further, according to the present invention, in the electron beam heating device for irradiating and heating the traveling substrate continuously traveling in the vacuum with the electron beam, the electron beams on both sides orthogonal to the traveling direction of the traveling substrate. The electron beam heating device is characterized in that an electron reflection plate arranged at an acute angle to the traveling substrate is provided on the irradiation side of, and the electron reflection plate contains at least an element having an atomic number of 40 or more as a main component. Provided. According to a preferred embodiment of the present invention, the electron reflector has at least one of molybdenum, tantalum and tungsten as a main component.
【０００９】[0009]
【作用】本発明は、走行基板で反射（後方散乱）した電
子を再度積極的に再利用し、これにより電子ビームのロ
スを低減し加熱効率を高めるものである。更に、本発明
は、原子番号が４０以上の元素は後方散乱される電子の
比率が高いことに着目し、かかる元素を少なくとも主成
分とする反射板を用いて、後方散乱した電子を積極的に
再利用しようとするものである。According to the present invention, the electrons reflected (backscattered) on the traveling substrate are positively reused again, thereby reducing the loss of the electron beam and increasing the heating efficiency. Furthermore, the present invention pays attention to the fact that an element having an atomic number of 40 or more has a high proportion of electrons backscattered, and a reflector having at least such an element as a main component is used to positively reflect backscattered electrons. It is intended to be reused.
【００１０】すなわち、上記本発明の構成によれば、走
行基板が走行基板の走行方向に沿って電子ビームを少な
くとも部分的に囲んで走行するので、走行基板で後方散
乱した電子を走行基板自体に再度照射することができ、
電子ビームのロスを低減することができる。又、走行基
板の走行方向に直交する両側部の電子ビームの照射側
に、走行基板と鋭角をなして配置された電子反射板を備
え、この電子反射板が原子番号４０以上の元素を少なく
とも主成分とするので、走行基板で後方散乱し電子反射
板に照射された電子の多くを走行基板に再度後方散乱さ
せることができ、これにより電子ビームのロスを低減し
加熱効率を高めることができる。That is, according to the configuration of the present invention, since the traveling substrate travels along the traveling direction of the traveling substrate at least partially surrounding the electron beam, electrons backscattered by the traveling substrate are transmitted to the traveling substrate itself. Can be irradiated again,
The electron beam loss can be reduced. Further, on both sides of the traveling substrate orthogonal to the traveling direction, electron beam irradiation sides are provided with electron reflecting plates arranged at an acute angle with the traveling substrate, and the electron reflecting plate contains at least an element having an atomic number of 40 or more. Since it is used as a component, most of the electrons backscattered by the traveling substrate and emitted to the electron reflecting plate can be backscattered again on the traveling substrate, whereby loss of electron beams can be reduced and heating efficiency can be improved.
【００１１】[0011]
【実施例】以下に、本発明の実施例を図面を参照して説
明する。図１は本発明による電子ビーム加熱装置の全体
構成図であり、図２は同装置の別の部分構成図である。
図２ではガイドローラの配列のみを示している。図１及
び図２において、本発明による電子ビーム加熱装置は、
連続した薄板状の走行基板１の走行を案内する複数のガ
イドローラ６と、走行基板１に電子ビーム３を照射する
電子銃２と、これらの機器を内部に密閉して囲むチャン
バー５とを備えている。走行基板１は、本装置の後工程
又は前工程で真空蒸着、スパッタ蒸着、イオンプレーテ
ィング、或いは化学蒸着をする帯状の鋼板、ステンレス
鋼板、フィルム等である。電子ビーム３は電子銃２に設
けられた直交する可変磁界により走行基板１の全面を照
射できるようになっている。かかる前後、左右の電子ビ
ームの照射をスイープと呼ぶ。チャンバー５は、真空ポ
ンプ（図示せず）により内部を通常１０-3〜１０-5Ｔｏ
ｒｒ（トール）の真空に維持されている。又、チャンバ
ー５は内部容積を最小にして高真空を維持しやすいよう
に、図示のように各機器に密接して設けるのが良い。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is an overall configuration diagram of an electron beam heating apparatus according to the present invention, and FIG. 2 is another partial configuration diagram of the apparatus.
In FIG. 2, only the arrangement of the guide rollers is shown. 1 and 2, the electron beam heating apparatus according to the present invention is
A plurality of guide rollers 6 for guiding the continuous traveling of the thin plate-shaped traveling substrate 1, an electron gun 2 for irradiating the traveling substrate 1 with an electron beam 3, and a chamber 5 for hermetically surrounding these devices. ing. The traveling substrate 1 is a strip-shaped steel plate, a stainless steel plate, a film, or the like which is vacuum-deposited, sputter-deposited, ion-plated, or chemically vapor-deposited in a post-process or a pre-process of the present apparatus. The electron beam 3 can irradiate the entire surface of the traveling substrate 1 with the orthogonal variable magnetic fields provided in the electron gun 2. Irradiation of the electron beams on the front, back, left and right is called a sweep. The inside of the chamber 5 is usually 10 −3 to 10 −5 To by a vacuum pump (not shown).
A vacuum of rr (torr) is maintained. Further, the chamber 5 is preferably provided in close contact with each device as shown in the drawing so that the internal volume can be minimized and a high vacuum can be easily maintained.
【００１２】ガイドローラー６は、走行基板１が電子銃
２の電子ビーム３を走行基板１の走行方向に沿って少な
くとも部分的に囲んで走行するように配置される。すな
わち、電子銃２からの電子ビーム３が走行基板１に直接
当たり、更に、反射（後方散乱）した電子４も走行基板
１にそのほとんどが当たるように配置する。走行基板１
の少なくとも一部が走行基板自体により囲まれる凹部９
を形成し、電子ビーム３をこの凹部９の内部に照射する
のが良い。The guide roller 6 is arranged so that the traveling substrate 1 travels so as to at least partially surround the electron beam 3 of the electron gun 2 along the traveling direction of the traveling substrate 1. That is, the electron beam 3 from the electron gun 2 directly hits the traveling substrate 1, and the reflected (backscattered) electrons 4 are also arranged so that most of them hit the traveling substrate 1. Running board 1
At least part of which is surrounded by the traveling substrate itself
Is formed, and the inside of the recess 9 is irradiated with the electron beam 3.
【００１３】又、図１及び図２に示すように、凹部９
は、軸線が互いに平行でかつ台形状に配列された少なく
とも４つのガイドローラー６により案内された走行基板
１により形成され、台形の上辺は凹部９の入口開口部を
構成し、台形の下辺は電子ビーム３に対向しており、か
つ台形の底角は鋭角である。台形の底角は、好ましくは
６０°以内、更に好ましくは４５°以内であるのが良
い。Further, as shown in FIGS. 1 and 2, the recess 9 is formed.
Is formed by a traveling substrate 1 guided by at least four guide rollers 6 whose axes are parallel to each other and arranged in a trapezoidal shape, and the upper side of the trapezoid constitutes the inlet opening of the recess 9 and the lower side of the trapezoid is an electron. Opposite the beam 3, the base angle of the trapezoid is acute. The base angle of the trapezoid is preferably within 60 °, more preferably within 45 °.
【００１４】なお、図１に示すように、台形の底角を構
成するガイドローラ６をそれぞれ２つずつ備え、凹部９
の内側に配置されたガイドローラ（特に６ａで示す）に
電子ビームが直接当たらないようにガイドローラ６ａを
走行基板１の背後に配置するのが良い。すなわち、図示
のようにガイドローラ６ａを台形の底角を構成する別の
ガイドローラ６よりも電子銃２から離れた位置に配置す
ることにより、ガイドローラ６ａに電子ビームが直接当
たるのを回避することができる。As shown in FIG. 1, two guide rollers 6 each having a trapezoidal bottom corner are provided, and a recess 9 is formed.
It is preferable to arrange the guide roller 6a behind the traveling substrate 1 so that the electron beam does not directly hit the guide roller (indicated by 6a in particular) arranged inside. That is, by arranging the guide roller 6a at a position farther from the electron gun 2 than another guide roller 6 forming a trapezoidal bottom angle as shown in the drawing, it is possible to avoid the electron beam from directly hitting the guide roller 6a. be able to.
【００１５】又、図２に示すように、４つのガイドロー
ラ６により台形を構成しても良い。この場合、凹部９の
内側に配置されたガイドローラ６は電子ビームが直接当
たらないようにこのガイドローラ６を電子ビーム３の照
射範囲の外側に配置するか、図示のように遮蔽板８を備
えるのが良い。かかる構成により、ガイドローラの数が
少なくなり、より簡単な構造とすることができる。Further, as shown in FIG. 2, a trapezoid may be formed by four guide rollers 6. In this case, the guide roller 6 arranged inside the recess 9 is arranged outside the irradiation range of the electron beam 3 so as not to directly hit the electron beam, or is provided with the shielding plate 8 as shown in the figure. Is good. With this configuration, the number of guide rollers is reduced, and a simpler structure can be obtained.
【００１６】図３は図１のＡ−Ａにおける断面図であ
る。この図において、本発明による電子ビーム加熱装置
は、走行基板１の走行方向に直交する両側部の電子ビー
ムの照射側に、走行基板１と鋭角をなして配置された電
子反射板７を備えている。この電子反射板７は原子番号
４０以上の元素を少なくとも主成分とする。これによ
り、走行基板１に当たって反射（後方散乱）した電子ビ
ームを積極的に再反射させて、走行基板の加熱に貢献さ
せることができ、電子ビームのロスを低減し加熱効率を
高めることができる。また、電子反射板７は、例えばモ
リブデン（ＭO 、原子番号４２、融点２６１０°Ｃ）、
タンタル（Ｔa 、同７３、２９９６°Ｃ）、タングステ
ン（Ｗ、同７４、３４１０°Ｃ）等の高融点元素を少な
くとも主成分とする材料で製作し、かつ冷却を行わない
のが良い。これにより、電子ビームにより加熱された電
子反射板７自体が、輻射によっても走行基板１を加熱す
ることができる。なお、図３の構成は、図２の加熱装置
についても同様に適用できることはいうまでもない。FIG. 3 is a sectional view taken along line AA of FIG. In this figure, the electron beam heating apparatus according to the present invention comprises electron reflecting plates 7 arranged at an acute angle to the traveling substrate 1 on both sides of the traveling substrate 1 which are orthogonal to the traveling direction and which are irradiated with electron beams. There is. This electron reflection plate 7 contains at least an element having an atomic number of 40 or more as a main component. This makes it possible to positively re-reflect the electron beam reflected by the traveling substrate 1 (backscattering) to contribute to the heating of the traveling substrate, reduce the loss of the electron beam and improve the heating efficiency. The electron reflector 7 is made of, for example, molybdenum (MO, atomic number 42, melting point 2610 ° C.),
It is preferable that the material is made of at least a high melting point element such as tantalum (Ta, 73, 2996 ° C) and tungsten (W, 74, 3410 ° C) and is not cooled. As a result, the electron reflection plate 7 itself heated by the electron beam can also heat the traveling substrate 1 by radiation. Needless to say, the configuration of FIG. 3 can be similarly applied to the heating device of FIG.
【００１７】次に、原子番号４０以上の元素を少なくと
も主成分とする電子反射板７を使用する理由を説明す
る。図４は、元素の原子番号と入射電子の反射率（％）
との関係を示した図である。この図から明らかなよう
に、走行基板に入射した電子は元素によって異なるが、
大なり小なり、一旦走行基板に入射しても、再度反射
（後方散乱）される。従来のチャンバー壁は、ニッケル
メッキした鋼板又はステンレスでできており、ニッケル
及び鉄の原子番号がそれぞれ２８、２６であるため、電
子の反射率は３０％前後にすぎなかった。上述したよう
に、本発明による電子反射板７は原子番号４０以上の元
素、例えば、モリブデン（ＭO ）、タンタル（Ｔa ）、
タングステン（Ｗ）、鉛（Ｐｂ、原子番号８２）を少な
くとも主成分とする材料で製造する。これにより、入射
電子の反射率（％）を４０％以上にすることができ、走
行基板１に当たって反射（後方散乱）した電子ビームを
積極的に再反射させて、走行基板の加熱に貢献させるこ
とができる。Next, the reason why the electron reflecting plate 7 containing at least an element having an atomic number of 40 or more as a main component is used will be described. Figure 4 shows the atomic number of an element and the reflectance of incident electrons (%).
It is a figure showing the relation with. As is clear from this figure, the electrons incident on the traveling substrate differ depending on the element,
Even if it becomes large or small, it will be reflected (backscattered) again even if it once enters the traveling substrate. The conventional chamber wall is made of a nickel-plated steel plate or stainless steel, and since the atomic numbers of nickel and iron are 28 and 26, respectively, the electron reflectance is only about 30%. As described above, the electron reflector 7 according to the present invention includes elements having an atomic number of 40 or more, such as molybdenum (MO), tantalum (Ta),
It is made of a material containing at least tungsten (W) and lead (Pb, atomic number 82) as main components. Thereby, the reflectance (%) of incident electrons can be made 40% or more, and the electron beam reflected (backscattered) upon hitting the traveling substrate 1 is positively re-reflected to contribute to heating of the traveling substrate. You can
【００１８】以上に説明したように、本発明は、走行基
板で反射（後方散乱）した電子を再度積極的に再利用
し、これにより電子ビームのロスを低減し加熱効率を高
めるものである。更に、本発明は、原子番号が４０以上
の元素は後方散乱される電子の比率が高いことに着目
し、かかる元素を少なくとも主成分とする反射板を用い
て、後方散乱した電子を積極的に再利用しようとするも
のである。As described above, according to the present invention, the electrons reflected (backscattered) by the traveling substrate are positively reused again, whereby the loss of the electron beam is reduced and the heating efficiency is improved. Furthermore, the present invention pays attention to the fact that an element having an atomic number of 40 or more has a high proportion of electrons backscattered, and a reflector having at least such an element as a main component is used to positively reflect backscattered electrons. It is intended to be reused.
【００１９】すなわち、上述した本発明の構成によれ
ば、走行基板が走行基板の走行方向に沿って電子ビーム
を少なくとも部分的に囲んで走行するので、走行基板で
後方散乱した電子を走行基板自体に再度照射することが
でき、電子ビームのロスを低減することができる。又、
走行基板の走行方向に直交する両側部の電子ビームの照
射側に、走行基板と鋭角をなして配置された電子反射板
を備え、該電子反射板は原子番号４０以上の元素を少な
くとも主成分とするので、走行基板で後方散乱し電子反
射板に照射された電子の多くを走行基板に再度後方散乱
させることができ、これにより電子ビームのロスを低減
し加熱効率を高めることができる。That is, according to the above-described structure of the present invention, since the traveling substrate travels along the traveling direction of the traveling substrate while at least partially enclosing the electron beam, electrons traveling backscattered by the traveling substrate itself are traveled. Can be irradiated again, and the loss of the electron beam can be reduced. or,
On both sides of the traveling substrate, which are orthogonal to the traveling direction of the traveling substrate, electron beam irradiation sides are provided with electron reflecting plates arranged at an acute angle with the traveling substrate, and the electron reflecting plate contains at least an element having an atomic number of 40 or more as a main component. Therefore, most of the electrons back-scattered by the traveling substrate and irradiated on the electron reflecting plate can be back-scattered again on the traveling substrate, whereby loss of electron beam can be reduced and heating efficiency can be improved.
【００２０】[0020]
【発明の効果】従って、本発明によれば、（１）反射電
子を走行基板に再照射することができ、（２）走行基板
の縁部側に反射した（後方散乱した）電子の一部を電子
反射板により再反射させて走行基板の加熱に貢献させる
ことができるため、加熱効率を高めることができる。さ
らに、（３）電子反射板の材質として元素の原子番号が
４０以上の元素あるいはこれらの元素を主成分とする材
料を使用することにより、電子反射板からの反射率を上
げることができ、また（４）原子番号が大きく、かつ高
融点の材料を使用することにより、電子反射板自体の加
熱による輻射によって、更に走行基板を加熱でき、より
加熱効率を高めることができる。Therefore, according to the present invention, (1) reflected electrons can be re-irradiated to the traveling substrate, and (2) a part of the electrons reflected (backscattered) to the edge side of the traveling substrate. Since it can be reflected again by the electron reflection plate and contribute to the heating of the traveling substrate, the heating efficiency can be improved. Further, (3) by using an element having an atomic number of 40 or more or a material containing these elements as a main component as the material of the electron reflector, the reflectance from the electron reflector can be increased, and (4) By using a material having a large atomic number and a high melting point, the traveling substrate can be further heated by the radiation generated by the heating of the electron reflecting plate itself, and the heating efficiency can be further improved.
【００２１】要約すれば、本発明により、従来無駄に消
費された電子ビームを低減することができ、電子銃を用
いて走行基板を加熱する際の加熱効率が高い電子ビーム
加熱装置を提供することができる。In summary, according to the present invention, it is possible to reduce an electron beam wasted conventionally, and to provide an electron beam heating apparatus having a high heating efficiency when a traveling substrate is heated by using an electron gun. You can
【図１】本発明による電子ビーム加熱装置の全体構成図
である。FIG. 1 is an overall configuration diagram of an electron beam heating apparatus according to the present invention.
【図２】本発明による電子ビーム加熱装置の別の部分構
成図である。FIG. 2 is another partial configuration diagram of the electron beam heating apparatus according to the present invention.
【図３】図１のＡ−Ａにおける断面図である。3 is a sectional view taken along line AA of FIG.
【図４】種々の元素に電子を照射した場合に入射電子が
反射（後方散乱）される割合を示す図である。FIG. 4 is a diagram showing a ratio of incident electrons reflected (backscattered) when various elements are irradiated with electrons.
【図５】従来の電子ビーム加熱装置の全体構成図であ
る。FIG. 5 is an overall configuration diagram of a conventional electron beam heating apparatus.
１ 走行基板 ２ 電子銃 ３ 電子ビーム ４ 反射電子（後方散乱電子） ５ チャンバー ６ ガイドローラ ７ 電子反射板 ８ 遮蔽板 ９ 凹部 １１ 走行基板 １２ 電子銃 １３ 電子ビーム １４ 反射電子（後方散乱電子） １５ チャンバー １６ ガイドローラ 1 Traveling Substrate 2 Electron Gun 3 Electron Beam 4 Reflected Electrons (Backscattered Electrons) 5 Chamber 6 Guide Roller 7 Electron Reflector 8 Shielding Plate 9 Recess 11 Traveling Board 12 Electron Gun 13 Electron Beam 14 Reflected Electrons (Backscattered Electrons) 15 Chamber 16 Guide roller
Claims (6)
子ビームを照射して加熱する電子ビーム加熱装置におい
て、 前記走行基板は、走行基板の走行方向に沿って前記電子
ビームを少なくとも部分的に囲む、ことを特徴とする電
子ビーム加熱装置。1. An electron beam heating apparatus for irradiating an electron beam onto a traveling substrate, which continuously travels in a vacuum, to heat the traveling substrate, wherein the traveling substrate at least partially radiates the electron beam along a traveling direction of the traveling substrate. An electron beam heating device characterized by being surrounded by.
板自体により囲まれる凹部を形成するように走行し、前
記電子ビームは前記凹部の内部に照射される、ことを特
徴とする請求項１に記載の電子ビーム加熱装置。2. The traveling substrate at least partially travels so as to form a recess surrounded by the traveling substrate itself, and the electron beam is applied to the inside of the recess. The electron beam heating device described.
行でかつ台形状に配列された少なくとも４つのガイドロ
ーラーにより案内された走行基板により形成され、 前記台形の上辺は前記凹部の入口開口部を構成し、台形
の下辺は前記電子ビームに対向しており、かつ台形の底
角が鋭角である、ことを特徴とする請求項２に記載の電
子ビーム加熱装置。3. The concave portion of the traveling substrate is formed by a traveling substrate guided by at least four guide rollers whose axes are parallel to each other and arranged in a trapezoidal shape, and the upper side of the trapezoid is an inlet opening of the concave portion. The electron beam heating apparatus according to claim 2, wherein a lower side of the trapezoid faces the electron beam, and a base angle of the trapezoid is an acute angle.
はそれぞれ２つであり、前記凹部の内側に配置されたガ
イドローラは前記電子ビームが直接当たらないように走
行基板の背後に配置されている、ことを特徴とする請求
項３に記載の電子ビーム加熱装置。4. The number of guide rollers forming each of the base angles of the trapezoid is two, and the guide rollers arranged inside the concave portion are arranged behind the traveling substrate so that the electron beams do not hit directly. The electron beam heating device according to claim 3, wherein
子ビームを照射して加熱する電子ビーム加熱装置におい
て、 走行基板の走行方向に直交する両側部の電子ビームの照
射側に、走行基板と鋭角をなして配置された電子反射板
を備え、該電子反射板は原子番号４０以上の元素を少な
くとも主成分とする、ことを特徴とする電子ビーム加熱
装置。5. An electron beam heating apparatus for irradiating an electron beam onto a traveling substrate, which continuously travels in a vacuum, to heat the traveling substrate, wherein the traveling substrate is provided on both sides of the traveling substrate which are orthogonal to the traveling direction. And an electron reflection plate arranged at an acute angle, the electron reflection plate containing at least an element having an atomic number of 40 or more as a main component.
ル、タングステンのいずれかを少なくとも主成分とす
る、ことを特徴とする請求項５に記載の電子ビーム加熱
装置。6. The electron beam heating apparatus according to claim 5, wherein the electron reflector has at least one of molybdenum, tantalum, and tungsten as a main component.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22964892A JP3331563B2 (en) | 1992-08-28 | 1992-08-28 | Electron beam heating equipment |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22964892A JP3331563B2 (en) | 1992-08-28 | 1992-08-28 | Electron beam heating equipment |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0673544A true JPH0673544A (en) | 1994-03-15 |
| JP3331563B2 JP3331563B2 (en) | 2002-10-07 |
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ID=16895493
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22964892A Expired - Fee Related JP3331563B2 (en) | 1992-08-28 | 1992-08-28 | Electron beam heating equipment |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3331563B2 (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0967664A (en) * | 1995-08-28 | 1997-03-11 | Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd | Preheating method for steel sheet in continuous vacuum vapor deposition device and device therefor |
| JP2004140346A (en) * | 2002-10-16 | 2004-05-13 | Nawotec Gmbh | Method for etching material surface by focusing electronic beam induced chemical reaction |
-
1992
- 1992-08-28 JP JP22964892A patent/JP3331563B2/en not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0967664A (en) * | 1995-08-28 | 1997-03-11 | Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd | Preheating method for steel sheet in continuous vacuum vapor deposition device and device therefor |
| JP2004140346A (en) * | 2002-10-16 | 2004-05-13 | Nawotec Gmbh | Method for etching material surface by focusing electronic beam induced chemical reaction |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3331563B2 (en) | 2002-10-07 |
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