JP4242113B2

JP4242113B2 - Electron beam evaporation system

Info

Publication number: JP4242113B2
Application number: JP2002164387A
Authority: JP
Inventors: 栄一飯島; 行男増田; 俊弘岡田
Original assignee: Ulvac Inc
Current assignee: Ulvac Inc
Priority date: 2002-06-05
Filing date: 2002-06-05
Publication date: 2009-03-18
Anticipated expiration: 2022-06-05
Also published as: JP2004010942A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、インライン式電子ビーム蒸着装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
インライン式電子ビーム蒸着装置は、基本的には、仕込／取出室と蒸着室の２室または仕込室と蒸着室と取出室の３室を仕切バルブを介して連設した構成を備えるものである。こうした装置は、蒸着室内を大気に曝すことがないこと、仕込／取出室または仕込室において基板や基板を取付けした治具に対し、脱ガスや加熱などの前処理を行うことができるので蒸着室内の雰囲気を安定に維持することができること、バッチ式の装置に比較して作業者一人当りの生産量が大きいことなどの利点があるので、例えば、ＰＤＰ（プラズマディスプレイパネル）用のガラス基板の表面にＭｇＯ（酸化マグネシウム）被膜を形成するための装置などとして使用されている。
【０００３】
従来のインライン式電子ビーム蒸着装置の蒸着室には、例えば、図５に示すように、基板の搬送方向の上流側（仕込室側）壁面に２台のピアス式電子銃Ａ１，Ａ２が固設されるとともに、これに対向する基板の搬送方向の下流側（取出室側）壁面にも２台のピアス式電子銃Ｂ１，Ｂ２が固設されている。そして、電子銃Ａ１，Ａ２からは電子ビームが基板の搬送方向に向けて略水平方向に発せられるとともに、電子銃Ｂ１，Ｂ２からは電子ビームが基板の搬送方向の逆方向に向けて略水平方向に発せられる。個々の電子銃から発せられた電子ビームは、図略の揺動コイルにより左右にジャンピングされた後、図略の偏向コイルにより偏向され、蒸発源である回転式リングハース２内の蒸着材料の蒸発ポイントＰに照射される。基板の搬送方向に対する直交方向（基板の幅方向）に４点の蒸発ポイントＰ（１台のハース２につき２点）を２列設けることで、蒸発源の上方を通過するキャリアに搭載された基板の表面への蒸着被膜の形成を効率的に行うことによりタクトタイムの向上を図っている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、近年、フラットパネル業界では対角３０インチ〜６０インチクラスの大型ＰＤＰの技術開発が進んでいる。しかしながら、大型ＰＤＰの実用化のためには、パネル特性の向上のみならず、より優れた量産技術の確立が必要とされる。従って、インライン式電子ビーム蒸着装置においても、タクトタイムのさらなる向上を図らなければならない。ところが、従来の装置を使用する限り、タクトタイムの向上には自ずと限界がある。なぜならば、ピアス式電子銃を基板の搬送方向の上流側蒸着室壁面および下流側蒸着室壁面に固設した構成においては、基板の搬送方向に設けることができる蒸発ポイント数が制限されるからである。よって、例えば、大型のガラス基板の全面に所定の膜厚のＭｇＯ被膜を形成するためには、ガラス基板の搬送速度を遅くして、蒸着室内にガラス基板を長時間滞在させなければならない。
そこで本発明は、タクトタイムを飛躍的に向上することが可能なインライン式電子ビーム蒸着装置を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明のインライン式電子ビーム蒸着装置は、上記の点に鑑みてタクトタイムのさらなる向上を図るためにその蒸着室内の構成を根本から見直した結果なされたものであり、請求項１記載の通り、基板を搬送しながら成膜する電子ビーム蒸着装置において、蒸着室における基板の搬送方向に沿って蒸着室の側壁面に複数台のピアス式電子銃を設け、基板の搬送方向に直交する方向に向けた各電子銃からの電子ビームを前後にジャンピングさせるとともに、偏向させて蒸発源の蒸発ポイントに照射することを特徴とする。
また、請求項２記載の電子ビーム蒸着装置は、請求項１記載の蒸着装置において、前記蒸発源が回転式リングハースであって、前記ジャンピングさせた電子ビームを偏向させて照射するための手段として、前記蒸発ポイント毎に前記ハースより幅の狭い偏向コイルのポールピースを立設することで、前記蒸発ポイントに高い入射角で電子ビームを照射することを特徴とする。
また、請求項３記載の電子ビーム蒸着装置は、請求項２記載の蒸着装置において、前記蒸発ポイントに４０°以上の入射角で電子ビームを照射することを特徴とする。
【０００６】
【発明の実施の形態】
本発明のインライン式電子ビーム蒸着装置は、少なくとも仕込／取出室と蒸着室の２室または仕込室と蒸着室と取出室の３室を有するインライン式電子ビーム蒸着装置において、蒸着室における基板の搬送方向の側壁面にピアス式電子銃が固設されていることを特徴とするものである。即ち、従来のインライン式電子ビーム蒸着装置のように、ピアス式電子銃を基板の搬送方向の上流側蒸着室壁面および下流側蒸着室壁面に固設するのではなく、基板の搬送方向の側壁面に固設したことを特徴とする。
ピアス式電子銃を基板の搬送方向の側壁面に固設すれば、基板の搬送方向に列をなして任意の台数の固設が可能となる。従って、基板の搬送方向に設けることができる蒸発ポイント数を容易に増加することができることから、その上方を通過するキャリアに搭載された基板の表面への蒸着被膜の形成をより効率的に行うことができるので、タクトタイムの飛躍的な向上を図ることが可能となる。また、従来のインライン式電子ビーム蒸着装置と比較して、基板の搬送方向における蒸発ポイントの位置設定を比較的自由に行うことができることから、隣接する蒸発ポイント間のピッチも比較的自由に設定することができるので、基板の温度制御が容易となる。従って、蒸発源からの輻射熱による基板の温度上昇による割れなどを防止することが可能となる。
【０００７】
【実施例】
以下、本発明のインライン式電子ビーム蒸着装置について、図面を参照しながら説明するが、本発明は以下の記載に何ら限定して解釈されるものではない。
【０００８】
図１は本発明のインライン式電子ビーム蒸着装置の一実施形態の蒸着室における基板の搬送方向とピアス式電子銃との位置関係を示す説明図である。
図１においては、蒸着室における基板の搬送方向の両側壁面に、各側壁面につき３台のピアス式電子銃が基板の搬送方向に列をなして固設されている（Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３）。電子ビーム１は個々のピアス式電子銃から基板の搬送方向に対する直交方向に向けて略水平方向に発せられるように構成される。また、基板の搬送方向に対する直交方向（基板の幅方向）に４点の蒸発ポイントＰ（１台のハース２につき２点）が３列設けられており、個々のピアス式電子銃から発せられる電子ビームを図略の揺動コイルにより前後にジャンピングさせるとともに図略の偏向コイルにより偏向させ、個々の蒸発ポイントに照射する。なお、蒸発材料がＭｇＯの場合、ＭｇＯは昇華して蒸発する性質があるため、電子ビーム１を１点だけに集中させると、蒸発源であるハース２内のＭｇＯが局所的に減少し、その結果、基板の表面に均一な膜厚分布を有するＭｇＯ被膜を形成することができなくなる。従って、蒸発面の局所的な変化を抑制するために、個々の電子ビーム１をさらに左右にジャンピングさせてもよい。
【０００９】
例えば、ガラス基板の表面にＭｇＯ被膜を形成する場合、ＭｇＯ被膜の成膜速度は、電子ビームを高出力にすれば速めることができるが、電子ビームを高出力にすると、スプラッシュの発生や蒸発源からの輻射熱によるガラス基板の温度上昇による割れなどを引き起こす。従って、多くの場合、電子ビームの出力は制限される。そのような条件下において成膜速度を速めるためには、偏向コイルの電流値を上げてＭｇＯの蒸発ポイントに高い入射角で電子ビームを照射することが有効である。
しかしながら、従来のインライン式電子ビーム蒸着装置のように、ピアス式電子銃をガラス基板の搬送方向の上流側蒸着室壁面および下流側蒸着室壁面に固設した構成では、偏向コイルの電流値を上げても成膜速度を速めることが困難な場合がある。なぜならば、従来の装置においては、例えば、図５に示すように、１台の回転式リングハースにガラス基板の搬送方向に対する直交方向に２点の蒸発ポイントを設け、１台のピアス式電子銃から個々の蒸発ポイントに電子ビームを照射しようとした場合、電子ビームを左右にジャンピングさせ、ガラス基板の搬送方向に対する直交方向のハースの両側に偏向コイルのポールピースを立設して照射しなければならない。従って、ハースが大型化すればするほど、ポールピースの幅が大きくなり、偏向コイルの電流値を上げても個々の蒸発ポイントに高い入射角で電子ビームを照射することが困難になるからである。
本発明のインライン式電子ビーム蒸着装置は、このような従来の装置が有する問題点を見事に解消する。本発明の装置においては、回転式リングハースに基板の搬送方向に対する直交方向に２点の蒸発ポイントを設け、１台のピアス式電子銃から個々の蒸発ポイントに電子ビームを照射しようとした場合、電子ビームを左右にジャンピングさせるのではなく、前後にジャンピングさせることになるので、個々のポールピースについてはその幅を小さくすることができるからである。即ち、図２は図１に示したピアス式電子銃Ｌ１と回転式リングハース２との位置関係を示す平面図および正面図（基板の搬送方向の上流側から見たもの）であるが、電子ビーム１を前後にジャンピングさせて蒸発ポイントＰ１とＰ２に照射する場合、蒸発ポイントＰ１に照射するためのポールピース３−１と蒸発ポイントＰ２に照射するためのポールピース３−２を立設する必要があるものの、各々のポールピースの幅を小さくすることできるので、偏向コイルの電流値を上げることで蒸発ポイントに高い入射角θで電子ビームを照射することが可能となる。なお、ポールピース３−１と３−２を立設するに際しては、これらが基板の表面への蒸着被膜の形成に障害を及ぼさないように留意すべきである。
【００１０】
本発明のインライン式電子ビーム蒸着装置によれば、偏向コイルにより電子ビームを偏向させて個々の蒸発ポイントに高い入射角θで照射することが容易に行える（図２参照）。図３は本発明の装置と従来の装置のＭｇＯ被膜の成膜速度について、同じ偏向コイル電流値で電子ビームを偏向させた場合の比較グラフであるが、従来の装置では、個々の蒸発ポイントに２５°以下の入射角でしか電子ビームを照射することができなかったのに対し、本発明の装置では、個々の蒸発ポイントに４０°以上の入射角で電子ビームを照射することができた。これにより、本発明の装置を使用した場合、従来の装置を使用した場合と比較して約２倍の成膜速度にてＭｇＯ被膜を形成することができた。この効果は、蒸発ポイントに４０°以上の入射角で電子ビームを照射したことにより、短径に対する長径の比が１．５以下の最適化されたビーム形状を得ることができたことによる（例えば、ビーム形状の短径に対する長径の比は入射角５４°の場合には１．２であり入射角２２°の場合には２．７である）。
【００１１】
なお、上記の実施例では、蒸着材料として酸化マグネシウム（ＭｇＯ）を用いたが、ＭｇＯ被膜を形成するための蒸着材料として、添加物が加えられた酸化マグネシウム、酸化マグネシウム系の誘電体やその他の誘電体などを用いていもよい。
【００１２】
本発明のインライン式電子ビーム蒸着装置は、ＭｇＯ被膜を形成するための装置として使用することができる他、ＳｉＯ₂被膜やＴｉＯ₂被膜などの金属酸化物被膜を形成するための装置としても使用することができるのはもちろんのこと、Ａｌ被膜などの金属被膜を形成するための装置としても使用することができる。また、本発明のインライン式電子ビーム蒸着装置においては、基板の搬送方向に対する直交方向から多少の角度を有する方向（例えば直交方向±１５°）に向けてピアス式電子銃から電子ビームを発するようにしてもよく、このような電子ビームの発し方を容易ならしめるために、図４の（ａ）〜（ｃ）に示したように、蒸着室における基板の搬送方向の両側壁面にピアス式電子銃（Ｒ１，Ｒ２，Ｌ１，Ｌ２）を適当な角度を付けて固設するようにしてもよい。なお、ピアス式電子銃は、蒸着室における基板の搬送方向の両側壁面に固設しなければならないというものではなく、いずれか一方の側壁面だけに固設するようにしてもよい。
【００１３】
【発明の効果】
本発明によれば、タクトタイムを飛躍的に向上することが可能なインライン式電子ビーム蒸着装置が提供される。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のインライン式電子ビーム蒸着装置の一実施形態の蒸着室における基板の搬送方向とピアス式電子銃との位置関係を示す説明図である。
【図２】図１に示したインライン式電子ビーム蒸着装置におけるピアス式電子銃Ｌ１と回転式リングハース２との位置関係を示す平面図および正面図である。
【図３】本発明の装置と従来の装置のＭｇＯ被膜の成膜速度について、同じ偏向コイル電流値で電子ビームを偏向させた場合の比較グラフである。
【図４】本発明のインライン式電子ビーム蒸着装置のその他の実施形態の蒸着室における基板の搬送方向とピアス式電子銃との位置関係を示す説明図（平面図）である。
【図５】従来のインライン式電子ビーム蒸着装置の蒸着室における基板の搬送方向とピアス式電子銃との位置関係を示す説明図である。
【符号の説明】
Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３ピアス式電子銃
Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３ピアス式電子銃
Ａ１，Ａ２ピアス式電子銃
Ｂ１，Ｂ２ピアス式電子銃
１電子ビーム
２回転式リングハース
３−１，３−２ポールピース
Ｐ，Ｐ１，Ｐ２蒸発ポイント[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to an in-line electron beam evaporation apparatus.
[0002]
[Prior art]
The in-line type electron beam vapor deposition apparatus basically has a configuration in which two chambers of a charge / unload chamber and a vapor deposition chamber or three chambers of a charge chamber, a vapor deposition chamber and a discharge chamber are connected via a partition valve. . Such an apparatus does not expose the vapor deposition chamber to the atmosphere, and can perform pretreatment such as degassing and heating for the substrate / substrate in the charging / unloading chamber or the charging chamber. For example, the surface of a glass substrate for a PDP (plasma display panel), because there are advantages such as being able to maintain a stable atmosphere and a large production amount per worker as compared to a batch-type device. It is used as an apparatus for forming an MgO (magnesium oxide) film on the surface.
[0003]
For example, as shown in FIG. 5, two piercing electron guns A1 and A2 are fixed on the upstream wall (inside the charging chamber) in the substrate transport direction in the vapor deposition chamber of the conventional in-line electron beam vapor deposition apparatus. In addition, two pierce-type electron guns B1 and B2 are also fixed on the wall surface on the downstream side (extraction chamber side) of the substrate facing the substrate. An electron beam is emitted from the electron guns A1 and A2 in a substantially horizontal direction toward the substrate transport direction, and from the electron guns B1 and B2, the electron beam is directed in a direction substantially opposite to the substrate transport direction. To be emitted. The electron beams emitted from the individual electron guns are left and right jumped by a swing coil (not shown), then deflected by a deflection coil (not shown), and the evaporation material in the rotary ring hearth 2 as an evaporation source is evaporated. The point P is irradiated. A substrate mounted on a carrier passing above the evaporation source by providing two rows of four evaporation points P (two points per one hearth 2) in a direction orthogonal to the substrate transport direction (substrate width direction). The tact time is improved by efficiently forming a vapor-deposited film on the surface.
[0004]
[Problems to be solved by the invention]
By the way, in recent years, technology development of large-sized PDPs having a diagonal size of 30 inches to 60 inches has been advanced in the flat panel industry. However, in order to put a large-sized PDP into practical use, it is necessary not only to improve panel characteristics but also to establish a more excellent mass production technique. Therefore, it is necessary to further improve the tact time in the in-line type electron beam evaporation apparatus. However, as long as the conventional apparatus is used, there is a limit to the improvement of the tact time. This is because the number of evaporation points that can be provided in the substrate transport direction is limited in the configuration in which the piercing electron gun is fixed to the upstream deposition chamber wall surface and the downstream deposition chamber wall surface in the substrate transport direction. is there. Therefore, for example, in order to form a MgO film having a predetermined film thickness on the entire surface of a large glass substrate, it is necessary to slow down the conveyance speed of the glass substrate and allow the glass substrate to stay in the deposition chamber for a long time.
Accordingly, an object of the present invention is to provide an in-line electron beam evaporation apparatus capable of dramatically improving the tact time.
[0005]
[Means for Solving the Problems]
The in-line electron beam vapor deposition apparatus of the present invention is a result of a fundamental review of the configuration of the vapor deposition chamber in order to further improve the tact time in view of the above points. In an electron beam vapor deposition apparatus for forming a film while transporting a substrate, a plurality of pierce-type electron guns are provided on the side wall surface of the vapor deposition chamber along the substrate transport direction in the vapor deposition chamber and directed in a direction perpendicular to the substrate transport direction. The electron beam from each electron gun is jumped back and forth, and deflected to irradiate the evaporation point of the evaporation source.
According to a second aspect of the present invention, there is provided the electron beam evaporation apparatus according to the first aspect, wherein the evaporation source is a rotary ring hearth, and the jumped electron beam is deflected and irradiated. In addition, by erecting a pole piece of a deflection coil narrower than the hearth for each evaporation point, the evaporation point is irradiated with an electron beam at a high incident angle.
According to a third aspect of the present invention, there is provided the electron beam evaporation apparatus according to the second aspect, wherein the evaporation point is irradiated with an electron beam at an incident angle of 40 ° or more .
[0006]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
An in-line type electron beam evaporation apparatus of the present invention is an in-line type electron beam evaporation apparatus having at least two chambers of a charging / unloading chamber and a vapor deposition chamber or three chambers of a charging chamber, a vapor deposition chamber and an extraction chamber. A piercing electron gun is fixed to the side wall surface in the direction. That is, the piercing electron gun is not fixed to the upstream deposition chamber wall surface and the downstream deposition chamber wall surface in the substrate transport direction, as in the conventional inline electron beam deposition apparatus, but the side wall surface in the substrate transport direction. It is characterized by being fixed to.
If the pierce-type electron gun is fixed on the side wall surface in the substrate transport direction, an arbitrary number of devices can be fixed in a row in the substrate transport direction. Accordingly, since the number of evaporation points that can be provided in the substrate transport direction can be easily increased, it is possible to more efficiently form a vapor deposition film on the surface of the substrate mounted on the carrier passing thereabove. As a result, the tact time can be dramatically improved. In addition, since the position of the evaporation point in the substrate transport direction can be set relatively freely as compared with the conventional in-line type electron beam evaporation apparatus, the pitch between adjacent evaporation points can also be set relatively freely. This makes it easy to control the temperature of the substrate. Therefore, it is possible to prevent cracking due to the temperature rise of the substrate due to radiant heat from the evaporation source.
[0007]
【Example】
Hereinafter, the in-line electron beam deposition apparatus of the present invention will be described with reference to the drawings, but the present invention is not construed as being limited to the following description.
[0008]
FIG. 1 is an explanatory view showing the positional relationship between a substrate transport direction and a piercing electron gun in a vapor deposition chamber of an embodiment of an inline electron beam vapor deposition apparatus of the present invention.
In FIG. 1, three pierce-type electron guns are fixedly arranged in rows in the substrate transport direction on both side wall surfaces in the substrate transport direction in the vapor deposition chamber (R1, R2, R3, and R3). L1, L2, L3). The electron beam 1 is configured to be emitted in a substantially horizontal direction from individual piercing electron guns in a direction orthogonal to the substrate transport direction. Further, three rows of four evaporation points P (two points per one hearth 2) are provided in a direction orthogonal to the substrate transport direction (substrate width direction), and electrons emitted from individual piercing electron guns The beam is jumped back and forth by a swing coil (not shown) and deflected by a deflection coil (not shown) to irradiate each evaporation point. When the evaporation material is MgO, MgO has a property of sublimating and evaporating. Therefore, when the electron beam 1 is concentrated at only one point, MgO in the hearth 2 as an evaporation source is locally reduced. As a result, it becomes impossible to form an MgO film having a uniform film thickness distribution on the surface of the substrate. Therefore, in order to suppress a local change of the evaporation surface, the individual electron beams 1 may be further jumped left and right.
[0009]
For example, when an MgO film is formed on the surface of a glass substrate, the film formation rate of the MgO film can be increased by increasing the electron beam output. Cause cracking due to temperature rise of the glass substrate due to radiant heat from the glass. Therefore, in many cases, the output of the electron beam is limited. In order to increase the deposition rate under such conditions, it is effective to increase the current value of the deflection coil and irradiate the electron beam with a high incident angle on the evaporation point of MgO.
However, in the configuration in which the piercing electron gun is fixed to the upstream deposition chamber wall surface and the downstream deposition chamber wall surface in the glass substrate transport direction as in the conventional inline electron beam deposition apparatus, the current value of the deflection coil is increased. However, it may be difficult to increase the deposition rate. This is because, in the conventional apparatus, for example, as shown in FIG. 5, one rotary ring hearth is provided with two evaporation points in the direction orthogonal to the glass substrate transport direction, and one pierce electron gun If an electron beam is to be irradiated to each evaporation point from the outside, the electron beam must be jumped to the left and right, and the pole pieces of the deflection coil must be erected on both sides of the hearth in the direction perpendicular to the glass substrate transport direction. Don't be. Therefore, the larger the hearth, the larger the pole piece width, and even if the current value of the deflection coil is increased, it becomes difficult to irradiate each evaporation point with an electron beam at a high incident angle. .
The in-line electron beam evaporation apparatus of the present invention solves the problems of such a conventional apparatus. In the apparatus of the present invention, when two rotary points are provided on the rotary ring hearth in a direction orthogonal to the substrate transport direction, when an electron beam is radiated from one pierce type electron gun to each evaporation point, This is because the electron beam is not jumped from side to side, but is jumped back and forth, so that the width of each pole piece can be reduced. 2 is a plan view and a front view (viewed from the upstream side in the substrate transport direction) showing the positional relationship between the piercing electron gun L1 and the rotary ring hearth 2 shown in FIG. When the beam 1 is jumped back and forth to irradiate the evaporation points P1 and P2, it is necessary to set up a pole piece 3-1 for irradiating the evaporation point P1 and a pole piece 3-2 for irradiating the evaporation point P2. However, since the width of each pole piece can be reduced, it is possible to irradiate the evaporation point with an electron beam at a high incident angle θ by increasing the current value of the deflection coil. It should be noted that when the pole pieces 3-1 and 3-2 are erected, care should be taken so that they do not hinder the formation of a vapor deposition film on the surface of the substrate.
[0010]
According to the in-line type electron beam evaporation apparatus of the present invention, it is possible to easily irradiate each evaporation point with a high incident angle θ by deflecting the electron beam with a deflection coil (see FIG. 2). FIG. 3 is a graph comparing the deposition rates of the MgO film of the apparatus of the present invention and the conventional apparatus when the electron beam is deflected with the same deflection coil current value. Whereas the electron beam could only be irradiated at an incident angle of 25 ° or less, the apparatus of the present invention was able to irradiate an individual evaporation point with an incident angle of 40 ° or more. As a result, when the apparatus of the present invention was used, an MgO film could be formed at a film formation rate about twice that of the case where the conventional apparatus was used. This effect is due to the fact that an optimized beam shape with a ratio of the major axis to the minor axis of 1.5 or less can be obtained by irradiating the evaporation point with an incident angle of 40 ° or more (for example, The ratio of the major axis to the minor axis of the beam shape is 1.2 when the incident angle is 54 ° and 2.7 when the incident angle is 22 °).
[0011]
In the above embodiment, magnesium oxide (MgO) is used as the vapor deposition material. However, as the vapor deposition material for forming the MgO film, magnesium oxide to which an additive is added, a magnesium oxide-based dielectric, and other materials are used. A dielectric or the like may be used.
[0012]
The in-line electron beam evaporation apparatus of the present invention can be used as an apparatus for forming an MgO film, and also used as an apparatus for forming a metal oxide film such as a SiO ₂ film or a TiO ₂ film. Of course, it can also be used as an apparatus for forming a metal film such as an Al film. In the in-line electron beam evaporation apparatus of the present invention, an electron beam is emitted from a piercing electron gun in a direction having a slight angle from the direction orthogonal to the substrate transport direction (for example, the orthogonal direction ± 15 °). In order to facilitate the generation of such an electron beam, as shown in FIGS. 4A to 4C, as shown in FIGS. (R1, R2, L1, L2) may be fixed at an appropriate angle. The pierce-type electron gun does not have to be fixed on both side walls in the substrate transport direction in the vapor deposition chamber, but may be fixed only on one of the side wall surfaces.
[0013]
【The invention's effect】
ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the in-line type electron beam vapor deposition apparatus which can improve tact time dramatically is provided.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is an explanatory diagram showing a positional relationship between a substrate transport direction and a piercing electron gun in a vapor deposition chamber of an embodiment of an in-line electron beam vapor deposition apparatus of the present invention.
2 is a plan view and a front view showing a positional relationship between a piercing electron gun L1 and a rotary ring hearth 2 in the in-line electron beam evaporation apparatus shown in FIG.
FIG. 3 is a comparative graph when the electron beam is deflected at the same deflection coil current value with respect to the film forming speed of the MgO film of the apparatus of the present invention and the conventional apparatus.
FIG. 4 is an explanatory view (plan view) showing a positional relationship between a substrate transport direction and a piercing electron gun in a vapor deposition chamber according to another embodiment of the in-line electron beam vapor deposition apparatus of the present invention.
FIG. 5 is an explanatory diagram showing a positional relationship between a substrate transport direction and a piercing electron gun in a vapor deposition chamber of a conventional in-line electron beam vapor deposition apparatus.
[Explanation of symbols]
R1, R2, R3 Pierce type electron gun L1, L2, L3 Pierce type electron gun A1, A2 Pierce type electron gun B1, B2 Pierce type electron gun 1 Electron beam 2 Rotating ring hearth 3-1, 3-2 Pole piece P , P1, P2 Evaporation point

Claims

In an electron beam vapor deposition apparatus for forming a film while transporting a substrate, a plurality of piercing electron guns are provided on the side wall surface of the vapor deposition chamber along the substrate transport direction in the vapor deposition chamber, and directed in a direction perpendicular to the substrate transport direction. An electron beam vapor deposition apparatus characterized in that an electron beam from each electron gun is jumped back and forth, and deflected to irradiate an evaporation point of an evaporation source.

The evaporation source is a rotary ring hearth, and as a means for deflecting and irradiating the jumped electron beam, a pole piece of a deflection coil narrower than the hearth is erected at each evaporation point. The electron beam evaporation apparatus according to claim 1, wherein the evaporation point is irradiated with an electron beam at a high incident angle.

The electron beam evaporation apparatus according to claim 2, wherein the evaporation point is irradiated with an electron beam at an incident angle of 40 ° or more.