JPH0673179A - 新規高分子化合物及びそれを用いた強誘電性液晶組成物並びに原料化合物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【目的】 室温を含む幅広い温度範囲でカイラルスメク
チックＣ相を発現し、電界変化に対して高速に応答する
新規な高分子化合物、その製造原料化合物であるジエン
化合物、並びにこの高分子化合物と低分子のスメクチッ
ク液晶化合物からなり、良好な配向性を有する上に、電
界に対する高速応答性を有する強誘電性液晶組成物を提
供する。 【構成】 下記の繰り返し単位［Ｉ］からなる新規高分
子化合物、 （式中、ｍ、ｎは２〜５の整数、ｋは１〜１３の数、ｊ
は１〜４の整数、ａは４〜２０の整数、ｂは０〜３の整
数、ｃは１〜７の整数、ｐは１又は２を表わし、＊は不
斉炭素原子を表わす。）

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は新規高分子化合物及びそ
れを用いた強誘電性液晶組成物並びに新規高分子化合物
の原料化合物に関する。更に詳しくいえば、本発明はオ
プトエレクトロニクス分野、特に電卓、時計などのデジ
タル表示素子、ドットマトリクス型表示素子、室温スイ
ッチング素子、電子光学シャッター、電子光学絞り、光
変調器、光通信光路切替スイッチ、メモリー、液晶プリ
ンターヘッド、焦点距離可変レンズなどに用いられる液
晶素子の材料として好適に用いられる新規な高分子化合
物及びそれを用いた強誘電性液晶組成物に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、低分子液晶化合物を用いた表示素
子は、電卓、時計などのデジタル表示に広く使用されて
いる。これらの利用分野では、通常、従来の低分子液晶
化合物は、間隔をミクロンオーダーで制御した２枚のガ
ラス基板の間に挟んで使用されている。しかしながら、
このような間隔の調整は大型画面や曲面画面では実現が
不可能であった。

【０００３】この難点を解決する手段として、液晶を高
分子化し、それ自体を成形可能ならしめることが試みら
れている［Ｊ．Ｐｏｌｙｍ．Ｓｃｉ．，Ｐｏｌｙｍ．Ｌ
ｅｔｔ．，Ｅｄ．１３，２４３（１９７５）、Ｐｏｌｙ
ｍ．Ｂｕｌｌ．６，３０９（１９８２）、特開昭５６−
２１４７９号公報など］。しかしながら、これら従来の
高分子液晶化合物は、ポリマー自体は室温では液晶とし
ての性質を示さず、ガラス転移温度以上でかつ透明化温
度未満の温度範囲で加熱して液晶化しなければならない
という欠点を有している。

【０００４】また、特開昭６３−９９２０４号公報に
は、ポリアクリレート系強誘電性高分子液晶化合物の合
成が報告されており、該強誘電性高分子液晶化合物が上
記の高分子液晶化合物よりも優れた性能を示すことが明
らかにされている。しかしながら、この従来の側鎖型強
誘電性高分子液晶化合物においても、なお、応答速度、
使用可能な温度範囲などに問題が残っている。

【０００５】更に、特開昭６３−２５４５２９号公報に
は、光学活性基を有するエポキシモノマーを重合して得
られるポリエーテル系強誘電性高分子液晶化合物［例え
ば、一般式（ＩＶ）で表わされるエポキシ化合物を重合
して得られ、一般式（ＩＶ′）で表わされる繰り返し単
位｛式（ＩＶ）及び式（ＩＶ′）中のｕは１〜３０の整
数を示す。｝からなる高分子液晶化合物］が開示されて
いる。

【０００６】

【化５】 また、国際公開第９２／０１７３１号パンフレットに
は、側鎖に芳香環を有し、主鎖に鎖状炭化水素骨格とシ
ロキサン骨格を有する繰り返し単位からなる例えば、下
記式（Ｖ）に示される高分子液晶化合物が開示されてい
る。

【０００７】

【化６】 しかしながら、これらの従来の側鎖型強誘電性高分子液
晶化合物は、室温付近を含む広い温度範囲で外部電界刺
激に対して応答するという利点はあるものの、その応答
速度が遅く、実用に供するには未だ不十分である。

【０００８】一方、液晶組成物として不斉炭素を有する
高分子液晶化合物と低分子液晶化合物からなる高分子液
晶組成物が提案されている（特開昭６３−２８４２９１
号公報）。しかし、例示されている側鎖型高分子液晶化
合物は通常のアクリレートやシロキサン鎖を主鎖とする
ものであるので側鎖間隔が十分でなく、分子量を大きく
すると低分子液晶化合物を十分に混合できなくなって高
速化が難しくなる。従って従来の高分子性を保ちつつ、
高速応答性を有する組成物を得ることが難しいという問
題点がある。

【０００９】また、非液晶性高分子化合物と低分子液晶
化合物からなる組成物で高分子性を保ちつつ、高速応答
性の組成物を得ようとする試みとしては、特開昭６１−
４７４２７号公報に低分子液晶化合物に非液晶質ポリマ
ーを配合して自己形状保持能力を付与した組成物が記載
されている。この組成物においては、高分子化合物（樹
脂）マトリックス中に分散して液晶領域が存在するため
長時間放置すると分離してくる可能性があり、また島状
に液晶が分散しているので、コントラストが悪いなどの
問題点があり、分散系なので配向制御も難しい。特開昭
６２−２６０８５９号公報、特開昭６２−２６０８４１
号公報には熱可塑性樹脂と低分子液晶化合物を含む強誘
電性複合膜が記載されており、相溶系になる熱可塑性樹
脂が用いられているが、この熱可塑性樹脂と相溶系にな
る低分子液晶化合物の組合わせが難しく、配向制御も難
しい。また、用いる低分子液晶化合物が強誘電性液晶に
限定されるという問題点がある。特開平１−１９８６８
３号公報にはプロトン供与体（又はプロトン受容体）を
持つポリマーとプロトン受容体（又はプロトン供与体）
を持つ低分子液晶化合物からなる組成物が記載されてい
るが、ポリマー、低分子液晶化合物ともプロトン供与体
（又はプロトン受容体）を持たなければならないので、
どちらの構造もかなり限定されるという問題点がある。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、室温を含む
幅広い温度範囲でカイラルスメクチックＣ相を発現し、
電界変化に対して高速に応答する新規な高分子化合物を
提供することを目的とする。

【００１１】本発明はまた、この新規高分子化合物の製
造に用いられる原料化合物であるジエン化合物を提供す
ることを目的とする。

【００１２】更に、本発明は前記高分子化合物と低分子
のスメクチック液晶化合物からなり、良好な配向性（配
向が簡単に行える。）を有する上に、電界に対する高速
応答性を有する強誘電性液晶組成物を提供することを目
的とする。

【００１３】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、前記課題
を解決するために鋭意研究を重ねた結果、側鎖に特定の
メソゲン基を有し、かつ主鎖内に柔軟なシロキサン鎖を
有し、側鎖間隔が広く、更にスぺーサー内に回転障壁の
低い炭素−ケイ素結合を有する新規な高分子化合物が室
温域を含む広い温度範囲でカイラルスメクチックＣ相
（Ｓ_C ^*相）を発現するとともに、電界変化に対して高速
応答性を示す優れた強誘電性高分子液晶となり得ること
を見出し、これらの知見に基づいて本発明を完成するに
至った。

【００１４】すなわち、本発明は下記の一般式で表わさ
れる繰り返し単位［Ｉ］からなる新規高分子化合物を提
供するものである。

【００１５】

【化７】 （式中、ｍ、ｎは２〜５の整数、ｐは１又は２、ａは４
〜２０の整数、ｂは０〜３の整数、ｃは１〜７の整数を
表し、＊は不斉炭素原子を表し、Ｙは

【００１６】

【化８】 を表し、ただし、ｋは１〜１３の数、ｊは１〜４の整数
である。）本発明の高分子化合物は主鎖内に柔軟なシロ
キサン鎖を有し、側鎖間隔が広く、さらにスペーサー内
に回転障壁の低い炭素−ケイ素結合を有するため、Ｓ_C ^*
相を示す場合、Ｓ_C ^*相において電界変化に対して高速に
応答する。また、側鎖間隔の広い構造を有しているの
で、低分子の液晶化合物と混合した場合も、混合物は相
溶系となり、相分離が起こらない。従って、該高分子化
合物が液晶性を示す、示さないにかかわらず、相溶性に
優れたカイラルドーパントとして機能し、配向性の良い
強誘電性液晶組成物を得ることができる。

【００１７】本発明の新規高分子化合物の重量平均分子
量（Ｍｗ）は、通常、１，０００〜１，０００，０００
であり、好ましくは１，０００〜１００，０００であ
る。Ｍｗが１，０００未満であると、該高分子化合物の
フィルム、塗膜としての成形性に支障を生じることがあ
り、一方、１，０００，０００を超えると応答時間が長
くなるなど好ましくない効果が現れることがある。

【００１８】本発明の高分子化合物は、その製造方法と
しては特に制限はなく、どのような方法によって製造し
てもよいのであるが、例えば、下記の一般式（ＩＩ）で
表されるジエン化合物（化合物ＩＩ）と下記の一般式
（ＶＩ）で表されるシリコン化合物（化合物ＶＩ）とを
所定の割合で溶媒中、触媒の存在下、ヒドロシリル化反
応により共重合することによって好適に製造することが
できる。

【００１９】

【化９】 （但し、式中のｐ、ｍ、ｎ、ａ、ｂ、ｃ及び＊は前記と
同じ。）

【００２０】

【化１０】 （但し、式中のｊ、ｋは前記と同じ。）この共重合反応
に供する化合物ＩＩと化合物ＶＩの割合は、得ようとす
る高分子化合物の重合度に依存する。即ち、高重合体を
得ようとすればモル比（化合物ＩＩ／化合物ＶＩ）は１
に近い方が良く、逆に低重合度のものを得ようとすれ
ば、１より大きく又は１より小さくする必要がある。

【００２１】前記化合物ＩＩと化合物ＶＩの共重合反応
に使用する溶媒としては、例えば、ベンゼン、トルエ
ン、キシレン等の不活性芳香族炭化水素、テトラヒドロ
フラン（ＴＨＦ）、ジイソプロピルエーテル等の不活性
なエーテル系溶媒などが好適に使用される。溶媒は、単
独溶媒でも、混合溶媒でもよいが、通常は、重合温度の
関係から沸点が７０℃以上のものが好ましく使用され
る。また、前記触媒としては、ヒドロシリル化活性を有
するものが使用され、具体的には例えば、塩化白金酸、
プラチナム（ＩＩ）アセチルアセトナート、ジシクロペ
ンタジエニルプラチナムクロリド等の白金系触媒が好ま
しく用いられる。

【００２２】前記共重合反応を行う際の、各成分の添加
の順序及び方式としては、特に制限はないが、例えば、
化合物ＩＩに、トルエン、ＴＨＦ等の溶媒を添加し、次
いで、所定量の化合物ＶＩと適量の塩化白金酸等の触媒
とを添加する方式などを好ましい例として挙げることが
できる。なお、触媒の添加法については単独で添加して
もよいし、イソプロピルアルコール等の溶媒に溶解して
添加してもよい。

【００２３】前記共重合反応は、例えば窒素ガスやアル
ゴン等の不活性雰囲気下で、通常、６０〜１２０℃、好
ましくは８０〜１００℃の温度範囲で好適に行うことが
できる。反応時間は、通常、３〜３０時間程度である。

【００２４】以上のようにして目的とする高分子化合物
を合成することができる。こうして得られた高分子化合
物は、公知の方法等によって反応混合物中から分離・回
収され、所望の精製度の高分子化合物として取得するこ
とができる。精製度の高い本発明の高分子化合物は、例
えば、重合反応が終了後、反応混合物を濾過し、その濾
液から溶媒を留去して得られる残渣を例えば塩化メチレ
ン等の適当な溶剤に溶解させ、これを例えばシリカゲル
等を充填剤とするカラムクロマトグラフィーによって精
製することによって好適に得ることができる。

【００２５】以下に、本発明の高分子化合物の製造に好
適に使用される原料化合物である前記化合物ＩＩ、化合
物ＶＩについて詳細に説明する。 化合物ＩＩの合成例−Ｉ ステップ

【００２６】

【化１１】 化合物ＶＩＩとｐ−ヒドロキシ安息香酸メチルの混合物
を溶媒中、アルカリ試薬の存在下でエーテル化反応を行
い、エーテル化されたエステル体（化合物ＶＩＩＩ）を
得る。ステップでは、化合物ＶＩＩとｐ−ヒドロキシ
安息香酸メチルを反応させているが、後者に代えてメチ
ルエステル以外のｐ−ヒドロキシ安息香酸エステルを使
用することもできる。なお、このステップのエーテル
化反応は、化合物ＶＩＩ、ｐ−ヒドロキシ安息香酸メチ
ル、アルカリ試薬及び溶媒を任意の順序で混合し、通
常、６０〜１００℃で加熱撹拌することによって好適に
行われる。このステップにおける溶媒としては、例え
ば、アセトン、２−ブタノン等のケトン系溶媒、ＴＨ
Ｆ、ジイソプロピルエーテル等のエーテル系不活性溶
媒、あるいはメタノール、エタノール等の低級アルコー
ルなどが好適に使用される。また、ステップにおける
アルカリ試薬としては、例えば、炭酸カリウム、炭酸ナ
トリウム等のアルカリ金属炭酸塩、水酸化カリウム、水
酸化ナトリウム等のアルカリ金属水酸化物などが好適に
使用される。

【００２７】化合物ＶＩＩの具体例としては、４−ブロ
モ−１−ブテン、４−ヨード−１−ブテン、４−トシル
−１−ブテン、５−ブロモ−１−ペンテン、５−ヨード
−１−ペンテン、５−トシル−１−ペンテン、６−ブロ
モ−１−ヘキセン、６−ヨード−１−ヘキセン、６−ト
シル−１−ヘキセン、７−ブロモ−１−へプテン、７−
ヨード−１−へプテン、７−トシル−１−へプテン、８
−ブロモ−１−オクテン、８−ヨード−１−オクテン、
８−トシル−１−オクテン、９−ブロモ−１−ノネン、
９−ヨード−１−ノネン、９−トシル−１−ノネン、１
０−ブロモ−１デセン、１０−ヨード−１−デセン、１
０−トシル−１−デセン、１１−ブロモ−１−ウンデセ
ン、１１−ヨード−１−ウンデセン、１１−トシル−１
−ウンデセン、１２−ブロモ−１−ドデセン、１２−ヨ
ード−１−ドデセン、１２−トシル−１−ドデセン、１
３−ブロモ−１−トリデセン、１３−ヨード−１−トリ
デセン、１３−トシル−１−トリデセン、１４−ブロモ
−１−テトラデセン、１４−ヨード−１−テトラデセ
ン、１４−トシル−１−テトラデセン、１５−ブロモ−
１−ペンタデセン、１５−ヨード−１−ペンタデセン、
１５−トシル−１−ペンタデセン、１６−ブロモ−１−
ヘキサデセン、１６−ヨード−１−ヘキサデセン、１６
−トシル−１−ヘキサデセン、１７−ブロモ−１−ヘプ
タデセン、１７−ヨード−１−ヘプタデセン、１７−ト
シル−１−ヘプタデセン、１８−ブロモ−１−オクタデ
セン、１８−ヨード−１−オクタデセン、１８−トシル
−１−オクタデセン、１９−ブロモ−１−ノナデセン、
１９−ヨード−１−ノナデセン、１９−トシル−１−ノ
ナデセン、２０−ブロモ−１−エイコセン、２０−ヨー
ド−１−エイコセン、２０−トシル−１−エイコセン等
が挙げられる。

【００２８】ステップ

【００２９】

【化１２】 ステップでは、ステップで得られたエステル体（化
合物ＶＩＩＩ）のエステル結合のみを選択的に加水分解
し、対応するカルボン酸（化合物ＩＸ）を得る。この加
水分解は、各種の手法によってなしうるが、通常は、化
合物ＶＩＩＩをアルカリの存在下、水又は水とアルコー
ルの混合液中で、必要に応じて加熱し、処理することに
よって好適に行われ、化合物ＩＸは得られた反応液に適
当な酸を添加し、ｐＨを酸性に調整することによって効
率よく回収される。なお、この加水分解反応は、アルカ
リ触媒、水のみで加熱してもよいが、更にアルコールを
加えることによって原料であるエステル化合物の溶解性
が向上し、反応が容易に進行する。ここで、アルカリと
しては、例えば、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム等
のアルカリ金属水酸化物などが好適に使用され、アルコ
ールとしては、メタノール、エタノール（ＥｔＯＨ）等
の水溶性低級アルコールなどが好適に使用される。ま
た、ｐＨ調整に使用する酸としては、例えば、塩酸、硫
酸等の常用される鉱酸などが好適に使用される。

【００３０】ステップ

【００３１】

【化１３】 ステップでは、ステップで得られたカルボン酸（化
合物ＩＸ）を、溶媒を用いず、又は適当な溶媒中で酸ハ
ロゲン化剤を用いて酸塩化物（化合物Ｘ）とする。この
酸ハロゲン化反応は、公知の方法に準じて好適に行うこ
とができる。例えば、溶媒としては、通常、トルエン等
の常用されるものを適宜選定して使用すればよいし、ま
た、酸ハロゲン化剤としては、例えば、塩化チオニル、
オキシ塩化リン、五塩化リンなどの公知の酸ハロゲン化
剤が用いられる。また、例えば、ピリジン等の反応促進
剤などを適量添加するのが好ましい。

【００３２】ステップ

【００３３】

【化１４】 酸塩化物（化合物Ｘ）とヒドロキシ化合物（化合物Ｘ
Ｉ）とを溶媒中、適当なハロゲン化水素受容剤の存在下
エステル化反応を行うことで化合物ＸＩＩを得る。

【００３４】前記化合物ＸＩは、それぞれ、公知の方法
等によって製造することができる。その際、化合物ＸＩ
の末端部にある光学活性アルキル基は、例えば、光学活
性アルコール（ＨＯ−Ｒ¹）を用いてエステル化反応等
を利用して容易に導入することができる。

【００３５】

【化１５】 ここで使用する光学活性アルコール（ＨＯ−Ｒ¹）とし
ては、例えば、（＋）−２−メチルブタノール、（−）
−２−メチルブタノール、（＋）−２−メチルペンタノ
ール、（−）−２−メチルペンタノール、（＋）−３−
メチルペンタノール、（−）−３−メチルペンタノー
ル、（＋）−４−メチルヘキサノール、（−）−４−メ
チルヘキサノール、（＋）−２−メチルヘプタノール、
（−）−２−メチルヘプタノール、（＋）−２−メチル
オクタノール、（−）−２−メチルオクタノール、
（＋）−２−ブタノール、（−）−２−ブタノール、
（＋）−２−ペンタノール、（−）−２−ペンタノー
ル、（＋）−２−ヘキサノール、（−）−２−ヘキサノ
ール、（＋）−２−へプタノール、（−）−２−へプタ
ノール、（＋）−２−オクタノール、（−）−２−オク
タノールなどを挙げることができる。

【００３６】ステップのエステル化反応は、例えば、
前記ステップで得た酸塩化物（化合物Ｘ）又はその溶
液に、化合物ＸＩとハロゲン化水素受容剤と適当な溶媒
からなる溶液を導入し、攪拌することによって好適に行
うことができる。その際、反応性の低いときは、例えば
２０〜８０℃の適当な温度に加熱してもよい。このよう
にして、所望の化合物ＸＩＩが効率よく得られる。

【００３７】エステル化反応の原料として使用する酸塩
化物（化合物Ｘ）は、単離されたものを用いてよく、あ
るいは前記ステップで得られた酸塩化物含有反応混合
物から適宜溶媒及び酸ハロゲン化剤等を除去した反応混
合物を引き続き用いてもよい。ステップのエステル化
反応の溶媒としては、例えば、ＴＨＦ等のエーテル系不
活性溶媒、トルエン、ヘキサン等の炭化水素系不活性溶
媒などが好適に使用される。また、前記ハロゲン化水素
受容剤としては、通常、例えばピリジン、トリエチルア
ミン（Ｅｔ₃Ｎ）等の三級アミンなどを好適に使用する
ことができる。

【００３８】化合物ＸＩＩは上記に述べた方法の他に、
例えば化合物ＶＩＩと一般式［ＸＩＩＩ］

【００３９】

【化１６】 （式中、ｂ、ｃ及び＊は前記と同じ。）で表わされるヒ
ドロキシ化合物（化合物ＸＩＩＩ）とを溶媒中アルカリ
試薬の存在下、エーテル化反応を行うことにより製造す
ることができる。反応は例えば次のように進行する。

【００４０】

【化１７】 （溶媒、試薬、反応条件はステップに同じ。）

【００４１】ステップ −１：ｐ＝１の場合

【００４２】

【化１８】 （ｉ）溶媒中、触媒存在下、化合物ＸＩＩとクロルジメ
チルシランの間でヒドロシリル化反応を行うことによ
り、化合物ＸＩＶを得、（ｉｉ）化合物ＸＩＶを水と反
応させることにより化合物ＸＶを得、（ｉｉｉ）化合物
ＸＶを溶媒中、適当なハロゲン化水素受容剤の存在下、
化合物ＸＶＩと反応させることにより化合物ＩＩを得
る。

【００４３】なお、（ｉ）における溶媒、触媒、温度、
試薬の添加方法等の反応条件は前述の高分子化合物の共
重合反応に用いられるものと同じである。（ｉ）で得ら
れた化合物ＸＩＶは分解しやすいので、単離せず、その
まま次の反応（ｉｉ）に使用する。（ｉｉ）において
は、等モル量の水をＴＨＦ等の水と混合可能な溶媒に溶
かし、化合物ＸＩＶを含む反応液に加える。反応温度は
０〜８０℃の範囲で任意に設定可能であるが、通常室温
又は水冷下で行う。ピリジン、トリエチルアミン等の３
級アミンをハロゲン化水素受容剤として加える。また、
等モル量ではなく、大過剰の水を、ＴＨＦ等の水と混合
可能な溶媒に加え、ここに化合物ＸＩＶを含む反応液を
加え、その後、硫酸ナトリウム、硫酸マグネシウム等の
脱水剤で水を除去してもよい。

【００４４】（ｉｉ）で得られた化合物ＸＶを含む溶液
又はその溶液にＴＨＦ等のエーテル系不活性溶媒又はト
ルエン、ヘキサン等の炭化水素系不活性溶媒を加えた溶
液に、化合物ＸＶＩをＴＨＦ等のエーテル系不活性溶媒
又はトルエン、ヘキサン等の炭化水素系不活性溶媒に溶
解して添加し、更に、ピリジン、トリエチルアミン等の
３級アミンをハロゲン化水素受容剤として加え、攪拌す
ることによって化合物ＩＩを得る。反応はＮ₂、Ａｒ等
の不活性ガス雰囲気下室温で行う。反応性の低いときは
２０〜８０℃の適当な温度に加熱してもよい。

【００４５】クロルジメチルシランの代わりにメトキシ
ジメチルシラン、エトキシジメチルシラン等のアルコキ
シシラン化合物を使用してもよい。

【００４６】−２：ｐ＝２の場合

【００４７】

【化１９】 （ｉ）化合物ＸＶＩを水と反応させることにより、化合
物ＸＶＩＩを得る。

【００４８】（ｉｉ）この化合物ＸＶＩＩと化合物ＩＩ
の合成例−１の−１と同様の方法によって得た化合物
ＸＶ、更にジクロルジメチルシランを、溶媒中、適当な
ハロゲン化水素受容剤の存在下、反応させることによ
り、化合物ＩＩを得る。

【００４９】（ｉ）においては、等モル量の水を、ＴＨ
Ｆ等の水と混合可能な溶媒に溶かし、化合物ＸＶＩに加
える。反応温度は０〜８０℃の範囲で任意に設定可能で
あるが、通常、室温又は水冷下で行う。ピリジン、トリ
エチルアミン等の３級アミンをハロゲン化水素受容剤と
して加える。（ｉ）で得られた化合物ＸＶＩＩを含む溶
液及び化合物ＩＩの合成例−１の−１と同様の方法に
よって得られた化合物ＸＶを含む溶液を混合し、必要に
応じ、ＴＨＦ等のエーテル系不活性溶媒、又はトルエ
ン、ヘキサン等の炭化水素系不活性溶媒を加え、ここ
に、ジクロルジメチルシランをＴＨＦ等のエーテル系不
活性溶媒、又はトルエン、ヘキサン等の炭化水素系不活
性溶媒に溶解して添加し、更にピリジン、トリエチルア
ミン等の３級アミンをハロゲン化水素受容剤として加
え、攪拌することによって化合物ＩＩを得る。反応は、
窒素、アルゴン等の不活性ガス雰囲気下、室温又は水冷
下で行う。反応性の低いときは、２０〜８０℃の適当な
温度に加熱してもよい。

【００５０】ステップ 化合物ＸＶＩの合成法としては、以下の（ｉ）、（ｉ
ｉ）がある。 （ｉ）

【００５１】

【化２０】 ジアルケニルジクロルシラン（ＸＶＩＩＩ）とメチルリ
チウム（Ｍ＝Ｌｉ）、メチルマグネシウムブロミド（Ｍ
＝ＭｇＢｒ）等の有機金属化合物をＴＨＦ等のエーテル
系不活性溶媒又はトルエン、ヘキサン等の炭化水素系不
活性溶媒中でほぼ等モル反応させることによって化合物
ＸＶＩを得る。反応はＮ₂、Ａｒ等の不活性ガス雰囲気
下で行う。反応温度は−７０〜８０℃の範囲で任意に設
定可能であるが、通常は０〜３０℃で行う。試薬の添加
方法としては、化合物ＸＶＩＩＩを上記溶媒に溶解した
溶液にメチルリチウム等を上記溶媒に溶解した溶液を滴
下する方法が好ましい。

【００５２】（ｉｉ）

【００５３】

【化２１】 トリクロルメチルシランと化合物ＸＩＸ、次いで化合物
ＸＸをほぼ等モルずつ反応させることにより、化合物Ｘ
ＶＩを得る。溶媒、反応温度等の反応条件はステップ
の（ｉ）と同じである。化合物ＸＩＸ、化合物ＸＸとし
ては、ビニルリチウム、アリルリチウム、ビニルマグネ
シウムブロミド、アリルマグネシウムブロミド、３−ブ
テニルマグネシウムブロミド、４−ペンテニルマグネシ
ウムブロミド等が挙げられる。なお、化合物ＩＩの合成
に際しては、化合物ＸＶＩを精製する必要はなく、反応
の結果生じた固形物を濾別し、溶液状態のままで使用す
ればよい。

【００５４】（ｉ）で使用する化合物ＸＶＩＩＩとして
は、クロルシラン化合物だけではなく、メトキシシラ
ン、エトキシシラン等のアルコキシシラン化合物を使用
することができる。（ｉｉ）で使用するトリクロルメチ
ルシランについても、その代わりに、トリメトキシメチ
ルシラン、トリエトキシメチルシラン等のアルコキシシ
ラン化合物を使用することができる。

【００５５】化合物ＩＩの合成例−２ 化合物ＩＩは、以下に示す方法によっても合成可能であ
る。 ステップ

【００５６】

【化２２】 化合物ＶＩＩとｐ−ブロモフェノールの混合物を、溶媒
中、アルカリ試薬の存在下反応させ、化合物ＸＸＩを得
る。反応条件、試薬等については、化合物ＩＩの合成例
−１のステップにおけるｐ−ヒドロキシ安息香酸メチ
ルをｐ−ブロモフェノールに変えた以外は、化合物ＩＩ
の合成例−１のステップと同様である。なお、ｐ−ブ
ロモフェノールの代りに、ｐ−ヨードフェノール、ｐ−
クロルフェノールを用い、臭化物である化合物ＸＸＩの
代りに対応するヨウ化物、塩化物を得、続くステップ
に用いてもよい。

【００５７】ステップ ステップ−１：ｐ＝１の場合

【００５８】

【化２３】

【００５９】（ｉ）溶媒中、触媒存在下、化合物ＸＸＩ
とクロルジメチルシランの間でヒドロシリル化反応を行
うことにより、化合物ＸＸＩＩを得、（ｉｉ）化合物Ｘ
ＸＩＩを水と反応させることにより化合物ＸＸＩＩＩを
得、（ｉｉｉ）化合物ＸＸＩＩＩを溶媒中、適当なハロ
ゲン化水素受容剤の存在下、化合物ＸＶＩと反応させる
ことにより化合物ＸＸＩＶを得る。

【００６０】反応条件、試薬等については、化合物ＸＩ
Ｉを化合物ＸＸＩに、化合物ＸＩＶを化合物ＸＸＩＩ
に、化合物ＸＶを化合物ＸＸＩＩＩに、そして化合物Ｉ
Ｉを化合物ＸＸＩＶに置き換える以外は、化合物ＩＩの
合成例−１のステップ−１と同様である。また、臭化
物である化合物ＸＸＩの代りに、対応するヨウ化物、塩
化物を用いることにより、臭化物である化合物ＸＸＩＶ
の代りに対応するヨウ化物、塩化物を得、続くステップ
に用いてもよい。

【００６１】−２：ｐ＝２の場合

【００６２】

【化２４】 （ｉ）化合物ＸＶＩを水と反応させることにより、化合
物ＸＶＩＩを得る。

【００６３】（ｉｉ）この化合物ＸＶＩＩと、化合物Ｉ
Ｉの合成例−２の−１と同様の方法によって得た化合
物ＸＸＩＩＩ、さらにジクロルジメチルシランを、溶媒
中、適当なハロゲン化水素受容剤の存在下、反応させる
ことにより、化合物ＸＸＩＶを得る。

【００６４】（ｉ）においては、等モル量の水を、ＴＨ
Ｆ等の水と混合可能な溶媒に溶かし、化合物ＸＶＩに加
える。反応温度は０〜８０℃の範囲で任意に設定可能で
あるが、通常、室温又は水冷下で行う。ピリジン、トリ
エチルアミン等の２級アミンをハロゲン化水素受容剤と
して加える。

【００６５】（ｉ）で得られた化合物ＸＶＩＩを含む溶
液及び化合物ＩＩの合成例−２の−１と同様の方法に
よって得られた化合物ＸＸＩＩＩを含む溶液を混合し、
必要に応じ、ＴＨＦ等のエーテル系不活性溶媒、又はト
ルエン、ヘキサン等の炭化水素系不活性溶媒を加え、こ
こに、ジクロルジメチルシランをＴＨＦ等のエーテル系
不活性溶媒、又はトルエン、ヘキサン等の炭化水素系不
活性溶媒に溶解して添加し、更にピリジン、トリエチル
アミン等の３級アミンをハロゲン化水素受容剤として加
え、攪拌することによって化合物ＸＸＩＶを得る。反応
は、窒素、アルゴン等の不活性ガス雰囲気下、室温又は
水冷下で行う。反応性の低いときは、２０〜８０℃の適
当な温度に加熱してもよい。

【００６６】また、臭化物である化合物ＸＸＩの代りに
対応するヨウ化物、塩化物を用いることにより、臭化物
である化合物ＸＸＩＶの代りに、対応するヨウ化物、塩
化物を得、続くステップに用いてもよい。

【００６７】ステップ

【００６８】

【化２５】 （ｉ）溶媒中、化合物ＸＸＩＶとマグネシウムを反応さ
せ、グリニャール試薬とし、（ｉｉ）さらに二酸化炭素
と反応させることいより、化合物ＸＸＶを得る。（ｉ）
の溶媒としては、ＴＨＦ等のエーテル系不活性溶媒が好
適である。反応促進のため、Ｉ₂、１，２−ジブロモエ
タン等を加えてもよい。反応は窒素、アルゴン等の不活
性ガス雰囲気下、室温又は２０〜８０℃の適当な温度に
加熱して行う。（ｉｉ）においては、（ｉ）の反応溶液
に二酸化炭素をバブリングしてもよいし、（ｉ）の反応
溶液をドライアイスに加えてもよい。

【００６９】ステップ

【００７０】

【化２６】 化合物ＸＸＶと化合物ＸＩを、ＤＣＣ等の縮合剤を用い
て反応させることにより、化合物ＩＩを得る。反応促進
のため、４−ジメチルアミノピリジン等を加えてもよ
い。溶媒としては、トルエン、塩化メチレン等が使用さ
れる。反応は、窒素、アルゴン等の不活性ガス雰囲気下
で行う。反応温度は、０〜８０℃の範囲で任意に設定可
能であるが、通常、室温で反応を行う。

【００７１】本発明の高分子化合物の製造原料として用
いる前記シリコン化合物（化合物ＶＩ）は、２個のＳｉ
−Ｈ結合を持った化合物であり、

【００７２】

【化２７】 の場合、ｋの値が１、２、３のものはｋの値に分布はほ
とんどなく単一なものが用いられるが、ｋの値が大きな
化合物は重合度（ｋの値）に分布があるため、ｋの値
は、平均値で表わされる。したがって、得られた高分子
化合物のｋも平均値である。化合物ＶＩの具体例として
は、１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン、１，
１，３，３，５，５−ヘキサメチルトリシロキサン、
１，１，３，３，５，５，７，７−オクタメチルテトラ
シロキサン、及びケイ素原子の数が６又は７のα，ω−
ハイドロジェンオリゴジメチルシロキサン、更に、１，
１−ビス（ジメチルシリル）メタン、１，１，４，４−
テトラメチルジシルエチレン、１，３−ビス（ジメチル
シリル）プロパン、１，４−ビス（ジメチルシリル）ブ
タン等を挙げることができる。これらの化合物ＶＩは、
前記共重合反応に１種単独で使用してもよいし、必要に
応じて、２種以上を併用してもよい。

【００７３】以上のように詳細に説明した化合物ＩＩ及
び化合物ＶＩを製造原料として用い、前述の高分子化合
物の製造例に従うことによって、本発明の新規高分子化
合物を好適に得ることができる。

【００７４】本発明はまた、前記の新規高分子化合物と
低分子のスメクチック液晶化合物からなる強誘電性液晶
組成物を提供するものである。

【００７５】本発明の強誘電性液晶組成物は前記新規高
分子化合物と低分子のスメクチック液晶化合物を混合す
ることにより得られる。

【００７６】本発明において用いられる低分子のスメク
チック液晶化合物については特に制限はなく、従来公知
の化合物の中から任意のものを１種以上選択して用いる
ことができる。該液晶化合物としては、例えば、

【００７７】

【化２８】

【００７８】

【化２９】 （式中のＲ³及びＲ⁴は、それぞれ炭素数１〜１２の直鎖
状又は分岐状のアルキル基、アルコキシ基、アルコキシ
カルボニル基又はアシルオキシ基であり、それらは同一
であってもよいし、互いに異なっていてもよく、ｄ、ｅ
は２〜５の整数、ｇは８〜１２の整数、ｈは０〜３の整
数、ｉは１〜７の整数、＊は不斉炭素原子を表わす。）
及び本発明の新規高分子化合物の合成に用いられる一般
式［ＩＩ］で表わされるジエン化合物などを挙げること
ができる。

【００７９】更に、一般式

【００８０】

【化３０】 で表される化合物なども用いることができる。前記一般
式（ＸＸＶＩ）におけるＲ⁵は炭素数７〜１２のアルキ
ル基、炭素数６〜１５のアルコキシ基又は炭素数６〜１
２のアルコキシカルボニル基又はアシルオキシ基、一般
式（ＸＸＶＩ）及び（ＸＸＩＸ）におけるＲ⁶は炭素数
７〜１２のアルキル基又は炭素数６〜１１のアルコキシ
基である。また、一般式（ＸＸＶＩＩ）におけるＲ⁷及
びＲ⁸は、それぞれ炭素数４〜１４のアルキル基又はア
ルコキシ基であり、それらは同一であってもよいし、互
いに異なっていてもよい。一方、一般式（ＸＸＶＩＩ
Ｉ）におけるＲ⁹は炭素数４〜１４のアルキル基、Ｒ¹⁰
は炭素数５〜１４のアルキル基又は炭素数４〜１４のア
ルコキシ基である。一般式（ＸＸＩＸ）におけるＲ
¹¹は、炭素数７〜１２のアルキル基又は炭素数６〜２０
のアルコキシ基である。Ｒ⁵、Ｒ¹¹におけるメチレン基
の一部は、エステル基、酸素原子に置換されていてもよ
い。ただし、エステル基や酸素原子が連続することはな
い。また、Ｒ⁵〜Ｒ¹¹は直鎖でも分岐状であってもよ
い。

【００８１】これらの液晶化合物の具体例としては、

【００８２】

【化３１】

【００８３】

【化３２】 などが挙げられる。

【００８４】前記新規高分子化合物は構造上くし型ポリ
マーであるので、混合系である本発明の強誘電性液晶組
成物において、高分子の側鎖の間に低分子のスメクチッ
ク液晶化合物が入り込み相溶系となる。図１はこの様子
を模式的に示した説明図である。

【００８５】本発明の強誘電性液晶組成物はこのように
相溶系になるのでコントラスト比もよく、外的因子に対
して高速に応答する。また、高分子化合物を含んでいる
ので配向性がよく、配向制御も容易で簡便に液晶光学素
子を製作することができる。

【００８６】また、くし型ポリマーに光学活性基が導入
されているので、混合する低分子のスメクチック液晶化
合物が非カイラルのスメクチック液晶であっても、くし
型ポリマーがカイラルドーパントとしての役割を果た
し、組成物として強誘電性を発現することができ、液晶
組成物を強誘電性液晶組成物とすることができる。

【００８７】また、本発明の強誘電性液晶組成物におい
ては、高分子化合物はカイラルドーパントとして機能
し、また組成物に成形性及び良好な配向性を付与する役
割を果せばよいのであって、必ずしもそれ自体がＳ_C ^*相
を有するものでなくてもよい。

【００８８】また、本発明の強誘電性液晶組成物には、
構成成分として更に下記繰り返し単位［ＩＩＩ］からな
る高分子化合物を加えてもよい。

【００８９】

【化３３】 （式中、ｄ、ｅは２〜５の整数、ｆは１〜６の数、ｇは
８〜１２の整数、ｈは０〜３の整数、ｉは１〜７の整
数、＊は不斉炭素原子を表す。）この高分子化合物［Ｉ
ＩＩ］は室温域を含む幅広い温度範囲でＳ_C ^*層を発現す
るとともに、本発明の新規高分子化合物同様に、主鎖内
に柔軟なシロキサン鎖を有し、側鎖間隔が広い。従っ
て、本発明の高分子化合物及び低分子のスメクチック液
晶化合物に添加した場合、組成物の相溶系をくずすこと
なく、良好な成形性及び配向性を有する強誘電性組成物
を得ることができる。

【００９０】この高分子化合物［ＩＩＩ］は、例えば下
記の一般式で表されるジエン化合物［ＸＸＸ］とシリコ
ン化合物［ＸＸＸＩ］

【００９１】

【化３４】 （式中、ｄ、ｅ、ｆ、ｇ、ｈ、ｉ及び＊は上記と同じ意
味を有する。）とをほぼ等モルの割合で溶媒中、触媒の
存在下、ヒドロシリル化反応を行うことにより製造する
ことができる。

【００９２】化合物［ＸＸＸ］と化合物［ＸＸＸＩ］の
ヒドロシリル化反応を行う溶媒としては、ベンゼン、ト
ルエン、キシレン等の不活性芳香族炭化水素系溶媒及び
ＴＨＦ、ジイソプロピルエーテル等の不活性なエーテル
系溶媒などが好ましく用いられる。また触媒としては、
塩化白金酸、プラチナム（ＩＩ）アセチルアセトナー
ト、ジシクロペンタジエニルプラチナムクロリド等の白
金系触媒が好ましく用いられる。また、反応は好ましく
は不活性雰囲気下で６０〜９０℃で５〜２０時間行われ
る。

【００９３】高分子化合物と低分子のスメクチック液晶
化合物の混合方法としては、特に制限はなく、直接混合
でも溶液混合でもよい。例えば、溶液混合としては、高
分子化合物と低分子のスメクチック液晶化合物の所定量
を容器に入れてジクロルメタン等の溶媒に溶解し混合し
て溶媒を蒸発させる方法が好適である。

【００９４】混合比率としては、高分子化合物［ＩＩ
Ｉ］を加えない場合、新規高分子化合物の分率を５〜９
９重量％とすることが好ましい。高分子化合物の分率が
５重量％未満では液晶組成物の製膜性、配向性が低下す
ることがある。また、混合する低分子のスメクチック液
晶化合物が非カイラルの場合、強誘電相を発現しないな
どの不都合を生じることがある。高分子化合物の分率が
９９重量％を超えると電界変化に対する応答時間が長く
なることがある。また、高分子化合物［ＩＩＩ］を加え
る場合、高分子化合物［Ｉ］及び［ＩＩＩ］の分率の合
計が５〜９９重量％となることが好ましい。また、高分
子化合物中に占める本発明の新規高分子化合物の分率
は、４０〜９９重量％となることが好ましい。本発明の
新規高分子化合物の分率が４０重量％未満では、電界に
対する応答時間が長くなることがある。混合物中には色
素、接着剤等が含まれていてもよい。

【００９５】

【実施例】次に、本発明を実施例に基づいて説明する
が、本発明はこれらの実施例に限定されるものではな
い。

【００９６】電界応答時間（τ）は、２５℃で±１０Ｖ
／μｍの矩形波状電圧 を印加し、その際の透過光量変化
（１０→９０％）に要した必要な時間である。測定法は
すべて実施例１１の方法により行った。

【００９７】なお、相転移挙動を示す式中、各記号は下
記の意味を有する。 ｇｌａｓｓ：ガラス相、Ｓ_C ^*：カイラルスメクチックＣ
液晶相、Ｉｓｏ：等方性液体相、Ｓ_A：スメクチックＡ
相、Ｎ^*：カイラルネマチック相、Ｃｒｙｓｔ：結晶状
態 相転移温度は偏光顕微鏡観察により決定した。測定法は
すべて実施例１１の方法により行った。なお、相転移挙
動を示す式中、数字は℃を表わす。また、以下の実施例
においてＭｗは重量平均分子量を表わし、ＧＰＣ測定に
よるポリスチレン換算値である。

【００９８】実施例１ 高分子化合物Ａの合成

【００９９】

【化３５】 化合物（１）の合成

【０１００】

【化３６】 ４−（９−デセニルオキシ）ベンゾイックアシッド８．
０ｇに、チオニルクロリド４ｍｌを加え、６５℃で４時
間攪拌した。過剰のチオニルクロリドを減圧留去した
後、トルエン２０ｍｌを加えた。そこへ、（Ｓ）−１−
メチルブチル ４−ヒドロキシビフェニル−４′−カル
ボキシレート９．１ｇ、ピリジン２．８ｇのトルエン２
０ｍｌ溶液を室温で滴下し、室温で１日反応させた。生
じた不溶物を濾過により除き、溶媒を減圧留去した。エ
タノールからの再結晶により、目的物（１）１１．７ｇ
を得た（収率７４％）。

【０１０１】モノマーａの合成

【０１０２】

【化３７】 ジアリルジクロルシラン １．０ｇをＴＨＦ１０ｍｌに
溶解し、ここにメチルリチウムの１．４Ｍジエチルエー
テル溶液３．６ｍｌを水冷下、アルゴン雰囲気で滴下し
た。その後、水冷下３時間攪拌した。固形物を除去し、
ジアリルクロルメチルシラン（２）のエーテル系溶液を
得た。

【０１０３】同時に、化合物（１）１．０ｇをトルエン
２ｍｌに溶解し、更に、クロルジメチルシラン０．３５
ｇ、塩化白金酸・６水和物の４重量％２−プロパノール
溶液２０μｌを加え、アルゴン雰囲気下１００℃で４時
間攪拌し、クロルシラン化合物（３）を得た。この反応
溶液に、水３６ｍｇ、トリエチルアミン０．２０ｇのＴ
ＨＦ１０ｍｌ溶液を加え、水冷下１０分間攪拌し、シラ
ノール化合物（４）を得た。

【０１０４】この反応溶液に前記のジアリルクロルメチ
ルシラン（２）のエーテル系溶液及びトリエチルアミン
０．５６ｇのＴＨＦ５ｍｌ溶液を水冷下、アルゴン雰囲
気で滴下した。その後、室温で２日間反応させた。食塩
水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を減圧留
去した。シリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精
製し、目的とするモノマーａ ０．６０ｇを得た（収率
４４％）。モノマーａの¹Ｈ −ＮＭＲチャートを図２
に、諸物性を表１に示す。

【０１０５】重合 モノマーａ ０．４０ｇをトルエン５ｍｌに溶解させた
系をアルゴン置換した。１，１，３，３−テトラメチル
ジシロキサン９８ｍｇと塩化白金酸・６水和物の４重量
％２−プロパノール溶液３０μｌを加え、８５℃で１７
時間反応させた。溶媒を減圧留去し、シリカゲルカラム
クロマトグラフィーにより精製し、高分子化合物Ａ０．
４３ｇを得た（収率８６％）。高分子化合物Ａの¹Ｈ −
ＮＭＲチャートを図３に、諸物性を表２に示す。

【０１０６】実施例２ 高分子化合物Ｂの合成

【０１０７】

【化３８】 実施例１と同様の方法で得られたモノマーａ０．３９ｇ
をトルエン５ｍｌに溶解させた系をアルゴン置換した。
α，ω−ハイドロジェンオリゴジメチルシロキサン（重
量平均分子量６７０）０．１６ｇと塩化白金酸・６水和
物の４重量％２−プロパノール溶液２０μｌを加え、８
５℃で１０時間反応させた。溶媒を減圧留去し、シリカ
ゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、高分子化
合物Ｂ０．４５ｇを得た（収率８２％）。高分子化合物
Ｂの¹Ｈ −ＮＭＲチャートを図４に、諸物性を表２に示
す。

【０１０８】実施例３ 高分子化合物Ｃの合成

【０１０９】

【化３９】 化合物（５）の合成

【０１１０】

【化４０】 ４−（９−デセニルオキシ）ベンゾイックアシッド４．
０ｇにチオニルクロリド７ｍｌを加え、６５℃で６時間
攪拌した。過剰のチオニルクロリドを減圧留去した後、
トルエン１０ｍｌを加えた。そこへ、（Ｓ）−１−メチ
ルヘプチル ４−ヒドロキシビフェニル−４′−カルボ
キシレート５．２ｇ、ピリジン１．４ｇのトルエン１５
ｍｌ溶液を室温で滴下し、室温で１日反応させた。生じ
た不溶物を濾過により除き、溶媒を減圧留去した。エタ
ノールからの再結晶により、目的物（５）６．２ｇを得
た（収率７３％）。

【０１１１】モノマーｂの合成

【０１１２】

【化４１】 ジアリルジクロルシラン４．７ｇをＴＨＦ３５ｍｌに溶
解し、ここにメチルリチウムの１．４Ｍジエチルエーテ
ル溶液２０ｍｌを水冷下、アルゴン雰囲気で１０分間で
滴下した。その後、水冷下３時間攪拌した。固形物を除
去し、ジアリルクロルメチルシラン（２）のエーテル系
溶液を得た。

【０１１３】同時に、化合物（５）５．０ｇをトルエン
１０ｍｌに溶解し、更に、クロルジメチルシラン２．４
ｇ、塩化白金酸・６水和物の４重量％２−プロパノール
溶液７０μｌを加え、アルゴン雰囲気下１００℃で４時
間攪拌し、クロルシラン化合物（６）を得た。この反応
溶液を、ＴＨＦ２４０ｍｌ、水１６ｍｌの混合溶液に加
え、１０分間室温で放置し、シラノール化合物（７）を
得た。

【０１１４】硫酸マグネシウムで乾燥後、この反応溶液
に前記のジアリルクロルメチルシラン（２）のエーテル
系溶液及びトリエチルアミン２．１ｇを水冷下、アルゴ
ン雰囲気で滴下した。その後、水冷下で２日間反応させ
た。固形物を濾過により除いた後、食塩水で洗浄し、硫
酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を減圧留去した。シリカ
ゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、目的とす
るモノマーｂ ０．７８ｇを得た（収率１２％）。モノ
マーｂの¹Ｈ −ＮＭＲチャートを図５に、諸物性を表１
に示す。

【０１１５】重合 モノマーｂ ０．３０ｇをトルエン４ｍｌに溶解させた
系をアルゴン置換した。１，１，３，３−テトラメチル
ジシロキサン９７ｍｇと塩化白金酸・６水和物の４重量
％２−プロパノール溶液４０μｌを加え、８５℃で１８
時間反応させた。溶媒を減圧留去し、シリカゲルカラム
クロマトグラフィーにより精製し、高分子化合物Ｃ
０．３２ｇを得た（収率８１％）。高分子化合物Ｃの¹
Ｈ −ＮＭＲチャートを図６に、諸物性を表２に示す。

【０１１６】実施例４ 高分子化合物Ｄの合成

【０１１７】

【化４２】 メチル ４−（７−オクテニルオキシ）ベンゾエート
（８）の合成 ８−ブロモオクテン５．２ｇ、メチル ４−ヒドロキシ
ベンゾエート５．０ｇ、炭酸カリウム１４ｇを２−ブタ
ノン７０ｍｌに加え、アルゴン雰囲気下、７時間還流し
た。固形物を濾別後、溶媒を減圧留去した。残渣をシリ
カゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、化合物
（８）４．９ｇを得た（収率６８％）。

【０１１８】４−（７−オクテニルオキシ）ベンゾイ
ックアシッド（９）の合成 化合物（８）４．９ｇ、水酸化カリウム３．７ｇを水５
０ｍｌ、メタノール２０ｍｌの混合溶媒に加え、５時間
還流した。反応液を水２００ｍｌに注ぎ、濃塩酸でｐＨ
を約１とした。生じた固形物を濾取し、水洗後、乾燥
し、化合物（９）４．０ｇを得た（収率８７％）。

【０１１９】化合物（１０）の合成

【０１２０】

【化４３】 化合物（９）３．８ｇに、チオニルクロリド７ｍｌを加
え、６０℃で３時間攪拌した。過剰のチオニルクロリド
を減圧留去した後、トルエン１０ｍｌを加えた。そこ
へ、（Ｓ）−１−メチルブチル ４−ヒドロキシビフェ
ニル−４′−カルボキシレート４．６ｇ、ピリジン１．
２ｇのトルエン８ｍｌ溶液を室温で滴下し、室温で１日
反応させた。生じた不溶物を濾過により除き、溶媒を減
圧留去した。エタノールからの再結晶により、目的物
（１０）４．８ｇを得た（収率６５％）。

【０１２１】モノマーｃの合成

【０１２２】

【化４４】 ジアリルジクロルシラン５．０ｇをＴＨＦ３５ｍｌに溶
解し、ここにメチルリチウムの１．４Ｍジエチルエーテ
ル溶液２２ｍｌを水冷下、アルゴン雰囲気で１０分間で
滴下した。その後、水冷下５時間攪拌した。固形物を除
去し、ジアリルクロルメチルシラン（２）のエーテル系
溶液を得た。

【０１２３】同時に、化合物（１０）４．７ｇをトルエ
ン１０ｍｌに溶解し、更に、クロルジメチルシラン２．
５ｇ、塩化白金酸・６水和物の４重量％２−プロパノー
ル溶液７０μｌを加え、アルゴン雰囲気下１００℃で５
時間攪拌し、クロルシラン化合物（１１）を得た。この
反応溶液を、ＴＨＦ２４０ｍｌ、水１６ｍｌの混合溶液
に加え、１０分間室温で放置し、シラノール化合物（１
２）を得た。

【０１２４】硫酸マグネシウムで乾燥後、この反応溶液
に前記のジアリルクロルメチルシラン（２）のエーテル
系溶液及びトリエチルアミン２．２ｇを水冷下、アルゴ
ン雰囲気で滴下した。その後、水冷下で２日間反応させ
た。固形物を濾過により除いた後、食塩水で洗浄し、硫
酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を減圧留去した。シリカ
ゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、目的とす
るモノマーｃ １．５ｇを得た（収率２２％）。モノマ
ーｃの¹Ｈ−ＮＭＲチャートを図７に、諸物性を表１に
示す。

【０１２５】重合 モノマーｃ ０．４０ｇをトルエン５ｍｌに溶解させた
系をアルゴン置換した。１，１，３，３−テトラメチル
ジシロキサン０．１２ｇと塩化白金酸・６水和物の４重
量％２−プロパノール溶液４０μｌを加え、８５℃で１
７時間反応させた。溶媒を減圧留去し、シリカゲルカラ
ムクロマトグラフィーにより精製し、高分子化合物Ｄ
０．４２ｇを得た（収率８１％）。高分子化合物Ｄの¹
Ｈ −ＮＭＲチャートを図８に、諸物性を表２に示す。

【０１２６】実施例５ 高分子化合物Ｅの合成

【０１２７】

【化４５】 実施例１と同様の方法で得られたモノマーａ０．１０ｇ
をトルエン２ｍｌに溶解させた系をアルゴン置換した。
α，ω−ハイドロジェンオリゴジメチルシロキサン（重
量平均分子量６７０）９７ｍｇと塩化白金酸・６水和物
の４重量％２−プロパノール溶液２０μｌを加え、８５
℃で１５時間反応させた。更に、モノマーａ ０．４０
ｇ、１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン４８ｍ
ｇ、塩化白金酸・６水和物の４重量％２−プロパノール
溶液１０μｌ、トルエン２ｍｌを追加し、８５℃で４時
間反応させた。溶媒を減圧留去し、シリカゲルカラムク
ロマトグラフィーにより精製し、高分子化合物Ｅ ０．
５２ｇを得た（収率８１％）。高分子化合物Ｅの¹Ｈ −
ＮＭＲチャートを図９に、諸物性を表２に示す。

【０１２８】実施例６ 高分子化合物Ｆの合成

【０１２９】

【化４６】 実施例３と同様の方法で得られたモノマーｂ ８０ｍｇ
をトルエン２ｍｌに溶解させた系をアルゴン置換した。
α，ω−ハイドロジェンオリゴジメチルシロキサン（重
量平均分子量６７０）７０ｍｇと塩化白金酸・６水和物
の４重量％２−プロパノール溶液２０μｌを加え、８５
℃で１５時間反応させた。更に、モノマーｂ ０．３２
ｇ、１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン３６ｍ
ｇ、塩化白金酸・６水和物の４重量％２−プロパノール
溶液１０μｌ、トルエン２ｍｌを追加し、８５℃で４時
間反応させた。溶媒を減圧留去し、シリカゲルカラムク
ロマトグラフィーにより精製し、高分子化合物Ｆ０．４
３ｇを得た（収率８５％）。高分子化合物Ｆの¹Ｈ −Ｎ
ＭＲチャートを図１０に、諸物性を表２に示す。

【０１３０】実施例７ 高分子化合物Ｇの合成

【０１３１】

【化４７】 モノマーａ０．４０ｇをトルエン４ｍｌに溶解させた系
をアルゴン置換した。１，１，４，４−テトラメチルジ
シルエチレン４４ｍｇと塩化白金酸六水和物の４重量％
２−プロパノール溶液２０μｌを加え、８５℃で３時間
反応させた。溶媒を減圧留去し、シリカゲルカラムクロ
マトグラフィーにより精製し、高分子化合物Ｇ ０．３
９ｇを得た（収率８８％）。高分子化合物Ｇの¹Ｈ−Ｎ
ＭＲチャートを図１１に、諸物性を表２に示す。

【０１３２】実施例８ 高分子化合物Ｈの合成

【０１３３】

【化４８】 化合物（１３）の合成

【０１３４】

【化４９】 ４−（１０−ウンデセニルオキシ）ベンゾイックアシッ
ド４．０ｇに、チオニルクロリド３ｍｌを加え、７０℃
で４時間攪拌した。過剰のチオニルクロリドを減圧留去
した後、トルエン３０ｍｌを加えた。そこへ、（ｓ）−
１−メチルブチル ４−ヒドロキシビフェニル−４′−
カルボキシレート３．７ｇ、ピリジン１．３ｇのトルエ
ン１５ｍｌ溶液を室温で滴下し、室温で１日反応させ
た。生じた不溶物を瀘過により除き、溶媒を減圧留去し
た。エタノールからの再結晶により、目的物（１３）
４．３ｇを得た（収率５５％）。

【０１３５】モノマーｄの合成

【０１３６】

【化５０】 ジアリルジクロルシラン２．６ｇをＴＨＦ４０ｍｌに溶
解し、ここにメチルリチウムの１．４Ｍジエチルエーテ
ル溶液１０ｍｌを水冷下、アルゴン雰囲気で滴下した。
その後、水冷下３時間攪拌した。固形物を除去し、ジア
リルクロルメチルシラン（２）のエーテル系溶液を得
た。

【０１３７】同時に、化合物（１３）４．０ｇをトルエ
ン８ｍｌに溶解し、更に、クロルジメチルシラン１．４
ｇ、塩化白金酸六水和物の４重量％２−プロパノール溶
液８０μｌを加え、アルゴン雰囲気下、１００℃で３時
間３０分間攪拌し、クロルシラン化合物（１４）を得
た。この反応溶液に、水０．１３ｇ、トリエチルアミン
０．７３ｇのＴＨＦ４０ｍｌ溶液を加え、水冷下、１０
分間攪拌し、シラノール化合物（１５）を得た。

【０１３８】この反応溶液に前記のジアリルクロルメチ
ルシラン（２）のエーテル系溶液及びトリエチルアミン
１．５ｇのＴＨＦ４０ｍｌ溶液を水冷下、アルゴン雰囲
気で滴下した。その後、室温で２日間反応させた。食塩
水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を減圧留
去した。シリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精
製した後、エタノールより再結晶を行い、目的とするモ
ノマーｄ １．５ｇを得た（収率２８％）。モノマーｄ
の¹Ｈ−ＮＭＲチャートを図１２に、諸物性を表１に示
す。

【０１３９】重合 モノマーｄ ０．２９ｇをトルエン４ｍｌに溶解させた
系をアルゴン置換した。１，１，４，４−テトラメチル
ジシルエチレン２４ｍｇと塩化白金酸六水和物の４重量
％２−プロパノール溶液２０μｌを加え、８５℃で３時
間反応させた。溶媒を減圧留去し、シリカゲルカラムク
ロマトグラフィーにより精製し、高分子化合物Ｈ ０．
３２ｇを得た（収率９２％）。高分子化合物Ｈの¹Ｈ−
ＮＭＲチャートを図１３に、諸物性を表２に示す。

【０１４０】実施例９ 高分子化合物Ｉの合成

【０１４１】

【化５１】 モノマーｅの合成

【０１４２】

【化５２】 ジアリルジクロルシラン５．２ｇをＴＨＦ４０ｍｌに溶
解し、ここにメチルリチウムの１．４Ｍジエチルエーテ
ル溶液２０ｍｌを水冷下、アルゴン雰囲気で滴下した。
その後、水冷下２時間攪拌した。固形物を除去し、ジア
リルクロルメチルシラン（２）のエーテル系溶液を得
た。ここに、水冷下、水０．５２ｇ及びトリエチルアミ
ン２．９ｇのＴＨＦ５０ｍｌ溶液を加え、アルゴン雰囲
気で１０分間攪拌することによりシラノール化合物（１
６）のエーテル系溶液を得た。

【０１４３】同時に、化合物（１）５．２ｇをトルエン
１０ｍｌに溶解し、更にクロルジメチルシラン１．８
ｇ、塩化白金酸六水和物の４重量％２−プロパノール溶
液５０μｌを加え、アルゴン雰囲気下、１００℃で２時
間３０分間攪拌し、クロルシラン化合物（２）を得た。
この反応溶液に、水０．１７ｇ、トリエチルアミン０．
９６ｇのＴＨＦ５０ｍｌ溶液を加え、水冷下１０分間攪
拌し、シラノール化合物（３）を得た。この反応溶液と
前記のシラノール化合物（１６）のエーテル系溶液を混
合し、更にトリエチルアミン３．９ｇのＴＨＦ５０ｍｌ
溶液とジクロルジメチルシラン２．５ｇのＴＨＦ５０ｍ
ｌ溶液を水冷下、アルゴン雰囲気で滴下した。その後、
室温で２日間反応させた。食塩水で洗浄し、硫酸マグネ
シウムで乾燥後、溶媒を減圧留去した。シリカゲルカラ
ムクロマトグラフィーにより精製した後、エタノールよ
り再結晶を行い、目的とするモノマーｅ ２．５ｇを得
た（収率３２％）。モノマーｅの¹Ｈ−ＮＭＲチャート
を図１４に、諸物性を表１に示す。

【０１４４】重合 モノマーｅ ０．２０ｇをトルエン３ｍｌに溶解させた
系をアルゴン置換した。１，１，４，４−テトラメチル
ジシルエチレン１６ｍｇと塩化白金酸六水和物の４重量
％２−プロパノール溶液１５μｌを加え、８５℃で３時
間反応させた。溶媒を減圧留去し、シリカゲルカラムク
ロマトグラフィーにより精製し、高分子化合物Ｉ ０．
２１ｇを得た（収率９７％）。高分子化合物Ｉの¹Ｈ−
ＮＭＲチャートを図１５に、諸物性を表２に示す。

【０１４５】実施例１０ モノマーａの合成 ブロモ体（１７）の合成 ジアリルジクロルシラン５．８ｇをＴＨＦ２０ｍｌに溶
解し、ここにメチルリチルムの１．４Ｍジエチルエーテ
ル溶液２３ｍｌを水冷下、アルゴン雰囲気で滴下した。
その後、水冷下２時間攪拌した。固形物を除去し、ジア
リルクロルメチルシラン（２）のエーテル系溶液を得
た。

【０１４６】同時に、４−（９−デセニルオキシ）ブロ
モベンゼン（１８）４．０ｇをトルエン８ｍｌに溶解
し、更に、クロルジメチルシラン２．４ｇ、塩化白金酸
六水和物の４重量％２−プロパノール溶液１４０μｌを
加え、アルゴン雰囲気下、１００℃で３時間３０分間攪
拌し、クロルシラン化合物（１９）を得た。この反応溶
液に、水０．２６ｇ、トリエチルアミン１．４ｇのＴＨ
Ｆ４０ｍｌ溶液を加え、水冷下、１０分間攪拌し、シラ
ノール化合物（２０）を得た。

【０１４７】この反応溶液に前記のジアリルクロルメチ
ルシラン（２）のエーテル系溶液及びトリエチルアミン
３．３ｇのＴＨＦ４０ｍｌ溶液を水冷下、アルゴン雰囲
気で滴下した。その後、室温で２日間反応させた。食塩
水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を減圧留
去した。シリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精
製し、目的とするブロモ体（１７）３．２ｇを得た（収
率４９％）。

【０１４８】モノマーａの合成 ブロモ体（１７）１．０ｇ、マグネシウム７１ｍｇ、
１，２−ジブロモエタン４２ｍｇをＴＨＦ４０ｍｌに加
え、５時間還流した。これをドライアイス３３ｇに加
え、室温となるまで放置した後、塩化メチレンを加え
た。２Ｎ塩酸水溶液及び食塩水で洗浄し、硫酸マグネシ
ウムで乾燥後、溶媒を減圧留去し、カルボン酸化合物
（２１）を得た。

【０１４９】化合物（２１）０．７ｇ、（ｓ）−１−メ
チルブチル ４−ヒドロキシビフェニル−４′−カルボ
キシレート０．４２ｇ、ＤＣＣ０．３３ｇ、４−ジメチ
ルアミノピリジン３６ｍｇをトルエン１０ｍｌに溶解
し、室温で８時間攪拌した。析出物を除去した後、溶媒
を減圧留去した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラ
フィーにより精製した後、エタノールより再結晶を行
い、目的とするモノマーａ０．５６ｇを得た（ブロモ体
からの収率３８％）。¹Ｈ−ＮＭＲ及び相転移温度の測
定により、実施例１０で得られたモノマーａが実施例１
で得られたモノマーａと同一であることを確認した。

【０１５０】

【表１】

【０１５１】

【表２】

【０１５２】実施例１１ 実施例４で得られた高分子化合物Ｄとチッソ石油化学
（株）製の強誘電性液晶ＣＳ−１０１５を重量比８：２
の割合で混合し、組成物を得た。 混合方法 実施例４の高分子化合物Ｄ ４０ｍｇとＣＳ−１０１５
１０ｍｇを計りとり、溶媒（ジクロロメタン）５ｍｌ
に溶解し、お互いによく撹拌した後、約１００℃で溶媒
を蒸発させた。

【０１５３】上記組成物をＩＴＯ電極付ガラス基板（電
極面積０．２ｃｍ²、ＩＴＯの厚さ１０００オングスト
ローム）に狭持し、偏光顕微鏡下（倍率４００倍）で観
察し、相の同定を行った（セル厚、３μｍ）。必要に応
じて上下電極間に±１０Ｖの電圧を印加した。 液晶状態では分散系特有の島状構造は観察されず一様に
液晶相となっており、相溶系になっていることが確認で
きた。続いて上記セルに７９℃において上下基板間に剪
断応力を数回かけて（剪断法による配向）液晶を配向さ
せた。これに２５℃において±３０Ｖの矩形波状電圧を
印加し、応答時間を測定したところ ０．４６ｍｓであ
った。

【０１５４】実施例１２ 実施例１で得られた高分子化合物Ａと下記液晶Ｐ１００
８（みどり化学（株）製）を重量比８：２の割合で混合
した。

【０１５５】

【化５３】 混合方法は実施例１１と同じとした。 ２５℃での応答時間０．６３ｍｓ 相転移、応答時間の測定方法、条件は実施例１１と同じ
とした。（但し、配向温度は８７℃） 液晶状態では分散系特有の島状構造は観察されずに一様
に液晶相となっており相溶系となっていることが確認で
きた。

【０１５６】実施例１３ 実施例６で得られた高分子化合物Ｆと液晶Ｐ１００８
（みどり化学（株）製）を重量比８：２の割合で混合し
た。混合方法は実施例１１と同じとした。 ２５℃での応答時間０．２３ｍｓ 相転移、応答時間の測定方法、条件は実施例１１と同じ
とした。（但し、配向温度は６７℃） 液晶状態では分散系特有の島状構造は観察されずに一様
に液晶相となっており相溶系となっていることが確認で
きた。

【０１５７】実施例１４ 実施例２で得られた高分子化合物Ｂと下記低分子強誘電
性液晶（一般に公知であり常法により合成した。）

【０１５８】

【化５４】 （Ｓ_X ^＊はＳ_C ^＊相より高次のスメクチック相） を表３のような割合で混合した。混合方法は実施例１１
と同じにした。

【０１５９】

【表３】 相転移、応答時間の測定方法は実施例１１と同じとし
た。但し、配向温度は８：２のものは１０６℃、６：４
のものは１２１℃とした。

【０１６０】実施例１５ 実施例１２と同じ組成の液晶組成物を用いて液晶光学素
子を作製した。上記組成物を２０重量％のトルエン溶液
とし、ＩＴＯ電極付のポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）
基板の電極面上にマイクログラビアコーターを用いて厚
み３μｍに製膜した。溶媒乾燥後、直ちに何も塗布して
いない同種の基板を液晶層と電極面が接するようにラミ
ネートし、配向処理前の未配向素子原反（幅１５０ｍ
ｍ、長さ３ｍ）を作製した。

【０１６１】次いで、図１６に示すような４本の加熱ロ
ール群からなる配向装置を用いて、上記の未配向素子４
の曲げ配向処理を行った。各加熱ロール３は直径８０ｍ
ｍのクロムメッキを施した鉄製であり、幅３００ｍｍの
ものを用いた。表面温度はＴ₁＝９０℃、Ｔ₂＝８８℃、
Ｔ₃＝８６℃、Ｔ₄＝８２℃にコントロールし、ライン速
度はｖ＝８ｍ／分とした。この配向装置によって未配向
素子４の液晶は曲げ変形による剪断を与えられながら等
方相から液晶相へ冷却され、最終的には基板長手方向と
垂直な方向に一軸水平配向し、配向済素子５が得られ
た。

【０１６２】上記素子の上下に偏光板を、偏光軸が互い
に直交するように配し、電極間に±２０Ｖの電圧を印加
し、コントラスト比を測定したところ２２であり、良好
なコントラストが得られた。

【０１６３】よってこの組成物は上記のような簡便な方
法を用いて液晶光学素子を連続生産するために好適であ
ることが実証された。

【０１６４】実施例１６ 実施例７で得られた高分子化合物Ｇと液晶Ｐ１００８
（みどり化学（株）製）を重量比８：２の割合で混合し
た。混合方法は実施例１１と同じとした。得られた液晶
組成物の相転移挙動及び応答時間を以下に示す。 ２５℃での応答時間 ０．６９ｍｓ 相転移、応答時間の測定方法、条件は実施例１１と同じ
とした。但し、配向温度は８８℃とした。

【０１６５】液晶状態では分散系特有の島状構造は観察
されずに一様に液晶相となっており、相溶系となってい
ることが確認できた。

【０１６６】実施例１７ 実施例７で得られた高分子化合物Ｇと下記高分子化合物
Ｊ、液晶Ｐ１００８（みどり化学（株）製）を重量比
５：２：３の割合で混合した。

【０１６７】

【化５５】 混合方法は実施例１１と同じとした。得られた液晶組成
物の相転移挙動及び応答時間を以下に示す。 ２５℃での応答時間 ０．６２ｍｓ 相転移、応答時間の測定方法、条件は実施例１１と同じ
とした。但し、配向温度は８６℃とした。

【０１６８】液晶状態では分散系特有の島状構造は観察
されずに一様に液晶相となっており、相溶系となってい
ることが確認できた。

【０１６９】

【発明の効果】本発明の新規高分子化合物は優れたカイ
ラルドーパントであり、またカイラルスメクチックＣ相
を発現する場合には室温を含む幅広い温度範囲でカイラ
ルスメクチックＣ相を発現し、電界変化に高速に応答す
る。

【０１７０】また、本発明の強誘電性液晶組成物は配向
が簡単に行なえる良好な配向性を有する上に、電界に対
する高速応答性を有している。

【０１７１】本発明の原料化合物であるジエン化合物は
本発明の新規高分子化合物の原料として有用な新規化合
物である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の強誘電性液晶組成物中で高分子化合物
と低分子のスメクチック液晶化合物とが相溶系を形成し
ている様子を示した説明図。

【図２】実施例１で得たモノマーａの¹Ｈ −ＮＭＲチャ
ート。

【図３】実施例１で得た高分子化合物Ａの¹Ｈ −ＮＭＲ
チャート。

【図４】実施例２で得た高分子化合物Ｂの¹Ｈ −ＮＭＲ
チャート。

【図５】実施例３で得たモノマーｂの¹Ｈ −ＮＭＲチャ
ート。

【図６】実施例３で得た高分子化合物Ｃの¹Ｈ −ＮＭＲ
チャート。

【図７】実施例４で得たモノマーｃの¹Ｈ −ＮＭＲチャ
ート。

【図８】実施例４で得た高分子化合物Ｄの¹Ｈ −ＮＭＲ
チャート。

【図９】実施例５で得た高分子化合物Ｅの¹Ｈ −ＮＭＲ
チャート。

【図１０】実施例６で得た高分子化合物Ｆの¹Ｈ −ＮＭ
Ｒチャート。

【図１１】実施例７で得た高分子化合物Ｇの¹Ｈ−ＮＭ
Ｒチャート。

【図１２】実施例８で得たモノマーｄの¹Ｈ−ＮＭＲチ
ャート。

【図１３】実施例８で得た高分子化合物Ｈの¹Ｈ−ＮＭ
Ｒチャート。

【図１４】実施例９で得たモノマーｅの¹Ｈ−ＮＭＲチ
ャート。

【図１５】実施例９で得た高分子化合物Ｉの¹Ｈ−ＮＭ
Ｒチャート。

【図１６】実施例で用いた配向装置の説明図。

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 下記の一般式で表わされる繰り返し単
   位［Ｉ］からなる新規高分子化合物。 【化１】 （式中、ｍ、ｎは２〜５の整数、ｐは１又は２、ａは４
   〜２０の整数、ｂは０〜３の整数、ｃは１〜７の整数を
   表し、＊は不斉炭素原子を表し、Ｙは 【化２】 を表し、ただし、ｋは１〜１３の数、ｊは１〜４の整数
   である。）
2. 【請求項２】 カイラルスメクチックＣ相を示す請求
   項１記載の新規高分子化合物。
3. 【請求項３】 下記の一般式［ＩＩ］で表わされるジ
   エン化合物。 【化３】 （式中、ｍ、ｎは２〜５の整数、ｐは１又は２、ａは４
   〜２０の整数、ｂは０〜３の整数、ｃは１〜７の整数を
   表わし、＊は不斉炭素原子を表わす。）
4. 【請求項４】 請求項１記載の新規高分子化合物と低
   分子のスメクチック液晶化合物からなる強誘電性液晶組
   成物。
5. 【請求項５】 低分子のスメクチック液晶化合物が強
   誘電性液晶化合物でである請求項４記載の強誘電性液晶
   組成物。
6. 【請求項６】 請求項１記載の新規高分子化合物、下記
   の一般式で表される繰り返し単位［ＩＩＩ］からなる高
   分子化合物及び低分子のスメクチック液晶化合物からな
   る強誘電性液晶組成物。 【化４】 （式中、ｄ、ｅは２〜５の整数、ｆは１〜６の数、ｇは
   ８〜１２の整数、ｈは０〜３の整数、ｉは１〜７の整
   数、＊は不斉炭素原子を表す。）