JP3315225B2 - 新規高分子化合物及びそれを用いた強誘電性液晶組成物並びに原料化合物 - Google Patents
新規高分子化合物及びそれを用いた強誘電性液晶組成物並びに原料化合物Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は新規高分子化合物及びそ
れを用いた強誘電性液晶組成物並びに新規高分子化合物
の原料化合物に関する。更に詳しくいえば、本発明はオ
プトエレクトロニクス分野、特に電卓、時計などのデジ
タル表示素子、ドットマトリクス型表示素子、室温スイ
ッチング素子、電子光学シャッター、電子光学絞り、光
変調器、光通信光路切替スイッチ、メモリー、液晶プリ
ンターヘッド、焦点距離可変レンズなどに用いられる液
晶素子の材料として好適に用いられる新規な高分子化合
物及びそれを用いた強誘電性液晶組成物に関する。
れを用いた強誘電性液晶組成物並びに新規高分子化合物
の原料化合物に関する。更に詳しくいえば、本発明はオ
プトエレクトロニクス分野、特に電卓、時計などのデジ
タル表示素子、ドットマトリクス型表示素子、室温スイ
ッチング素子、電子光学シャッター、電子光学絞り、光
変調器、光通信光路切替スイッチ、メモリー、液晶プリ
ンターヘッド、焦点距離可変レンズなどに用いられる液
晶素子の材料として好適に用いられる新規な高分子化合
物及びそれを用いた強誘電性液晶組成物に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、低分子液晶化合物を用いた表示素
子は、電卓、時計などのデジタル表示に広く使用されて
いる。これらの利用分野では、通常、従来の低分子液晶
化合物は、間隔をミクロンオーダーで制御した２枚のガ
ラス基板の間に挟んで使用されている。しかしながら、
このような間隔の調整は大型画面や曲面画面では実現が
不可能であった。
子は、電卓、時計などのデジタル表示に広く使用されて
いる。これらの利用分野では、通常、従来の低分子液晶
化合物は、間隔をミクロンオーダーで制御した２枚のガ
ラス基板の間に挟んで使用されている。しかしながら、
このような間隔の調整は大型画面や曲面画面では実現が
不可能であった。
【０００３】この難点を解決する手段として、液晶を高
分子化し、それ自体を成形可能ならしめることが試みら
れている［Ｊ．Ｐｏｌｙｍ．Ｓｃｉ．，Ｐｏｌｙｍ．Ｌ
ｅｔｔ．，Ｅｄ．１３，２４３（１９７５）、Ｐｏｌｙ
ｍ．Ｂｕｌｌ．６，３０９（１９８２）、特開昭５６−
２１４７９号公報など］。しかしながら、これら従来の
高分子液晶化合物は、ポリマー自体は室温では液晶とし
ての性質を示さず、ガラス転移温度以上でかつ透明化温
度未満の温度範囲で加熱して液晶化しなければならない
という欠点を有している。
分子化し、それ自体を成形可能ならしめることが試みら
れている［Ｊ．Ｐｏｌｙｍ．Ｓｃｉ．，Ｐｏｌｙｍ．Ｌ
ｅｔｔ．，Ｅｄ．１３，２４３（１９７５）、Ｐｏｌｙ
ｍ．Ｂｕｌｌ．６，３０９（１９８２）、特開昭５６−
２１４７９号公報など］。しかしながら、これら従来の
高分子液晶化合物は、ポリマー自体は室温では液晶とし
ての性質を示さず、ガラス転移温度以上でかつ透明化温
度未満の温度範囲で加熱して液晶化しなければならない
という欠点を有している。
【０００４】また、特開昭６３−９９２０４号公報に
は、ポリアクリレート系強誘電性高分子液晶化合物の合
成が報告されており、該強誘電性高分子液晶化合物が上
記の高分子液晶化合物よりも優れた性能を示すことが明
らかにされている。しかしながら、この従来の側鎖型強
誘電性高分子液晶化合物においても、なお、応答速度、
使用可能な温度範囲などに問題が残っている。
は、ポリアクリレート系強誘電性高分子液晶化合物の合
成が報告されており、該強誘電性高分子液晶化合物が上
記の高分子液晶化合物よりも優れた性能を示すことが明
らかにされている。しかしながら、この従来の側鎖型強
誘電性高分子液晶化合物においても、なお、応答速度、
使用可能な温度範囲などに問題が残っている。
【０００５】更に、特開昭６３−２５４５２９号公報に
は、光学活性基を有するエポキシモノマーを重合して得
られるポリエーテル系強誘電性高分子液晶化合物［例え
ば、一般式（ＩＩＩ）で表わされるエポキシ化合物を重
合して得られ、一般式（ＩＩＩ′）で表わされる繰り返
し単位｛式（ＩＩＩ）及び式（ＩＩＩ′）中のｕは１〜
３０の整数を示す。｝からなる高分子液晶化合物］が開
示されている。
は、光学活性基を有するエポキシモノマーを重合して得
られるポリエーテル系強誘電性高分子液晶化合物［例え
ば、一般式（ＩＩＩ）で表わされるエポキシ化合物を重
合して得られ、一般式（ＩＩＩ′）で表わされる繰り返
し単位｛式（ＩＩＩ）及び式（ＩＩＩ′）中のｕは１〜
３０の整数を示す。｝からなる高分子液晶化合物］が開
示されている。
【０００６】
【化４】 また、国際公開第９２／０１７３１号パンフレットに
は、側鎖に芳香環を有し、主鎖に鎖状炭化水素骨格とシ
ロキサン骨格を有する繰り返し単位からなる例えば、下
記式（ＩＶ）に示される高分子液晶化合物が開示されて
いる。
は、側鎖に芳香環を有し、主鎖に鎖状炭化水素骨格とシ
ロキサン骨格を有する繰り返し単位からなる例えば、下
記式（ＩＶ）に示される高分子液晶化合物が開示されて
いる。
【０００７】
【化５】 しかしながら、これらの従来の側鎖型強誘電性高分子液
晶化合物は、室温付近を含む広い温度範囲で外部電界刺
激に対して応答するという利点はあるものの、その応答
速度が遅く、実用に供するには未だ不十分である。
晶化合物は、室温付近を含む広い温度範囲で外部電界刺
激に対して応答するという利点はあるものの、その応答
速度が遅く、実用に供するには未だ不十分である。
【０００８】一方、液晶組成物として不斉炭素を有する
高分子液晶化合物と低分子液晶化合物からなる高分子液
晶組成物が提案されている（特開昭６３−２８４２９１
号公報）。しかし、例示されている側鎖型高分子液晶化
合物は通常のアクリレートやシロキサン鎖を主鎖とする
ものであるので側鎖間隔が十分でなく、分子量を大きく
すると低分子液晶化合物を十分に混合できなくなって高
速化が難しくなる。従って従来の高分子性を保ちつつ、
高速応答性を有する組成物を得ることが難しいという問
題点がある。
高分子液晶化合物と低分子液晶化合物からなる高分子液
晶組成物が提案されている（特開昭６３−２８４２９１
号公報）。しかし、例示されている側鎖型高分子液晶化
合物は通常のアクリレートやシロキサン鎖を主鎖とする
ものであるので側鎖間隔が十分でなく、分子量を大きく
すると低分子液晶化合物を十分に混合できなくなって高
速化が難しくなる。従って従来の高分子性を保ちつつ、
高速応答性を有する組成物を得ることが難しいという問
題点がある。
【０００９】また、非液晶性高分子化合物と低分子液晶
化合物からなる組成物で高分子性を保ちつつ、高速応答
性の組成物を得ようとする試みとしては、特開昭６１−
４７４２７号公報に低分子液晶化合物に非液晶質ポリマ
ーを配合して自己形状保持能力を付与した組成物が記載
されている。この組成物においては、高分子化合物（樹
脂）マトリックス中に分散して液晶領域が存在するため
長時間放置すると分離してくる可能性があり、また島状
に液晶が分散しているので、コントラストが悪いなどの
問題点があり、分散系なので配向制御も難しい。特開昭
６２−２６０８５９号公報、特開昭６２−２６０８４１
号公報には熱可塑性樹脂と低分子液晶化合物を含む強誘
電性複合膜が記載されており、相溶系になる熱可塑性樹
脂が用いられているが、この熱可塑性樹脂と相溶系にな
る低分子液晶化合物の組合わせが難しく、配向制御も難
しい。また、用いる低分子液晶化合物が強誘電性液晶に
限定されるという問題点がある。特開平１−１９８６８
３号公報にはプロトン供与体（又はプロトン受容体）を
持つポリマーとプロトン受容体（又はプロトン供与体）
を持つ低分子液晶化合物からなる組成物が記載されてい
るが、ポリマー、低分子液晶化合物ともプロトン供与体
（又はプロトン受容体）を持たなければならないので、
どちらの構造もかなり限定されるという問題点がある。
化合物からなる組成物で高分子性を保ちつつ、高速応答
性の組成物を得ようとする試みとしては、特開昭６１−
４７４２７号公報に低分子液晶化合物に非液晶質ポリマ
ーを配合して自己形状保持能力を付与した組成物が記載
されている。この組成物においては、高分子化合物（樹
脂）マトリックス中に分散して液晶領域が存在するため
長時間放置すると分離してくる可能性があり、また島状
に液晶が分散しているので、コントラストが悪いなどの
問題点があり、分散系なので配向制御も難しい。特開昭
６２−２６０８５９号公報、特開昭６２−２６０８４１
号公報には熱可塑性樹脂と低分子液晶化合物を含む強誘
電性複合膜が記載されており、相溶系になる熱可塑性樹
脂が用いられているが、この熱可塑性樹脂と相溶系にな
る低分子液晶化合物の組合わせが難しく、配向制御も難
しい。また、用いる低分子液晶化合物が強誘電性液晶に
限定されるという問題点がある。特開平１−１９８６８
３号公報にはプロトン供与体（又はプロトン受容体）を
持つポリマーとプロトン受容体（又はプロトン供与体）
を持つ低分子液晶化合物からなる組成物が記載されてい
るが、ポリマー、低分子液晶化合物ともプロトン供与体
（又はプロトン受容体）を持たなければならないので、
どちらの構造もかなり限定されるという問題点がある。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、室温を含む
幅広い温度範囲でカイラルスメクチックＣ相を発現し、
電界変化に対して高速に応答し、その応答速度の温度依
存性が小さい新規な高分子化合物を提供することを目的
とする。
幅広い温度範囲でカイラルスメクチックＣ相を発現し、
電界変化に対して高速に応答し、その応答速度の温度依
存性が小さい新規な高分子化合物を提供することを目的
とする。
【００１１】本発明はまた、この新規高分子化合物の製
造に用いられる原料化合物であるジエン化合物を提供す
ることを目的とする。
造に用いられる原料化合物であるジエン化合物を提供す
ることを目的とする。
【００１２】更に、本発明は前記高分子化合物と低分子
のスメクチック液晶化合物からなり、良好な配向性（配
向が簡単に行える。）を有する上に、電界に対する高速
応答性を有し、応答速度の温度依存性が小さい強誘電性
液晶組成物を提供することを目的とする。
のスメクチック液晶化合物からなり、良好な配向性（配
向が簡単に行える。）を有する上に、電界に対する高速
応答性を有し、応答速度の温度依存性が小さい強誘電性
液晶組成物を提供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、前記課題
を解決するために鋭意研究を重ねた結果、側鎖に特定の
メソゲン基を有し、かつ主鎖内に柔軟なシロキサン鎖又
は炭素−ケイ素結合を有し、側鎖間隔が広く、更にスぺ
ーサーの主鎖寄りの部分に柔軟なシロキサン単位を有す
る新規な高分子化合物が室温域を含む広い温度範囲でカ
イラルスメクチックＣ相（ＳC ＊相）を発現するととも
に、電界変化に対して高速応答性を示し、応答速度の温
度依存性が小さい優れた強誘電性高分子液晶となり得る
ことを見出し、これらの知見に基づいて本発明を完成す
るに至った。
を解決するために鋭意研究を重ねた結果、側鎖に特定の
メソゲン基を有し、かつ主鎖内に柔軟なシロキサン鎖又
は炭素−ケイ素結合を有し、側鎖間隔が広く、更にスぺ
ーサーの主鎖寄りの部分に柔軟なシロキサン単位を有す
る新規な高分子化合物が室温域を含む広い温度範囲でカ
イラルスメクチックＣ相（ＳC ＊相）を発現するととも
に、電界変化に対して高速応答性を示し、応答速度の温
度依存性が小さい優れた強誘電性高分子液晶となり得る
ことを見出し、これらの知見に基づいて本発明を完成す
るに至った。
【００１４】すなわち、本発明は、下記の一般式で表わ
される繰り返し単位［Ｉ］からなる重量平均分子量が
１，０００〜１，０００，０００である新規高分子化合
物を提供するものである。
される繰り返し単位［Ｉ］からなる重量平均分子量が
１，０００〜１，０００，０００である新規高分子化合
物を提供するものである。
【００１５】
【化６】 （式中、ｍ、ｎは２〜５の整数、ａは４〜１６の整数、
ｂは０〜３の整数、ｃは１〜７の整数を表し、＊は不斉
炭素原子を表し、Ｙは
ｂは０〜３の整数、ｃは１〜７の整数を表し、＊は不斉
炭素原子を表し、Ｙは
【００１６】
【化７】 を表し、ただし、ｋは１〜１３の数、ｊは１〜４の整数
である。） 本発明の高分子化合物は主鎖内に柔軟なシロキサン鎖又
は炭素−ケイ素結合を有し、側鎖間隔が広く、更にスぺ
ーサーの主鎖寄りの部分に柔軟なシロキサン単位を有す
るため、ＳC ＊相を示す場合、ＳC ＊相において電界変化
に対して高速に応答する。また、側鎖間隔の広い構造を
有しているので、低分子の液晶化合物と混合した場合
も、混合物は相溶系となり、相分離が起こらない。従っ
て、該高分子化合物が液晶性を示す、示さないにかかわ
らず、配向性の良い強誘電性液晶組成物を得ることがで
きる。
である。） 本発明の高分子化合物は主鎖内に柔軟なシロキサン鎖又
は炭素−ケイ素結合を有し、側鎖間隔が広く、更にスぺ
ーサーの主鎖寄りの部分に柔軟なシロキサン単位を有す
るため、ＳC ＊相を示す場合、ＳC ＊相において電界変化
に対して高速に応答する。また、側鎖間隔の広い構造を
有しているので、低分子の液晶化合物と混合した場合
も、混合物は相溶系となり、相分離が起こらない。従っ
て、該高分子化合物が液晶性を示す、示さないにかかわ
らず、配向性の良い強誘電性液晶組成物を得ることがで
きる。
【００１７】１．新規高分子化合物 本発明の新規高分子化合物の重量平均分子量（Ｍｗ）
は、１，０００〜１，０００，０００であり、好ましく
は１，０００〜１００，０００である。Ｍｗが１，００
０未満であると、該高分子化合物のフィルム、塗膜とし
ての成形性に支障を生じることがあり、一方、１，００
０，０００を超えると応答時間が長くなるなど好ましく
ない効果が現れることがある。
は、１，０００〜１，０００，０００であり、好ましく
は１，０００〜１００，０００である。Ｍｗが１，００
０未満であると、該高分子化合物のフィルム、塗膜とし
ての成形性に支障を生じることがあり、一方、１，００
０，０００を超えると応答時間が長くなるなど好ましく
ない効果が現れることがある。
【００１８】本発明の高分子化合物は、その製造方法と
しては特に制限はなく、どのような方法によって製造し
てもよいのであるが、例えば、下記の一般式［ＩＩ］で
表されるジエン化合物（化合物ＩＩ）と下記の一般式
［Ｖ］で表されるシリコン化合物（化合物Ｖ）とを所定
の割合で溶媒中、触媒の存在下、ヒドロシリル化反応に
より共重合することによって好適に製造することができ
る。
しては特に制限はなく、どのような方法によって製造し
てもよいのであるが、例えば、下記の一般式［ＩＩ］で
表されるジエン化合物（化合物ＩＩ）と下記の一般式
［Ｖ］で表されるシリコン化合物（化合物Ｖ）とを所定
の割合で溶媒中、触媒の存在下、ヒドロシリル化反応に
より共重合することによって好適に製造することができ
る。
【００１９】
【化８】 （但し、式中のｍ、ｎ、ａ、ｂ、ｃ及び＊は前記と同
じ。）
じ。）
【００２０】
【化９】 （但し、式中のｊ、ｋは前記と同じ。） この共重合反応に供する化合物ＩＩと化合物Ｖの割合
は、得ようとする高分子化合物の重合度に依存する。即
ち、高重合体を得ようとすればモル比（化合物ＩＩ／化
合物Ｖ）は１に近い方が良く、逆に低重合度のものを得
ようとすれば、１より大きく又は１より小さくする必要
がある。
は、得ようとする高分子化合物の重合度に依存する。即
ち、高重合体を得ようとすればモル比（化合物ＩＩ／化
合物Ｖ）は１に近い方が良く、逆に低重合度のものを得
ようとすれば、１より大きく又は１より小さくする必要
がある。
【００２１】前記化合物ＩＩと化合物Ｖの共重合反応に
使用する溶媒としては、例えば、ベンゼン、トルエン、
キシレン等の不活性芳香族炭化水素、テトラヒドロフラ
ン（ＴＨＦ）、ジイソプロピルエーテル等の不活性なエ
ーテル系溶媒などが好適に使用される。溶媒は、単独溶
媒でも、混合溶媒でもよいが、通常は、重合温度の関係
から沸点が７０℃以上のものが好ましく使用される。ま
た、前記触媒としては、ヒドロシリル化活性を有するも
のが使用され、具体的には例えば、塩化白金酸、プラチ
ナム（ＩＩ）アセチルアセトナート、ビス（ジビニルテ
トラメチルジシロキサン）白金（０）錯体、ジシクロペ
ンタジエニルプラチナムクロリド等の白金系触媒が好ま
しく用いられる。
使用する溶媒としては、例えば、ベンゼン、トルエン、
キシレン等の不活性芳香族炭化水素、テトラヒドロフラ
ン（ＴＨＦ）、ジイソプロピルエーテル等の不活性なエ
ーテル系溶媒などが好適に使用される。溶媒は、単独溶
媒でも、混合溶媒でもよいが、通常は、重合温度の関係
から沸点が７０℃以上のものが好ましく使用される。ま
た、前記触媒としては、ヒドロシリル化活性を有するも
のが使用され、具体的には例えば、塩化白金酸、プラチ
ナム（ＩＩ）アセチルアセトナート、ビス（ジビニルテ
トラメチルジシロキサン）白金（０）錯体、ジシクロペ
ンタジエニルプラチナムクロリド等の白金系触媒が好ま
しく用いられる。
【００２２】前記共重合反応を行う際の、各成分の添加
の順序及び方式としては、特に制限はないが、例えば、
化合物ＩＩに、トルエン、ＴＨＦ等の溶媒を添加し、次
いで、所定量の化合物Ｖと適量の塩化白金酸等の触媒と
を添加する方式などを好ましい例として挙げることがで
きる。なお、触媒の添加法については単独で添加しても
よいし、イソプロピルアルコール、ヘキサン等の溶媒に
溶解して添加してもよい。
の順序及び方式としては、特に制限はないが、例えば、
化合物ＩＩに、トルエン、ＴＨＦ等の溶媒を添加し、次
いで、所定量の化合物Ｖと適量の塩化白金酸等の触媒と
を添加する方式などを好ましい例として挙げることがで
きる。なお、触媒の添加法については単独で添加しても
よいし、イソプロピルアルコール、ヘキサン等の溶媒に
溶解して添加してもよい。
【００２３】前記共重合反応は、例えば窒素ガスやアル
ゴン等の不活性雰囲気下で、通常、６０〜１２０℃、好
ましくは８０〜１００℃の温度範囲で好適に行うことが
できる。反応時間は、通常、３〜３０時間程度である。
ゴン等の不活性雰囲気下で、通常、６０〜１２０℃、好
ましくは８０〜１００℃の温度範囲で好適に行うことが
できる。反応時間は、通常、３〜３０時間程度である。
【００２４】以上のようにして目的とする高分子化合物
を合成することができる。こうして得られた高分子化合
物は、公知の方法等によって反応混合物中から分離・回
収され、所望の精製度の高分子化合物として取得するこ
とができる。精製度の高い本発明の高分子化合物は、例
えば、重合反応が終了後、反応混合物を濾過し、その濾
液から溶媒を留去して得られる残渣を例えば塩化メチレ
ン等の適当な溶剤に溶解させ、これを例えばシリカゲル
等を充填剤とするカラムクロマトグラフィーによって精
製することによって好適に得ることができる。
を合成することができる。こうして得られた高分子化合
物は、公知の方法等によって反応混合物中から分離・回
収され、所望の精製度の高分子化合物として取得するこ
とができる。精製度の高い本発明の高分子化合物は、例
えば、重合反応が終了後、反応混合物を濾過し、その濾
液から溶媒を留去して得られる残渣を例えば塩化メチレ
ン等の適当な溶剤に溶解させ、これを例えばシリカゲル
等を充填剤とするカラムクロマトグラフィーによって精
製することによって好適に得ることができる。
【００２５】以下に、本発明の高分子化合物の製造に好
適に使用される原料化合物である前記化合物ＩＩ、化合
物Ｖについて詳細に説明する。
適に使用される原料化合物である前記化合物ＩＩ、化合
物Ｖについて詳細に説明する。
【００２６】２．化合物ＩＩの合成例 ステップ
【００２７】
【化１０】 （式中、Ｘはハロゲン原子又はトシル基を表す。）
【００２８】化合物ＶＩとｐ−ヒドロキシ安息香酸メチ
ルの混合物を溶媒中、アルカリ試薬の存在下でエーテル
化反応を行い、エーテル化されたエステル体（化合物Ｖ
ＩＩ）を得る。ステップでは、化合物ＶＩとｐ−ヒド
ロキシ安息香酸メチルを反応させているが、後者に代え
てメチルエステル以外のｐ−ヒドロキシ安息香酸エステ
ルを使用することもできる。なお、このステップのエ
ーテル化反応は、化合物ＶＩ、ｐ−ヒドロキシ安息香酸
メチル、アルカリ試薬及び溶媒を任意の順序で混合し、
通常、６０〜１００℃で加熱撹拌することによって好適
に行われる。このステップにおける溶媒としては、例
えば、アセトン、２−ブタノン等のケトン系溶媒、ＴＨ
Ｆ、ジイソプロピルエーテル等のエーテル系不活性溶
媒、あるいはメタノール、エタノール等の低級アルコー
ルなどが好適に使用される。また、ステップにおける
アルカリ試薬としては、例えば、炭酸カリウム、炭酸ナ
トリウム等のアルカリ金属炭酸塩、水酸化カリウム、水
酸化ナトリウム等のアルカリ金属水酸化物などが好適に
使用される。
ルの混合物を溶媒中、アルカリ試薬の存在下でエーテル
化反応を行い、エーテル化されたエステル体（化合物Ｖ
ＩＩ）を得る。ステップでは、化合物ＶＩとｐ−ヒド
ロキシ安息香酸メチルを反応させているが、後者に代え
てメチルエステル以外のｐ−ヒドロキシ安息香酸エステ
ルを使用することもできる。なお、このステップのエ
ーテル化反応は、化合物ＶＩ、ｐ−ヒドロキシ安息香酸
メチル、アルカリ試薬及び溶媒を任意の順序で混合し、
通常、６０〜１００℃で加熱撹拌することによって好適
に行われる。このステップにおける溶媒としては、例
えば、アセトン、２−ブタノン等のケトン系溶媒、ＴＨ
Ｆ、ジイソプロピルエーテル等のエーテル系不活性溶
媒、あるいはメタノール、エタノール等の低級アルコー
ルなどが好適に使用される。また、ステップにおける
アルカリ試薬としては、例えば、炭酸カリウム、炭酸ナ
トリウム等のアルカリ金属炭酸塩、水酸化カリウム、水
酸化ナトリウム等のアルカリ金属水酸化物などが好適に
使用される。
【００２９】化合物ＶＩの具体例としては、４−ブロモ
−１−ブテン、４−ヨード−１−ブテン、４−トシル−
１−ブテン、５−ブロモ−１−ペンテン、５−ヨード−
１−ペンテン、５−トシル−１−ペンテン、６−ブロモ
−１−ヘキセン、６−ヨード−１−ヘキセン、６−トシ
ル−１−ヘキセン、７−ブロモ−１−へプテン、７−ヨ
ード−１−へプテン、７−トシル−１−へプテン、８−
ブロモ−１−オクテン、８−ヨード−１−オクテン、８
−トシル−１−オクテン、９−ブロモ−１−ノネン、９
−ヨード−１−ノネン、９−トシル−１−ノネン、１０
−ブロモ−１デセン、１０−ヨード−１−デセン、１０
−トシル−１−デセン、１１−ブロモ−１−ウンデセ
ン、１１−ヨード−１−ウンデセン、１１−トシル−１
−ウンデセン、１２−ブロモ−１−ドデセン、１２−ヨ
ード−１−ドデセン、１２−トシル−１−ドデセン、１
３−ブロモ−１−トリデセン、１３−ヨード−１−トリ
デセン、１３−トシル−１−トリデセン、１４−ブロモ
−１−テトラデセン、１４−ヨード−１−テトラデセ
ン、１４−トシル−１−テトラデセン、１５−ブロモ−
１−ペンタデセン、１５−ヨード−１−ペンタデセン、
１５−トシル−１−ペンタデセン、１６−ブロモ−１−
ヘキサデセン、１６−ヨード−１−ヘキサデセン、１６
−トシル−１−ヘキサデセン等が挙げられる。
−１−ブテン、４−ヨード−１−ブテン、４−トシル−
１−ブテン、５−ブロモ−１−ペンテン、５−ヨード−
１−ペンテン、５−トシル−１−ペンテン、６−ブロモ
−１−ヘキセン、６−ヨード−１−ヘキセン、６−トシ
ル−１−ヘキセン、７−ブロモ−１−へプテン、７−ヨ
ード−１−へプテン、７−トシル−１−へプテン、８−
ブロモ−１−オクテン、８−ヨード−１−オクテン、８
−トシル−１−オクテン、９−ブロモ−１−ノネン、９
−ヨード−１−ノネン、９−トシル−１−ノネン、１０
−ブロモ−１デセン、１０−ヨード−１−デセン、１０
−トシル−１−デセン、１１−ブロモ−１−ウンデセ
ン、１１−ヨード−１−ウンデセン、１１−トシル−１
−ウンデセン、１２−ブロモ−１−ドデセン、１２−ヨ
ード−１−ドデセン、１２−トシル−１−ドデセン、１
３−ブロモ−１−トリデセン、１３−ヨード−１−トリ
デセン、１３−トシル−１−トリデセン、１４−ブロモ
−１−テトラデセン、１４−ヨード−１−テトラデセ
ン、１４−トシル−１−テトラデセン、１５−ブロモ−
１−ペンタデセン、１５−ヨード−１−ペンタデセン、
１５−トシル−１−ペンタデセン、１６−ブロモ−１−
ヘキサデセン、１６−ヨード−１−ヘキサデセン、１６
−トシル−１−ヘキサデセン等が挙げられる。
【００３０】ステップ
【００３１】
【化１１】 ステップでは、ステップで得られたエステル体（化
合物ＶＩＩ）のエステル結合のみを選択的に加水分解
し、対応するカルボン酸（化合物ＶＩＩＩ）を得る。こ
の加水分解は、各種の手法によってなしうるが、通常
は、化合物ＶＩＩをアルカリの存在下、水又は水とアル
コールの混合液中で、必要に応じて加熱し、処理するこ
とによって好適に行われ、化合物ＶＩＩＩは得られた反
応液に適当な酸を添加し、ｐＨを酸性に調整することに
よって効率よく回収される。なお、この加水分解反応
は、アルカリ触媒、水のみで加熱してもよいが、更にア
ルコールを加えることによって原料であるエステル化合
物の溶解性が向上し、反応が容易に進行する。ここで、
アルカリとしては、例えば、水酸化カリウム、水酸化ナ
トリウム等のアルカリ金属水酸化物などが好適に使用さ
れ、アルコールとしては、メタノール、エタノール（Ｅ
ｔＯＨ）等の水溶性低級アルコールなどが好適に使用さ
れる。また、ｐＨ調整に使用する酸としては、例えば、
塩酸、硫酸等の常用される鉱酸などが好適に使用され
る。
合物ＶＩＩ）のエステル結合のみを選択的に加水分解
し、対応するカルボン酸（化合物ＶＩＩＩ）を得る。こ
の加水分解は、各種の手法によってなしうるが、通常
は、化合物ＶＩＩをアルカリの存在下、水又は水とアル
コールの混合液中で、必要に応じて加熱し、処理するこ
とによって好適に行われ、化合物ＶＩＩＩは得られた反
応液に適当な酸を添加し、ｐＨを酸性に調整することに
よって効率よく回収される。なお、この加水分解反応
は、アルカリ触媒、水のみで加熱してもよいが、更にア
ルコールを加えることによって原料であるエステル化合
物の溶解性が向上し、反応が容易に進行する。ここで、
アルカリとしては、例えば、水酸化カリウム、水酸化ナ
トリウム等のアルカリ金属水酸化物などが好適に使用さ
れ、アルコールとしては、メタノール、エタノール（Ｅ
ｔＯＨ）等の水溶性低級アルコールなどが好適に使用さ
れる。また、ｐＨ調整に使用する酸としては、例えば、
塩酸、硫酸等の常用される鉱酸などが好適に使用され
る。
【００３２】ステップ
【００３３】
【化１２】 ステップでは、ステップで得られたカルボン酸（化
合物ＶＩＩＩ）を、溶媒を用いず、又は適当な溶媒中で
酸ハロゲン化剤を用いて酸塩化物（化合物ＩＸ）とす
る。この酸ハロゲン化反応は、公知の方法に準じて好適
に行うことができる。例えば、溶媒としては、通常、ト
ルエン等の常用されるものを適宜選定して使用すればよ
いし、また、酸ハロゲン化剤としては、例えば、塩化チ
オニル、オキシ塩化リン、五塩化リンなどの公知の酸ハ
ロゲン化剤が用いられる。また、例えば、ピリジン等の
反応促進剤などを適量添加するのが好ましい。
合物ＶＩＩＩ）を、溶媒を用いず、又は適当な溶媒中で
酸ハロゲン化剤を用いて酸塩化物（化合物ＩＸ）とす
る。この酸ハロゲン化反応は、公知の方法に準じて好適
に行うことができる。例えば、溶媒としては、通常、ト
ルエン等の常用されるものを適宜選定して使用すればよ
いし、また、酸ハロゲン化剤としては、例えば、塩化チ
オニル、オキシ塩化リン、五塩化リンなどの公知の酸ハ
ロゲン化剤が用いられる。また、例えば、ピリジン等の
反応促進剤などを適量添加するのが好ましい。
【００３４】ステップ
【００３５】
【化１３】 酸塩化物（化合物ＩＸ）とヒドロキシ化合物（化合物
Ｘ）とを溶媒中、適当なハロゲン化水素受容剤の存在下
エステル化反応を行うことで化合物ＸＩを得る。
Ｘ）とを溶媒中、適当なハロゲン化水素受容剤の存在下
エステル化反応を行うことで化合物ＸＩを得る。
【００３６】前記化合物Ｘは、それぞれ、公知の方法等
によって製造することができる。その際、化合物Ｘの末
端部にある光学活性アルキル基は、例えば、光学活性ア
ルコール（ＨＯ−Ｒ1）を用いてエステル化反応等を利
用して容易に導入することができる。
によって製造することができる。その際、化合物Ｘの末
端部にある光学活性アルキル基は、例えば、光学活性ア
ルコール（ＨＯ−Ｒ1）を用いてエステル化反応等を利
用して容易に導入することができる。
【００３７】
【化１４】 ここで使用する光学活性アルコール（ＨＯ−Ｒ1）とし
ては、例えば、（＋）−２−メチルブタノール、（−）
−２−メチルブタノール、（＋）−２−メチルペンタノ
ール、（−）−２−メチルペンタノール、（＋）−３−
メチルペンタノール、（−）−３−メチルペンタノー
ル、（＋）−４−メチルヘキサノール、（−）−４−メ
チルヘキサノール、（＋）−２−メチルヘプタノール、
（−）−２−メチルヘプタノール、（＋）−２−メチル
オクタノール、（−）−２−メチルオクタノール、
（＋）−２−ブタノール、（−）−２−ブタノール、
（＋）−２−ペンタノール、（−）−２−ペンタノー
ル、（＋）−２−ヘキサノール、（−）−２−ヘキサノ
ール、（＋）−２−へプタノール、（−）−２−へプタ
ノール、（＋）−２−オクタノール、（−）−２−オク
タノールなどを挙げることができる。
ては、例えば、（＋）−２−メチルブタノール、（−）
−２−メチルブタノール、（＋）−２−メチルペンタノ
ール、（−）−２−メチルペンタノール、（＋）−３−
メチルペンタノール、（−）−３−メチルペンタノー
ル、（＋）−４−メチルヘキサノール、（−）−４−メ
チルヘキサノール、（＋）−２−メチルヘプタノール、
（−）−２−メチルヘプタノール、（＋）−２−メチル
オクタノール、（−）−２−メチルオクタノール、
（＋）−２−ブタノール、（−）−２−ブタノール、
（＋）−２−ペンタノール、（−）−２−ペンタノー
ル、（＋）−２−ヘキサノール、（−）−２−ヘキサノ
ール、（＋）−２−へプタノール、（−）−２−へプタ
ノール、（＋）−２−オクタノール、（−）−２−オク
タノールなどを挙げることができる。
【００３８】ステップのエステル化反応は、例えば、
前記ステップで得た酸塩化物（化合物ＩＸ）又はその
溶液に、化合物Ｘとハロゲン化水素受容剤と適当な溶媒
からなる溶液を導入し、攪拌することによって好適に行
うことができる。その際、反応性の低いときは、例えば
２０〜８０℃の適当な温度に加熱してもよい。このよう
にして、所望の化合物ＸＩが効率よく得られる。
前記ステップで得た酸塩化物（化合物ＩＸ）又はその
溶液に、化合物Ｘとハロゲン化水素受容剤と適当な溶媒
からなる溶液を導入し、攪拌することによって好適に行
うことができる。その際、反応性の低いときは、例えば
２０〜８０℃の適当な温度に加熱してもよい。このよう
にして、所望の化合物ＸＩが効率よく得られる。
【００３９】エステル化反応の原料として使用する酸塩
化物（化合物ＩＸ）は、単離されたものを用いてよく、
あるいは前記ステップで得られた酸塩化物含有反応混
合物から適宜溶媒及び酸ハロゲン化剤等を除去した反応
混合物を引き続き用いてもよい。ステップのエステル
化反応の溶媒としては、例えば、ＴＨＦ等のエーテル系
不活性溶媒、トルエン、ヘキサン等の炭化水素系不活性
溶媒などが好適に使用される。また、前記ハロゲン化水
素受容剤としては、通常、例えばピリジン、トリエチル
アミン（Ｅｔ3Ｎ）等の三級アミンなどを好適に使用す
ることができる。
化物（化合物ＩＸ）は、単離されたものを用いてよく、
あるいは前記ステップで得られた酸塩化物含有反応混
合物から適宜溶媒及び酸ハロゲン化剤等を除去した反応
混合物を引き続き用いてもよい。ステップのエステル
化反応の溶媒としては、例えば、ＴＨＦ等のエーテル系
不活性溶媒、トルエン、ヘキサン等の炭化水素系不活性
溶媒などが好適に使用される。また、前記ハロゲン化水
素受容剤としては、通常、例えばピリジン、トリエチル
アミン（Ｅｔ3Ｎ）等の三級アミンなどを好適に使用す
ることができる。
【００４０】また、ステップ、によらず化合物ＶＩ
ＩＩと化合物ＸをＤＣＣ（ジシクロヘキシルカルボジイ
ミド）等の縮合剤の存在下反応させることによっても化
合物ＸＩを得ることができる。
ＩＩと化合物ＸをＤＣＣ（ジシクロヘキシルカルボジイ
ミド）等の縮合剤の存在下反応させることによっても化
合物ＸＩを得ることができる。
【００４１】この場合、反応促進のため４−ジメチルア
ミノピリジン等を加えてもよい。溶媒としては、トルエ
ン、塩化メチレン等が使用される。反応温度は、０〜８
０℃の範囲で任意に設定可能であるが、通常、室温で行
う。また、窒素、アルゴン等の不活性ガス雰囲気下で、
又は塩カル管等を使用して反応を行い水分の侵入を防
ぐ。
ミノピリジン等を加えてもよい。溶媒としては、トルエ
ン、塩化メチレン等が使用される。反応温度は、０〜８
０℃の範囲で任意に設定可能であるが、通常、室温で行
う。また、窒素、アルゴン等の不活性ガス雰囲気下で、
又は塩カル管等を使用して反応を行い水分の侵入を防
ぐ。
【００４２】化合物ＸＩは上記に述べた方法の他に、例
えば化合物ＶＩと一般式［ＸＩＩ］
えば化合物ＶＩと一般式［ＸＩＩ］
【００４３】
【化１５】 （式中、ｂ、ｃ及び＊は前記と同じ。）で表わされるヒ
ドロキシ化合物（化合物ＸＩＩ）とを溶媒中アルカリ試
薬の存在下、エーテル化反応を行うことにより製造する
ことができる。反応は例えば次のように進行する。
ドロキシ化合物（化合物ＸＩＩ）とを溶媒中アルカリ試
薬の存在下、エーテル化反応を行うことにより製造する
ことができる。反応は例えば次のように進行する。
【００４４】
【化１６】 （溶媒、試薬、反応条件はステップに同じ。）
【００４５】ステップ
【００４６】
【化１７】 （ｉ）溶媒中、触媒存在下、化合物ＸＩとクロルジメチ
ルシランの間でヒドロシリル化反応を行うことにより、
化合物ＸＩＩＩを得、（ｉｉ）化合物ＸＩＩＩを水と反
応させることにより化合物ＸＩＶを得、（ｉｉｉ）化合
物ＸＩＶを溶媒中、適当なハロゲン化水素受容剤の存在
下、化合物ＸＶと反応させることにより化合物ＩＩを得
る。
ルシランの間でヒドロシリル化反応を行うことにより、
化合物ＸＩＩＩを得、（ｉｉ）化合物ＸＩＩＩを水と反
応させることにより化合物ＸＩＶを得、（ｉｉｉ）化合
物ＸＩＶを溶媒中、適当なハロゲン化水素受容剤の存在
下、化合物ＸＶと反応させることにより化合物ＩＩを得
る。
【００４７】なお、（ｉ）における溶媒、触媒、温度、
試薬の添加方法等の反応条件は前述の高分子化合物の共
重合反応に用いられるものと同じである。
試薬の添加方法等の反応条件は前述の高分子化合物の共
重合反応に用いられるものと同じである。
【００４８】（ｉ）で得られた化合物ＸＩＩＩは分解し
やすいので、単離せず、そのまま次の反応（ｉｉ）に使
用する。（ｉｉ）においては、等モル量の水をＴＨＦ等
の水と混合可能な溶媒に溶かし、化合物ＸＩＩＩを含む
反応液に加える。反応温度は０〜８０℃の範囲で任意に
設定可能であるが、通常室温又は水冷下で行う。ピリジ
ン、トリエチルアミン等の３級アミンをハロゲン化水素
受容剤として加える。又は、化合物ＸＩＩＩを含む反応
液をジエチルエーテル等で希釈した後、ハロゲン化水素
受溶剤として水酸化ナトリウム等を含む水を加え攪拌す
ることによりＸＩＶを得る。この反応液をそのまま反応
（ｉｉｉ）に使用する場合は硫酸マグネシウム等で脱水
を行う。
やすいので、単離せず、そのまま次の反応（ｉｉ）に使
用する。（ｉｉ）においては、等モル量の水をＴＨＦ等
の水と混合可能な溶媒に溶かし、化合物ＸＩＩＩを含む
反応液に加える。反応温度は０〜８０℃の範囲で任意に
設定可能であるが、通常室温又は水冷下で行う。ピリジ
ン、トリエチルアミン等の３級アミンをハロゲン化水素
受容剤として加える。又は、化合物ＸＩＩＩを含む反応
液をジエチルエーテル等で希釈した後、ハロゲン化水素
受溶剤として水酸化ナトリウム等を含む水を加え攪拌す
ることによりＸＩＶを得る。この反応液をそのまま反応
（ｉｉｉ）に使用する場合は硫酸マグネシウム等で脱水
を行う。
【００４９】（ｉｉ）で得られた化合物ＸＩＶをシリカ
ゲルカラム等で精製し、ＴＨＦ、ジエチルエーテル等の
エーテル系不活性溶媒を加えた溶液、又は精製を行って
いない反応（ｉｉ）における反応液、若しくは未精製反
応液にＴＨＦ、ジエチルエーテル等のエーテル系不活性
溶媒又はトルエン、ヘキサン等の炭化水素系不活性溶媒
を加えた溶液に、化合物ＸＶをＴＨＦ、ジエチルエーテ
ル等のエーテル系不活性溶媒又はトルエン、ヘキサン等
の炭化水素系不活性溶媒に溶解して添加し、更に、ピリ
ジン、トリエチルアミン等の３級アミンをハロゲン化水
素受容剤として加え、攪拌することによって化合物ＩＩ
を得る。反応はＮ2、Ａｒ等の不活性ガス雰囲気下室温
で行う。反応性の低いときは２０〜８０℃の適当な温度
に加熱してもよい。
ゲルカラム等で精製し、ＴＨＦ、ジエチルエーテル等の
エーテル系不活性溶媒を加えた溶液、又は精製を行って
いない反応（ｉｉ）における反応液、若しくは未精製反
応液にＴＨＦ、ジエチルエーテル等のエーテル系不活性
溶媒又はトルエン、ヘキサン等の炭化水素系不活性溶媒
を加えた溶液に、化合物ＸＶをＴＨＦ、ジエチルエーテ
ル等のエーテル系不活性溶媒又はトルエン、ヘキサン等
の炭化水素系不活性溶媒に溶解して添加し、更に、ピリ
ジン、トリエチルアミン等の３級アミンをハロゲン化水
素受容剤として加え、攪拌することによって化合物ＩＩ
を得る。反応はＮ2、Ａｒ等の不活性ガス雰囲気下室温
で行う。反応性の低いときは２０〜８０℃の適当な温度
に加熱してもよい。
【００５０】クロルジメチルシランの代わりにメトキシ
ジメチルシラン、エトキシジメチルシラン等のアルコキ
シシラン化合物を使用してもよい。
ジメチルシラン、エトキシジメチルシラン等のアルコキ
シシラン化合物を使用してもよい。
【００５１】ステップ 化合物ＸＶの合成法
【００５２】
【化１８】 （ｉ）溶媒中、化合物ＸＶＩとマグネシウムを反応さ
せ、化合物ＸＶＩＩを得るか（Ｍ＝ＭｇＸ）、あるいは
金属リチウムと反応させ、化合物ＸＶＩＩを得る（Ｍ＝
Ｌｉ）。化合物ＸＶＩは、対応するアルコールをＮ−ブ
ロモコハク酸イミド・トリフェニルホスフィン、Ｎ−ク
ロロコハク酸イミド・トリフェニルホスフィン、四塩化
炭素・トリフェニルホスフィン等でハロゲン化するなど
して得られる。
せ、化合物ＸＶＩＩを得るか（Ｍ＝ＭｇＸ）、あるいは
金属リチウムと反応させ、化合物ＸＶＩＩを得る（Ｍ＝
Ｌｉ）。化合物ＸＶＩは、対応するアルコールをＮ−ブ
ロモコハク酸イミド・トリフェニルホスフィン、Ｎ−ク
ロロコハク酸イミド・トリフェニルホスフィン、四塩化
炭素・トリフェニルホスフィン等でハロゲン化するなど
して得られる。
【００５３】（ｉｉ）更に、化合物ＸＶＩＩをテトラク
ロルシラン、次いでテトラクロルシランの２倍モル量の
メチルリチウムと反応させることにより化合物ＸＶを得
る。Ｍ＝Ｌｉの場合、化合物ＸＶＩＩを、ジクロルジメ
チルシランと反応させることによっても化合物ＸＶを得
ることができる。
ロルシラン、次いでテトラクロルシランの２倍モル量の
メチルリチウムと反応させることにより化合物ＸＶを得
る。Ｍ＝Ｌｉの場合、化合物ＸＶＩＩを、ジクロルジメ
チルシランと反応させることによっても化合物ＸＶを得
ることができる。
【００５４】（ｉ）（ｉｉ）の反応の溶媒としては、Ｔ
ＨＦ、ジエチルエーテル等のエーテル系不活性溶媒が好
適である。反応は窒素、アルゴン等の不活性ガス雰囲気
下、−７０〜８０℃の範囲で行う。
ＨＦ、ジエチルエーテル等のエーテル系不活性溶媒が好
適である。反応は窒素、アルゴン等の不活性ガス雰囲気
下、−７０〜８０℃の範囲で行う。
【００５５】（ｉ）においては、反応促進のため、ヨウ
素、１，２−ジブロモエタン等を添加してもよい。
素、１，２−ジブロモエタン等を添加してもよい。
【００５６】化合物ＸＶＩの具体例としては３−クロル
メチル−１，４−ペンタジエン、３−クロルメチル−
１，５−ヘキサジエン、３−クロルメチル−１，６−ヘ
プタジエン、４−クロルメチル−１，６−ヘプタジエ
ン、３−クロルメチル−１，７−オクタジエン、４−ク
ロルメチル−１，７−オクタジエン、５−クロルメチル
−１，８−ノナジエン、５−クロルメチル−１，９−デ
カジエン、６−クロルメチル−１，１０−ウンデカジエ
ン、及び、対応するブロムメチル体等が挙げられる。
メチル−１，４−ペンタジエン、３−クロルメチル−
１，５−ヘキサジエン、３−クロルメチル−１，６−ヘ
プタジエン、４−クロルメチル−１，６−ヘプタジエ
ン、３−クロルメチル−１，７−オクタジエン、４−ク
ロルメチル−１，７−オクタジエン、５−クロルメチル
−１，８−ノナジエン、５−クロルメチル−１，９−デ
カジエン、６−クロルメチル−１，１０−ウンデカジエ
ン、及び、対応するブロムメチル体等が挙げられる。
【００５７】このようにして得られた化合物（ＩＩ）
は、本発明の高分子化合物の原料として有用であるばか
りか、強誘電性液晶組成物の構成要素としても有用であ
る。
は、本発明の高分子化合物の原料として有用であるばか
りか、強誘電性液晶組成物の構成要素としても有用であ
る。
【００５８】３．化合物Ｖ 本発明の高分子化合物の製造原料として用いる前記シリ
コン化合物（化合物Ｖ）は、２個のＳｉ−Ｈ結合を持っ
た化合物であり、
コン化合物（化合物Ｖ）は、２個のＳｉ−Ｈ結合を持っ
た化合物であり、
【００５９】
【化１９】 の場合、ｋの値が１、２、３のものはｋの値に分布はほ
とんどなく単一なものが用いられるが、ｋの値が大きな
化合物は重合度（ｋの値）に分布があるため、ｋの値
は、平均値で表わされる。したがって、得られた高分子
化合物のｋも平均値である。化合物Ｖの具体例として
は、１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン、１，
１，３，３，５，５−ヘキサメチルトリシロキサン、
１，１，３，３，５，５，７，７−オクタメチルテトラ
シロキサン、及びケイ素原子の数が６又は７のα，ω−
ハイドロジェンオリゴジメチルシロキサン、更に、１，
１−ビス（ジメチルシリル）メタン、１，１，４，４−
テトラメチルジシルエチレン、１，３−ビス（ジメチル
シリル）プロパン、１，４−ビス（ジメチルシリル）ブ
タン等を挙げることができる。これらの化合物Ｖは、前
記共重合反応に１種単独で使用してもよいし、必要に応
じて、２種以上を併用してもよい。
とんどなく単一なものが用いられるが、ｋの値が大きな
化合物は重合度（ｋの値）に分布があるため、ｋの値
は、平均値で表わされる。したがって、得られた高分子
化合物のｋも平均値である。化合物Ｖの具体例として
は、１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン、１，
１，３，３，５，５−ヘキサメチルトリシロキサン、
１，１，３，３，５，５，７，７−オクタメチルテトラ
シロキサン、及びケイ素原子の数が６又は７のα，ω−
ハイドロジェンオリゴジメチルシロキサン、更に、１，
１−ビス（ジメチルシリル）メタン、１，１，４，４−
テトラメチルジシルエチレン、１，３−ビス（ジメチル
シリル）プロパン、１，４−ビス（ジメチルシリル）ブ
タン等を挙げることができる。これらの化合物Ｖは、前
記共重合反応に１種単独で使用してもよいし、必要に応
じて、２種以上を併用してもよい。
【００６０】以上のように詳細に説明した化合物ＩＩ及
び化合物Ｖを製造原料として用い、前述の高分子化合物
の製造例に従うことによって、本発明の新規高分子化合
物を好適に得ることができる。
び化合物Ｖを製造原料として用い、前述の高分子化合物
の製造例に従うことによって、本発明の新規高分子化合
物を好適に得ることができる。
【００６１】４．強誘電性液晶組成物 本発明はまた、前記の新規高分子化合物と低分子のスメ
クチック液晶化合物からなる強誘電性液晶組成物を提供
するものである。
クチック液晶化合物からなる強誘電性液晶組成物を提供
するものである。
【００６２】本発明の強誘電性液晶組成物は前記新規高
分子化合物と低分子のスメクチック液晶化合物を混合す
ることにより得られる。
分子化合物と低分子のスメクチック液晶化合物を混合す
ることにより得られる。
【００６３】本発明において用いられる低分子のスメク
チック液晶化合物については特に制限はなく、従来公知
の化合物の中から任意のものを１種以上選択して用いる
ことができる。該液晶化合物としては、例えば、
チック液晶化合物については特に制限はなく、従来公知
の化合物の中から任意のものを１種以上選択して用いる
ことができる。該液晶化合物としては、例えば、
【００６４】
【化２０】
【００６５】
【化２１】 （式中のＲ3及びＲ4は、それぞれ炭素数１〜１２の直鎖
状又は分岐状のアルキル基、アルコキシ基、アルコキシ
カルボニル基又はアシルオキシ基であり、それらは同一
であってもよいし、互いに異なっていてもよく、ｄ、ｅ
は２〜５の整数、ｇは８〜１２の整数、ｈは０〜３の整
数、ｉは１〜７の整数、＊は不斉炭素原子を表わす。）
及び本発明の新規高分子化合物の合成に用いられる一般
式［ＩＩ］で表わされるジエン化合物などを挙げること
ができる。
状又は分岐状のアルキル基、アルコキシ基、アルコキシ
カルボニル基又はアシルオキシ基であり、それらは同一
であってもよいし、互いに異なっていてもよく、ｄ、ｅ
は２〜５の整数、ｇは８〜１２の整数、ｈは０〜３の整
数、ｉは１〜７の整数、＊は不斉炭素原子を表わす。）
及び本発明の新規高分子化合物の合成に用いられる一般
式［ＩＩ］で表わされるジエン化合物などを挙げること
ができる。
【００６６】更に、
【００６７】
【化２２】 で表される化合物なども用いることができる。Ｒ5は炭
素数６〜１５のアルキル基、アルコキシ基、アルコキシ
カルボニル基又はアシルオキシ基、Ｒ6は炭素数６〜１
２のアルキル基又はアルコキシ基である。また、Ｒ7及
びＲ8は、それぞれ炭素数４〜１４のアルキル基又はア
ルコキシ基であり、それらは同一であってもよいし、互
いに異なっていてもよい。一方、Ｒ9は炭素数４〜１４
のアルキル基、Ｒ10は炭素数４〜１４のアルキル基又は
アルコキシ基である。Ｒ11は、炭素数６〜２０のアルキ
ル基又はアルコキシ基である。Ｒ5、Ｒ11におけるメチ
レン基の一部は、エステル基、酸素原子に置換されてい
てもよい。ただし、エステル基や酸素原子が連続するこ
とはない。また、Ｒ5〜Ｒ11は直鎖でも分岐状であって
もよい。
素数６〜１５のアルキル基、アルコキシ基、アルコキシ
カルボニル基又はアシルオキシ基、Ｒ6は炭素数６〜１
２のアルキル基又はアルコキシ基である。また、Ｒ7及
びＲ8は、それぞれ炭素数４〜１４のアルキル基又はア
ルコキシ基であり、それらは同一であってもよいし、互
いに異なっていてもよい。一方、Ｒ9は炭素数４〜１４
のアルキル基、Ｒ10は炭素数４〜１４のアルキル基又は
アルコキシ基である。Ｒ11は、炭素数６〜２０のアルキ
ル基又はアルコキシ基である。Ｒ5、Ｒ11におけるメチ
レン基の一部は、エステル基、酸素原子に置換されてい
てもよい。ただし、エステル基や酸素原子が連続するこ
とはない。また、Ｒ5〜Ｒ11は直鎖でも分岐状であって
もよい。
【００６８】これらの液晶化合物の具体例としては、
【００６９】
【化２３】
【００７０】
【化２４】 などが挙げられる。
【００７１】前記新規高分子化合物は構造上くし型ポリ
マーであるので、混合系である本発明の強誘電性液晶組
成物において、高分子の側鎖の間に低分子のスメクチッ
ク液晶化合物が入り込み相溶系となる。図１はこの様子
を模式的に示した説明図である。
マーであるので、混合系である本発明の強誘電性液晶組
成物において、高分子の側鎖の間に低分子のスメクチッ
ク液晶化合物が入り込み相溶系となる。図１はこの様子
を模式的に示した説明図である。
【００７２】本発明の強誘電性液晶組成物はこのように
相溶系になるのでコントラスト比もよく、外的因子に対
して高速に応答する。また、高分子化合物を含んでいる
ので配向性がよく、配向制御も容易で簡便に液晶光学素
子を製作することができる。
相溶系になるのでコントラスト比もよく、外的因子に対
して高速に応答する。また、高分子化合物を含んでいる
ので配向性がよく、配向制御も容易で簡便に液晶光学素
子を製作することができる。
【００７３】また、くし型ポリマーに光学活性基が導入
されているので、混合する低分子のスメクチック液晶化
合物が非カイラルのスメクチック液晶であっても、くし
型ポリマーがカイラルドーパントとしての役割を果た
し、組成物として強誘電性を発現することができ、液晶
組成物を強誘電性液晶組成物とすることができる。
されているので、混合する低分子のスメクチック液晶化
合物が非カイラルのスメクチック液晶であっても、くし
型ポリマーがカイラルドーパントとしての役割を果た
し、組成物として強誘電性を発現することができ、液晶
組成物を強誘電性液晶組成物とすることができる。
【００７４】また、本発明の強誘電性液晶組成物におい
ては、高分子化合物はカイラルドーパントとして機能
し、また組成物に成形性及び良好な配向性を付与する役
割を果せばよいのであって、必ずしもそれ自体がＳC ＊
相を有するものでなくてもよい。
ては、高分子化合物はカイラルドーパントとして機能
し、また組成物に成形性及び良好な配向性を付与する役
割を果せばよいのであって、必ずしもそれ自体がＳC ＊
相を有するものでなくてもよい。
【００７５】高分子化合物と低分子のスメクチック液晶
化合物の混合方法としては、特に制限はなく、直接混合
でも溶液混合でもよい。例えば、溶液混合としては、高
分子化合物と低分子のスメクチック液晶化合物の所定量
を容器に入れてジクロルメタン等の溶媒に溶解し混合し
て溶媒を蒸発させる方法が好適である。
化合物の混合方法としては、特に制限はなく、直接混合
でも溶液混合でもよい。例えば、溶液混合としては、高
分子化合物と低分子のスメクチック液晶化合物の所定量
を容器に入れてジクロルメタン等の溶媒に溶解し混合し
て溶媒を蒸発させる方法が好適である。
【００７６】混合比率としては、新規高分子化合物の分
率を５〜９９重量％とすることが好ましい。高分子化合
物の分率が５重量％未満では液晶組成物の製膜性、配向
性が低下することがある。また、混合する低分子のスメ
クチック液晶化合物が非カイラルの場合、強誘電相を発
現しないなどの不都合を生じることがある。高分子化合
物の分率が９９重量％を超えると電界変化に対する応答
時間が長くなることがある。混合物中には本発明の組成
物の特性をそこなわない範囲で本発明の高分子化合物以
外の高分子化合物、色素、接着剤等が含まれていてもよ
い。
率を５〜９９重量％とすることが好ましい。高分子化合
物の分率が５重量％未満では液晶組成物の製膜性、配向
性が低下することがある。また、混合する低分子のスメ
クチック液晶化合物が非カイラルの場合、強誘電相を発
現しないなどの不都合を生じることがある。高分子化合
物の分率が９９重量％を超えると電界変化に対する応答
時間が長くなることがある。混合物中には本発明の組成
物の特性をそこなわない範囲で本発明の高分子化合物以
外の高分子化合物、色素、接着剤等が含まれていてもよ
い。
【００７７】本発明の組成物に加えてもよい、本発明の
高分子化合物以外の高分子化合物としては、下記繰り返
し単位［ＸＶＩＩＩ］からなる高分子化合物等を挙げる
ことができる。その具体例としては式［ＸＶＩＩＩ］に
おいて、ｄ＝ｅ＝３、ｆ＝１、ｇ＝１０、ｈ＝０、ｉ＝
２である繰り返し単位を有する高分子化合物等がある。
高分子化合物以外の高分子化合物としては、下記繰り返
し単位［ＸＶＩＩＩ］からなる高分子化合物等を挙げる
ことができる。その具体例としては式［ＸＶＩＩＩ］に
おいて、ｄ＝ｅ＝３、ｆ＝１、ｇ＝１０、ｈ＝０、ｉ＝
２である繰り返し単位を有する高分子化合物等がある。
【００７８】
【化２５】 （式中、ｄ、ｅは２〜５の整数、ｆは１〜６の数、ｇは
８〜１２の整数、ｈは０〜３の整数、ｉは１〜７の整
数、＊は不斉炭素原子を表す。）
８〜１２の整数、ｈは０〜３の整数、ｉは１〜７の整
数、＊は不斉炭素原子を表す。）
【００７９】
【実施例】次に、本発明を実施例に基づいて説明する
が、本発明はこれらの実施例に限定されるものではな
い。
が、本発明はこれらの実施例に限定されるものではな
い。
【００８０】電界応答時間（τ）は、２５℃で±１０Ｖ
／μｍの矩形波状電圧を印加し、その際の透過光量変化
（１０→９０％）に要した必要な時間である。測定法は
すべて実施例６の方法により行った。傾き角２θも２５
℃における値である。
／μｍの矩形波状電圧を印加し、その際の透過光量変化
（１０→９０％）に要した必要な時間である。測定法は
すべて実施例６の方法により行った。傾き角２θも２５
℃における値である。
【００８１】なお、相転移挙動を示す式中、各記号は下
記の意味を有する。 ｇｌａｓｓ：ガラス相、ＳC *：カイラルスメクチックＣ
液晶相、Ｉｓｏ：等方性液体相、ＳA：スメクチックＡ
相、Ｓ C ：スメクチックＣ相、Ｎ：ネマチック相、Ｎ*：
カイラルネマチック相、Ｃｒｙｓｔ：結晶状態 相転移温度は偏光顕微鏡観察により決定した。測定法は
すべて実施例６の方法により行った。なお、相転移挙動
を示す式中、数字は℃を表わす。また、以下の実施例に
おいてＭｗは重量平均分子量を表わし、ＧＰＣ測定によ
るポリスチレン換算値である。
記の意味を有する。 ｇｌａｓｓ：ガラス相、ＳC *：カイラルスメクチックＣ
液晶相、Ｉｓｏ：等方性液体相、ＳA：スメクチックＡ
相、Ｓ C ：スメクチックＣ相、Ｎ：ネマチック相、Ｎ*：
カイラルネマチック相、Ｃｒｙｓｔ：結晶状態 相転移温度は偏光顕微鏡観察により決定した。測定法は
すべて実施例６の方法により行った。なお、相転移挙動
を示す式中、数字は℃を表わす。また、以下の実施例に
おいてＭｗは重量平均分子量を表わし、ＧＰＣ測定によ
るポリスチレン換算値である。
【００８２】実施例１ 高分子化合物Ａの合成
【００８３】
【化２６】 化合物（１）の合成
【００８４】
【化２７】 ４−（９−デセニルオキシ）ベンゾイックアシッド８．
０ｇに、チオニルクロリド４ｍｌを加え、６５℃で４時
間攪拌した。過剰のチオニルクロリドを減圧留去した
後、トルエン２０ｍｌを加えた。そこへ、（ｓ）−１−
メチルブチル ４−ヒドロキシビフェニル−４′−カル
ボキシレート９．１ｇ、ピリジン２．８ｇのトルエン２
０ｍｌ溶液を室温で滴下し、室温で１日反応させた。生
じた不溶物を濾過により除き、溶媒を減圧留去した。エ
タノールからの再結晶により、目的物（１）１１．７ｇ
を得た（収率７４％）。
０ｇに、チオニルクロリド４ｍｌを加え、６５℃で４時
間攪拌した。過剰のチオニルクロリドを減圧留去した
後、トルエン２０ｍｌを加えた。そこへ、（ｓ）−１−
メチルブチル ４−ヒドロキシビフェニル−４′−カル
ボキシレート９．１ｇ、ピリジン２．８ｇのトルエン２
０ｍｌ溶液を室温で滴下し、室温で１日反応させた。生
じた不溶物を濾過により除き、溶媒を減圧留去した。エ
タノールからの再結晶により、目的物（１）１１．７ｇ
を得た（収率７４％）。
【００８５】モノマーａの合成
【００８６】
【化２８】 ４−クロルメチル−１，６−ヘプタジエン４．５ｇ（３
１ｍｍｏｌ）、マグネシウム１．５ｇ（６２ｍｍｏ
ｌ）、１，２−ジブロモエタン１．２ｇ（６．２ｍｍｏ
ｌ）のＴＨＦ１００ｍｌ溶液をアルゴン雰囲気下３時間
還流した。室温まで冷却した後、これをテトラクロルシ
ラン５．３ｇ（３１ｍｍｏｌ）のＴＨＦ５０ｍｌ溶液に
加え、アルゴン雰囲気、水冷条件で８時間攪拌した。こ
こにメチルリチウムの１．４Ｍエーテル溶液４９ｍｌ
（６９ｍｍｏｌ）を加え、アルゴン雰囲気、水冷条件で
７時間攪拌して、４−クロルジメチルシリルメチル−
１，６−ヘプタジエン（２）のエーテル系溶液を得た。
１ｍｍｏｌ）、マグネシウム１．５ｇ（６２ｍｍｏ
ｌ）、１，２−ジブロモエタン１．２ｇ（６．２ｍｍｏ
ｌ）のＴＨＦ１００ｍｌ溶液をアルゴン雰囲気下３時間
還流した。室温まで冷却した後、これをテトラクロルシ
ラン５．３ｇ（３１ｍｍｏｌ）のＴＨＦ５０ｍｌ溶液に
加え、アルゴン雰囲気、水冷条件で８時間攪拌した。こ
こにメチルリチウムの１．４Ｍエーテル溶液４９ｍｌ
（６９ｍｍｏｌ）を加え、アルゴン雰囲気、水冷条件で
７時間攪拌して、４−クロルジメチルシリルメチル−
１，６−ヘプタジエン（２）のエーテル系溶液を得た。
【００８７】同時に、化合物（１）４．５ｇ（８．３ｍ
ｍｏｌ）をトルエン９ｍｌに溶解し、更に、クロルジメ
チルシラン１．６ｇ（１７ｍｍｏｌ）、塩化白金酸６水
和物の４ｗｔ％２−プロパノール溶液７０μｌを加え、
アルゴン雰囲気下１００℃で３時間攪拌し、クロルシラ
ン化合物（３）を得た。この反応溶液に、水１５０ｍｇ
（８．３ｍｍｏｌ）、トリエチルアミン０．８４ｇ
（８．３ｍｍｏｌ）のＴＨＦ５０ｍｌ溶液を加え、アル
ゴン雰囲気、水冷条件で１０分間攪拌し、シラノール化
合物（４）を得た。
ｍｏｌ）をトルエン９ｍｌに溶解し、更に、クロルジメ
チルシラン１．６ｇ（１７ｍｍｏｌ）、塩化白金酸６水
和物の４ｗｔ％２−プロパノール溶液７０μｌを加え、
アルゴン雰囲気下１００℃で３時間攪拌し、クロルシラ
ン化合物（３）を得た。この反応溶液に、水１５０ｍｇ
（８．３ｍｍｏｌ）、トリエチルアミン０．８４ｇ
（８．３ｍｍｏｌ）のＴＨＦ５０ｍｌ溶液を加え、アル
ゴン雰囲気、水冷条件で１０分間攪拌し、シラノール化
合物（４）を得た。
【００８８】この反応溶液に前記の４−クロルジメチル
シリルメチル−１，６−ヘプタジエン（２）のエーテル
系溶液及びトリエチルアミン２．５ｇ（２５ｍｍｏｌ）
のＴＨＦ１８ｍｌ溶液を水冷下、アルゴン雰囲気で加え
た。その後、アルゴン雰囲気、室温にて２日間反応させ
た。食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒
を減圧留去した。シリカゲルカラムクロマトグラフィー
により精製し、目的とするモノマーａ １．７ｇ（２．
２ｍｍｏｌ）を得た（収率２７％）。モノマーａの1Ｈ
−ＮＭＲチャートを図２に、諸物性を表１に示す。
シリルメチル−１，６−ヘプタジエン（２）のエーテル
系溶液及びトリエチルアミン２．５ｇ（２５ｍｍｏｌ）
のＴＨＦ１８ｍｌ溶液を水冷下、アルゴン雰囲気で加え
た。その後、アルゴン雰囲気、室温にて２日間反応させ
た。食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒
を減圧留去した。シリカゲルカラムクロマトグラフィー
により精製し、目的とするモノマーａ １．７ｇ（２．
２ｍｍｏｌ）を得た（収率２７％）。モノマーａの1Ｈ
−ＮＭＲチャートを図２に、諸物性を表１に示す。
【００８９】重合 モノマーａ ０．２０ｇ（０．２６ｍｍｏｌ）をトルエ
ン４ｍｌに溶解させた系をアルゴン置換した。１，１，
３，３−テトラメチルジシロキサン３８ｍｇ（０．２８
ｍｍｏｌ）と塩化白金酸６水和物１ｍｇを加え、８５℃
で３時間反応させた。更に１，１，３，３−テトラメチ
ルジシロキサン２２ｍｇ（０．１６ｍｍｏｌ）と触媒量
の塩化白金酸６水和物を追加し、８５℃で４時間反応さ
せた。溶媒を減圧留去し、シリカゲルカラムクロマトグ
ラフィーにより精製し、高分子化合物Ａ０．２３ｇを得
た（収率９８％）。高分子化合物Ａの1Ｈ−ＮＭＲチャ
ートを図３に、諸物性を表２に示す。
ン４ｍｌに溶解させた系をアルゴン置換した。１，１，
３，３−テトラメチルジシロキサン３８ｍｇ（０．２８
ｍｍｏｌ）と塩化白金酸６水和物１ｍｇを加え、８５℃
で３時間反応させた。更に１，１，３，３−テトラメチ
ルジシロキサン２２ｍｇ（０．１６ｍｍｏｌ）と触媒量
の塩化白金酸６水和物を追加し、８５℃で４時間反応さ
せた。溶媒を減圧留去し、シリカゲルカラムクロマトグ
ラフィーにより精製し、高分子化合物Ａ０．２３ｇを得
た（収率９８％）。高分子化合物Ａの1Ｈ−ＮＭＲチャ
ートを図３に、諸物性を表２に示す。
【００９０】実施例２ 高分子化合物Ｂの合成
【００９１】
【化２９】 実施例１と同様の方法で得られたモノマーａ ０．１５
ｇ（０．１９ｍｍｏｌ）をトルエン３ｍｌに溶解させた
系をアルゴン置換した。α，ω−ハイドロジェンオリゴ
ジメチルシロキサン（重量平均分子量６７０）６８ｍｇ
と塩化白金酸６水和物１ｍｇを加え、８５℃で１８時間
反応させた。活性炭処理の後、溶媒を減圧留去し、シリ
カゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、高分子
化合物Ｂ０．１５ｇを得た（収率６９％）。高分子化合
物Ｂの1Ｈ−ＮＭＲチャートを図４に、諸物性を表２に
示す。
ｇ（０．１９ｍｍｏｌ）をトルエン３ｍｌに溶解させた
系をアルゴン置換した。α，ω−ハイドロジェンオリゴ
ジメチルシロキサン（重量平均分子量６７０）６８ｍｇ
と塩化白金酸６水和物１ｍｇを加え、８５℃で１８時間
反応させた。活性炭処理の後、溶媒を減圧留去し、シリ
カゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、高分子
化合物Ｂ０．１５ｇを得た（収率６９％）。高分子化合
物Ｂの1Ｈ−ＮＭＲチャートを図４に、諸物性を表２に
示す。
【００９２】実施例３ 高分子化合物Ｃの合成
【００９３】
【化３０】 モノマーａ ０．１５ｇ（０．１９ｍｍｏｌ）をトルエ
ン３ｍｌに溶解させた系をアルゴン置換した。１，１，
４，４−テトラメチルジシルエチレン１６ｍｇ（０．１
１ｍｍｏｌ）と塩化白金酸６水和物１ｍｇを加え、８５
℃で４時間反応させた。活性炭処理の後、溶媒を減圧留
去し、シリカゲルクロマトグラフィーにより精製し、高
分子化合物Ｃ０．１５ｇを得た（収率９０％）。高分子
化合物Ｃの1Ｈ−ＮＭＲチャートを図５に、諸物性を表
２に示す。
ン３ｍｌに溶解させた系をアルゴン置換した。１，１，
４，４−テトラメチルジシルエチレン１６ｍｇ（０．１
１ｍｍｏｌ）と塩化白金酸６水和物１ｍｇを加え、８５
℃で４時間反応させた。活性炭処理の後、溶媒を減圧留
去し、シリカゲルクロマトグラフィーにより精製し、高
分子化合物Ｃ０．１５ｇを得た（収率９０％）。高分子
化合物Ｃの1Ｈ−ＮＭＲチャートを図５に、諸物性を表
２に示す。
【００９４】実施例４．高分子化合物Ｄの合成
【００９５】
【化３１】 化合物（５）の合成
【００９６】
【化３２】 ４−（１０−ウンデセニルオキシ）ベンゾイックアシッ
ド４．０ｇに、チオニルクロリド３ｍｌを加え、７０℃
で４時間攪拌した。過剰のチオニルクロリドを減圧留去
した後、トルエン３０ｍｌを加えた。そこへ、（ｓ）−
１−メチルブチル ４−ヒドロキシビフェニル−４′−
カルボキシレート３．７ｇ、ピリジン１．３ｇのトルエ
ン１５ｍｌ溶液を室温で滴下し、室温で１日反応させ
た。生じた不溶物を濾過により除き、溶媒を減圧留去し
た。エタノールからの再結晶により、目的物（５）４．
３ｇを得た（収率５５％）。
ド４．０ｇに、チオニルクロリド３ｍｌを加え、７０℃
で４時間攪拌した。過剰のチオニルクロリドを減圧留去
した後、トルエン３０ｍｌを加えた。そこへ、（ｓ）−
１−メチルブチル ４−ヒドロキシビフェニル−４′−
カルボキシレート３．７ｇ、ピリジン１．３ｇのトルエ
ン１５ｍｌ溶液を室温で滴下し、室温で１日反応させ
た。生じた不溶物を濾過により除き、溶媒を減圧留去し
た。エタノールからの再結晶により、目的物（５）４．
３ｇを得た（収率５５％）。
【００９７】モノマーｂの合成
【００９８】
【化３３】 ４−クロルメチル−１，６−ヘプタジエン２．３ｇ（１
６ｍｍｏｌ）、マグネシウム０．７６ｇ（３１ｍｍｏ
ｌ）、１，２−ジブロモエタン０．５９ｇ（３．１ｍｍ
ｏｌ）のＴＨＦ４５ｍｌ溶液をアルゴン雰囲気下４時間
還流した。室温まで冷却した後、これをテトラクロルシ
ラン２．７ｇ（１６ｍｍｏｌ）のＴＨＦ２０ｍｌ溶液に
水冷条件にて加え、更にアルゴン雰囲気、室温にて２時
間攪拌した。ここにメチルリチウムの１．４Ｍエーテル
溶液２２ｍｌ（３１ｍｍｏｌ）を加え、アルゴン雰囲
気、水冷下１時間攪拌して、４−クロルジメチルシリル
メチル−１，６−ヘプタジエン（２）のエーテル系溶液
を得た。
６ｍｍｏｌ）、マグネシウム０．７６ｇ（３１ｍｍｏ
ｌ）、１，２−ジブロモエタン０．５９ｇ（３．１ｍｍ
ｏｌ）のＴＨＦ４５ｍｌ溶液をアルゴン雰囲気下４時間
還流した。室温まで冷却した後、これをテトラクロルシ
ラン２．７ｇ（１６ｍｍｏｌ）のＴＨＦ２０ｍｌ溶液に
水冷条件にて加え、更にアルゴン雰囲気、室温にて２時
間攪拌した。ここにメチルリチウムの１．４Ｍエーテル
溶液２２ｍｌ（３１ｍｍｏｌ）を加え、アルゴン雰囲
気、水冷下１時間攪拌して、４−クロルジメチルシリル
メチル−１，６−ヘプタジエン（２）のエーテル系溶液
を得た。
【００９９】同時に、化合物（５）３．５ｇ（６．３ｍ
ｍｏｌ）をトルエン７ｍｌに溶解し、更に、クロルジメ
チルシラン１．２ｇ（１３ｍｍｏｌ）、塩化白金酸６水
和物の４ｗｔ％２−プロパノール溶液５５μｌを加え、
アルゴン雰囲気下１００℃で３時間攪拌し、クロルシラ
ン化合物（６）を得た。この反応溶液に、水１１０ｍｇ
（６．３ｍｍｏｌ）、トリエチルアミン０．６３ｇ
（６．２ｍｍｏｌ）のＴＨＦ３５ｍｌ溶液を加え、アル
ゴン雰囲気、水冷条件にて１０分間攪拌し、シラノール
化合物（７）を得た。
ｍｏｌ）をトルエン７ｍｌに溶解し、更に、クロルジメ
チルシラン１．２ｇ（１３ｍｍｏｌ）、塩化白金酸６水
和物の４ｗｔ％２−プロパノール溶液５５μｌを加え、
アルゴン雰囲気下１００℃で３時間攪拌し、クロルシラ
ン化合物（６）を得た。この反応溶液に、水１１０ｍｇ
（６．３ｍｍｏｌ）、トリエチルアミン０．６３ｇ
（６．２ｍｍｏｌ）のＴＨＦ３５ｍｌ溶液を加え、アル
ゴン雰囲気、水冷条件にて１０分間攪拌し、シラノール
化合物（７）を得た。
【０１００】この反応溶液に前記の４−クロルジメチル
シリルメチル−１，６−ヘプタジエン（２）のエーテル
系溶液及びトリエチルアミン１．６ｇ（１６ｍｍｏｌ）
のＴＨＦ２５ｍｌ溶液を水冷下、アルゴン雰囲気で加え
た。その後、アルゴン雰囲気、室温にて２日間反応させ
た。食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒
を減圧留去した。シリカゲルカラムクロマトグラフィー
により精製し、目的とするモノマーｂ ０．７０ｇ
（０．８８ｍｍｏｌ）を得た（収率１４％）。モノマー
ｂの1Ｈ−ＮＭＲチャートを図６に、諸物性を表１に示
す。
シリルメチル−１，６−ヘプタジエン（２）のエーテル
系溶液及びトリエチルアミン１．６ｇ（１６ｍｍｏｌ）
のＴＨＦ２５ｍｌ溶液を水冷下、アルゴン雰囲気で加え
た。その後、アルゴン雰囲気、室温にて２日間反応させ
た。食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒
を減圧留去した。シリカゲルカラムクロマトグラフィー
により精製し、目的とするモノマーｂ ０．７０ｇ
（０．８８ｍｍｏｌ）を得た（収率１４％）。モノマー
ｂの1Ｈ−ＮＭＲチャートを図６に、諸物性を表１に示
す。
【０１０１】重合 モノマーｂ ０．１５ｇ（０．１９ｍｍｏｌ）をトルエ
ン３ｍｌに溶解させた系をアルゴン置換した。１，１，
４，４−テトラメチルジシルエチレン１７ｍｇ（０．１
２ｍｍｏｌ）と塩化白金酸６水和物１ｍｇを加え、８５
℃で６時間反応させた。活性炭処理の後、溶媒を減圧留
去し、シリカゲルクロマトグラフィーにより精製し、高
分子化合物Ｄ０．１３ｇを得た（収率７８％）。高分子
化合物Ｄの1Ｈ−ＮＭＲチャートを図７に、諸物性を表
２に示す。
ン３ｍｌに溶解させた系をアルゴン置換した。１，１，
４，４−テトラメチルジシルエチレン１７ｍｇ（０．１
２ｍｍｏｌ）と塩化白金酸６水和物１ｍｇを加え、８５
℃で６時間反応させた。活性炭処理の後、溶媒を減圧留
去し、シリカゲルクロマトグラフィーにより精製し、高
分子化合物Ｄ０．１３ｇを得た（収率７８％）。高分子
化合物Ｄの1Ｈ−ＮＭＲチャートを図７に、諸物性を表
２に示す。
【０１０２】実施例５ 高分子化合物Ｅの合成
【０１０３】
【化３４】 化合物（８）の合成
【０１０４】
【化３５】 実施例１のにおける（ｓ）−１−メチルブチル ４−
ヒドロキシビフェニル−４′−カルボキシレートの代わ
りに、（ｓ）−１−メチルヘキシル ４−ヒドロキシビ
フェニル−４′−カルボキシレートを用いることによ
り、目的物（８）を得た（収率７３％）。
ヒドロキシビフェニル−４′−カルボキシレートの代わ
りに、（ｓ）−１−メチルヘキシル ４−ヒドロキシビ
フェニル−４′−カルボキシレートを用いることによ
り、目的物（８）を得た（収率７３％）。
【０１０５】モノマーｃの合成
【０１０６】
【化３６】 実施例１のにおける化合物（１）に代えて化合物
（８）を用いることにより、モノマーｃ１．４ｇを得た
（収率２０％）。モノマーｃの諸物性を表１に、1Ｈ−
ＮＭＲ（ＴＭＳ／ＣＤＣｌ3）データ（ｐｐｍ）を以下
に示す。−０．０４−０．１５（１２Ｈ、ｍ）、０．４
５−０．６２（４Ｈ、ｍ）、０．９０（３Ｈ、ｔ）、
１．２２−１．９１（２８Ｈ、ｍ）、２．０２−２．１
４（４Ｈ、ｍ）、４．０６（２Ｈ、ｔ）、４．９５−
５．０６（４Ｈ、ｍ）、５．１２−５．２５（１Ｈ、
ｍ）、５．６７−５．８７（２Ｈ、ｍ）、６．９４−
８．２０（１２Ｈ、ｍ）
（８）を用いることにより、モノマーｃ１．４ｇを得た
（収率２０％）。モノマーｃの諸物性を表１に、1Ｈ−
ＮＭＲ（ＴＭＳ／ＣＤＣｌ3）データ（ｐｐｍ）を以下
に示す。−０．０４−０．１５（１２Ｈ、ｍ）、０．４
５−０．６２（４Ｈ、ｍ）、０．９０（３Ｈ、ｔ）、
１．２２−１．９１（２８Ｈ、ｍ）、２．０２−２．１
４（４Ｈ、ｍ）、４．０６（２Ｈ、ｔ）、４．９５−
５．０６（４Ｈ、ｍ）、５．１２−５．２５（１Ｈ、
ｍ）、５．６７−５．８７（２Ｈ、ｍ）、６．９４−
８．２０（１２Ｈ、ｍ）
【０１０７】重合 モノマーｃ ０．２０ｇ（０．２５ｍｍｏｌ）をトルエ
ン４ｍｌに溶解させた系をアルゴン置換した。１，１，
３，３−テトラメチルジシロキサン２７ｍｇ（０．２０
ｍｍｏｌ）と塩化白金酸６水和物の４ｗｔ％２−プロパ
ノール溶液２０μｌを加え、８５℃で９時間反応させ
た。活性炭処理の後、溶媒を減圧留去し、シリカゲルカ
ラムクロマトグラフィーにより精製し、高分子化合物Ｅ
０．１５ｇを得た（収率６６％）。高分子化合物Ｅの諸
物性を表２に1Ｈ−ＮＭＲ（ＴＭＳ／ＣＤＣｌ3）データ
（ｐｐｍ）を以下に示す。
ン４ｍｌに溶解させた系をアルゴン置換した。１，１，
３，３−テトラメチルジシロキサン２７ｍｇ（０．２０
ｍｍｏｌ）と塩化白金酸６水和物の４ｗｔ％２−プロパ
ノール溶液２０μｌを加え、８５℃で９時間反応させ
た。活性炭処理の後、溶媒を減圧留去し、シリカゲルカ
ラムクロマトグラフィーにより精製し、高分子化合物Ｅ
０．１５ｇを得た（収率６６％）。高分子化合物Ｅの諸
物性を表２に1Ｈ−ＮＭＲ（ＴＭＳ／ＣＤＣｌ3）データ
（ｐｐｍ）を以下に示す。
【０１０８】−０．０３−０．１４（２０Ｈ、ｍ）、
０．４２−０．６０（６Ｈ、ｍ）、０．９０（３Ｈ、
ｔ）、１．１１−１．８６（３４Ｈ、ｍ）、２．００−
２．０８（１．８Ｈ、ｍ）、４．２５（２Ｈ、ｔ）、
４．９２−５．０２（１．８Ｈ、ｍ）、５．１２−５．
２２（１Ｈ、ｍ）、５．６８−５．８１（０．９Ｈ、
ｍ）、６．９４−８．１８（１２Ｈ、ｍ）
０．４２−０．６０（６Ｈ、ｍ）、０．９０（３Ｈ、
ｔ）、１．１１−１．８６（３４Ｈ、ｍ）、２．００−
２．０８（１．８Ｈ、ｍ）、４．２５（２Ｈ、ｔ）、
４．９２−５．０２（１．８Ｈ、ｍ）、５．１２−５．
２２（１Ｈ、ｍ）、５．６８−５．８１（０．９Ｈ、
ｍ）、６．９４−８．１８（１２Ｈ、ｍ）
【０１０９】
【表１】
【０１１０】
【表２】
【０１１１】実施例６ 実施例４で得られた高分子化合物Ｄとチッソ石油化学
（株）製の低分子強誘電性液晶ＣＳ−１０１５を重量比
８：２の割合で混合し、組成物を得た。 ＣＳ−１０１５ ｇｌａｓｓ←――ＳC *←――ＳA ←――Ｎ*←――Ｉｓｏ の相転移 -17℃ 57.6℃ 67.9℃ 78.1℃ 混合方法 実施例４の高分子化合物Ｄ ４０ｍｇとＣＳ−１０１５
１０ｍｇを計りとり、溶媒（ジクロロメタン）５ｍｌ
に溶解し、お互いによく撹拌した後、約１００℃で溶媒
を蒸発させた。
（株）製の低分子強誘電性液晶ＣＳ−１０１５を重量比
８：２の割合で混合し、組成物を得た。 ＣＳ−１０１５ ｇｌａｓｓ←――ＳC *←――ＳA ←――Ｎ*←――Ｉｓｏ の相転移 -17℃ 57.6℃ 67.9℃ 78.1℃ 混合方法 実施例４の高分子化合物Ｄ ４０ｍｇとＣＳ−１０１５
１０ｍｇを計りとり、溶媒（ジクロロメタン）５ｍｌ
に溶解し、お互いによく撹拌した後、約１００℃で溶媒
を蒸発させた。
【０１１２】上記組成物をＩＴＯ電極付ガラス基板（電
極面積０．２ｃｍ2、ＩＴＯの厚さ１０００オングスト
ローム）に狭持し、偏光顕微鏡下（倍率４００倍）で観
察し、相の同定を行った（セル厚、３μｍ）。必要に応
じて上下電極間に±１０Ｖの電圧を印加した。 液晶状態では分散系特有の島状構造は観察されず一様に
液晶相となっており、相溶系になっていることが確認で
きた。続いて上記セルに９７℃において上下基板間に剪
断応力を数回かけて（剪断法による配向）液晶を配向さ
せた。これに２５℃において±３０Ｖの矩形波状電圧を
印加し、応答時間を測定したところ １．９３ｍｓであ
った。
極面積０．２ｃｍ2、ＩＴＯの厚さ１０００オングスト
ローム）に狭持し、偏光顕微鏡下（倍率４００倍）で観
察し、相の同定を行った（セル厚、３μｍ）。必要に応
じて上下電極間に±１０Ｖの電圧を印加した。 液晶状態では分散系特有の島状構造は観察されず一様に
液晶相となっており、相溶系になっていることが確認で
きた。続いて上記セルに９７℃において上下基板間に剪
断応力を数回かけて（剪断法による配向）液晶を配向さ
せた。これに２５℃において±３０Ｖの矩形波状電圧を
印加し、応答時間を測定したところ １．９３ｍｓであ
った。
【０１１３】実施例７ 実施例１で得られた高分子化合物Ａと下記液晶Ｐ１００
８（みどり化学（株）製）を重量比８：２の割合で混合
した。
８（みどり化学（株）製）を重量比８：２の割合で混合
した。
【０１１４】
【化３７】 混合方法は実施例６と同じとした。 ２５℃での応答時間０．４２ｍｓ 相転移、応答時間の測定方法、条件は実施例６と同じと
した。（但し、配向温度は８６℃） 液晶状態では分散系特有の島状構造は観察されずに一様
に液晶相となっており相溶系となっていることが確認で
きた。
した。（但し、配向温度は８６℃） 液晶状態では分散系特有の島状構造は観察されずに一様
に液晶相となっており相溶系となっていることが確認で
きた。
【０１１５】実施例８ 実施例２で得られた高分子化合物Ｂと下記液晶Ｐ９０８
（みどり化学（株）製）を重量比８：２の割合で混合し
た。
（みどり化学（株）製）を重量比８：２の割合で混合し
た。
【０１１６】
【化３８】 混合方法は実施例６と同じとした。 ２５℃での応答時間０．３５ｍｓ 相転移、応答時間の測定方法、条件は実施例６と同じと
した。（但し、配向温度は９１℃） 液晶状態では分散系特有の島状構造は観察されずに一様
に液晶相となっており相溶系となっていることが確認で
きた。
した。（但し、配向温度は９１℃） 液晶状態では分散系特有の島状構造は観察されずに一様
に液晶相となっており相溶系となっていることが確認で
きた。
【０１１７】実施例９ 実施例５で得られた高分子化合物Ｅと下記低分子強誘電
性液晶（一般に公知であり常法により合成した。）
性液晶（一般に公知であり常法により合成した。）
【０１１８】
【化３９】 （ＳX *はＳC *相より高次のスメクチック相）を重合比
８：２で混合した。混合方法は実施例６と同じにした。 ２５℃での応答時間０．４１ｍｓ ３ 相転移、応答時間の測定方法、条件は実施例６と同
じとした。（但し、配向温度は８５℃） 液晶状態では分散系特有の島状構造は観察されずに一様
に液晶相となっており、相溶系となっていることが確認
できた。
８：２で混合した。混合方法は実施例６と同じにした。 ２５℃での応答時間０．４１ｍｓ ３ 相転移、応答時間の測定方法、条件は実施例６と同
じとした。（但し、配向温度は８５℃） 液晶状態では分散系特有の島状構造は観察されずに一様
に液晶相となっており、相溶系となっていることが確認
できた。
【０１１９】実施例１０ 実施例７と同じ組成の液晶組成物を用いて液晶光学素子
を作製した。上記組成物を２０重量％のトルエン溶液と
し、ＩＴＯ電極付のポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）基
板の電極面上にマイクログラビアコーターを用いて厚み
３μｍに製膜した。溶媒乾燥後、直ちに何も塗布してい
ない同種の基板を液晶層と電極面が接するようにラミネ
ートし、配向処理前の未配向素子原反（幅１５０ｍｍ、
長さ３ｍ）を作製した。
を作製した。上記組成物を２０重量％のトルエン溶液と
し、ＩＴＯ電極付のポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）基
板の電極面上にマイクログラビアコーターを用いて厚み
３μｍに製膜した。溶媒乾燥後、直ちに何も塗布してい
ない同種の基板を液晶層と電極面が接するようにラミネ
ートし、配向処理前の未配向素子原反（幅１５０ｍｍ、
長さ３ｍ）を作製した。
【０１２０】次いで、図８に示すような４本の加熱ロー
ル群からなる配向装置を用いて、上記の未配向素子４の
曲げ配向処理を行った。各加熱ロール３は直径８０ｍｍ
のクロムメッキを施した鉄製であり、幅３００ｍｍのも
のを用いた。表面温度はＴ1＝８９℃、Ｔ2＝８７℃、Ｔ
3＝８５℃、Ｔ4＝８１℃にコントロールし、ライン速度
はｖ＝８ｍ／分とした。この配向装置によって未配向素
子４の液晶は曲げ変形による剪断を与えられながら等方
相から液晶相へ冷却され、最終的には基板長手方向と垂
直な方向に一軸水平配向し、配向済素子５が得られた。
ル群からなる配向装置を用いて、上記の未配向素子４の
曲げ配向処理を行った。各加熱ロール３は直径８０ｍｍ
のクロムメッキを施した鉄製であり、幅３００ｍｍのも
のを用いた。表面温度はＴ1＝８９℃、Ｔ2＝８７℃、Ｔ
3＝８５℃、Ｔ4＝８１℃にコントロールし、ライン速度
はｖ＝８ｍ／分とした。この配向装置によって未配向素
子４の液晶は曲げ変形による剪断を与えられながら等方
相から液晶相へ冷却され、最終的には基板長手方向と垂
直な方向に一軸水平配向し、配向済素子５が得られた。
【０１２１】上記素子の上下に偏光板を、偏光軸が互い
に直交するように配し、電極間に±２０Ｖの電圧を印加
し、コントラスト比を測定したところ２６であり、良好
なコントラストが得られた。
に直交するように配し、電極間に±２０Ｖの電圧を印加
し、コントラスト比を測定したところ２６であり、良好
なコントラストが得られた。
【０１２２】よってこの組成物は上記のような簡便な方
法を用いて液晶光学素子を連続生産するために好適であ
ることが実証された。
法を用いて液晶光学素子を連続生産するために好適であ
ることが実証された。
【０１２３】実施例１１ モノマーａの別法による合成 化合物（１）の合成（別法） ４−（９−デセニルオキシ）ベンゾイックアシッド５．
５ｇ（２０ｍｍｏｌ）、（Ｓ）−１−メチルブチル ４
−ヒドロキシビフェニル−４′−カルボキシレート５．
７ｇ（２０ｍｍｏｌ）、４−ジメチルアミノピリジン
０．２４ｇ（２ｍｍｏｌ）及びジシクロヘキシルカルボ
ジイミド６．２ｇ（３０ｍｍｏｌ）をジクロルメタン６
０ｍｌに溶解し、室温で４時間攪拌した。生じた不溶固
体を濾過により除き、水洗し、溶媒を減圧留去した。エ
タノールからの再結晶により目的とする化合物（１）
９．３ｇを得た（収率８６％）。
５ｇ（２０ｍｍｏｌ）、（Ｓ）−１−メチルブチル ４
−ヒドロキシビフェニル−４′−カルボキシレート５．
７ｇ（２０ｍｍｏｌ）、４−ジメチルアミノピリジン
０．２４ｇ（２ｍｍｏｌ）及びジシクロヘキシルカルボ
ジイミド６．２ｇ（３０ｍｍｏｌ）をジクロルメタン６
０ｍｌに溶解し、室温で４時間攪拌した。生じた不溶固
体を濾過により除き、水洗し、溶媒を減圧留去した。エ
タノールからの再結晶により目的とする化合物（１）
９．３ｇを得た（収率８６％）。
【０１２４】モノマーａの合成（別法） リチウム箔１．９ｇ（２８０ｍｍｏｌ）を乾燥エーテル
５０ｍｌに入れ、氷水で冷却した。その中に、激しく攪
拌しながら４−クロロメチル−１，６−ヘプタジエン１
０．１ｇ（７０ｍｍｏｌ）のエーテル５０ｍｌ溶液を
１．５時間かけて添加し、その後更に氷水冷却下に１時
間攪拌した。これを別のフラスコに調製したジメチルジ
クロロシラン１０．３ｇ（８０ｍｍｏｌ）のエーテル５
０ｍｌ溶液中に氷水冷下３０分間で滴下し、更に室温ま
で戻して１時間攪拌した。生じた白色固体をグラスウー
ルで濾過して除去し、溶媒を常圧蒸留で留去した後、残
渣を減圧蒸留して４−クロルジメチルシリルメチル−
１，６−ヘプタジエン（２）１１．４ｇを得た。（収率
８０％、ｂｐ５７〜５８℃／３Ｔｏｒｒ）。
５０ｍｌに入れ、氷水で冷却した。その中に、激しく攪
拌しながら４−クロロメチル−１，６−ヘプタジエン１
０．１ｇ（７０ｍｍｏｌ）のエーテル５０ｍｌ溶液を
１．５時間かけて添加し、その後更に氷水冷却下に１時
間攪拌した。これを別のフラスコに調製したジメチルジ
クロロシラン１０．３ｇ（８０ｍｍｏｌ）のエーテル５
０ｍｌ溶液中に氷水冷下３０分間で滴下し、更に室温ま
で戻して１時間攪拌した。生じた白色固体をグラスウー
ルで濾過して除去し、溶媒を常圧蒸留で留去した後、残
渣を減圧蒸留して４−クロルジメチルシリルメチル−
１，６−ヘプタジエン（２）１１．４ｇを得た。（収率
８０％、ｂｐ５７〜５８℃／３Ｔｏｒｒ）。
【０１２５】化合物（１）５．４ｇ（１０ｍｍｏｌ）及
びクロルジメチルシラン１．９ｇ（２０ｍｍｏｌ）を無
水トルエン１０ｍｌに加えた。この中に０．１Ｍの塩化
白金酸／２−プロパノール溶液０．１ｍｌ（０．０１ｍ
ｍｏｌ）を加えて３時間８０℃に加熱攪拌し、クロルシ
ラン化合物（３）溶液を得た。過剰のクロルジメチルシ
ランを留去した後室温に戻し、ジエチルエーテル３０ｍ
ｌを加えて希釈し、氷水で冷却した。その中に激しく攪
拌しながら１Ｍ水酸化ナトリウム水溶液を１０分間かけ
て中和点まで添加した。エーテル層を分離して溶和食塩
水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥した後、溶媒をエ
バポレーターで留去した。残渣をシリカゲルカラムクロ
マトグラフィーで精製してシラノール化合物（４）５．
３ｇ（収率８５％）を得た。これを無水ＴＨＦ５ｍｌに
溶解し、トリエチルアミン２．０ｇ（２０．０ｍｍｏ
ｌ）を加えた。この中に４−クロルジメチルシリルメチ
ル−１，６−ヘプタジエン（２）１．８ｇ（８．７ｍｍ
ｏｌ）の無水ＴＨＦ５ｍｌ溶液を加えて５時間室温で攪
拌した。その後水を加えて反応を停止し、塩化メチレン
で抽出し、水洗した。硫酸マグネシウムで乾燥した後、
溶媒をエバポレーターで留去し、残渣をシリカゲルカラ
ムクロマトグラフィーで精製して粗生成物４．５ｇを得
た。これにエタノールを加えて加熱溶解し、室温まで冷
却して目的物を再度沈殿させた。溶媒をデカンデーショ
ンして除去し、真空乾燥して目的とするモノマーａ３．
６ｇ（収率５４％）を得た。1Ｈ−ＮＭＲの測定によ
り、本実施例により得られたモノマーａが、実施例１に
より得られたモノマーａと同一であることを確認した。
びクロルジメチルシラン１．９ｇ（２０ｍｍｏｌ）を無
水トルエン１０ｍｌに加えた。この中に０．１Ｍの塩化
白金酸／２−プロパノール溶液０．１ｍｌ（０．０１ｍ
ｍｏｌ）を加えて３時間８０℃に加熱攪拌し、クロルシ
ラン化合物（３）溶液を得た。過剰のクロルジメチルシ
ランを留去した後室温に戻し、ジエチルエーテル３０ｍ
ｌを加えて希釈し、氷水で冷却した。その中に激しく攪
拌しながら１Ｍ水酸化ナトリウム水溶液を１０分間かけ
て中和点まで添加した。エーテル層を分離して溶和食塩
水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥した後、溶媒をエ
バポレーターで留去した。残渣をシリカゲルカラムクロ
マトグラフィーで精製してシラノール化合物（４）５．
３ｇ（収率８５％）を得た。これを無水ＴＨＦ５ｍｌに
溶解し、トリエチルアミン２．０ｇ（２０．０ｍｍｏ
ｌ）を加えた。この中に４−クロルジメチルシリルメチ
ル−１，６−ヘプタジエン（２）１．８ｇ（８．７ｍｍ
ｏｌ）の無水ＴＨＦ５ｍｌ溶液を加えて５時間室温で攪
拌した。その後水を加えて反応を停止し、塩化メチレン
で抽出し、水洗した。硫酸マグネシウムで乾燥した後、
溶媒をエバポレーターで留去し、残渣をシリカゲルカラ
ムクロマトグラフィーで精製して粗生成物４．５ｇを得
た。これにエタノールを加えて加熱溶解し、室温まで冷
却して目的物を再度沈殿させた。溶媒をデカンデーショ
ンして除去し、真空乾燥して目的とするモノマーａ３．
６ｇ（収率５４％）を得た。1Ｈ−ＮＭＲの測定によ
り、本実施例により得られたモノマーａが、実施例１に
より得られたモノマーａと同一であることを確認した。
【０１２６】実施例１２ 実施例１で得られた高分子化合物Ａ、実施例７に示した
Ｐ１００８、実施例８に示したＰ９０８、更に下記化合
物
Ｐ１００８、実施例８に示したＰ９０８、更に下記化合
物
【０１２７】
【化４０】 を６：１：１：２の割合で混合し、組成物を得た。混合
方法は実施例６と同様とした。（但し、配向温度は７８
℃） ２５℃での応答時間 ０．４８ｍｓ ２５℃での傾き角２θ ４７° （０℃での応答時間）／（４０℃での応答時間） ２
５
方法は実施例６と同様とした。（但し、配向温度は７８
℃） ２５℃での応答時間 ０．４８ｍｓ ２５℃での傾き角２θ ４７° （０℃での応答時間）／（４０℃での応答時間） ２
５
【０１２８】比較例 実施例１２における高分子化合物Ａを下記繰り返し単位
【０１２９】
【化４１】 を有する高分子化合物（Ｍｗ＝４７００）に置き換えた
以外は実施例１２と同様の組成を有する組成物を得た。
混合方法は実施例６と同様とした。（但し、配向温度は
８５℃） ２５℃での応答時間 １．０ｍｓ ２５℃での傾き角２θ ５１° （０℃での応答時間）／（４０℃での応答時間） ４
２
以外は実施例１２と同様の組成を有する組成物を得た。
混合方法は実施例６と同様とした。（但し、配向温度は
８５℃） ２５℃での応答時間 １．０ｍｓ ２５℃での傾き角２θ ５１° （０℃での応答時間）／（４０℃での応答時間） ４
２
【０１３０】
【発明の効果】本発明の新規高分子化合物は優れたカイ
ラルドーパントであり、またカイラルスメクチックＣ相
を発現する場合には室温を含む幅広い温度範囲でカイラ
ルスメクチックＣ相を発現し、電界変化に高速に応答す
る。
ラルドーパントであり、またカイラルスメクチックＣ相
を発現する場合には室温を含む幅広い温度範囲でカイラ
ルスメクチックＣ相を発現し、電界変化に高速に応答す
る。
【０１３１】また、本発明の強誘電性液晶組成物は配向
が簡単に行える良好な配向性を有する上に、電界に対す
る高速応答性を有している。
が簡単に行える良好な配向性を有する上に、電界に対す
る高速応答性を有している。
【０１３２】本発明の原料化合物であるジエン化合物は
本発明の新規高分子化合物の原料として有用な新規化合
物である。
本発明の新規高分子化合物の原料として有用な新規化合
物である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の強誘電性液晶組成物中で高分子化合物
と低分子のスメクチック液晶化合物が相溶系を形成して
いる様子を示した説明図。
と低分子のスメクチック液晶化合物が相溶系を形成して
いる様子を示した説明図。
【図２】実施例１で得たモノマーａの1Ｈ−ＮＭＲチャ
ート。
ート。
【図３】実施例１で得た高分子化合物Ａの1Ｈ−ＮＭＲ
チャート。
チャート。
【図４】実施例２で得た高分子化合物Ｂの1Ｈ−ＮＭＲ
チャート。
チャート。
【図５】実施例３で得た高分子化合物Ｃの1Ｈ−ＮＭＲ
チャート。
チャート。
【図６】実施例４で得たモノマーｂの1Ｈ−ＮＭＲチャ
ート。
ート。
【図７】実施例４で得た高分子化合物Ｄの1Ｈ−ＮＭＲ
チャート。
チャート。
【図８】実施例１０で用いた配向装置の説明図。
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ Ｃ０９Ｋ 19/38 Ｃ０９Ｋ 19/38 Ｇ０２Ｆ 1/13 ５００ Ｇ０２Ｆ 1/13 ５００ (56)参考文献 特開 平２−180845（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−132558（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−170912（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−194744（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−194745（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−156025（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−73179（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−149909（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−268389（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−314784（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−202358（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−320218（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−271431（ＪＰ，Ａ) 国際公開92／1731（ＷＯ，Ａ１) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C08G 77/00 - 77/62 C08L 83/00 - 83/16 C09K 19/38 - 19/40 G02F 1/13 500 ＣＡ（ＳＴＮ) ＲＥＧＩＳＴＲＹ（ＳＴＮ)
Claims (5)
- 【請求項１】 下記の一般式［Ｉ］で表わされる繰り返
し単位［Ｉ］からなる重量平均分子量が１，０００〜
１，０００，０００である新規高分子化合物。 【化１】 （式中、ｍ、ｎは２〜５の整数、ａは４〜１６の整数、
ｂは０〜３の整数、ｃは１〜７の整数を表し、＊は不斉
炭素原子を表し、Ｙは 【化２】 を表し、ただし、ｋは１〜１３の数、ｊは１〜４の整数
である。） - 【請求項２】 カイラルスメクチックＣ相を示す請求項
１記載の新規高分子化合物。 - 【請求項３】 下記の一般式［ＩＩ］で表わされるジエ
ン化合物。 【化３】 （式中、ｍ、ｎは２〜５の整数、ａは４〜１６の整数、
ｂは０〜３の整数、ｃは１〜７の整数を表わし、＊は不
斉炭素原子を表わす。） - 【請求項４】 請求項１記載の新規高分子化合物と一種
以上の低分子のスメクチック液晶化合物からなり、新規
高分子化合物の分率が５〜９９重量％である強誘電性液
晶組成物。 - 【請求項５】 低分子のスメクチック液晶化合物のうち
一種以上が強誘電性液晶化合物である請求項４記載の強
誘電性液晶組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32339493A JP3315225B2 (ja) | 1993-11-30 | 1993-11-30 | 新規高分子化合物及びそれを用いた強誘電性液晶組成物並びに原料化合物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32339493A JP3315225B2 (ja) | 1993-11-30 | 1993-11-30 | 新規高分子化合物及びそれを用いた強誘電性液晶組成物並びに原料化合物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07149908A JPH07149908A (ja) | 1995-06-13 |
| JP3315225B2 true JP3315225B2 (ja) | 2002-08-19 |
Family
ID=18154244
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32339493A Expired - Fee Related JP3315225B2 (ja) | 1993-11-30 | 1993-11-30 | 新規高分子化合物及びそれを用いた強誘電性液晶組成物並びに原料化合物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3315225B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5509569B2 (ja) * | 2008-10-08 | 2014-06-04 | Ｄｉｃ株式会社 | 高分子安定化強誘電性液晶組成物、及び液晶素子及び当該表示素子の製造方法 |
-
1993
- 1993-11-30 JP JP32339493A patent/JP3315225B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07149908A (ja) | 1995-06-13 |
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