JPH0669801A - 逐次比較形アナログデジタル変換器 - Google Patents

逐次比較形アナログデジタル変換器

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JPH0669801A
JPH0669801A JP5132081A JP13208193A JPH0669801A JP H0669801 A JPH0669801 A JP H0669801A JP 5132081 A JP5132081 A JP 5132081A JP 13208193 A JP13208193 A JP 13208193A JP H0669801 A JPH0669801 A JP H0669801A
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    • H03M1/06Continuously compensating for, or preventing, undesired influence of physical parameters
    • H03M1/0602Continuously compensating for, or preventing, undesired influence of physical parameters of deviations from the desired transfer characteristic
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    • HELECTRICITY
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Abstract

(57)【要約】 (修正有) 【構成】 DAC基準電圧VREFの変化に基づく比較器のサンフ
゜ル入力ノート゛INでの電荷注入オフセットが、固定の系統的オフセット
に変換される。比較器の差動入力段において、駆動又は
基準入力テ゛ハ゛イスM2は変換過程の開始前のサンフ゜リンク゛期間に
際してターンオフされ、所定のハ゛イアス電流Ioの実質的に全てが
比較器のサンフ゜リンク゛側M1を流れる。この初期状態が与えら
れると、変換を通じての入力電圧の変化ΔVINは、サンフ゜ル
電圧とは無関係にテ゛ハ゛イス配置、ハ゛イアス電流及び利得の固
定関数となり、較正によりシステムから除去できる。比較器
入力段は差動MOSトランシ゛スタの対(M1,M2)を含む。伝送ケ゛ート2
0及びスイッチンク゛用トランシ゛スタ24は制御信号「サンフ゜ル/変換」に
より制御される。 【効果】 電荷注入に起因する不正確さに影響されるこ
とのないサンフ゜リンク゛ADCが提供される。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、集積回路の逐次比較形
アナログデジタル変換器(SA−ADC)の分野に関
し、より詳しくは、逐次比較形ADC回路の入力段の比
較器において電荷注入効果を制御し或いは除去するため
の方法及び装置に関する。
【0002】
【従来の技術】逐次比較形変換器は、アナログ入力を対
応するデジタルコードに近似させるために、試行錯誤法
によって動作するフィードバックシステムである。この
システムは、いわゆる逐次比較形レジスタ(SAR)
と、電圧比較器へと戻る帰還経路内に置かれたD/A変
換器とから成る。
【0003】図1を参照すると、一般にSA−ADC変
換器は次のように動作する。変換過程の開始に先立っ
て、逐次比較形レジスタの部分を形成する、Nビットシ
ーケンサ又はシフトレジスタと、Nビット保持レジスタ
とがクリアされる。変換の第1段階において、保持レジ
スタ内のMSBに対する試行ビットとして「1」が挿入
され、残りのビットは「0」のままとされる。結果とし
て得られるD/A変換器のアナログ出力VREFがVIN
等しいかそれ以下である場合には、比較器の出力状態は
変化されず、MSBに関して「1」が保持される。そう
でない場合には、それは「0」によって置き換えられ
る。
【0004】次のサイクルにおいて、第2位のビットに
関して「1」が試される。比較器の出力が状態を変えな
い場合には、この値が保持される。そうでない場合に
は、それは「0」によって置き換えられる。このように
して、N回の逐次サイクルにおいて全てのビットが計算
されるまで、この近似過程が繰り返される。従来技術の
一般的な説明は、A. Grebeneによる「バイポーラ及びM
OSアナログ集積回路の設計」(John Wiley & Sons, I
nc., 1984)の第15章に記載されている。
【0005】サンプリングADC回路においては、実際
の変換を開始する前に、サンプリング段階が実行され
る。サンプリングに際して、入力電圧または「サンプル
電圧」が、サンプルコンデンサに蓄えられる。このコン
デンサは、比較器の入力段を形成する1対の差動トラン
ジスタの片側に結合されている。バイアス電流源が、比
較器の入力段の1対の差動トランジスタ(M1、M2)
に対し、所定のバイアス電流Ioを供給する。典型的な
比較器の入力段の概略を、図2に示す。
【0006】図2を参照すると、駆動された入力電圧、
即ち基準電圧VREFが、M2のゲートに供給される(R
EF)。VREFは、比較器からの帰還ループに配置され
たDAC変換器(図示せず)によって供給される(図1
参照)。この基準電圧は典型的には、速い立ち上がり時
間を有する。その結果、それぞれCgs1及びCgs2
で示されるM1及びM2のゲートの寄生キャパシタンス
は、変化するVREFをM2を介して共通ドレーンノード
V1へと、そしてそこからM1を介してサンプリング入
力ノードVINに戻すよう結合される。この電荷注入電流
の結果、Cの電荷の変化、従ってサンプル電圧VINの変
化が生ずる。従って、 ΔVREF→ΔQ [1] となり、ここでQはCにおける電荷であり、また ΔQ→ΔVIN=ΔQ/C [2] となる。結果として生ずるVINの変化、即ち誤差の入力
オフセット源は、サンプルが採取された時点におけるV
REFとVINとの間の差の関数である。基準電圧は、例え
ば10ボルトといった一般的なモードレンジ全体にわた
って動揺する可能性があるので、この誤差は大きくなる
場合もある。
【0007】説明のために、サンプル採取時にVIN=+
10及びVREF=0であるものと仮定する。この時点に
おいて、共通ドレーンノードはほぼ、VREFよりもしき
い値電圧だけ大きい。変換の終わりには、VREF
IN′であり、ここでVIN′=VIN+△V1・Cgs1
/Cであって、誤差の項はVINに関するV1の変化に基
づくものである。
【0008】△V1≒VIN−10Vであるとして近似す
ると、誤差項はVIN−VIN′≒(VIN−10V)・Cg
s1/Cとなる。Cgs1及びCの典型的な値は、それ
ぞれ100fF及び10pFであり、10Vのアナログ
入力レンジに対して約100mVまでのオフセット電圧
を生成する。この注入電流のオフセットはサンプル電圧
INに依存するので、これを補償することは困難であ
る。電荷注入に起因する不正確さに影響されることのな
いようなサンプリングADCが必要とされる。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】本発明の一つの課題
は、電荷注入オフセットを、サンプル(入力)電圧から
実質的に無関係な、系統的な固定のオフセットに変換す
ることにある。
【0010】別の課題は、システムの較正を介して、電
荷注入オフセットの補正を可能にすることにある。
【0011】本発明の更に別の課題は、標準的な製造法
による集積回路において簡単かつ容易に実行可能な方法
により、電荷注入の問題を処理することにある。
【0012】
【課題を解決するための手段】本発明は、逐次比較形変
換の終了時点においては、比較器の両方の入力における
電圧、即ち図2のVIN及びVREFはほぼ等しくなる(D
AC出力電圧の最下位ビットLSBの1/2以内)とい
う認識に基づいている。その時点において、入力段の各
々の分岐を流れる電流、即ちM1及びM2のソースを流
れる電流は、ほぼIo/2、即ちバイアス電流の半分に
等しい。
【0013】サンプル電圧がサンプリングされている
間、換言すれば変換が実際に開始される前に、駆動され
た入力又は基準ノードVREFが電源レールVDDに結合さ
れ、或いはその他によりオフの状態にあるならば、M2
には電流が流れず、従ってM1の分岐における初期電流
は、バイアス電流Ioに等しい。従って、逐次比較の全
過程を通じれば、M1における電流の正味の変化△I
は、−Io/2である。ダイオード作用が無く、電荷が
保存されるものと仮定すれば、この全過程を通じての電
荷注入効果によってサンプルコンデンサCに注入される
正味の電荷は、△Q=Cgs1・△Vgsである。
【0014】 △Vgs=△I/gm=−Io/(2gm) [3] であり、ここでgmは近似的に次式、 (Vgs−Vt)・k′・(W/L) [4] によって与えられる。V1(共通ドレーンノード)≒V
IN+Vtであることに注意されたい。このことは、 Vgs=VIN−V1=−Vt [5] であることを意味している。従って、 gm=(−2Vt)・k′・(W/L) [6] であって、VINの値に依存しない。よって、△VIN=△
Q/Cも同様にVINとは無関係である。サンプル電圧か
ら独立している電荷注入誤差は、システム中から容易に
較正して除去可能であるか、或いは補正可能である。
【0015】本発明の以上の及びその他の課題、特徴、
及び利点は、図面を参照しながら好ましい実施例につい
て以下に詳細に説明することにより、更に容易に明白と
なる。
【0016】
【実施例】本発明の1つの側面は、次に要約する段階か
らなる、電荷注入サンプル電圧オフセットを補正する方
法である。この方法は、バイアス電流源に結合された1
対の差動トランジスタからなる入力段を含む、所定のデ
バイス配置を有する比較器を仮定する。この1対のトラ
ンジスタのうちの一方は、サンプル入力端子を画定する
制御又はゲート端子を有し、他方(第2)のトランジス
タは、基準電圧を受け取るよう結合された制御端子を有
する。
【0017】この新規な方法は、サンプル入力端子に結
合されたコンデンサを準備し、このコンデンサにサンプ
ル電圧を蓄え、入力トランジスタに所定のバイアス電流
を給電するためにバイアス電流源を制御することを含
む。次に、基準側(第2)の入力トランジスタがターン
オフされ、最初は実質的に全てのバイアス電流がサンプ
ル側(第1)のトランジスタに流れる。実質的に全ての
バイアス電流が第1のトランジスタを流れるようになっ
た後に、従来技術の場合と同様にして変換が続けられ、
基準電圧がサンプル電圧とほぼ等しくなるまで、基準電
圧とサンプル電圧の比較結果に応じて基準電圧を連続的
に変化させることにより、サンプル電圧が変換される。
【0018】以上の手順の結果、全過程を通じての正味
の電荷注入、即ち第2のトランジスタがオフである最初
のサンプリング時から変換過程を通して注入される正味
の電荷は、実質的に固定の、系統的なオフセットであ
る。前述の式[3]から[6]までを参照されたい。こ
の新しいオフセットは、比較器の幾何学的配置の一定の
関数であり、サンプル電圧とは無関係である。従って、
誘起されたサンプル電圧オフセットを補正することが可
能となる。
【0019】本発明の別の側面は、以下の構成要素から
なる逐次比較形ADC変換用の変換器である。これは、
各々が入力端子および制御端子を有する1対の差動トラ
ンジスタと、電源レールとこの1対のトランジスタの入
力端子との間に結合され、所定のバイアス電流を供給す
るための手段とからなる。しかしてトランジスタ制御端
子のうちの一方はサンプル入力ノードを画定し、トラン
ジスタ制御端子のもう一方は基準入力ノードを画定す
る。サンプル入力ノードにはコンデンサが結合され、こ
のコンデンサに蓄えられた電圧がサンプル電圧を規定す
る。在来のDACが、変換に際してサンプル入力電圧と
比較するための基準電圧を逐次供給する。
【0020】新規な2進制御信号「サンプル/変換」
が、第1状態または「サンプル状態」によって、どの期
間にサンプル電圧をコンデンサに蓄えるかを指示する。
この2進入力信号は、変換が開始される時点で状態を変
える。この2進入力信号は、サンプリング期間中に第2
の入力トランジスタをターンオフし、またこの2進入力
信号のもう一つの状態(「変換」)に応答して比較器の
基準入力にDACを結合して変換を開始するために用い
られる。
【0021】この新規な比較器の一つの例示的な実施例
において、入力差動トランジスタの対は、1対のMOS
トランジスタを含む。「スイッチ手段」が、2進入力信
号を受け取るよう結合された入力端子と、反転入力信号
を供給すべく入力端子に結合されたインバータと、電源
レールと基準入力ノードとの間に結合され、反転入力信
号を受け取るよう結合されたゲート端子を有するMOS
トランジスタと、DAC手段と基準入力端子との間に並
列に結合された1対のCMOSとを含む。
【0022】この1対のCMOSは、入力信号を受け取
るよう結合された第1のゲート端子と、反転入力信号を
受け取るよう結合された第2のゲート端子を有する。上
記のMOSトランジスタ及びこの1対のCMOSは、入
力信号の第1の状態に応答して、即ちサンプリング期間
中に、MOSトランジスタがオンとなり、1対のCMO
Sがオフとなるように配置されている。入力信号のもう
一方の状態に応答して、即ち変換に際しては、MOSト
ランジスタはオフとなり、1対のCMOSペアはオンと
なる。
【0023】図1は、逐次比較形A/D変換器のブロッ
ク図である。この図示の一般的なタイプの変換器は、次
の点を除き、従来技術において公知である。即ち本発明
によれば、「サンプル/変換」と表示された新規な信号
が、電荷注入の問題を解決するために、比較器及び制御
ロジックに供給されている。このブロック図はその他の
点では在来のものであり、従来の技術の項で前述したよ
うにして作動する。
【0024】図2は、公知の逐次比較形(SA)ADC
回路の概略図である。この回路の動作は、従来技術にお
いて公知である。このタイプの回路に関する問題点は、
電荷注入として知られている。ここにおいて電荷注入と
は、SA−ADC法によって測定しようとする電圧を保
持しているコンデンサに、電圧の変動が誘起される現象
である。この現象は、駆動された(又は基準)入力電圧
が(SA−ADC過程を通じて)変化する場合に発生
し、電荷はゲートの容量性結合を介してコンデンサに注
入される。電圧オフセットの量がサンプリングされてい
る電圧の関数であり、従って未知であることから、非常
な困難が生ずる。
【0025】さて図3を参照すると、このサンプル電圧
オフセットは、それを固定の系統的なオフセットに変換
することによって補正可能である。これは次のようにし
て行われる。図3のダイヤグラムの左側部分は、MOS
トランジスタM1及びM2、及びバイアストランジスタ
からなる比較器の入力段を示している。この入力段は、
前述のようにして動作する。
【0026】DAC出力信号は伝送ゲート20を介し
て、比較器の基準入力、即ちM2のゲートに結合され
る。伝送ゲート20の機能は、制御信号に応答して、D
ACからの基準電圧を比較器の入力段に選択的に結合
し、又は逆に入力段を減結合するための、いかなる適当
な回路によっても提供され得る。この好ましい実施例に
おいては、CMOS伝送ゲートが好都合である。新規な
2進信号「サンプル/変換」は、伝送ゲート20の制御
入力の一方に結合される。サンプル/変換信号はまたイ
ンバータ22を介して、伝送ゲートの制御入力端子のも
う一方に結合される。
【0027】比較器の基準入力と電源レールVDDの間
に、トランジスタ24が結合されている。トランジスタ
24は、サンプル/変換回路によって制御されている。
この好ましい実施例において、トランジスタ24は、イ
ンバータ22の出力に結合されたゲート端子を持つPM
OSデバイスである。
【0028】
【作用】動作に際して、電圧がサンプリングされている
場合には、サンプル/変換信号は高レベル又は論理
「1」であり、変換器の基準ノードをトランジスタ24
を介してVDDに結合させる。これはトランジスタM2を
ターンオフする効果を有し、それにより分岐電流I2を
ほぼ「0」に設定し、分岐電流I1を比較器のバイアス
電流Ioに等しく設定する。伝送ゲート20はオフであ
る。
【0029】変換過程を開始するには、サンプル/変換
信号が低レベルにされ、それにより伝送ゲート20はタ
ーンオンされて、DAC電圧VREFを比較器の基準入力
に結合し、またトランジスタ24はターンオフされて、
比較器の基準入力は変換過程の間、DAC出力電圧によ
って駆動されるようになる。次いで、変換過程は通常通
り続けられる。
【0030】SA−ADCシーケンスの終わりには、電
圧VINとVREFは実質的に等しい。回路のトポロジー及
び前述した関係からすれば、サンプルノードにおける電
荷の正味の変化は、比較器のサンプル電圧の値の関数で
はない。それどころか電荷注入は、較正によって容易に
除去可能な、固定した系統的なオフセットに変換され
る。
【0031】本発明の実施例の一つ実用的な例におい
て、本発明は、複数のサンプルアンドホールドチャネル
及び比較器を有するCMOS集積回路に用いられる。こ
の回路は、15ボルト、5ミクロン−ゲート、単層多結
晶シリコン、単層金属、ダブルウェル、フルガードリン
グのCMOS製造法によって製造される。比較器は、変
換に先立ってチップ上の13pFコンデンサにサンプリ
ングされた外部電圧の、12ビット逐次比較形変換を行
うように構成される。この実施例において、△VINは約
1mVとなるようにされる。
【0032】一般に、前述の諸関係式を組み合わせる
と、 △VIN=Cgs/C・―Io/2gm となる。例えば前述した好ましい実施例において、gm
は約20・Ioであり、従って△Vgs=1/40ボル
ト即ち25mVである。従って1/25のCgs/Cに
ついて、△VIN(サンプル電圧)=△Q/C=Cgs/
C・25mV=約1mVとなる。このオフセットは、較
正によってシステムから除去できる。
【0033】以上においては本発明の原理をその好まし
い実施例において例示し説明してきたが、当業者にとっ
ては、かかる原理から逸脱することなしに本発明の構成
及び詳細を修正可能であることが明らかである。添付の
特許請求の範囲の思想及び範囲内に含まれる全ての修正
変更が特許請求されるものである。
【0034】
【発明の効果】以上の如く本発明によれば、電荷注入オ
フセットを、サンプル(入力)電圧から実質的に無関係
な、系統的な固定のオフセットに変換することが可能と
なる。これはシステムの較正を介して容易に補正又は除
去可能であり、電荷注入に起因する不正確さに影響され
ることのないサンプリングADCが提供される。そして
これは、標準的な集積回路において容易に実現すること
ができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明による逐次比較形アナログデジタル変換
器の機能ブロック図である。
【図2】従来技術によるSA−ADC比較器の入力段の
概略図である。
【図3】本発明によるSA−ADC比較器の入力段の概
略図である。
【符号の説明】
M1,M2 差動トランジスタ IN サンプル入力ノード REF 基準入力ノード 20 伝送ゲート 22 インバータ 24 トランジスタ

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】各々が入力端子及び制御端子を有する1対
    の差動トランジスタを有し、一方のトランジスタの制御
    端子がサンプル入力ノードを画定し、他方のトランジス
    タの制御端子が基準入力ノードを画定している比較器入
    力段と、 前記1対のトランジスタの入力端子に所定のバイアス電
    流を供給する手段と、 前記サンプル入力ノードに結合されてサンプル電圧を供
    給するコンデンサと、 ADC変換に際してサンプル電圧と比較するための逐次
    の基準電圧を前記基準入力ノードに供給するDAC手段
    と、 前記基準入力ノードと前記DAC手段との間に結合さ
    れ、ADC変換に先立つサンプリング段階に際して前記
    基準入力ノードを前記DAC手段から減結合し、変換に
    際して前記基準電圧を受け取るべく前記基準入力ノード
    を前記DAC手段に結合する第1のスイッチ手段と、及
    び前記サンプリング段階に際してバイアス電流の全部が
    前記一方のトランジスタを流れるように、前記サンプリ
    ング段階に際して前記他方のトランジスタをターンオフ
    すべく前記基準入力ノードに結合された第2のスイッチ
    手段とからなる、逐次比較形ADC回路。
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