JPH0669464A - Optical storage device and its manufacture - Google Patents
Optical storage device and its manufactureInfo
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- JPH0669464A JPH0669464A JP4219218A JP21921892A JPH0669464A JP H0669464 A JPH0669464 A JP H0669464A JP 4219218 A JP4219218 A JP 4219218A JP 21921892 A JP21921892 A JP 21921892A JP H0669464 A JPH0669464 A JP H0669464A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は光記憶装置に関する。さ
らに詳しくは、イメージセンサ、光センサ、光スイッチ
などで、光の情報を単一の素子によって保持することが
でき、非破壊読出しが可能な光記憶装置に関する。FIELD OF THE INVENTION The present invention relates to an optical storage device. More specifically, the present invention relates to an optical storage device capable of holding optical information by a single element such as an image sensor, an optical sensor, and an optical switch, and capable of nondestructive read.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来、光の情報を電気信号に変換して記
憶、保持する半導体装置としては、たとえば特開平2-26
076 号公報に開示されているような、ＭＯＳトランジス
タにフォトダイオードが組み合わせられ読み取られるま
で電荷をチャージしておく、いわゆるＭＯＳイメージセ
ンサが知られている。一方、特開平2-68798 号公報に開
示されているような、シフトレジスタとして電荷を移動
させるＣＣＤイメージセンサが知られている。さらに、
単一の光電デバイスを使用するばあいは、常時通電させ
ておいて、単発的に利用する光スイッチなどとして用い
られるのが通常である。2. Description of the Related Art Conventionally, as a semiconductor device for converting optical information into an electric signal and storing and holding it, for example, Japanese Patent Laid-Open No. 2-26
There is known a so-called MOS image sensor as disclosed in Japanese Patent Publication No. 076, in which a photodiode is combined with a MOS transistor and electric charges are charged until it is read. On the other hand, there is known a CCD image sensor that moves electric charges as a shift register, as disclosed in JP-A-2-68798. further,
When a single optoelectronic device is used, it is usually used as a single-use optical switch or the like, which is always energized.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】前記従来のＭＯＳ型イ
メージセンサおよびＣＣＤ型イメージセンサ共に、光照
射により発生した電荷をそれが読み出されるまでの間チ
ャージとして蓄えられるものである。しかしながら、Ｄ
ＲＡＭのキャパシタにリフレッシュが必要であるのと同
様に、前記イメージセンサにおいても、時間の経過に伴
って電荷のリークが発生するという問題がある。In both the conventional MOS type image sensor and CCD type image sensor, charges generated by light irradiation are stored as charges until the charges are read out. However, D
Similar to the need for refreshing the capacitor of the RAM, the image sensor also has a problem in that charge leakage occurs with the passage of time.
【０００４】一方、単一で光スイッチなどに用いられる
光電デバイスでは、光が照射されたときのみ利用しうる
情報であるため、即座にＤＲＡＭなどのメモリに転送し
て保存する必要がある。On the other hand, in a single photoelectric device used for an optical switch or the like, since the information is available only when light is irradiated, it is necessary to immediately transfer and store it in a memory such as a DRAM.
【０００５】叙上のごとく従来の装置では、いずれのも
のもその光の情報は電源が切られることによって消失す
るものであり、保存のためにはＳＲＡＭやフロッピーに
移す必要がある。As described above, in any of the conventional devices, the optical information is lost when the power is turned off, and it is necessary to transfer the information to an SRAM or a floppy for storage.
【０００６】本発明はこのような問題を解決し、光情報
を記憶する不揮発性の光情報記憶装置を提供すると共
に、その製造が容易な光記憶装置の構成およびその製法
を提供することを目的とする。It is an object of the present invention to solve the above problems, to provide a nonvolatile optical information storage device for storing optical information, and to provide a structure of an optical storage device which can be easily manufactured and a manufacturing method thereof. And
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】本発明の光記憶装置は、
半導体基板上に形成されたフラッシュメモリセルと、透
明基板上に形成された光導電セルとからなり、前記半導
体基板に形成されたフラッシュメモリセル側の表面と前
記透明基板の光導電セル側の面とが電極膜を介して貼着
されていることを特徴としている。The optical storage device of the present invention comprises:
A flash memory cell formed on a semiconductor substrate and a photoconductive cell formed on a transparent substrate, and a surface on the flash memory cell side formed on the semiconductor substrate and a surface on the photoconductive cell side of the transparent substrate. And are attached via an electrode film.
【０００８】そして、透明基板の一主面上の一部に電極
膜が形成され、他部に渦巻状の光導電セルが形成される
ことも可能である。It is also possible to form an electrode film on a part of one main surface of the transparent substrate and form a spiral photoconductive cell on the other part.
【０００９】本発明の光記憶装置の製法は、（ａ）透明
基板の一主面上に電極膜と光導電セルとを形成し、
（ｂ）半導体基板の一主面側にフラッシュメモリセルを
表面に電極膜を設けて形成し、（ｃ）前記半導体基板の
電極膜と前記透明基板の電極膜とを貼着することを特徴
としている。According to the method of manufacturing an optical storage device of the present invention, (a) an electrode film and a photoconductive cell are formed on one main surface of a transparent substrate,
(B) A flash memory cell is formed by providing an electrode film on the surface on one main surface side of the semiconductor substrate, and (c) the electrode film of the semiconductor substrate and the electrode film of the transparent substrate are bonded together. There is.
【００１０】[0010]
【作用】本発明の光記憶装置においては、透明基板に形
成された光導電セルが半導体基板に形成されたフラッシ
ュメモリセルに貼着され電気的にも接続されているの
で、情報の書き込みにあたっては、光導電セルの電極お
よびフラッシュメモリセルのゲート電極またはソース電
極に電圧を印加し、ドレイン電極をアースに接続させた
状態で光を照射すれば透明基板側から光が照射されるこ
とにより、正確に光情報をメモリセルに書き込むことが
できる。In the optical storage device of the present invention, the photoconductive cell formed on the transparent substrate is attached to and electrically connected to the flash memory cell formed on the semiconductor substrate. , By applying a voltage to the photoconductive cell electrode and the gate or source electrode of the flash memory cell and irradiating light with the drain electrode connected to the ground, the light is radiated from the transparent substrate side. Optical information can be written in the memory cell.
【００１１】[0011]
【実施例】つぎに添付図面を参照しながら本発明の光記
憶装置を説明する。図１は本発明の光記憶装置の一実施
例を示す等価回路図、図２は図１の光記憶装置の構造の
一実施例を示す断面図、図３は本発明の光記憶装置の他
の実施例を示す等価回路図、図４は本発明の光記憶装置
におけるガラス基板上の構成の一実施例を示す概略平面
図である。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An optical storage device of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings. 1 is an equivalent circuit diagram showing an embodiment of the optical storage device of the present invention, FIG. 2 is a sectional view showing an embodiment of the structure of the optical storage device of FIG. 1, and FIG. 3 is another optical storage device of the present invention. FIG. 4 is an equivalent circuit diagram showing the embodiment of FIG. 4, and FIG. 4 is a schematic plan view showing one embodiment of the configuration on the glass substrate in the optical storage device of the present invention.
【００１２】図１において１が光記憶装置であり、光導
電セル２がフラッシュメモリセル３のコントロールゲー
ト電極４ａに接続されたものである。５はフローティン
グゲートであり、６はソース、７はドレインを示す。コ
ントロールゲート電極４ａは高抵抗部８を介してアース
Ｅに接続されている。高抵抗部８は光導電セル２の電極
2aに印加する電圧を変化させずに書込みおよび読出しを
するために設けられたものである。In FIG. 1, reference numeral 1 is an optical storage device, and a photoconductive cell 2 is connected to a control gate electrode 4a of a flash memory cell 3. Reference numeral 5 is a floating gate, 6 is a source, and 7 is a drain. The control gate electrode 4a is connected to the ground E via the high resistance portion 8. The high resistance portion 8 is an electrode of the photoconductive cell 2.
It is provided for writing and reading without changing the voltage applied to 2a.
【００１３】かかる光記憶装置１において、光導電セル
２は光照射時に約１ＭΩ、光非照射時に約１ＧΩの電気
抵抗をそれぞれ示す特性を有するものであり、高抵抗部
８は約350 ＭΩである。そのばあい光導電セル２の電極
２ａに約12Ｖの電圧を印加し、ドレイン７の電極７ａを
アースＥに接続するとコントロールゲート４と光導電セ
ル２との接続点４ａの電位は、光照射時には約12Ｖとな
り、非照射時には約３Ｖとなる。そして上記光照射時に
ソース電極６ａに３〜８Ｖの電圧が印加されていれば、
それによってフローティングゲート５内に電子が注入さ
れる。すなわちデータの書込みがなされる。なお、光導
電セル２の電極２ａに所定の電圧が印加されていなけれ
ば前記接続点４ａの電位は高抵抗部８を介してアースＥ
に接続されているため、０Ｖとなり、光の照射、非照射
にかかわらずフラッシュメモリセル３の内容に変化は起
きず、書込みはなされない。一方、光の非照射時にソー
ス電極６ａに３Ｖ位の電圧を印加し、ソースとドレイン
間の電流を読めば、フローティングゲートに電子が注入
され、スレッショルド電圧を超えていればＯＮになり、
電子が注入されていなければ（書込みがされていなけれ
ば）電流が流れずＯＦＦのため、「１」、「０」の状態
を読み取ることができる。In such an optical storage device 1, the photoconductive cell 2 has a characteristic of showing an electric resistance of about 1 MΩ when irradiated with light and about 1 GΩ when not irradiated with light, and the high resistance portion 8 has a resistance of about 350 MΩ. . In that case, when a voltage of about 12 V is applied to the electrode 2a of the photoconductive cell 2 and the electrode 7a of the drain 7 is connected to the ground E, the potential at the connection point 4a between the control gate 4 and the photoconductive cell 2 is at the time of light irradiation. It will be about 12V, and about 3V without irradiation. If a voltage of 3 to 8 V is applied to the source electrode 6a during the light irradiation,
As a result, electrons are injected into the floating gate 5. That is, data is written. If a predetermined voltage is not applied to the electrode 2a of the photoconductive cell 2, the potential of the connection point 4a is grounded through the high resistance portion 8 to the ground E.
Since it is connected to, the voltage becomes 0 V, the contents of the flash memory cell 3 do not change regardless of whether light is irradiated or not, and writing is not performed. On the other hand, when a voltage of about 3V is applied to the source electrode 6a when light is not irradiated and the current between the source and the drain is read, electrons are injected into the floating gate, and if the voltage exceeds the threshold voltage, it turns on.
If electrons have not been injected (if writing has not been performed), no current flows and the state is OFF, so the states of "1" and "0" can be read.
【００１４】また、書き込まれたデータを消去するとき
は、ドレイン電極７ａに５Ｖの電圧を印加し、光導電セ
ルの電極２ａに−７Ｖの負電圧を印加すればフローティ
ングゲート４内の電子が半導体基板に引き抜かれること
によりデータが消滅する。When erasing the written data, if a voltage of 5V is applied to the drain electrode 7a and a negative voltage of -7V is applied to the electrode 2a of the photoconductive cell, the electrons in the floating gate 4 are semiconductors. The data disappears when it is pulled out to the substrate.
【００１５】叙上のごとく機能する光記憶装置１は、図
２にその断面が示されるような構造とすることができ
る。以下、図２を参照しつつ本光記憶装置１の製法を説
明する。なお、理解を助けるために図１の回路図におけ
るのと同一構成部分については図１と同一符号を用い
る。The optical storage device 1 functioning as described above may have a structure whose cross section is shown in FIG. Hereinafter, a method of manufacturing the optical storage device 1 will be described with reference to FIG. To facilitate understanding, the same components as those in the circuit diagram of FIG. 1 are designated by the same reference numerals.
【００１６】まず、ガラス基板などの透明基板16の一主
面上に光導電セル２の電極２ａとなるＩＴＯやＺｎＯ2
などの透明導電膜を形成し、さらにその上に光導電セル
２を形成するＣｄＳやＣｄＳｅなどの光導電性材料の薄
膜を形成し、さらにその上にＡｌ−Ｓｉなどの電極膜17
を形成する。具体例としては、蒸着法やスパッタリング
法でＩＴＯ膜などを0.3 〜２μｍの厚さに形成する。引
き続きスパッタリング法などにより、光導電性材料を被
着し、0.3 〜２μｍの厚さに形成する。この厚さは両電
極のあいだの長さ方向になり、光導電セル２の抵抗値に
直接影響し、厚さが倍になれば抵抗値も２倍になり、３
倍になれば抵抗値も３倍になる。抵抗値は面積に反比例
するが、メモリセルの大きさと光を検知できる最低限の
大きさから面積は１〜104 μｍ2 の大きさに形成され
る。First, ITO or ZnO 2 which will be the electrode 2a of the photoconductive cell 2 is formed on one main surface of the transparent substrate 16 such as a glass substrate.
A transparent conductive film such as CdS or CdSe for forming the photoconductive cell 2 is further formed thereon, and an electrode film 17 such as Al-Si is further formed thereon.
To form. As a specific example, an ITO film or the like is formed to a thickness of 0.3 to 2 μm by a vapor deposition method or a sputtering method. Then, a photoconductive material is deposited by a sputtering method or the like to form a film having a thickness of 0.3 to 2 μm. This thickness is in the lengthwise direction between both electrodes and directly affects the resistance value of the photoconductive cell 2. If the thickness doubles, the resistance value also doubles.
If doubled, the resistance will be tripled. The resistance value is inversely proportional to the area, but the area is formed to a size of 1 to 10 4 μm 2 from the size of the memory cell and the minimum size that can detect light.
【００１７】つぎに、半導体基板にフローティングゲー
トを有する不揮発性のメモリトランジスタを形成する。
このメモリトランジスタの形成は通常のプロセスで行わ
れる。すなわち、半導体基板11にフィールド絶縁膜９を
形成し、フィールド絶縁膜９で囲まれた半導体領域の表
面にゲート絶縁膜10、フローティングゲート層５、さら
に絶縁膜12を介してコントロールゲート層４を形成し、
パターニング後半導体領域にドレイン領域７およびソー
ス領域６を形成する。このソース領域６の形成の際、あ
らかじめ低濃度不純物領域を広く形成しておき、ソース
領域６の周囲に低濃度不純物領域６ｂが形成されるよう
にし、フローティングゲートへの電子注入をし易くして
いる。さらに層間絶縁膜13を形成し、図示していない高
抵抗部や、コンタクト孔を介してＡｌ−Ｓｉなどでドレ
イン、ゲート、ソースの各電極膜７ａ、４ａ、６ａを形
成する。ゲート電極膜４ａは露出させ、ドレイン、ソー
スの各電極膜７ａ、６ａはさらに保護膜１４で覆われ、
メモリセル部が形成される。Next, a nonvolatile memory transistor having a floating gate is formed on the semiconductor substrate.
This memory transistor is formed by a normal process. That is, the field insulating film 9 is formed on the semiconductor substrate 11, and the control gate layer 4 is formed on the surface of the semiconductor region surrounded by the field insulating film 9 via the gate insulating film 10, the floating gate layer 5, and the insulating film 12. Then
After patterning, the drain region 7 and the source region 6 are formed in the semiconductor region. When the source region 6 is formed, the low concentration impurity region is formed wide in advance so that the low concentration impurity region 6b is formed around the source region 6 to facilitate electron injection into the floating gate. There is. Further, an interlayer insulating film 13 is formed, and drain, gate, and source electrode films 7a, 4a, and 6a of Al-Si or the like are formed through a high resistance portion (not shown) or a contact hole. The gate electrode film 4a is exposed, and the drain and source electrode films 7a and 6a are further covered with a protective film 14,
A memory cell portion is formed.
【００１８】そののち、このメモリセル部のゲート電極
膜４ａ側と前述の透明導電膜、光導電セル、電極膜の形
成された透明基板の電極膜17側を重ね合わせて約400 ℃
位で約30分間加熱することにより電極材料のＡｌ−Ｓｉ
が溶着して本発明の光記憶装置が形成される。このよう
に、透明基板16を貼着して構成することにより、光導電
セルや電極膜が平らな面に形成できるため、形成し易
く、正確な膜厚で形成できる。また、素子の面積がフラ
ッシュメモリセルの範囲でよいため高集積化が可能とな
る。そして、透明基板16の背面などにＺｎＯ、ＴｉＯ2
などからなる紫外線遮蔽膜18が簡単に形成され、紫外線
遮蔽膜18が形成されることにより、メモリ内容の消滅や
フラッシュメモリセルの誤動作などが防止される。After that, the gate electrode film 4a side of this memory cell part and the electrode film 17 side of the transparent substrate on which the above-mentioned transparent conductive film, photoconductive cell and electrode film are formed are overlapped with each other to about 400.degree.
Al-Si of the electrode material by heating for about 30 minutes
Are fused to form the optical storage device of the present invention. In this way, by forming the transparent substrate 16 by adhering it, the photoconductive cell and the electrode film can be formed on a flat surface, so that the photoconductive cell and the electrode film can be formed easily and with an accurate film thickness. In addition, since the area of the device may be within the range of the flash memory cell, high integration is possible. On the back surface of the transparent substrate 16, ZnO, TiO 2
The ultraviolet shielding film 18 made of, for example, is easily formed, and by forming the ultraviolet shielding film 18, it is possible to prevent the disappearance of the memory contents and the malfunction of the flash memory cell.
【００１９】ここで、前記光導電セル２はＣｄＳ、Ｃｄ
Ｓｅ、ＣｄＴｅまたはＺｎＳなどからなり、スパッタリ
ング法などにより形成されている。また、コントロール
ゲート層４とフローティングゲート層５とはポリシリコ
ンなどから形成され、電極膜はＡｌ−ＳｉやＡｌなどか
ら形成される。そして、各絶縁膜10、12、13、14はＳｉ
Ｏ2 などから形成されるが、とくにコントロールゲート
層４とフローティングゲート層５との間の絶縁膜12は効
率的なトラップの点から、Ｓｉ3 Ｎ4 層の両面をＳｉＯ
2 層によってサンドイッチ状に挟むＯＮＯの３層構造と
するのが好ましい。しかし、酸化膜の１層のみまたは酸
化膜とチッ化膜の２層の構造でもよい。図３には本発明
の光記憶装置の他の実施例の等価回路図が示されてい
る。この実施例の光記憶装置21は、光導電セル22がフラ
ッシュメモリセル23のソース電極24ａに接続され、その
電極24ａが高抵抗部25を介してアースＥに接続されてい
るものである。図中26はコントロールゲート、27はフロ
ーティングゲート、28はドレインである。Here, the photoconductive cell 2 is composed of CdS, Cd.
It is made of Se, CdTe, ZnS, or the like, and is formed by a sputtering method or the like. The control gate layer 4 and the floating gate layer 5 are made of polysilicon or the like, and the electrode film is made of Al-Si or Al. The insulating films 10, 12, 13, 14 are made of Si.
Although it is formed of O 2 or the like, the insulating film 12 between the control gate layer 4 and the floating gate layer 5 is made of SiO 2 on both sides of the Si 3 N 4 layer in terms of efficient trapping.
It is preferable to have a three-layer structure of ONO sandwiched between two layers in a sandwich form. However, the structure may be only one layer of the oxide film or two layers of the oxide film and the nitride film. FIG. 3 shows an equivalent circuit diagram of another embodiment of the optical storage device of the present invention. In the optical storage device 21 of this embodiment, the photoconductive cell 22 is connected to the source electrode 24a of the flash memory cell 23, and the electrode 24a is connected to the ground E via the high resistance portion 25. In the figure, 26 is a control gate, 27 is a floating gate, and 28 is a drain.
【００２０】本光記憶装置21も前記光記憶装置１（図１
参照）と同じく、その光導電セル22は光照射時に約１Ｍ
Ω、非照射時に約１ＧΩの電気抵抗を示し、高抵抗部25
は約350 ＭΩの電気抵抗を有している。The present optical storage device 21 is also the optical storage device 1 (see FIG. 1).
The photoconductive cell 22 is about 1M when irradiated with light.
Ω, electric resistance of about 1 GΩ when not irradiated, high resistance part 25
Has an electrical resistance of about 350 MΩ.
【００２１】したがって、光導電セルの電極22ａに約４
Ｖの電圧を印加し、ドレイン電極28ａをアースＥに接続
すれば、ソース電極24ａ、すなわち光導電セル22とソー
ス24の接続点の電圧は、光照射時に約４Ｖ、非照射時に
約１Ｖとなる。その状態でコントロールゲート電極26ａ
に約12Ｖの電圧を印加し、光導電セル22に光を照射すれ
ばソース領域24からフローティングゲート27内に電子が
注入され、情報が書き込まれる。なお、光導電セルの電
極22ａおよびコントロールゲート電極26ａの双方に所定
の電圧が印加されない限り、光の照射、非照射にかかわ
らずフラッシュメモリセル23の内容に変化は生じず、し
たがって書込みはなされない。Therefore, about 4 is applied to the electrode 22a of the photoconductive cell.
When a voltage of V is applied and the drain electrode 28a is connected to the earth E, the voltage of the source electrode 24a, that is, the connection point between the photoconductive cell 22 and the source 24 becomes about 4V when light is irradiated and about 1V when light is not irradiated. . In that state, the control gate electrode 26a
When a voltage of about 12 V is applied to the photoconductive cell 22 to irradiate it with light, electrons are injected from the source region 24 into the floating gate 27 to write information. It should be noted that unless a predetermined voltage is applied to both the electrode 22a and the control gate electrode 26a of the photoconductive cell, the contents of the flash memory cell 23 do not change regardless of whether light is irradiated or not, and therefore writing is not performed. .
【００２２】一方、光の非照射時にコントロールゲート
電極24ａに３Ｖの電圧を印加し、光導電セル電極22ａに
４Ｖの電圧を印加したうえでドレイン領域28の電流を検
出することによりフラッシュメモリセル23の「０」、
「１」を判断することができる。 また、書き込まれた
データを消去するときは、前の実施例と同様に、ドレイ
ン電極28ａに５Ｖ、コントロールゲート電極26ａに−７
Ｖを印加することによりフローティングゲート27の電子
が引き抜かれる。On the other hand, by applying a voltage of 3V to the control gate electrode 24a and a voltage of 4V to the photoconductive cell electrode 22a at the time of non-irradiation of light, the current in the drain region 28 is detected and the flash memory cell 23 is detected. '0',
"1" can be determined. When the written data is erased, 5 V is applied to the drain electrode 28a and -7 is applied to the control gate electrode 26a as in the previous embodiment.
By applying V, the electrons in the floating gate 27 are extracted.
【００２３】本光記憶装置21は情報書込み時の印加電圧
が低くてよいため消費電力が低減される。In the present optical storage device 21, power consumption is reduced because the applied voltage at the time of writing information may be low.
【００２４】叙上のごとく機能する光記憶装置21も前記
実施例の光記憶装置１と同様に透明導電膜や光導電セル
が形成されたガラス基板を半導体基板に形成されたメモ
リセルに貼着して構成することができ、光導電セルは正
確な膜厚で簡単に形成できる。ただし、この実施例のば
あいは、光導電セルの電極膜がメモリセルのソース電極
に接続されるため、メモリセルの低い側に接続される
（メモリセルはゲート電極側が積層のため高く形成され
ている）ことになる。そのためガラス基板側で突出部が
形成され、その部分に光導電セルが形成されるか、また
はソース電極をゲート電極と同じ位の高さまで引き出し
て貼着する必要がある。In the optical storage device 21 which functions as described above, as in the optical storage device 1 of the above-described embodiment, a glass substrate having a transparent conductive film or photoconductive cells is attached to a memory cell formed on a semiconductor substrate. The photoconductive cell can be easily formed with an accurate film thickness. However, in this example, since the electrode film of the photoconductive cell is connected to the source electrode of the memory cell, it is connected to the lower side of the memory cell (the memory cell is formed high because the gate electrode side is stacked). It will be). Therefore, it is necessary to form a protruding portion on the glass substrate side and form a photoconductive cell in that portion, or it is necessary to pull out the source electrode to the same height as that of the gate electrode and attach it.
【００２５】前記実施例（図２）においては透明基板16
の主面全面に透明導電膜を形成し、その上面全面に光導
電セル２を形成したが、光導電セルの抵抗値は面積に反
比例し厚さに比例するため、形状は適宜変更されうる。
たとえば、図４に光導電セルの他の形状の平面図が示さ
れるように、ガラス基板41上の一部に電極となるべき導
電膜42を形成し、該導電膜42と連結して光導電セル43を
渦巻状に形成してもよい。そのように構成するばあい、
導電膜42と光導電セルとが重なり合わないので透明導電
膜とする必要がなく、一般のＡｌ電極などを用いること
ができる。また、光導電セル43の抵抗値は渦巻の長さお
よび膜厚を変えることにより自由に調整することができ
る。In the above embodiment (FIG. 2), the transparent substrate 16
Although the transparent conductive film was formed on the entire main surface and the photoconductive cell 2 was formed on the entire upper surface, the resistance value of the photoconductive cell is inversely proportional to the area and proportional to the thickness, and thus the shape can be appropriately changed.
For example, as shown in a plan view of another shape of the photoconductive cell in FIG. 4, a conductive film 42 to be an electrode is formed on a part of a glass substrate 41, and the conductive film 42 is connected to the conductive film 42 to form a photoconductive film. The cells 43 may be formed in a spiral shape. If configured like that,
Since the conductive film 42 and the photoconductive cell do not overlap with each other, it is not necessary to form a transparent conductive film, and a general Al electrode or the like can be used. Further, the resistance value of the photoconductive cell 43 can be freely adjusted by changing the length and film thickness of the spiral.
【００２６】なお、前述の各実施例ではガラス基板の例
で説明したが、ガラスに限らず、プラスチックなど光を
透過できる透明基板であれば他のものでもよい。In each of the above-mentioned embodiments, the glass substrate has been described as an example, but not limited to glass, any other transparent substrate such as plastic which can transmit light may be used.
【００２７】[0027]
【発明の効果】本発明によれば、単一の素子によって光
の情報を直ちにフラッシュメモリに記憶することができ
る光記憶装置を透明基板側に形成された光導電セル部
と、半導体基板に形成されたメモリセル部を貼着するこ
とにより形成しているため、簡単に形成できると共に、
光導電セルの膜厚も正確に形成でき、しかも抵抗値も自
由に調整できる。According to the present invention, an optical storage device capable of immediately storing optical information in a flash memory by a single element is formed on a photoconductive cell portion formed on a transparent substrate side and a semiconductor substrate. Since it is formed by pasting the memory cell part that has been formed, it can be easily formed and
The film thickness of the photoconductive cell can be accurately formed, and the resistance value can be freely adjusted.
【００２８】さらに、光導電セルは透明基板で保護され
ているため、光の検出を正確に行え、誤差のない正確な
記憶をすることができる。Further, since the photoconductive cell is protected by the transparent substrate, it is possible to accurately detect the light and to store the error accurately.
【図１】本発明の光記憶装置の一実施例を示す等価回路
図である。FIG. 1 is an equivalent circuit diagram showing an embodiment of an optical storage device of the present invention.
【図２】本発明の光記憶装置の構造の一実施例を示す断
面説明図である。FIG. 2 is a cross-sectional explanatory view showing an embodiment of the structure of the optical storage device of the present invention.
【図３】本発明の光記憶装置の他の実施例を示す等価回
路図である。FIG. 3 is an equivalent circuit diagram showing another embodiment of the optical storage device of the present invention.
【図４】本発明の光記憶装置におけるガラス基板上の光
導電セルの構成の一実施例を示す概略平面図である。FIG. 4 is a schematic plan view showing an example of the configuration of a photoconductive cell on a glass substrate in the optical storage device of the present invention.
１ 光記憶装置 ２ 光導電セル ３ フラッシュメモリセル ４ コントロールゲート ５ フローティングゲート ６ ソース ７ ドレイン ８ 高抵抗部 16 透明基板 17 電極膜 21 光記憶装置 22 光導電セル 23 フラッシュメモリセル 24 ソース 25 高抵抗部 26 コントロールゲート 27 フローティングゲート 28 ドレイン 41 ガラス基板 43 光導電セル 1 Optical Storage Device 2 Photoconductive Cell 3 Flash Memory Cell 4 Control Gate 5 Floating Gate 6 Source 7 Drain 8 High Resistance Section 16 Transparent Substrate 17 Electrode Film 21 Optical Storage Device 22 Photoconductive Cell 23 Flash Memory Cell 24 Source 25 High Resistance Section 26 Control gate 27 Floating gate 28 Drain 41 Glass substrate 43 Photoconductive cell
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 29/792 // Ｇ１１Ｃ 11/42 Ｈ０１Ｌ 29/78 ３７１ 6741−5Ｌ Ｇ１１Ｃ 13/08 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (51) Int.Cl. 5 Identification code Internal reference number FI Technical display location H01L 29/792 // G11C 11/42 H01L 29/78 371 6741-5L G11C 13/08
Claims (3)
モリセルと、透明基板上に形成された光導電セルとから
なり、前記半導体基板に形成されたフラッシュメモリセ
ル側の表面と前記透明基板の光導電セル側の面とが電極
膜を介して貼着されていることを特徴とする光記憶装
置。1. A flash memory cell formed on a semiconductor substrate, and a photoconductive cell formed on a transparent substrate. A surface of the flash substrate on the side of the flash memory cell formed on the semiconductor substrate and light on the transparent substrate. An optical storage device characterized in that the surface on the conductive cell side is adhered via an electrode film.
が、渦巻状に形成されていることを特徴とする請求項１
記載の製法。2. The photoconductive cell formed on the transparent substrate is formed in a spiral shape.
The manufacturing method described.
導電セルとを形成し、 （ｂ）半導体基板の一主面側にフラッシュメモリセルを
表面に電極膜を設けて形成し、 （ｃ）前記半導体基板の電極膜と前記透明基板の電極膜
とを貼着することを特徴とする光記憶装置の製法。3. An (a) electrode film and a photoconductive cell are formed on one main surface of a transparent substrate, and (b) a flash memory cell is formed on the one main surface side of a semiconductor substrate by providing an electrode film on the surface. (C) A method of manufacturing an optical storage device, characterized in that the electrode film of the semiconductor substrate and the electrode film of the transparent substrate are attached to each other.
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|---|---|---|---|
| JP21921892A JP3150438B2 (en) | 1992-08-18 | 1992-08-18 | Optical storage device and manufacturing method thereof |
Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0669464A true JPH0669464A (en) | 1994-03-11 |
| JP3150438B2 JP3150438B2 (en) | 2001-03-26 |
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ID=16732057
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21921892A Expired - Fee Related JP3150438B2 (en) | 1992-08-18 | 1992-08-18 | Optical storage device and manufacturing method thereof |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3150438B2 (en) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0977267A1 (en) * | 1998-07-30 | 2000-02-02 | STMicroelectronics S.r.l. | Non volatile memory structure and corresponding manufacturing process |
| US6762106B2 (en) | 2002-04-01 | 2004-07-13 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor device and method for fabricating the same |
| JP2005223102A (en) * | 2004-02-04 | 2005-08-18 | Nec Corp | Non-volatile storage device and manufacturing method therefor |
| JP2011233913A (en) * | 2011-07-04 | 2011-11-17 | Getner Foundation Llc | Non-volatile storage and method for manufacturing the same |
-
1992
- 1992-08-18 JP JP21921892A patent/JP3150438B2/en not_active Expired - Fee Related
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| EP0977267A1 (en) * | 1998-07-30 | 2000-02-02 | STMicroelectronics S.r.l. | Non volatile memory structure and corresponding manufacturing process |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3150438B2 (en) | 2001-03-26 |
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