JPH0669252A - Manufacture of semiconductor device - Google Patents
Manufacture of semiconductor deviceInfo
- Publication number
- JPH0669252A JPH0669252A JP21809392A JP21809392A JPH0669252A JP H0669252 A JPH0669252 A JP H0669252A JP 21809392 A JP21809392 A JP 21809392A JP 21809392 A JP21809392 A JP 21809392A JP H0669252 A JPH0669252 A JP H0669252A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- stage
- frame
- semiconductor chip
- resin
- lead frame
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の製造方法、
特に樹脂封止型半導体装置の製造方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION The present invention relates to a method of manufacturing a semiconductor device,
In particular, it relates to a method of manufacturing a resin-sealed semiconductor device.
【0002】[0002]
【従来の技術】樹脂封止型半導体装置は、通常、次のよ
うにして製造される。半導体チップを搭載するステージ
(アイランド、ダイパッド等とも呼ぶ)と多数のリード
がフレームに連結されたリードフレームを使用し、先ず
このリードフレームのステージ上に半導体チップをろう
材又は接着剤で固着し、次にこの半導体チップのボンデ
ィングパッドとリードとの間をワイヤボンディングし、
その後、樹脂封止を行ってパッケージを形成し、更にリ
ードフレームの不要部分の切断除去、リードの曲げ等の
工程を経て、完成する。2. Description of the Related Art A resin-sealed semiconductor device is usually manufactured as follows. A stage on which a semiconductor chip is mounted (also called an island or die pad) and a lead frame in which a large number of leads are connected to a frame are used. First, the semiconductor chip is fixed on the stage of the lead frame with a brazing material or an adhesive, Next, wire bond between the bonding pad and the lead of this semiconductor chip,
Then, resin sealing is performed to form a package, and further, the process is completed by cutting and removing unnecessary portions of the lead frame, bending the leads, and the like.
【0003】[0003]
【発明が解決しようとする課題】ところが、このように
して製造した樹脂封止型半導体装置は、これをプリント
配線板等に実装する時等に加熱されると、熱応力のため
に半導体チップや樹脂のパッケージにクラックが発生し
て半導体装置の信頼性を損なう、という問題があった。However, the resin-sealed semiconductor device manufactured in this manner is heated by the semiconductor chip or the semiconductor chip due to thermal stress when it is mounted on a printed wiring board or the like. There is a problem that cracks occur in the resin package and the reliability of the semiconductor device is impaired.
【0004】本発明はこのような問題を解決して、実装
時等における加熱による半導体チップ及び樹脂パッケー
ジのクラックの発生を防止することが可能な半導体装置
の製造方法を提供することを目的とする。An object of the present invention is to solve the above problems and provide a method of manufacturing a semiconductor device capable of preventing the generation of cracks in a semiconductor chip and a resin package due to heating during mounting or the like. .
【0005】[0005]
【課題を解決するための手段】この目的は、本発明によ
れば、ステージがフレームに連結されてなるステージフ
レームを着磁する工程と、裏面に磁性膜を被着した半導
体チップを該ステージ上に搭載する工程と、多数のリー
ドを有し且つステージを有しないリードフレームと該半
導体チップを搭載した該ステージフレームとを重ね合わ
せて該半導体チップと該リードとをワイヤボンディング
する工程と、該ステージフレームを消磁した後、該ステ
ージフレームを該リードフレーム及び該半導体チップか
ら離隔する工程と、該半導体チップ及びその近傍を樹脂
封止する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製
造方法とすることで、達成される。According to the present invention, the object of the present invention is to magnetize a stage frame in which a stage is connected to a frame, and to mount a semiconductor chip having a back surface coated with a magnetic film on the stage. A step of mounting the semiconductor chip and the lead on each other by superposing a lead frame having a large number of leads and having no stage and the stage frame having the semiconductor chip mounted thereon, and the stage. A method of manufacturing a semiconductor device, comprising: a step of separating the stage frame from the lead frame and the semiconductor chip after demagnetizing the frame; and a step of resin-sealing the semiconductor chip and its vicinity. It will be achieved.
【0006】[0006]
【作用】本発明では、ステージとそれをフレームに連結
するためのピンチバーを持たないリードフレームと、ス
テージとピンチバーだけのステージフレームとを準備
し、これらを重ね合わせて通常のリードフレームと同等
の形にしてワイヤボンディングを行い、その後、ステー
ジフレームを除去して樹脂封止を行う。従って、本発明
の製造方法により製造した半導体装置は、完成時点では
ステージもピンチバーも存在しないから、半導体チップ
とステージとの熱膨張の差に起因するチップのクラック
も、ステージ及びピンチバーと樹脂との熱膨張の差に起
因する樹脂のクラックも発生しない。又、ステージの厚
さの分だけ薄いパッケージの製造も可能である。In the present invention, a stage and a lead frame having no pinch bar for connecting the stage to the frame and a stage frame having only the stage and the pinch bar are prepared, and these are superposed to form a lead frame having the same shape. Then, wire bonding is performed, and then the stage frame is removed and resin sealing is performed. Therefore, since the semiconductor device manufactured by the manufacturing method of the present invention has neither a stage nor a pinch bar at the time of completion, chip cracks due to the difference in thermal expansion between the semiconductor chip and the stage are also between the stage and the pinch bar and the resin. The resin does not crack due to the difference in thermal expansion. It is also possible to manufacture a package that is as thin as the thickness of the stage.
【0007】尚、上述のように通常のリードフレームと
同等の形にしてワイヤボンディングを行うから、通常の
ワイヤボンディング装置を使用してワイヤボンディング
を行うことが出来る。又、ワイヤボンディング時には半
導体チップはステージに磁気的に吸着されているだけで
あるから、着磁させておいたステージを消磁するだけで
半導体チップとステージとは分離可能となり、その結
果、無理なくステージフレームを除去することが出来
る。As described above, since wire bonding is performed in the same form as a normal lead frame, it is possible to perform wire bonding using a normal wire bonding device. Moreover, since the semiconductor chip is only magnetically attracted to the stage during wire bonding, the semiconductor chip and the stage can be separated by simply demagnetizing the previously magnetized stage, and as a result, the stage can be reasonably operated. The frame can be removed.
【0008】[0008]
【実施例】本発明に係る半導体装置の製造方法の実施例
を図1を参照しながら説明する。図1は本発明の実施例
の説明図であり、各製造工程における形状を示す平面図
及び側断面図が工程順に矢印で結ばれている。EXAMPLE An example of a method of manufacturing a semiconductor device according to the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 1 is an explanatory view of an embodiment of the present invention, in which plan views and side sectional views showing shapes in respective manufacturing steps are connected by arrows in the order of steps.
【0009】同図において、1は半導体チップであり、
裏面には磁性膜を有している。これは、半導体ウェーハ
の裏面に磁性塗料を塗布した後にこれをダイシングする
ことにより得る。2は磁性材料からなるステージフレー
ムであり、半導体チップ1を一時搭載するためのステー
ジ3とフレーム4とこれらを連結するピンチバー5から
なる。6はリードフレームであり、多数のリード7とフ
レーム8とこれらを連結するタイバー9からなる。リー
ドフレーム6のフレーム8とステージフレーム2のフレ
ーム4とは平面的な形状・寸法が同じである。In the figure, 1 is a semiconductor chip,
It has a magnetic film on the back surface. This is obtained by applying a magnetic coating on the back surface of a semiconductor wafer and then dicing the magnetic coating. A stage frame 2 made of a magnetic material is composed of a stage 3 for temporarily mounting the semiconductor chip 1, a frame 4, and a pinch bar 5 connecting these. Reference numeral 6 is a lead frame, which comprises a large number of leads 7, a frame 8 and a tie bar 9 connecting these. The frame 8 of the lead frame 6 and the frame 4 of the stage frame 2 have the same planar shape and dimensions.
【0010】先ずステージフレーム2を着磁させる。こ
の際、ステージ3だけの着磁でも良い。次にこの着磁さ
れたステージ3上に半導体チップ1を搭載する。半導体
チップ1はステージ3に磁気吸着されて固定される。次
にこのステージフレーム2の上にリードフレーム6を重
ね合わせてワイヤボンディング装置に装着する。この状
態でワイヤボンディングする。即ち半導体チップ1のボ
ンディングパッドとリードフレーム6のリード7との間
をボンディングワイヤ10により接続する。First, the stage frame 2 is magnetized. At this time, only the stage 3 may be magnetized. Next, the semiconductor chip 1 is mounted on the magnetized stage 3. The semiconductor chip 1 is magnetically attracted and fixed to the stage 3. Next, the lead frame 6 is superposed on the stage frame 2 and mounted on the wire bonding apparatus. Wire bonding is performed in this state. That is, the bonding pad of the semiconductor chip 1 and the lead 7 of the lead frame 6 are connected by the bonding wire 10.
【0011】その後、ステージフレーム2を消磁装置に
より消磁する。これにより半導体チップ1のステージ3
による吸着は解除される。半導体チップ1は多数のボン
ディングワイヤ10によりリードフレーム6に接続されて
いるから、ここでステージフレーム2を除去するとリー
ドフレーム6に保持されることになる。その後、この半
導体チップ1を保持したリードフレーム6をモールド金
型に入れて樹脂封止を行ってパッケージを形成し、更に
リードフレームの不要部分の切断除去、リードの曲げ等
の工程を経て、樹脂封止型半導体装置が完成する。尚、
除去したステージフレーム2は、再び着磁して使用す
る。After that, the stage frame 2 is demagnetized by a degaussing device. As a result, the stage 3 of the semiconductor chip 1
The adsorption by is canceled. Since the semiconductor chip 1 is connected to the lead frame 6 by a large number of bonding wires 10, if the stage frame 2 is removed here, it will be held by the lead frame 6. After that, the lead frame 6 holding the semiconductor chip 1 is put into a molding die to perform resin sealing to form a package, and further, unnecessary parts of the lead frame are cut and removed, leads are bent, and the like. The sealed semiconductor device is completed. still,
The removed stage frame 2 is magnetized and used again.
【0012】このようにして製造した樹脂封止型半導体
装置は、プリント配線板への実装時の加熱(リフローソ
ルダリング)による半導体チップ及び樹脂パッケージの
クラックの発生は認められなかった。In the resin-encapsulated semiconductor device manufactured in this manner, no cracks were found in the semiconductor chip and the resin package due to heating (reflow soldering) during mounting on the printed wiring board.
【0013】本発明は以上の実施例に限定されることな
く、更に種々変形して実施することが出来る。The present invention is not limited to the above embodiments, but can be implemented with various modifications.
【0014】[0014]
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
実装時等における加熱による半導体チップ及び樹脂パッ
ケージのクラックの発生を防止することが可能な半導体
装置の製造方法を提供することが出来、半導体装置の信
頼性向上等に寄与する。As described above, according to the present invention,
It is possible to provide a method for manufacturing a semiconductor device capable of preventing the generation of cracks in a semiconductor chip and a resin package due to heating at the time of mounting, etc., which contributes to improvement in reliability of the semiconductor device.
【図1】 本発明の実施例の説明図である。FIG. 1 is an explanatory diagram of an example of the present invention.
1 半導体チップ 2 ステージフレーム 3 ステージ 4 フレーム 5 ピンチバー 6 リードフレーム 7 リード 8 フレーム 9 タイバー 10 ボンディングワイヤ 1 semiconductor chip 2 stage frame 3 stage 4 frame 5 pinch bar 6 lead frame 7 lead 8 frame 9 tie bar 10 bonding wire
Claims (1)
てなるステージフレーム(2) を着磁する工程と、 裏面に磁性膜を被着した半導体チップ(1) を該ステージ
(3) 上に搭載する工程と、 多数のリード(7) を有し且つステージを有しないリード
フレーム(6) と該半導体チップ(1) を搭載した該ステー
ジフレーム(2) とを重ね合わせた後、該半導体チップ
(1) と該リード(7) とをワイヤボンディングする工程
と、 該ステージフレーム(2) を消磁した後、該ステージフレ
ーム(2) を該リードフレーム(6) 及び該半導体チップ
(1) から離隔する工程と、 該半導体チップ(1) 及びその近傍を樹脂封止する工程と
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。1. A step of magnetizing a stage frame (2) comprising a stage (3) connected to a frame (4), and a semiconductor chip (1) having a back surface coated with a magnetic film.
(3) The step of mounting on the lead frame (6) having a large number of leads (7) and having no stage and the stage frame (2) mounting the semiconductor chip (1) After that, the semiconductor chip
(1) Wire-bonding the lead (7) to the lead frame (7), demagnetizing the stage frame (2), and then removing the stage frame (2) from the lead frame (6) and the semiconductor chip.
A method of manufacturing a semiconductor device, comprising: a step of separating from (1); and a step of resin-sealing the semiconductor chip (1) and its vicinity.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21809392A JPH0669252A (en) | 1992-08-18 | 1992-08-18 | Manufacture of semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21809392A JPH0669252A (en) | 1992-08-18 | 1992-08-18 | Manufacture of semiconductor device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0669252A true JPH0669252A (en) | 1994-03-11 |
Family
ID=16714524
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP21809392A Withdrawn JPH0669252A (en) | 1992-08-18 | 1992-08-18 | Manufacture of semiconductor device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0669252A (en) |
-
1992
- 1992-08-18 JP JP21809392A patent/JPH0669252A/en not_active Withdrawn
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3007023B2 (en) | Semiconductor integrated circuit and method of manufacturing the same | |
US5696033A (en) | Method for packaging a semiconductor die | |
KR20110079800A (en) | Semiconductor device | |
JP2002076040A (en) | Semiconductor device and manufacturing method thereof | |
US20030059721A1 (en) | Fabrication method of semiconductor | |
JPH10163401A (en) | Lead frame, semiconductor package, and manufacture of semiconductor package | |
JPH02278740A (en) | Packaging of semiconductor device | |
JPH0669252A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
US20020048851A1 (en) | Process for making a semiconductor package | |
JP2859220B2 (en) | Lead frame and method of manufacturing semiconductor device using the same | |
JP4485210B2 (en) | Semiconductor device, electronic device, method for manufacturing semiconductor device, and method for manufacturing electronic device | |
JP4317665B2 (en) | Manufacturing method of resin-encapsulated semiconductor device | |
JPH05315540A (en) | Semiconductor device | |
JPH0936300A (en) | Semiconductor device and manufacture thereof | |
JPH09330992A (en) | Semiconductor device mounting body and its manufacture | |
JPS6050346B2 (en) | Manufacturing method of semiconductor device | |
JPH11186467A (en) | Semiconductor device, lead frame used at manufacturing the device, and manufacture of lead frame | |
JP2704128B2 (en) | Lead frame for semiconductor device and method of manufacturing the same | |
JPH0212840A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
JPH08222676A (en) | Lead frame and manufacture of resin sealed semiconductor device employing it | |
JP2002134641A (en) | Semiconductor device, manufacturing method of the semiconductor device and mounting method of the semiconductor device | |
JPH01209733A (en) | Semiconductor device | |
JP2723855B2 (en) | Method for manufacturing resin-encapsulated semiconductor device | |
JP2972681B2 (en) | Semiconductor device and manufacturing method thereof | |
JPH0366150A (en) | Semiconductor integrated circuit device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19991102 |