JPH0669021B2 - 投影光学装置 - Google Patents
投影光学装置Info
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- JPH0669021B2 JPH0669021B2 JP60165599A JP16559985A JPH0669021B2 JP H0669021 B2 JPH0669021 B2 JP H0669021B2 JP 60165599 A JP60165599 A JP 60165599A JP 16559985 A JP16559985 A JP 16559985A JP H0669021 B2 JPH0669021 B2 JP H0669021B2
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- mic
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 (発明の技術分野) 本発明はマスクに形成されたパターンの像を投影光学系
により感光基板上に投影露光する装置、例えばステップ
・アンド・リピート方式の露光装置に関する。
により感光基板上に投影露光する装置、例えばステップ
・アンド・リピート方式の露光装置に関する。
(発明の背景) 近年、超LSI等の半導体素子の製造に、縮小投影型露
光装置、所謂ステッパーが多数使われるようになってき
た。ステッパーは、回路パターン等の描れたレチクルを
装置の所定位置に正確にセットし、感光基板としての半
導体ウェハを載置するステージをxy方向に一定量だけ
スッテピングさせては回路パターンの投影露光を行なう
ことを繰り返すものである。この場合、投影光学系とし
ての投影レンズによる露光像が、ウェハ上の所定の位置
に精密に位置合わせ(アライメント)される必要があ
る。このアライメントの方式としてオフ・アクシス・ア
ライメント法が知られている。オフ・アクシス・アライ
メント法とは、投影レンズとは異なる位置に別設したウ
ェハアライメント用の顕微鏡を用いて、ウェハ上のアラ
イメントマークを検出し、ウェハをその顕微鏡に位置合
わせした後、その位置を基準として一定量だけウェハ
(ステージ)を移動させて投影レンズの下に送り込み、
そこでステップ・アンド・リピート方式の露光を行なう
ものである。この場合、ウェハ上の任意の点とレチクル
上の基準点の投影位置との間の距離を正確に求めておか
ないと、精度の高い重ね合わせ露光が行なえない。その
距離を正確に求めるためには、オフ・アクシス方式の顕
微鏡の光軸位置と、レチクル上の基準点(アライメント
マーク等)の位置を検出するための観察系、所謂レチク
ルアライメント用の顕微鏡の光軸位置との間の距離(以
下ベースライン測定値と呼ぶ)が正しく測定されている
ことが前提となる。ベースライン測定は、ステージ上に
設けられた基準マークを用い、オフ・アクシス方式のウ
ェハアライメント顕微鏡がその基準マークを検出したと
きのステージの位置と、レチクルアライメント顕微鏡が
投影レンズを介して基準マークを検出したときのステー
ジの位置とを、ステージ位置計測用のレーザ光波干渉測
長器(以下、レーザ干渉計と呼ぶ)を使って計測するこ
とによって行なわれる。
光装置、所謂ステッパーが多数使われるようになってき
た。ステッパーは、回路パターン等の描れたレチクルを
装置の所定位置に正確にセットし、感光基板としての半
導体ウェハを載置するステージをxy方向に一定量だけ
スッテピングさせては回路パターンの投影露光を行なう
ことを繰り返すものである。この場合、投影光学系とし
ての投影レンズによる露光像が、ウェハ上の所定の位置
に精密に位置合わせ(アライメント)される必要があ
る。このアライメントの方式としてオフ・アクシス・ア
ライメント法が知られている。オフ・アクシス・アライ
メント法とは、投影レンズとは異なる位置に別設したウ
ェハアライメント用の顕微鏡を用いて、ウェハ上のアラ
イメントマークを検出し、ウェハをその顕微鏡に位置合
わせした後、その位置を基準として一定量だけウェハ
(ステージ)を移動させて投影レンズの下に送り込み、
そこでステップ・アンド・リピート方式の露光を行なう
ものである。この場合、ウェハ上の任意の点とレチクル
上の基準点の投影位置との間の距離を正確に求めておか
ないと、精度の高い重ね合わせ露光が行なえない。その
距離を正確に求めるためには、オフ・アクシス方式の顕
微鏡の光軸位置と、レチクル上の基準点(アライメント
マーク等)の位置を検出するための観察系、所謂レチク
ルアライメント用の顕微鏡の光軸位置との間の距離(以
下ベースライン測定値と呼ぶ)が正しく測定されている
ことが前提となる。ベースライン測定は、ステージ上に
設けられた基準マークを用い、オフ・アクシス方式のウ
ェハアライメント顕微鏡がその基準マークを検出したと
きのステージの位置と、レチクルアライメント顕微鏡が
投影レンズを介して基準マークを検出したときのステー
ジの位置とを、ステージ位置計測用のレーザ光波干渉測
長器(以下、レーザ干渉計と呼ぶ)を使って計測するこ
とによって行なわれる。
一般にレチクルアライメント顕微鏡は、ウェハへの露光
動作に先立ってレチクルをアライメントする際に使われ
るものであり、露光用の照明光をレチクル全面に照射
し、レチクルの周辺付近に設けられた基準点としてのレ
チクルアライメントマークの像を観察するものである。
このレチクルアライメント時には、ステージ上にウェハ
を載置することが禁止されている。このように、レチク
ルアライメント時に、レチクル全面に露光用の照明光を
照射する形式のものにおいては、上述のベースライン測
定時にも同様に照明光が投影レンズを介してステージ上
の基準マークを照射し、基準マークの像を再び投影レン
ズを介してレチクルアライメント顕微鏡で観察すること
になる。
動作に先立ってレチクルをアライメントする際に使われ
るものであり、露光用の照明光をレチクル全面に照射
し、レチクルの周辺付近に設けられた基準点としてのレ
チクルアライメントマークの像を観察するものである。
このレチクルアライメント時には、ステージ上にウェハ
を載置することが禁止されている。このように、レチク
ルアライメント時に、レチクル全面に露光用の照明光を
照射する形式のものにおいては、上述のベースライン測
定時にも同様に照明光が投影レンズを介してステージ上
の基準マークを照射し、基準マークの像を再び投影レン
ズを介してレチクルアライメント顕微鏡で観察すること
になる。
ところでこの種の投影レンズは、露光用の照明光が入射
することによって、その光の一部を熱として吸収し、焦
点位置や結像倍率などの結像特性が変化する。このため
ベースライン測定時又はレチクルアライメント時に、投
影レンズに露光用の照明光を多量に入射させると、計測
したベースライン測定値の精度が悪化してしまうといっ
た欠点があった。
することによって、その光の一部を熱として吸収し、焦
点位置や結像倍率などの結像特性が変化する。このため
ベースライン測定時又はレチクルアライメント時に、投
影レンズに露光用の照明光を多量に入射させると、計測
したベースライン測定値の精度が悪化してしまうといっ
た欠点があった。
(発明の目的) 本発明はこれら欠点を解決し、ベースライン測定値の精
度を高めることにより、露光すべき投影像の感光基板上
でのアライメント精度、あるいは重ね合わせ露光におけ
るアライメント精度等を良好にした投影光学装置を得る
ことを目的とする。
度を高めることにより、露光すべき投影像の感光基板上
でのアライメント精度、あるいは重ね合わせ露光におけ
るアライメント精度等を良好にした投影光学装置を得る
ことを目的とする。
(実施例) 第1図は本発明の実施例による縮小投影型露光装置の概
略的な構成を示す図である。光源としての水銀ランプ1
からの光は楕円鏡2で集光され、ダイクロイックミラー
3で反射された後、4枚の羽根を有するロータリーシャ
ッターに至る。シャッター4を通過した光束はフライア
イ・レンズ等を含むオプチカル・インテグレータ5に入
射し、多数の2次光源像を形成する。オプチカル・イン
テグレータ5から射出した光は、ダイクロイックミラー
6で反射され、メイン・コンデンサレンズ7に入射す
る。コンデンサレンズ7の下方には4枚の独立可動のブ
レードを有する照明視野絞りとしてのレチクルブライン
ド8が設けられている。コンデンサレンズ7からの光
は、マスクとしてのレチクル12を均一な光強度で一様
に照明する。コンデンサレンズ7とレチクルブラインド
8との間には、レチクル12を装置本体に対して位置合
わせするためのレチクルアライメント顕微鏡(以下R−
Micと呼ぶ)9が設けられている。第1図ではR−Mic9
しか示していないが、実際にはレチクル12のx方向と
それに直交するy方向との2次元的な位置ずれを、レチ
クル12の十字状マークを検出して求めるための顕微鏡
Rxy-Mic9aと、十字状マークとは異なる位置に設けら
れた線状のマークを検出して、レチクル12の回転方向
の位置ずれを求めるための顕微鏡Rθ−Mic9bとの2
本が用意されている。さて、レチクル12に描かれた回
路パターン等の像は、縮小投影レンズ21によって所定
の結像面内に形成される。結像面内に位置するウェハ1
6はx,y方向に2次元移動するステージ17上に保持
され、ステージ17はモータ19によって駆動される。
そしてステージ17の座標位置は、レーザ干渉計18に
よって常に計測されている。このステージ17上には各
種アライメント顕微鏡間のベースラインを計測するとき
に使われる基準マークFMを備えたマーク板15が固定
されている。マーク板15はガラス基板の表面にクロム
等の光反射性の層を形成し、その層の一部分をエッチン
グして基準マークFMを設けたものである。このマーク
板15の表面はベースライン測定時には、投影レンズ2
1の結像面と一致するように高さ方向の調整が行なわれ
る。
略的な構成を示す図である。光源としての水銀ランプ1
からの光は楕円鏡2で集光され、ダイクロイックミラー
3で反射された後、4枚の羽根を有するロータリーシャ
ッターに至る。シャッター4を通過した光束はフライア
イ・レンズ等を含むオプチカル・インテグレータ5に入
射し、多数の2次光源像を形成する。オプチカル・イン
テグレータ5から射出した光は、ダイクロイックミラー
6で反射され、メイン・コンデンサレンズ7に入射す
る。コンデンサレンズ7の下方には4枚の独立可動のブ
レードを有する照明視野絞りとしてのレチクルブライン
ド8が設けられている。コンデンサレンズ7からの光
は、マスクとしてのレチクル12を均一な光強度で一様
に照明する。コンデンサレンズ7とレチクルブラインド
8との間には、レチクル12を装置本体に対して位置合
わせするためのレチクルアライメント顕微鏡(以下R−
Micと呼ぶ)9が設けられている。第1図ではR−Mic9
しか示していないが、実際にはレチクル12のx方向と
それに直交するy方向との2次元的な位置ずれを、レチ
クル12の十字状マークを検出して求めるための顕微鏡
Rxy-Mic9aと、十字状マークとは異なる位置に設けら
れた線状のマークを検出して、レチクル12の回転方向
の位置ずれを求めるための顕微鏡Rθ−Mic9bとの2
本が用意されている。さて、レチクル12に描かれた回
路パターン等の像は、縮小投影レンズ21によって所定
の結像面内に形成される。結像面内に位置するウェハ1
6はx,y方向に2次元移動するステージ17上に保持
され、ステージ17はモータ19によって駆動される。
そしてステージ17の座標位置は、レーザ干渉計18に
よって常に計測されている。このステージ17上には各
種アライメント顕微鏡間のベースラインを計測するとき
に使われる基準マークFMを備えたマーク板15が固定
されている。マーク板15はガラス基板の表面にクロム
等の光反射性の層を形成し、その層の一部分をエッチン
グして基準マークFMを設けたものである。このマーク
板15の表面はベースライン測定時には、投影レンズ2
1の結像面と一致するように高さ方向の調整が行なわれ
る。
さらに本実施例の装置には、レチクル12上に設けられ
たダイ・バイ・ダイ・アライメント用のマークと、ウェ
ハ16上に設けられたダイ・バイ・ダイ・アライメント
用のマークの投影レンズ21による逆投影像(拡大像)
とを重ね合わせて観察するためのステップ・アライメン
ト顕微鏡(以下S−Micと呼ぶ)11が、レチクル12
の直上の露光光路内に進退可能に配置されている。S−
Mic11は第1図では1つしか示していないが、レチク
ル12上の異なる2ケ所に設けられたx方向用のステッ
プ・マークとy方向用のステップ・マークの夫々を別々
に検出するように、顕微鏡Sx−Mic11aと顕微鏡S
y−Mic11bとの2本が設けられている。またレチク
ル12の下方から投影レンズ21内にレーザ光束29を
入射することによって、投影レンズ21の結像面内にシ
ート状のスポット光を形成するとともに、そのスポット
光がウェハ16上のマークを照射したときに発生する光
情報(回折光,散乱光等)を投影レンズ21を介して受
光し、ウェハ16の位置を検出するレーザ・ステップ・
アライメント系(以下LSと呼ぶ)35が設けられてい
る。このLS系35も実際にはx方向に伸びたスポット
光を発生し、ウェハ16のy方向の位置を検出するY−
LS系35aと、y方向に伸びたスポット光を発生し、
ウェハ16のx方向の位置を検出するX−LS系35b
との2組で構成される。このLS系35のレーザ光束2
9はウェハ16に塗布されたフォトレジストを感光させ
ないような波長に定められている。
たダイ・バイ・ダイ・アライメント用のマークと、ウェ
ハ16上に設けられたダイ・バイ・ダイ・アライメント
用のマークの投影レンズ21による逆投影像(拡大像)
とを重ね合わせて観察するためのステップ・アライメン
ト顕微鏡(以下S−Micと呼ぶ)11が、レチクル12
の直上の露光光路内に進退可能に配置されている。S−
Mic11は第1図では1つしか示していないが、レチク
ル12上の異なる2ケ所に設けられたx方向用のステッ
プ・マークとy方向用のステップ・マークの夫々を別々
に検出するように、顕微鏡Sx−Mic11aと顕微鏡S
y−Mic11bとの2本が設けられている。またレチク
ル12の下方から投影レンズ21内にレーザ光束29を
入射することによって、投影レンズ21の結像面内にシ
ート状のスポット光を形成するとともに、そのスポット
光がウェハ16上のマークを照射したときに発生する光
情報(回折光,散乱光等)を投影レンズ21を介して受
光し、ウェハ16の位置を検出するレーザ・ステップ・
アライメント系(以下LSと呼ぶ)35が設けられてい
る。このLS系35も実際にはx方向に伸びたスポット
光を発生し、ウェハ16のy方向の位置を検出するY−
LS系35aと、y方向に伸びたスポット光を発生し、
ウェハ16のx方向の位置を検出するX−LS系35b
との2組で構成される。このLS系35のレーザ光束2
9はウェハ16に塗布されたフォトレジストを感光させ
ないような波長に定められている。
さて、投影レンズ21の周辺にはオフ・アクシス方式の
ウェハアライメントのために、3本のウェハ・アライメ
ント顕微鏡(以下W−Micと呼ぶ)13a,13b,1
3cが所定の間隔で設けられている。ただし第1図では
W−Mic13cは図示していない。この3本のW−Mic1
3a,13b,13cの配置については、詳しくは特開
昭56−102823号公報に開示されているので、こ
こでは説明を省略する。
ウェハアライメントのために、3本のウェハ・アライメ
ント顕微鏡(以下W−Micと呼ぶ)13a,13b,1
3cが所定の間隔で設けられている。ただし第1図では
W−Mic13cは図示していない。この3本のW−Mic1
3a,13b,13cの配置については、詳しくは特開
昭56−102823号公報に開示されているので、こ
こでは説明を省略する。
上記R−Mic9a,9b、S−Mic11a,11b、LS
系35、及びW−Mic13a,13b,13cのアライ
メントセンサーはともに、夫々が検出したマークに応じ
た光電信号を出力するための光電素子を備えており、そ
れら光電信号は制御ユニット20に入力する。ユニット
20は各アライメントセンサーが検出したマークの位置
ずれを検出し、その位置ずれが補正されるように、ある
いは所定位置にステージ7を位置決めするようにモータ
19等を制御する。またユニット20はシャッター4の
開閉を制御するとともに、レーザ干渉計18からの座標
位置情報も入力する。
系35、及びW−Mic13a,13b,13cのアライ
メントセンサーはともに、夫々が検出したマークに応じ
た光電信号を出力するための光電素子を備えており、そ
れら光電信号は制御ユニット20に入力する。ユニット
20は各アライメントセンサーが検出したマークの位置
ずれを検出し、その位置ずれが補正されるように、ある
いは所定位置にステージ7を位置決めするようにモータ
19等を制御する。またユニット20はシャッター4の
開閉を制御するとともに、レーザ干渉計18からの座標
位置情報も入力する。
さて第2図は上記各アライメントセンサーの結像面上で
の配置とレチクル12の投影像との関係を模式的に示す
平面図である。第2図において、破線で示した円形の領
域は投影レンズ21のイメージフィールドIfであり、
それとほぼ同じ大きさの正方形の領域はレチクル12の
外形である。レチクル12のパターン領域PAはイメー
ジフィールドIf内に納まるような寸法に決められてい
る。イメージフィールドIfの中心、すなわち投影レン
ズ21の光軸を原点CCとするように座標系xyを定め
ると、Rxy-Mic9aの検出中心90aはx軸上に位置
し、Rθ−Mic9bの検出中心90bはy軸上に位置す
る。検出中心90aはレチクル12上の十字状マークを
挾み込むような、Rxy-Mic9a内の指標マークの2次元
的な中心であり、検出中心90bはレチクル12上のx
方向に伸びた線状マークを挾み込むような、Rθ−Mic
9b内の指標マークの中心である。ただしRθ−Mic9
b内には検出中心90bをy方向に微小量だけ変位させ
て、検出中心90aとのy方向の間隔Y1を調整するた
めの光軸補正機構が組み込まれている。また、Rθ−Mi
c9bの原点CCを挾んだ反対側にはSx−Mic11aが
y軸上に位置し、Rxy-Mic9aの原点CCを挾んだ反対
側にはSy−Mic11bがx軸上に位置している。さら
に、イメージフィールドIf内で、かつパターン領域P
Aの外側のx軸上には、Y−LS系35aによるシート
状のスポット光SPyがx方向に細長く伸びて位置し、
同様にパターン領域PAの外側のy軸上にはX−LS系
35bによるスポット光SPxがy方向に細長く伸びて
位置している。そしてW−Mic13aはウェハ16上、
又はマーク板15上のx方向に伸びたマークのy方向の
位置を検出するための検出中心1130yを有し、この
中心130yは検出中心90aからy方向にWyだけ離
れたy軸上に位置している。同様に、W−Mic13bは
y方向に伸びたマークのx方向の位置を検出するための
検出中心130xを有し、この中心130xは検出中心
90aからx方向にWxだけ離れたx軸上に位置してい
る。またW−Mic13cはW−Mic13aと同様に機能す
る検出中心130θを有し、W−Mic13aと共同し
て、ウェハ16上の離れた2ケ所のマークを同時に観察
して、ウェハ16の回転誤差を検出するものである。と
ころでステージ17上のマーク板15の表面には、第2
図に示すような十字状の基準マークFMが設けられる
が、y方向に伸びた線状マークをFMx、x方向に伸び
た線状マークをFMyとする。この基準マークFMは、
各アライメントセンサーの検出中心90a,90b,1
30y,130x,130θとスポット光SPx,SP
y、及びSx−Mic11a、Sy−Mic11bによってと
もに検出され得るものであり、ベースライン測定時には
各アライメントセンサーで検出されるように動き回わ
る。
の配置とレチクル12の投影像との関係を模式的に示す
平面図である。第2図において、破線で示した円形の領
域は投影レンズ21のイメージフィールドIfであり、
それとほぼ同じ大きさの正方形の領域はレチクル12の
外形である。レチクル12のパターン領域PAはイメー
ジフィールドIf内に納まるような寸法に決められてい
る。イメージフィールドIfの中心、すなわち投影レン
ズ21の光軸を原点CCとするように座標系xyを定め
ると、Rxy-Mic9aの検出中心90aはx軸上に位置
し、Rθ−Mic9bの検出中心90bはy軸上に位置す
る。検出中心90aはレチクル12上の十字状マークを
挾み込むような、Rxy-Mic9a内の指標マークの2次元
的な中心であり、検出中心90bはレチクル12上のx
方向に伸びた線状マークを挾み込むような、Rθ−Mic
9b内の指標マークの中心である。ただしRθ−Mic9
b内には検出中心90bをy方向に微小量だけ変位させ
て、検出中心90aとのy方向の間隔Y1を調整するた
めの光軸補正機構が組み込まれている。また、Rθ−Mi
c9bの原点CCを挾んだ反対側にはSx−Mic11aが
y軸上に位置し、Rxy-Mic9aの原点CCを挾んだ反対
側にはSy−Mic11bがx軸上に位置している。さら
に、イメージフィールドIf内で、かつパターン領域P
Aの外側のx軸上には、Y−LS系35aによるシート
状のスポット光SPyがx方向に細長く伸びて位置し、
同様にパターン領域PAの外側のy軸上にはX−LS系
35bによるスポット光SPxがy方向に細長く伸びて
位置している。そしてW−Mic13aはウェハ16上、
又はマーク板15上のx方向に伸びたマークのy方向の
位置を検出するための検出中心1130yを有し、この
中心130yは検出中心90aからy方向にWyだけ離
れたy軸上に位置している。同様に、W−Mic13bは
y方向に伸びたマークのx方向の位置を検出するための
検出中心130xを有し、この中心130xは検出中心
90aからx方向にWxだけ離れたx軸上に位置してい
る。またW−Mic13cはW−Mic13aと同様に機能す
る検出中心130θを有し、W−Mic13aと共同し
て、ウェハ16上の離れた2ケ所のマークを同時に観察
して、ウェハ16の回転誤差を検出するものである。と
ころでステージ17上のマーク板15の表面には、第2
図に示すような十字状の基準マークFMが設けられる
が、y方向に伸びた線状マークをFMx、x方向に伸び
た線状マークをFMyとする。この基準マークFMは、
各アライメントセンサーの検出中心90a,90b,1
30y,130x,130θとスポット光SPx,SP
y、及びSx−Mic11a、Sy−Mic11bによってと
もに検出され得るものであり、ベースライン測定時には
各アライメントセンサーで検出されるように動き回わ
る。
上記のような装置において、2つのマーク検出系はS−
Mic11とLS系35であり、LS系35における検出
視野とは、2つのスポット光SPx,SPyそのものを
表わす。またS−Mic11の検出視野は、レチクル12
が装置に対してアライメントされた時点で決まるレチク
ル上のステップ・マークで規定される。
Mic11とLS系35であり、LS系35における検出
視野とは、2つのスポット光SPx,SPyそのものを
表わす。またS−Mic11の検出視野は、レチクル12
が装置に対してアライメントされた時点で決まるレチク
ル上のステップ・マークで規定される。
第3図は上記の装置におけるレチクルアライメント顕微
鏡R−Mic9の具体的な構成を示す光学配置図である。
R−Mic9の先端にはプリズムブロックG0が設けら
れ、コンデンサレンズ7からの照明光LBは、このプリ
ズムブロックG0を透過して、レチクル12を照明す
る。レチクル12のパターン面PT上のマークからの光
は、プリズムブロックG0の斜面gで反射した後、第1
対物レンズG1に入射して平行光となり、第2対物レン
ズG2によって所定の結像面FPに収束し、マークの拡
大像が形成される。結像面FPには、第2図中に示した
ような検出中心90a又は90bを表わす指標マークを
持ったガラス板が配置され、さらにその後方には、不図
示ではあるが指標マークとレチクル12上のマーク等を
重ね合わせて観察するための接眼部(テレビカメラ)
や、指標マークとレチクルマーク等とのずれを光電的に
検出する光電素子等が設けられている。尚第3図におい
て、一点鎖線l1はR−Mic9の光軸を表わし、実線l
2は主光線を表わす。主光線l2は投影レンズ21の入
射瞳の中心を通るように定められている。このR−Mic
9はレチクル12のパターン面PTに合焦するように構
成されている。このため、投影レンズ21の結像面内に
基準マークFMが位置すると、その像は投影レンズ21
を介してパターン面PT上に結像されることになり、結
局R−Mic9の結像面FP上に基準マークFMの像が合
焦して形成される。また第3図に示した系は、Rxy-Mic
9aに関しては装置に対して光軸が固定されているが、
Rθ−Mic9bに関しては前述のような光軸補正機構が
組み込まれている。
鏡R−Mic9の具体的な構成を示す光学配置図である。
R−Mic9の先端にはプリズムブロックG0が設けら
れ、コンデンサレンズ7からの照明光LBは、このプリ
ズムブロックG0を透過して、レチクル12を照明す
る。レチクル12のパターン面PT上のマークからの光
は、プリズムブロックG0の斜面gで反射した後、第1
対物レンズG1に入射して平行光となり、第2対物レン
ズG2によって所定の結像面FPに収束し、マークの拡
大像が形成される。結像面FPには、第2図中に示した
ような検出中心90a又は90bを表わす指標マークを
持ったガラス板が配置され、さらにその後方には、不図
示ではあるが指標マークとレチクル12上のマーク等を
重ね合わせて観察するための接眼部(テレビカメラ)
や、指標マークとレチクルマーク等とのずれを光電的に
検出する光電素子等が設けられている。尚第3図におい
て、一点鎖線l1はR−Mic9の光軸を表わし、実線l
2は主光線を表わす。主光線l2は投影レンズ21の入
射瞳の中心を通るように定められている。このR−Mic
9はレチクル12のパターン面PTに合焦するように構
成されている。このため、投影レンズ21の結像面内に
基準マークFMが位置すると、その像は投影レンズ21
を介してパターン面PT上に結像されることになり、結
局R−Mic9の結像面FP上に基準マークFMの像が合
焦して形成される。また第3図に示した系は、Rxy-Mic
9aに関しては装置に対して光軸が固定されているが、
Rθ−Mic9bに関しては前述のような光軸補正機構が
組み込まれている。
次に本実施例のベースライン測定の一連の流れを第4図
のフローチャート図に基づき説明する。第1図〜第3図
に示した装置では、ベースライン測定値の管理は、第2
図に示したRxy-Mic9aの検出中心90aが基準とな
る。まずレチクル12を装置にセットする。このとき、
レチクル12上のレチクルアライメント用の十字状マー
クRMが第5図に示すようにRxy-Mic9aの検出中心9
0aを表わす指標マークから所定方向にはずれるように
位置決めする(ステップ100)。次にレチクルブライ
ンド8の4枚のブレードを、第3図に示すようにほぼ全
開にしてRxy-Mic9a、Rθ−Mic9bがともにレチクル
アライメントマークを観察できるようにするとともに、
シャッター4を開く(ステップ101)。
のフローチャート図に基づき説明する。第1図〜第3図
に示した装置では、ベースライン測定値の管理は、第2
図に示したRxy-Mic9aの検出中心90aが基準とな
る。まずレチクル12を装置にセットする。このとき、
レチクル12上のレチクルアライメント用の十字状マー
クRMが第5図に示すようにRxy-Mic9aの検出中心9
0aを表わす指標マークから所定方向にはずれるように
位置決めする(ステップ100)。次にレチクルブライ
ンド8の4枚のブレードを、第3図に示すようにほぼ全
開にしてRxy-Mic9a、Rθ−Mic9bがともにレチクル
アライメントマークを観察できるようにするとともに、
シャッター4を開く(ステップ101)。
次に、ステージ17を移動させて、第5図のように基準
マークFMがRxy-Mic9aの検出中心90aと一致する
ように位置決めを行なう(ステップ102)。制御ユニ
ット20は、このときのステージ17の座標値(X0,
Y0)をレーザ干渉計18から読み込み記憶する。この
座標値(X0,Y0)がステージ17の移動平面(xy
座標系)内におけるRxy-Mic9a(中心90a)の投影
位置である。尚、このときRxy-Mic9aはレチクル12
の透明部を介して基準マークFMの投影レンズ12によ
る逆投影像を検出している。これはR−Mic9がレチク
ル12の裏面のパターン面PTに合焦するように構成さ
れているからである。
マークFMがRxy-Mic9aの検出中心90aと一致する
ように位置決めを行なう(ステップ102)。制御ユニ
ット20は、このときのステージ17の座標値(X0,
Y0)をレーザ干渉計18から読み込み記憶する。この
座標値(X0,Y0)がステージ17の移動平面(xy
座標系)内におけるRxy-Mic9a(中心90a)の投影
位置である。尚、このときRxy-Mic9aはレチクル12
の透明部を介して基準マークFMの投影レンズ12によ
る逆投影像を検出している。これはR−Mic9がレチク
ル12の裏面のパターン面PTに合焦するように構成さ
れているからである。
次に制御ユニット20はステージ17を移動させて、基
準マークFMをRθ−Mic9bの検出中心90bが、設
計上位置するべき位置に配置する(ステップ103)。
これはレーザ干渉計18が読み取る座標値のみに基づい
て、モータ19を制御することによって行なわれる。こ
のときの基準マークFMの位置は、先の座標値(X0,
Y0)に対して、第2図に示したように、検出中心90
bと検出中心90a、との設計上の間隔(X1,Y1)
を加えたものであり、座標値(X0+X1,Y0+
Y1)である。基準マークFMが位置決めされると、R
θ−Mic9bの検出中心90bと基準マークFMのx方
向に伸びた線状マークFMyとがy方向で一致するよう
に、前述の光軸補正機構を調整する。これによって2本
のレチクルアライメント顕微鏡はステージ17の座標系
に関して正確にアライメントされたことになる。
準マークFMをRθ−Mic9bの検出中心90bが、設
計上位置するべき位置に配置する(ステップ103)。
これはレーザ干渉計18が読み取る座標値のみに基づい
て、モータ19を制御することによって行なわれる。こ
のときの基準マークFMの位置は、先の座標値(X0,
Y0)に対して、第2図に示したように、検出中心90
bと検出中心90a、との設計上の間隔(X1,Y1)
を加えたものであり、座標値(X0+X1,Y0+
Y1)である。基準マークFMが位置決めされると、R
θ−Mic9bの検出中心90bと基準マークFMのx方
向に伸びた線状マークFMyとがy方向で一致するよう
に、前述の光軸補正機構を調整する。これによって2本
のレチクルアライメント顕微鏡はステージ17の座標系
に関して正確にアライメントされたことになる。
次に、上記Rxy-Mic9aの検出中心90aとレチクル1
2のマークRMとが一致し、Rθ−Mic9bの検出中心
90bと、もう1つのレチクルマークとが一致するよう
に、レチクル12を微動して位置決め(レチクルアライ
メント)を行なう(ステップ104)。このとき具体的
にはマーク板15の基準マークFMのない反射面が、Rx
y-Mic9aの視野内にくるようにステージ17を位置決
めした状態で、十字状マークRMが検出中心90aに一
致するように、レチクル12のx方向とy方向との位置
を調整する。その後、マーク板15の反射面がRθ−Mi
c9bの視野内にくるようにステージ17を位置決めし
た状態で、線状マークが検出中心90bに一致するよう
に、マークRMをほぼ中心としてレチクル12を微小回
転させる。以上の動作によって、レチクル12もステー
ジ17の座標系に関して正確にアライメントされたこと
になる。
2のマークRMとが一致し、Rθ−Mic9bの検出中心
90bと、もう1つのレチクルマークとが一致するよう
に、レチクル12を微動して位置決め(レチクルアライ
メント)を行なう(ステップ104)。このとき具体的
にはマーク板15の基準マークFMのない反射面が、Rx
y-Mic9aの視野内にくるようにステージ17を位置決
めした状態で、十字状マークRMが検出中心90aに一
致するように、レチクル12のx方向とy方向との位置
を調整する。その後、マーク板15の反射面がRθ−Mi
c9bの視野内にくるようにステージ17を位置決めし
た状態で、線状マークが検出中心90bに一致するよう
に、マークRMをほぼ中心としてレチクル12を微小回
転させる。以上の動作によって、レチクル12もステー
ジ17の座標系に関して正確にアライメントされたこと
になる。
このレチクルアライメントが終了した時点で、シャッタ
ー4を閉じる。シャッター4が閉じるまでの間、照明光
はレチクル12を介して投影レンズ21に入射し続ける
ことになり、投影レンズ21の結像特性(焦点位置、投
影倍率等)は変動する。結像特性に変動が生じたまま
で、投影レンズ21を介在とするアライメントセンサー
の各種ベースライン測定値をただちに計測すると、誤差
が生じることになる。そこで本実施例では、従来の手順
と変えて、投影レンズ21に生じた結像特性の変動が低
下するまで、投影レンズ21を介在としないアライメン
トセンサー、すなわちW−Mic13a,13b,13c
のベースライン測定等を先行して行なうようにする。こ
の種の投影レンズでは照明光の入射が中止された時点で
結像特性の変動が元に戻る傾向がある。これはある種の
投影レンズの場合であるが、第4図中のステップ100
からステップ104が完了するでの時間に対してW−Mi
c13a,13b,13cのベースライン測定等に要す
る時間がほぼ等しければ、投影レンズ21の結像特性が
元の値に戻ることが確認された。この条件はかならずし
もどのような投影レンズにも正確にあてはまるものでは
ないが、照明光を入射し続けた時間と等しい時間だけ入
射を中止させた後においてはほぼ元の値に戻るといった
傾向は同様に生じる。
ー4を閉じる。シャッター4が閉じるまでの間、照明光
はレチクル12を介して投影レンズ21に入射し続ける
ことになり、投影レンズ21の結像特性(焦点位置、投
影倍率等)は変動する。結像特性に変動が生じたまま
で、投影レンズ21を介在とするアライメントセンサー
の各種ベースライン測定値をただちに計測すると、誤差
が生じることになる。そこで本実施例では、従来の手順
と変えて、投影レンズ21に生じた結像特性の変動が低
下するまで、投影レンズ21を介在としないアライメン
トセンサー、すなわちW−Mic13a,13b,13c
のベースライン測定等を先行して行なうようにする。こ
の種の投影レンズでは照明光の入射が中止された時点で
結像特性の変動が元に戻る傾向がある。これはある種の
投影レンズの場合であるが、第4図中のステップ100
からステップ104が完了するでの時間に対してW−Mi
c13a,13b,13cのベースライン測定等に要す
る時間がほぼ等しければ、投影レンズ21の結像特性が
元の値に戻ることが確認された。この条件はかならずし
もどのような投影レンズにも正確にあてはまるものでは
ないが、照明光を入射し続けた時間と等しい時間だけ入
射を中止させた後においてはほぼ元の値に戻るといった
傾向は同様に生じる。
そこで制御ユニット20はウェハアライメント顕微鏡W
−Mic13a,13bの検出中心130y,130xの
位置を基準マークFMを用いて検出する(ステップ10
5)。まず制御ユニット20は、基準マークFMの線状
マークFMyをW−Mic13aの検出中心130yと一
致させるようにステージ17を位置決めし、そのときの
ステージ17のy方向の位置Y5をレーザ干渉計18か
ら検出して記憶する。次に制御ユニット20は線状マー
クFMxをW−Mic13bの検出中心130xと一致さ
せるようにステージ17を位置決めし、そのときのステ
ージ17のx方向の位置X5を検出して記憶する。これ
によってウェハアライメント顕微鏡W−Mic13aのベ
ースライン測定値WyはWy=Y5−Y0として計測さ
れ、W−Mic13bのベースライン測定値WxはWx=
X5−X0として計測されたことになる。
−Mic13a,13bの検出中心130y,130xの
位置を基準マークFMを用いて検出する(ステップ10
5)。まず制御ユニット20は、基準マークFMの線状
マークFMyをW−Mic13aの検出中心130yと一
致させるようにステージ17を位置決めし、そのときの
ステージ17のy方向の位置Y5をレーザ干渉計18か
ら検出して記憶する。次に制御ユニット20は線状マー
クFMxをW−Mic13bの検出中心130xと一致さ
せるようにステージ17を位置決めし、そのときのステ
ージ17のx方向の位置X5を検出して記憶する。これ
によってウェハアライメント顕微鏡W−Mic13aのベ
ースライン測定値WyはWy=Y5−Y0として計測さ
れ、W−Mic13bのベースライン測定値WxはWx=
X5−X0として計測されたことになる。
次に制御ユニット20は、y座標値をY5に保ったま
ま、基準マークFMの線状マークFMyがW−Mic13
cの視野内に位置するようにステージ17を位置決めす
る(ステップ106)。そしてその線状マークFMyに
対してW−Mic13cの検出中心130θが一致するよ
うに、W−Mic13c内に設けられた不図示の光軸補正
機構を調整して、検出中心130θを見かけ上y方向に
微動させる。このW−Mic13cの調整は、所謂W−Mic
13aとの平行出しと呼ばれ、ウェハ16のグローバル
アライメント時の回転誤差を零に追い込むために必要な
作業である。
ま、基準マークFMの線状マークFMyがW−Mic13
cの視野内に位置するようにステージ17を位置決めす
る(ステップ106)。そしてその線状マークFMyに
対してW−Mic13cの検出中心130θが一致するよ
うに、W−Mic13c内に設けられた不図示の光軸補正
機構を調整して、検出中心130θを見かけ上y方向に
微動させる。このW−Mic13cの調整は、所謂W−Mic
13aとの平行出しと呼ばれ、ウェハ16のグローバル
アライメント時の回転誤差を零に追い込むために必要な
作業である。
さて上記のようにオフ・アクシス・アライメント用のW
−Mic13a,13bのベースライン測定値Wx,Wy
やW−Mic13cの平行出しを行なっている間に、投影
レンズ21の結像特性はほぼ元の状態に戻るので、次に
投影レンズ21を介在としたアライメント系のベースラ
イン測定を開始する。以後の各ステップが本発明の特徴
事項である。
−Mic13a,13bのベースライン測定値Wx,Wy
やW−Mic13cの平行出しを行なっている間に、投影
レンズ21の結像特性はほぼ元の状態に戻るので、次に
投影レンズ21を介在としたアライメント系のベースラ
イン測定を開始する。以後の各ステップが本発明の特徴
事項である。
次にレーザ・ステップ・アライメント系X−LS系35
bのスポット光SPxの投影位置を基準マークFMを用
いて検出する(ステップ107)。まず第6図に示すよ
うに、スポット光SPxと基準マークFMの線状マーク
FMxとが平行に整列するようにステージ17を位置決
めした後、基準マークFMを矢印のようにx方向に移動
させる。X−LS系35bはスポット光SPxの照射に
よる線状マークFMxからの光情報を光電交換し、制御
ユニット20はその光電信号に基づいて、スポット光S
PxとマークFMxとが一致したときのステージ17の
x方向の位置X4を検出して記憶する。これによってX
−LS系35bのベースライン測定値LSXは、LSX
=X4−X0として計測されたことになる。
bのスポット光SPxの投影位置を基準マークFMを用
いて検出する(ステップ107)。まず第6図に示すよ
うに、スポット光SPxと基準マークFMの線状マーク
FMxとが平行に整列するようにステージ17を位置決
めした後、基準マークFMを矢印のようにx方向に移動
させる。X−LS系35bはスポット光SPxの照射に
よる線状マークFMxからの光情報を光電交換し、制御
ユニット20はその光電信号に基づいて、スポット光S
PxとマークFMxとが一致したときのステージ17の
x方向の位置X4を検出して記憶する。これによってX
−LS系35bのベースライン測定値LSXは、LSX
=X4−X0として計測されたことになる。
次にステップ・アライメント顕微鏡Sx−Mic11aの
投影位置を基準マークFMを用いて検出する(ステップ
108)。このとき、レチクル12はすでに正確にアラ
イメントされているので、Sx−Mic11aの視野内に
は、第7図に示すように、レチクル12のパターン領域
PAの周辺に設けられたステップ・マークSxMが観察
可能に位置する。ステップ・マークSxMは透明な矩形
の窓(本発明の1つの検出視野)として形成されてい
る。設計上ステップマークSxMの投影位置は予めわか
っているので、制御ユニット20はステージ17を移動
させて、第7図のように窓の中心に基準マークFMのy
方向に伸びた線状マークFMxが挾み込まれるように位
置決めを行なう。具体的には、ステップ・マークSxM
の窓内に線状マークFMxが位置した状態で、Sx−Mi
c11a内の光電素子からの光電信号に基づいて、線状
マークFMxの窓内でのx方向の位置ずれΔx1Δx2
を検出し、左右振り分けの中心、すなわちΔx1=Δx
2となるようにステージ17をx方向に微動させること
によって位置決めが完了する。制御ユニット20はこの
ときのステージ17のx方向の位置X3をレーザ干渉計
18から読み込み記憶する。これによって、ステップ・
アライメント顕微鏡Sx−Mic11a、のベースライン
測定値SXは、SX=X3−X0として計測されたこと
になる。このように、2つのアライメントセンサー、L
S系35とS−Mic11とのうち、x方向の位置合わせ
に用いるX−LS系35bとSx−Mic11aとの両ベ
ースライン測定値を、なるべく時間的間隔をあけないよ
うにして計測することによって、たとえ投影レンズ21
に結像倍率等の変動が生じていても測定値LSXとSX
との偏差が極めて少ない測定値が得られる。
投影位置を基準マークFMを用いて検出する(ステップ
108)。このとき、レチクル12はすでに正確にアラ
イメントされているので、Sx−Mic11aの視野内に
は、第7図に示すように、レチクル12のパターン領域
PAの周辺に設けられたステップ・マークSxMが観察
可能に位置する。ステップ・マークSxMは透明な矩形
の窓(本発明の1つの検出視野)として形成されてい
る。設計上ステップマークSxMの投影位置は予めわか
っているので、制御ユニット20はステージ17を移動
させて、第7図のように窓の中心に基準マークFMのy
方向に伸びた線状マークFMxが挾み込まれるように位
置決めを行なう。具体的には、ステップ・マークSxM
の窓内に線状マークFMxが位置した状態で、Sx−Mi
c11a内の光電素子からの光電信号に基づいて、線状
マークFMxの窓内でのx方向の位置ずれΔx1Δx2
を検出し、左右振り分けの中心、すなわちΔx1=Δx
2となるようにステージ17をx方向に微動させること
によって位置決めが完了する。制御ユニット20はこの
ときのステージ17のx方向の位置X3をレーザ干渉計
18から読み込み記憶する。これによって、ステップ・
アライメント顕微鏡Sx−Mic11a、のベースライン
測定値SXは、SX=X3−X0として計測されたこと
になる。このように、2つのアライメントセンサー、L
S系35とS−Mic11とのうち、x方向の位置合わせ
に用いるX−LS系35bとSx−Mic11aとの両ベ
ースライン測定値を、なるべく時間的間隔をあけないよ
うにして計測することによって、たとえ投影レンズ21
に結像倍率等の変動が生じていても測定値LSXとSX
との偏差が極めて少ない測定値が得られる。
次に制御ユニット20は、基準マークFMの線状マーク
FMyをy方向に走らせて、スポット光SPyと、マー
クFMyとが一致したときのステージ17のy方向の位
置Y4を検出し記憶する(ステップ109)。これによ
ってレーザ・ステップ・アライメント系、Y−LS系3
5aのベースライン測定値LSYはLSY=Y4−Y0
として計測される。
FMyをy方向に走らせて、スポット光SPyと、マー
クFMyとが一致したときのステージ17のy方向の位
置Y4を検出し記憶する(ステップ109)。これによ
ってレーザ・ステップ・アライメント系、Y−LS系3
5aのベースライン測定値LSYはLSY=Y4−Y0
として計測される。
次に制御ユニット20はSy−Mic11bを用いて、レ
チクル12上のステップ・マークSyM(不図示)と基
準マークFMの線状マークFMyとを、ステップ108
と同様にアライメントし、そのときのステージ17のy
方向の位置Y3を検出して記憶する(ステップ11
0)。これによってSy−Mic11bのベースライン測
定値SYは、SY=Y3−Y0として計測される。
チクル12上のステップ・マークSyM(不図示)と基
準マークFMの線状マークFMyとを、ステップ108
と同様にアライメントし、そのときのステージ17のy
方向の位置Y3を検出して記憶する(ステップ11
0)。これによってSy−Mic11bのベースライン測
定値SYは、SY=Y3−Y0として計測される。
以上のようにして計測された各種ベースライン測定値
(SX,SY)、(LSX,LSY)、(Wx,Wy)
に基づいて、ステップ・アンド・リピート方式によるウ
ェハ16の位置決め及び露光が行なわれる。
(SX,SY)、(LSX,LSY)、(Wx,Wy)
に基づいて、ステップ・アンド・リピート方式によるウ
ェハ16の位置決め及び露光が行なわれる。
このように本実施例によれば、レチクルアライメント顕
微鏡を用いた後に、投影レンズ21が介在としないアラ
イメント系のベースライン測定や調整を行なってから、
投影レンズ21を介在とするアライメント系の各種ベー
スライン測定を行なうので、投影レンズ21を介在とす
るアライメント系の検出中心の投影点の位置のxy方向
への相対変動量が極めて小さくなり、この結果ステップ
・アンド・リピート方式によるウェハ16の位置決め精
度、及び重ね合わせ露光の精度が向上するといった効果
が得られる。
微鏡を用いた後に、投影レンズ21が介在としないアラ
イメント系のベースライン測定や調整を行なってから、
投影レンズ21を介在とするアライメント系の各種ベー
スライン測定を行なうので、投影レンズ21を介在とす
るアライメント系の検出中心の投影点の位置のxy方向
への相対変動量が極めて小さくなり、この結果ステップ
・アンド・リピート方式によるウェハ16の位置決め精
度、及び重ね合わせ露光の精度が向上するといった効果
が得られる。
なお、本実施例においては、レチクルアライメント時に
レチクル全面を一括に照明するような場合について説明
したが、そのようなレチクルアライメント方式以外の露
光装置においても、本発明は有効である。それはステッ
プ・アライメント顕微鏡とレーザ・ステップ・アライメ
ント系とのY方向同志、及びx方向同志のベースライン
計測をほとんど時間差なく行なうことによって、ステー
ジのドリフト等によって発生する計測誤差が押えられる
という点で効果的である。
レチクル全面を一括に照明するような場合について説明
したが、そのようなレチクルアライメント方式以外の露
光装置においても、本発明は有効である。それはステッ
プ・アライメント顕微鏡とレーザ・ステップ・アライメ
ント系とのY方向同志、及びx方向同志のベースライン
計測をほとんど時間差なく行なうことによって、ステー
ジのドリフト等によって発生する計測誤差が押えられる
という点で効果的である。
(発明の効果) 以上、本発明によれば、投影光学系を通してマーク検出
を行なう検出系(顕微鏡等)のベースライン測定値に含
まれる投影光学系の結像特性変動に起因した相対誤差が
低減されるので、そのベースライン測定値を基準にした
感光基板(ウェハ等)の位置合わせがより高精度になる
といった効果が得られる。
を行なう検出系(顕微鏡等)のベースライン測定値に含
まれる投影光学系の結像特性変動に起因した相対誤差が
低減されるので、そのベースライン測定値を基準にした
感光基板(ウェハ等)の位置合わせがより高精度になる
といった効果が得られる。
第1図は本発明の実施例による縮小投影型露光装置の概
略的な構成を示す図、第2図は第1図に示した装置の各
種アライメントセンサーの投影像面内での配置関係を示
す平面図、第3図はレチクル・アライメント顕微鏡の構
成を示す光学配置図、第4図はベースライン測定値の計
測手順を示すフローチャート図、第5図はレチクル・ア
ライメント顕微鏡によるアライメントの一例を示す平面
図、第6図はレーザ・ステップ・アライメント系による
ベースライン測定時のアライメントの様子を示す平面
図、第7図はステップ・アライメント顕微鏡によるベー
スライン測定時のアライメントの様子を示す平面図であ
る。 〔主要部分の符号の説明〕 1……水銀ランプ、4……シャッター、8……レチクル
・ブラインド、9……レチクル・アライメント顕微鏡、
11……ステップ・アライメント顕微鏡、12……レチ
クル、13……ウェハ・アライメント顕微鏡、15……
基準マーク板、16……ウェハ、17……ステージ、1
8……レーザ干渉計、20……制御ユニット、35……
レーザ・ステップ・アライメント系
略的な構成を示す図、第2図は第1図に示した装置の各
種アライメントセンサーの投影像面内での配置関係を示
す平面図、第3図はレチクル・アライメント顕微鏡の構
成を示す光学配置図、第4図はベースライン測定値の計
測手順を示すフローチャート図、第5図はレチクル・ア
ライメント顕微鏡によるアライメントの一例を示す平面
図、第6図はレーザ・ステップ・アライメント系による
ベースライン測定時のアライメントの様子を示す平面
図、第7図はステップ・アライメント顕微鏡によるベー
スライン測定時のアライメントの様子を示す平面図であ
る。 〔主要部分の符号の説明〕 1……水銀ランプ、4……シャッター、8……レチクル
・ブラインド、9……レチクル・アライメント顕微鏡、
11……ステップ・アライメント顕微鏡、12……レチ
クル、13……ウェハ・アライメント顕微鏡、15……
基準マーク板、16……ウェハ、17……ステージ、1
8……レーザ干渉計、20……制御ユニット、35……
レーザ・ステップ・アライメント系
Claims (1)
- 【請求項1】マスクに形成されたパターンの像を所定の
結像面に形成する投影光学系と;該結像面内で2次元移
動可能に配置され、位置合わせ用のマークを有する物体
と;該物体の2次元位置を検出する位置検出手段と;そ
れぞれ前記投影光学系を介して前記結像面内の異なる2
つの位置に形成される第1と第2の検出視野を有し、該
2つの検出視野の夫々によって互いに異なる方向に前記
マークの位置ずれを検出するとともに、互いに前記マー
クの検出方式が異なる2つのマーク検出系と;所定の基
準位置に対する前記複数の検出視野の各位置を、前記マ
ークと位置検出手段とによって計測する際前記2つのマ
ーク検出系の夫々の第1検出視野内に前記マークを配置
させた後、前記2つのマーク検出系の夫々の第2検出視
野内に前記マークを配置させるように、前記物体の移動
を制御する制御手段とを備えたことを特徴とする投影光
学装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60165599A JPH0669021B2 (ja) | 1985-07-26 | 1985-07-26 | 投影光学装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60165599A JPH0669021B2 (ja) | 1985-07-26 | 1985-07-26 | 投影光学装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6226815A JPS6226815A (ja) | 1987-02-04 |
JPH0669021B2 true JPH0669021B2 (ja) | 1994-08-31 |
Family
ID=15815408
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60165599A Expired - Lifetime JPH0669021B2 (ja) | 1985-07-26 | 1985-07-26 | 投影光学装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0669021B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7202106B2 (ja) * | 2018-08-31 | 2023-01-11 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
-
1985
- 1985-07-26 JP JP60165599A patent/JPH0669021B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS6226815A (ja) | 1987-02-04 |
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