JPH0668730A - 導電体の絶縁方法、及びこの方法により得られた絶縁導 電体 - Google Patents
導電体の絶縁方法、及びこの方法により得られた絶縁導 電体Info
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- JPH0668730A JPH0668730A JP5123501A JP12350193A JPH0668730A JP H0668730 A JPH0668730 A JP H0668730A JP 5123501 A JP5123501 A JP 5123501A JP 12350193 A JP12350193 A JP 12350193A JP H0668730 A JPH0668730 A JP H0668730A
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- H01B13/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing conductors or cables
- H01B13/06—Insulating conductors or cables
- H01B13/065—Insulating conductors with lacquers or enamels
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- H01B13/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing conductors or cables
- H01B13/06—Insulating conductors or cables
- H01B13/16—Insulating conductors or cables by passing through or dipping in a liquid bath; by spraying
- H01B13/165—Insulating conductors or cables by passing through or dipping in a liquid bath; by spraying by spraying
Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明の目的は効果的に実施できる絶縁無機物
質を含みかつ連続的に導電体を絶縁する事と共存する電
気絶縁方法を提供することにある。本発明の他の目的
は、本発明の方法を実施することにより得られた型の絶
縁体を持つ絶縁導電体を提供することにある。 【構成】 ａ）導電体に溶媒及びまた希釈媒体内で重合
ワニスの層を沈積させる工程と、 ｂ）前記ワニスの層上に一様に無機絶縁粉末を沈積させ
前記ワニスに前記粉末を付着させる工程と、 ｃ）この様にして被覆された導電体の前記ワニスを乾燥
させ重合化させる工程とから成る導電体の絶縁方法。 更に本発明による絶縁導電体は、導電性コアと、少なく
ともワニスの一層と、前記ワニス上を一様に直接沈積さ
れた少なくとも無機絶縁粉末の一層とを備えるものであ
る。
質を含みかつ連続的に導電体を絶縁する事と共存する電
気絶縁方法を提供することにある。本発明の他の目的
は、本発明の方法を実施することにより得られた型の絶
縁体を持つ絶縁導電体を提供することにある。 【構成】 ａ）導電体に溶媒及びまた希釈媒体内で重合
ワニスの層を沈積させる工程と、 ｂ）前記ワニスの層上に一様に無機絶縁粉末を沈積させ
前記ワニスに前記粉末を付着させる工程と、 ｃ）この様にして被覆された導電体の前記ワニスを乾燥
させ重合化させる工程とから成る導電体の絶縁方法。 更に本発明による絶縁導電体は、導電性コアと、少なく
ともワニスの一層と、前記ワニス上を一様に直接沈積さ
れた少なくとも無機絶縁粉末の一層とを備えるものであ
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、導電体の絶縁方法に係
り、そして前記方法によって得られた絶縁導電体に関す
る。
り、そして前記方法によって得られた絶縁導電体に関す
る。
【０００２】特に本発明は例えばモータの巻線のような
電気装置におけるコイルを作るために意図した絶縁導電
体に関する。この絶縁はまず導電体上に施され次いで導
電体は保護支持体によって巻回される。この様にして絶
縁された導電体は周知の方法により絶縁導体として使用
される。
電気装置におけるコイルを作るために意図した絶縁導電
体に関する。この絶縁はまず導電体上に施され次いで導
電体は保護支持体によって巻回される。この様にして絶
縁された導電体は周知の方法により絶縁導体として使用
される。
【０００３】
【従来の技術】電気機器のコイルを作るための導電体は
一般にエナメル塗布または繊維被覆またはエナメル塗布
に次いで繊維被覆により予備絶縁を施されていた。
一般にエナメル塗布または繊維被覆またはエナメル塗布
に次いで繊維被覆により予備絶縁を施されていた。
【０００４】エナメル塗布は一般に有機溶媒内で液状合
成重合体を沈積することにより行われていた。沈積は一
連の修正された層により成され、各層は約４００℃乃至
５００℃の高温下を貫通する次の層の沈積前に乾燥及び
重合化される。この様にして沈積された絶縁体の絶縁耐
力はエナメルまたはワニスとしてとしてあげられる重合
体の厚みに応じてミリメータ当たり６０ＫＶからミリメ
ータ当たり１３０ＫＶの範囲にある。
成重合体を沈積することにより行われていた。沈積は一
連の修正された層により成され、各層は約４００℃乃至
５００℃の高温下を貫通する次の層の沈積前に乾燥及び
重合化される。この様にして沈積された絶縁体の絶縁耐
力はエナメルまたはワニスとしてとしてあげられる重合
体の厚みに応じてミリメータ当たり６０ＫＶからミリメ
ータ当たり１３０ＫＶの範囲にある。
【０００５】かかる絶縁体の高温度における態様は使用
される有機重合体の特性の関数として変化し、そして導
体が非常に高い応力、それは同時に熱、電気、機械的応
力を受ける場合での使用は不適当である。回転機のコイ
ルにかかる電気力学的力、電位傾度または遠心力はすべ
て触れ合っているコイル線に大きな応力を与えると共に
ジュール効果によりそして電磁気損失による温度上昇を
もたらし、この方法で生産したコイル線間短絡を持ち来
すことになる。
される有機重合体の特性の関数として変化し、そして導
体が非常に高い応力、それは同時に熱、電気、機械的応
力を受ける場合での使用は不適当である。回転機のコイ
ルにかかる電気力学的力、電位傾度または遠心力はすべ
て触れ合っているコイル線に大きな応力を与えると共に
ジュール効果によりそして電磁気損失による温度上昇を
もたらし、この方法で生産したコイル線間短絡を持ち来
すことになる。
【０００６】大きな機械的応力の場合、この現象は高温
かつ高圧においてエナメルクリープが発生し、そしてこ
の現象は標準化した熱可塑性試験によって模擬される。
かかる試験は互いに垂直に配置され所定の期間圧力を印
加し、電位差のある２つの線の間の交叉点に異なる電圧
を及ぼし、そしてその試験は短絡が発生する温度を決定
するために異なる温度で繰り返される。
かつ高圧においてエナメルクリープが発生し、そしてこ
の現象は標準化した熱可塑性試験によって模擬される。
かかる試験は互いに垂直に配置され所定の期間圧力を印
加し、電位差のある２つの線の間の交叉点に異なる電圧
を及ぼし、そしてその試験は短絡が発生する温度を決定
するために異なる温度で繰り返される。
【０００７】かかる試験条件に応じ、現在通常使用され
るエナメルの最高の性質を提供するエナメルは、約４０
０℃乃至５００℃の熱可塑性を達成できるが、熱そして
機械的応力の高い値をうける用途では、絶縁材料の無機
または非有機材料が無いために不適当である。
るエナメルの最高の性質を提供するエナメルは、約４０
０℃乃至５００℃の熱可塑性を達成できるが、熱そして
機械的応力の高い値をうける用途では、絶縁材料の無機
または非有機材料が無いために不適当である。
【０００８】中または高圧力による電気応力の高い値の
場合、エナメルはそれ自体では使用されないが、他の絶
縁材料に合体されて使用される。
場合、エナメルはそれ自体では使用されないが、他の絶
縁材料に合体されて使用される。
【０００９】上記欠点を除去する通常使用されている補
強方法は、例えば線上に有機媒体内の重合体で含浸され
た連続繊維の渦巻状シートを巻回するようなエナメル被
覆線を繊維で被覆することからなる。現在通常使用され
ている繊維についていえば、例えばガラス繊維およびポ
リエステル繊維から成る混成物からなる。
強方法は、例えば線上に有機媒体内の重合体で含浸され
た連続繊維の渦巻状シートを巻回するようなエナメル被
覆線を繊維で被覆することからなる。現在通常使用され
ている繊維についていえば、例えばガラス繊維およびポ
リエステル繊維から成る混成物からなる。
【００１０】若しそれが可能な動作条件のときには繊維
被覆が直接非エナメル塗布導体に施される。かかる条件
下コイルをワニス含浸で接着することを改善するのみで
無く、与えられた特定用途の場合厳しい熱的応力に対す
る抵抗を増す無機物質を含むという利点がある。エナメ
ル被覆のみのコイル線と比較すると、無機物質を使用す
るものは時間は制限されているスポットサージに強く、
高い機械応力下で４００℃乃至５００℃に時々到達する
スポット温度においてより一層安全性を増加させるとい
う利点がある。
被覆が直接非エナメル塗布導体に施される。かかる条件
下コイルをワニス含浸で接着することを改善するのみで
無く、与えられた特定用途の場合厳しい熱的応力に対す
る抵抗を増す無機物質を含むという利点がある。エナメ
ル被覆のみのコイル線と比較すると、無機物質を使用す
るものは時間は制限されているスポットサージに強く、
高い機械応力下で４００℃乃至５００℃に時々到達する
スポット温度においてより一層安全性を増加させるとい
う利点がある。
【００１１】電気絶縁を改善しようとする一つの解決
は、エナメル塗布に使用されるワニスに対する例えば雲
母のような絶縁無機物質を添加する事である。しかしな
がらこのように無機物質を添加する事は実施にある困難
を来す。それはエナメル化したワニスに高度に集中した
無機物質を合体する事は充填物質が安定し、いずれか一
つの層（０．０１mm乃至０．０２mm）により追加される
僅かな余分の厚みが増えるという現象により技術的に不
可能であり、このことは絶縁されるべき導体の表面の各
点の組成並びに厚みが一様であるという絶縁体を得るこ
とは困難であるという理由に基づく。
は、エナメル塗布に使用されるワニスに対する例えば雲
母のような絶縁無機物質を添加する事である。しかしな
がらこのように無機物質を添加する事は実施にある困難
を来す。それはエナメル化したワニスに高度に集中した
無機物質を合体する事は充填物質が安定し、いずれか一
つの層（０．０１mm乃至０．０２mm）により追加される
僅かな余分の厚みが増えるという現象により技術的に不
可能であり、このことは絶縁されるべき導体の表面の各
点の組成並びに厚みが一様であるという絶縁体を得るこ
とは困難であるという理由に基づく。
【００１２】雲母のような無機物質の充填があるエナメ
ルを沈積するために電気泳動を用いる提案があった。か
かる提案は特に文献ＵＳ−Ａ−４ ０５８ ４４４，Ｗ
Ｏ−Ａ−８９／１００７６５及びＦＲ−Ａ−２ ５５５
５９９に記載されており、それらは電解により成され
る沈積で水性媒体内に雲母粉末とバインダからなる組成
により電気接続を絶縁する事が書かれている。連続実施
が困難であるこの方法は既に巻回されたが絶縁すること
が困難な片を成型するのにまたはコイルにするのに適合
しているが、保護支持体上に引き継いで巻回する意図の
ある導電体を絶縁するには困難である。
ルを沈積するために電気泳動を用いる提案があった。か
かる提案は特に文献ＵＳ−Ａ−４ ０５８ ４４４，Ｗ
Ｏ−Ａ−８９／１００７６５及びＦＲ−Ａ−２ ５５５
５９９に記載されており、それらは電解により成され
る沈積で水性媒体内に雲母粉末とバインダからなる組成
により電気接続を絶縁する事が書かれている。連続実施
が困難であるこの方法は既に巻回されたが絶縁すること
が困難な片を成型するのにまたはコイルにするのに適合
しているが、保護支持体上に引き継いで巻回する意図の
ある導電体を絶縁するには困難である。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】上記したとうり、従来
の欠点を除去するため、本発明の目的は効果的に実施で
きる絶縁無機物質を含みかつ連続的に導電体を絶縁する
事と共存する電気絶縁方法を提供することにある。
の欠点を除去するため、本発明の目的は効果的に実施で
きる絶縁無機物質を含みかつ連続的に導電体を絶縁する
事と共存する電気絶縁方法を提供することにある。
【００１４】本発明の他の目的は、本発明の方法を実施
することにより得られた型のの絶縁体を持つ絶縁導電体
を提供することにある。
することにより得られた型のの絶縁体を持つ絶縁導電体
を提供することにある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】本発明による導電体を絶
縁する方法は、ａ）導電体に溶媒及びまた希釈媒体内で
重合ワニスの層を沈積させる工程と、 ｂ）前記ワニスの層上に一様に無機絶縁粉末を沈積させ
前記ワニスに前記粉末を付着させる工程と、 ｃ）この様にして被覆された導電体の前記ワニスを乾燥
させ重合化させる工程とから成る。
縁する方法は、ａ）導電体に溶媒及びまた希釈媒体内で
重合ワニスの層を沈積させる工程と、 ｂ）前記ワニスの層上に一様に無機絶縁粉末を沈積させ
前記ワニスに前記粉末を付着させる工程と、 ｃ）この様にして被覆された導電体の前記ワニスを乾燥
させ重合化させる工程とから成る。
【００１６】更に本発明による絶縁導電体は、導電性コ
アと、少なくともワニスの一層と、前記ワニス上を一様
に直接沈積された少なくとも無機絶縁粉末の一層とを備
えるものである。
アと、少なくともワニスの一層と、前記ワニス上を一様
に直接沈積された少なくとも無機絶縁粉末の一層とを備
えるものである。
【００１７】
【作用】本発明の方法によれば、導電体の絶縁をインラ
インで達成できる。ワニス層は通常のインライン方法を
用いて実施でき、そして無機絶縁粉末は特に粉の振りか
けノズルの使用かまたは静電磁場の装置による粉末転送
技術により第２のインライン工程で容易に沈積される。
導電体を絶縁工程の中で電極として使用しないので、本
発明によれば導電体がエナメルにより既に絶縁されてい
るか裸のままかに係わらず同様に適用できる。
インで達成できる。ワニス層は通常のインライン方法を
用いて実施でき、そして無機絶縁粉末は特に粉の振りか
けノズルの使用かまたは静電磁場の装置による粉末転送
技術により第２のインライン工程で容易に沈積される。
導電体を絶縁工程の中で電極として使用しないので、本
発明によれば導電体がエナメルにより既に絶縁されてい
るか裸のままかに係わらず同様に適用できる。
【００１８】本発明の方法の工程ａ）、ｂ）及びｃ）は
所望の余分の厚みの絶縁が得られるまで数回繰り返され
ることは好ましい。
所望の余分の厚みの絶縁が得られるまで数回繰り返され
ることは好ましい。
【００１９】無機絶縁粉末の層は絶縁されるべき線が貫
通する区域内で前記粉末の浮遊または煙を作り出すこと
により沈積される。これにより本発明で使用する用語
「粉を振りかける（Ｐｏｗｄｅｒｉｎｇ）」が電解沈積
技術と異なる事が分かる。
通する区域内で前記粉末の浮遊または煙を作り出すこと
により沈積される。これにより本発明で使用する用語
「粉を振りかける（Ｐｏｗｄｅｒｉｎｇ）」が電解沈積
技術と異なる事が分かる。
【００２０】
【実施例】以下本発明の一実施例を図面を参照して説明
する。本発明の各具体例の詳細を述べる前に、その骨子
に付いて述べる。
する。本発明の各具体例の詳細を述べる前に、その骨子
に付いて述べる。
【００２１】本発明によれば、導電体は３個の基本的な
工程からなる電気絶縁を備えている。第１に導電体は有
機または無機溶媒そしてまたは試薬希釈媒体内の重合ワ
ニスの層で被覆される。第２の工程でこの様にしてワニ
スで被覆された導電体は絶縁無機物質の粉末を用いて粉
を振りかけられる。粉末は沈積されているワニスに付着
し、無機物質絶縁の一様な層を作る。これはワニスの最
初の沈積層がそれに直接接触したときのみ無機絶縁物質
が導電体上に保持されるという理由からである。第３の
工程はこの様にして最初のワニスの層と無機絶縁層で被
覆導電体はこれらの組み合わせを安定化させるためにワ
ニスを乾燥しかつ重合化処理する。絶縁の所望の余分の
厚み、かつ求めている絶縁特性に応じて、前記３個の工
程は引き続き繰り返される。
工程からなる電気絶縁を備えている。第１に導電体は有
機または無機溶媒そしてまたは試薬希釈媒体内の重合ワ
ニスの層で被覆される。第２の工程でこの様にしてワニ
スで被覆された導電体は絶縁無機物質の粉末を用いて粉
を振りかけられる。粉末は沈積されているワニスに付着
し、無機物質絶縁の一様な層を作る。これはワニスの最
初の沈積層がそれに直接接触したときのみ無機絶縁物質
が導電体上に保持されるという理由からである。第３の
工程はこの様にして最初のワニスの層と無機絶縁層で被
覆導電体はこれらの組み合わせを安定化させるためにワ
ニスを乾燥しかつ重合化処理する。絶縁の所望の余分の
厚み、かつ求めている絶縁特性に応じて、前記３個の工
程は引き続き繰り返される。
【００２２】図１には本発明の第１の実施例を示す。断
面円形または矩形の銅またはアルミニウムの裸の導電体
１２に、有機または水性溶媒または活牲希釈媒体内で重
合体を用いて実施した第１の絶縁ワニス層１４が施され
る。コイルを作るため絶縁線の業界で周知の適当なワニ
スがこのワニスとして用いられる。かかるワニスについ
て特に開示すれば、選択的に修飾されたポリエステルイ
ミドを基としたワニス、ポリエステル、エポキシ、ポリ
アミド−イミド、ポリイミド、ポリウレタンそしてポリ
ビニール アセトフォルマルを基としたワニスからな
る。かかるワニスは通常の技術すなわち導線１２をワニ
スの槽を貫通させ層を修正することにより適用される。
第２の工程では、ワニスの層１４で被覆された導線１２
は無機絶縁材料（好ましくは雲母）の粉末が浮遊状態に
ある媒体を貫通する。ワニス１４の層に付着することに
より分子は一様なかつ規則正しい雲母分子１６の層を形
成する。雲母分子の最初の層のみがワニス１４の層に付
着できるので、一様である無機絶縁の沈積をうることが
できる。雲母は好ましくは粉砕により粉末形状であり、
白雲母または金雲母からなる。分子の平均寸法は０．０
５mm乃至０．８mmの範囲にあり分子のへき開面はより大
きい。へき開面の最大寸法は好ましくは０．４mmであ
る。この最大寸法は、粉末形成作業中現実に得られる分
子の統計的分散に対応する平均寸法である。このように
して得られた絶縁体に含まれる最終雲母の量は１０％乃
至９０％である。この容量は４０％乃至６０％の範囲に
あることが好ましい。一旦この最初の沈積が成される
と、第２のワニス層１８は前述のように沈積され、そし
て上述のように雲母の第２の層２０が沈積される。絶縁
をやり遂げるため前記ワニスを用いて符号２２で示して
ある外側の絶縁層を沈積できる。ワニスの各層を続けて
沈積する事は可能である。
面円形または矩形の銅またはアルミニウムの裸の導電体
１２に、有機または水性溶媒または活牲希釈媒体内で重
合体を用いて実施した第１の絶縁ワニス層１４が施され
る。コイルを作るため絶縁線の業界で周知の適当なワニ
スがこのワニスとして用いられる。かかるワニスについ
て特に開示すれば、選択的に修飾されたポリエステルイ
ミドを基としたワニス、ポリエステル、エポキシ、ポリ
アミド−イミド、ポリイミド、ポリウレタンそしてポリ
ビニール アセトフォルマルを基としたワニスからな
る。かかるワニスは通常の技術すなわち導線１２をワニ
スの槽を貫通させ層を修正することにより適用される。
第２の工程では、ワニスの層１４で被覆された導線１２
は無機絶縁材料（好ましくは雲母）の粉末が浮遊状態に
ある媒体を貫通する。ワニス１４の層に付着することに
より分子は一様なかつ規則正しい雲母分子１６の層を形
成する。雲母分子の最初の層のみがワニス１４の層に付
着できるので、一様である無機絶縁の沈積をうることが
できる。雲母は好ましくは粉砕により粉末形状であり、
白雲母または金雲母からなる。分子の平均寸法は０．０
５mm乃至０．８mmの範囲にあり分子のへき開面はより大
きい。へき開面の最大寸法は好ましくは０．４mmであ
る。この最大寸法は、粉末形成作業中現実に得られる分
子の統計的分散に対応する平均寸法である。このように
して得られた絶縁体に含まれる最終雲母の量は１０％乃
至９０％である。この容量は４０％乃至６０％の範囲に
あることが好ましい。一旦この最初の沈積が成される
と、第２のワニス層１８は前述のように沈積され、そし
て上述のように雲母の第２の層２０が沈積される。絶縁
をやり遂げるため前記ワニスを用いて符号２２で示して
ある外側の絶縁層を沈積できる。ワニスの各層を続けて
沈積する事は可能である。
【００２３】ワニスの層１４を既に備えた導体１２に無
機絶縁層（代表的には雲母）を沈積する方法はいくつか
ある。図３にその第１の実施例を示す。この図で分かる
ように粉末状の雲母源に連結された２個の粉を振りかけ
るノズル２４、２６がありこれにより導線１２が浮遊状
態にある雲母粉末の煙を貫通して矢印Ｆの方向に移動で
きる。その結果既に説明したように唯一の雲母の層がワ
ニス１４に付着し、雲母の残りはこの方法で得た雲母絶
縁層の第１の層に付着することは不可能になる。
機絶縁層（代表的には雲母）を沈積する方法はいくつか
ある。図３にその第１の実施例を示す。この図で分かる
ように粉末状の雲母源に連結された２個の粉を振りかけ
るノズル２４、２６がありこれにより導線１２が浮遊状
態にある雲母粉末の煙を貫通して矢印Ｆの方向に移動で
きる。その結果既に説明したように唯一の雲母の層がワ
ニス１４に付着し、雲母の残りはこの方法で得た雲母絶
縁層の第１の層に付着することは不可能になる。
【００２４】図４に雲母粉末の層を作る第２の実施例を
示す。第２の例では既にワニスの層１４で被覆された導
線１２は、次の装置で雲母粉末で充満された雰囲気の区
域３０を移動する。雲母粉末２２はその底が開口して出
口３６となっているホッパ３４に置かれる。ホッパ３４
は例えば可撓性ある緩衝体４４を介してホッパ３４に連
結された連結棒４２に組み合わされた車輪４０により構
成された振動発生機３８と結合される。雲母粉末３２は
このようにして出口３６に対して順次下方へ送られる。
区域３０の雲母粉末の煙は静電磁場を与えることにより
発生する。これを成すため全体を符号４６で示したホッ
パ３２の壁は導電材料で作られることが好ましく、そし
てホッパそれ自体は絶縁台４８に固着される。ホッパ３
４に対面して台４８に垂直の導電板５０が設けられ、こ
れらが雲母３０の煙ができる区域を劃成する。板５０と
ホッパ３４の壁４６とは電源５２の各端子５２ｂ、５２
ａに接続される。壁４６および板５０とにより形成され
た２個の電極は電場Ｆを作り雲母の分子を区域３０を通
過させる。雲母の分子は導線１２上に形成されたワニス
の層１４に付着する。雲母粉末を沈積させるための設備
は図４に示したものと同じの２個のモジュールからなる
が、２個の反対方向にある分子を混ぜるため静電磁場を
持つ事が好ましい。ワニスの槽の最初の沈積と組み合わ
されるこの操作は所望の余分の厚みを得るために必要な
だけ繰り返される。既に述べたようにワニスの層及び雲
母の層を沈積する各工程の後に、導電体はワニスの乾燥
及び重合化するため熱処理を受けその結果絶縁被覆は安
定する。ワニスの層に付着させるため雲母または他の等
効の無機絶縁体の層が均一かつ一様になるものであれ
ば、ワニス被覆導体上に雲母または他の無機絶縁体を振
りかける他の技術を採用することができる。例えば流動
床技術を使用しても良い。
示す。第２の例では既にワニスの層１４で被覆された導
線１２は、次の装置で雲母粉末で充満された雰囲気の区
域３０を移動する。雲母粉末２２はその底が開口して出
口３６となっているホッパ３４に置かれる。ホッパ３４
は例えば可撓性ある緩衝体４４を介してホッパ３４に連
結された連結棒４２に組み合わされた車輪４０により構
成された振動発生機３８と結合される。雲母粉末３２は
このようにして出口３６に対して順次下方へ送られる。
区域３０の雲母粉末の煙は静電磁場を与えることにより
発生する。これを成すため全体を符号４６で示したホッ
パ３２の壁は導電材料で作られることが好ましく、そし
てホッパそれ自体は絶縁台４８に固着される。ホッパ３
４に対面して台４８に垂直の導電板５０が設けられ、こ
れらが雲母３０の煙ができる区域を劃成する。板５０と
ホッパ３４の壁４６とは電源５２の各端子５２ｂ、５２
ａに接続される。壁４６および板５０とにより形成され
た２個の電極は電場Ｆを作り雲母の分子を区域３０を通
過させる。雲母の分子は導線１２上に形成されたワニス
の層１４に付着する。雲母粉末を沈積させるための設備
は図４に示したものと同じの２個のモジュールからなる
が、２個の反対方向にある分子を混ぜるため静電磁場を
持つ事が好ましい。ワニスの槽の最初の沈積と組み合わ
されるこの操作は所望の余分の厚みを得るために必要な
だけ繰り返される。既に述べたようにワニスの層及び雲
母の層を沈積する各工程の後に、導電体はワニスの乾燥
及び重合化するため熱処理を受けその結果絶縁被覆は安
定する。ワニスの層に付着させるため雲母または他の等
効の無機絶縁体の層が均一かつ一様になるものであれ
ば、ワニス被覆導体上に雲母または他の無機絶縁体を振
りかける他の技術を採用することができる。例えば流動
床技術を使用しても良い。
【００２５】絶縁されるべき導線が電極として使用され
ないので、過去良く使われていた技術と異なり、導電体
は最初裸でなくてもよく図２に示すようにワニスの最初
の層または繊維被覆で覆われていても良い。引き続くワ
ニスの層及び雲母分子の層は適切な熱処理により沈積さ
れる。特に本方法では１８０℃かまたはそれ以上が好ま
しい熱指標を持つエナメル塗布導線をその変形例として
本方法では前述の繊維層６０で最初に被覆された導線で
実施できる。かかる状況において、好ましい経済的条件
下で絶縁体を得る事というより、コロナ現象に強い抵抗
を示すことで知られている雲母のような物質による部分
的内部挿入体で補強する事を目的としている。外側の層
６２も繊維被覆の形態で実施される。
ないので、過去良く使われていた技術と異なり、導電体
は最初裸でなくてもよく図２に示すようにワニスの最初
の層または繊維被覆で覆われていても良い。引き続くワ
ニスの層及び雲母分子の層は適切な熱処理により沈積さ
れる。特に本方法では１８０℃かまたはそれ以上が好ま
しい熱指標を持つエナメル塗布導線をその変形例として
本方法では前述の繊維層６０で最初に被覆された導線で
実施できる。かかる状況において、好ましい経済的条件
下で絶縁体を得る事というより、コロナ現象に強い抵抗
を示すことで知られている雲母のような物質による部分
的内部挿入体で補強する事を目的としている。外側の層
６２も繊維被覆の形態で実施される。
【００２６】本発明の一つの実施例では次のような方法
で実施される。絶縁されるべき導線１２は直径２mmの円
形断面の銅線である。導線はポリイミド型のワニスの第
１の層で被覆されそしてへき開面が０．４mmに等しい中
位の最大寸法をもつ雲母の分子で被覆される。導体はそ
こで乾燥及び重合化が行われる熱処理炉を貫通し、そし
てそれは２度同じワニス沈積および雲母粉末沈積装置を
貫通し、その結果ワニス次いで雲母粉末の第２及び第３
の処理が行われる。第２の装置におけるポリエステル−
イミドワニス及び同じ雲母粉末の第４の層を沈積し、こ
の層は低温度で乾燥及び重合化され、その後前述のよう
に第５の層及びポリエステル−イミドの第６の層が同じ
条件下で引き続く沈積動作の間で乾燥かつ重合化され絶
縁はやり遂げられる。この方法により得られた絶縁導電
体の試験で次の結果が得られた。
で実施される。絶縁されるべき導線１２は直径２mmの円
形断面の銅線である。導線はポリイミド型のワニスの第
１の層で被覆されそしてへき開面が０．４mmに等しい中
位の最大寸法をもつ雲母の分子で被覆される。導体はそ
こで乾燥及び重合化が行われる熱処理炉を貫通し、そし
てそれは２度同じワニス沈積および雲母粉末沈積装置を
貫通し、その結果ワニス次いで雲母粉末の第２及び第３
の処理が行われる。第２の装置におけるポリエステル−
イミドワニス及び同じ雲母粉末の第４の層を沈積し、こ
の層は低温度で乾燥及び重合化され、その後前述のよう
に第５の層及びポリエステル−イミドの第６の層が同じ
条件下で引き続く沈積動作の間で乾燥かつ重合化され絶
縁はやり遂げられる。この方法により得られた絶縁導電
体の試験で次の結果が得られた。
【００２７】絶縁体の雲母容量；４８％乃至５２％ 絶縁の余分の厚み；０．１６mm乃至０．２０mm 標準ＣＥＩ方法を用いた熱可塑性；５００℃より以上 破壊電圧；mm当たり２．５乃至３．３ｋｖ 絶縁特性；導体の直径の３倍に等しい直径を持つマンド
レル上で線を巻回した時何等クラックが発生せず、更に
導体を２０％引き伸ばしたときにも何等クラックは発生
しなかった。
レル上で線を巻回した時何等クラックが発生せず、更に
導体を２０％引き伸ばしたときにも何等クラックは発生
しなかった。
【００２８】
【発明の効果】本発明の方法によれば、少なくとも従来
得られたもの以上の電気絶縁特性をもつ絶縁導電体を得
ることができる。本方法は導体を連続的に絶縁するにも
適し、更に変形しやすい導体の絶縁に何等クラックを発
生することもない。
得られたもの以上の電気絶縁特性をもつ絶縁導電体を得
ることができる。本方法は導体を連続的に絶縁するにも
適し、更に変形しやすい導体の絶縁に何等クラックを発
生することもない。
【００２９】本発明の方法によれば、導電体の絶縁をイ
ンラインで達成できる利点がある。ワニス層は通常のイ
ンライン方法を用いて実施でき、そして無機絶縁粉末は
特に粉の振りかけノズルの使用かまたは静電磁場の装置
による粉末転送技術により第２のインライン工程で容易
に沈積される。導電体を絶縁工程の中で電極として使用
しないので、本発明によれば導電体がエナメルにより既
に絶縁されているか裸のままかに係わらず同様に適用で
きる利点がある。
ンラインで達成できる利点がある。ワニス層は通常のイ
ンライン方法を用いて実施でき、そして無機絶縁粉末は
特に粉の振りかけノズルの使用かまたは静電磁場の装置
による粉末転送技術により第２のインライン工程で容易
に沈積される。導電体を絶縁工程の中で電極として使用
しないので、本発明によれば導電体がエナメルにより既
に絶縁されているか裸のままかに係わらず同様に適用で
きる利点がある。
【００３０】本発明の方法の工程ａ）、ｂ）及びｃ）は
所望の余分の厚みの絶縁が得られるまで数回繰り返され
ることは好ましい。
所望の余分の厚みの絶縁が得られるまで数回繰り返され
ることは好ましい。
【図１】本発明の第１の実施例をにより得られた絶縁導
電体の断面図である。
電体の断面図である。
【図２】本発明の方法による第２の実施例を示すもので
図１に類似する断面図である。
図１に類似する断面図である。
【図３】絶縁材料から成る粉末を沈積する第１の方法を
示す概略図である。
示す概略図である。
【図４】絶縁材料から成る粉末を沈積する本発明の第２
の方法を示す概略図である。
の方法を示す概略図である。
１２…導電体 １４…絶縁ワニス層 １６…雲母分子の層 １８…第２の絶縁ワニスの層 ２０…第２の雲母の層 ２４…ノズル ２６…ノズル ３４…ホッパ ４６…導電材料のホッパの壁 ５０…導電板
Claims (22)
- 【請求項１】 ａ）導電体に溶媒及びまた希釈媒体内で
重合ワニスの層を沈積させる工程と、 ｂ）前記ワニスの層上に一様に無機絶縁粉末を沈積させ
前記ワニスに前記粉末を付着させる工程と、 ｃ）この様にして被覆された導電体の前記ワニスを乾燥
させ重合化させる工程とから成る導電体の絶縁方法。 - 【請求項２】前記工程ａ），ｂ）及びｃ）は所望の余分
の絶縁厚みが得られるまで何回も繰り返してなる請求項
１記載の導電体の絶縁方法。 - 【請求項３】前記粉末は粉を振りかけることにより沈積
してなる請求項２記載の導電体の絶縁方法。 - 【請求項４】前記無機絶縁体は雲母である請求項３記載
の導電体の絶縁方法。 - 【請求項５】雲母の重量は最終絶縁体の重量の４０〜６
０％の内容である請求項４記載の導電体の絶縁方法。 - 【請求項６】前記雲母分子の最大寸法の平均は約０．４
mmである請求項４記載の導電体の絶縁方法。 - 【請求項７】前記導電体は最初は裸である請求項３記載
の導電体の絶縁方法。 - 【請求項８】前記導電体は最初はエナメル及びまたは繊
維で被覆されている請求項３記載の導電体の絶縁方法。 - 【請求項９】少なくともワニスの一層を沈積させる最終
工程を含む請求項３記載の導電体の絶縁方法。 - 【請求項１０】少なくとも一層を繊維で被覆される実施
の最終工程を含む請求項３記載の導電体の絶縁方法。 - 【請求項１１】前記無機粉末は粉を振りかけるノズルを
持つ装置により粉を振りかけられる請求項３記載の導電
体の絶縁方法。 - 【請求項１２】前記導電体は粉を振りかけるノズルを持
つ前記装置を連続的に通過していくように配置されてい
る請求項１１記載の導電体の絶縁方法。 - 【請求項１３】前記粉末を振りかけることは粉末分子を
静電磁場内に位置決めしそして前記導電体をこの方法で
作られた粉末の煙内を通過させるよう配置してなる請求
項３記載の導電体の絶縁方法。 - 【請求項１４】前記導電体は粉末の煙内を連続的に通過
するように配置されてなる請求項１３記載の導電体の絶
縁方法。 - 【請求項１５】電磁場は前記導電体とは独立の電極によ
り作られてなる請求項１４記載の導電体の絶縁方法。 - 【請求項１６】前記ワニスは、修飾または非修飾ポリエ
ステルイミド；ポリエステル；エポキシ；ポリアミド−
イミド；ポリイミド；ポリウレタン；そしてポリビニー
ル アセトフォルマルから成るグループから選択された
重合体から成る請求項３記載の導電体の絶縁方法。 - 【請求項１７】導電性コアと、少なくともワニスの一層
と、前記ワニス上を一様に直接沈積された少なくとも無
機絶縁粉末の一層とを備えて成る絶縁導電体。 - 【請求項１８】複数のワニスの層と交互になった複数の
絶縁粉末の層とを有し、粉末の各層はワニスの層上に一
様に付着してなる請求項１７記載の絶縁導電体。 - 【請求項１９】導電コアの上に直接実施した少なくとも
エナメル及びまたは繊維被覆の層を備える請求項１８記
載の絶縁導電体。 - 【請求項２０】少なくとも一つのワニスの層及びまたは
少なくとも繊維被覆の一つの層を有する外部絶縁を含む
請求項１８記載の絶縁導電体。 - 【請求項２１】 ａ）導電体に溶媒及びまたは希釈媒体
内で重合ワニスの層を沈積させる工程と、 ｂ）前記ワニスの層上に一様に無機絶縁粉末を振りかけ
ることにより沈積させ前記粉末を前記ワニスに付着せし
める工程と、 ｃ）この様にして被覆された導電体の前記ワニスを乾燥
させ重合化させる工程とから成る導電体の絶縁方法。 - 【請求項２２】前記粉末は前記導電体とは独立した電極
を使用する粉末分子の静電的な転移により粉を振りかけ
るようにされる請求項２１記載の導電体の絶縁方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR9205180 | 1992-04-27 | ||
| FR9205180A FR2690559B1 (fr) | 1992-04-27 | 1992-04-27 | Procede d'isolation d'un conducteur electrique et conducteur electrique isole tel qu'obtenu par la mise en óoeuvre du procede. |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0668730A true JPH0668730A (ja) | 1994-03-11 |
Family
ID=9429294
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5123501A Pending JPH0668730A (ja) | 1992-04-27 | 1993-04-27 | 導電体の絶縁方法、及びこの方法により得られた絶縁導 電体 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0568415B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0668730A (ja) |
| AT (1) | ATE144856T1 (ja) |
| DE (1) | DE69305681T2 (ja) |
| ES (1) | ES2093376T3 (ja) |
| FR (1) | FR2690559B1 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5957539B2 (ja) * | 2012-12-26 | 2016-07-27 | 株式会社日立製作所 | 耐熱配線部品とその製造方法 |
| CN111029013A (zh) * | 2019-10-17 | 2020-04-17 | 湖州双龙线缆有限公司 | 一种耐热循环的漆包线及生产工艺 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2760123B1 (fr) * | 1997-02-24 | 1999-04-16 | Alsthom Cge Alcatel | Fil emaille de resistance elevee aux decharges partielles |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1558163A (en) * | 1976-06-04 | 1979-12-19 | Norsk Hydro As | Insulating coatings |
| EP0041824A1 (en) * | 1980-06-11 | 1981-12-16 | Associated Electrical Industries Limited | A method of manufacturing electrical insulation |
| JPH04106812A (ja) * | 1990-08-27 | 1992-04-08 | Toshiba Corp | 絶縁導体の製造方法 |
-
1992
- 1992-04-27 FR FR9205180A patent/FR2690559B1/fr not_active Expired - Fee Related
-
1993
- 1993-04-22 ES ES93401042T patent/ES2093376T3/es not_active Expired - Lifetime
- 1993-04-22 AT AT93401042T patent/ATE144856T1/de not_active IP Right Cessation
- 1993-04-22 EP EP93401042A patent/EP0568415B1/fr not_active Expired - Lifetime
- 1993-04-22 DE DE69305681T patent/DE69305681T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1993-04-27 JP JP5123501A patent/JPH0668730A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5957539B2 (ja) * | 2012-12-26 | 2016-07-27 | 株式会社日立製作所 | 耐熱配線部品とその製造方法 |
| JPWO2014102921A1 (ja) * | 2012-12-26 | 2017-01-12 | 株式会社日立製作所 | 耐熱配線部品とその製造方法 |
| CN111029013A (zh) * | 2019-10-17 | 2020-04-17 | 湖州双龙线缆有限公司 | 一种耐热循环的漆包线及生产工艺 |
| CN111029013B (zh) * | 2019-10-17 | 2021-08-03 | 东莞宇隆电工材料有限公司 | 一种耐热循环的漆包线及生产工艺 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FR2690559A1 (fr) | 1993-10-29 |
| EP0568415A1 (fr) | 1993-11-03 |
| EP0568415B1 (fr) | 1996-10-30 |
| FR2690559B1 (fr) | 1997-03-14 |
| ES2093376T3 (es) | 1996-12-16 |
| DE69305681T2 (de) | 1997-03-20 |
| ATE144856T1 (de) | 1996-11-15 |
| DE69305681D1 (de) | 1996-12-05 |
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