JPH0668628B2 - 電子写真感光体 - Google Patents
電子写真感光体Info
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- JPH0668628B2 JPH0668628B2 JP60275363A JP27536385A JPH0668628B2 JP H0668628 B2 JPH0668628 B2 JP H0668628B2 JP 60275363 A JP60275363 A JP 60275363A JP 27536385 A JP27536385 A JP 27536385A JP H0668628 B2 JPH0668628 B2 JP H0668628B2
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Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、電荷蓄積モードで利用する光（ここでは、広
義の光を示し、可視光線、Ｘ線、紫外線、赤外線等を含
む電磁波を言う。）に感度を有する光導電体に関し、電
子写真感光体に利用される。
義の光を示し、可視光線、Ｘ線、紫外線、赤外線等を含
む電磁波を言う。）に感度を有する光導電体に関し、電
子写真感光体に利用される。
従来の技術 電荷蓄積モードで利用する電子写真用感光体における光
導電体として、高い光感度と無公害性、高い硬度を有す
ることから、10〜40atm％の水素を局在化状態密度を減
少せしめる修飾物質として含む非晶質シリコン（以下、
a-Siと記す。）が注目されており、電子写真感光体とし
て利用されている。
導電体として、高い光感度と無公害性、高い硬度を有す
ることから、10〜40atm％の水素を局在化状態密度を減
少せしめる修飾物質として含む非晶質シリコン（以下、
a-Siと記す。）が注目されており、電子写真感光体とし
て利用されている。
しかしながら、上記のa-Siで構成される電子写真感光体
では暗抵抗値、光応答性、電荷蓄積に伴う帯電電位の低
さ、あるいは、耐湿性等の使用環境特性の点など、総合
的な特性向上がまだまだ必要である。
では暗抵抗値、光応答性、電荷蓄積に伴う帯電電位の低
さ、あるいは、耐湿性等の使用環境特性の点など、総合
的な特性向上がまだまだ必要である。
例えば、第１の問題としてa-Siを用いた電子写真感光体
は、他の感光体材料である有機光導電体（以下、OPCと
記す。）、あるいはSeに比較して比誘電率が大きく（OP
C:3,Se〜6,a-Si：〜11）静電容量が大きいため、表面へ
の帯電処理の際大きな帯電電流を必要とする。このた
め、他の電子写真感光体材料（OPC，Se等では600〜800
Ｖ）に比べ、低い表面電位（400Ｖ前後）で使用しなけ
ればならないのが現状である。またこのことにより、例
えば、通常の電子写真装置として２成分現像剤を用いる
一般の複写機では、特に通常の電荷量をもつトナーを用
いて画像の複写をおこなう場合、高い飽和濃度の画像を
連続して安定に得るのは困難となる。
は、他の感光体材料である有機光導電体（以下、OPCと
記す。）、あるいはSeに比較して比誘電率が大きく（OP
C:3,Se〜6,a-Si：〜11）静電容量が大きいため、表面へ
の帯電処理の際大きな帯電電流を必要とする。このた
め、他の電子写真感光体材料（OPC，Se等では600〜800
Ｖ）に比べ、低い表面電位（400Ｖ前後）で使用しなけ
ればならないのが現状である。またこのことにより、例
えば、通常の電子写真装置として２成分現像剤を用いる
一般の複写機では、特に通常の電荷量をもつトナーを用
いて画像の複写をおこなう場合、高い飽和濃度の画像を
連続して安定に得るのは困難となる。
更に、静電容量の大きい感光体は光感度特性においても
問題がある。例えば比誘電率の小さい感光体に比べ表面
の電荷量が多いため、表面電荷を光キャリアによって打
ち消して表面電位を下げるのにより多くの光子(photon)
を必要とし、実用上不利な点が多い。
問題がある。例えば比誘電率の小さい感光体に比べ表面
の電荷量が多いため、表面電荷を光キャリアによって打
ち消して表面電位を下げるのにより多くの光子(photon)
を必要とし、実用上不利な点が多い。
次に、第２の問題として光導電体を高抵抗化し表面電位
を向上させるため、a-Si中に酸素、炭素、窒素等を添加
し使用する場合、従来ではその使用時に残留電位が多く
残る。また繰り返し使用時においては疲労の蓄積による
ゴースト現象を発生する。あるいは、光応答性が悪化す
る等の問題があった。
を向上させるため、a-Si中に酸素、炭素、窒素等を添加
し使用する場合、従来ではその使用時に残留電位が多く
残る。また繰り返し使用時においては疲労の蓄積による
ゴースト現象を発生する。あるいは、光応答性が悪化す
る等の問題があった。
更には、第３の問題として感光体の構成によっては高
温、高湿時において画像の「ボケ」が生じる等の問題も
無視できない。
温、高湿時において画像の「ボケ」が生じる等の問題も
無視できない。
発明が解決しようとする問題点 第１の静電容量を減少せしめる手段として、特開昭54−
143645号報には有機半導体材料を用いた機能分離型の感
光部材が、また特開昭56−24355号報には無機半導体材
料を用いた機能分離型感光体が開示されている。
143645号報には有機半導体材料を用いた機能分離型の感
光部材が、また特開昭56−24355号報には無機半導体材
料を用いた機能分離型感光体が開示されている。
前者の有機半導体材料を用いた場合、a-Siの持つ高い硬
度の特徴を生かした長寿命感光体として機能しなくなる
ため、決して有効な手段とは言えない。
度の特徴を生かした長寿命感光体として機能しなくなる
ため、決して有効な手段とは言えない。
また、後者では多結晶化しやすいカルコゲン材料、ある
いは比誘電率の大きい材料（SiCでは〜10）等のため比
抵抗の大きい材料を使用することによる帯電電圧の向上
が期待されるものの、前記第２の問題であった残留電位
の増加等の問題が解決されず、a-Siの特長である長寿命
で、高感度で、しかも低残留電位のままで、高い帯電電
位のあるいは早い光応答性を有した感光体を得ることは
できないと言う問題があった。
いは比誘電率の大きい材料（SiCでは〜10）等のため比
抵抗の大きい材料を使用することによる帯電電圧の向上
が期待されるものの、前記第２の問題であった残留電位
の増加等の問題が解決されず、a-Siの特長である長寿命
で、高感度で、しかも低残留電位のままで、高い帯電電
位のあるいは早い光応答性を有した感光体を得ることは
できないと言う問題があった。
問題点を解決するための手段 光励起によって移動可能なキャリアを発生する光導電層
と、上記キャリアが効率よく注入され効果的に輸送され
る電荷移動層とが積層された構造を有し、上記電荷移動
層が比誘電率５〜９の炭化スズを主成分とする無機材料
で構成する。
と、上記キャリアが効率よく注入され効果的に輸送され
る電荷移動層とが積層された構造を有し、上記電荷移動
層が比誘電率５〜９の炭化スズを主成分とする無機材料
で構成する。
作用 炭化スズは、炭素の組成比によって、その光学的禁止帯
幅が〜3.0eV以下と大きく変化する。また、シリコン，
ゲルマニュームを添加し1.5〜4.5eVまで変化させてもｎ
型伝導を示す。また、その大きな光学的禁止帯幅の材料
でも活性化エネルギーが1.0eV以下と小さく、電子の移
動度が大きいため、光導電層から炭化スズ化合物の伝導
帯に効率よく電子が注入されるように、それぞれの光学
的禁止幅を制御すれば容易に良好な感光部材が得られ
る。また、炭化スズ化合物の比誘電率は、光学的禁止帯
幅が1.5〜3.5eVの材料で５〜９と小さい。
幅が〜3.0eV以下と大きく変化する。また、シリコン，
ゲルマニュームを添加し1.5〜4.5eVまで変化させてもｎ
型伝導を示す。また、その大きな光学的禁止帯幅の材料
でも活性化エネルギーが1.0eV以下と小さく、電子の移
動度が大きいため、光導電層から炭化スズ化合物の伝導
帯に効率よく電子が注入されるように、それぞれの光学
的禁止幅を制御すれば容易に良好な感光部材が得られ
る。また、炭化スズ化合物の比誘電率は、光学的禁止帯
幅が1.5〜3.5eVの材料で５〜９と小さい。
このような炭化スズを電荷移動層として感光体に使用す
ることによって、a-Si，非晶質シリコンゲルマニウム
（以下、a-SiGeと記す。）あるいは非晶質ゲルマニウム
（以下a-Geと記す。）などの比誘電率の大きな感光層を
光導電層として用いても全体として比誘電率の小さい感
光体がえられ、実用上高い光感度の、また高い表面電位
の感光体が得られる。
ることによって、a-Si，非晶質シリコンゲルマニウム
（以下、a-SiGeと記す。）あるいは非晶質ゲルマニウム
（以下a-Geと記す。）などの比誘電率の大きな感光層を
光導電層として用いても全体として比誘電率の小さい感
光体がえられ、実用上高い光感度の、また高い表面電位
の感光体が得られる。
電荷移動層としては、１〜80μｍ、好ましくは10〜50μ
ｍ、光導電層としては0.5〜50μｍ好ましくは１〜５μ
ｍ形成し用いることが望ましい。
ｍ、光導電層としては0.5〜50μｍ好ましくは１〜５μ
ｍ形成し用いることが望ましい。
実施例 非晶質炭化スズ（以下、a-Sn1-xCx、但しＯ＜ｘ＜１と
記し水素あるいはハロゲン原子を含む膜を言う。）膜の
作成には、SnC４，テトラメチルスズ〔(CH3)4Sn〕，
テトラエチルスズ〔(C2H5)4Sn〕，加熱溶融されたSnF2
等のSn原子の原料ガスをあるいはH2,Ar,He等のガスで希
釈したガスおよび、CH4，C2H6，C2H4，C2H2，C3H8，C3H
6，C3H4，CH3C・CH，CH3Br，CH2Br2，C2H5Br,CH３Ｃ,C
H２Ｃ２,CHC３,CH２CHC,CH２CC２,C２Ｈ３Ｃ
３，（CH３）２CHC，CH3I，C2H5C・CH，(CH3)4C，CF4,
CCＦ３，CHF3，C2F6，C3F8，CH3F等のＣ原子の原料ガ
スを用いたプラズマCVD法や、ターゲットをSnまたはSnF
2，SnI4，SnI2,SnC２，SnP，Sn3PあるいはこれらとＣ
の混合されたターゲットあるいはこれらとＣの２枚のタ
ーゲットを用い、Ar，H2，CH4，C2H6，C2H4，C2H2等の
中での反応性スパッタ法や反応性蒸着法が使用される。
また、光導電層としてのa-Siは、SiH4，Si2H6，Si3H8，
SiF4，SiHF3，SiH2F2，SiH3F,SiC４,SiHC３,SiH２
Ｃ２,SiH３Ｃ等のSi原子の原料ガスあるいはこれら
のガスをH2，Ar，He等のガスで稀釈したガスを用いたプ
ラズマCVD法または、Siをターゲットとし、Ar，H2中で
の反応性スパッタ法や反応性蒸着法で形成できる。a-Ge
は、GeH4，Ge2H6，Ge3H8，GeF4，GeHF3，GeH2F2，GeH
3F,GeC４,GeHC３,GeH２Ｃ２,GeH３Ｃ，GeF2,Ge
C２等のGe原子の原料ガスあるいはこれらのガスを
H2，Ar，He等で希釈したガスを用いたプラズマCVD法ま
たはGeをターゲットとしたAr，H2中での反応性スパッタ
法や反応性蒸着法で形成され、a-SiGeも同様に、上記の
Ge原子の原料ガスとSi原子の原料ガスの混合ガスあるい
は、この混合ガスをH2，Ar，He等のガスで希釈したガス
をもちいたプラズマCVD法や、SiとGeの混合されたター
ゲットあるいはSiとGeの２枚のターゲットを用いた反応
性スパッタ法や反応性蒸着法で形成される。
記し水素あるいはハロゲン原子を含む膜を言う。）膜の
作成には、SnC４，テトラメチルスズ〔(CH3)4Sn〕，
テトラエチルスズ〔(C2H5)4Sn〕，加熱溶融されたSnF2
等のSn原子の原料ガスをあるいはH2,Ar,He等のガスで希
釈したガスおよび、CH4，C2H6，C2H4，C2H2，C3H8，C3H
6，C3H4，CH3C・CH，CH3Br，CH2Br2，C2H5Br,CH３Ｃ,C
H２Ｃ２,CHC３,CH２CHC,CH２CC２,C２Ｈ３Ｃ
３，（CH３）２CHC，CH3I，C2H5C・CH，(CH3)4C，CF4,
CCＦ３，CHF3，C2F6，C3F8，CH3F等のＣ原子の原料ガ
スを用いたプラズマCVD法や、ターゲットをSnまたはSnF
2，SnI4，SnI2,SnC２，SnP，Sn3PあるいはこれらとＣ
の混合されたターゲットあるいはこれらとＣの２枚のタ
ーゲットを用い、Ar，H2，CH4，C2H6，C2H4，C2H2等の
中での反応性スパッタ法や反応性蒸着法が使用される。
また、光導電層としてのa-Siは、SiH4，Si2H6，Si3H8，
SiF4，SiHF3，SiH2F2，SiH3F,SiC４,SiHC３,SiH２
Ｃ２,SiH３Ｃ等のSi原子の原料ガスあるいはこれら
のガスをH2，Ar，He等のガスで稀釈したガスを用いたプ
ラズマCVD法または、Siをターゲットとし、Ar，H2中で
の反応性スパッタ法や反応性蒸着法で形成できる。a-Ge
は、GeH4，Ge2H6，Ge3H8，GeF4，GeHF3，GeH2F2，GeH
3F,GeC４,GeHC３,GeH２Ｃ２,GeH３Ｃ，GeF2,Ge
C２等のGe原子の原料ガスあるいはこれらのガスを
H2，Ar，He等で希釈したガスを用いたプラズマCVD法ま
たはGeをターゲットとしたAr，H2中での反応性スパッタ
法や反応性蒸着法で形成され、a-SiGeも同様に、上記の
Ge原子の原料ガスとSi原子の原料ガスの混合ガスあるい
は、この混合ガスをH2，Ar，He等のガスで希釈したガス
をもちいたプラズマCVD法や、SiとGeの混合されたター
ゲットあるいはSiとGeの２枚のターゲットを用いた反応
性スパッタ法や反応性蒸着法で形成される。
また、ａ−Sn1-xCxにSi，Ge等を添加する場合も同じ
く、上記のSn原子の原料ガスとSiまたはGe原子の原料ガ
スあるいは、この混合ガスをH2,He,Ar等のガスで希釈し
たガスをSn原子の原料ガスに加えて用いたプラズマCVD
法や、Si，Geを混合したターゲットあるいは複数のター
ゲットを用いた反応性スパッタ法や反応性蒸着法によっ
て形成される。
く、上記のSn原子の原料ガスとSiまたはGe原子の原料ガ
スあるいは、この混合ガスをH2,He,Ar等のガスで希釈し
たガスをSn原子の原料ガスに加えて用いたプラズマCVD
法や、Si，Geを混合したターゲットあるいは複数のター
ゲットを用いた反応性スパッタ法や反応性蒸着法によっ
て形成される。
下記、実施例１では反応性スパッタ法を用いた例につい
て、実施例2,3および実施例４ではプラズマCVD法を用い
た例について説明する。
て、実施例2,3および実施例４ではプラズマCVD法を用い
た例について説明する。
実施例１ 第１図に示した本発明の感光体の断面図を参考にして説
明する。
明する。
鏡面研磨したアルミニウム（Ａ）基板11をマグネトロ
ンスパッタ装置内に配置し、２×10-6Torr以下に排気
後、基板温度を50〜250℃に上昇させた。Snをターゲッ
トとし、Arを10〜60mTorr，CH4を10〜150mTorr，チャン
バー内圧力としては20〜200mTorr、好ましくは80〜120m
Torrとなるよう装置内に導入し、周波数13.56MHzの高周
波電力50〜200Wにより、電荷移動層であるa-Sn1-xCx層1
2を15μｍ形成した。続いてArを１〜10mTorr，H2を0.3
〜4mTorr，チャンバー内圧力としては、２〜12mTorr導
入し、多結晶Siをターゲットとして、放電電力200〜800
Wにて光導電層であるa-Si層13を１μｍ形成した。
ンスパッタ装置内に配置し、２×10-6Torr以下に排気
後、基板温度を50〜250℃に上昇させた。Snをターゲッ
トとし、Arを10〜60mTorr，CH4を10〜150mTorr，チャン
バー内圧力としては20〜200mTorr、好ましくは80〜120m
Torrとなるよう装置内に導入し、周波数13.56MHzの高周
波電力50〜200Wにより、電荷移動層であるa-Sn1-xCx層1
2を15μｍ形成した。続いてArを１〜10mTorr，H2を0.3
〜4mTorr，チャンバー内圧力としては、２〜12mTorr導
入し、多結晶Siをターゲットとして、放電電力200〜800
Wにて光導電層であるa-Si層13を１μｍ形成した。
この時のa-Sn1-xCx層12の比誘電率は８〜９で電荷発生
層であるa-Si層13は10〜11であった。また、第１図の構
造の光導電体を電子写真感光体として、負帯電にてその
感光体特性を評価すると、全体の膜厚が16μｍであるに
も拘らず飽和帯電電位900V,残留電位15V以下と電位受容
度が非常に大きい、残留電位の小さい電子写真感光体が
得られた。
層であるa-Si層13は10〜11であった。また、第１図の構
造の光導電体を電子写真感光体として、負帯電にてその
感光体特性を評価すると、全体の膜厚が16μｍであるに
も拘らず飽和帯電電位900V,残留電位15V以下と電位受容
度が非常に大きい、残留電位の小さい電子写真感光体が
得られた。
しかし、このような光導電層が表面に形成された感光体
は、帯電の繰り返しに比例して帯電電位が減少する傾向
にある。これは、自由表面にある光導電層のa-Siはオゾ
ン等の影響により表面酸化が急速に進み酸化層中の捕獲
準位が表面の電荷の注入を促進するためと考えられる。
は、帯電の繰り返しに比例して帯電電位が減少する傾向
にある。これは、自由表面にある光導電層のa-Siはオゾ
ン等の影響により表面酸化が急速に進み酸化層中の捕獲
準位が表面の電荷の注入を促進するためと考えられる。
このため、第２図のように光導電層の自由表面に新たな
表面被覆層14として、Si1-xNx，Si1-xCx，Ge1-xCx,A
２Ｏ３,A１−ｘＮｘ，（０＜ｘ＜１）、ａ−C:H（非
晶質カーボン）等の表面被覆層を0.05〜１μｍ形成する
ことによって帯電電位の変化を小さくし、また、高温、
高湿時の画像の「ボケ」の発生を防ぐことができた。
表面被覆層14として、Si1-xNx，Si1-xCx，Ge1-xCx,A
２Ｏ３,A１−ｘＮｘ，（０＜ｘ＜１）、ａ−C:H（非
晶質カーボン）等の表面被覆層を0.05〜１μｍ形成する
ことによって帯電電位の変化を小さくし、また、高温、
高湿時の画像の「ボケ」の発生を防ぐことができた。
実施例２ 本実施例における感光体の断面図を第３図に示す。
鏡面研磨した90φ×310mmのＡドラム基板40を電極間
距離55mmの容量結合方式プラズマCVD装置内に１本配置
し、反応容器内を５×10-6Torr以下に排気後、Ａ基板
40を50〜250℃に加熱する。SnF2を0.1〜１sccm，GeF4を
１〜５sccm，CH4を190〜200sccm導入し、反応容器内の
圧力を0.2〜1.0Torrに調整後、高周波電力30〜800Wでa-
(Sn1-yGey)1-xCx（０＜y,x＜１）層41を15〜30μｍ形成
し、更にGeF4を0.5〜10sccm，SiH4を100〜200sccm、水
素希釈した10ppm濃度のB2H6を５〜50sccm導入し、0.2〜
2.0Torrに制御し放電電力150〜500WでＢ添加したフッ素
含有の非晶質シリコンゲルマニウム（以下a-SiGe:H:Fと
記す。）層42を１〜３μｍ形成し、続いてSiH4を５〜10
sccm、NH3を100〜200scmm導入し圧力0.2〜1.0Torr、放
電電力150〜600WでSi1-xNx層44を0.1〜0.2μｍ形成し電
子写真感光体を得た。
距離55mmの容量結合方式プラズマCVD装置内に１本配置
し、反応容器内を５×10-6Torr以下に排気後、Ａ基板
40を50〜250℃に加熱する。SnF2を0.1〜１sccm，GeF4を
１〜５sccm，CH4を190〜200sccm導入し、反応容器内の
圧力を0.2〜1.0Torrに調整後、高周波電力30〜800Wでa-
(Sn1-yGey)1-xCx（０＜y,x＜１）層41を15〜30μｍ形成
し、更にGeF4を0.5〜10sccm，SiH4を100〜200sccm、水
素希釈した10ppm濃度のB2H6を５〜50sccm導入し、0.2〜
2.0Torrに制御し放電電力150〜500WでＢ添加したフッ素
含有の非晶質シリコンゲルマニウム（以下a-SiGe:H:Fと
記す。）層42を１〜３μｍ形成し、続いてSiH4を５〜10
sccm、NH3を100〜200scmm導入し圧力0.2〜1.0Torr、放
電電力150〜600WでSi1-xNx層44を0.1〜0.2μｍ形成し電
子写真感光体を得た。
この感光体は負帯電によって使用され、その分光感度は
400〜850nmの広範囲に渡って高感度であり、a-Si層に比
較してa-SiGe:H:F層42を電荷発生層とすることにより赤
外線領域の波長にまで光感度の向上が見られ、この感光
部材を800nmの半導体レーザーを光源とするレーザービ
ームプリンタに実装し、鮮明な印字を確認した。この場
合のa-(Sn1-yGey)1-xCx層41は、光学的禁止帯幅を狭く
しており、比誘電率が８〜９で、正孔のブロッキング層
としてのみでなくレーザー光の吸収層としても機能する
ためＡ基板40からの反射による解像度の低下を防止し
ている。また、比誘電率の比較的大きなa-(Sn1-yGey)
1-xCxは室温での暗比抵抗が小さい傾向が見られる。こ
の場合、a-(Sn1-yGey)1-xCx層にＢを添加することによ
り暗比抵抗を高めることができる。例えば、８の比誘電
率をもつa-(Sn1-yGey)1-xCxは〜109Ω・cmと小さいが、
0.01〜10atm％のＢを添加することにより〜1013Ω・cm
に高抵抗化できる。このことにより、更に、階調再現が
可能となり、中間調の再現に優れた印字ができた。
400〜850nmの広範囲に渡って高感度であり、a-Si層に比
較してa-SiGe:H:F層42を電荷発生層とすることにより赤
外線領域の波長にまで光感度の向上が見られ、この感光
部材を800nmの半導体レーザーを光源とするレーザービ
ームプリンタに実装し、鮮明な印字を確認した。この場
合のa-(Sn1-yGey)1-xCx層41は、光学的禁止帯幅を狭く
しており、比誘電率が８〜９で、正孔のブロッキング層
としてのみでなくレーザー光の吸収層としても機能する
ためＡ基板40からの反射による解像度の低下を防止し
ている。また、比誘電率の比較的大きなa-(Sn1-yGey)
1-xCxは室温での暗比抵抗が小さい傾向が見られる。こ
の場合、a-(Sn1-yGey)1-xCx層にＢを添加することによ
り暗比抵抗を高めることができる。例えば、８の比誘電
率をもつa-(Sn1-yGey)1-xCxは〜109Ω・cmと小さいが、
0.01〜10atm％のＢを添加することにより〜1013Ω・cm
に高抵抗化できる。このことにより、更に、階調再現が
可能となり、中間調の再現に優れた印字ができた。
実施例３ 実施例２と同じくa-(Sn1-yGey)1-xCx（０＜y,x＜１）層
41をプラズマCVD法によって形成した。この時、Sn原子
の原料ガスとしてテトラメチルスズ〔(CH3)4Sn〕を用い
て行ない15〜30μｍの膜を得た。室温時の暗比抵抗は10
12〜1013Ω・cmと高い膜が得られ、中間調の再現に優れ
た印字が可能であった。ここで、テトラエチルスズ〔(C
2H5)4Sn〕をSn原子の原料ガスとして用いても同じ結果
が得られた。
41をプラズマCVD法によって形成した。この時、Sn原子
の原料ガスとしてテトラメチルスズ〔(CH3)4Sn〕を用い
て行ない15〜30μｍの膜を得た。室温時の暗比抵抗は10
12〜1013Ω・cmと高い膜が得られ、中間調の再現に優れ
た印字が可能であった。ここで、テトラエチルスズ〔(C
2H5)4Sn〕をSn原子の原料ガスとして用いても同じ結果
が得られた。
また、a-(Sn1-yGey)1-xCx（０＜y,x＜１）層41には水
素，フッ素が含まれ、１〜50atm％で繰り返し使用にも
安定な電子写真感光体が得られた。
素，フッ素が含まれ、１〜50atm％で繰り返し使用にも
安定な電子写真感光体が得られた。
実施例４ 実施例２と同じくプラズマCVD法により膜の形成を行な
った。基板加熱は150〜250℃に制御し第４図に示すよう
にＡドラム基板50上にSiH4を100〜200sccm、水素希釈
をした400ppm濃度のBF3を100〜200sccm、ガス圧力0.2〜
1.0Torr、放電電力100〜400WでＢ添加したＰ型a-Si層51
を0.2〜１μｍ形成した。続いてSiH4を100〜200sccm、
水素希釈をした40ppmのBF3を１〜10sccm、ガス圧力0.2
〜1.0Torr、放電電力100〜400WでＢ添加のｉ型a-Si層52
を１〜２μｍ形成した。更に、SnF2を１〜0.5sccm，SiH
4を１〜２sccm，CH4を150〜200sccmガス圧力0.2〜1.0To
rr，放電電力300〜600Wでa-(Sn1-ySiy)1-xCx（０＜x,y
＜１）層53を10〜20μｍ形成し、電子写真感光体を形成
した。
った。基板加熱は150〜250℃に制御し第４図に示すよう
にＡドラム基板50上にSiH4を100〜200sccm、水素希釈
をした400ppm濃度のBF3を100〜200sccm、ガス圧力0.2〜
1.0Torr、放電電力100〜400WでＢ添加したＰ型a-Si層51
を0.2〜１μｍ形成した。続いてSiH4を100〜200sccm、
水素希釈をした40ppmのBF3を１〜10sccm、ガス圧力0.2
〜1.0Torr、放電電力100〜400WでＢ添加のｉ型a-Si層52
を１〜２μｍ形成した。更に、SnF2を１〜0.5sccm，SiH
4を１〜２sccm，CH4を150〜200sccmガス圧力0.2〜1.0To
rr，放電電力300〜600Wでa-(Sn1-ySiy)1-xCx（０＜x,y
＜１）層53を10〜20μｍ形成し、電子写真感光体を形成
した。
a-Si:H膜の比誘電率は〜11であるのに対し、a-(Sn1-ySi
y)1-xCx膜53は５〜７と小さく、光学的禁止帯幅も2.3〜
3.0eVと大きく光吸収によるロスも少ない。
y)1-xCx膜53は５〜７と小さく、光学的禁止帯幅も2.3〜
3.0eVと大きく光吸収によるロスも少ない。
また、実施例２と同様にＢを0.1〜10atm％添加したa-(S
n1-ySiy)1-xCx膜を用いれば、更に室温での暗比抵抗が
増加し中間調の再現に優れた特徴のある電子写真感光体
が得られた。
n1-ySiy)1-xCx膜を用いれば、更に室温での暗比抵抗が
増加し中間調の再現に優れた特徴のある電子写真感光体
が得られた。
この感光体は、正帯電にて飽和帯電電位1000〜1600Vと
すぐれ、市販の複写機に実装してテストを加えた所、良
好な画像が得られ、20万枚以上の耐刷性が確認された。
すぐれ、市販の複写機に実装してテストを加えた所、良
好な画像が得られ、20万枚以上の耐刷性が確認された。
また、a-(Sn1-ySiy)1-xCx（０＜x,y＜１）層には炭素と
同時に水素、あるいはフッ素が含有されていることは明
らかであり、１〜50atm％の範囲で長寿命の電子写真感
光体が得られた。
同時に水素、あるいはフッ素が含有されていることは明
らかであり、１〜50atm％の範囲で長寿命の電子写真感
光体が得られた。
発明の効果 以上述べてきたように、本発明による光導電体は、電荷
移動層として比誘電率が５〜９のa-Sn1-xCx（０＜ｘ＜
１）、a-(Sn1-ySiy)1-xCx（０＜x,y＜１），a-(Sn1-yGe
y)1-xCx（０＜x,y＜１）を主成分とする層を用いること
により、電荷蓄積モードで使用する電子写真感光体の静
電容量を減少せしめ、光応答の優れた高電圧動作の可能
な優れた感光部材を提供することができる。
移動層として比誘電率が５〜９のa-Sn1-xCx（０＜ｘ＜
１）、a-(Sn1-ySiy)1-xCx（０＜x,y＜１），a-(Sn1-yGe
y)1-xCx（０＜x,y＜１）を主成分とする層を用いること
により、電荷蓄積モードで使用する電子写真感光体の静
電容量を減少せしめ、光応答の優れた高電圧動作の可能
な優れた感光部材を提供することができる。
第１図は本発明の一実施例における感光体の断面図、第
２図は他の実施例の断面図、第３図はレーザービームプ
リンタに好適な実施例の感光体の断面図、第４図は更に
他の実施例における正帯電に好適な感光体の断面図であ
る。 11……アルミニウム基板、12……a-Sn1-xCx層、13……a
-Si層、14……表面被覆層、40……Ａドラム基板、41
……a-(Sn1-yGey)1-xCx層、42……a-SiGe:H:F層、44…
…Si1-xNx層、50……Ａドラム基板、51……a-Si層、5
2……a-Si層、53……a-(Sn1-ySiy)1-xCx層。
２図は他の実施例の断面図、第３図はレーザービームプ
リンタに好適な実施例の感光体の断面図、第４図は更に
他の実施例における正帯電に好適な感光体の断面図であ
る。 11……アルミニウム基板、12……a-Sn1-xCx層、13……a
-Si層、14……表面被覆層、40……Ａドラム基板、41
……a-(Sn1-yGey)1-xCx層、42……a-SiGe:H:F層、44…
…Si1-xNx層、50……Ａドラム基板、51……a-Si層、5
2……a-Si層、53……a-(Sn1-ySiy)1-xCx層。
フロントページの続き (72)発明者 秋山 浩二 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 渡辺 正則 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (56)参考文献 特開 昭59−71060（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−94048（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−94049（ＪＰ，Ａ)
Claims (5)
- 【請求項１】光励起によって移動可能なキャリアを発生
する光導電層と、上記キャリアが効率よく注入され効果
的に輸送される電荷移動層とが支持体上に積層され、上
記電荷移動層が比誘電率５〜９の炭化スズを主成分とす
ることを特徴とする電子写真感光体。 - 【請求項２】電荷移動層に、少なくともゲルマニューム
およびシリコンのいずれかを含む特許請求の範囲第１項
記載の電子写真感光体。 - 【請求項３】電荷移動層が、少なくとも水素あるいはハ
ロゲン原子のいずれかを含有する特許請求の範囲第１項
記載の電子写真感光体。 - 【請求項４】光導電層が、少なくとも水素あるいはハロ
ゲン原子のいずれかを含有し、非晶質シリコン、非晶質
ゲルマニュームあるいは非晶質シリコンゲルマニューム
の内いずれかを主成分とする特許請求の範囲第１項記載
の電子写真感光体。 - 【請求項５】自由表面に表面被覆層を有する、特許請求
の範囲第１項記載の電子写真感光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60275363A JPH0668628B2 (ja) | 1985-12-06 | 1985-12-06 | 電子写真感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60275363A JPH0668628B2 (ja) | 1985-12-06 | 1985-12-06 | 電子写真感光体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62134653A JPS62134653A (ja) | 1987-06-17 |
| JPH0668628B2 true JPH0668628B2 (ja) | 1994-08-31 |
Family
ID=17554432
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60275363A Expired - Lifetime JPH0668628B2 (ja) | 1985-12-06 | 1985-12-06 | 電子写真感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0668628B2 (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5971060A (ja) * | 1982-10-15 | 1984-04-21 | Sanyo Electric Co Ltd | 静電潜像形成部材 |
-
1985
- 1985-12-06 JP JP60275363A patent/JPH0668628B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62134653A (ja) | 1987-06-17 |
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