JPH0666906A - 磁気センサ - Google Patents
磁気センサInfo
- Publication number
- JPH0666906A JPH0666906A JP4218102A JP21810292A JPH0666906A JP H0666906 A JPH0666906 A JP H0666906A JP 4218102 A JP4218102 A JP 4218102A JP 21810292 A JP21810292 A JP 21810292A JP H0666906 A JPH0666906 A JP H0666906A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- permanent magnet
- magnetoresistive element
- package
- magnetic sensor
- support hole
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
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- Measurement Of Length, Angles, Or The Like Using Electric Or Magnetic Means (AREA)
- Transmission And Conversion Of Sensor Element Output (AREA)
- Measuring Magnetic Variables (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 磁気抵抗素子とバイアス磁界発生用の永久磁
石がパッケージに組み込まれてなる磁気センサに関し、
磁気抵抗素子と永久磁石との位置ずれを高精度に補正す
る手段を具えた磁気センサの提供を目的とする。 【構成】 少なくとも基板上に強磁性体薄膜からなる磁
気検出パターンが形成された磁気抵抗素子、磁化方向が
磁気抵抗素子と平行になるよう配置されたバイアス磁界
発生用の永久磁石、および磁気抵抗素子と永久磁石を収
納するパッケージを具えてなる磁気センサにおいて、パ
ッケージ６に磁気抵抗素子１と磁化方向が磁気抵抗素子
１に対して平行な永久磁石５を組み込み、かつ、永久磁
石５をパッケージ６が回動自在に支持してなるように構
成する。
石がパッケージに組み込まれてなる磁気センサに関し、
磁気抵抗素子と永久磁石との位置ずれを高精度に補正す
る手段を具えた磁気センサの提供を目的とする。 【構成】 少なくとも基板上に強磁性体薄膜からなる磁
気検出パターンが形成された磁気抵抗素子、磁化方向が
磁気抵抗素子と平行になるよう配置されたバイアス磁界
発生用の永久磁石、および磁気抵抗素子と永久磁石を収
納するパッケージを具えてなる磁気センサにおいて、パ
ッケージ６に磁気抵抗素子１と磁化方向が磁気抵抗素子
１に対して平行な永久磁石５を組み込み、かつ、永久磁
石５をパッケージ６が回動自在に支持してなるように構
成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は磁気抵抗素子とバイアス
磁界発生用の永久磁石がパッケージに組み込まれてなる
磁気センサに係り、特に磁気抵抗素子と永久磁石との位
置ずれを高精度に補正する手段を具えてなる磁気センサ
に関する。
磁界発生用の永久磁石がパッケージに組み込まれてなる
磁気センサに係り、特に磁気抵抗素子と永久磁石との位
置ずれを高精度に補正する手段を具えてなる磁気センサ
に関する。
【０００２】磁気抵抗素子とバイアス磁界発生用の永久
磁石がパッケージに組み込まれた磁気センサは小型化や
軽量化が可能で、しかも弱い磁界の検出から強い磁界の
検出まで広い範囲で高精度に検出できるため多くの分野
において利用されている。
磁石がパッケージに組み込まれた磁気センサは小型化や
軽量化が可能で、しかも弱い磁界の検出から強い磁界の
検出まで広い範囲で高精度に検出できるため多くの分野
において利用されている。
【０００３】しかし、磁気抵抗素子に方向性がありバイ
アス磁界発生用の永久磁石の方向が予め設定されている
方向からずれると、検出磁界の＋側と−側との対称性が
損なわれると共にバイアスの不平衡に起因する電圧が磁
気抵抗素子から出力される。
アス磁界発生用の永久磁石の方向が予め設定されている
方向からずれると、検出磁界の＋側と−側との対称性が
損なわれると共にバイアスの不平衡に起因する電圧が磁
気抵抗素子から出力される。
【０００４】そこで磁気抵抗素子と永久磁石との位置ず
れを高精度に補正する手段を具えた磁気センサの開発が
要望されている。
れを高精度に補正する手段を具えた磁気センサの開発が
要望されている。
【０００５】
【従来の技術】図５は従来の磁気センサの構造を示す断
面斜視図、図６は磁気抵抗素子型磁気センサの原理を説
明するための図である。
面斜視図、図６は磁気抵抗素子型磁気センサの原理を説
明するための図である。
【０００６】従来の磁気センサは図５に示す如く磁気抵
抗素子１とバイアス磁界発生用の永久磁石２をリードフ
レーム３に載置し、ワイヤー14を介して磁気抵抗素子１
の中継端子13をリードフレーム３に接続したあとモール
ド樹脂4 により固めている。
抗素子１とバイアス磁界発生用の永久磁石２をリードフ
レーム３に載置し、ワイヤー14を介して磁気抵抗素子１
の中継端子13をリードフレーム３に接続したあとモール
ド樹脂4 により固めている。
【０００７】磁気抵抗素子型の磁気センサは図６(a) に
示す如く磁気抵抗素子１とバイアス磁界発生用の永久磁
石２とで構成され、磁気抵抗素子１は基板11上にパーマ
ロイ(Fe-Ni系合金) 等の強磁性体薄膜からなる磁気検出
パターンが形成されている。
示す如く磁気抵抗素子１とバイアス磁界発生用の永久磁
石２とで構成され、磁気抵抗素子１は基板11上にパーマ
ロイ(Fe-Ni系合金) 等の強磁性体薄膜からなる磁気検出
パターンが形成されている。
【０００８】磁気検出パターンは90度づつ方向の異なる
４個のつづら折り状パターン12が中継電極13を介してブ
リッジ状に接続され、矢示の如く対角線上の一対の中継
電極13に基準電圧が入力され他の一対の中継電極13から
出力電圧が取り出される。
４個のつづら折り状パターン12が中継電極13を介してブ
リッジ状に接続され、矢示の如く対角線上の一対の中継
電極13に基準電圧が入力され他の一対の中継電極13から
出力電圧が取り出される。
【０００９】一方、例えば磁気抵抗素子１と平行な直方
体状のバイアス磁界発生用の永久磁石２は長軸方向に磁
化されており、永久磁石２が形成する磁界の中に磁気抵
抗素子１を置くことによって所定の方向の磁束が磁気抵
抗素子１に印加される。
体状のバイアス磁界発生用の永久磁石２は長軸方向に磁
化されており、永久磁石２が形成する磁界の中に磁気抵
抗素子１を置くことによって所定の方向の磁束が磁気抵
抗素子１に印加される。
【００１０】図６(b) において矢印は磁束の方向を示し
つづら折り状パターン12の直線部が共に磁束の方向に対
し45度の場合は、つづら折り状パターン12の抵抗値が等
しく対角線上にある一対の中継電極13から取り出される
出力電圧は０になる。
つづら折り状パターン12の直線部が共に磁束の方向に対
し45度の場合は、つづら折り状パターン12の抵抗値が等
しく対角線上にある一対の中継電極13から取り出される
出力電圧は０になる。
【００１１】しかし、基板11が回転するとつづら折り状
パターン12の抵抗値は対向する一対では増大するが他の
一対では減少する。即ち、中継電極13から出力される電
圧は基板11が 180度回転する毎に（＋）電圧と（−）電
圧の間で増減を繰り返す。
パターン12の抵抗値は対向する一対では増大するが他の
一対では減少する。即ち、中継電極13から出力される電
圧は基板11が 180度回転する毎に（＋）電圧と（−）電
圧の間で増減を繰り返す。
【００１２】外部から印加される磁界の大きさと方向を
検知する磁気センサは永久磁石２により印加されるバイ
アス磁界が平衡し、外部磁束がない状態では出力が０に
なり磁界が印加されると磁束の大きさに比例した電圧が
出力されることが望ましい。
検知する磁気センサは永久磁石２により印加されるバイ
アス磁界が平衡し、外部磁束がない状態では出力が０に
なり磁界が印加されると磁束の大きさに比例した電圧が
出力されることが望ましい。
【００１３】そこで磁気センサは通常つづら折り状パタ
ーン12を有する磁気抵抗素子１に対しバイアス磁界発生
用の永久磁石２を、つづら折り状パターン12の直線部が
共にバイアス磁界の磁束の方向に対して45度になるよう
に配置し平衡させている。
ーン12を有する磁気抵抗素子１に対しバイアス磁界発生
用の永久磁石２を、つづら折り状パターン12の直線部が
共にバイアス磁界の磁束の方向に対して45度になるよう
に配置し平衡させている。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】つづら折り状パターン
の直線部が共にバイアス磁界の磁束の方向に対して45度
になると平衡し出力は０になるが、磁気抵抗素子に対し
永久磁石の方向がずれると基板を回転させた場合と同様
に外部磁界がなくても電圧が出力される。
の直線部が共にバイアス磁界の磁束の方向に対して45度
になると平衡し出力は０になるが、磁気抵抗素子に対し
永久磁石の方向がずれると基板を回転させた場合と同様
に外部磁界がなくても電圧が出力される。
【００１５】しかるに周囲がモールド樹脂によって固め
られた従来の磁気センサには方向のずれた永久磁石を補
正する手段がなく、永久磁石の方向が所定の方向からず
れた磁気センサは全て不良品となるため歩留りが極めて
低いという問題があった。
られた従来の磁気センサには方向のずれた永久磁石を補
正する手段がなく、永久磁石の方向が所定の方向からず
れた磁気センサは全て不良品となるため歩留りが極めて
低いという問題があった。
【００１６】本発明の目的は磁気抵抗素子と永久磁石と
の位置ずれを高精度に補正する手段を具えた磁気センサ
を提供することにある。
の位置ずれを高精度に補正する手段を具えた磁気センサ
を提供することにある。
【００１７】
【課題を解決するための手段】図１は本発明になる磁気
センサの構造を示す断面斜視図である。なお全図を通し
同じ対象物は同一記号で表している。
センサの構造を示す断面斜視図である。なお全図を通し
同じ対象物は同一記号で表している。
【００１８】上記課題は少なくとも基板上に強磁性体薄
膜からなる磁気検出パターンが形成された磁気抵抗素
子、磁化方向が磁気抵抗素子と平行になるよう配置され
たバイアス磁界発生用の永久磁石、および磁気抵抗素子
と永久磁石を収納するパッケージを具えてなる磁気セン
サにおいて、パッケージ６に磁気抵抗素子１と磁化方向
が磁気抵抗素子１に対して平行な永久磁石５を組み込
み、かつ、永久磁石５をパッケージ６が回動自在に支持
してなる本発明の磁気センサによって達成される。
膜からなる磁気検出パターンが形成された磁気抵抗素
子、磁化方向が磁気抵抗素子と平行になるよう配置され
たバイアス磁界発生用の永久磁石、および磁気抵抗素子
と永久磁石を収納するパッケージを具えてなる磁気セン
サにおいて、パッケージ６に磁気抵抗素子１と磁化方向
が磁気抵抗素子１に対して平行な永久磁石５を組み込
み、かつ、永久磁石５をパッケージ６が回動自在に支持
してなる本発明の磁気センサによって達成される。
【００１９】
【作用】図１においてパッケージに磁気抵抗素子と磁化
方向が磁気抵抗素子に対し平行な永久磁石を組み込み、
かつ、永久磁石をパッケージによって回動自在に支持し
てなる本発明の磁気センサは、磁化方向がずれたバイア
ス磁界発生用の永久磁石を所定の方向に補正することが
可能になる。即ち、磁気抵抗素子と永久磁石との位置ず
れを高精度に補正する手段を具えた磁気センサを実現す
ることができる。
方向が磁気抵抗素子に対し平行な永久磁石を組み込み、
かつ、永久磁石をパッケージによって回動自在に支持し
てなる本発明の磁気センサは、磁化方向がずれたバイア
ス磁界発生用の永久磁石を所定の方向に補正することが
可能になる。即ち、磁気抵抗素子と永久磁石との位置ず
れを高精度に補正する手段を具えた磁気センサを実現す
ることができる。
【００２０】
【実施例】以下添付図により本発明の実施例について説
明する。なお図２は本発明の第２の実施例を示す断面斜
視図、図３は本発明の第３の実施例を示す断面斜視図、
図４は本発明の第４の実施例を示す断面斜視図である。
明する。なお図２は本発明の第２の実施例を示す断面斜
視図、図３は本発明の第３の実施例を示す断面斜視図、
図４は本発明の第４の実施例を示す断面斜視図である。
【００２１】本発明の第１の実施例は図１(a) に示す如
くリードフレーム３に載置されてなる磁気抵抗素子１と
パッケージ６を有し、磁気抵抗素子１はリードフレーム
３と共にパッケージ６の一方の面に開口する凹部61に装
着され樹脂等で封止される。
くリードフレーム３に載置されてなる磁気抵抗素子１と
パッケージ６を有し、磁気抵抗素子１はリードフレーム
３と共にパッケージ６の一方の面に開口する凹部61に装
着され樹脂等で封止される。
【００２２】磁気抵抗素子１は基板11上にパーマロイ(F
e-Ni系合金) 等の強磁性体薄膜からなる磁気検出パター
ンが形成され、磁気検出パターンは90度づつ方向の異な
る４個のつづら折り状パターン12が中継電極13を介しブ
リッジ状に接続されている。
e-Ni系合金) 等の強磁性体薄膜からなる磁気検出パター
ンが形成され、磁気検出パターンは90度づつ方向の異な
る４個のつづら折り状パターン12が中継電極13を介しブ
リッジ状に接続されている。
【００２３】なお、磁気抵抗素子１が有する４個の中継
電極13はそれぞれワイヤー14を介してリードフレーム３
に接続されており、対角線上の一対の中継電極13に基準
電圧が入力され他の一対の中継電極13から出力電圧を取
り出すよう構成されている。
電極13はそれぞれワイヤー14を介してリードフレーム３
に接続されており、対角線上の一対の中継電極13に基準
電圧が入力され他の一対の中継電極13から出力電圧を取
り出すよう構成されている。
【００２４】また、図１(b) に示す如くパッケージ６は
凹部61の反対側に開口し内面に円周方向の溝62が形成さ
れた支持孔63を有し、端面にスリワリ71が形成され円筒
面の溝72にＯリング73が装着された円形の支持部材７が
支持孔63に嵌挿されている。
凹部61の反対側に開口し内面に円周方向の溝62が形成さ
れた支持孔63を有し、端面にスリワリ71が形成され円筒
面の溝72にＯリング73が装着された円形の支持部材７が
支持孔63に嵌挿されている。
【００２５】支持部材７を支持孔63に嵌挿すると支持部
材７に装着されたＯリング73が支持孔63の内面に形成さ
れた溝62に嵌入し、支持部材７を回動自在に支持すると
同時にパッケージ６と支持部材７の摩擦を適度に増大せ
しめ調整作業を容易にする。
材７に装着されたＯリング73が支持孔63の内面に形成さ
れた溝62に嵌入し、支持部材７を回動自在に支持すると
同時にパッケージ６と支持部材７の摩擦を適度に増大せ
しめ調整作業を容易にする。
【００２６】パッケージ６に回動自在に支持された支持
部材７はスリワリ71が形成された端面の反対側に凹部74
が形成されており、凹部74にはフェライトからなる永久
磁石５がその磁化方向が隣接する磁気抵抗素子１と平行
になるよう装着されている。
部材７はスリワリ71が形成された端面の反対側に凹部74
が形成されており、凹部74にはフェライトからなる永久
磁石５がその磁化方向が隣接する磁気抵抗素子１と平行
になるよう装着されている。
【００２７】即ち、ドライバの先端を支持孔63の開口部
に露出しているスリワリ71に嵌入し支持部材７を回動さ
せることによって、支持部材７の凹部74に装着された永
久磁石５の磁化方向を左右に回動せしめて所定の方向に
合致させること可能になる。
に露出しているスリワリ71に嵌入し支持部材７を回動さ
せることによって、支持部材７の凹部74に装着された永
久磁石５の磁化方向を左右に回動せしめて所定の方向に
合致させること可能になる。
【００２８】なお、同一磁気抵抗素子であれば永久磁石
の磁界が減少するに伴って検出磁界に対する磁界感度は
大きくなる。即ち、強磁性体薄膜からなる磁気抵抗素子
１の磁界感度とフエライトからなる永久磁石５の残留磁
気は負の温度係数を有し、かかる負の温度係数を有する
磁気抵抗素子１と永久磁石５を組み合わせることによっ
て磁気センサの温度特性を向上させることができる。
の磁界が減少するに伴って検出磁界に対する磁界感度は
大きくなる。即ち、強磁性体薄膜からなる磁気抵抗素子
１の磁界感度とフエライトからなる永久磁石５の残留磁
気は負の温度係数を有し、かかる負の温度係数を有する
磁気抵抗素子１と永久磁石５を組み合わせることによっ
て磁気センサの温度特性を向上させることができる。
【００２９】本発明の第２の実施例は図２に示す如く支
持部材７の支持手段が異なるだけで構造は前記第１の実
施例とほぼ等しく、支持部材７の円筒面に溝72に代えて
ネジ山75が形成され支持孔63の内面には溝62に代えてネ
ジ溝64が形成されている。
持部材７の支持手段が異なるだけで構造は前記第１の実
施例とほぼ等しく、支持部材７の円筒面に溝72に代えて
ネジ山75が形成され支持孔63の内面には溝62に代えてネ
ジ溝64が形成されている。
【００３０】円筒面にネジ山75が形成されてなる支持部
材７を内面にネジ溝64が形成されてなる支持孔63に螺着
することによって、Ｏリング73を用いないで支持部材７
を回動自在に支持しパッケージ６と支持部材７の摩擦を
増大させることができる。
材７を内面にネジ溝64が形成されてなる支持孔63に螺着
することによって、Ｏリング73を用いないで支持部材７
を回動自在に支持しパッケージ６と支持部材７の摩擦を
増大させることができる。
【００３１】本発明の第３の実施例は図３(a) に示す如
くリードフレーム３に載置されてなる磁気抵抗素子１と
パッケージ６を有し、磁気抵抗素子１はリードフレーム
３と共にパッケージ６の一方の面に開口する凹部61に装
着され樹脂等で封止される。
くリードフレーム３に載置されてなる磁気抵抗素子１と
パッケージ６を有し、磁気抵抗素子１はリードフレーム
３と共にパッケージ６の一方の面に開口する凹部61に装
着され樹脂等で封止される。
【００３２】また、パッケージ６は図３(b) に示す如く
凹部61の反対側に内面に円周方向の溝65が形成されてな
る支持孔66を有し、端面にスリワリ51が形成され円筒面
の溝52にＯリング53が装着された円柱上の永久磁石５が
支持孔66に嵌挿されている。
凹部61の反対側に内面に円周方向の溝65が形成されてな
る支持孔66を有し、端面にスリワリ51が形成され円筒面
の溝52にＯリング53が装着された円柱上の永久磁石５が
支持孔66に嵌挿されている。
【００３３】永久磁石５を支持孔66に嵌挿すると永久磁
石５に装着されたＯリング53が支持孔66の内面に形成さ
れた溝65に嵌入し、永久磁石５を回動自在に支持すると
同時にパッケージ６と永久磁石５の摩擦を適度に増大せ
しめ調整作業を容易にする。
石５に装着されたＯリング53が支持孔66の内面に形成さ
れた溝65に嵌入し、永久磁石５を回動自在に支持すると
同時にパッケージ６と永久磁石５の摩擦を適度に増大せ
しめ調整作業を容易にする。
【００３４】フェライトからなり直径方向に磁化された
永久磁石５をスリワリ51が開口部に露出するよう支持孔
66に嵌挿すると、永久磁石５のスリワリ51が形成されて
いない端面が磁気抵抗素子１に対向しその磁化方向は磁
気抵抗素子１と平行になる。
永久磁石５をスリワリ51が開口部に露出するよう支持孔
66に嵌挿すると、永久磁石５のスリワリ51が形成されて
いない端面が磁気抵抗素子１に対向しその磁化方向は磁
気抵抗素子１と平行になる。
【００３５】ドライバの先端をスリワリ51に嵌挿し回動
させることで永久磁石５の磁化方向を任意の方向にずら
すことができる。かかる第３の実施例は前記第１、第２
の実施例に比べ支持部材７が介在しないため小型化を図
る上で極めて有利である。
させることで永久磁石５の磁化方向を任意の方向にずら
すことができる。かかる第３の実施例は前記第１、第２
の実施例に比べ支持部材７が介在しないため小型化を図
る上で極めて有利である。
【００３６】本発明の第４の実施例は図４に示す如く永
久磁石５の支持手段が異なるだけで構造は前記第３の実
施例とほぼ等しく、永久磁石５の円筒面に溝52に代えて
ネジ山55が形成され支持孔66の内面には溝65に代えてネ
ジ溝67が形成されている。
久磁石５の支持手段が異なるだけで構造は前記第３の実
施例とほぼ等しく、永久磁石５の円筒面に溝52に代えて
ネジ山55が形成され支持孔66の内面には溝65に代えてネ
ジ溝67が形成されている。
【００３７】円筒面にネジ山55が形成されてなる永久磁
石５を内面にネジ溝67が形成されてなる支持孔66に螺着
することによって、Ｏリング53を用いないで永久磁石５
を回動自在に支持しパッケージ６と永久磁石５の摩擦を
増大させることができる。
石５を内面にネジ溝67が形成されてなる支持孔66に螺着
することによって、Ｏリング53を用いないで永久磁石５
を回動自在に支持しパッケージ６と永久磁石５の摩擦を
増大させることができる。
【００３８】このようにパッケージに磁気抵抗素子と磁
化方向が磁気抵抗素子に対し平行な永久磁石を組み込
み、かつ、永久磁石をパッケージによって回動自在に支
持してなる本発明の磁気センサは、磁化方向がずれたバ
イアス磁界発生用の永久磁石を所定の方向に補正するこ
とが可能になる。即ち、磁気抵抗素子と永久磁石との位
置ずれを高精度に補正する手段を具えた磁気センサを実
現することができる。
化方向が磁気抵抗素子に対し平行な永久磁石を組み込
み、かつ、永久磁石をパッケージによって回動自在に支
持してなる本発明の磁気センサは、磁化方向がずれたバ
イアス磁界発生用の永久磁石を所定の方向に補正するこ
とが可能になる。即ち、磁気抵抗素子と永久磁石との位
置ずれを高精度に補正する手段を具えた磁気センサを実
現することができる。
【００３９】
【発明の効果】上述の如く本発明によれば磁気抵抗素子
と永久磁石との位置ずれを高精度に補正する手段を具え
た磁気センサを提供することができる。
と永久磁石との位置ずれを高精度に補正する手段を具え
た磁気センサを提供することができる。
【図１】 本発明になる磁気センサの構造を示す断面斜
視図である。
視図である。
【図２】 本発明の第２の実施例を示す断面斜視図であ
る。
る。
【図３】 本発明の第３の実施例を示す断面斜視図であ
る。
る。
【図４】 本発明の第４の実施例を示す断面斜視図であ
る。
る。
【図５】 従来の磁気センサの構造を示す断面斜視図で
ある。
ある。
【図６】 磁気抵抗素子型磁気センサの原理を説明する
ための図である。
ための図である。
１ 磁気抵抗素子 ３ リードフレ
ーム ５ 永久磁石 ６ パッケージ ７ 支持部材 11 基板 12 つづら折り状パターン 13 中継電極 14 ワイヤー 51 スリワリ 52 溝 53 Ｏリング 55、75 ネジ山 61 凹部 62 溝 63 支持孔 64、67 ネジ溝 65 溝 66 支持孔 71 スリワリ 72 溝 73 Ｏリング 74 凹部
ーム ５ 永久磁石 ６ パッケージ ７ 支持部材 11 基板 12 つづら折り状パターン 13 中継電極 14 ワイヤー 51 スリワリ 52 溝 53 Ｏリング 55、75 ネジ山 61 凹部 62 溝 63 支持孔 64、67 ネジ溝 65 溝 66 支持孔 71 スリワリ 72 溝 73 Ｏリング 74 凹部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 倉島 茂美 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内
Claims (6)
- 【請求項１】 少なくとも基板上に強磁性体薄膜からな
る磁気検出パターンが形成された磁気抵抗素子、磁化方
向が該磁気抵抗素子と平行になるよう配置されたバイア
ス磁界発生用の永久磁石、および該磁気抵抗素子と該永
久磁石を収納するパッケージを具えてなる磁気センサに
おいて、 パッケージ(6) に磁気抵抗素子(1) と磁化方向が該磁気
抵抗素子(1) に対して平行な永久磁石(5) を組み込み、
かつ、該永久磁石(5) を該パッケージ(6) によって回動
自在に支持してなることを特徴とする磁気センサ。 - 【請求項２】 請求項１記載の永久磁石(5) がフェライ
トからなることを特徴とする磁気センサ。 - 【請求項３】 請求項１記載の永久磁石(5) が一方の面
に十字穴またはスリワリ(71)を具えた円形の支持部材
(7) に装着され、該支持部材(7) がパッケージ(6) に設
けられた支持孔(63)に嵌挿されてなることを特徴とする
磁気センサ。 - 【請求項４】 請求項３記載の支持部材(7) が円筒面に
ネジ山(75)を有し支持孔(63)が内面にネジ溝(64)を有す
ることを特徴とする磁気センサ。 - 【請求項５】 請求項１記載の永久磁石(5) が円柱状で
一方の端面に十字穴またはスリワリ(51)が形成され、か
つ、パッケージ(6) に設けられた支持孔(66)に嵌挿され
てなることを特徴とする磁気センサ。 - 【請求項６】 請求項５記載の永久磁石(5) が円筒面に
ネジ山(55)を有し支持孔(66)が内面にネジ溝(64)を有す
ることを特徴とする磁気センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4218102A JPH0666906A (ja) | 1992-08-18 | 1992-08-18 | 磁気センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4218102A JPH0666906A (ja) | 1992-08-18 | 1992-08-18 | 磁気センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0666906A true JPH0666906A (ja) | 1994-03-11 |
Family
ID=16714667
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4218102A Withdrawn JPH0666906A (ja) | 1992-08-18 | 1992-08-18 | 磁気センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0666906A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004233103A (ja) * | 2003-01-28 | 2004-08-19 | Denso Corp | 回転検出磁気センサ及びその製造方法 |
| JP2010145285A (ja) * | 2008-12-19 | 2010-07-01 | Alps Electric Co Ltd | 磁気検出装置及びその製造方法 |
-
1992
- 1992-08-18 JP JP4218102A patent/JPH0666906A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004233103A (ja) * | 2003-01-28 | 2004-08-19 | Denso Corp | 回転検出磁気センサ及びその製造方法 |
| JP2010145285A (ja) * | 2008-12-19 | 2010-07-01 | Alps Electric Co Ltd | 磁気検出装置及びその製造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19991102 |