JPH0666787B2 - 返信信号発生回路 - Google Patents
返信信号発生回路Info
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- JPH0666787B2 JPH0666787B2 JP9531186A JP9531186A JPH0666787B2 JP H0666787 B2 JPH0666787 B2 JP H0666787B2 JP 9531186 A JP9531186 A JP 9531186A JP 9531186 A JP9531186 A JP 9531186A JP H0666787 B2 JPH0666787 B2 JP H0666787B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 この発明は、トロリーバスダクト等の移動電路や配線ダ
クト等の導体を利用して親器と複数の端末器によってデ
ジタルサイクリック方式の信号伝送を行う遠隔多重伝送
装置の端末器内に設置される返信信号発生回路に関する
ものである。
クト等の導体を利用して親器と複数の端末器によってデ
ジタルサイクリック方式の信号伝送を行う遠隔多重伝送
装置の端末器内に設置される返信信号発生回路に関する
ものである。
この遠隔多重伝送装置における伝送方式は、サイクリッ
ク時分割方式である。これは、各端末器に固有アドレス
を与え、親器と各端末器とが順次サイクリックにパルス
信号を送受信する方式である。
ク時分割方式である。これは、各端末器に固有アドレス
を与え、親器と各端末器とが順次サイクリックにパルス
信号を送受信する方式である。
第２図によって説明すると、まず最初に親器Ｐは、端末
器１との間で送受信を行い、つぎに端末器２との間で送
受信を行い、以下端末器３，４，………，Ｎ−１，Ｎと
の間で順次送受信を行い、この後端末器１，２，……
…，Ｎとの間で送受信を順次行う。すなわち、この遠隔
多重伝送装置は親器Ｐと複数の端末器１，２，………，
Ｎとの間でサイクリックに時分割で信号伝送を行うこと
になる。
器１との間で送受信を行い、つぎに端末器２との間で送
受信を行い、以下端末器３，４，………，Ｎ−１，Ｎと
の間で順次送受信を行い、この後端末器１，２，……
…，Ｎとの間で送受信を順次行う。すなわち、この遠隔
多重伝送装置は親器Ｐと複数の端末器１，２，………，
Ｎとの間でサイクリックに時分割で信号伝送を行うこと
になる。
第３図に親器Ｐと端末器、例えば１のブロック図を示
す。この図において、Ｐ１は多重伝送処理回路、Ｐ２は
多重伝送出力回路、Ｐ３は多重伝送入力回路、Ｐ４は異
常検出回路、１Ａは多重伝送処理回路、１Ｂは多重伝送
検出回路、１Ｃは返信信号発生回路、１Ｄはオン／オフ
信号入力回路、１Ｅはオン／オフ信号出力回路、１Ｆは
異常検出回路である。ＬＮは信号線である。
す。この図において、Ｐ１は多重伝送処理回路、Ｐ２は
多重伝送出力回路、Ｐ３は多重伝送入力回路、Ｐ４は異
常検出回路、１Ａは多重伝送処理回路、１Ｂは多重伝送
検出回路、１Ｃは返信信号発生回路、１Ｄはオン／オフ
信号入力回路、１Ｅはオン／オフ信号出力回路、１Ｆは
異常検出回路である。ＬＮは信号線である。
以下、この図に基づいて、親器Ｐがある一つの端末器１
と送受信をする場合の動作説明をする。
と送受信をする場合の動作説明をする。
多重伝送処理回路（マイクロコンピュータを含む）Ｐ１
により、生成された端末器１への制御信号（監視信号）
は、多重伝送出力回路Ｐ２により、ある電圧のパルス信
号に変換され、またノイズ対策のための処理（例えばパ
ルスの立上り、立下りに傾斜をもたせる）が施されたの
ち信号線ＬＮに出力される。このパルス信号は、端末器
１の多重伝送検出回路１Ｂに入力され、変換後、多重伝
送処理回路１Ａに入力される。多重伝送処理回路1Aは、
その信号が自端末器１の固有アドレスへの信号であるか
どうかを判断する。一致した場合、制御信号であれば、
オン／オフ信号出力回路１Ｅにその制御内容を出力し、
オン／オフ信号出力回路１Ｅは、リレー，トランジスタ
等を駆動し、外部に出力する。
により、生成された端末器１への制御信号（監視信号）
は、多重伝送出力回路Ｐ２により、ある電圧のパルス信
号に変換され、またノイズ対策のための処理（例えばパ
ルスの立上り、立下りに傾斜をもたせる）が施されたの
ち信号線ＬＮに出力される。このパルス信号は、端末器
１の多重伝送検出回路１Ｂに入力され、変換後、多重伝
送処理回路１Ａに入力される。多重伝送処理回路1Aは、
その信号が自端末器１の固有アドレスへの信号であるか
どうかを判断する。一致した場合、制御信号であれば、
オン／オフ信号出力回路１Ｅにその制御内容を出力し、
オン／オフ信号出力回路１Ｅは、リレー，トランジスタ
等を駆動し、外部に出力する。
監視入力の場合は、外部からのオン／オフ情報をオン／
オフ信号入力回路１Ｄにより入力し、多重伝送処理回路
１Ａに出力する。多重伝送処理回路１Ａは、自らが行っ
た制御内容（オン／オフ信号出力回路１Ｅに出力した内
容）または監視内容（オン／オフ信号入力回路１Ｄより
入力した内容）を返信信号発生回路１Ｃにより電流パル
ス信号として親器Ｐに返信する。親器Ｐは、この端末器
１からの電流パルス信号を多重伝送入力回路Ｐ３で入力
し、変換後、多重伝送処理回路Ｐ１に出力する。なお、
返信期間は親器Ｐによって一対の信号線ｌ１，ｌ２間に
電圧が印加されている。
オフ信号入力回路１Ｄにより入力し、多重伝送処理回路
１Ａに出力する。多重伝送処理回路１Ａは、自らが行っ
た制御内容（オン／オフ信号出力回路１Ｅに出力した内
容）または監視内容（オン／オフ信号入力回路１Ｄより
入力した内容）を返信信号発生回路１Ｃにより電流パル
ス信号として親器Ｐに返信する。親器Ｐは、この端末器
１からの電流パルス信号を多重伝送入力回路Ｐ３で入力
し、変換後、多重伝送処理回路Ｐ１に出力する。なお、
返信期間は親器Ｐによって一対の信号線ｌ１，ｌ２間に
電圧が印加されている。
以上のようにして、親器Ｐは個々の端末器１〜Ｎと送受
信を行う。
信を行う。
なお、親器Ｐの異常検出回路Ｐ４は、多重伝送処理回路
Ｐ３に入力された例えば端末器１からの異常（過電流返
信、信号線短絡等）を検出する。また、端末器１の異常
検出回路１Ｆは、信号線LNの短絡、解放を検出する。ま
た、信号線ＬＮを通して送る信号電圧は６０〜２００Ｖ
程度である。
Ｐ３に入力された例えば端末器１からの異常（過電流返
信、信号線短絡等）を検出する。また、端末器１の異常
検出回路１Ｆは、信号線LNの短絡、解放を検出する。ま
た、信号線ＬＮを通して送る信号電圧は６０〜２００Ｖ
程度である。
上記のような遠隔多重伝送装置における端末器の返信信
号発生回路は、第４図に示すように、第３図における信
号線ＬＮを構成する２本の信号線ｌ１，ｌ２に端子
Ｓ１，Ｓ２をそれぞれ接続した定電流スイッチ回路Ｉ
と、返信信号ＲＥＴのレベルに応じて定電流スイッチ回
路Ｉをオン／オフさせる制御回路IIとで構成される。
号発生回路は、第４図に示すように、第３図における信
号線ＬＮを構成する２本の信号線ｌ１，ｌ２に端子
Ｓ１，Ｓ２をそれぞれ接続した定電流スイッチ回路Ｉ
と、返信信号ＲＥＴのレベルに応じて定電流スイッチ回
路Ｉをオン／オフさせる制御回路IIとで構成される。
上記返信信号発生回路において、定電流スイッチ回路Ｉ
は、ダイオードブリッジＤＢ１の直流端にＮＰＮトラン
ジスタＴＲ１および抵抗Ｒ１を直列に接続し、同じくダ
イオードブリッジＤＢ１の直流端に抵抗Ｒ２およびツェ
ナーダイオードＺＤ１の直列回路を接続し、抵抗Ｒ２お
よびツェナーダイオードＺＤ１の接続点をＮＰＮトラン
ジスタＴＲ１のベースに接続し、ダイオードブリッジＤ
Ｂ１の交流端に端子Ｓ１，Ｓ２を設けたものである。
は、ダイオードブリッジＤＢ１の直流端にＮＰＮトラン
ジスタＴＲ１および抵抗Ｒ１を直列に接続し、同じくダ
イオードブリッジＤＢ１の直流端に抵抗Ｒ２およびツェ
ナーダイオードＺＤ１の直列回路を接続し、抵抗Ｒ２お
よびツェナーダイオードＺＤ１の接続点をＮＰＮトラン
ジスタＴＲ１のベースに接続し、ダイオードブリッジＤ
Ｂ１の交流端に端子Ｓ１，Ｓ２を設けたものである。
制御回路IIは、ダイオードブリッジＤＢ１の直流端に抵
抗Ｒ３およびフォトカプラＰＣ１のホトトランジスタＱ
１の直列回路を接続し、ツェナーダイオードＺＤ１にＮ
ＰＮトランジスタＴＲ２を並列に接続し、抵抗Ｒ３とホ
トトランジスタＱ１の接続点をＮＰＮトランジスタＴＲ
２のベースに接続した回路に加えて、電源電圧ＶＥが印
加された端子Ｆに接続した抵抗Ｒ４とフォトカプラＰＣ
１の発光ダイオードＤ１とＮＰＮトランジスタからなる
スイッチ素子ＴＲ３とを直列に接続し、返信信号ＲＥＴ
の入力端子Ｅに抵抗Ｒ５の一端を接続し、抵抗Ｒ５の他
端をスイッチ素子ＴＲ３のベースに接続した回路を有し
ている。なお、スイッチ素子ＴＲ３のエミッタ側は接地
されている。
抗Ｒ３およびフォトカプラＰＣ１のホトトランジスタＱ
１の直列回路を接続し、ツェナーダイオードＺＤ１にＮ
ＰＮトランジスタＴＲ２を並列に接続し、抵抗Ｒ３とホ
トトランジスタＱ１の接続点をＮＰＮトランジスタＴＲ
２のベースに接続した回路に加えて、電源電圧ＶＥが印
加された端子Ｆに接続した抵抗Ｒ４とフォトカプラＰＣ
１の発光ダイオードＤ１とＮＰＮトランジスタからなる
スイッチ素子ＴＲ３とを直列に接続し、返信信号ＲＥＴ
の入力端子Ｅに抵抗Ｒ５の一端を接続し、抵抗Ｒ５の他
端をスイッチ素子ＴＲ３のベースに接続した回路を有し
ている。なお、スイッチ素子ＴＲ３のエミッタ側は接地
されている。
入力端子Ｅより入力された返信信号ＲＥＴがレベルの
ときは、制御回路IIのスイッチ素子ＴＲ３がオンとな
り、ホトカプラＰＣ１の発光ダイオードＤ１が点灯して
ホトトランジスタＱ１がオンとなり、したがってＮＰＮ
トランジスタＴＲ２がオフとなり、ＮＰＮトランジスタ
ＴＲ１が能動状態となり、ＮＰＮトランジスタＴＲ１と
ツェナーダイオードＺＤ１と抵抗Ｒ１とで定電流回路が
形成され、定電流スイッチ回路Ｉにおけるダイオードブ
リッジＤＢ１を経由して端子Ｓ１，Ｓ２から信号線
ｌ１，ｌ２を通じて返信信号ＲＥＴのレベルに対応し
た返信信号電流が親器Ｐへ流れる。
ときは、制御回路IIのスイッチ素子ＴＲ３がオンとな
り、ホトカプラＰＣ１の発光ダイオードＤ１が点灯して
ホトトランジスタＱ１がオンとなり、したがってＮＰＮ
トランジスタＴＲ２がオフとなり、ＮＰＮトランジスタ
ＴＲ１が能動状態となり、ＮＰＮトランジスタＴＲ１と
ツェナーダイオードＺＤ１と抵抗Ｒ１とで定電流回路が
形成され、定電流スイッチ回路Ｉにおけるダイオードブ
リッジＤＢ１を経由して端子Ｓ１，Ｓ２から信号線
ｌ１，ｌ２を通じて返信信号ＲＥＴのレベルに対応し
た返信信号電流が親器Ｐへ流れる。
また、前記の返信信号ＲＥＴが低レベルのときは、ＮＰ
ＮトランジスタＴＲ１がオフとなるが、制御回路IIのＮ
ＰＮトランジスタＴＲ２がオンとなるため、抵抗Ｒ２に
電流が流れるから、定電流スイッチ回路Ｉにおけるダイ
オードブリッジＤＢ１を経由して、端子Ｓ１，Ｓ２から
一対の信号線ｌ１，ｌ２を通じて、低レベルの返信信号
電流が親器Ｐへ流れる。この返信信号ＲＥＴが低レベル
のときに流れる返信信号電流は抵抗Ｒ２およびＮＰＮト
ランジスタＴＲ２で制約された値となる。
ＮトランジスタＴＲ１がオフとなるが、制御回路IIのＮ
ＰＮトランジスタＴＲ２がオンとなるため、抵抗Ｒ２に
電流が流れるから、定電流スイッチ回路Ｉにおけるダイ
オードブリッジＤＢ１を経由して、端子Ｓ１，Ｓ２から
一対の信号線ｌ１，ｌ２を通じて、低レベルの返信信号
電流が親器Ｐへ流れる。この返信信号ＲＥＴが低レベル
のときに流れる返信信号電流は抵抗Ｒ２およびＮＰＮト
ランジスタＴＲ２で制約された値となる。
このような従来の返信信号発生回路は、端末器における
多重伝送処理回路と信号線ｌ１，ｌ２とを絶縁するため
にホトカプラＰＣ１を使用しているが、このホトカプラ
ＰＣ１は受光素子がホトトランジスタＱ１で構成されて
いたため、応答速度が遅いという問題があった。
多重伝送処理回路と信号線ｌ１，ｌ２とを絶縁するため
にホトカプラＰＣ１を使用しているが、このホトカプラ
ＰＣ１は受光素子がホトトランジスタＱ１で構成されて
いたため、応答速度が遅いという問題があった。
このような問題を解決する目的で、第５図に示すような
返信信号発生回路が提案されている。この返信信号発生
回路は、第５図に示すように、一対の信号線ｌ１，ｌ２
に一対の交流端をそれぞれ接続したダイオードブリッジ
ＤＢ１と、このダイオードブリッジＤＢ１の正側直流端
に一端を接続した第１および第２の抵抗Ｒ７，Ｒ８の直
列回路と、この第１および第２の抵抗Ｒ７，Ｒ８の直列
回路の他端にコレクタを接続し前記ダイオードブリッジ
ＤＢ１の負側直流端にエミッタを接続した第１のＮＰＮ
トランジスタＴＲ４と、前記第１および第２の抵抗
Ｒ７，Ｒ８の接続点と前記第１のＮＰＮトランジスタＴ
Ｒ４のエミッタとの間に接続した平滑コンデンサＣ
１と、前記第１および第２の抵抗Ｒ７，Ｒ８の接続点と
前記第１のＮＰＮトランジスタＴＲ４のベースとの間に
ホトダイオードＤ３を接続したホトカプラＰＣ２と、こ
のホトカプラＰＣ２の発光ダイオードＤ２と直列接続し
て返信信号ＲＥＴのレベルに応じてオンオフするスイッ
チ素子ＴＲ３と、前記第１のＮＰＮトランジスタＴＲ４
のコレクタおよびエミッタにベースおよびエミッタをそ
れぞれ接続した第２のＮＰＮトランジスタＴＲ２と、こ
の第２のＮＰＮトランジスタＴＲ２のコレクタおよびエ
ミッタにベースおよびエミッタをそれぞれ接続しコレク
タおよびエミッタを前記ダイオードブリッジＤＢ１の正
側直流端および負側直流端にそれぞれ接続した第３のＮ
ＰＮトランジスタＴＲ１とを備えている。
返信信号発生回路が提案されている。この返信信号発生
回路は、第５図に示すように、一対の信号線ｌ１，ｌ２
に一対の交流端をそれぞれ接続したダイオードブリッジ
ＤＢ１と、このダイオードブリッジＤＢ１の正側直流端
に一端を接続した第１および第２の抵抗Ｒ７，Ｒ８の直
列回路と、この第１および第２の抵抗Ｒ７，Ｒ８の直列
回路の他端にコレクタを接続し前記ダイオードブリッジ
ＤＢ１の負側直流端にエミッタを接続した第１のＮＰＮ
トランジスタＴＲ４と、前記第１および第２の抵抗
Ｒ７，Ｒ８の接続点と前記第１のＮＰＮトランジスタＴ
Ｒ４のエミッタとの間に接続した平滑コンデンサＣ
１と、前記第１および第２の抵抗Ｒ７，Ｒ８の接続点と
前記第１のＮＰＮトランジスタＴＲ４のベースとの間に
ホトダイオードＤ３を接続したホトカプラＰＣ２と、こ
のホトカプラＰＣ２の発光ダイオードＤ２と直列接続し
て返信信号ＲＥＴのレベルに応じてオンオフするスイッ
チ素子ＴＲ３と、前記第１のＮＰＮトランジスタＴＲ４
のコレクタおよびエミッタにベースおよびエミッタをそ
れぞれ接続した第２のＮＰＮトランジスタＴＲ２と、こ
の第２のＮＰＮトランジスタＴＲ２のコレクタおよびエ
ミッタにベースおよびエミッタをそれぞれ接続しコレク
タおよびエミッタを前記ダイオードブリッジＤＢ１の正
側直流端および負側直流端にそれぞれ接続した第３のＮ
ＰＮトランジスタＴＲ１とを備えている。
この提案例における第４図の回路との相違点は、制御回
路IIに代えて、制御回路II′を用いたことであり、具体
的には、ホトトランジスタ型のホトカプラＰＣ１に代え
てＰＮホトダイオード型のホトカプラＰＣ２を用いたこ
と、およびホトカプラＰＣ２の受光素子であるホトダイ
オードＤ３を適正に動作させるための適正なバイアス電
圧を安定して与える抵抗Ｒ７，Ｒ８と平滑コンデンサＣ
１を設けたこと、およびホトダイオードＤ３に応答して
オンオフするＮＰＮトランジスタＴＲ４を設けたこと、
およびＮＰＮトランジスタＴＲ１のコレクタ側に抵抗Ｒ
６を介挿したことで、その他の構成は第４図と同じであ
る。
路IIに代えて、制御回路II′を用いたことであり、具体
的には、ホトトランジスタ型のホトカプラＰＣ１に代え
てＰＮホトダイオード型のホトカプラＰＣ２を用いたこ
と、およびホトカプラＰＣ２の受光素子であるホトダイ
オードＤ３を適正に動作させるための適正なバイアス電
圧を安定して与える抵抗Ｒ７，Ｒ８と平滑コンデンサＣ
１を設けたこと、およびホトダイオードＤ３に応答して
オンオフするＮＰＮトランジスタＴＲ４を設けたこと、
およびＮＰＮトランジスタＴＲ１のコレクタ側に抵抗Ｒ
６を介挿したことで、その他の構成は第４図と同じであ
る。
この回路においては、返信信号ＲＥＴがレベルのとき
は、スイッチ素子ＴＲ３がオンとなってホトカプラＰＣ
２の発光ダイオードＤ２が点灯し、したがってホトダイ
オードＤ３が導通し、ＮＰＮトランジスタＴＲ４がオン
となり、ＮＰＮトランジスタＴＲ２がオフとなる。一
方、返信信号RETが低レベルのときは、スイッチ素子Ｔ
Ｒ３がオフで、発光ダイオードＤ２が消灯し、したがっ
てホトダイオードＤ３が遮断し、ＮＰＮトランジスタＴ
Ｒ４がオフで、ＮＰＮトランジスタＴＲ２がオンとな
る。その他の動作は第４図と同様である。
は、スイッチ素子ＴＲ３がオンとなってホトカプラＰＣ
２の発光ダイオードＤ２が点灯し、したがってホトダイ
オードＤ３が導通し、ＮＰＮトランジスタＴＲ４がオン
となり、ＮＰＮトランジスタＴＲ２がオフとなる。一
方、返信信号RETが低レベルのときは、スイッチ素子Ｔ
Ｒ３がオフで、発光ダイオードＤ２が消灯し、したがっ
てホトダイオードＤ３が遮断し、ＮＰＮトランジスタＴ
Ｒ４がオフで、ＮＰＮトランジスタＴＲ２がオンとな
る。その他の動作は第４図と同様である。
このように、受光素子としてホトダイオードＤ３を有す
るホトカプラＰＣ２を用いると、従来例のようにホトト
ランジスタＱ１を受光素子として有するホトカプラＰＣ
１を用いるのに比べて応答速度を速くすることができ
る。
るホトカプラＰＣ２を用いると、従来例のようにホトト
ランジスタＱ１を受光素子として有するホトカプラＰＣ
１を用いるのに比べて応答速度を速くすることができ
る。
また、ホトカプラＰＣ２のホトダイオードＤ３に抵抗Ｒ
７，Ｒ８で分圧し、かつ平滑コンデンサＣ１で平滑した
電圧をバイアス電圧として加えているので、バイアス電
圧が適正な値に設定できるとともに安定し、ホトカプラ
ＰＣ２の動作点の安定化が可能となり、良好なスイッチ
ング特性をＮＰＮトランジスタＴＲ４にもたせることが
できる。
７，Ｒ８で分圧し、かつ平滑コンデンサＣ１で平滑した
電圧をバイアス電圧として加えているので、バイアス電
圧が適正な値に設定できるとともに安定し、ホトカプラ
ＰＣ２の動作点の安定化が可能となり、良好なスイッチ
ング特性をＮＰＮトランジスタＴＲ４にもたせることが
できる。
しかし、このような第５図の返信信号発生回路では、親
器との交信初期において、平滑コンデンサＣ１が充電さ
れるまでの間ＮＰＮトランジスタＴＲ２のベース電位が
正常に供給されず、この結果ＮＰＮトランジスタＴＲ１
が定電流動作を行い、パルス幅の広い不要パルスを発生
させるという問題があった。
器との交信初期において、平滑コンデンサＣ１が充電さ
れるまでの間ＮＰＮトランジスタＴＲ２のベース電位が
正常に供給されず、この結果ＮＰＮトランジスタＴＲ１
が定電流動作を行い、パルス幅の広い不要パルスを発生
させるという問題があった。
この発明の目的は、交信初期におけるパルス幅の長い不
要パルスの発生を防止することができる返信信号発生回
路を提供することである。
要パルスの発生を防止することができる返信信号発生回
路を提供することである。
この発明の返信信号発生回路は、親器と各々異なる固有
アドレスが設定された複数の端末器とを一対の信号線で
接続し、 前記親器よりアドレス信号を含む送信信号を電圧信号と
して前記一対の信号線に送り出すとともに前記端末器で
は前記送信信号を受信し前記送信信号中のアドレス信号
と自己の固有アドレスとの一致に応答して返信信号を電
流信号として前記一対の信号線に送り出すように構成し
た遠隔多重伝送装置において、前記端末器内に設置され
る返信信号発生回路であって、 前記一対の信号線に一対の交流端をそれぞれ接続したダ
イオードブリッジと、このダイオードブリッジの正側直
流端に一端を接続した第１および第２の抵抗の直列回路
と、この第１および第２の抵抗の直列回路の他端にコレ
クタを接続し前記ダイオードブリッジの負側直流端にエ
ミッタを接続したＮＰＮトランジスタと、前記ダイオー
ドブリッジの正側直流端に一端を接続した第３の抵抗
と、この第３の抵抗の他端と前記第１のＮＰＮトランジ
スタのエミッタとの間に接続した平滑コンデンサと、前
記第１および第２の抵抗の接続点にカソードを接続し前
記第３の分圧抵抗および平滑コンデンサの接続点にアノ
ードを接続したダイオードと、前記第１および第２の抵
抗の接続点と前記第１のＮＰＮトランジスタのベースと
の間にホトダイオードを接続したホトカプラと、このホ
トカプラの発光ダイオードと直列接続して返信信号のレ
ベルに応じてオンオフするスイッチ素子と、前記第１の
ＮＰＮトランジスタのコレクタおよびエミッタにベース
およびエミッタをそれぞれ接続した第２のＮＰＮトラン
ジスタと、この第２のＮＰＮトランジスタのコレクタお
よびエミッタにベースおよびエミッタをそれぞれ接続し
コレクタおよびエミッタを前記ダイオードブリッジの正
側直流端および負側直流端にそれぞれ接続した第３のＮ
ＰＮトランジスタとを備えている。
アドレスが設定された複数の端末器とを一対の信号線で
接続し、 前記親器よりアドレス信号を含む送信信号を電圧信号と
して前記一対の信号線に送り出すとともに前記端末器で
は前記送信信号を受信し前記送信信号中のアドレス信号
と自己の固有アドレスとの一致に応答して返信信号を電
流信号として前記一対の信号線に送り出すように構成し
た遠隔多重伝送装置において、前記端末器内に設置され
る返信信号発生回路であって、 前記一対の信号線に一対の交流端をそれぞれ接続したダ
イオードブリッジと、このダイオードブリッジの正側直
流端に一端を接続した第１および第２の抵抗の直列回路
と、この第１および第２の抵抗の直列回路の他端にコレ
クタを接続し前記ダイオードブリッジの負側直流端にエ
ミッタを接続したＮＰＮトランジスタと、前記ダイオー
ドブリッジの正側直流端に一端を接続した第３の抵抗
と、この第３の抵抗の他端と前記第１のＮＰＮトランジ
スタのエミッタとの間に接続した平滑コンデンサと、前
記第１および第２の抵抗の接続点にカソードを接続し前
記第３の分圧抵抗および平滑コンデンサの接続点にアノ
ードを接続したダイオードと、前記第１および第２の抵
抗の接続点と前記第１のＮＰＮトランジスタのベースと
の間にホトダイオードを接続したホトカプラと、このホ
トカプラの発光ダイオードと直列接続して返信信号のレ
ベルに応じてオンオフするスイッチ素子と、前記第１の
ＮＰＮトランジスタのコレクタおよびエミッタにベース
およびエミッタをそれぞれ接続した第２のＮＰＮトラン
ジスタと、この第２のＮＰＮトランジスタのコレクタお
よびエミッタにベースおよびエミッタをそれぞれ接続し
コレクタおよびエミッタを前記ダイオードブリッジの正
側直流端および負側直流端にそれぞれ接続した第３のＮ
ＰＮトランジスタとを備えている。
この発明の構成によれば、第３の抵抗を通して平滑コン
デンサを充電し、この平滑コンデンサの電圧をダイオー
ドを介して第１および第２の抵抗の接続点に加えるた
め、親器との交信初期の平滑コンデンサが充電されてい
ない期間においては、ダイオードによって平滑コンデン
サと第２のＮＰＮトランジスタとが分離されることにな
り、交信初期におけるパルス幅の長い不要パルスの発生
を防止できる。
デンサを充電し、この平滑コンデンサの電圧をダイオー
ドを介して第１および第２の抵抗の接続点に加えるた
め、親器との交信初期の平滑コンデンサが充電されてい
ない期間においては、ダイオードによって平滑コンデン
サと第２のＮＰＮトランジスタとが分離されることにな
り、交信初期におけるパルス幅の長い不要パルスの発生
を防止できる。
実施例 この発明の一実施例を第１図に基づいて説明する。この
返信信号発生回路は、第１図に示すように、一対の信号
線ｌ１，ｌ２に一対の交流端をそれぞれ接続したダイオ
ードブリッジＤＢ１と、このダイオードブリッジＤＢ１
の正側直流端に一端を接続した第１および第２の抵抗Ｒ
７，Ｒ８の直列回路と、この第１および第２の抵抗
Ｒ７，Ｒ８の直列回路の他端にコレクタを接続し前記ダ
イオードブリッジＤＢ１の負側直流端にエミッタを接続
した第１のＮＰＮトランジスタＴＲ４と、前記ダイオー
ドブリッジＤＢ１の正側直流端に一端を接続した第３の
抵抗Ｒ９と、この第３の抵抗Ｒ９の他端と前記第１のＮ
ＰＮトランジスタＴＲ４のエミッタとの間に接続した平
滑コンデンサＣ１と、前記第１および第２の抵抗Ｒ７，
Ｒ８の接続点にカソードを接続し前記第３の抵抗Ｒ９お
よび平滑コンデンサＣ１の接続点にアノードを接続した
ダイオードＤ４と、前記第１および第２の抵抗Ｒ７，Ｒ
８の接続点と前記第１のＮＰＮトランジスタＴＲ４のベ
ースとの間にホトダイオードＤ３を接続したホトカプラ
ＰＣ２と、このホトカプラＰＣ２の発光ダイオードＤ２
と直接接続して返信信号のレベルに応じてオンオフする
スイッチ素子ＴＲ３と、前記第１のＮＰＮトランジスタ
ＴＲ４のコレクタおよびエミッタにベースおよびエミッ
タをそれぞれ接続した第２のＮＰＮトランジスタＴＲ２
と、この第２のＮＰＮトランジスタＴＲ２のコレクタお
よびエミッタにベースおよびエミッタをそれぞれ接続し
コレクタおよびエミッタを前記ダイオードブリッジＤＢ
１の正側直流端および負側直流端にそれぞれ接続した第
３のＮＰＮトランジスタＴＲ１とを備えている。
返信信号発生回路は、第１図に示すように、一対の信号
線ｌ１，ｌ２に一対の交流端をそれぞれ接続したダイオ
ードブリッジＤＢ１と、このダイオードブリッジＤＢ１
の正側直流端に一端を接続した第１および第２の抵抗Ｒ
７，Ｒ８の直列回路と、この第１および第２の抵抗
Ｒ７，Ｒ８の直列回路の他端にコレクタを接続し前記ダ
イオードブリッジＤＢ１の負側直流端にエミッタを接続
した第１のＮＰＮトランジスタＴＲ４と、前記ダイオー
ドブリッジＤＢ１の正側直流端に一端を接続した第３の
抵抗Ｒ９と、この第３の抵抗Ｒ９の他端と前記第１のＮ
ＰＮトランジスタＴＲ４のエミッタとの間に接続した平
滑コンデンサＣ１と、前記第１および第２の抵抗Ｒ７，
Ｒ８の接続点にカソードを接続し前記第３の抵抗Ｒ９お
よび平滑コンデンサＣ１の接続点にアノードを接続した
ダイオードＤ４と、前記第１および第２の抵抗Ｒ７，Ｒ
８の接続点と前記第１のＮＰＮトランジスタＴＲ４のベ
ースとの間にホトダイオードＤ３を接続したホトカプラ
ＰＣ２と、このホトカプラＰＣ２の発光ダイオードＤ２
と直接接続して返信信号のレベルに応じてオンオフする
スイッチ素子ＴＲ３と、前記第１のＮＰＮトランジスタ
ＴＲ４のコレクタおよびエミッタにベースおよびエミッ
タをそれぞれ接続した第２のＮＰＮトランジスタＴＲ２
と、この第２のＮＰＮトランジスタＴＲ２のコレクタお
よびエミッタにベースおよびエミッタをそれぞれ接続し
コレクタおよびエミッタを前記ダイオードブリッジＤＢ
１の正側直流端および負側直流端にそれぞれ接続した第
３のＮＰＮトランジスタＴＲ１とを備えている。
この実施例における第５図の回路との相違点は、制御回
路II′に代えて制御回路II″を用いた点で、具体的には
平滑コンデンサＣ１を分圧抵抗Ｒ９を通して充電し、平
滑コンデンサＣ１の電圧をダイオードＤ４を介して分圧
抵抗Ｒ７，Ｒ８の接続点へ加えるようにした点であり、
その他は第５図のものと同様である。
路II′に代えて制御回路II″を用いた点で、具体的には
平滑コンデンサＣ１を分圧抵抗Ｒ９を通して充電し、平
滑コンデンサＣ１の電圧をダイオードＤ４を介して分圧
抵抗Ｒ７，Ｒ８の接続点へ加えるようにした点であり、
その他は第５図のものと同様である。
このように構成すると、平滑コンデンサＣ１が十分に充
電されるまでは、抵抗Ｒ７，Ｒ８の接続点と抵抗Ｒ９お
よび平滑コンデンサＣ１の接続点とがダイオードＤ４に
よって分離され、親器との交信初期において、平滑コン
デンサＣ１の電圧が低い状態にあってもＮＰＮトランジ
スタＴＲ２のベース電位がこれに影響を受けて低くなる
ことはなく、提案例のような交信初期におけるパルス幅
の長い不要パルスの発生は防止でき、交信初期の不要パ
ルスのパルス幅は狭くできる。
電されるまでは、抵抗Ｒ７，Ｒ８の接続点と抵抗Ｒ９お
よび平滑コンデンサＣ１の接続点とがダイオードＤ４に
よって分離され、親器との交信初期において、平滑コン
デンサＣ１の電圧が低い状態にあってもＮＰＮトランジ
スタＴＲ２のベース電位がこれに影響を受けて低くなる
ことはなく、提案例のような交信初期におけるパルス幅
の長い不要パルスの発生は防止でき、交信初期の不要パ
ルスのパルス幅は狭くできる。
また、一対の信号線ｌ１，ｌ２間に接続して返信信号Ｒ
ＥＴのレベルに応じて定電流動作状態とオフ状態とに切
替わるＮＰＮトランジスタＴＲ１のコレクタ側に抵抗Ｒ
６を直列介挿したため、ＮＰＮトランジスタＴＲ１が定
電流動作状態にある場合において、電力損失がＮＰＮト
ランジスタＴＲ１と抵抗Ｒ６とで分担され、ＮＰＮトラ
ンジスタＴＲ１の発熱を抑えることができ、しかも抵抗
Ｒ６の発熱も少なく信頼性をめることができる。ま
た、発熱箇所がＮＰＮトランジスタＴＲ１と抵抗Ｒ６と
に分散され、各々の発熱量は少なくなり、放熱対策を容
易に行うことができる。
ＥＴのレベルに応じて定電流動作状態とオフ状態とに切
替わるＮＰＮトランジスタＴＲ１のコレクタ側に抵抗Ｒ
６を直列介挿したため、ＮＰＮトランジスタＴＲ１が定
電流動作状態にある場合において、電力損失がＮＰＮト
ランジスタＴＲ１と抵抗Ｒ６とで分担され、ＮＰＮトラ
ンジスタＴＲ１の発熱を抑えることができ、しかも抵抗
Ｒ６の発熱も少なく信頼性をめることができる。ま
た、発熱箇所がＮＰＮトランジスタＴＲ１と抵抗Ｒ６と
に分散され、各々の発熱量は少なくなり、放熱対策を容
易に行うことができる。
この結果、放熱フィン等の小形化を達成でき、また返信
信号発生回路を収容する筐体内の温度分布を意図的に調
整することができる。
信号発生回路を収容する筐体内の温度分布を意図的に調
整することができる。
ここで、ＮＰＮトランジスタＴＲ１の発熱が第４図の回
路に比べて低減される点について説明する。今、定電流
スイッチ回路Ｉ，Ｉ″のダイオードブリッジＤＢ１の直
流端の電圧をＥ（Ｖ）とし、定電流動作をするものとす
ると、それぞれのトランジスタＴＲ１の消費電力は、第
４図の場合、 Ｐ１＝Ｅ×Ｉｓ−Ｉｓ２×Ｒ１ となり、第１図の場合、 Ｐ２＝Ｅ×Ｉｓ−Ｉｓ２×Ｒ１−Ｉｓ２×Ｒ６ となり、両回路の抵抗Ｒ１の抵抗値が同じ値であるな
ら、第１図におけるＮＰＮトランジスタＴＲ１の消費電
力Ｐ２は、第４図におけるＮＰＮトランジスタＴＲ１の
消費電力Ｐ１に比べ Ｉｓ２×Ｒ６ だけ少なくなり、したがって、第１図の回路の場合、第
４図の場合よりＮＰＮトランジスタＴＲ１の発熱を低減
することができる。なお、ＮＰＮトランジスタＴＲ１に
おける消費電力減少分は抵抗Ｒ６によって分担すること
になる。
路に比べて低減される点について説明する。今、定電流
スイッチ回路Ｉ，Ｉ″のダイオードブリッジＤＢ１の直
流端の電圧をＥ（Ｖ）とし、定電流動作をするものとす
ると、それぞれのトランジスタＴＲ１の消費電力は、第
４図の場合、 Ｐ１＝Ｅ×Ｉｓ−Ｉｓ２×Ｒ１ となり、第１図の場合、 Ｐ２＝Ｅ×Ｉｓ−Ｉｓ２×Ｒ１−Ｉｓ２×Ｒ６ となり、両回路の抵抗Ｒ１の抵抗値が同じ値であるな
ら、第１図におけるＮＰＮトランジスタＴＲ１の消費電
力Ｐ２は、第４図におけるＮＰＮトランジスタＴＲ１の
消費電力Ｐ１に比べ Ｉｓ２×Ｒ６ だけ少なくなり、したがって、第１図の回路の場合、第
４図の場合よりＮＰＮトランジスタＴＲ１の発熱を低減
することができる。なお、ＮＰＮトランジスタＴＲ１に
おける消費電力減少分は抵抗Ｒ６によって分担すること
になる。
なお、第１図では、抵抗Ｒ６は単一のものとして記載さ
れているが、複数個の抵抗の直列または並列の合成回路
体であってもよい。この場合は抵抗の個数が増加するの
で、発熱の箇所をさらに分散させることができ、放熱の
面で柔軟な回路設計を行うことができる。
れているが、複数個の抵抗の直列または並列の合成回路
体であってもよい。この場合は抵抗の個数が増加するの
で、発熱の箇所をさらに分散させることができ、放熱の
面で柔軟な回路設計を行うことができる。
なお、その他の動作については第４図，第５図に関して
既に説明したものと同様であるので、説明は省略する。
既に説明したものと同様であるので、説明は省略する。
この発明の構成によれば、第３の抵抗を通して平滑コン
デンサを充電し、この平滑コンデンサの電圧をダイオー
ドを介して第１および第２の抵抗の接続点に加えるた
め、親器との交信初期の平滑コンデンサが充電されてい
ない期間においては、ダイオードによって平滑コンデン
サと第２のＮＰＮトランジスタとが分離されることにな
り、交信初期におけるパルス幅の長い不要パルスの発生
を防止できる。
デンサを充電し、この平滑コンデンサの電圧をダイオー
ドを介して第１および第２の抵抗の接続点に加えるた
め、親器との交信初期の平滑コンデンサが充電されてい
ない期間においては、ダイオードによって平滑コンデン
サと第２のＮＰＮトランジスタとが分離されることにな
り、交信初期におけるパルス幅の長い不要パルスの発生
を防止できる。
第１図はこの発明の一実施例の回路図、第２図は遠隔多
重伝送装置の構成を示すブロック図、第３図は遠隔多重
伝送装置の親器と端末器の具体的なブロック図、第４図
は従来の返信信号発生回路の回路図、第５図は提案例の
回路図である。 Ｐ……親器、１〜Ｎ……端末器、ＬＮ，ｌ１，ｌ２……
信号線、ＴＲ４，ＴＲ２，ＴＲ１……ＮＰＮトランジス
タ、ＴＲ３……スイッチ素子、ＰＣ２……ホトカプラ、
Ｄ２……発光ダイオード、Ｄ３……ホトダイオード、Ｄ
４……ダイオード，Ｒ７〜Ｒ９……抵抗、Ｃ１……平滑
コンデンサ
重伝送装置の構成を示すブロック図、第３図は遠隔多重
伝送装置の親器と端末器の具体的なブロック図、第４図
は従来の返信信号発生回路の回路図、第５図は提案例の
回路図である。 Ｐ……親器、１〜Ｎ……端末器、ＬＮ，ｌ１，ｌ２……
信号線、ＴＲ４，ＴＲ２，ＴＲ１……ＮＰＮトランジス
タ、ＴＲ３……スイッチ素子、ＰＣ２……ホトカプラ、
Ｄ２……発光ダイオード、Ｄ３……ホトダイオード、Ｄ
４……ダイオード，Ｒ７〜Ｒ９……抵抗、Ｃ１……平滑
コンデンサ
Claims (1)
- 【請求項１】親器と各々異なる固有アドレスが設定され
た複数の端末器とを一対の信号線で接続し、 前記親器よりアドレス信号を含む送信信号を電圧信号と
して前記一対の信号線に送り出すとともに前記端末器で
は前記送信信号を受信し前記送信信号中のアドレス信号
と自己の固有アドレスとの一致に応答して返信信号を電
流信号として前記一対の信号線に送り出すように構成し
た遠隔多重伝送装置において、前記端末器内に設置され
る返信信号発生回路であって、 前記一対の信号線に一対の交流端をそれぞれ接続したダ
イオードブリッジと、このダイオードブリッジの正側直
流端に一端を接続した第１および第２の抵抗の直列回路
と、この第１および第２の抵抗の直列回路の他端にコレ
クタを接続し前記ダイオードブリッジの負側直流端にエ
ミッタを接続した第１のＮＰＮトランジスタと、前記ダ
イオードブリッジの正側直流端に一端を接続した第３の
抵抗と、この第３の抵抗の他端と前記第１のＮＰＮトラ
ンジスタのエミッタとの間に接続した平滑コンデンサ
と、前記第１および第２の抵抗の接続点にカソードを接
続し前記第３の抵抗および平滑コンデンサの接続点にア
ノードを接続したダイオードと、前記第１および第２の
抵抗の接続点と前記第１のＮＰＮトランジスタのベース
との間にホトダイオードを接続したホトカプラと、この
ホトカプラの発光ダイオードと直列接続して返信信号の
レベルに応じてオンオフする第１のスイッチ素子と、前
記第１のＮＰＮトランジスタのコレクタおよびエミッタ
にベースおよびエミッタをそれぞれ接続した第２のＮＰ
Ｎトランジスタと、この第２のＮＰＮトランジスタのコ
レクタおよびエミッタにベースおよびエミッタをそれぞ
れ接続しコレクタおよびエミッタを前記ダイオードブリ
ッジの正側直流端および負側直流端にそれぞれ接続した
第３のＮＰＮトランジスタとを備えた返信信号発生回
路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9531186A JPH0666787B2 (ja) | 1986-04-24 | 1986-04-24 | 返信信号発生回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9531186A JPH0666787B2 (ja) | 1986-04-24 | 1986-04-24 | 返信信号発生回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62250743A JPS62250743A (ja) | 1987-10-31 |
| JPH0666787B2 true JPH0666787B2 (ja) | 1994-08-24 |
Family
ID=14134210
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9531186A Expired - Lifetime JPH0666787B2 (ja) | 1986-04-24 | 1986-04-24 | 返信信号発生回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0666787B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008045736A2 (en) | 2006-10-06 | 2008-04-17 | Honeywell International Inc. | Power generation capacity indicator |
-
1986
- 1986-04-24 JP JP9531186A patent/JPH0666787B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008045736A2 (en) | 2006-10-06 | 2008-04-17 | Honeywell International Inc. | Power generation capacity indicator |
| US9269977B2 (en) | 2006-10-06 | 2016-02-23 | Honeywell International Inc. | Power generation capacity indicator |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62250743A (ja) | 1987-10-31 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |