JPH0666634A - 光電センサ - Google Patents

光電センサ

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JPH0666634A
JPH0666634A JP4244284A JP24428492A JPH0666634A JP H0666634 A JPH0666634 A JP H0666634A JP 4244284 A JP4244284 A JP 4244284A JP 24428492 A JP24428492 A JP 24428492A JP H0666634 A JPH0666634 A JP H0666634A
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JP
Japan
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voltage
current
light
photodiode
circuit
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Pending
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JP4244284A
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English (en)
Inventor
Taneji Ooka
種治 大岡
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Omron Corp
Original Assignee
Omron Corp
Omron Tateisi Electronics Co
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Publication date
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  • Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 直流外乱光が入射する環境下においても出力
電圧のダイナミックレンジが小さくならず、信号光の有
無を精度良く検出できる小型の光電センサを提供する。 【構成】 電流−電圧変換回路6はフォトダイオード5
に誘起された光電流を電圧V0に変換する。直流電圧検
出回路12は、その出力電圧V0のうちの直流電圧成分
DCを検出する。電圧比較電流源回路15は、その直流
電圧成分VDCと基準電圧VS(フォトダイオード5に光
電流が流れていないときの電流−電圧変換回路6の出力
電圧)とを比較して、両電圧が等しくなるようにフォト
ダイオード5に光電流iDCを供給する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、光電センサに関する。
具体的にいうと、本発明は、発光素子の発した信号光
(変調光)によって受光素子に発生した光電流を所定の
電気信号に変換して出力する光電センサに関する。
【0002】
【背景技術とその問題点】図3に従来の変調光方式の光
電センサCを示す。この光電センサCにあっては、受光
部52のフォトダイオード54が投光部51の発光ダイ
オード53に対向させて設けられ、フォトダイオード5
4は電流−電圧変換回路55に接続されている。
【0003】すなわち、フォトダイオード54はオペア
ンプ56の反転入力端子56aに接続され、オペアンプ
56の出力端子57は抵抗値Rfの帰還抵抗58を介し
て反転入力端子56aに接続され、オペアンプ56の非
反転入力端子56bには直流電源59の基準電圧VS
入力されている。
【0004】しかして、フォトダイオード54に光が入
射していない場合は、オペアンプ56の出力端子57す
なわち電流−電圧変換回路55の出力端子57の出力電
圧V0は直流電源59の基準電圧VSに等しい。フォトダ
イオード54に発光ダイオード53の信号光α(変調
光)が入射した場合は、信号光αの光強度に応じた交流
の光電流iACがフォトダイオード54に流れ、電流−電
圧変換回路55の出力電圧V0はV0=VS+iAC・Rf
なる。このような出力電圧V0はコンデンサ60を介し
て信号処理回路61に送られる。信号処理回路61は、
出力電圧V0から交流電圧成分iAC・Rfを検出すること
によって信号光αを検出し、それに応じた所定の電気信
号を出力する。
【0005】しかしながら、従来の光電センサCにあっ
ては、直流外乱光γ(例えば、太陽光や電灯光などの白
色光)がフォトダイオード54に入射した場合、直流外
乱光γによる直流の光電流IDCが発生して出力電圧V0
がV0=VS+IDC・Rfとなり、信号光αを受光してい
ない時の出力電圧V0のバイアス値が高くなるために直
流電圧成分IDC・Rfの分だけ出力電圧V0のダイナミッ
クレンジが狭くなる。そして、ダイナミックレンジが狭
くなると、例えば信号光αの変調信号を正確に再生でき
なくなるという問題が生じる。また、直流外乱光γが特
に強い場合には出力電圧V0が飽和するので、強い外乱
光γが入射するような環境下では光電センサCを使用す
ることができなかった。
【0006】そこで、電流−電圧変換回路をログアンプ
を用いた対数出力型にして出力電圧が飽和しにくいよう
にした光電センサが提案されている。しかし、この光電
センサにあっては、強い直流外乱光の下では、信号光に
よる出力電圧の変化幅が非常に小さくなり、S/N比が
低下するために検出精度が悪かった。また、出力電圧を
逆対数変換する回路が必要であり、回路が複雑になると
いう問題があった。
【0007】また、フォトダイオードを2個設け、コン
デンサ等で周波数応答を遅くすることによって一方の出
力電圧から検出した直流電圧成分と、もう一方の出力電
圧との差をとることによって直流外乱光による直流電圧
成分をキャンセルし、信号光だけを検出するようにした
光電センサが提案されている。しかし、この光電センサ
にあっては、直流光除去用のフォトダイオードが余分に
必要となるために実装面積が大きくなる、コスト高にな
るという問題があった。
【0008】本発明は、叙上の従来例の欠点に鑑みてな
されたものであり、その目的とするところは、直流外乱
光が入射する環境下においても出力電圧のダイナミック
レンジが小さくならず、信号光を精度良く検出できる小
型の光電センサを提供することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明の光電センサは、
入射光によって光電流を発生する光電変換素子と、前記
光電流を電圧に変換して出力する電流−電圧変換手段
と、前記電流−電圧変換手段の出力電圧のうちの直流電
圧成分を検出する手段と、前記検出手段によって検出し
た直流電圧成分と、前記光電変換素子の無負荷時におけ
る前記電流−電圧変換手段の出力電圧に相当する電圧と
を比較して両電圧が等しくなるように当該光電変換素子
に直流電流を供給する手段とを備えたことを特徴として
いる。
【0010】
【作用】本発明の光電センサにあっては、出力電圧のう
ちの直流電圧成分と光電変換素子の無負荷時における電
流−電圧変換手段の出力電圧に相当する電圧とが等しく
なるように、電流−電圧変換手段とは別に設けた直流電
流供給手段から光電変換素子に光電流を供給するので、
直流外乱光による光電流は電流−電圧変換手段に流れな
くなり、直流外乱光による光電流が電流−電圧変換手段
の出力として表われなくなる。したがって、直流外乱光
が入射しても出力電圧のダイナミックレンジが小さくな
ることがなく、強い直流外乱光が入射しても出力電圧が
飽和することがない。よって、直流外乱光が入射する環
境下においても信号光を精度良く検出することができ
る。
【0011】
【実施例】図1は本発明の一実施例による変調光方式の
光電センサAの構成を示すブロック図である。この光電
センサAは投光部1と受光部2とを備えており、投光部
1の発光ダイオード4と受光部2のフォトダイオード5
が対向している。発光ダイオード4には投光回路3が接
続され、フォトダイオード5は電流−電圧変換回路6に
接続されている。
【0012】電流−電圧変換回路6は、フォトダイオー
ド5に誘起された光電流を電圧に変換して出力する回路
であって、例えばオペアンプ7、抵抗9,10及び基準
電圧VSを与えるための直流電源11から構成されてい
る。詳しく説明すると、フォトダイオード5のアノード
はアースされ、フォトダイオード5のカソードはオペア
ンプ7の反転入力端子7aに接続されている。また、オ
ペアンプ7の出力端子8は抵抗値Rfの帰還抵抗9を介
して反転入力端子7aに接続され、直流電源11の基準
電圧VSが抵抗10を介してオペアンプ7の非反転入力
端子7bに印加されている。この場合、オペアンプ7の
出力端子8が電流−電圧変換回路6の出力端子8とな
る。
【0013】電流−電圧変換回路6の出力端子8は、直
流カット用のコンデンサ16を介して信号処理回路17
に接続される一方、直流電圧検出回路12を介して電圧
比較電流源回路15の電圧比較端子15aに接続されて
いる。直流電圧検出回路12は、電流−電圧変換回路6
の出力電圧V0から交流電圧成分をカットして直流電圧
成分VDCだけを電圧比較電流源回路15に印加する回路
であって、例えば電流−電圧変換回路6の出力端子8と
電圧比較電流源回路15の電圧比較端子15aを抵抗1
3によって接続すると共に、抵抗13の電圧比較端子1
5a側を交流除去用のコンデンサ14を介してアースし
たものである。
【0014】電圧比較電流源回路15は、2つの電圧比
較端子15a,15bに入力された直流電圧を比較して
両電圧が等しくなるように電流出力端子15cから直流
電流を出力する電流源回路である。一方の電圧比較端子
15aは上述の通り直流電圧検出回路12を介して電流
−電圧変換回路6の出力端子8に接続されており、他方
の電圧比較端子15bは直流電源11に接続されて基準
電圧VSをモニターし、電流出力端子15cはフォトダ
イオード5のカソードに接続されている。
【0015】図2に投光部2の主要部分の具体的な電気
回路図の一例を示す。電圧比較電流源回路15は、エミ
ッタ結合された2つのトランジスタ20,21とそれら
のエミッタに接続された定電流源19からなる差動増幅
回路22を備えており、一方のトランジスタ20のベー
ス(電圧比較端子15a)は直流電流検出回路12の抵
抗13とコンデンサ14間に接続され、他方のトランジ
スタ21のベースは抵抗23を介して電圧比較端子15
bにつながっていて基準電圧VSを与える直流電源11
に接続されている。電源ラインVccとトランジスタ20
のコレクタ間にはベース−エミッタ間を短絡させたトラ
ンジスタ24が挿入されており、電源ラインVccとトラ
ンジスタ21のコレクタ間にはベース−エミッタ間を短
絡させたトランジスタ25が挿入されている。
【0016】また、ベースを共通にする2つのトランジ
スタ26,27はいずれもエミッタをアースされてお
り、一方のトランジスタ26のコレクタが両トランジス
タ26,27のベースと短絡している。このトランジス
タ26のコレクタと電源ラインVccの間にはトランジス
タ28が挿入されており、このトランジスタ28のベー
スはトランジスタ25のベースに接続されている。他方
のトランジスタ27のコレクタ(電流出力端子15c)
はフォトダイオード5に接続されており、このトランジ
スタ27のコレクタと電源ラインVccの間にはトランジ
スタ29が挿入されており、このトランジスタ29のベ
ースはトランジスタ24のベースに接続されている。な
お、抵抗23の値は直流電圧検出回路12の抵抗13の
値と等しくなっている。また、電流−電圧変換回路6の
オペアンプ7は、差動増幅回路を用いた一般的なもので
ある。
【0017】しかして、フォトダイオード5に光が入射
しておらず、フォトダイオード5に光電流が流れていな
い場合には、オペアンプ7の出力端子8の出力電圧V0
は直流電源11の基準電圧VSに等しくなっているの
で、電圧比較電流源回路15の両電圧比較端子15a,
15bに加わる電圧もいずれも基準電圧VSに等しく、
トランジスタ20及び21、トランジスタ24及び2
5、トランジスタ28及び29の各ペアに流れる電流は
いずれも等しくなる。しかも、トランジスタ26及び2
7に流れる電流は等しく保たれるから、電圧比較電流源
回路15の電流出力端子15cからフォトダイオード5
に流れる電流ΔIは0になる。
【0018】また、フォトダイオード5に直流外乱光γ
及びダイオード4の信号光(変調光)αが入射している
場合には、直流外乱光γの光強度に応じた直流電流IDC
と、信号光αの光強度に応じた交流電流iACがフォトダ
イオード5に流れるので、電圧比較電流源回路15から
フォトダイオード5に電流が供給される前には、オペア
ンプ7の出力電圧V0は V0=VS+(IDC+iAC)Rf …… となり、アペアンプ7の出力に直流外乱光γによるバイ
アス電圧IDC・Rfが表われる。
【0019】こうして、オペアンプ7から出力電圧 V0=VS+(IDC+iAC)Rf …… が出力されたとすると、出力電圧V0 のうちの直流電圧
成分 VDC=VS+IDC・Rf …… が直流電圧検出回路12を介して電圧比較電流源回路1
5の電圧比較端子15aに検出される。一方、電圧比較
端子15bは基準電圧VSに保たれているので、電圧比
較端子15aの直流電圧成分VDCが電圧比較端子15b
の基準電圧VSよりも大きくなり、差動増幅回路22の
トランジスタ20のベース電圧が高くなるためにそのコ
レクタ電流I20がトランジスタ21のコレクタ電流I21
よりも大きくなる。このため、トランジスタ24のエミ
ッタ電流I24がトランジスタ25のエミッタ電流I25
りも大きくなり、ついで、トランジスタ29のコレクタ
電流I29がトランジスタ28のコレクタ電流I28よりも
大きくなる。一方、トランジスタ26,27のコレクタ
電流I26,I27は等しく保たれているから、トランジス
タ28,29のコレクタ電流の差の電流ΔI=I29−I
28が電流出力端子15cからフォトダイオード5に供給
される。
【0020】このようにして電圧比較電流源回路15か
らフォトダイオード5に電流ΔIが供給されると、電流
−電圧変換回路6の抵抗9に流れる電流がΔIだけ減少
して(IDC−ΔI)+iACとなるので、オペアンプ7の
出力電圧V0は、 V0=VS+iAC・Rf+(IDC−ΔI)・Rf …… に低下する。電圧比較電流源回路15は、電圧比較端子
15aに掛かっている電圧 VDC=VS+(IDC−ΔI)・Rf …… が基準電圧VSに等しくなるまで、フォトダイオード5
に供給する電流を増加させるから、安定状態において
は、 VDC=VS+(IDC−ΔI)・Rf=VS …… となっている。これは、ΔI=IDCと同じであるから、
外乱光γによってフォトダイオード5に誘起された直流
電流IDCは全て電圧比較電流源回路15から供給され、
電流−電圧変換回路6には流れない。この結果、式よ
り明らかなように、オペアンプ7の出力電圧は、 V0=VS+iAC・Rf となり、直流外乱光γによる直流バイアス電圧IDC・R
fが除去されている。
【0021】この結果、電流−電圧変換回路6からは、
直流外乱光γによる影響を除去された信号がコンデンサ
16を介して信号処理回路17へ送られる。信号処理回
路17は、出力電圧V0から交流電圧iAC・Rfを検出す
ることによって信号光αを検出し、所定の信号に変換し
て光電センサAの出力端子18から出力する。
【0022】なお、図1の電圧比較電流源回路は、図2
に示したものに限らない。例えば、マイクロコンピュー
タを用いて、オペアンプの出力信号中の直流電圧成分と
基準電圧を比較し、当該直流電圧成分が基準電圧よりも
高い場合には電流出力端子から供給する電流を増加させ
(つまり、電流の増加率を正にし)、当該直流電圧成分
が基準電圧よりも低い場合には電流出力端子から供給す
る電流を減少させ(つまり、電流の増加率を負にし)、
当該直流電圧成分と基準電圧とが等しい場合には、電流
出力端子から供給する電流をその時(もしくは、その直
前)の電流値に保持するような回路を構成しても良い。
【0023】
【発明の効果】本発明の光電センサによれば、直流外乱
光による高電流が電流−電圧変換手段の出力として表わ
れないようにすることができるので、直流外乱光が入射
しても出力電圧のダイナミックレンジが小さくなること
がなく、強い直流外乱光が入射しても出力電圧が飽和す
ることがない。よって、直流外乱光が入射する環境下に
おいても信号光を精度良く検出することができる。
【0024】しかも、従来例のように直流光除去用の余
分な光電変換素子が必要ないので、素子の実装面積を小
さくでき、その分コストを低減できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例による光電センサの構成を示
すブロック図である。
【図2】同上の受光部の具体回路を示す電気回路図であ
る。
【図3】従来例による光電センサの構成を示すブロック
図である。
【符号の説明】
1 投光部 2 受光部 4 発光ダイオード 5 フォトダイオード 6 電流−電圧変換回路 12 直流電圧検出回路 15 電圧比較電流源回路

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 入射光によって光電流を発生する光電変
    換素子と、 前記光電流を電圧に変換して出力する電流−電圧変換手
    段と、 前記電流−電圧変換手段の出力電圧のうちの直流電圧成
    分を検出する手段と、 前記検出手段によって検出した直流電圧成分と、前記光
    電変換素子の無負荷時における前記電流−電圧変換手段
    の出力電圧に相当する電圧とを比較して両電圧が等しく
    なるように当該光電変換素子に直流電流を供給する手段
    とを備えた光電センサ。
JP4244284A 1992-08-19 1992-08-19 光電センサ Pending JPH0666634A (ja)

Priority Applications (1)

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JP4244284A JPH0666634A (ja) 1992-08-19 1992-08-19 光電センサ

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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01147533U (ja) * 1988-03-31 1989-10-12
JPH04134224A (ja) * 1990-09-27 1992-05-08 Hamamatsu Photonics Kk 光検出装置

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