JPH0665809U - 蛍光x線膜厚計 - Google Patents

蛍光x線膜厚計

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Publication number
JPH0665809U
JPH0665809U JP690493U JP690493U JPH0665809U JP H0665809 U JPH0665809 U JP H0665809U JP 690493 U JP690493 U JP 690493U JP 690493 U JP690493 U JP 690493U JP H0665809 U JPH0665809 U JP H0665809U
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JP
Japan
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ray
collimator
sample
film thickness
primary
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Pending
Application number
JP690493U
Other languages
English (en)
Inventor
正雄 佐藤
Original Assignee
セイコー電子工業株式会社
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Filing date
Publication date
Application filed by セイコー電子工業株式会社 filed Critical セイコー電子工業株式会社
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Publication of JPH0665809U publication Critical patent/JPH0665809U/ja
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  • Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
  • Length-Measuring Devices Using Wave Or Particle Radiation (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 目的の測定面積がかなり異なる場合でも、管
電流を大幅に変える事なく、測定できるようにする。 【構成】 X線管球1から出射された一次X線3をコリ
メータ2によって目的のビームサイズに絞り、測定試料
に照射し、試料から発生する蛍光X線をX線検出器で計
数し、そのX線強度によって膜厚または濃度を演算する
構成とする。そしてそのコリメータ2の孔を複数にし
て、開口率を操作することによって、管電流の変化率を
小さくすることができる。

Description

【考案の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】
本考案は、X線にコリメータを用いて任意の形状、寸法に絞り、試料に照射し 、発生する蛍光X線強度を測定することによって、金属皮膜の膜厚又は金属成分 の濃度を求める蛍光X線膜厚計および蛍光X線分析装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
最近の蛍光X線膜厚計は電子部品を測定対象としていることからサブミリサイ ズから、最近では数十ミクロンへと、どんどん微細化しており、装置では統計変 動を小さくするために、なるべく一番小さいコリメータサイズで最大強度が得ら れるような幾何学的配置がなされている。
【0003】
【考案が解決しようとする課題】
ところが電子部品でもフィルムコンデンサのように蒸着膜のような場合は、微 小部というよりも大面積での平均膜厚が管理項目として考えられ、したがってコ リメータサイズを大きくしなければいけなかった。
【0004】 コリメータサイズすなわちX線照射面積が大きくなると、それに比例して検出 強度が増加する。検出強度が大きくなれば統計変動が小さくなるため計数系に制 限がなければ問題ないが、通常は処理できる強度レベルに制限があり、管電流を 小さくすることによって対応していた。
【0005】 しかし、コリメータ面積比が大きくなると管電流制御も困難となってくる。 金属フィルタを貼ることによって、それを実現していた。 金属フィルタの貼り付けは、一次X線の線質を変えてしまうため、特定のアプ リケーションでのみしか使用できなかった。
【0006】
【課題を解決するための手段】 目的のサイズ内に、それよりはるかに小さい小孔、たとえば直径50ミクロン を任意の形状に配置して、その個数によって開口率を微小部コリメータサイズと 制御可能な管電流値を考慮して決めることによって、従来不可能とされていた面 積比の組み合わせを可能とする。
【0007】 又、多孔質コリメータの長さ方向(厚み)を変えることによって、それを薄く すると一次X線を完全に吸収することができず、一部透過することから一次X線 の線質を変えることも可能となる。
【0008】
【作用】
コリメータは小さい径の孔が複数設けられており、その複数の孔により試料を 一次X線にて照射することができるため、一次X線照射総量を大きくすることな く、試料表面の大きな面積を照射することができる。つまり、平均的な試料表面 に形成された膜の膜厚を計測することができる。
【0009】
【実施例】
本考案の実施例を図面に基づいて説明する。 図1は、X線膜厚計の概略断面図である。X線管球1は、一次X線3を発生す る。一次X線3は、コリメータ2により平行なX線になり、試料台5に載置され た試料4の表面を照射する。また、コリメータ2は、一次X線3が試料4の表面 を照射する領域を規定する。一次X線照射により試料4から発生した蛍光X線6 はX線検出器7により検出される。X線検出器7は、検出した蛍光X線6に基づ いて信号を出力する。X線検出器7からの信号は、アンプ8により増幅されて、 そして波高弁別器9により波高弁別される。波高弁別器9からのデータにより、 試料4の表面に形成された膜の成分分析及び膜厚の測定を行うものである。
【0010】 試料4の表面に形成された膜の材質および膜厚の測定のためのデータ処理につ いては、従来の方法にて行われるのでここでは説明を省略する。 図2と図3は、コリメータ2の斜視図と平面図である。コリメータ2の外形は 、厚さt、円の直径dの円柱形状をしており、円柱形状の軸方向に、貫通孔2a が複数設けられている。その複数の貫通孔2aは、外形円の同心円R内に均等に 形成されている。こでは、このコリメータを多孔コリメータと言う。多孔コリメ ータ2の材質は金属又はセラミックであり、例えば、ジルコニア(セラミック) の場合、45keVのエネルギーのX線を完全に吸収させるための無限厚みは2 mmとなる。
【0011】 通常のコリメータ(孔が1つ)の場合で、その孔の内径(X線を通す)が0. 1mm直径でX線管球1の管電流が1mAとするときの試料に照射されるX線は 、本考案の多孔コリメータでは、0.05mm直径の貫通孔aを図2のように1 7個配置して、X線管球1の管電流を0.1mAしたときと、同等の強度レベル になる。
【0012】 貫通孔2aの配置は円形状でも、長方形状でもどちらでも可能である。 多孔コリメータ2の厚みtを無限厚ではなく薄くした場合は、それ自体がフィ ルタとしての効果が働くため、一次X線は直径dのサイズで照射されることにな る。その場合は、この多孔コリメータ2の周囲には鉛等重元素金属が存在するこ とになる。この厚みtを調整することによって、一次X線の材質、すなわち高エ ネルギー側の連続X線と低エネルギー側の特性X線のどちらを優先するかを決定 することができる。例えば、厚みtを無限厚とすると特性X線のみを無限厚より 薄くすると、それに比例して連続X線を増すことができる。
【0013】
【考案の効果】
本考案により、測定面積が大きく異なる測定対象でも、一台の装置で対応する ことが可能となり、簡単な管電流制御系でも対応できるようになった。
【図面の簡単な説明】
【図1】本考案の実施例を示す概略断面図である。
【図2】本考案の多孔コリメータの斜視図である。
【図3】本考案の多孔コリメータの平面図である。
【符号の説明】
1 X線管球 2 コリメータ 3 一次X線 4 試料 5 試料台 6 蛍光X線 7 X線検出器 8 アンプ 9 波高弁別器

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項1】 一次X線ビームを発生するX線発生器
    と、前記一次X線ビームを試料表面に所定の面積および
    形状で照射するためのコリメータと、前記試料から前記
    一次X線ビーム照射により発生する蛍光X線を検出する
    検出器よりなる蛍光X線膜厚計において、 前記コリメータは、複数の小孔より形成されていること
    を特徴する蛍光X線膜厚計。
JP690493U 1993-02-24 1993-02-24 蛍光x線膜厚計 Pending JPH0665809U (ja)

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JPH0665809U true JPH0665809U (ja) 1994-09-16

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008203245A (ja) * 2007-01-23 2008-09-04 Sii Nanotechnology Inc X線分析装置及びx線分析方法
JP2013523257A (ja) * 2010-03-29 2013-06-17 ザ・ボーイング・カンパニー 小径x線チューブ

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008203245A (ja) * 2007-01-23 2008-09-04 Sii Nanotechnology Inc X線分析装置及びx線分析方法
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