JPH0662949B2 - 蛍光体 - Google Patents
蛍光体Info
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- JPH0662949B2 JPH0662949B2 JP18076986A JP18076986A JPH0662949B2 JP H0662949 B2 JPH0662949 B2 JP H0662949B2 JP 18076986 A JP18076986 A JP 18076986A JP 18076986 A JP18076986 A JP 18076986A JP H0662949 B2 JPH0662949 B2 JP H0662949B2
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- JP
- Japan
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- phosphor
- mol
- zno
- rare earth
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- Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、電子線又は紫外線により励起されて可視光を
発光し蛍光表示管やＰＤＰや大型発光装置等に使用で
き、特に蛍光体組成式中に硫黄（Ｓ）成分が含有してい
なく、例えば蛍光表示管用の蛍光体としてエミッション
特性に優れ、ドープさせる希土類元素を変えることによ
り各種の発光色が得られる酸化物系の蛍光体に関するも
のである。
発光し蛍光表示管やＰＤＰや大型発光装置等に使用で
き、特に蛍光体組成式中に硫黄（Ｓ）成分が含有してい
なく、例えば蛍光表示管用の蛍光体としてエミッション
特性に優れ、ドープさせる希土類元素を変えることによ
り各種の発光色が得られる酸化物系の蛍光体に関するも
のである。
電子線励起蛍光体は、励起エネルギーが電子線によるも
のであり、この電子線が数10KV以上の加速電圧によるＣ
ＲＴ用や大型発光セル用の蛍光体と、数10Ｖの加速電圧
で発光する蛍光表示管用がある。前記蛍光表示管用蛍光
体は、数10Ｖの低加速電圧で発光するので低速電子線励
起蛍光体（以後低速用蛍光体と略す）とも称せられてい
る。それに対し、ＣＲＴ用や大型発光セル用を高速用蛍
光体とも称されている。
のであり、この電子線が数10KV以上の加速電圧によるＣ
ＲＴ用や大型発光セル用の蛍光体と、数10Ｖの加速電圧
で発光する蛍光表示管用がある。前記蛍光表示管用蛍光
体は、数10Ｖの低加速電圧で発光するので低速電子線励
起蛍光体（以後低速用蛍光体と略す）とも称せられてい
る。それに対し、ＣＲＴ用や大型発光セル用を高速用蛍
光体とも称されている。
前記低速用蛍光体の中でも従来から多く使用されている
蛍光体に、緑色発光のZnO：Zn蛍光体がある。このZnO：
Zn蛍光体は発光しきい値が１〜２Ｖときわめて低く、通
常10〜20Ｖ程度の陽極電圧で表示に十分な輝度が得られ
るすぐれた蛍光体である。
蛍光体に、緑色発光のZnO：Zn蛍光体がある。このZnO：
Zn蛍光体は発光しきい値が１〜２Ｖときわめて低く、通
常10〜20Ｖ程度の陽極電圧で表示に十分な輝度が得られ
るすぐれた蛍光体である。
しかし、前記のZnO：Zn蛍光体は、緑色系の発光色しか
なく、それ以外の発光色を有する蛍光体が要求されてい
た。しかして、ZnO：Zn蛍光体以外の発光色を有する蛍
光体が開発されたが、多くは、前記高速用蛍光体にIn2O
3、SnO2等の導電物質を混合して蛍光体の抵抗を下げた
ものが多かった。
なく、それ以外の発光色を有する蛍光体が要求されてい
た。しかして、ZnO：Zn蛍光体以外の発光色を有する蛍
光体が開発されたが、多くは、前記高速用蛍光体にIn2O
3、SnO2等の導電物質を混合して蛍光体の抵抗を下げた
ものが多かった。
そして、前記高速用蛍光体は組成式中に硫黄（Ｓ）元素
を含有している硫化物蛍光体が多く使用されていた。硫
化物蛍光体の例としては、ZnS：〔Zn〕蛍光体（青
色）、ZnS：Mn蛍光体（黄橙）、ZnS：Ag蛍光体（青
色）、ZnS：Ag,Al蛍光体（青色）、ZnS：Au,Al蛍光体
（黄緑）、ZnS：Cu,Al蛍光体（緑色）、（Zn0.9Cd0.1）
S：Au,Al蛍光体（黄色）、（Zn0.2Cd0.1）S：Au,Al蛍光
体（オレンジ色）、Y2O2S：Eu蛍光体（赤色）等があ
る。
を含有している硫化物蛍光体が多く使用されていた。硫
化物蛍光体の例としては、ZnS：〔Zn〕蛍光体（青
色）、ZnS：Mn蛍光体（黄橙）、ZnS：Ag蛍光体（青
色）、ZnS：Ag,Al蛍光体（青色）、ZnS：Au,Al蛍光体
（黄緑）、ZnS：Cu,Al蛍光体（緑色）、（Zn0.9Cd0.1）
S：Au,Al蛍光体（黄色）、（Zn0.2Cd0.1）S：Au,Al蛍光
体（オレンジ色）、Y2O2S：Eu蛍光体（赤色）等があ
る。
前記硫化物蛍光体は、Ｓ成分を含有しているために電子
線のエネルギーにより励起されて発光すると同時に蛍光
体自身を分解し、Ｓ、SO、SO2、H2S等の硫化物系のガス
を飛散させる。この硫化物系のガスが蛍光表示管のフィ
ラメント状陰極に付着すると表面のアルカリ土類金属の
酸化物（Ba,Sr,Ca）Oと反応し表面を毒化（ポイゾン）
させてしまい、エミッション特性を劣化させてしまうこ
とが知られている。この蛍光体を分解する現像は、硫化
物蛍光体に直接射突する電子線の密度が大であると特に
顕著であることも知られている。
線のエネルギーにより励起されて発光すると同時に蛍光
体自身を分解し、Ｓ、SO、SO2、H2S等の硫化物系のガス
を飛散させる。この硫化物系のガスが蛍光表示管のフィ
ラメント状陰極に付着すると表面のアルカリ土類金属の
酸化物（Ba,Sr,Ca）Oと反応し表面を毒化（ポイゾン）
させてしまい、エミッション特性を劣化させてしまうこ
とが知られている。この蛍光体を分解する現像は、硫化
物蛍光体に直接射突する電子線の密度が大であると特に
顕著であることも知られている。
そこでこれらの対策として、まず電子線の密度が小さく
ても表示を得るのに十分な輝度が得られるように蛍光体
自体の発光効率を上げることが考えられるが、前記硫化
蛍光体ではまだ満足するものはできていない。
ても表示を得るのに十分な輝度が得られるように蛍光体
自体の発光効率を上げることが考えられるが、前記硫化
蛍光体ではまだ満足するものはできていない。
また、非硫化物系の蛍光体の開発も行われているが、発
光色、輝度、発光効率、寿命特性とも満足するものが得
られていない。
光色、輝度、発光効率、寿命特性とも満足するものが得
られていない。
非硫化物系の蛍光体の一例として、ガリウム酸塩系複合
酸化物蛍光体があり組成式がZnO・Ga2O3で示される蛍光
体が特公昭60-31236号で公知である。この蛍光体の発光
色は青色であるが、発光輝度は、陽極電圧を80Ｖ、陰極
電圧を0.6Ｖ印加した場合に４ft-L程度であり、実用上
はまだ低く、蛍光表示管用としては使用できないという
問題点を有していた。
酸化物蛍光体があり組成式がZnO・Ga2O3で示される蛍光
体が特公昭60-31236号で公知である。この蛍光体の発光
色は青色であるが、発光輝度は、陽極電圧を80Ｖ、陰極
電圧を0.6Ｖ印加した場合に４ft-L程度であり、実用上
はまだ低く、蛍光表示管用としては使用できないという
問題点を有していた。
本発明は、前述の公知のZnO・Ga2O3蛍光体に着目し、こ
の蛍光体にCdをドープすることにより低抵抗させ、かつ
希土類元素をドープすることにより発光色を変えて発光
させることが可能であり、発光輝度及び発光効率が高く
蛍光表示管用として使用できるばかりでなく、ＰＤＰや
大型発光セル用としても使用できるガリウム酸系複合酸
化物蛍光体を提供することを目的とするものである。
の蛍光体にCdをドープすることにより低抵抗させ、かつ
希土類元素をドープすることにより発光色を変えて発光
させることが可能であり、発光輝度及び発光効率が高く
蛍光表示管用として使用できるばかりでなく、ＰＤＰや
大型発光セル用としても使用できるガリウム酸系複合酸
化物蛍光体を提供することを目的とするものである。
前述の目的を達成するために本発明の蛍光体は、一般式
がZnO・Ga2O3で表わされる母体に付活剤としてCdと希土
類元素のEu,TbおよびTmのうち少なくとも１元素とをド
ープしたことを特徴とする。
がZnO・Ga2O3で表わされる母体に付活剤としてCdと希土
類元素のEu,TbおよびTmのうち少なくとも１元素とをド
ープしたことを特徴とする。
また、前記付活剤のドープ量は、ZnO・Ga2O3で表わされ
る母体1molに対しCdを5×10-4〜3×10-1atm/molであり
希土類元素の量が1×10-3〜2×10-1atm/molであること
が好ましい。
る母体1molに対しCdを5×10-4〜3×10-1atm/molであり
希土類元素の量が1×10-3〜2×10-1atm/molであること
が好ましい。
本発明のZnO・Ga2O3：Cd,Re蛍光体（但し、Reは希土類元
素）は電子線又は紫外線の励起により可視光を発光す
る。発光色は発光中心としてドープした希土類元素によ
り各種発光色に変えることが可能である。この希土類元
素による発光は、内部遷移の発光であり、発光中心間の
干渉が少ないために母体内部に付活剤を比較的多量にド
ーピングすることが可能である。更に希土類元素が全て
３価の物質であり、母体中のGaと価数が同じである理由
からもドーピングが容易である。
素）は電子線又は紫外線の励起により可視光を発光す
る。発光色は発光中心としてドープした希土類元素によ
り各種発光色に変えることが可能である。この希土類元
素による発光は、内部遷移の発光であり、発光中心間の
干渉が少ないために母体内部に付活剤を比較的多量にド
ーピングすることが可能である。更に希土類元素が全て
３価の物質であり、母体中のGaと価数が同じである理由
からもドーピングが容易である。
更に母体にCdをドープして蛍光体自身のエネルギー変換
効率を改善させる作用が有する。
効率を改善させる作用が有する。
本発明の蛍光体の一般式は、ZnO・Ga2O3：Cd,Re（但し、
Reは希土類元素で示す。）希土類元素Reはユーロピウム
Eu、テルビウムTb、ツリウムTmのなかから1元素又は2元
素以上選択されてドープされる。
Reは希土類元素で示す。）希土類元素Reはユーロピウム
Eu、テルビウムTb、ツリウムTmのなかから1元素又は2元
素以上選択されてドープされる。
本発明の蛍光体の母体の一般式はZnO・Ga2O3で示される
ようにZnOとGa2O3の混晶であるが、ZnOとGa2O3の割合
は、実験結果からGa2O31molに対し、ZnOを0.5〜4.0mol
の割合が好ましい値であった。ZnOが5.0mol以下である
と蛍光体の抵抗が高くなり低速電子線では発光しなくな
り、ZnOが4.0mol以上だと付活剤のCdと希土類元素がド
ープしなくなり目的とする蛍光体が得られなかった。
ようにZnOとGa2O3の混晶であるが、ZnOとGa2O3の割合
は、実験結果からGa2O31molに対し、ZnOを0.5〜4.0mol
の割合が好ましい値であった。ZnOが5.0mol以下である
と蛍光体の抵抗が高くなり低速電子線では発光しなくな
り、ZnOが4.0mol以上だと付活剤のCdと希土類元素がド
ープしなくなり目的とする蛍光体が得られなかった。
なかでもGa2O31molに対しZnOが1molの割合が良好であっ
たので以下の実施例では、前記の割合の場合を説明す
る。
たので以下の実施例では、前記の割合の場合を説明す
る。
ZnO・Ga2O3母体にドープする付活剤はカドミウムCdと前
述の希土類元素である。
述の希土類元素である。
付活剤のCdは、例えばCdCO3のような炭酸塩で加える
が、その他硝酸塩や硫酸塩等で混合することも可能であ
る。次にCdの付活量を求める為に、Ga2O3を1molとZnOを
1molに固定し、Cdのドープ量を5×10-4〜5×10-1atm/mo
lに変化させてZnO・Ga2O3：Cd蛍光体を合成して、それぞ
れ蛍光表示管に実装して相対輝度を測定したところ第５
図に示すようなCdのドープ量と相対輝度の関係を示すグ
ラフ得られた。このグラフからもわかるように、相対発
光輝度の点から見るとCdのドープ量が5×10-4atm/mol以
下ではCdの効果があらわれず、またCdのドープ量が2×1
0-1atm/mol以上で、例えば5×10-1atm/molでは、相対発
光輝度が50％以下になっている。したがって、Cdの好ま
しいドープ量は、前記の結果から5×10-4〜3×10-1atm/
molの範囲が適している。なかでも1×10-1atm/molのCd
のドープ量が最良の輝度であった。
が、その他硝酸塩や硫酸塩等で混合することも可能であ
る。次にCdの付活量を求める為に、Ga2O3を1molとZnOを
1molに固定し、Cdのドープ量を5×10-4〜5×10-1atm/mo
lに変化させてZnO・Ga2O3：Cd蛍光体を合成して、それぞ
れ蛍光表示管に実装して相対輝度を測定したところ第５
図に示すようなCdのドープ量と相対輝度の関係を示すグ
ラフ得られた。このグラフからもわかるように、相対発
光輝度の点から見るとCdのドープ量が5×10-4atm/mol以
下ではCdの効果があらわれず、またCdのドープ量が2×1
0-1atm/mol以上で、例えば5×10-1atm/molでは、相対発
光輝度が50％以下になっている。したがって、Cdの好ま
しいドープ量は、前記の結果から5×10-4〜3×10-1atm/
molの範囲が適している。なかでも1×10-1atm/molのCd
のドープ量が最良の輝度であった。
次に付活剤の希土類元素について説明する。
希土類元素は、蛍光体にドープされて発光中心を形成す
るので、ドープする希土類元素によって発光色が決ま
る。本発明の蛍光体においても次のような各種希土類元
素を1×10-2atm/molドープさせた結果、希土類元素と発
光色の関係は次の表−１のとおりである。
るので、ドープする希土類元素によって発光色が決ま
る。本発明の蛍光体においても次のような各種希土類元
素を1×10-2atm/molドープさせた結果、希土類元素と発
光色の関係は次の表−１のとおりである。
前記希土類元素は、酸化物で混合される。例えば、酸化
ユーロピウムEu2O3、酸化テルビウムTb2O3、酸化ツリウ
ムTm2O3というような酸化物である。
ユーロピウムEu2O3、酸化テルビウムTb2O3、酸化ツリウ
ムTm2O3というような酸化物である。
次にこの希土類元素のドープ量は次のように決めた。前
記のCdのドープ量の結果から最良の結果を選び、ZnOを1
mol、Ga2O3を1molで母体を構成し、Cdのドープ量として
0.1atm/molを固定して希土類元素のなかからEu、Tb、Tm
を選び、Eu、Tb、Tmとして母体1mol中に1×10-3〜2×10
-1atm/molドープさせてZnO・Ga2O3：Cd,Re蛍光体（Reは
希土類元素）を合成して、それぞれ蛍光表示管に実装し
て相対発光輝度を測定した。第６図は希土類元素の付活
剤濃度と、相対発光輝度の関係を示すグラフである。
記のCdのドープ量の結果から最良の結果を選び、ZnOを1
mol、Ga2O3を1molで母体を構成し、Cdのドープ量として
0.1atm/molを固定して希土類元素のなかからEu、Tb、Tm
を選び、Eu、Tb、Tmとして母体1mol中に1×10-3〜2×10
-1atm/molドープさせてZnO・Ga2O3：Cd,Re蛍光体（Reは
希土類元素）を合成して、それぞれ蛍光表示管に実装し
て相対発光輝度を測定した。第６図は希土類元素の付活
剤濃度と、相対発光輝度の関係を示すグラフである。
このグラフからもわかるように相対発光輝度の観点から
見ると希土類元素のドープ量が1×10-3〜2×10-1atm/mo
lの間が相対輝度が50％以上で実用上使用できる。ま
た、ドープ量が1×10-3atm/molより少ない場合は、希土
類元素による発光中心が少なく、希土類の発光が得られ
ず、2×10-1atm/molより多い場合は濃度消光により発光
輝度が低下する。
見ると希土類元素のドープ量が1×10-3〜2×10-1atm/mo
lの間が相対輝度が50％以上で実用上使用できる。ま
た、ドープ量が1×10-3atm/molより少ない場合は、希土
類元素による発光中心が少なく、希土類の発光が得られ
ず、2×10-1atm/molより多い場合は濃度消光により発光
輝度が低下する。
したがって、希土類元素のドープ量は1×10-3〜2×10-1
atm/molの範囲が好ましい範囲である。
atm/molの範囲が好ましい範囲である。
なお、ドープ量を決定する実験には希土類元素のなかか
らEu、Tb、Tmの３元素について実験したが、他の希土類
元素についても同様の特性になることは容易に考えられ
る。また、ドープ量を1×10-2atm/molにして各希土類元
素をドープさせて蛍光体を合成し、蛍光表示管に実装し
て発光色を測定するときに輝度も測定したが実用上表示
を得るに十分な輝度であった。
らEu、Tb、Tmの３元素について実験したが、他の希土類
元素についても同様の特性になることは容易に考えられ
る。また、ドープ量を1×10-2atm/molにして各希土類元
素をドープさせて蛍光体を合成し、蛍光表示管に実装し
て発光色を測定するときに輝度も測定したが実用上表示
を得るに十分な輝度であった。
次に本発明の蛍光体の製造方法を説明する。
Ga2O3を1mol秤量し、ZnOを0.5〜4.0molの範囲から選ん
で秤量する。さらにCdCO3をZnO・Ga2O3母体1molに対しCd
の量が5×10-4〜3×10-1atm/molの範囲のなかから選ん
だ量になるようにCdCO3量に換算して秤量する。そして
希土類元素は目的とする発光色により元素を選び、選ん
だ希土類元素のドープ量が1×10-3〜2×10-1atm/molに
なるよう希土類成素の酸化物を秤量する。
で秤量する。さらにCdCO3をZnO・Ga2O3母体1molに対しCd
の量が5×10-4〜3×10-1atm/molの範囲のなかから選ん
だ量になるようにCdCO3量に換算して秤量する。そして
希土類元素は目的とする発光色により元素を選び、選ん
だ希土類元素のドープ量が1×10-3〜2×10-1atm/molに
なるよう希土類成素の酸化物を秤量する。
秤量したZnOとGa2O3とCdCO3とRe2O3（Reは希土類元素）
をよく混合する。混合物はアルミナボート等の耐熱容器
に入れて電気炉で1000〜1500℃で2〜10時間焼成を行
う。電気炉内の雰囲気は、酸化物雰囲気又は中性雰囲気
又は弱還元性雰囲気のいずれかで行う。
をよく混合する。混合物はアルミナボート等の耐熱容器
に入れて電気炉で1000〜1500℃で2〜10時間焼成を行
う。電気炉内の雰囲気は、酸化物雰囲気又は中性雰囲気
又は弱還元性雰囲気のいずれかで行う。
合成された蛍光体は、蛍光体結晶の凝集体であるのでこ
れを粉砕した後弱還元性雰囲気で1000〜1500℃で1〜5時
間位焼成させることにより、より結晶状態の良い蛍光体
が得られる。
れを粉砕した後弱還元性雰囲気で1000〜1500℃で1〜5時
間位焼成させることにより、より結晶状態の良い蛍光体
が得られる。
〔実施例１〕 本実施例の蛍光体は、ZnO・Ga2O3の母体にCdと希土類元
素の中からEuがドープされたものである。母体は、Ga2O
3の1molに対してZnOを1molの割合で結晶させた。付活剤
はCdを1×10-1atm/molと、Euを1×10-2atm/molドープさ
せた。
素の中からEuがドープされたものである。母体は、Ga2O
3の1molに対してZnOを1molの割合で結晶させた。付活剤
はCdを1×10-1atm/molと、Euを1×10-2atm/molドープさ
せた。
具体的には母体材料であるZnOを0.81ｇとGa2O3を1.87ｇ
と付活剤であるCdとEuとして、CdCO3を1×10-1atm/mol
に相当する0.17ｇとEu2O3を1×10-2atm/molに相当する
0.018ｇを秤量し、粉体の状態でよく混合する。混合方
法は、乳鉢やボールミル、ミキサー等を使用して充分混
合する。
と付活剤であるCdとEuとして、CdCO3を1×10-1atm/mol
に相当する0.17ｇとEu2O3を1×10-2atm/molに相当する
0.018ｇを秤量し、粉体の状態でよく混合する。混合方
法は、乳鉢やボールミル、ミキサー等を使用して充分混
合する。
混合した蛍光体材料をアルミナボートに入れ、電気炉で
焼成する。電気炉の雰囲気は空気中であり、焼成温度は
1300℃で2時間焼成した。焼成後室温まで放冷し、合成
した蛍光体結晶の凝集体を粉砕し、アルミナボートに入
れ、還元雰囲気又は弱還元雰囲気中で1000℃で３時間焼
成させることにより結晶状態のよいZnO・Ga2O3：Cd,Eu蛍
光体が得られた。
焼成する。電気炉の雰囲気は空気中であり、焼成温度は
1300℃で2時間焼成した。焼成後室温まで放冷し、合成
した蛍光体結晶の凝集体を粉砕し、アルミナボートに入
れ、還元雰囲気又は弱還元雰囲気中で1000℃で３時間焼
成させることにより結晶状態のよいZnO・Ga2O3：Cd,Eu蛍
光体が得られた。
前述のようにして合成された蛍光体を蛍光表示管の陽極
導体上に有機系のバインダーを用いてスクリーン印刷法
で被着させて蛍光表示管に実装して、陰極電圧を1.7Ｖ
印加させ、制御電極電圧を12Ｖ、陽極電圧を30〜100Ｖ
印加したところ第１図のａに示すような陽極電圧と輝度
の関係を示す曲線が得られた。この結果から陽極電圧が
100Ｖであると120ft-Lの輝度が得られた。
導体上に有機系のバインダーを用いてスクリーン印刷法
で被着させて蛍光表示管に実装して、陰極電圧を1.7Ｖ
印加させ、制御電極電圧を12Ｖ、陽極電圧を30〜100Ｖ
印加したところ第１図のａに示すような陽極電圧と輝度
の関係を示す曲線が得られた。この結果から陽極電圧が
100Ｖであると120ft-Lの輝度が得られた。
また発光色は、第２図の発光スペクトル図に示すように
600nm付近に主ピークを有する赤色発光が得られた。
600nm付近に主ピークを有する赤色発光が得られた。
〔実施例２〕 本実施例の蛍光体は、ZnO・Ga2O3の母体にCdと希土類元
素の中からテルビウムTbをドープした蛍光体である。
素の中からテルビウムTbをドープした蛍光体である。
母体は、Ga2O31molに対してZnOを1molの割合で混晶させ
た。付活剤はCdを1×10-1atm/molと、Tbを1×10-2atm/m
olドープさせた。
た。付活剤はCdを1×10-1atm/molと、Tbを1×10-2atm/m
olドープさせた。
具体的には、ZnOを0.81ｇとGa2O3を1.87ｇとCdCO3を0.1
7ｇ、Tb2O3を0.018ｇを秤量し実施例１と同様によく混
合し、焼成し、ZnO・Ga2O3：Cd1×10-1，Tb1×10-2atm/m
olの蛍光体が得られた。
7ｇ、Tb2O3を0.018ｇを秤量し実施例１と同様によく混
合し、焼成し、ZnO・Ga2O3：Cd1×10-1，Tb1×10-2atm/m
olの蛍光体が得られた。
この合成された蛍光体を蛍光表示管に実装して、陰極電
圧を1.7Ｖ印加させ、制御電極を12Ｖ印加させ、陽極電
圧を0〜100Ｖまで変化させて印加したときの発光輝度を
測定したら第１図のｂに示す曲線が得られた。この結果
から陽極で電圧を100Ｖ印加したときの発光輝度は200ft
-Lであった。
圧を1.7Ｖ印加させ、制御電極を12Ｖ印加させ、陽極電
圧を0〜100Ｖまで変化させて印加したときの発光輝度を
測定したら第１図のｂに示す曲線が得られた。この結果
から陽極で電圧を100Ｖ印加したときの発光輝度は200ft
-Lであった。
また、発光色は第３図の発光スペクトル図からもわかる
ように550nm付近に主ピークを有し500〜620nm付近にス
ペクトルを分布している緑色発光であった。
ように550nm付近に主ピークを有し500〜620nm付近にス
ペクトルを分布している緑色発光であった。
〔実施例３〕 本実施例の蛍光体は、ZnO・Ga2O3の母体にCdと希土類元
素の中からツリウムTmをドープした蛍光体である。
素の中からツリウムTmをドープした蛍光体である。
母体は、Ga2O31molに対してZnOを1molの割合で混晶さ
せ、付活剤はCdを1×10-1atm/molとTmを1×10-2atm/mol
母体にドープさせた。
せ、付活剤はCdを1×10-1atm/molとTmを1×10-2atm/mol
母体にドープさせた。
具体的には、ZnOを0.81ｇとGa2O3を1.87ｇとCdCO3を0.1
7ｇとTm2O3を0.019ｇを秤量し、よく混合した後焼成し
た。
7ｇとTm2O3を0.019ｇを秤量し、よく混合した後焼成し
た。
合成されたZnO・Ga2O3：Cd,Tm蛍光体を蛍光表示管に実装
して、陰極電圧を1.7Ｖ印加させ、制御電極を12Ｖ印加
させ、陽極電圧を0〜100Ｖまで変化させて印加したとき
の発光輝度を測定した。発光しきい値電圧は33Ｖであ
り、陽極電圧を100Ｖ印加したところ20ft-Lの輝度が得
られた。各陽極電圧に対する輝度は第１図の曲線ｃで示
す通りである。
して、陰極電圧を1.7Ｖ印加させ、制御電極を12Ｖ印加
させ、陽極電圧を0〜100Ｖまで変化させて印加したとき
の発光輝度を測定した。発光しきい値電圧は33Ｖであ
り、陽極電圧を100Ｖ印加したところ20ft-Lの輝度が得
られた。各陽極電圧に対する輝度は第１図の曲線ｃで示
す通りである。
発光色は、第４図の発光スペクトル図に示すように470n
m付近にピークを有する青色発光であった。
m付近にピークを有する青色発光であった。
本発明は、以上説明したようにZnO・Ga2O3で表わされる
母体中に付活剤としてCd及び希土類元素のユーロピウム
Eu、テルビウムTb、ツリウムTmのうちの少なくとも１元
素以上ドープさせ、硫化物の含有していない各発光色の
蛍光体を提供できる効果がある。
母体中に付活剤としてCd及び希土類元素のユーロピウム
Eu、テルビウムTb、ツリウムTmのうちの少なくとも１元
素以上ドープさせ、硫化物の含有していない各発光色の
蛍光体を提供できる効果がある。
したがってこの蛍光体を蛍光発光装置に使用すると、電
子線の射突により硫化物系ガスの飛散がおこらず、陰極
のエミッション特性を劣化させることがなくなり、信頼
性に優れた蛍光発光装置を提供できる効果を有する。
子線の射突により硫化物系ガスの飛散がおこらず、陰極
のエミッション特性を劣化させることがなくなり、信頼
性に優れた蛍光発光装置を提供できる効果を有する。
第１図は、本発明の蛍光体を発光させたときの陽極電圧
と輝度の関係を示すグラフ、第２図は、本発明のZnO・Ga
2O3：Cd,Eu蛍光体の発光スペクトル図、第３図は、本発
明のZnO・Ga2O3：Cd,Tb蛍光体の発光スペクトル図、第４
図は、本発明のZnO・Ga2O3：Cd,Tm蛍光体の発光スペクト
ル図、第５図は、付活剤のCdの添加量と相対発光輝度の
関係を示すグラフ、第６図は、希土類付活剤濃度と相対
発光輝度の関係を示すグラフである。
と輝度の関係を示すグラフ、第２図は、本発明のZnO・Ga
2O3：Cd,Eu蛍光体の発光スペクトル図、第３図は、本発
明のZnO・Ga2O3：Cd,Tb蛍光体の発光スペクトル図、第４
図は、本発明のZnO・Ga2O3：Cd,Tm蛍光体の発光スペクト
ル図、第５図は、付活剤のCdの添加量と相対発光輝度の
関係を示すグラフ、第６図は、希土類付活剤濃度と相対
発光輝度の関係を示すグラフである。
Claims (2)
- 【請求項１】一般式がZnO・Ga2O3で表わされる母体に付
活剤としてCdと希土類元素のEu、TbおよびTmのうち少な
くとも1元素とをドープしたことを特徴とする蛍光体。 - 【請求項２】前記付活剤のドープ量は、ZnO・Ga2O3で表
わされる母体に対し、Cdの量が5×10-4〜3×10-1atm/mo
lであり、希土類元素の量が1×10-3〜2×10-1atm/molで
ある特許請求の範囲第1項記載の蛍光体。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18076986A JPH0662949B2 (ja) | 1986-07-31 | 1986-07-31 | 蛍光体 |
| US07/066,072 US4791336A (en) | 1986-06-26 | 1987-06-24 | Fluorescent composition and fluorescent luminous device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18076986A JPH0662949B2 (ja) | 1986-07-31 | 1986-07-31 | 蛍光体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6337183A JPS6337183A (ja) | 1988-02-17 |
| JPH0662949B2 true JPH0662949B2 (ja) | 1994-08-17 |
Family
ID=16089001
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18076986A Expired - Lifetime JPH0662949B2 (ja) | 1986-06-26 | 1986-07-31 | 蛍光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0662949B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2802215B2 (ja) * | 1993-11-09 | 1998-09-24 | 双葉電子工業株式会社 | 蛍光体の製造方法 |
| JP2006137931A (ja) * | 2004-10-13 | 2006-06-01 | Kokusai Kiban Zairyo Kenkyusho:Kk | 蛍光体及び自発光型装置 |
-
1986
- 1986-07-31 JP JP18076986A patent/JPH0662949B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6337183A (ja) | 1988-02-17 |
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