JPH0661395A - 半導体装置のアウターリード部のメッキ方法ならびにメッキ装置及びこれらを用いて製造した半導体装置 - Google Patents
半導体装置のアウターリード部のメッキ方法ならびにメッキ装置及びこれらを用いて製造した半導体装置Info
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- JPH0661395A JPH0661395A JP21188992A JP21188992A JPH0661395A JP H0661395 A JPH0661395 A JP H0661395A JP 21188992 A JP21188992 A JP 21188992A JP 21188992 A JP21188992 A JP 21188992A JP H0661395 A JPH0661395 A JP H0661395A
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- Japan
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- plating
- semiconductor device
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- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 リードフレームのアウターリード面上にメッ
キ屑やメッキ層の削れなどが生じないようにする。 【構成】 最終形状に成形した半導体装置１をアウター
リード部１ａの周囲に空間が生じるようにして上型２及
び下型３からなる非導電性の一対の型内に封入し、アウ
ターリード部１ａの周囲に形成されているメッキ室５に
メッキ液を満たし、メッキ析出によりアウターリード部
１ａに対するメッキを行う。
キ屑やメッキ層の削れなどが生じないようにする。 【構成】 最終形状に成形した半導体装置１をアウター
リード部１ａの周囲に空間が生じるようにして上型２及
び下型３からなる非導電性の一対の型内に封入し、アウ
ターリード部１ａの周囲に形成されているメッキ室５に
メッキ液を満たし、メッキ析出によりアウターリード部
１ａに対するメッキを行う。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置のためのアウ
ターリード部のメッキ技術、特に、メッキ処理後のメッ
キ屑、削れひげの発生を防止するために用いて効果のあ
る技術に関するものである。
ターリード部のメッキ技術、特に、メッキ処理後のメッ
キ屑、削れひげの発生を防止するために用いて効果のあ
る技術に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来より、ＩＣ、ＬＳＩなどの半導体装
置においては、外部から供給される半田との濡れ性を良
好にするために、アウターリード部にメッキが施され
る。従来、アウターリード部へのメッキは、最終形状
（アウターリード部の折り曲げ成形加工がなされた状
態）になる前でのフレーム状態において行い、その後に
単体への切離し、アウターリード部への成形を行ってい
る。
置においては、外部から供給される半田との濡れ性を良
好にするために、アウターリード部にメッキが施され
る。従来、アウターリード部へのメッキは、最終形状
（アウターリード部の折り曲げ成形加工がなされた状
態）になる前でのフレーム状態において行い、その後に
単体への切離し、アウターリード部への成形を行ってい
る。
【０００３】なお、アウターリードのはんだメッキに関
する技術には、例えば、特開平３−９５９６０号及び特
開平３−８５７５０号があり、前者は、リードフレーム
表面をテープでマスクしてアウターリードに半田メッキ
層を形成するものであり、後者は、リードに厚膜半田メ
ッキを施すことを特徴としている。
する技術には、例えば、特開平３−９５９６０号及び特
開平３−８５７５０号があり、前者は、リードフレーム
表面をテープでマスクしてアウターリードに半田メッキ
層を形成するものであり、後者は、リードに厚膜半田メ
ッキを施すことを特徴としている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明者の検討によれ
ば、最終形状になる前のフレーム状態においてアウター
リード部のメッキを行い、その後に切断、成形を行う従
来技術にあっては、メッキで覆われないリード部分（リ
ード先端部など）が生じたり、切断や成形時にメッキ屑
やメッキ層の削れなどが発生し、ショートを招くなどの
問題がある。
ば、最終形状になる前のフレーム状態においてアウター
リード部のメッキを行い、その後に切断、成形を行う従
来技術にあっては、メッキで覆われないリード部分（リ
ード先端部など）が生じたり、切断や成形時にメッキ屑
やメッキ層の削れなどが発生し、ショートを招くなどの
問題がある。
【０００５】そこで、本発明の目的は、アウターリード
にメッキ屑やメッキ層の削れなどが生じないようにする
技術を提供することにある。
にメッキ屑やメッキ層の削れなどが生じないようにする
技術を提供することにある。
【０００６】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述及び添付図面から明らかにな
るであろう。
な特徴は、本明細書の記述及び添付図面から明らかにな
るであろう。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下の通りである。
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下の通りである。
【０００８】すなわち、最終形状に成形した半導体装置
をアウターリード部の周囲に空間が生じるようにして非
導電性の一対の型内に封入し、前記アウターリード部の
周囲の空間にメッキ液を満たして前記アウターリード部
に対するメッキを行うようにしている。
をアウターリード部の周囲に空間が生じるようにして非
導電性の一対の型内に封入し、前記アウターリード部の
周囲の空間にメッキ液を満たして前記アウターリード部
に対するメッキを行うようにしている。
【０００９】
【作用】上記した手段によれば、位置決め及び保持が容
易な一対の型（上型及び下型）内に、最終形状に成形
（少なくとも折り曲げ成形まで終了）した半導体装置を
配設し、アウターリード部の周囲に形成された空間内に
アウターリード部が漬かるようにメッキ液を満たし、メ
ッキの析出を行って全リードにメッキを施す。これによ
り、曲げ加工の後にアウターリード部にメッキを施すこ
とができるので、メッキの削れ、メッキかすの付着など
を防止することができる。
易な一対の型（上型及び下型）内に、最終形状に成形
（少なくとも折り曲げ成形まで終了）した半導体装置を
配設し、アウターリード部の周囲に形成された空間内に
アウターリード部が漬かるようにメッキ液を満たし、メ
ッキの析出を行って全リードにメッキを施す。これによ
り、曲げ加工の後にアウターリード部にメッキを施すこ
とができるので、メッキの削れ、メッキかすの付着など
を防止することができる。
【００１０】
【実施例１】図１は本発明によるアウターリード部のメ
ッキ方法及びそれを用いた半導体装置を示す断面図であ
る。
ッキ方法及びそれを用いた半導体装置を示す断面図であ
る。
【００１１】半導体装置の封止パッケージング工程の
後、その半導体装置１（ここでは、ＱＦＰ:Quad flat P
ackage、ＳＯＰ: Small Out Line Package）のアウター
リード部１ａにメッキを施すために、半導体装置１を上
側及び下側から挟持する上型２と下型３（いずれも非導
電性の材料を用いて作られる）が用いられる。上型２及
び下型３は、中央部が半導体装置１のパッケージング部
分を覆うようにして位置決めならびに保持する台座部
４、メッキを施すためのメッキ液を充填するためにアウ
ターリード部１ａの周囲に確保される空間によるメッキ
室５を有した対称形を成している。
後、その半導体装置１（ここでは、ＱＦＰ:Quad flat P
ackage、ＳＯＰ: Small Out Line Package）のアウター
リード部１ａにメッキを施すために、半導体装置１を上
側及び下側から挟持する上型２と下型３（いずれも非導
電性の材料を用いて作られる）が用いられる。上型２及
び下型３は、中央部が半導体装置１のパッケージング部
分を覆うようにして位置決めならびに保持する台座部
４、メッキを施すためのメッキ液を充填するためにアウ
ターリード部１ａの周囲に確保される空間によるメッキ
室５を有した対称形を成している。
【００１２】さらに、半導体装置１の各リード部に先端
が接触するように通電用の接点６，７が上型２及び下型
３に垂直方向へ昇降可能に埋め込まれている。この接点
６，７は、その外周部の隙間を介してメッキ液が型の外
へ漏れ出るのを防止できるように取り付ける必要があ
る。また、メッキ室５内の側壁、天井及び底面には電解
メッキ用の３個の平板電極８が埋め込まれている。平板
電極８は相互に接続され、これら電極と接点６または接
点７との間に直流電源９が接続されている（極性は平板
電極８が正、接点６または接点７が負）。さらに、メッ
キ室５の一方には、メッキ液を充填ならびに循環させる
ための通路１０が形成されており、この通路１０に連結
された配管１１の途中にはポンプ１２が接続されてい
る。なお、接点６と接点７の選択は、スイッチ１３によ
って行われる。接点６，７の２つを並設する理由は、１
つの場合、接点に接触する部位のリードにメッキが施さ
れないのを避けるためである。
が接触するように通電用の接点６，７が上型２及び下型
３に垂直方向へ昇降可能に埋め込まれている。この接点
６，７は、その外周部の隙間を介してメッキ液が型の外
へ漏れ出るのを防止できるように取り付ける必要があ
る。また、メッキ室５内の側壁、天井及び底面には電解
メッキ用の３個の平板電極８が埋め込まれている。平板
電極８は相互に接続され、これら電極と接点６または接
点７との間に直流電源９が接続されている（極性は平板
電極８が正、接点６または接点７が負）。さらに、メッ
キ室５の一方には、メッキ液を充填ならびに循環させる
ための通路１０が形成されており、この通路１０に連結
された配管１１の途中にはポンプ１２が接続されてい
る。なお、接点６と接点７の選択は、スイッチ１３によ
って行われる。接点６，７の２つを並設する理由は、１
つの場合、接点に接触する部位のリードにメッキが施さ
れないのを避けるためである。
【００１３】次に、本発明によるメッキ方法（化学メッ
キ法）について説明する。まず、上型２と下型３の間に
半導体装置１を挟み込んで２つの型を合わせ、接点６，
７をリード表面から引き離した状態にする。ついで、ポ
ンプ１２によってメッキ室５内に無電解メッキ液（化学
メッキ液）を充填させる。所定時間が経過すると、置換
メッキ現象により給電を行うことなくメッキが析出さ
れ、半導体装置１のアウターリード部１ａにはメッキが
施される。この場合には給電を行わないので、接点６，
７、平板電極８及びポンプ１２は用いられない。
キ法）について説明する。まず、上型２と下型３の間に
半導体装置１を挟み込んで２つの型を合わせ、接点６，
７をリード表面から引き離した状態にする。ついで、ポ
ンプ１２によってメッキ室５内に無電解メッキ液（化学
メッキ液）を充填させる。所定時間が経過すると、置換
メッキ現象により給電を行うことなくメッキが析出さ
れ、半導体装置１のアウターリード部１ａにはメッキが
施される。この場合には給電を行わないので、接点６，
７、平板電極８及びポンプ１２は用いられない。
【００１４】次に、電解メッキを行う場合、ポンプ１２
によってメッキ室５内にメッキ液を充填すると共に、ス
イッチ１３によって接点６または接点７の一方、例えば
接点６を選択し、選択した方の電極すなわち接点６を押
し込むと共に接点７を抜き（リード表面から引き離
し）、接点６と平板電極８との間に直流電源９を接続す
る。これにより、アウターリード部１ａにはメッキが析
出される。そして、途中でスイッチ１３を切替え、接点
６を抜くと共に接点７を押し込んで接点７に通電し、接
点６に接触する部分に対してメッキを施す。これによ
り、アウターリード部１ａの全域にメッキを施すことが
でき、メッキされない部分が生じるのを無くすことがで
きる。
によってメッキ室５内にメッキ液を充填すると共に、ス
イッチ１３によって接点６または接点７の一方、例えば
接点６を選択し、選択した方の電極すなわち接点６を押
し込むと共に接点７を抜き（リード表面から引き離
し）、接点６と平板電極８との間に直流電源９を接続す
る。これにより、アウターリード部１ａにはメッキが析
出される。そして、途中でスイッチ１３を切替え、接点
６を抜くと共に接点７を押し込んで接点７に通電し、接
点６に接触する部分に対してメッキを施す。これによ
り、アウターリード部１ａの全域にメッキを施すことが
でき、メッキされない部分が生じるのを無くすことがで
きる。
【００１５】図２は接点６，７の配設例を示す平面図で
ある。ここでは下型３についてのみ示しているが、上型
２においても同様の構成が取られる。
ある。ここでは下型３についてのみ示しているが、上型
２においても同様の構成が取られる。
【００１６】図２に示すように、ここでは３つの配置例
を示している。パターン１４はドット状の電極をリード
間隔に対応して２列に配設した例であり、パターン１５
はリード列に沿って帯状に電極を２列に配置した例であ
り、パターン１６は２つの辺に渡りＬ字形に帯状の電極
を２列に配置した例である（なお、パターン１６の場
合、３辺に渡ってＵ字形に配置することも、４辺に渡っ
て“ロ”の字形に配置することも可能である）。
を示している。パターン１４はドット状の電極をリード
間隔に対応して２列に配設した例であり、パターン１５
はリード列に沿って帯状に電極を２列に配置した例であ
り、パターン１６は２つの辺に渡りＬ字形に帯状の電極
を２列に配置した例である（なお、パターン１６の場
合、３辺に渡ってＵ字形に配置することも、４辺に渡っ
て“ロ”の字形に配置することも可能である）。
【００１７】
【実施例２】図３は本発明によるアウターリード部のメ
ッキ方法及びそれを用いた半導体装置の第２実施例を示
す断面図である。なお、図３においては図１と同一また
は同一目的に用いられるものに対しては同一引用数字を
用いたので、ここでは重複する説明を省略する。
ッキ方法及びそれを用いた半導体装置の第２実施例を示
す断面図である。なお、図３においては図１と同一また
は同一目的に用いられるものに対しては同一引用数字を
用いたので、ここでは重複する説明を省略する。
【００１８】本実施例は、半導体装置をＰＬＣＣ（Plas
tic Leaded Chip Carrier)、ＳＯＪ（Small Out Line）
などのタイプの半導体装置１７に対応させた例である。
この実施例では、アウターリード１８が横方向に短く、
かつ下側に膨出した形状であることから、上型１９及び
下型２０の内部に形成されるメッキ室２１は縦長の形状
を成し、かつ、下型２０の台座部２２は、カールしたア
ウターリード１８を避けるために細身にされている。
tic Leaded Chip Carrier)、ＳＯＪ（Small Out Line）
などのタイプの半導体装置１７に対応させた例である。
この実施例では、アウターリード１８が横方向に短く、
かつ下側に膨出した形状であることから、上型１９及び
下型２０の内部に形成されるメッキ室２１は縦長の形状
を成し、かつ、下型２０の台座部２２は、カールしたア
ウターリード１８を避けるために細身にされている。
【００１９】さらに、前記実施例と同様に、メッキ室２
１内には平板電極８が配設され、上型１９にのみ接点
６，７と同一使用目的の接点２３，２４が昇降自在に取
り付けられている（なお、アウターリード１８が下側に
カールしていて電極配置の障害になるため、下型２０に
は設けられない）。また、電解メッキを行うためには、
直流電源９が必要であるが、ここでは図示を省略してい
る。
１内には平板電極８が配設され、上型１９にのみ接点
６，７と同一使用目的の接点２３，２４が昇降自在に取
り付けられている（なお、アウターリード１８が下側に
カールしていて電極配置の障害になるため、下型２０に
は設けられない）。また、電解メッキを行うためには、
直流電源９が必要であるが、ここでは図示を省略してい
る。
【００２０】本実施例におけるメッキ処理方法は、前記
実施例と全く同一であるので、ここでは説明を省略す
る。
実施例と全く同一であるので、ここでは説明を省略す
る。
【００２１】
【実施例３】図４は本発明によるアウターリード部のメ
ッキ方法及びそれを用いた半導体装置の第３実施例を示
す断面図である。なお、図４においては図１及び図３と
同一または同一目的に用いられるものに対しては同一引
用数字を用いたので、ここでは重複する説明を省略す
る。
ッキ方法及びそれを用いた半導体装置の第３実施例を示
す断面図である。なお、図４においては図１及び図３と
同一または同一目的に用いられるものに対しては同一引
用数字を用いたので、ここでは重複する説明を省略す
る。
【００２２】本実施例は、ＱＦＰ(Quad flat Package)
、ＳＯＰ(Small Out Line Package)、Ｊフォーミング
などのタイプの半導体装置１を対象としている。そし
て、図１の実施例がパッケージ部分を上型２と下型３と
で保持していたのに対し、本実施例は、半導体装置１を
メッキ室２８の中央部に配設し、かつ、アウターリード
の先端部を上型２５と下型２６の接合部に設けた凹部２
７によって支持するようにしている。また、電解メッキ
に対処するために、接点６，７をメッキ室２８の側壁部
に昇降自在に埋め込むと共に、平板電極８に相当する平
板電極２９を天井面と底面に取り付けている。なお、前
記実施例と同様に、電解メッキを行うためには、直流電
源９が必要であるが、ここでは図示を省略している。そ
して、本実施例におけるメッキ処理方法は、前記実施例
と全く同一であるので、ここでは説明を省略する。
、ＳＯＰ(Small Out Line Package)、Ｊフォーミング
などのタイプの半導体装置１を対象としている。そし
て、図１の実施例がパッケージ部分を上型２と下型３と
で保持していたのに対し、本実施例は、半導体装置１を
メッキ室２８の中央部に配設し、かつ、アウターリード
の先端部を上型２５と下型２６の接合部に設けた凹部２
７によって支持するようにしている。また、電解メッキ
に対処するために、接点６，７をメッキ室２８の側壁部
に昇降自在に埋め込むと共に、平板電極８に相当する平
板電極２９を天井面と底面に取り付けている。なお、前
記実施例と同様に、電解メッキを行うためには、直流電
源９が必要であるが、ここでは図示を省略している。そ
して、本実施例におけるメッキ処理方法は、前記実施例
と全く同一であるので、ここでは説明を省略する。
【００２３】以上、本発明者によってなされた発明を実
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲
で種々変更可能であることは言うまでもない。
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲
で種々変更可能であることは言うまでもない。
【００２４】例えば、上記実施例では、パッケージ部ま
たはアウターリードの先端部を上型と下型とで保持（支
持）するものとしたが、アウターリードの根元部分を保
持するようにしてもよい。この場合、両持ちにすること
も片持ちにすることも可能である。
たはアウターリードの先端部を上型と下型とで保持（支
持）するものとしたが、アウターリードの根元部分を保
持するようにしてもよい。この場合、両持ちにすること
も片持ちにすることも可能である。
【００２５】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
下記の通りである。
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
下記の通りである。
【００２６】すなわち、最終形状に成形した半導体装置
をアウターリード部の周囲に空間が生じるようにして非
導電性の一対の型内に封入し、前記アウターリード部の
周囲の空間にメッキ液を満たして前記アウターリード部
に対するメッキを行うようにしたので、曲げ加工の後に
アウターリード部にメッキを施すことができ、メッキの
削れ、メッキかすの付着などを防止することができる。
また、アウターリード部の前面にメッキを施すことが可
能になる。
をアウターリード部の周囲に空間が生じるようにして非
導電性の一対の型内に封入し、前記アウターリード部の
周囲の空間にメッキ液を満たして前記アウターリード部
に対するメッキを行うようにしたので、曲げ加工の後に
アウターリード部にメッキを施すことができ、メッキの
削れ、メッキかすの付着などを防止することができる。
また、アウターリード部の前面にメッキを施すことが可
能になる。
【図１】本発明によるアウターリード部のメッキ方法及
びそれを用いた半導体装置の第１実施例を示す断面図で
ある。
びそれを用いた半導体装置の第１実施例を示す断面図で
ある。
【図２】電解メッキ時に用いられる図１の接点の配設例
を示す平面図である。
を示す平面図である。
【図３】本発明によるアウターリード部のメッキ方法及
びそれを用いた半導体装置の第２実施例を示す断面図で
ある。
びそれを用いた半導体装置の第２実施例を示す断面図で
ある。
【図４】本発明によるアウターリード部のメッキ方法及
びそれを用いた半導体装置の第３実施例を示す断面図で
ある。
びそれを用いた半導体装置の第３実施例を示す断面図で
ある。
１ 半導体装置 １ａ アウターリード ２ 上型 ３ 下型 ４ 台座部 ５ メッキ室 ６，７ 接点 ８ 平板電極 ９ 直流電源 １０ 通路 １１ 配管 １２ ポンプ １３ スイッチ １４，１５，１６ パターン １７ 半導体装置 １８ アウターリード １９ 上型 ２０ 下型 ２１ メッキ室 ２２ 台座部 ２３，２４ 接点 ２５ 上型 ２６ 下型 ２７ 凹部 ２８ メッキ室 ２９ 平板電極
Claims (5)
- 【請求項１】 最終形状に成形した半導体装置をアウタ
ーリード部の周囲に空間が生じるようにして非導電性の
一対の型内に封入し、前記アウターリード部の周囲の空
間にメッキ液を満たして前記アウターリード部に対する
メッキを行うことを特徴とする半導体装置のアウターリ
ード部のメッキ方法。 - 【請求項２】 最終形状に成形した半導体装置を少なく
ともアウターリードが露出するようにして支持して収容
する空間を備えた非導電性の一対の型と、前記空間内に
化学メッキ液または電解メッキ液を供給するメッキ液供
給手段と、前記空間内に配設された半導体装置のアウタ
ーリード部の全リードに接触可能なように前記一対の型
の少なくとも一方に設けられる接点と、前記空間の少な
くとも１つの内壁面に設けられる電極と、電解メッキ液
の供給時に前記電極と前記接点との間に接続される直流
電源とを具備することを特徴とする半導体装置のアウタ
ーリード部のメッキ装置。 - 【請求項３】 前記接点は、前記アウターリード部の各
リードに対応させて点接触可能に配設されることを特徴
とする請求項２記載の半導体装置のアウターリード部の
メッキ装置。 - 【請求項４】 前記接点は、前記アウターリード部の少
なくとも１列に対し、その各リードを横断して電気的に
接続可能な１または２条の帯形状であることを特徴とす
る請求項２記載の半導体装置のアウターリード部のメッ
キ装置。 - 【請求項５】 請求項１のメッキ方法または請求項２記
載のメッキ装置を用いてメッキされたアウターリードを
用いて製造されることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21188992A JPH0661395A (ja) | 1992-08-10 | 1992-08-10 | 半導体装置のアウターリード部のメッキ方法ならびにメッキ装置及びこれらを用いて製造した半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21188992A JPH0661395A (ja) | 1992-08-10 | 1992-08-10 | 半導体装置のアウターリード部のメッキ方法ならびにメッキ装置及びこれらを用いて製造した半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0661395A true JPH0661395A (ja) | 1994-03-04 |
Family
ID=16613319
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21188992A Pending JPH0661395A (ja) | 1992-08-10 | 1992-08-10 | 半導体装置のアウターリード部のメッキ方法ならびにメッキ装置及びこれらを用いて製造した半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0661395A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2019112685A (ja) * | 2017-12-25 | 2019-07-11 | 株式会社荏原製作所 | 基板処理装置、めっき装置、及び基板処理方法 |
-
1992
- 1992-08-10 JP JP21188992A patent/JPH0661395A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2019112685A (ja) * | 2017-12-25 | 2019-07-11 | 株式会社荏原製作所 | 基板処理装置、めっき装置、及び基板処理方法 |
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