JPH0661394A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH0661394A JPH0661394A JP7691593A JP7691593A JPH0661394A JP H0661394 A JPH0661394 A JP H0661394A JP 7691593 A JP7691593 A JP 7691593A JP 7691593 A JP7691593 A JP 7691593A JP H0661394 A JPH0661394 A JP H0661394A
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- electrode
- semiconductor chip
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- semiconductor device
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 フインガと半導体チツプの電極との接続が確
実に行われ、動作信頼性の高い半導体装置を提供するこ
とにある。 【構成】 デバイス孔に延出し、このデバイス孔内に配
置される半導体チツプの電極と接続されるフインガ４を
形成した半導体装置において、前記フインガ４の前記電
極と対向する側の側端部に傾斜面を形成したことを特徴
とする。
実に行われ、動作信頼性の高い半導体装置を提供するこ
とにある。 【構成】 デバイス孔に延出し、このデバイス孔内に配
置される半導体チツプの電極と接続されるフインガ４を
形成した半導体装置において、前記フインガ４の前記電
極と対向する側の側端部に傾斜面を形成したことを特徴
とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＩＣ，ＬＳＩ等の半導
体チツプを備えた半導体装置に係り、特に半導体チツプ
の電極と接続されるフインガの形状に関するものであ
る。
体チツプを備えた半導体装置に係り、特に半導体チツプ
の電極と接続されるフインガの形状に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】従来より半導体チツプを樹脂モールドで
一体化して複数のピンを突設した半導体装置の組立てに
は、金属製のリードフレームが用いられている。このリ
ードフレームは薄い金属板をプレスで打ち抜いたり、エ
ツチングなどによつて形成されており、その形状は図７
に示すように、半導体チツプ１を取り付ける矩形のタブ
２をその四隅において支持するタブリード３と、タブ２
の周縁に内端を臨ませる多数のフインガ４と、これらフ
インガ４及びタブリード３の外端を支持する枠部５と、
枠部５の両端縁に沿つて定間隔に設けられたスプロケツ
ト孔６とから構成されている。
一体化して複数のピンを突設した半導体装置の組立てに
は、金属製のリードフレームが用いられている。このリ
ードフレームは薄い金属板をプレスで打ち抜いたり、エ
ツチングなどによつて形成されており、その形状は図７
に示すように、半導体チツプ１を取り付ける矩形のタブ
２をその四隅において支持するタブリード３と、タブ２
の周縁に内端を臨ませる多数のフインガ４と、これらフ
インガ４及びタブリード３の外端を支持する枠部５と、
枠部５の両端縁に沿つて定間隔に設けられたスプロケツ
ト孔６とから構成されている。
【０００３】このようなリードフレーム７を用いて半導
体装置を組み立てるには、まずタブ２上に半導体チツプ
１を取り付け、半導体チツプ１の各電極とこれに対応す
るフインガ４の内端（先端部）を直接に接続し、枠部５
の内側領域を合成樹脂でモールドし半導体チツプ１を被
覆して、次いで枠部５を切除することによりフラツトリ
ードあるいはインライン型の半導体装置を得ていた。
体装置を組み立てるには、まずタブ２上に半導体チツプ
１を取り付け、半導体チツプ１の各電極とこれに対応す
るフインガ４の内端（先端部）を直接に接続し、枠部５
の内側領域を合成樹脂でモールドし半導体チツプ１を被
覆して、次いで枠部５を切除することによりフラツトリ
ードあるいはインライン型の半導体装置を得ていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、半導体チツ
プ１の各電極と接続する従来のフインガ４は、前記電極
と対向する部分の断面形状が矩形で端縁にエツジを有し
自己ガイド機能がないため、その対向部分の位置がずれ
て電極の周辺にある保護膜上に乗るとその位置で接続さ
れたり、保護膜を破壊したり、フインガ４と電極との接
続が不完全あるいは不能となり、そのために動作信頼性
に問題がある。
プ１の各電極と接続する従来のフインガ４は、前記電極
と対向する部分の断面形状が矩形で端縁にエツジを有し
自己ガイド機能がないため、その対向部分の位置がずれ
て電極の周辺にある保護膜上に乗るとその位置で接続さ
れたり、保護膜を破壊したり、フインガ４と電極との接
続が不完全あるいは不能となり、そのために動作信頼性
に問題がある。
【０００５】本発明の目的は、前述した従来技術の欠点
を解消し、フインガと半導体チツプの電極との接続が確
実に行われ、動作信頼性の高い半導体装置を提供するこ
とにある。
を解消し、フインガと半導体チツプの電極との接続が確
実に行われ、動作信頼性の高い半導体装置を提供するこ
とにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
本発明は、デバイス孔側に延出し、このデバイス孔内に
配置される半導体チツプの電極と接続されるフインガを
形成した半導体装置を対象とするものである。
本発明は、デバイス孔側に延出し、このデバイス孔内に
配置される半導体チツプの電極と接続されるフインガを
形成した半導体装置を対象とするものである。
【０００７】そして前記フインガの半導体チツプの電極
と対向する側の側端部に、例えば外側に向けて凸に湾曲
した曲面などからなる傾斜面を形成したことを特徴とす
るものである。
と対向する側の側端部に、例えば外側に向けて凸に湾曲
した曲面などからなる傾斜面を形成したことを特徴とす
るものである。
【０００８】
【作用】本発明は前述したように、フインガの側端部に
曲面などの傾斜面を形成しているため、フインガ先端の
電極との接合領域をフインガ幅より小さくすることもで
き、前後、左右のフインガ先端ピツチのバラツキ許容範
囲を広げることができ、また接合加圧力を集中させ接合
率、信頼性を高めることが可能である。特に側端部が外
側に向いて凸に湾曲した曲面である場合は、加圧時のバ
ンプ潰し方向が外方へ広がる方向へ指向されているた
め、過剰加圧を加える必要がなく、半導体チツプを破損
する虞れが少ない。
曲面などの傾斜面を形成しているため、フインガ先端の
電極との接合領域をフインガ幅より小さくすることもで
き、前後、左右のフインガ先端ピツチのバラツキ許容範
囲を広げることができ、また接合加圧力を集中させ接合
率、信頼性を高めることが可能である。特に側端部が外
側に向いて凸に湾曲した曲面である場合は、加圧時のバ
ンプ潰し方向が外方へ広がる方向へ指向されているた
め、過剰加圧を加える必要がなく、半導体チツプを破損
する虞れが少ない。
【０００９】更に半導体チツプの電極が保護膜で囲まれ
ているタイプのものに適用する場合は、前記曲面などの
傾斜形状による自己ガイド機能により、半導体装置の組
み立て時に半導体チツプの電極に対してフインガ先端部
の位置が若干ずれても前記傾斜面の案内により電極側に
誘い込むことができる。そのために、フインガと電極と
の接続が確実に行われ、動作信頼性の高い半導体装置を
得ることができる。
ているタイプのものに適用する場合は、前記曲面などの
傾斜形状による自己ガイド機能により、半導体装置の組
み立て時に半導体チツプの電極に対してフインガ先端部
の位置が若干ずれても前記傾斜面の案内により電極側に
誘い込むことができる。そのために、フインガと電極と
の接続が確実に行われ、動作信頼性の高い半導体装置を
得ることができる。
【００１０】
【実施例】次に本発明の実施例を図とともに説明する。
図１はフインガの一部を横断面にして示した斜視図、図
２はフインガ先端部の縦断面図、図３はフインガの一部
を示す平面図、図４は他の実施例を示すフインガの一部
を横断面にして示した斜視図、図５はリードフレームの
製造工程を示す図、図６はフインガ部のレジストパター
ンを示す平面図、図７はリードフレームの平面図、図８
はフインガと半導体チツプの電極との接続部を示す断面
図である。
図１はフインガの一部を横断面にして示した斜視図、図
２はフインガ先端部の縦断面図、図３はフインガの一部
を示す平面図、図４は他の実施例を示すフインガの一部
を横断面にして示した斜視図、図５はリードフレームの
製造工程を示す図、図６はフインガ部のレジストパター
ンを示す平面図、図７はリードフレームの平面図、図８
はフインガと半導体チツプの電極との接続部を示す断面
図である。
【００１１】フインガ４は金属箔からなり導電性を有
し、それの中央部下面にその長手方向Ｆ（図１参照）に
沿つて条溝４ａを有し、図１に示すように半導体チツプ
の電極と接続される上面の両側には稜線が円弧状のフラ
ンジ部４ｂ，４ｃを備えている。条溝４ａは図３の二点
鎖線で示すように、フインガ４の基部４ｄ及び先端部
（内端部）４ｅを除く中間部分に形成され、この中間部
における断面形状を略々コ字状として少ない材料で曲げ
に対する断面二次モーメントを増大させている。
し、それの中央部下面にその長手方向Ｆ（図１参照）に
沿つて条溝４ａを有し、図１に示すように半導体チツプ
の電極と接続される上面の両側には稜線が円弧状のフラ
ンジ部４ｂ，４ｃを備えている。条溝４ａは図３の二点
鎖線で示すように、フインガ４の基部４ｄ及び先端部
（内端部）４ｅを除く中間部分に形成され、この中間部
における断面形状を略々コ字状として少ない材料で曲げ
に対する断面二次モーメントを増大させている。
【００１２】また、図２に示すようにフインガ４の先端
部４ｅは半導体チツプ１の電極と接続される肉厚のバン
プ４ｆが形成されている。この先端部４ｅと中間部分を
連結する部分の下面には前記条溝４ａと略直交する方向
に延びた凹部４ｇが形成され、凹部４ｇより先方に中間
部分の上面より突出したバンプ４ｆが形成されている。
部４ｅは半導体チツプ１の電極と接続される肉厚のバン
プ４ｆが形成されている。この先端部４ｅと中間部分を
連結する部分の下面には前記条溝４ａと略直交する方向
に延びた凹部４ｇが形成され、凹部４ｇより先方に中間
部分の上面より突出したバンプ４ｆが形成されている。
【００１３】図４はフインガ４の他の例を示した斜視図
で、前記実施例のフインガ４の上面に更に金属薄膜４ｈ
を積層したものである。このようにすることでフインガ
４の剛性を更に増加させることができる。
で、前記実施例のフインガ４の上面に更に金属薄膜４ｈ
を積層したものである。このようにすることでフインガ
４の剛性を更に増加させることができる。
【００１４】図５は、このフインガ構造のリードフレー
ムの製造工程を示すものである。
ムの製造工程を示すものである。
【００１５】まず（ａ），（ｂ）図に示すようにポリイ
ミド，ポリエステル等の合成樹脂からなる厚さ３５〜７
０μｍ程度のフイルム８にプツシユバツク法によるプレ
ス加工でデイバイス孔９を設ける。プツシユバツク法は
（ａ）図の如くまず押型によつて所望部分を打ち抜き、
次いで受型を再度上昇させて（ｂ）図の如く切抜片１０
を一度穿つたデイバイス孔９内に嵌合、保持させる加工
方法である。従つて、加工後はフイルム８はデイバイス
孔９が開口されない（ｂ）図の状態で維持され、一枚の
シートとして取扱うことができる。尚、このデイバイス
孔９の形成時には、その他例えばスプロケツト孔６（図
７参照）等の窓部も同時に形成することができる。
ミド，ポリエステル等の合成樹脂からなる厚さ３５〜７
０μｍ程度のフイルム８にプツシユバツク法によるプレ
ス加工でデイバイス孔９を設ける。プツシユバツク法は
（ａ）図の如くまず押型によつて所望部分を打ち抜き、
次いで受型を再度上昇させて（ｂ）図の如く切抜片１０
を一度穿つたデイバイス孔９内に嵌合、保持させる加工
方法である。従つて、加工後はフイルム８はデイバイス
孔９が開口されない（ｂ）図の状態で維持され、一枚の
シートとして取扱うことができる。尚、このデイバイス
孔９の形成時には、その他例えばスプロケツト孔６（図
７参照）等の窓部も同時に形成することができる。
【００１６】次に開口されない前記フイルム８上には、
（ｃ）図の如く銅などの導電性金属層１１が無電解メツ
キ，蒸着等の薄膜形成手段にて形成される。更に導電性
金属層１１の上には（ｄ）図のようにフオトレジスト層
１２が塗布され、もしくは、厚さ１５０μｍ程度のドラ
イフイルム状レジスト層が貼着され、フオトマスク１３
をかけて所望パターンに露光した後洗浄することにより
感光した部分のみ取り除かれて、（ｅ）図の如きレジス
ト層１２が導電性金属層１１上に形成される。プツシユ
バツク後この導電性金属層１１やフオトレジスト層１２
は切抜片１０の不要な脱落を防止する仮止め手段として
の機能を有する。
（ｃ）図の如く銅などの導電性金属層１１が無電解メツ
キ，蒸着等の薄膜形成手段にて形成される。更に導電性
金属層１１の上には（ｄ）図のようにフオトレジスト層
１２が塗布され、もしくは、厚さ１５０μｍ程度のドラ
イフイルム状レジスト層が貼着され、フオトマスク１３
をかけて所望パターンに露光した後洗浄することにより
感光した部分のみ取り除かれて、（ｅ）図の如きレジス
ト層１２が導電性金属層１１上に形成される。プツシユ
バツク後この導電性金属層１１やフオトレジスト層１２
は切抜片１０の不要な脱落を防止する仮止め手段として
の機能を有する。
【００１７】次にこのフイルム８上に亜セレン酸や苛性
ソーダ等により剥離処理を施し、ニツケルなどの金属を
電鋳成形すると、（ｆ）図に示すようにレジスト層１２
が形成されていない導電性金属層１１の上に所望パター
ンのリードフレーム７が形成される。
ソーダ等により剥離処理を施し、ニツケルなどの金属を
電鋳成形すると、（ｆ）図に示すようにレジスト層１２
が形成されていない導電性金属層１１の上に所望パター
ンのリードフレーム７が形成される。
【００１８】ニツケルなどの金属でリードフレーム７を
電鋳する際、０．０７％以下の光沢剤（カーボンが０．
０１〜０．０４％，イオウが０．０１〜０．０４％でこ
れらの合計が０．０７％以下）が使用される。光沢剤の
含有率は通常０．１％程度であるが、このように含有率
が高いと、ＩＣチツプとの接合時におけるリードフレー
ム７の温度上昇により、ニツケルが脆化する。そのため
光沢剤の含有率は０．０７％以下に制限する必要があ
る。また光沢剤を全く含有しなければ、機械的強度が十
分に得られず、加工時の変形によつて隣のリードと接触
して短絡する恐れがある。
電鋳する際、０．０７％以下の光沢剤（カーボンが０．
０１〜０．０４％，イオウが０．０１〜０．０４％でこ
れらの合計が０．０７％以下）が使用される。光沢剤の
含有率は通常０．１％程度であるが、このように含有率
が高いと、ＩＣチツプとの接合時におけるリードフレー
ム７の温度上昇により、ニツケルが脆化する。そのため
光沢剤の含有率は０．０７％以下に制限する必要があ
る。また光沢剤を全く含有しなければ、機械的強度が十
分に得られず、加工時の変形によつて隣のリードと接触
して短絡する恐れがある。
【００１９】電鋳形成後にレジスト層１２を除去し、次
いでデイバイス孔９を閉鎖している切抜片１０を抜き落
せば、（ｇ）図の如き断面のリードフレーム７が合成樹
脂フイルム８上に形成される。この場合、導電性金属層
１１は電鋳のための導電性を確保するために設ける程度
の厚さ例えば５〜１０μｍ程度であるので、抜き落し力
は小さくて済みリードフレーム７を変形させることはな
い。
いでデイバイス孔９を閉鎖している切抜片１０を抜き落
せば、（ｇ）図の如き断面のリードフレーム７が合成樹
脂フイルム８上に形成される。この場合、導電性金属層
１１は電鋳のための導電性を確保するために設ける程度
の厚さ例えば５〜１０μｍ程度であるので、抜き落し力
は小さくて済みリードフレーム７を変形させることはな
い。
【００２０】尚、上記実施例においては、リードフレー
ム７は合成樹脂フイルム８上に形成したが、合成樹脂フ
イルム８の代りに導電性のステンレスなどの金属フイル
ムを用いることもできる。
ム７は合成樹脂フイルム８上に形成したが、合成樹脂フ
イルム８の代りに導電性のステンレスなどの金属フイル
ムを用いることもできる。
【００２１】この場合は、（ｃ）図に示す如き銅などか
らなる導電性金属層１１を新たに設ける必要がなく、金
属フイルムの上にフオトレジスト層１２を形成し、直接
電鋳によつて金属フイルム上にニツケル，銅，金やそれ
らの合金等からなるリードフレーム７を形成することが
可能である。
らなる導電性金属層１１を新たに設ける必要がなく、金
属フイルムの上にフオトレジスト層１２を形成し、直接
電鋳によつて金属フイルム上にニツケル，銅，金やそれ
らの合金等からなるリードフレーム７を形成することが
可能である。
【００２２】図６は、前記製造工程におけるフインガ部
のレジストパターンを示す図である。
のレジストパターンを示す図である。
【００２３】フインガ部では、所望のパターンのフイン
ガ用レジスト層１２の他に、フインガ４に対応する位置
の非レジスト部１４の中央に、その長手方向に沿つたレ
ジスト部１２ａが形成され、このレジスト部１２ａに対
応して前述の条溝４ａが形成される。
ガ用レジスト層１２の他に、フインガ４に対応する位置
の非レジスト部１４の中央に、その長手方向に沿つたレ
ジスト部１２ａが形成され、このレジスト部１２ａに対
応して前述の条溝４ａが形成される。
【００２４】また非レジスト部１４の先端にはレジスト
層１２によつて分離された円形の非レジスト部１５が形
成されており、このようなレジスト層１２を有する金属
上に電鋳作用を施すと、電鋳開始後の初期にあつてはフ
インガ４本体は、レジスト層１２によつて分離された円
形の非レジスト部１５上に成長する金属層と別個に形成
されていくが、電鋳が更に進行すると分離されていた非
レジスト部１５上の金属とフインガ４本体とはレジスト
層１２を越えて一体に連結する。そして電鋳によつて積
層される金属の厚みは電流密度によつて左右されるか
ら、平板状のフインガ４本体部に比べ点状の非レジスト
部１５上の金属層はより肉厚となり、図２に示すような
バンプ４ｆを形成する。
層１２によつて分離された円形の非レジスト部１５が形
成されており、このようなレジスト層１２を有する金属
上に電鋳作用を施すと、電鋳開始後の初期にあつてはフ
インガ４本体は、レジスト層１２によつて分離された円
形の非レジスト部１５上に成長する金属層と別個に形成
されていくが、電鋳が更に進行すると分離されていた非
レジスト部１５上の金属とフインガ４本体とはレジスト
層１２を越えて一体に連結する。そして電鋳によつて積
層される金属の厚みは電流密度によつて左右されるか
ら、平板状のフインガ４本体部に比べ点状の非レジスト
部１５上の金属層はより肉厚となり、図２に示すような
バンプ４ｆを形成する。
【００２５】尚、図４に示すような金属薄膜４ｈを形成
する場合には、前述の電鋳成形工程に加えて、第２次の
電鋳成形を施せば良い。
する場合には、前述の電鋳成形工程に加えて、第２次の
電鋳成形を施せば良い。
【００２６】またニツケルなどの金属でリードフレーム
７を電鋳する際、光沢剤が含有されない層と光沢剤が含
有された層の二層を重ね合わせたリードフレーム７を作
ることもできる。光沢剤を入れないで電鋳すると、表面
が粗面化され凹凸の著しいものとなりこのためＩＣチツ
プとの接合時の温度集中、特に圧接状態で接合する際の
温度集中が起こり易く、しかも硬度も低いものとなり半
導体チツプに大きな応力を加えずとも済み、接合を確実
なものとすることができる。
７を電鋳する際、光沢剤が含有されない層と光沢剤が含
有された層の二層を重ね合わせたリードフレーム７を作
ることもできる。光沢剤を入れないで電鋳すると、表面
が粗面化され凹凸の著しいものとなりこのためＩＣチツ
プとの接合時の温度集中、特に圧接状態で接合する際の
温度集中が起こり易く、しかも硬度も低いものとなり半
導体チツプに大きな応力を加えずとも済み、接合を確実
なものとすることができる。
【００２７】一方、接合面と反対側に光沢剤入りの層を
設ければ、リードフレーム７としての機械的強度を確保
することができる。なお、光沢剤の含有率は前記実施例
で述べたように０．０７％以下に制限する方が望まし
い。
設ければ、リードフレーム７としての機械的強度を確保
することができる。なお、光沢剤の含有率は前記実施例
で述べたように０．０７％以下に制限する方が望まし
い。
【００２８】
【発明の効果】本発明は前述したように、フインガの側
端部に曲面などの傾斜面を形成しているため、フインガ
先端の電極との接合領域をフインガ幅より小さくするこ
ともでき、前後、左右のフインガ先端ピツチのバラツキ
許容範囲を拡げることができ、また接合加圧力を集中さ
せ接合率、信頼性を高めることが可能である。特に側端
部が外側に向いて凸に湾曲した曲面である場合は、加圧
時のバンプ潰し方向が外方へ広がる方向へ指向されてい
るため、過剰加圧を加える必要がなく、半導体チツプを
破損する虞れが少ない。
端部に曲面などの傾斜面を形成しているため、フインガ
先端の電極との接合領域をフインガ幅より小さくするこ
ともでき、前後、左右のフインガ先端ピツチのバラツキ
許容範囲を拡げることができ、また接合加圧力を集中さ
せ接合率、信頼性を高めることが可能である。特に側端
部が外側に向いて凸に湾曲した曲面である場合は、加圧
時のバンプ潰し方向が外方へ広がる方向へ指向されてい
るため、過剰加圧を加える必要がなく、半導体チツプを
破損する虞れが少ない。
【００２９】更に半導体チツプの電極が保護膜で囲まれ
ているタイプのものに適用する場合は、前記曲面などの
傾斜形状による自己ガイド機能により、半導体装置の組
み立て時に半導体チツプの電極に対してフインガ先端部
の位置が若干ずれても前記傾斜面の案内により電極側に
誘い込むことができる。そのために、フインガと電極と
の接続が確実に行われ、動作信頼性の高い半導体装置を
得ることができるなどの利点を有している。
ているタイプのものに適用する場合は、前記曲面などの
傾斜形状による自己ガイド機能により、半導体装置の組
み立て時に半導体チツプの電極に対してフインガ先端部
の位置が若干ずれても前記傾斜面の案内により電極側に
誘い込むことができる。そのために、フインガと電極と
の接続が確実に行われ、動作信頼性の高い半導体装置を
得ることができるなどの利点を有している。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例に係るフインガの一部を断面し
た斜視図である。
た斜視図である。
【図２】そのフインガの長手方向の断面図である。
【図３】そのフインガの一部を示す平面図である。
【図４】本発明におけるフインガの他の実施例を示す斜
視図である。
視図である。
【図５】本発明の実施例に係るリードフレームの製造工
程を示す図である。
程を示す図である。
【図６】フインガ部のレジストパターンを示す図であ
る。
る。
【図７】リードフレームの形状を示す平面図である。
１ 半導体チツプ ２ タブ ３ タブリード ４ フインガ ４ｂ，４ｃ フランジ部 ４ｅ 先端部 ４ｆ バンプ ７ リードフレーム ９ デバイス孔
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成５年４月２８日
【手続補正１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正内容】
【図５】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 坂田 栄二 福岡県田川郡方城町大字伊方4680番地 九 州日立マクセル株式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】 デバイス孔側に延出し、このデバイス孔
内に配置される半導体チツプの電極と接続されるフイン
ガを形成した半導体装置において、 前記フインガの半導体チツプの電極と対向する側の側端
部に傾斜面を形成したことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】 請求項１記載において、前記傾斜面が外
側に向いて凸に湾曲している曲面であることを特徴とす
る半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7691593A JPH0766954B2 (ja) | 1993-04-02 | 1993-04-02 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7691593A JPH0766954B2 (ja) | 1993-04-02 | 1993-04-02 | 半導体装置 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60049434A Division JPH0656872B2 (ja) | 1985-03-14 | 1985-03-14 | 半導体装置のリ−ドフレ−ム |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10290093A Division JPH07112037B2 (ja) | 1993-04-28 | 1993-04-28 | 半導体装置の製造中間体ならびにその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0661394A true JPH0661394A (ja) | 1994-03-04 |
| JPH0766954B2 JPH0766954B2 (ja) | 1995-07-19 |
Family
ID=13618989
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7691593A Expired - Lifetime JPH0766954B2 (ja) | 1993-04-02 | 1993-04-02 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0766954B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5917237A (en) * | 1994-04-28 | 1999-06-29 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor integrated circuit device and lead frame therefor |
-
1993
- 1993-04-02 JP JP7691593A patent/JPH0766954B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5917237A (en) * | 1994-04-28 | 1999-06-29 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor integrated circuit device and lead frame therefor |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0766954B2 (ja) | 1995-07-19 |
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