JPH0661148A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
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- JPH0661148A JPH0661148A JP21017292A JP21017292A JPH0661148A JP H0661148 A JPH0661148 A JP H0661148A JP 21017292 A JP21017292 A JP 21017292A JP 21017292 A JP21017292 A JP 21017292A JP H0661148 A JPH0661148 A JP H0661148A
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- JP
- Japan
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- wafer
- gas
- thin film
- inner tube
- processing section
- Prior art date
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体装置の製造工程において，半導体ウェ
ーハ上に，薄膜を堆積するために使用されるＣＶＤ装置
に関し，ガス漏れに対する安全性を確保し，処理速度を
向上させると共に，膜質の向上および膜厚のウェーハ面
内均一性の向上を実現する。 【構成】 内部に，ウェーハ１６上に薄膜を堆積するた
めの，加圧された処理部１３を有する内管１１と，この
内管１１を囲むように設けられ，内側に減圧された排気
部２１を有する外管１２とから構成されている。内管１
１には，その容量を変化させて，加圧された処理部１３
の容量を化学反応に最適な容量に設定する容量可変機構
２０が設けられている。処理部１３から漏れた反応ガス
は，排気部２１でパージされるので，作業者をガス漏れ
の危険から守ることができる。
ーハ上に，薄膜を堆積するために使用されるＣＶＤ装置
に関し，ガス漏れに対する安全性を確保し，処理速度を
向上させると共に，膜質の向上および膜厚のウェーハ面
内均一性の向上を実現する。 【構成】 内部に，ウェーハ１６上に薄膜を堆積するた
めの，加圧された処理部１３を有する内管１１と，この
内管１１を囲むように設けられ，内側に減圧された排気
部２１を有する外管１２とから構成されている。内管１
１には，その容量を変化させて，加圧された処理部１３
の容量を化学反応に最適な容量に設定する容量可変機構
２０が設けられている。処理部１３から漏れた反応ガス
は，排気部２１でパージされるので，作業者をガス漏れ
の危険から守ることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は，半導体製造装置，特に
ＣＶＤ（ Chemical Vapor Deposition )装置に関する。
ＣＶＤ（ Chemical Vapor Deposition )装置に関する。
【０００２】近年の半導体製造装置には，製品処理時間
の短縮化，および処理された製品の信頼性の向上が要求
されている。ＣＶＤ装置にも，同様の要求がなされてい
るが，特に，処理時間の短縮化，および膜質の向上が求
められている。これらの要求を達成するためには，反応
ガス（例えば，ＳｉＨ4 ，Ｎ2 Ｏ，ＮＨ3 等）を出来上
がり膜中に漏れなく分解・結合させること，およびこの
反応を半導体ウェーハの近傍で瞬時に行うことが要求さ
れる。
の短縮化，および処理された製品の信頼性の向上が要求
されている。ＣＶＤ装置にも，同様の要求がなされてい
るが，特に，処理時間の短縮化，および膜質の向上が求
められている。これらの要求を達成するためには，反応
ガス（例えば，ＳｉＨ4 ，Ｎ2 Ｏ，ＮＨ3 等）を出来上
がり膜中に漏れなく分解・結合させること，およびこの
反応を半導体ウェーハの近傍で瞬時に行うことが要求さ
れる。
【０００３】本発明は，これらの要求を満たすことので
きるＣＶＤ装置を提供するものである。
きるＣＶＤ装置を提供するものである。
【０００４】
【従来の技術】従来のＣＶＤ装置には，次の３方式のも
のがあった。 （１）反応ガスを分解・結合して半導体ウェーハ上に薄
膜を堆積するための処理部を加圧（１気圧超）する方
式。
のがあった。 （１）反応ガスを分解・結合して半導体ウェーハ上に薄
膜を堆積するための処理部を加圧（１気圧超）する方
式。
【０００５】（２）処理部を常圧（１気圧）とする方
式。 （３）処理部を減圧（１気圧未満）する方式。 この３方式のＣＶＤ装置には，それぞれ長所および短所
がある。
式。 （３）処理部を減圧（１気圧未満）する方式。 この３方式のＣＶＤ装置には，それぞれ長所および短所
がある。
【０００６】（１）の処理部を加圧する方式のＣＶＤ装
置には，処理速度が速いという長所があるが，膜質が不
良であるという短所がある。（２）の処理部を常圧とす
る方式のＣＶＤ装置は，処理速度は並であり，膜質も並
である。
置には，処理速度が速いという長所があるが，膜質が不
良であるという短所がある。（２）の処理部を常圧とす
る方式のＣＶＤ装置は，処理速度は並であり，膜質も並
である。
【０００７】（３）の処理部を減圧する方式のＣＶＤ装
置には，膜質が良好であるという長所があるが，処理速
度が遅いという短所がある。
置には，膜質が良好であるという長所があるが，処理速
度が遅いという短所がある。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の３方式
のＣＶＤ装置には，次の問題があった。（１）の処理部
を加圧する方式のＣＶＤ装置には，半導体ウェーハとガ
ス化学反応が起こる場所と間の距離の設定が難しい，と
いう問題があった。
のＣＶＤ装置には，次の問題があった。（１）の処理部
を加圧する方式のＣＶＤ装置には，半導体ウェーハとガ
ス化学反応が起こる場所と間の距離の設定が難しい，と
いう問題があった。
【０００９】（３）の処理部を減圧する方式のＣＶＤ装
置には，半導体ウェーハ上へのガス供給量が，他の方式
に比べて減速（減量）されるので，処理速度が上がらな
い（すなわち，スループットが低い），という問題があ
った。
置には，半導体ウェーハ上へのガス供給量が，他の方式
に比べて減速（減量）されるので，処理速度が上がらな
い（すなわち，スループットが低い），という問題があ
った。
【００１０】（２）の処理部を常圧とする方式のＣＶＤ
装置には，（１）の処理部を加圧する方式のＣＶＤ装置
の問題点，および（３）の処理部を減圧する方式のＣＶ
Ｄ装置の問題点を兼ね備えた問題があった。
装置には，（１）の処理部を加圧する方式のＣＶＤ装置
の問題点，および（３）の処理部を減圧する方式のＣＶ
Ｄ装置の問題点を兼ね備えた問題があった。
【００１１】また，（１）の処理部を加圧する方式のＣ
ＶＤ装置および（２）の処理部を常圧とする方式のＣＶ
Ｄ装置には，処理部が加圧または常圧のため，反応ガス
の密閉度が保たれない限り，ガス漏れの危険から逃れら
れない，という問題もあった。
ＶＤ装置および（２）の処理部を常圧とする方式のＣＶ
Ｄ装置には，処理部が加圧または常圧のため，反応ガス
の密閉度が保たれない限り，ガス漏れの危険から逃れら
れない，という問題もあった。
【００１２】本発明は，上記の問題点を解決して，ガス
漏れに対する安全性を確保し，処理速度を向上させると
共に，膜質の向上および膜厚のウェーハ面内均一性の向
上を実現することのできる，半導体製造装置，特にＣＶ
Ｄ装置を提供することを目的とする。
漏れに対する安全性を確保し，処理速度を向上させると
共に，膜質の向上および膜厚のウェーハ面内均一性の向
上を実現することのできる，半導体製造装置，特にＣＶ
Ｄ装置を提供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに，本発明に係る半導体製造装置は，半導体装置の製
造工程において，半導体ウェーハ上に，薄膜を堆積する
ために使用されるＣＶＤ装置であって，内部に，ウェー
ハ上に薄膜を堆積するための，加圧された処理部を有す
る内管と，該内管の容量を変化させて，前記処理部の容
量を化学反応に最適な容量に設定する容量可変機構と，
前記内管を囲むように設けられ，内側に減圧された排気
部を有する外管とを含むように構成する。
めに，本発明に係る半導体製造装置は，半導体装置の製
造工程において，半導体ウェーハ上に，薄膜を堆積する
ために使用されるＣＶＤ装置であって，内部に，ウェー
ハ上に薄膜を堆積するための，加圧された処理部を有す
る内管と，該内管の容量を変化させて，前記処理部の容
量を化学反応に最適な容量に設定する容量可変機構と，
前記内管を囲むように設けられ，内側に減圧された排気
部を有する外管とを含むように構成する。
【００１４】
【作用】本発明では，ガス漏れを不可避のものとして，
すなわちガスが漏れることを前提にして，ＣＶＤ装置を
構成している。そのために，内部に，ウェーハ上に薄膜
を堆積するための，加圧された処理部を有する内管と，
この内管を囲むように，内側に減圧された排気部を有す
る外管とを設けている。
すなわちガスが漏れることを前提にして，ＣＶＤ装置を
構成している。そのために，内部に，ウェーハ上に薄膜
を堆積するための，加圧された処理部を有する内管と，
この内管を囲むように，内側に減圧された排気部を有す
る外管とを設けている。
【００１５】以上のように構成しているので，本発明の
ＣＶＤ装置では，加圧された処理部（すなわち，内管）
からガスが漏れても，漏れたガスは，内管を囲む排気部
により排気されるので，ガス漏れに対する安全性を確保
することが可能になる。また，処理部が加圧されている
ので，処理速度を向上させることが可能になる。
ＣＶＤ装置では，加圧された処理部（すなわち，内管）
からガスが漏れても，漏れたガスは，内管を囲む排気部
により排気されるので，ガス漏れに対する安全性を確保
することが可能になる。また，処理部が加圧されている
ので，処理速度を向上させることが可能になる。
【００１６】膜質の向上および膜厚のウェーハ面内均一
性の向上を実現するためには，反応ガスを漏れなく分解
・結合させる必要がある。そのためには，半導体ウェー
ハの近傍で化学反応を起こさせる必要がある。本発明の
ＣＶＤ装置では，内管（すなわち，処理部）の容量を変
化させる容量可変機構を設けているので，この容量可変
機構により，加圧された処理部の容量を化学反応に最適
な容量に設定することが可能になる。
性の向上を実現するためには，反応ガスを漏れなく分解
・結合させる必要がある。そのためには，半導体ウェー
ハの近傍で化学反応を起こさせる必要がある。本発明の
ＣＶＤ装置では，内管（すなわち，処理部）の容量を変
化させる容量可変機構を設けているので，この容量可変
機構により，加圧された処理部の容量を化学反応に最適
な容量に設定することが可能になる。
【００１７】
【実施例】図１は，本発明の一実施例構成を示す図であ
る。図中，１１は内管，１２は外管，１３は処理部，１
４はヒータ，１５はウェーハホルダ，１６はウェーハ，
１７はガス配管（Ａ），１８はガス配管（Ｂ），１９は
内管排気口，２０は容量可変機構，２１は排気部，２２
は外管排気口である。
る。図中，１１は内管，１２は外管，１３は処理部，１
４はヒータ，１５はウェーハホルダ，１６はウェーハ，
１７はガス配管（Ａ），１８はガス配管（Ｂ），１９は
内管排気口，２０は容量可変機構，２１は排気部，２２
は外管排気口である。
【００１８】内管１１には，ガス配管（Ａ）１７および
ガス配管（Ｂ）１８が取り付けられており，内部の処理
部１３へ２種類の反応ガスを導入できるようになってい
る。外管１２は，内管１１を囲むように設けられてお
り，その内側が排気部２１になっている。
ガス配管（Ｂ）１８が取り付けられており，内部の処理
部１３へ２種類の反応ガスを導入できるようになってい
る。外管１２は，内管１１を囲むように設けられてお
り，その内側が排気部２１になっている。
【００１９】処理部１３は，内管１１の内部に設けられ
ており，ガス配管（Ａ）１７およびガス配管（Ｂ）１８
から導入される反応ガスにより，加圧されている。これ
により，ＣＶＤの処理速度が向上する。そして，ウェー
ハホルダ１５上に載置されたウェーハ１６をヒータ１４
により加熱しながら，ガス配管（Ａ）１７およびガス配
管（Ｂ）１８から導入される反応ガスを分解・結合し
て，ウェーハ１６上に薄膜を堆積する。
ており，ガス配管（Ａ）１７およびガス配管（Ｂ）１８
から導入される反応ガスにより，加圧されている。これ
により，ＣＶＤの処理速度が向上する。そして，ウェー
ハホルダ１５上に載置されたウェーハ１６をヒータ１４
により加熱しながら，ガス配管（Ａ）１７およびガス配
管（Ｂ）１８から導入される反応ガスを分解・結合し
て，ウェーハ１６上に薄膜を堆積する。
【００２０】ヒータ１４は，ウェーハホルダ１５上に載
置されたウェーハ１６を加熱するためのものである。ウ
ェーハホルダ１５は，ウェーハ１６を保持するためのも
のである。
置されたウェーハ１６を加熱するためのものである。ウ
ェーハホルダ１５は，ウェーハ１６を保持するためのも
のである。
【００２１】ウェーハ１６は，シリコン基板や化合物半
導体基板であり，その上に薄膜が堆積される。ガス配管
（Ａ）１７およびガス配管（Ｂ）１８は，処理部１３へ
反応ガスを導入するためのものである。
導体基板であり，その上に薄膜が堆積される。ガス配管
（Ａ）１７およびガス配管（Ｂ）１８は，処理部１３へ
反応ガスを導入するためのものである。
【００２２】内管排気口１９は，処理部１３で反応しな
かったガスをパージするためのものである。容量可変機
構２０は，内管１１の上部を上下動させて，内管１１内
の処理部１３の容量を変化させるためのものである。
かったガスをパージするためのものである。容量可変機
構２０は，内管１１の上部を上下動させて，内管１１内
の処理部１３の容量を変化させるためのものである。
【００２３】排気部２１は，内管１１から漏れたガスお
よび処理部１３で反応しなかったガスをパージするため
のものである。外管排気口２２は，真空ポンプに接続さ
れており，外管１２の内側の排気部２１を排気するため
のものである。
よび処理部１３で反応しなかったガスをパージするため
のものである。外管排気口２２は，真空ポンプに接続さ
れており，外管１２の内側の排気部２１を排気するため
のものである。
【００２４】以下，図１に示す本発明のＣＶＤ装置の動
作を説明する。 容量可変機構２０により，内管１１の上部を上下動
させて，内管１１内の処理部１３の容量を当該ＣＶＤ処
理に最適な容量に設定する。これにより，膜質の向上お
よび膜厚のウェーハ面内均一性の向上を実現することが
可能になる。
作を説明する。 容量可変機構２０により，内管１１の上部を上下動
させて，内管１１内の処理部１３の容量を当該ＣＶＤ処
理に最適な容量に設定する。これにより，膜質の向上お
よび膜厚のウェーハ面内均一性の向上を実現することが
可能になる。
【００２５】 ウェーハホルダ１５にウェーハ１６を
セットし，ヒータ１４により，当該ＣＶＤ処理に最適な
温度に加熱する。 ガス配管（Ａ）１７およびガス配管（Ｂ）１８によ
り，処理部１３へ反応ガスを導入し，処理部１３を加圧
する。これにより，ＣＶＤの処理速度が向上する。
セットし，ヒータ１４により，当該ＣＶＤ処理に最適な
温度に加熱する。 ガス配管（Ａ）１７およびガス配管（Ｂ）１８によ
り，処理部１３へ反応ガスを導入し，処理部１３を加圧
する。これにより，ＣＶＤの処理速度が向上する。
【００２６】 処理部１１内で，反応ガスの分解・結
合が行われ，ウェーハ１６上に薄膜が堆積する。 処理部１３で反応しなかったガスが，内管排気口１
９ａ，１９ｂを通して排気部２１へパージされる。ま
た，処理部１３（すなわち内管１１）から漏れたガスも
排気部２１へパージされる。これにより，作業者をガス
漏れの危険から守ることができる。
合が行われ，ウェーハ１６上に薄膜が堆積する。 処理部１３で反応しなかったガスが，内管排気口１
９ａ，１９ｂを通して排気部２１へパージされる。ま
た，処理部１３（すなわち内管１１）から漏れたガスも
排気部２１へパージされる。これにより，作業者をガス
漏れの危険から守ることができる。
【００２７】
【発明の効果】本発明によれば，半導体装置の製造工程
において，半導体ウェーハ上に，半導体，絶縁物，金
属，シリサイドなどの薄膜を堆積するために使用される
ＣＶＤ装置において，ガス漏れに対する安全性を確保
し，処理速度を向上させると共に，膜質の向上および膜
厚のウェーハ面内均一性の向上を実現することが可能に
なる。
において，半導体ウェーハ上に，半導体，絶縁物，金
属，シリサイドなどの薄膜を堆積するために使用される
ＣＶＤ装置において，ガス漏れに対する安全性を確保
し，処理速度を向上させると共に，膜質の向上および膜
厚のウェーハ面内均一性の向上を実現することが可能に
なる。
【００２８】したがって，本発明は，作業者の安全性の
確保，半導体装置の製造工程の短手番化，および半導体
装置の製造歩留りの向上に寄与するところが大きい。
確保，半導体装置の製造工程の短手番化，および半導体
装置の製造歩留りの向上に寄与するところが大きい。
【図１】本発明の一実施例構成を示す図である。
１１ 内管 １２ 外管 １３ 処理部 １４ ヒータ １５ ウェーハホルダ １６ ウェーハ １７ ガス配管（Ａ） １８ ガス配管（Ｂ） １９ 内管排気口 ２０ 容量可変機構 ２１ 排気部 ２２ 外管排気口
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体装置の製造工程において，半導体
ウェーハ上に，薄膜を堆積するために使用されるＣＶＤ
装置であって， 内部に，ウェーハ上に薄膜を堆積するための，加圧され
た処理部を有する内管と， 該内管の容量を変化させて，前記処理部の容量を化学反
応に最適な容量に設定する容量可変機構と， 前記内管を囲むように設けられ，内側に減圧された排気
部を有する外管とを含むことを特徴とする半導体製造装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21017292A JPH0661148A (ja) | 1992-08-06 | 1992-08-06 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21017292A JPH0661148A (ja) | 1992-08-06 | 1992-08-06 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0661148A true JPH0661148A (ja) | 1994-03-04 |
Family
ID=16584973
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21017292A Withdrawn JPH0661148A (ja) | 1992-08-06 | 1992-08-06 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0661148A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006302946A (ja) * | 2005-04-15 | 2006-11-02 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理システム |
-
1992
- 1992-08-06 JP JP21017292A patent/JPH0661148A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006302946A (ja) * | 2005-04-15 | 2006-11-02 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理システム |
| JP4717495B2 (ja) * | 2005-04-15 | 2011-07-06 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理システム |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19991102 |