JPH0660033B2 - フツ化物ガラス光フアイバの線引き方法 - Google Patents

フツ化物ガラス光フアイバの線引き方法

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JPH0660033B2 JP29522586A JP29522586A JPH0660033B2 JP H0660033 B2 JPH0660033 B2 JP H0660033B2 JP 29522586 A JP29522586 A JP 29522586A JP 29522586 A JP29522586 A JP 29522586A JP H0660033 B2 JPH0660033 B2 JP H0660033B2
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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、ガラス表面における結晶化を抑制し機械的強
度の高いフッ化物光ファイバの線引きする方法に関する
ものである。
〔従来の技術および問題点〕
Zr系フッ化物ガラスをガラス転移温度以上で、かつ結
晶化温度よりも低い温度に加熱すると表面で結晶化する
ことがよく知られている。フッ化物母材を線引きする
と、母材のネックダウン領域においてガラス表面で結晶
化が起こり、線引きされたフッ化物ファイバ表面には多
量の微少な結晶(粒径は数10μmか、それ以上)が残
留する。この結晶の存在によりファイバの機械的強度は
著しく低下する。このため、石英系光ファイバの製造で
用いられている樹脂(シリコーン、ウレタン等の熱硬化
または紫外線硬化する樹脂)を被覆を行っても、フッ化
物ファイバの破断強度は100MPa にも満たない。
このようなフッ化物ガラス表面における加熱による結晶
化は、フッ素樹脂(FEP)を用いることである程度緩
和できる。ミタチらは、Electronics Letters,Vol.17,p
p.128-129,(1981)に述べてあるように、フッ化物母材に
FEP管をかぶせ、これを一括して線引きする方法を示
しており、以後、フッ化物ファイバの線引きにはこの方
法が多用されている。
FEP被覆ファイバの破断強度は、サカグチらがJourna
l of the American Ceramic Society,Vol.66,pp.C-151-
C152,(1983) に述べているように100〜200MPa
程度である。これはFEP被覆線引きにより、表面結晶
化がある程度抑制され、機械的強度が向上したことを示
すものである。しかし、同論文で述べているように、破
断起点の大部分は表面にあり、その起点は依然として結
晶である。ただし、FEPなしの場合に比べその大きさ
は数μmかそれ以下である。
一方、FEP被覆はファイバの伝送特性の問題がある。
即ち、FEPの屈折率(N= 1.34 )はZr 系フッ化
物ガラスの屈折率(n 1.5)に比べかなり低い。従
って、フッ化物ファイバのコア/クラッドの比屈折率差
Δnが小さい場合、時にΔnが 0.5%以下では曲げによ
り漏洩した光がファイバ表面で反射され、クラッド内を
伝搬する。その結果、伝送損失はファイバ表面、即ちガ
ラス/FEP界面の影響を受け、不純物吸収や散乱損失
が増加する。
このようにFEP被覆によってある程度ハンドリングに
耐えるフッ化物ファイバが線引きできるようになった
が、その機械的強度は全く充分なものではなく、また、
伝送特性に与える影響も大きいなどの欠点がある。
本発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、その目的
は、ガラス表面での結晶化による機械的強度の低下とい
う問題点を解決したフッ化物ファイバの線引き方法を提
供することにある。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明はフッ化物光ファイバの線引きにあたり、母材の
加熱雰囲気をハロゲンガスまたはハロゲン化合物ガスを
含む雰囲気とすることを最も主要な特徴とする。
本発明方法は従来の技術に対し、加熱雰囲気が大気もし
くは乾燥不活性雰囲気と異なる点、また、FEP管を用
いる必要がない点で異なっている。
以下、本発明を実施例によりさらに詳しく説明する。
〔実施例〕
ガラス組成がZr F,Ba F,La F,YF
AlF,Li Fで、それぞれ47.5,23.5, 2.5 ,
2, 4.5,20のmol%であるフッ化物ガラス母材(外径
8mm×長さ100mm)を、外径125μmに線引きし、
直ちに、紫外線照射によって硬化するシリコーン樹脂を
厚さ約70μmに被覆し、約300mのファイバを得
た。母材の加熱雰囲気は乾燥Ar ガスにClを10vo
l%添加した混合ガスを用いた。線引き後の母材ネック
ダウン部表面を目視および光学顕微鏡で観察したとこ
ろ、失透あるいは表面での結晶化の痕跡は認められなか
った。また、線引き後のファイバを任意の位置から切り
出し、ゲージ長200mm、引張り速度5%/min 、試料
数50本で引張り試験を行った。破断強度は平均 1.1G
Pa 、最高 1.6GPa 、最低 0.13 GPa であった。特
に最高値は巨視的欠陥のない理想的なファイバで推定さ
れる強度(2GPa )に近いものである。また、低強
度のものは内部欠陥による場合が多く、表面欠陥による
破壊は相対的に少なかった。シリコーン樹脂による破断
強度への寄与は2%以下である。
このように、Cl含有雰囲気で線引きすると表面での
結晶化が防止されるが、これは以下に示すような反応に
基づく。即ち、フッ化物ガラス表面で、 Zr−OH+Cl2 →Zr−Cl+ HCl+ 1/2 O2 なる反応が生じる。フッ化物ガラス表面は通常OH基に
覆われており、不活性雰囲気中での線引き加熱時には、 2(Zr−OH)→Zr−O −Zr+H2 O なる脱水反応により酸化物が形成される。これが核とな
り、結晶化が進むと考えられており、Cl含有雰囲気
で加熱することにより、酸化物形成が防止されるため、
結晶化を抑制することができる。上記の酸化物形成抑制
の効果は、線引き加熱雰囲気にF,NFを混合して
も得られ、Clの場合と同等の強度特性が得られてい
る。一方、HCl,HFの場合には表面OH基除去の効
果は非常に大きいが、単独で用いた場合、ガラスにZr
の還元が生じ、ガラスが着色する場合がある。このた
め、Cl,NF等の酸化剤を同時に流入させる
と、前記と同等もしくはそれ以上の効果がある。特に、
NFの場合フッ化物ガラスの線引き可能な温度300
〜350℃程度では充分活性ではなく、HCl,HFと
の混合が有効である。一方、C,Si の塩化物・フッ化
物ガスは水分子HOとの反応性が高く、表面OHのみ
ならず吸着水の除去には有効である。
しかし、これらのガスを単独で用いると、CあるいはS
i の析出が認められる場合があり、Cl等との混合が
必要である。これらのガスは水分子の除去に有効なた
め、Cl等との混合により高い効果が得られる。
なお、ファイバの低強度部分は、母材の研摩傷や母材自
身の問題が充分解決されていないことから生じるもので
あり、表面結晶化による強度低下については加熱雰囲気
をハロゲン含有雰囲気とすることで解決されている。
〔発明の効果〕
以上説明したように、本発明方法によれば、線引き加熱
時にフッ化物ガラス表面において、表面OHをハロゲン
に置換して酸化物生成を防止し、結晶化を抑制すること
ができるため、機械的強度の高いフッ化物光ファイバを
線引きできる利点がある。

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】フッ化物ガラス母材の加熱雰囲気を乾燥不
    活性ガスとハロゲンガスまたはハロゲン化合物ガスとの
    混合ガス雰囲気とし、前記母材を加熱延伸して光ファイ
    バに線引きすることを特徴とするフッ化物ガラス光ファ
    イバの線引き方法。
  2. 【請求項2】ハロゲンガスまたはハロゲン化合物ガスが
    塩素または塩素系もしくはフッ素またはフッ素系のガス
    であることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載のフ
    ッ化物ガラス光ファイバの線引き方法。
  3. 【請求項3】ハロゲンガスまたはハロゲン化合物ガスが
    Cl,HCl,CCl,F,HF,S,N
    のうちの少なくとも1種であることを特徴とする特
    許請求の範囲第1項記載のフッ化物ガラス光ファイバの
    線引き方法。
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