JPH0657416A - 真空処理装置 - Google Patents
真空処理装置Info
- Publication number
- JPH0657416A JPH0657416A JP23890892A JP23890892A JPH0657416A JP H0657416 A JPH0657416 A JP H0657416A JP 23890892 A JP23890892 A JP 23890892A JP 23890892 A JP23890892 A JP 23890892A JP H0657416 A JPH0657416 A JP H0657416A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate holder
- substrate
- heater
- discharge electrode
- driving device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】この発明の目的は、基板および基板ホルダーの
昇温、温度の安定化を可能にするとともに、放電を安定
化して、薄膜の膜厚分布や膜質を良好にする真空処理装
置を提供することである。 【構成】この発明は、真空槽内に平行に配置された放電
電極と加熱ヒーターとの間に、基板を保持した基板ホル
ダーを配設し、その基板ホルダーをレール上を走行する
駆動装置によって搬送する真空処理装置において、上記
駆動装置と基板ホルダーとをリンク機構によって連結
し、そのリンク機構の回転により、上記基板ホルダーを
上記加熱ヒーターに直接接触させることを特徴とするも
のである。
昇温、温度の安定化を可能にするとともに、放電を安定
化して、薄膜の膜厚分布や膜質を良好にする真空処理装
置を提供することである。 【構成】この発明は、真空槽内に平行に配置された放電
電極と加熱ヒーターとの間に、基板を保持した基板ホル
ダーを配設し、その基板ホルダーをレール上を走行する
駆動装置によって搬送する真空処理装置において、上記
駆動装置と基板ホルダーとをリンク機構によって連結
し、そのリンク機構の回転により、上記基板ホルダーを
上記加熱ヒーターに直接接触させることを特徴とするも
のである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は基板を保持した基板ホ
ルダーを加熱ヒーターに移動可能な真空処理装置に関す
るものである。
ルダーを加熱ヒーターに移動可能な真空処理装置に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の真空処理装置は図３に示されてお
り、同図において、真空槽１内には、放電電極２と、ヒ
ーターケース３ａ内にヒーター線３ｂを入れた加熱ヒー
ター３とが縦方向に平行に配置され、更に、放電電極２
と加熱ヒーター３との間には基板４を保持した縦型の基
板ホルダー５が図面の垂直方向に搬送可能に配設されて
いる。基板ホルダー５はその上部に駆動装置６が設けら
れ、その駆動装置６は図面に垂直な方向に延びている一
対のレール７ａ、７ｂ上を走行可能になっている。な
お、図中、８は放電電極２に接続された高周波電源であ
る。また、基板ホルダー５は駆動装置６を介して接地さ
れている。
り、同図において、真空槽１内には、放電電極２と、ヒ
ーターケース３ａ内にヒーター線３ｂを入れた加熱ヒー
ター３とが縦方向に平行に配置され、更に、放電電極２
と加熱ヒーター３との間には基板４を保持した縦型の基
板ホルダー５が図面の垂直方向に搬送可能に配設されて
いる。基板ホルダー５はその上部に駆動装置６が設けら
れ、その駆動装置６は図面に垂直な方向に延びている一
対のレール７ａ、７ｂ上を走行可能になっている。な
お、図中、８は放電電極２に接続された高周波電源であ
る。また、基板ホルダー５は駆動装置６を介して接地さ
れている。
【０００３】このような真空処理装置において、駆動装
置６を一対のレール７ａ、７ｂ上に走行させることによ
って、基板４を保持した基板ホルダー５を搬送する。そ
して、基板ホルダー５が放電電極２と対向し、かつ、基
板ホルダー５の背部に加熱ヒーター３が位置するるよう
になったとき、基板ホルダー４の搬送を停止する。その
後、加熱ヒーター３からの輻射熱によって、基板４およ
び基板ホルダー５を加熱する一方で、放電電極２に高周
波電源８より高周波電力を印加し、放電電極２と基板４
を保持した基板ホルダー５との間の放電により、プラズ
マが発生し、基板４に薄膜が形成される。
置６を一対のレール７ａ、７ｂ上に走行させることによ
って、基板４を保持した基板ホルダー５を搬送する。そ
して、基板ホルダー５が放電電極２と対向し、かつ、基
板ホルダー５の背部に加熱ヒーター３が位置するるよう
になったとき、基板ホルダー４の搬送を停止する。その
後、加熱ヒーター３からの輻射熱によって、基板４およ
び基板ホルダー５を加熱する一方で、放電電極２に高周
波電源８より高周波電力を印加し、放電電極２と基板４
を保持した基板ホルダー５との間の放電により、プラズ
マが発生し、基板４に薄膜が形成される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来の真空処理装置
は、上記のように加熱ヒーター３からの輻射熱によっ
て、基板４および基板ホルダー５を加熱するので、基板
４および基板ホルダー５の昇温、温度の安定化に時間が
かかり、基板４の処理効率が悪くなる問題があった。ま
た、基板４を保持した基板ホルダー５は駆動装置６を介
して接地されているだけであるので、放電に対する電位
が不安定になりやすく、基板４上に形成される薄膜の膜
厚分布や膜質が悪くなる問題があった。
は、上記のように加熱ヒーター３からの輻射熱によっ
て、基板４および基板ホルダー５を加熱するので、基板
４および基板ホルダー５の昇温、温度の安定化に時間が
かかり、基板４の処理効率が悪くなる問題があった。ま
た、基板４を保持した基板ホルダー５は駆動装置６を介
して接地されているだけであるので、放電に対する電位
が不安定になりやすく、基板４上に形成される薄膜の膜
厚分布や膜質が悪くなる問題があった。
【０００５】この発明の目的は、従来の上記問題を解決
して、基板および基板ホルダーの昇温、温度の安定化を
可能にするとともに、放電を安定化して、薄膜の膜厚分
布や膜質を良好にする真空処理装置を提供することであ
る。
して、基板および基板ホルダーの昇温、温度の安定化を
可能にするとともに、放電を安定化して、薄膜の膜厚分
布や膜質を良好にする真空処理装置を提供することであ
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、この発明は、真空槽内に平行に配置された放電電極
と加熱ヒーターとの間に、基板を保持した基板ホルダー
を配設し、その基板ホルダーを、レール上を走行する駆
動装置によって搬送する真空処理装置において、上記駆
動装置と基板ホルダーとをリンク機構によって連結し、
そのリンク機構の回転により、上記基板ホルダーを上記
加熱ヒーターに直接接触させることを特徴とするもので
ある。
に、この発明は、真空槽内に平行に配置された放電電極
と加熱ヒーターとの間に、基板を保持した基板ホルダー
を配設し、その基板ホルダーを、レール上を走行する駆
動装置によって搬送する真空処理装置において、上記駆
動装置と基板ホルダーとをリンク機構によって連結し、
そのリンク機構の回転により、上記基板ホルダーを上記
加熱ヒーターに直接接触させることを特徴とするもので
ある。
【０００７】
【作用】この発明においては、駆動装置と基板ホルダー
とを連結するリンク機構の回転により、基板ホルダーを
加熱ヒーターに直接接触させるようにしているので、加
熱ヒーターからの熱は直接伝熱され、基板および基板ホ
ルダーの昇温、温度の安定化が短時間に可能になり、基
板の処理効率が良くなる。また、基板ホルダーと加熱ヒ
ーターとの電位が同一になるため、放電が安定化し、基
板上に形成される薄膜の膜厚分布や膜質がよくなる。
とを連結するリンク機構の回転により、基板ホルダーを
加熱ヒーターに直接接触させるようにしているので、加
熱ヒーターからの熱は直接伝熱され、基板および基板ホ
ルダーの昇温、温度の安定化が短時間に可能になり、基
板の処理効率が良くなる。また、基板ホルダーと加熱ヒ
ーターとの電位が同一になるため、放電が安定化し、基
板上に形成される薄膜の膜厚分布や膜質がよくなる。
【０００８】
【実施例】以下、この発明の実施例について図面を参照
しながら説明する。この発明の実施例は図１に示されて
おり、同図において、真空槽１内には、放電電極２と、
ヒーターケース３ａ内にヒーター線３ｂを入れた加熱ヒ
ーター３とが縦方向に平行に配置され、更に、放電電極
２と加熱ヒーター３との間には基板４を保持した縦型の
基板ホルダー５が図面の垂直方向に搬送可能に配設され
ている。基板ホルダー５はその上部においてピン結合さ
れたリンク９を介して駆動装置６に連結され、その駆動
装置６は図面に垂直な方向に延びている一対のレール７
ａ、７ｂ上を走行可能になっている。なお、図中、８は
放電電極２に接続された高周波電源でる。また、基板ホ
ルダー５は駆動装置６を介して接地されている。
しながら説明する。この発明の実施例は図１に示されて
おり、同図において、真空槽１内には、放電電極２と、
ヒーターケース３ａ内にヒーター線３ｂを入れた加熱ヒ
ーター３とが縦方向に平行に配置され、更に、放電電極
２と加熱ヒーター３との間には基板４を保持した縦型の
基板ホルダー５が図面の垂直方向に搬送可能に配設され
ている。基板ホルダー５はその上部においてピン結合さ
れたリンク９を介して駆動装置６に連結され、その駆動
装置６は図面に垂直な方向に延びている一対のレール７
ａ、７ｂ上を走行可能になっている。なお、図中、８は
放電電極２に接続された高周波電源でる。また、基板ホ
ルダー５は駆動装置６を介して接地されている。
【０００９】このような真空処理装置において、駆動装
置６を一対のレール７ａ、７ｂ上に走行させることによ
って、基板４を保持した基板ホルダー５を搬送する。そ
して、基板ホルダー５が放電電極２と対向し、かつ、基
板ホルダー５の背部に加熱ヒーター３が位置するるよう
になったとき、基板ホルダー４の搬送を停止する。その
次に、リンク９を回転させ、図２に示すように基板ホル
ダー４を加熱ヒーター３に直接接触させる。その後、加
熱ヒーター３からの直接伝熱により、基板４および基板
ホルダー５を加熱する一方で、放電電極２に高周波電源
８より高周波電力を印加し、放電電極２と基板４を保持
した基板ホルダー５との間の放電により、プラズマが発
生し、基板４に薄膜が形成される。
置６を一対のレール７ａ、７ｂ上に走行させることによ
って、基板４を保持した基板ホルダー５を搬送する。そ
して、基板ホルダー５が放電電極２と対向し、かつ、基
板ホルダー５の背部に加熱ヒーター３が位置するるよう
になったとき、基板ホルダー４の搬送を停止する。その
次に、リンク９を回転させ、図２に示すように基板ホル
ダー４を加熱ヒーター３に直接接触させる。その後、加
熱ヒーター３からの直接伝熱により、基板４および基板
ホルダー５を加熱する一方で、放電電極２に高周波電源
８より高周波電力を印加し、放電電極２と基板４を保持
した基板ホルダー５との間の放電により、プラズマが発
生し、基板４に薄膜が形成される。
【００１０】基板４に薄膜を形成したあと、リンク９を
回転させ、基板ホルダー５を元の状態に戻してから、基
板ホルダー５を再び搬送する。
回転させ、基板ホルダー５を元の状態に戻してから、基
板ホルダー５を再び搬送する。
【００１１】ところで、上記実施例は基板ホルダー５等
を縦にした縦型構造であるが、基板ホルダー等を横にし
た横型構造のものを使用してもよい。更に、上記実施例
は片面であるが、両面に本構造を用いてもよい。
を縦にした縦型構造であるが、基板ホルダー等を横にし
た横型構造のものを使用してもよい。更に、上記実施例
は片面であるが、両面に本構造を用いてもよい。
【００１２】
【発明の効果】この発明は、上記のように駆動装置と基
板ホルダーとを連結するリンク機構の回転により、基板
ホルダーを加熱ヒーターに直接接触させるようにしてい
るので、加熱ヒーターからの熱は直接伝熱され、基板お
よび基板ホルダーの昇温、温度の安定化が短時間に可能
になり、基板の処理効率が良くなる。また、基板ホルダ
ーと加熱ヒーターとの電位が同一になるため、放電が安
定化し、基板上に形成される薄膜の膜厚分布や膜質がよ
くなる。
板ホルダーとを連結するリンク機構の回転により、基板
ホルダーを加熱ヒーターに直接接触させるようにしてい
るので、加熱ヒーターからの熱は直接伝熱され、基板お
よび基板ホルダーの昇温、温度の安定化が短時間に可能
になり、基板の処理効率が良くなる。また、基板ホルダ
ーと加熱ヒーターとの電位が同一になるため、放電が安
定化し、基板上に形成される薄膜の膜厚分布や膜質がよ
くなる。
【図１】この発明の実施例の断面説明図
【図２】この発明の実施例の説明図
【図３】従来の真空処理装置の断面説明図
１・・・・・・・真空槽 ２・・・・・・・放電電極 ３ａ・・・・・・ヒーターケース ３ｂ・・・・・・ヒーター線 ３・・・・・・・加熱ヒーター ４・・・・・・・基板 ５・・・・・・・基板ホルダー ６・・・・・・・駆動装置 ７ａ、７ｂ・・・レール ８・・・・・・・高周波電源 ９・・・・・・・リンク
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 清水 康男 神奈川県茅ヶ崎市萩園2500番地日本真空技 術株式会社内 (72)発明者 一山 政博 神奈川県茅ヶ崎市萩園2500番地日本真空技 術株式会社内 (72)発明者 小野 信一 神奈川県茅ヶ崎市萩園2500番地日本真空技 術株式会社内 (72)発明者 小形 英之 神奈川県茅ヶ崎市萩園2500番地日本真空技 術株式会社内
Claims (1)
- 【請求項１】真空槽内に平行に配置された放電電極と加
熱ヒーターとの間に、基板を保持した基板ホルダーを配
設し、その基板ホルダーを、レール上を走行する駆動装
置によって搬送する真空処理装置において、上記駆動装
置と基板ホルダーとをリンク機構によって連結し、その
リンク機構の回転により、上記基板ホルダーを上記加熱
ヒーターに直接接触させることを特徴とする真空処理装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23890892A JPH0657416A (ja) | 1992-08-14 | 1992-08-14 | 真空処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23890892A JPH0657416A (ja) | 1992-08-14 | 1992-08-14 | 真空処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0657416A true JPH0657416A (ja) | 1994-03-01 |
Family
ID=17037059
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23890892A Pending JPH0657416A (ja) | 1992-08-14 | 1992-08-14 | 真空処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0657416A (ja) |
-
1992
- 1992-08-14 JP JP23890892A patent/JPH0657416A/ja active Pending
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