JPH0687461B2 - プラズマｃｖｄ装置 - Google Patents
プラズマｃｖｄ装置Info
- Publication number
- JPH0687461B2 JPH0687461B2 JP62117857A JP11785787A JPH0687461B2 JP H0687461 B2 JPH0687461 B2 JP H0687461B2 JP 62117857 A JP62117857 A JP 62117857A JP 11785787 A JP11785787 A JP 11785787A JP H0687461 B2 JPH0687461 B2 JP H0687461B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- substrate support
- substrate
- high frequency
- heater
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
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-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、太陽電池やセンサなどに用いられる非晶質シ
リコン膜あるいは半導体表面の保護膜に用いられる窒化
シリコン膜などの薄膜を、平行電極間に高周波電圧を印
加して発生する周波数プラズマ反応を利用して所定の温
度に加熱された基板上に生成するプラズマCVD装置に関
する。
リコン膜あるいは半導体表面の保護膜に用いられる窒化
シリコン膜などの薄膜を、平行電極間に高周波電圧を印
加して発生する周波数プラズマ反応を利用して所定の温
度に加熱された基板上に生成するプラズマCVD装置に関
する。
この種のプラズマCVD装置としては、第２図に示す構造
のものが知られている。図は装置の断面構造を示すもの
で、真空容器１は排気口２より真空に排気され、ガス導
入口３より材料ガスとして、例えばシランガスを0.1〜1
0Torrの所定圧力まで導入後、高周波電極４と基板加熱
用ヒータを兼用した対向接地電極５との間に高周波電源
６によって高周波電界を印加しプラズマ反応を生起させ
ることにより、トレイ８に装着した基板７上に薄膜、こ
の場合は非晶質シリコン膜を形成することが出来る。こ
の装置においては、真空容器１に固定された基板加熱用
ヒータ５はシーズヒータあるいは鋳込みヒータなどによ
り構成されて鉛直面内に配置されており、ヒータ両面の
表面温度が均一になるように制御される。膜生成にあず
かる基板７を装着したトレイ８は、駆動用装置10により
図の紙面に垂直に移送できる搬送用キャリア９によって
１〜100mmの間隔を置いてヒータの両側に吊るされてい
る。各トレイから10〜150mmの間隔を置いて両側に高周
波電極４が並設される。
のものが知られている。図は装置の断面構造を示すもの
で、真空容器１は排気口２より真空に排気され、ガス導
入口３より材料ガスとして、例えばシランガスを0.1〜1
0Torrの所定圧力まで導入後、高周波電極４と基板加熱
用ヒータを兼用した対向接地電極５との間に高周波電源
６によって高周波電界を印加しプラズマ反応を生起させ
ることにより、トレイ８に装着した基板７上に薄膜、こ
の場合は非晶質シリコン膜を形成することが出来る。こ
の装置においては、真空容器１に固定された基板加熱用
ヒータ５はシーズヒータあるいは鋳込みヒータなどによ
り構成されて鉛直面内に配置されており、ヒータ両面の
表面温度が均一になるように制御される。膜生成にあず
かる基板７を装着したトレイ８は、駆動用装置10により
図の紙面に垂直に移送できる搬送用キャリア９によって
１〜100mmの間隔を置いてヒータの両側に吊るされてい
る。各トレイから10〜150mmの間隔を置いて両側に高周
波電極４が並設される。
このプラズマCVD装置の薄膜生成能力をさらに向上させ
るために、高周波電極と基板加熱ヒータの配列を複数列
並列に配置する方法も行われている。第３図はそのよう
な例を示すもので、第２図と異なる点は、基板加熱用の
固定ヒータ電極５を２列に並べこれに対向する高周波電
極４を三列並列に配置した点である。ここで、二つの搬
送用キャリア９は一つの駆動装置10より連動されて一体
化し、移送のための制御を容易にしている。
るために、高周波電極と基板加熱ヒータの配列を複数列
並列に配置する方法も行われている。第３図はそのよう
な例を示すもので、第２図と異なる点は、基板加熱用の
固定ヒータ電極５を２列に並べこれに対向する高周波電
極４を三列並列に配置した点である。ここで、二つの搬
送用キャリア９は一つの駆動装置10より連動されて一体
化し、移送のための制御を容易にしている。
一方、特開昭55−59727号公報（特にその第２図）に
は、高周波電界を印加した電極と接地電位にある電極と
を対向させ、かつそれぞれの電極自身を基板支持体とす
ることにより、比較的狭い区間内で、薄膜の生成能力を
高めるようとした構成が開示されている。
は、高周波電界を印加した電極と接地電位にある電極と
を対向させ、かつそれぞれの電極自身を基板支持体とす
ることにより、比較的狭い区間内で、薄膜の生成能力を
高めるようとした構成が開示されている。
しかし、第３図に示した装置は、第２図の２倍の薄膜生
成能力を得るために、第２図で二つであったプラズマ領
域を四つにしたものであり、それだけ装置容量が大きく
なるため装置価格が高くなり、最終的には製品のコスト
高につながるという欠点があった。
成能力を得るために、第２図で二つであったプラズマ領
域を四つにしたものであり、それだけ装置容量が大きく
なるため装置価格が高くなり、最終的には製品のコスト
高につながるという欠点があった。
また前記特開昭55−59727号公報に開示された構成で
は、一方の電極の加熱には真空容器内に隣接してヒータ
が設置されているが、他方の電極の加熱は、真空容器の
外部に配置されたヒータで行おうとしている。この構成
であると、真紅容器の外部にあるヒータは、真空容器自
体まで加熱しなければならなず、必要な熱量が膨大にな
るという問題がある。さらに、この真空容器の外部にあ
るヒータにより加熱される一方の電極に設置された基板
と、真空容器内の隣接したヒータにより加熱される一方
の電極に設置された基板とでは、その加熱の度合いが大
きく異なり、両方の基板に形成される薄膜を、均一なも
のとはなし得ないという問題がある。加えて、特開昭55
−59727号公報の構成では、基板支持体である電極は固
定されており、基板を搬送することにより薄膜生成能力
を高めることは不可能である。
は、一方の電極の加熱には真空容器内に隣接してヒータ
が設置されているが、他方の電極の加熱は、真空容器の
外部に配置されたヒータで行おうとしている。この構成
であると、真紅容器の外部にあるヒータは、真空容器自
体まで加熱しなければならなず、必要な熱量が膨大にな
るという問題がある。さらに、この真空容器の外部にあ
るヒータにより加熱される一方の電極に設置された基板
と、真空容器内の隣接したヒータにより加熱される一方
の電極に設置された基板とでは、その加熱の度合いが大
きく異なり、両方の基板に形成される薄膜を、均一なも
のとはなし得ないという問題がある。加えて、特開昭55
−59727号公報の構成では、基板支持体である電極は固
定されており、基板を搬送することにより薄膜生成能力
を高めることは不可能である。
本発明の目的は、この欠点を除去してプラズマ領域を増
加することなく薄膜生成能力を向上させ、生産性を高く
したプラズマCVD装置を提供することにある。
加することなく薄膜生成能力を向上させ、生産性を高く
したプラズマCVD装置を提供することにある。
上記の目的を達成するために、本発明によれば、 真空容器内に、 高周波電界が印加され加熱体を備える第一の電極と、 接地電位にあり加熱体を備える第二の電極と、 前記第一の電極と前記第二の電極との間であって前記第
一の電極に近接した位置に位置し前記第一の電極と金属
箔により電気的に接続された第一の基板支持体と、 前記第一の電極と前記第二の電極との間であって前記第
二の電極に近接した位置に位置し接地電位にある第二の
基板支持体と、 前記第一の基板支持体と前記第二の基板支持体とを絶縁
して連結支持する絶縁支持体と、 前記第一の基板支持体と前記第二の基板支持体と前記絶
縁支持体とを移動可能に支持する搬送キャリアと、 を備え、 前記第一の電極と前記第二の電極と前記第一の基板支持
体と前記第二の基板支持体とを、実質的に平行に配置し
て成るものとする。
一の電極に近接した位置に位置し前記第一の電極と金属
箔により電気的に接続された第一の基板支持体と、 前記第一の電極と前記第二の電極との間であって前記第
二の電極に近接した位置に位置し接地電位にある第二の
基板支持体と、 前記第一の基板支持体と前記第二の基板支持体とを絶縁
して連結支持する絶縁支持体と、 前記第一の基板支持体と前記第二の基板支持体と前記絶
縁支持体とを移動可能に支持する搬送キャリアと、 を備え、 前記第一の電極と前記第二の電極と前記第一の基板支持
体と前記第二の基板支持体とを、実質的に平行に配置し
て成るものとする。
本発明の上記構成を第３図の従来例と比較すると、高
周波電界が印加される第一の電極も加熱体を備えている
点、高周波電界が印加される第一の電極と接地電位に
ある第二の電極との間に二つの基板支持体が位置してい
る点、第一の基板支持体が第一の電極と電気的に接続
されている点、等において構成が相違している。
周波電界が印加される第一の電極も加熱体を備えている
点、高周波電界が印加される第一の電極と接地電位に
ある第二の電極との間に二つの基板支持体が位置してい
る点、第一の基板支持体が第一の電極と電気的に接続
されている点、等において構成が相違している。
本発明の構成によれば、高周波電界を第一の電極の印加
すると、第一の基板支持体と第二の基板支持体との間に
プラズマ領域が発生する。従って、第一の基板支持体に
支持された基板と、第二の基板支持体に支持された基板
との両方に、均一な特性を有する薄膜が形成される。よ
って、第３図の従来構成に比べ、高周波電位にある電極
と接地電位にある電極との間の空間における薄膜生成能
力を、薄膜の均一性を維持した上で、倍増することがで
きる。
すると、第一の基板支持体と第二の基板支持体との間に
プラズマ領域が発生する。従って、第一の基板支持体に
支持された基板と、第二の基板支持体に支持された基板
との両方に、均一な特性を有する薄膜が形成される。よ
って、第３図の従来構成に比べ、高周波電位にある電極
と接地電位にある電極との間の空間における薄膜生成能
力を、薄膜の均一性を維持した上で、倍増することがで
きる。
また、本発明の構成によれば、第一の電極と第一の基板
支持体とを、溶接等ではなく、金属箔により電気的に接
続しているので、第一の基板支持体を移動可能とするこ
とができる。
支持体とを、溶接等ではなく、金属箔により電気的に接
続しているので、第一の基板支持体を移動可能とするこ
とができる。
以下、図を引用して本発明の二つの実施例について説明
する。各図においては、第2,第３図を含めて共通の部分
に同一の符号が付されている。第１図において、排気口
2,ガス導入口３を備えた真空容器１の中央に第２図の場
合と同様に基板加熱用ヒータを兼用した板状電極11が配
置されている。この電極11は接地されている。しかし、
第２図の高周波電極４の位置にもヒータを内蔵した板状
電極12が設置され、高周波電源６に接続されている。両
電極11,12に30〜150mmの間隔を置いて近接して、それぞ
れ基板６を装着したトレイ81,82が位置しており、両ト
レイ81,82は絶縁支持体である絶縁碍子13によって互い
に絶縁されて一つの搬送用キャリア９に連結されてい
る。搬送キャリア９は、モータからの動力をチェイン等
によりローラへ伝達する駆動装置10により、トレイを別
の真空室から、あるいは別の真空室へ移動させることが
できる。中央の電極11に近いキャリア81は搬送用キャリ
ア９および駆動装置10を介して接地されている。一方、
両側の電極12には、例えばステンレス鋼のような金属の
箔14が多数装着され、この電極12に近接してトレイ82は
この金属箔に接触する。これにより、移動可能なトレイ
82を電極12と同電位にすることができる。導入口３から
材料ガスを導入し、真空容器１の内部を0.1〜10Torrの
範囲内の所定の圧力に調整後、電極12に高周波電源６か
ら発生された電界を印加することにより、それとほぼ同
電位のキャリア82と接地されたキャリア81の間の空間に
安定したプラズマ反応が生起され、プラズマに接するト
レイ81,82上でヒータによって所定の温度に保持された
基板７に同様の膜が形成される。
する。各図においては、第2,第３図を含めて共通の部分
に同一の符号が付されている。第１図において、排気口
2,ガス導入口３を備えた真空容器１の中央に第２図の場
合と同様に基板加熱用ヒータを兼用した板状電極11が配
置されている。この電極11は接地されている。しかし、
第２図の高周波電極４の位置にもヒータを内蔵した板状
電極12が設置され、高周波電源６に接続されている。両
電極11,12に30〜150mmの間隔を置いて近接して、それぞ
れ基板６を装着したトレイ81,82が位置しており、両ト
レイ81,82は絶縁支持体である絶縁碍子13によって互い
に絶縁されて一つの搬送用キャリア９に連結されてい
る。搬送キャリア９は、モータからの動力をチェイン等
によりローラへ伝達する駆動装置10により、トレイを別
の真空室から、あるいは別の真空室へ移動させることが
できる。中央の電極11に近いキャリア81は搬送用キャリ
ア９および駆動装置10を介して接地されている。一方、
両側の電極12には、例えばステンレス鋼のような金属の
箔14が多数装着され、この電極12に近接してトレイ82は
この金属箔に接触する。これにより、移動可能なトレイ
82を電極12と同電位にすることができる。導入口３から
材料ガスを導入し、真空容器１の内部を0.1〜10Torrの
範囲内の所定の圧力に調整後、電極12に高周波電源６か
ら発生された電界を印加することにより、それとほぼ同
電位のキャリア82と接地されたキャリア81の間の空間に
安定したプラズマ反応が生起され、プラズマに接するト
レイ81,82上でヒータによって所定の温度に保持された
基板７に同様の膜が形成される。
第４図は別の実施例を示すもので、第１図と異なる点
は、高周波電源６と中央の電極11を接続し、両側の電極
12を接地した点である。従って、電極12に近接したトレ
イ82が搬送用キャリア9,駆動装置10を介して接地され、
トレイ81はそれと絶縁碍子13によって絶縁さており、電
極11に装着された金属箔14に接触して電極11とほぼ同電
位にされる。このように、金属箔14は、高周波を印加し
た電極11とトレイ81とを接続する役割を有する。高周波
の場合、接続が不完全であると、インピーダンスの不整
合が発生して放電が不安定となる。本実施例において
は、電極11とトレイ81とは金属箔14により確実に接触し
ているので、インピーダンスは一定となり、安定した放
電の制御が可能となる。
は、高周波電源６と中央の電極11を接続し、両側の電極
12を接地した点である。従って、電極12に近接したトレ
イ82が搬送用キャリア9,駆動装置10を介して接地され、
トレイ81はそれと絶縁碍子13によって絶縁さており、電
極11に装着された金属箔14に接触して電極11とほぼ同電
位にされる。このように、金属箔14は、高周波を印加し
た電極11とトレイ81とを接続する役割を有する。高周波
の場合、接続が不完全であると、インピーダンスの不整
合が発生して放電が不安定となる。本実施例において
は、電極11とトレイ81とは金属箔14により確実に接触し
ているので、インピーダンスは一定となり、安定した放
電の制御が可能となる。
ここに示した実施例では、各電極板11,12および各基板
支持体81,82がいずれも鉛直面内に配置されているが、
それらが水平面内に配置される装置においても本発明を
実施できることは当然である。また、基板支持体を搬送
用キャリアによって真空容器外から移動させるものに限
らず、真空容器内に固定た、ものについても実施でき
る。
支持体81,82がいずれも鉛直面内に配置されているが、
それらが水平面内に配置される装置においても本発明を
実施できることは当然である。また、基板支持体を搬送
用キャリアによって真空容器外から移動させるものに限
らず、真空容器内に固定た、ものについても実施でき
る。
本発明によれば、上記の構成を採用した結果、支持体間
に安定したプラズマを発生させることによって両支持体
上の基板に同質の膜を生成することが可能となり、同一
放電領域内における基板充填密度が従来に較べて倍加す
るので、薄膜生成コストが低下するという効果が生じ
た。
に安定したプラズマを発生させることによって両支持体
上の基板に同質の膜を生成することが可能となり、同一
放電領域内における基板充填密度が従来に較べて倍加す
るので、薄膜生成コストが低下するという効果が生じ
た。
第１図は本発明の一実施例の断面図、第２図，第３図は
従来のプラズマCVD装置の断面図、第４図は本発明の別
の実施例の断面図である。 1:真空容器、2:排気口、3:ガス導入口、6:高周波電源、
7:基板、81,82:トレイ。
従来のプラズマCVD装置の断面図、第４図は本発明の別
の実施例の断面図である。 1:真空容器、2:排気口、3:ガス導入口、6:高周波電源、
7:基板、81,82:トレイ。
Claims (1)
- 【請求項１】真空容器内に、 高周波電界が印加され加熱体を備える第一の電極と、 接地電位にあり加熱体を備える第二の電極と、 前記第一の電極と前記第二の電極との間であって前記第
一の電極に近接した位置に位置し前記第一の電極と金属
箔により電気的に接続された第一の基板支持体と、 前記第一の電極と前記第二の電極との間であって前記第
二の電極に近接した位置に位置し接地電位にある第二の
基板支持体と、 前記第一の基板支持体と前記第二の基板支持体とを絶縁
して連結支持する絶縁支持体と、 前記第一の基板支持体と前記第二の基板支持体と前記絶
縁支持体とを移動可能に支持する搬送キャリアと、 を備え、 前記第一の電極と前記第二の電極と前記第一の基板支持
体と前記第二の基板支持体とを、実質的に平行に配置し
て成ることを特徴とするプラズマCVD装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62117857A JPH0687461B2 (ja) | 1987-05-14 | 1987-05-14 | プラズマｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62117857A JPH0687461B2 (ja) | 1987-05-14 | 1987-05-14 | プラズマｃｖｄ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63283016A JPS63283016A (ja) | 1988-11-18 |
| JPH0687461B2 true JPH0687461B2 (ja) | 1994-11-02 |
Family
ID=14722011
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62117857A Expired - Fee Related JPH0687461B2 (ja) | 1987-05-14 | 1987-05-14 | プラズマｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0687461B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5225375A (en) * | 1991-05-20 | 1993-07-06 | Process Technology (1988) Limited | Plasma enhanced chemical vapor processing of semiconductor substrates |
| KR100455426B1 (ko) * | 2002-03-29 | 2004-11-06 | 주식회사 엘지이아이 | 열교환기 연속 표면처리장비의 2열처리구조 |
-
1987
- 1987-05-14 JP JP62117857A patent/JPH0687461B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63283016A (ja) | 1988-11-18 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |