JPH065637A - 半導体装置用熱硬化型接着剤 - Google Patents
半導体装置用熱硬化型接着剤Info
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- JPH065637A JPH065637A JP16234392A JP16234392A JPH065637A JP H065637 A JPH065637 A JP H065637A JP 16234392 A JP16234392 A JP 16234392A JP 16234392 A JP16234392 A JP 16234392A JP H065637 A JPH065637 A JP H065637A
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- JP
- Japan
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- semiconductor device
- thermosetting
- bonding agent
- adhesive
- semiconductor
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- Withdrawn
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
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- Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
- Die Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】半導体ペレットの熱の放散を確保するとともに
光の表面反射率を低くし、半導体装置の形状を認識する
ための検査光にハレーションを引き起こさないことを目
的としている。 【構成】熱伝導率を確保するために少くとも４０％の銀
を含むエポキシ系樹脂を主材とし、硬化材，粘度調整材
及びフィラーから組成されたものにビスフェノールＡ等
の固体酸性物質を顕色材とする感熱色素を含有させ、そ
れが半導体装置の製造工程におけるダイボンディング後
の接着剤の熱硬化のための加熱工程において発色し、そ
れが接着剤中の銀粒による金属光沢の発生を余生し、中
波長から長波長の可視光波長域の光に対する反射率を３
５％以下に抑え、認識用照明光の反射によるハレーショ
ンを抑える。
光の表面反射率を低くし、半導体装置の形状を認識する
ための検査光にハレーションを引き起こさないことを目
的としている。 【構成】熱伝導率を確保するために少くとも４０％の銀
を含むエポキシ系樹脂を主材とし、硬化材，粘度調整材
及びフィラーから組成されたものにビスフェノールＡ等
の固体酸性物質を顕色材とする感熱色素を含有させ、そ
れが半導体装置の製造工程におけるダイボンディング後
の接着剤の熱硬化のための加熱工程において発色し、そ
れが接着剤中の銀粒による金属光沢の発生を余生し、中
波長から長波長の可視光波長域の光に対する反射率を３
５％以下に抑え、認識用照明光の反射によるハレーショ
ンを抑える。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置用熱硬化型接
着剤（以下単に熱硬化型接着剤と呼ぶ）に関し、特に半
導体ペレットをリードフレームに固着する際に用いられ
る熱硬化型接着剤の改良に関する。
着剤（以下単に熱硬化型接着剤と呼ぶ）に関し、特に半
導体ペレットをリードフレームに固着する際に用いられ
る熱硬化型接着剤の改良に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の熱硬化型接着剤はエポキ
シ携樹脂を主剤とし、硬化剤，粘度調整剤及びフィラー
から組成されている。通常、フィラーとして平均粒径が
５〜１５μｍ程度の銀（Ａｇ）粒を用い、その銀粒が接
着剤全体に占める割合は、約７０〜８０ｗｔ％であるた
め、銀色の金属光沢を有している。
シ携樹脂を主剤とし、硬化剤，粘度調整剤及びフィラー
から組成されている。通常、フィラーとして平均粒径が
５〜１５μｍ程度の銀（Ａｇ）粒を用い、その銀粒が接
着剤全体に占める割合は、約７０〜８０ｗｔ％であるた
め、銀色の金属光沢を有している。
【０００３】図２はリードフレームに半導体ペレットが
搭載された状態を示す図である。ペレットは、リードフ
レームのペレット搭載部３に本接着剤を介して固着され
るが、それは通常Ｎａのプラスイオン及びＣｌのマイナ
スイオン等の不純物濃度が極めて低い熱硬化型接着剤が
用いられていた。
搭載された状態を示す図である。ペレットは、リードフ
レームのペレット搭載部３に本接着剤を介して固着され
るが、それは通常Ｎａのプラスイオン及びＣｌのマイナ
スイオン等の不純物濃度が極めて低い熱硬化型接着剤が
用いられていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の熱硬化
型接着剤では、リードフレームのペレット搭載部５に固
着するときに半導体ペレット１とペレット搭載部３との
濡れ性を確保するのに、半導体ペレット１の外縁部４か
らある程度接着剤をはみ出させてはみ出し部２を形成し
接着していた。そしてダイボンディング工程及びワイヤ
ボンディング工程を経て組立が完了した後に、半導体ペ
レット上の金属電極及びインナーリードの形状認識及び
位置認識して検査するときに、それらの上面から鉛直方
向もしくは、斜め方向から可視光波長域の波長をもつ白
色光を与えることにより、それから反射された光を撮像
装置によって電気信号としてとらえ、その画像信号を二
値化もしくは多値化等の画像処理を行うことにより、そ
れぞれの間でコントラストを得て、それを検知する、い
わゆるパターン認識により、表面の認識による検査が行
われていた。
型接着剤では、リードフレームのペレット搭載部５に固
着するときに半導体ペレット１とペレット搭載部３との
濡れ性を確保するのに、半導体ペレット１の外縁部４か
らある程度接着剤をはみ出させてはみ出し部２を形成し
接着していた。そしてダイボンディング工程及びワイヤ
ボンディング工程を経て組立が完了した後に、半導体ペ
レット上の金属電極及びインナーリードの形状認識及び
位置認識して検査するときに、それらの上面から鉛直方
向もしくは、斜め方向から可視光波長域の波長をもつ白
色光を与えることにより、それから反射された光を撮像
装置によって電気信号としてとらえ、その画像信号を二
値化もしくは多値化等の画像処理を行うことにより、そ
れぞれの間でコントラストを得て、それを検知する、い
わゆるパターン認識により、表面の認識による検査が行
われていた。
【０００５】ところが、上述の通り、熱硬化型接着剤が
元来半導体ペレットの熱伝導率を上げるためにＡｇ粒を
含有させた熱硬化性接着剤は、そのはみ出し部分２で認
識時の照明を約７０％以上もの反射率で反射することに
なる。すなわち、接着剤近傍に位置することになる半導
体ペレット１の外周に配置された金属電極は、強いハレ
ーションにより、それぞれのコントラストを得ることが
出来なくなり、二値化等の画像処理が困難となる。
元来半導体ペレットの熱伝導率を上げるためにＡｇ粒を
含有させた熱硬化性接着剤は、そのはみ出し部分２で認
識時の照明を約７０％以上もの反射率で反射することに
なる。すなわち、接着剤近傍に位置することになる半導
体ペレット１の外周に配置された金属電極は、強いハレ
ーションにより、それぞれのコントラストを得ることが
出来なくなり、二値化等の画像処理が困難となる。
【０００６】また、近年、半導体装置の製造工程におい
ては、上記のワイヤボンディングの出来映え（品質）検
査、例えばループ形状を自動認識装置にて行われている
が、これも上述と同様の方法、すなわち金属細線部分と
それ以外の部分の反射光のコントラストを電気信号とし
てとらえ、それを画像処理して、パターン認識が行われ
ているが、金属細線は半導体ペレット外周からはみ出し
た熱硬化型接着剤をその上面で交差するため、その交差
した部分は接着剤からの強いハレーションでコントラス
トが十分に得られずに、認識が困難になるという問題が
あった。
ては、上記のワイヤボンディングの出来映え（品質）検
査、例えばループ形状を自動認識装置にて行われている
が、これも上述と同様の方法、すなわち金属細線部分と
それ以外の部分の反射光のコントラストを電気信号とし
てとらえ、それを画像処理して、パターン認識が行われ
ているが、金属細線は半導体ペレット外周からはみ出し
た熱硬化型接着剤をその上面で交差するため、その交差
した部分は接着剤からの強いハレーションでコントラス
トが十分に得られずに、認識が困難になるという問題が
あった。
【０００７】本発明の目的は、半導体ペレットの熱放射
特性を確保するとともに、光の表面反射率を低くし、半
導体装置の検査光にハレーションを引き起こさない熱硬
化型接着剤を提供することである。
特性を確保するとともに、光の表面反射率を低くし、半
導体装置の検査光にハレーションを引き起こさない熱硬
化型接着剤を提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置用熱
硬化型接着剤は、半導体装置の製造工程におけるダイボ
ンディング工程で半導体ペレットを金属製基板（以下リ
ードフレームという）に固着する際に使用する半導体装
置用熱硬化型接着剤において、少くとも４０％の銀を含
むエポキシ樹脂に固体酸性物質を顕色剤とする感熱色素
を含むことを特徴としている。
硬化型接着剤は、半導体装置の製造工程におけるダイボ
ンディング工程で半導体ペレットを金属製基板（以下リ
ードフレームという）に固着する際に使用する半導体装
置用熱硬化型接着剤において、少くとも４０％の銀を含
むエポキシ樹脂に固体酸性物質を顕色剤とする感熱色素
を含むことを特徴としている。
【０００９】また、前記顕色剤が前記ダイボンディング
後の接着剤の熱硬化のための加熱により発色することを
特徴としている。
後の接着剤の熱硬化のための加熱により発色することを
特徴としている。
【００１０】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。図１は本発明に係る半導体装置用熱硬化型接着剤の
一実施例を説明するための接着剤に含まれる銀含有率と
接着剤の特性との関係を示すグラフである。本発明の熱
硬化型接着剤は、接着剤に含む銀が高い反射率をもつこ
とに着目し、銀の含有率を低くしエポキシ系樹脂を主に
硬化材粘度調整材及びフィラーを含む取材に固体酸化物
質を顕色材とする感熱色素を含有させたことである。
る。図１は本発明に係る半導体装置用熱硬化型接着剤の
一実施例を説明するための接着剤に含まれる銀含有率と
接着剤の特性との関係を示すグラフである。本発明の熱
硬化型接着剤は、接着剤に含む銀が高い反射率をもつこ
とに着目し、銀の含有率を低くしエポキシ系樹脂を主に
硬化材粘度調整材及びフィラーを含む取材に固体酸化物
質を顕色材とする感熱色素を含有させたことである。
【００１１】また、試みに銀含有率を変えてみてこの熱
硬化型接着剤の特性を調べたところ、図１に示すよう
に、銀含有率が５０％程度になると、反射率が３５％以
下になりハレーショクオンを引き起すことのない反射率
になる。一方、半導体ペレットの熱放出の指標となる熱
伝導度を調べると、必要とする熱伝導率０．００４ｃａ
ｌ／ｃｍ・５℃を得るには少くとも銀含有率が４０％以
上を必要とする。
硬化型接着剤の特性を調べたところ、図１に示すよう
に、銀含有率が５０％程度になると、反射率が３５％以
下になりハレーショクオンを引き起すことのない反射率
になる。一方、半導体ペレットの熱放出の指標となる熱
伝導度を調べると、必要とする熱伝導率０．００４ｃａ
ｌ／ｃｍ・５℃を得るには少くとも銀含有率が４０％以
上を必要とする。
【００１２】ここで接着剤の取材に添加する固体酸性物
質として、例えばビスフェノールＡを使用すると、半導
体装置の製造工程におけるダイボンディング後の接着剤
の熱硬化のための約２５０℃のベーク（加熱）工程にお
いて濃紺色に発色し、それが接着剤中のＡｇ粒による反
射を抑制し、ハレーションを引き起す長い波長の可視光
波長域の光を吸収し、はみ出し接着部の反射率を低く抑
えることができ、上記認識用照明光の反射によるハレー
ションを抑えることができる。これにより、ワイヤボン
ディング時の認識不具合を解決し、極めて信頼度の高い
ダイボンディング品質を実現できる。
質として、例えばビスフェノールＡを使用すると、半導
体装置の製造工程におけるダイボンディング後の接着剤
の熱硬化のための約２５０℃のベーク（加熱）工程にお
いて濃紺色に発色し、それが接着剤中のＡｇ粒による反
射を抑制し、ハレーションを引き起す長い波長の可視光
波長域の光を吸収し、はみ出し接着部の反射率を低く抑
えることができ、上記認識用照明光の反射によるハレー
ションを抑えることができる。これにより、ワイヤボン
ディング時の認識不具合を解決し、極めて信頼度の高い
ダイボンディング品質を実現できる。
【００１３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は少くとも
銀を４０％含む熱硬化型接着剤に、ビスフェノールＡの
ような固体酸性物質を顕色材とする感熱色素を含有させ
ることによって、半導体ペレットをリードフレームに接
着する後の接着剤の熱硬化のための加熱により濃紺色に
発色させ、接着剤中の銀粒による金属光沢の発生を抑制
し、中波長から長波長側の可視波長域の光を吸収し反射
率を抑え、自動ワイヤボンディング及びループ形状品質
検査時の認識用照明光によるハレーションを抑えること
が出来るので、認識時各部の反射光によるコントラスト
を十分に検知することができ、極めて良好な二値化もし
くは多値化等の画像処理を行なうことができるという効
果がある。
銀を４０％含む熱硬化型接着剤に、ビスフェノールＡの
ような固体酸性物質を顕色材とする感熱色素を含有させ
ることによって、半導体ペレットをリードフレームに接
着する後の接着剤の熱硬化のための加熱により濃紺色に
発色させ、接着剤中の銀粒による金属光沢の発生を抑制
し、中波長から長波長側の可視波長域の光を吸収し反射
率を抑え、自動ワイヤボンディング及びループ形状品質
検査時の認識用照明光によるハレーションを抑えること
が出来るので、認識時各部の反射光によるコントラスト
を十分に検知することができ、極めて良好な二値化もし
くは多値化等の画像処理を行なうことができるという効
果がある。
【図１】本発明半導体装置用熱硬化型接着剤の一実施例
を説明するための銀含有率と接着剤の特性との関係を示
すグラフである。
を説明するための銀含有率と接着剤の特性との関係を示
すグラフである。
【図２】リートフレームに半導体ペレットが搭載さた状
態を示す図である。
態を示す図である。
１ 半導体ペレット ２ はみ出し部 ３ ペレット搭載部 ４ 外縁部
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体装置の製造工程におけるダイボン
ディング工程で半導体ペレットを金属製基板（以下リー
ドフレームという）に固着する際に使用する半導体装置
用熱硬化型接着剤において、少くとも４０％の銀を含む
エポキシ樹脂に固体酸性物質を顕色剤とする感熱色素を
含むことを特徴とする熱硬化型接着剤。 - 【請求項２】 前記顕色剤が前記ダイボンディング後の
接着剤の熱硬化のための加熱により発色することを特徴
とする請求項１記載の熱硬化型接着剤。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16234392A JPH065637A (ja) | 1992-06-22 | 1992-06-22 | 半導体装置用熱硬化型接着剤 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16234392A JPH065637A (ja) | 1992-06-22 | 1992-06-22 | 半導体装置用熱硬化型接着剤 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH065637A true JPH065637A (ja) | 1994-01-14 |
Family
ID=15752754
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16234392A Withdrawn JPH065637A (ja) | 1992-06-22 | 1992-06-22 | 半導体装置用熱硬化型接着剤 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH065637A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100942514B1 (ko) * | 2003-05-21 | 2010-02-16 | 삼성전자주식회사 | 액정표시장치 |
| US8545439B2 (en) | 2009-03-10 | 2013-10-01 | Dongguan Kidsme Industrial Limited | Feeding apparatus |
| US8597235B2 (en) | 2009-03-10 | 2013-12-03 | Dongguan Kidsme Trading Company Limited | Feeding apparatus |
| US9277839B2 (en) | 2010-07-12 | 2016-03-08 | Nestec S.A. | Secure cup support for beverage machine |
-
1992
- 1992-06-22 JP JP16234392A patent/JPH065637A/ja not_active Withdrawn
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100942514B1 (ko) * | 2003-05-21 | 2010-02-16 | 삼성전자주식회사 | 액정표시장치 |
| US8545439B2 (en) | 2009-03-10 | 2013-10-01 | Dongguan Kidsme Industrial Limited | Feeding apparatus |
| US8597235B2 (en) | 2009-03-10 | 2013-12-03 | Dongguan Kidsme Trading Company Limited | Feeding apparatus |
| US9717656B2 (en) | 2009-03-10 | 2017-08-01 | Dongguan Kidsme Industrial Limited | Feeding apparatus |
| US9730861B2 (en) | 2009-03-10 | 2017-08-15 | Dongguan Kidsme Industrial Limited | Feeding apparatus |
| US9277839B2 (en) | 2010-07-12 | 2016-03-08 | Nestec S.A. | Secure cup support for beverage machine |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990831 |