JPH0653302A - 真空装置 - Google Patents
真空装置Info
- Publication number
- JPH0653302A JPH0653302A JP20326692A JP20326692A JPH0653302A JP H0653302 A JPH0653302 A JP H0653302A JP 20326692 A JP20326692 A JP 20326692A JP 20326692 A JP20326692 A JP 20326692A JP H0653302 A JPH0653302 A JP H0653302A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- vacuum
- chamber
- bellows
- vacuum chamber
- outside
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は，半導体デバイスを製造する真空装
置に関し，真空装置の外側から機械的にシャッター等の
内部機構を，確実に，かつ信頼性高く遠隔操作できる真
空装置の実現を目的とする。 【構成】 真空チャンバ１の内部機構２が真空チャンバ
１の外部より操作可能な真空装置であって, 真空チャン
バ１の壁面に備えられた緩衝室３を有し, 緩衝室３は,
内部が気密に保たれ，外面が真空チャンバ１内の雰囲気
に露出する第１のベローズ４と，真空チャンバ１の外部
に露出する第２のベローズ５にて構成され, 緩衝室３の
圧力は，真空チャンバ１内の圧力より高く, かつ外気よ
りも低く保たれてなるように構成する。
置に関し，真空装置の外側から機械的にシャッター等の
内部機構を，確実に，かつ信頼性高く遠隔操作できる真
空装置の実現を目的とする。 【構成】 真空チャンバ１の内部機構２が真空チャンバ
１の外部より操作可能な真空装置であって, 真空チャン
バ１の壁面に備えられた緩衝室３を有し, 緩衝室３は,
内部が気密に保たれ，外面が真空チャンバ１内の雰囲気
に露出する第１のベローズ４と，真空チャンバ１の外部
に露出する第２のベローズ５にて構成され, 緩衝室３の
圧力は，真空チャンバ１内の圧力より高く, かつ外気よ
りも低く保たれてなるように構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は，半導体デバイスを製造
する真空装置に関する。長時間真空を保つことが必要な
真空装置によって作製されるＨＥＭＴ等の半導体デバイ
スの高信頼化，高安定化を図るためには，真空装置内で
処理する半導体基板やシャッタ等を真空装置外からハン
ドリングする機構の高気密化が要求され，それに応じた
機構の開発が必要となる。
する真空装置に関する。長時間真空を保つことが必要な
真空装置によって作製されるＨＥＭＴ等の半導体デバイ
スの高信頼化，高安定化を図るためには，真空装置内で
処理する半導体基板やシャッタ等を真空装置外からハン
ドリングする機構の高気密化が要求され，それに応じた
機構の開発が必要となる。
【０００２】
【従来の技術】従来，長時間，真空に保つことが必要で
ある真空装置の内部に設置されたシャッター等の機械的
に半導体基板の作製条件を変化させる機構を，真空装置
の外部から操作するためには，マグネットカップリング
等で遠隔的に力を伝達するか，ベローズを用いて，直接
的に力を伝えることが行なわれてきた。
ある真空装置の内部に設置されたシャッター等の機械的
に半導体基板の作製条件を変化させる機構を，真空装置
の外部から操作するためには，マグネットカップリング
等で遠隔的に力を伝達するか，ベローズを用いて，直接
的に力を伝えることが行なわれてきた。
【０００３】マグネットカップリングの方法は，真空チ
ャンバと外界との機密をより完全に行なうことが出来る
が，磁力強度の限界から，カップリング間の滑り等を生
じて，シャッタ等の確実な動作の信頼性が小さい。
ャンバと外界との機密をより完全に行なうことが出来る
が，磁力強度の限界から，カップリング間の滑り等を生
じて，シャッタ等の確実な動作の信頼性が小さい。
【０００４】一方，ベローズ等の力学的な方法で力を伝
える方法は，確実に力を伝達することが出来るが，真空
チャンバと外界との機密性を保つことが困難である。
える方法は，確実に力を伝達することが出来るが，真空
チャンバと外界との機密性を保つことが困難である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従って，真空チャンバ
内の半導体基板や，シャッタ等の内部機構の移動を上記
のマクネットカップリング機構やベローズ機構を通して
操作しても，信頼性，安定性の点で問題があり，しばし
ば，半導体基板の製造に支障を来していた。
内の半導体基板や，シャッタ等の内部機構の移動を上記
のマクネットカップリング機構やベローズ機構を通して
操作しても，信頼性，安定性の点で問題があり，しばし
ば，半導体基板の製造に支障を来していた。
【０００６】特に，真空チャンバと外界とを隔てるベロ
ーズ機構部壁には，１気圧の圧力が常時掛かっており，
繰り返し掛かる力と相まって，ベローズ機構部壁の劣化
が促進され，リークが起こり易い状況にあった。
ーズ機構部壁には，１気圧の圧力が常時掛かっており，
繰り返し掛かる力と相まって，ベローズ機構部壁の劣化
が促進され，リークが起こり易い状況にあった。
【０００７】このため，本発明の目的は，真空装置内部
に設置されて，真空装置の外界から機械的に遠隔操作す
るシャッタ等の内部機構を，確実に，かつ信頼性高く遠
隔操作できる真空装置の提供を目的とする。
に設置されて，真空装置の外界から機械的に遠隔操作す
るシャッタ等の内部機構を，確実に，かつ信頼性高く遠
隔操作できる真空装置の提供を目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】図１は本発明の原理説明
図である。図１において，１は真空チャンバ，２は内部
機構，３は緩衝室，４は第１のベローズ，５は第２のベ
ローズ, ６は基板, ７はホルダ, ８は原料，９は継手，
10はＯリングである。
図である。図１において，１は真空チャンバ，２は内部
機構，３は緩衝室，４は第１のベローズ，５は第２のベ
ローズ, ６は基板, ７はホルダ, ８は原料，９は継手，
10はＯリングである。
【０００９】本発明では，確実に力を真空チャンバ内に
伝えるのに優れた力学的カップリングであるベローズを
２個用いて構成した，真空チャンバと外界との間を隔て
る構造の緩衝室を真空チャンバの壁に設ける。そして，
緩衝室と外界の間の壁を独立に取り外しができるように
する。
伝えるのに優れた力学的カップリングであるベローズを
２個用いて構成した，真空チャンバと外界との間を隔て
る構造の緩衝室を真空チャンバの壁に設ける。そして，
緩衝室と外界の間の壁を独立に取り外しができるように
する。
【００１０】すなわち，本発明の目的は，図１に示すよ
うに，真空チャンバ１の内部機構２が該真空チャンバ１
の外部より操作可能な真空装置であって,該真空チャン
バ１の壁面に備えられた緩衝室３を有し, 該緩衝室３
は, 内部が気密に保たれ，外面が真空チャンバ１内の雰
囲気に露出する第１のベローズ４と，該真空チャンバ１
の外部に露出する第２のベローズ５にて構成され, 該緩
衝室３の圧力は，該真空チャンバ１内の圧力より高く,
かつ外気よりも低く保たれてなることにより達成され
る。
うに，真空チャンバ１の内部機構２が該真空チャンバ１
の外部より操作可能な真空装置であって,該真空チャン
バ１の壁面に備えられた緩衝室３を有し, 該緩衝室３
は, 内部が気密に保たれ，外面が真空チャンバ１内の雰
囲気に露出する第１のベローズ４と，該真空チャンバ１
の外部に露出する第２のベローズ５にて構成され, 該緩
衝室３の圧力は，該真空チャンバ１内の圧力より高く,
かつ外気よりも低く保たれてなることにより達成され
る。
【００１１】
【作用】本発明においては，真空チャンバと外界の間に
設けた圧力の緩衝室によって，緩衝室と真空チャンバの
間の壁に非常に小さな圧力差しか掛からないようにす
る。これによって，壁に掛かる力を小さくし，壁の劣化
を防ぐことができる。
設けた圧力の緩衝室によって，緩衝室と真空チャンバの
間の壁に非常に小さな圧力差しか掛からないようにす
る。これによって，壁に掛かる力を小さくし，壁の劣化
を防ぐことができる。
【００１２】一方，緩衝室と外界の間の壁には当然１気
圧近い圧力が掛かるが，この壁は疲労等によってリーク
が発生したとしても，緩衝室の存在によって，真空チャ
ンバの真空を破らずに壁を交換することが可能となる。
圧近い圧力が掛かるが，この壁は疲労等によってリーク
が発生したとしても，緩衝室の存在によって，真空チャ
ンバの真空を破らずに壁を交換することが可能となる。
【００１３】
【実施例】図２は本発明の一実施例の説明図である。図
において，11は真空チャンバ，12はシャッタ，13は緩衝
室，14は内部ベローズ，15は外部ベローズ, 16は化合物
半導体基板, 17はヒータ, 18は分子線セル，19は継手，
20はＯリングである。
において，11は真空チャンバ，12はシャッタ，13は緩衝
室，14は内部ベローズ，15は外部ベローズ, 16は化合物
半導体基板, 17はヒータ, 18は分子線セル，19は継手，
20はＯリングである。
【００１４】図２は本発明を化合物半導体基板上に薄膜
を成長させるＭＢＥ（分子線エピタキシー）装置に適用
した一実施例の説明図である。図２（ａ）に示すよう
に，真空チャンバ11の中に化合物半導体基板16を，基板
ホルダを兼ねたヒータ17と，化合物半導体基板16上に半
導体薄膜を成長するための分子線ビームを供給する分子
線セル18と，分子線ビームを遮るシャッタ12とを設置
し，図２（ａ）←→図２（ｂ）に示すように，内部ベロ
ーズ14, 及び外部ベローズ15を交互に伸縮して, シャッ
タ12を左右に動かすことにより，分子線セル18内の分子
線ビームを化合物半導体基板16上に照射して, 化合物半
導体基板16上に急峻な界面を持つ半導体デバイスを作製
していく。
を成長させるＭＢＥ（分子線エピタキシー）装置に適用
した一実施例の説明図である。図２（ａ）に示すよう
に，真空チャンバ11の中に化合物半導体基板16を，基板
ホルダを兼ねたヒータ17と，化合物半導体基板16上に半
導体薄膜を成長するための分子線ビームを供給する分子
線セル18と，分子線ビームを遮るシャッタ12とを設置
し，図２（ａ）←→図２（ｂ）に示すように，内部ベロ
ーズ14, 及び外部ベローズ15を交互に伸縮して, シャッ
タ12を左右に動かすことにより，分子線セル18内の分子
線ビームを化合物半導体基板16上に照射して, 化合物半
導体基板16上に急峻な界面を持つ半導体デバイスを作製
していく。
【００１５】シャッタ12は機密を保った内部ベローズ14
に取り付けられており，継手19を通して，外部ベローズ
13に接続される。二つのベローズ14,15 はＯリング20を
挟んで気密が保てる緩衝室を構成し, その内部は１０-2
〜 １０-3Ｔｏｒｒに減圧されている。これによって，
外部ベローズ15には１気圧の力が掛かるが，内部ベロー
ズ14にはほとんど圧力が掛からないことになる。
に取り付けられており，継手19を通して，外部ベローズ
13に接続される。二つのベローズ14,15 はＯリング20を
挟んで気密が保てる緩衝室を構成し, その内部は１０-2
〜 １０-3Ｔｏｒｒに減圧されている。これによって，
外部ベローズ15には１気圧の力が掛かるが，内部ベロー
ズ14にはほとんど圧力が掛からないことになる。
【００１６】図２（ｃ）に示すように，外部ベローズ15
に疲労等によりリークが生じた場合，緩衝室13内を大気
圧に戻し, Ｏリング20の部分から外部ベローズ15を離脱
させ，続いて, 図２（ｄ）に示すように，継手19の部分
を外し，外部ベローズ15を交換する。
に疲労等によりリークが生じた場合，緩衝室13内を大気
圧に戻し, Ｏリング20の部分から外部ベローズ15を離脱
させ，続いて, 図２（ｄ）に示すように，継手19の部分
を外し，外部ベローズ15を交換する。
【００１７】これによって，１０-10 Ｔｏｒｒ台に保持
しなければならない真空チャンバ11の真空を破らずに，
故障の起こり易い外部ベロース15を何時でも交換するこ
とができる。
しなければならない真空チャンバ11の真空を破らずに，
故障の起こり易い外部ベロース15を何時でも交換するこ
とができる。
【００１８】
【発明の効果】以上説明したように，本発明によれば，
真空チャンバ内に設置された半導体基板の作製条件を，
機械的方法によって変えることが確実に出来る力学的方
法を用いた場合でも，真空装置の信頼性，安定性を落と
さずに真空装置の稼働を継続できるため，半導体デバイ
ス製造のスループットを著しく挙げることができる。
真空チャンバ内に設置された半導体基板の作製条件を，
機械的方法によって変えることが確実に出来る力学的方
法を用いた場合でも，真空装置の信頼性，安定性を落と
さずに真空装置の稼働を継続できるため，半導体デバイ
ス製造のスループットを著しく挙げることができる。
【００１９】ここに挙げた効果は，半導体デバイスの製
造装置にかかわらず，真空チャンバを長時間保持しなけ
ればならない装置には普遍的に適用できるものであり，
従って，高温超伝導物質をＭＢＥ装置で作製する場合等
にも適用できることは言うまでもない。
造装置にかかわらず，真空チャンバを長時間保持しなけ
ればならない装置には普遍的に適用できるものであり，
従って，高温超伝導物質をＭＢＥ装置で作製する場合等
にも適用できることは言うまでもない。
【図１】 本発明の原理説明図
【図２】 本発明の一実施例の説明図
１ 真空チャンバ ２ 内部機構 ３ 緩衝室 ４ 第１のベローズ ５ 第２のベローズ ６ 基板 ７ ホルダ ８ 原料 ９ 継手 10 Ｏリング 11 真空チャンバ 12 シャッタ 13 緩衝室 14 内部ベローズ 15 外部ベローズ 16 化合物半導体基板 17 ヒータ 18 分子線セル 19 継手 20 Ｏリング
Claims (1)
- 【請求項１】 真空チャンバ(1) の内部機構(2) が該真
空チャンバ(1) の外部より操作可能な真空装置であっ
て, 該真空チャンバ(1) の壁面に備えられた緩衝室(3) を有
し, 該緩衝室(3) は,内部が気密に保たれ，外面が真空
チャンバ(1) 内の雰囲気に露出する第１のベローズ(4)
と，該真空チャンバ(1) の外部に露出する第２のベロー
ズ(5) にて構成され, 該緩衝室(3) の圧力は，該真空チ
ャンバ (1) 内の圧力より高く, かつ外気よりも低く保
たれてなることを特徴とする真空装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20326692A JPH0653302A (ja) | 1992-07-30 | 1992-07-30 | 真空装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20326692A JPH0653302A (ja) | 1992-07-30 | 1992-07-30 | 真空装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0653302A true JPH0653302A (ja) | 1994-02-25 |
Family
ID=16471196
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20326692A Withdrawn JPH0653302A (ja) | 1992-07-30 | 1992-07-30 | 真空装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0653302A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5571330A (en) * | 1992-11-13 | 1996-11-05 | Asm Japan K.K. | Load lock chamber for vertical type heat treatment apparatus |
| JP2008525202A (ja) * | 2004-12-21 | 2008-07-17 | コンパニー・ジェネラル・デ・マティエール・ニュークレエール | グローブボックス用の電動作業装置及び電動作業装置を装備したグローブボックス |
-
1992
- 1992-07-30 JP JP20326692A patent/JPH0653302A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5571330A (en) * | 1992-11-13 | 1996-11-05 | Asm Japan K.K. | Load lock chamber for vertical type heat treatment apparatus |
| JP2008525202A (ja) * | 2004-12-21 | 2008-07-17 | コンパニー・ジェネラル・デ・マティエール・ニュークレエール | グローブボックス用の電動作業装置及び電動作業装置を装備したグローブボックス |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19991005 |