JPH0653085A - アルミニウム電解コンデンサ用電極箔の製造方法 - Google Patents
アルミニウム電解コンデンサ用電極箔の製造方法Info
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- JPH0653085A JPH0653085A JP20485992A JP20485992A JPH0653085A JP H0653085 A JPH0653085 A JP H0653085A JP 20485992 A JP20485992 A JP 20485992A JP 20485992 A JP20485992 A JP 20485992A JP H0653085 A JPH0653085 A JP H0653085A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 安定した高い静電容量が得られるアルミニウ
ム電解コンデンサ用電極箔の製造方法を提供することを
目的とする。 【構成】 アルミニウム箔の交流電流によるエッチング
処理を行う前に、塩酸を主体とし、かつリン酸、硫酸、
シュウ酸およびクロム酸のうち少なくとも１種類を含ま
せた水溶液中で直流電流によるエッチング処理を行うこ
とにより、高い静電容量をもつアルミニウム電解コンデ
ンサ用電極箔を得ることができる。
ム電解コンデンサ用電極箔の製造方法を提供することを
目的とする。 【構成】 アルミニウム箔の交流電流によるエッチング
処理を行う前に、塩酸を主体とし、かつリン酸、硫酸、
シュウ酸およびクロム酸のうち少なくとも１種類を含ま
せた水溶液中で直流電流によるエッチング処理を行うこ
とにより、高い静電容量をもつアルミニウム電解コンデ
ンサ用電極箔を得ることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はアルミニウム電解コンデ
ンサ用電極箔の製造方法に関するものである。
ンサ用電極箔の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に、アルミニウム電解コンデンサに
おけるコンデンサ素子は、一対のアルミニウム箔を絶縁
紙とともに巻回し、かつ駆動用電解液を含浸させること
により構成されている。アルミニウム電解コンデンサ用
電極箔は、塩素イオンを含む溶液中でその表面に電気化
学的あるいは化学的エッチング処理を施すことによって
粗面化を行い、単位面積当たりの静電容量を大きくする
ことにより、アルミニウム電解コンデンサの小形化・軽
量化を実現してきた。特に低圧用電極箔のエッチングに
おいては交流電流によるエッチング処理が行われてお
り、高い拡面倍率が得られている。
おけるコンデンサ素子は、一対のアルミニウム箔を絶縁
紙とともに巻回し、かつ駆動用電解液を含浸させること
により構成されている。アルミニウム電解コンデンサ用
電極箔は、塩素イオンを含む溶液中でその表面に電気化
学的あるいは化学的エッチング処理を施すことによって
粗面化を行い、単位面積当たりの静電容量を大きくする
ことにより、アルミニウム電解コンデンサの小形化・軽
量化を実現してきた。特に低圧用電極箔のエッチングに
おいては交流電流によるエッチング処理が行われてお
り、高い拡面倍率が得られている。
【０００３】ここで、エッチング開始前のアルミニウム
箔の表面状態が交流エッチングによる粗面化に与える影
響は大きく、エッチング後のアルミニウム箔の静電容量
を左右することもある。
箔の表面状態が交流エッチングによる粗面化に与える影
響は大きく、エッチング後のアルミニウム箔の静電容量
を左右することもある。
【０００４】実際のエッチング処理においては、多くの
場合、アルミニウム原箔の表面に残存している箔圧延時
の潤滑油等の汚れや自然酸化皮膜の除去、あるいはエッ
チングの腐食開始点の生成を目的として、例えばリン酸
やアルカリ水溶液等への浸漬処理がエッチング前処理と
して行われている。
場合、アルミニウム原箔の表面に残存している箔圧延時
の潤滑油等の汚れや自然酸化皮膜の除去、あるいはエッ
チングの腐食開始点の生成を目的として、例えばリン酸
やアルカリ水溶液等への浸漬処理がエッチング前処理と
して行われている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな浸漬処理による方法ではアルミニウム原箔の表面状
態、すなわち汚れや自然酸化皮膜のつき方によって処理
ムラを生じたり、その効果が不十分であるために、十分
な静電容量が得られていないという問題点があった。
うな浸漬処理による方法ではアルミニウム原箔の表面状
態、すなわち汚れや自然酸化皮膜のつき方によって処理
ムラを生じたり、その効果が不十分であるために、十分
な静電容量が得られていないという問題点があった。
【０００６】本発明はこのような従来の問題点を解決す
るもので、従来よりも安定した高い静電容量が得られる
アルミニウム電解コンデンサ用電極箔の製造方法を提供
することを目的とするものである。
るもので、従来よりも安定した高い静電容量が得られる
アルミニウム電解コンデンサ用電極箔の製造方法を提供
することを目的とするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明のアルミニウム電解コンデンサ用電極箔の製造
方法は、アルミニウム箔の交流電流によるエッチング処
理を行う前に、塩酸を主体とし、かつリン酸、硫酸、シ
ュウ酸およびクロム酸のうち少なくとも１種類を含ませ
た水溶液中で直流電流によるエッチング処理を行うよう
にしたものである。
に本発明のアルミニウム電解コンデンサ用電極箔の製造
方法は、アルミニウム箔の交流電流によるエッチング処
理を行う前に、塩酸を主体とし、かつリン酸、硫酸、シ
ュウ酸およびクロム酸のうち少なくとも１種類を含ませ
た水溶液中で直流電流によるエッチング処理を行うよう
にしたものである。
【０００８】
【作用】上記製造方法によれば、アルミニウム箔の交流
電流によるエッチング処理を行う前に、塩酸を主体と
し、かつリン酸、硫酸、シュウ酸およびクロム酸のうち
少なくとも１種類を含ませた水溶液中で直流電流による
エッチング処理を行うようにしているため、アルミニウ
ム原箔の表面の汚れや自然酸化皮膜を均一かつ十分に除
去することができ、その結果、電極箔の表面に均一な保
護皮膜を形成することができる。この保護皮膜は多孔質
のものであり、孔以外の部分は皮膜に覆われているため
に不活性であるが、孔の部分は塩素イオンにより浸食さ
れて活性となる。したがって、この後に交流電流による
エッチング処理を行うと、アルミニウム箔の表面上の活
性部分、すなわち孔の部分からの腐食が均一かつ高密度
に起こり、不活性な部分からの腐食は起こらないため、
高い静電容量を安定して得ることができる。
電流によるエッチング処理を行う前に、塩酸を主体と
し、かつリン酸、硫酸、シュウ酸およびクロム酸のうち
少なくとも１種類を含ませた水溶液中で直流電流による
エッチング処理を行うようにしているため、アルミニウ
ム原箔の表面の汚れや自然酸化皮膜を均一かつ十分に除
去することができ、その結果、電極箔の表面に均一な保
護皮膜を形成することができる。この保護皮膜は多孔質
のものであり、孔以外の部分は皮膜に覆われているため
に不活性であるが、孔の部分は塩素イオンにより浸食さ
れて活性となる。したがって、この後に交流電流による
エッチング処理を行うと、アルミニウム箔の表面上の活
性部分、すなわち孔の部分からの腐食が均一かつ高密度
に起こり、不活性な部分からの腐食は起こらないため、
高い静電容量を安定して得ることができる。
【０００９】
【実施例】以下、本発明の実施例について説明する。
【００１０】本発明の実施例では、交流電流によるエッ
チング処理を行う前の直流電流によるエッチング処理に
７ｗｔ％ ＨＣｌ，１５ｗｔ％ Ｈ2ＳＯ4，１０ｗｔ％
ＡｌＣｌ3の水溶液を用い、その液温８０℃の水溶液
中で、アルミニウム箔に電流密度０．３Ａ／cm2の直流
電流を１０秒間印加した。この後、交流電流によるエッ
チング処理を８ｗｔ％ ＨＣｌ，２ｗｔ％ ＡｌＣ
ｌ3、液温３５℃の水溶液中で、電流密度０．３Ａ／c
m2、周波数６０Hzの交流電流で４２０秒間行った。
チング処理を行う前の直流電流によるエッチング処理に
７ｗｔ％ ＨＣｌ，１５ｗｔ％ Ｈ2ＳＯ4，１０ｗｔ％
ＡｌＣｌ3の水溶液を用い、その液温８０℃の水溶液
中で、アルミニウム箔に電流密度０．３Ａ／cm2の直流
電流を１０秒間印加した。この後、交流電流によるエッ
チング処理を８ｗｔ％ ＨＣｌ，２ｗｔ％ ＡｌＣ
ｌ3、液温３５℃の水溶液中で、電流密度０．３Ａ／c
m2、周波数６０Hzの交流電流で４２０秒間行った。
【００１１】その比較例としては、交流電流によるエッ
チング処理を行う前に、アルミニウム箔に３ｗｔ％ Ｎ
ａＯＨ、液温５０℃の水溶液中で、１８０秒間浸漬する
浸漬処理を行い、この後、交流電流によるエッチング処
理を８ｗｔ％ ＨＣｌ，２ｗｔ％ ＡｌＣｌ3、液温３
５℃の水溶液中で、電流密度０．３Ａ／cm2、周波数６
０Hzの交流電流で４２０秒間行った。
チング処理を行う前に、アルミニウム箔に３ｗｔ％ Ｎ
ａＯＨ、液温５０℃の水溶液中で、１８０秒間浸漬する
浸漬処理を行い、この後、交流電流によるエッチング処
理を８ｗｔ％ ＨＣｌ，２ｗｔ％ ＡｌＣｌ3、液温３
５℃の水溶液中で、電流密度０．３Ａ／cm2、周波数６
０Hzの交流電流で４２０秒間行った。
【００１２】上記した本発明の実施例および比較例でエ
ッチングされたそれぞれのアルミニウム箔について、７
０Ｖで化成処理を実施したときの両者の静電容量を比較
すると、比較例では１６．３μＦ／cm2であるのに対
し、本発明の実施例では１７．９μＦ／cm2であった。
ッチングされたそれぞれのアルミニウム箔について、７
０Ｖで化成処理を実施したときの両者の静電容量を比較
すると、比較例では１６．３μＦ／cm2であるのに対
し、本発明の実施例では１７．９μＦ／cm2であった。
【００１３】上記のように本発明の実施例におけるアル
ミニウム電解コンデンサ用電極箔は比較例に対し、１０
％程度高い静電容量を得ることができる。これは交流電
流によるエッチング処理の前に行われる本発明の実施例
の直流電流によるエッチング処理の方が、比較例の浸漬
処理に比べてアルミニウム原箔の表面状態の影響を受け
にくく、その電流を制御することにより、表面の汚れや
自然酸化皮膜の除去を電気化学的に、均一かつ十分に行
うことができ、そして処理液中に含まれる皮膜形成作用
を有する硫酸により、均一で高密度の腐食開始点を生成
しうる保護皮膜を形成するからである。
ミニウム電解コンデンサ用電極箔は比較例に対し、１０
％程度高い静電容量を得ることができる。これは交流電
流によるエッチング処理の前に行われる本発明の実施例
の直流電流によるエッチング処理の方が、比較例の浸漬
処理に比べてアルミニウム原箔の表面状態の影響を受け
にくく、その電流を制御することにより、表面の汚れや
自然酸化皮膜の除去を電気化学的に、均一かつ十分に行
うことができ、そして処理液中に含まれる皮膜形成作用
を有する硫酸により、均一で高密度の腐食開始点を生成
しうる保護皮膜を形成するからである。
【００１４】本発明の実施例で用いられる直流電流によ
るエッチング処理液の塩酸濃度は１〜２０ｗｔ％で、好
ましくは３〜１０ｗｔ％がよく、かつ硫酸を０．１〜３
０ｗｔ％、特に好ましくは３〜２５ｗｔ％を含むものが
よい。また直流エッチング処理の条件としては０．０５
〜１Ａ／cm2の直流電流を１０〜９０秒間印加する。そ
してまた、処理液の温度としては２０〜９０℃がよく、
好ましくは６０〜９０℃がよい。
るエッチング処理液の塩酸濃度は１〜２０ｗｔ％で、好
ましくは３〜１０ｗｔ％がよく、かつ硫酸を０．１〜３
０ｗｔ％、特に好ましくは３〜２５ｗｔ％を含むものが
よい。また直流エッチング処理の条件としては０．０５
〜１Ａ／cm2の直流電流を１０〜９０秒間印加する。そ
してまた、処理液の温度としては２０〜９０℃がよく、
好ましくは６０〜９０℃がよい。
【００１５】なお、上記本発明の実施例では、塩酸を主
体とする水溶液に硫酸を用いたものについて説明した
が、硫酸の代わりにリン酸、シュウ酸、クロム酸のいず
れか一つを用いても上記実施例と同様の効果を有するも
のである。
体とする水溶液に硫酸を用いたものについて説明した
が、硫酸の代わりにリン酸、シュウ酸、クロム酸のいず
れか一つを用いても上記実施例と同様の効果を有するも
のである。
【００１６】
【発明の効果】以上のように本発明のアルミニウム電解
コンデンサ用電極箔の製造方法によれば、アルミニウム
箔の交流電流によるエッチング処理を行う前に、塩酸を
主体とし、かつリン酸、硫酸、シュウ酸およびクロム酸
のうち少なくとも１種類を含ませた水溶液中で直流電流
によるエッチング処理を行うようにしているため、高い
静電容量をもつアルミニウム電解コンデンサ用電極箔を
得ることができるものである。
コンデンサ用電極箔の製造方法によれば、アルミニウム
箔の交流電流によるエッチング処理を行う前に、塩酸を
主体とし、かつリン酸、硫酸、シュウ酸およびクロム酸
のうち少なくとも１種類を含ませた水溶液中で直流電流
によるエッチング処理を行うようにしているため、高い
静電容量をもつアルミニウム電解コンデンサ用電極箔を
得ることができるものである。
Claims (1)
- 【請求項１】アルミニウム箔の交流電流によるエッチン
グ処理を行う前に、塩酸を主体としかつリン酸、硫酸、
シュウ酸およびクロム酸のうち少なくとも１種類を含ま
せた水溶液中で直流電流によるエッチング処理を行うよ
うにしたアルミニウム電解コンデンサ用電極箔の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20485992A JP3248251B2 (ja) | 1992-07-31 | 1992-07-31 | アルミニウム電解コンデンサ用電極箔の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20485992A JP3248251B2 (ja) | 1992-07-31 | 1992-07-31 | アルミニウム電解コンデンサ用電極箔の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0653085A true JPH0653085A (ja) | 1994-02-25 |
| JP3248251B2 JP3248251B2 (ja) | 2002-01-21 |
Family
ID=16497580
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20485992A Expired - Fee Related JP3248251B2 (ja) | 1992-07-31 | 1992-07-31 | アルミニウム電解コンデンサ用電極箔の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3248251B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0624909A3 (en) * | 1993-05-14 | 1995-09-20 | Siliconix Inc | Lateral MOSFET with contact structure. |
| KR100732705B1 (ko) * | 2005-09-29 | 2007-06-27 | 한국제이씨씨(주) | 알루미늄 전해커패시터용 음극박의 에칭방법 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102723205A (zh) * | 2012-06-30 | 2012-10-10 | 佛山科学技术学院 | 中高压铝电解电容器阳极箔的腐蚀方法 |
-
1992
- 1992-07-31 JP JP20485992A patent/JP3248251B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0624909A3 (en) * | 1993-05-14 | 1995-09-20 | Siliconix Inc | Lateral MOSFET with contact structure. |
| KR100732705B1 (ko) * | 2005-09-29 | 2007-06-27 | 한국제이씨씨(주) | 알루미늄 전해커패시터용 음극박의 에칭방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3248251B2 (ja) | 2002-01-21 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |