JPH0652974A - セラミックスヒーター - Google Patents
セラミックスヒーターInfo
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- JPH0652974A JPH0652974A JP20107692A JP20107692A JPH0652974A JP H0652974 A JPH0652974 A JP H0652974A JP 20107692 A JP20107692 A JP 20107692A JP 20107692 A JP20107692 A JP 20107692A JP H0652974 A JPH0652974 A JP H0652974A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 均熱性が高く、温度制御時の応答性が良好
で、コンパクトなセラミックスヒーターを提供する。 【構成】 盤状のウェハー加熱用セラミック部材１に抵
抗発熱体２を埋設したセラミックスヒーターにおいて、
前記抵抗発熱体２が断面偏平でアスペクト比が１．５〜
３のコイル状であり、前記抵抗発熱体２の偏平面が前記
抵抗発熱体２の径方向になるよう埋設する。
で、コンパクトなセラミックスヒーターを提供する。 【構成】 盤状のウェハー加熱用セラミック部材１に抵
抗発熱体２を埋設したセラミックスヒーターにおいて、
前記抵抗発熱体２が断面偏平でアスペクト比が１．５〜
３のコイル状であり、前記抵抗発熱体２の偏平面が前記
抵抗発熱体２の径方向になるよう埋設する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウェハー加熱装
置に好適に使用される盤状のウェハー加熱面を有するセ
ラミックスヒーターに関するものである。
置に好適に使用される盤状のウェハー加熱面を有するセ
ラミックスヒーターに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体ウェハー加熱装置等に用い
られるセラミックスヒーターは、図５にその一例を示す
ように、窒化珪素等のような緻密でガスタイトな無機質
材料からなる盤状のウェハー加熱用セラミック部材２１
の内部に、タングステン、モリブデン等の金属材料から
なるワイヤー状または円形コイル状の抵抗発熱体２２を
埋設した構造をとっている。そして、抵抗発熱体２２の
中心部および端部に電力供給用の端子２３、２４を設け
るとともに、必要に応じて、温度測定用の熱電対をセッ
トするための非貫通孔である孔２５やヒーター裏面から
ガスを流すための貫通孔２６を所定位置に設けている。
られるセラミックスヒーターは、図５にその一例を示す
ように、窒化珪素等のような緻密でガスタイトな無機質
材料からなる盤状のウェハー加熱用セラミック部材２１
の内部に、タングステン、モリブデン等の金属材料から
なるワイヤー状または円形コイル状の抵抗発熱体２２を
埋設した構造をとっている。そして、抵抗発熱体２２の
中心部および端部に電力供給用の端子２３、２４を設け
るとともに、必要に応じて、温度測定用の熱電対をセッ
トするための非貫通孔である孔２５やヒーター裏面から
ガスを流すための貫通孔２６を所定位置に設けている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来のセラミ
ックスヒーターでは、ウェハー加熱面の均熱性を高める
必要がある。しかしながら、抵抗発熱体２２がワイヤー
状であるときは、均熱にするためには抵抗発熱体２２の
埋設時のピッチを小さくする必要があり、抵抗発熱体２
２同士が接触して短絡するためヒーターの役目を果たさ
なくなる不良が多発する問題があった。また、抵抗発熱
体２２が円形コイル状であるときは、ウェハー加熱用の
セラミック部材２１の厚みを大きくする必要があり、熱
容量が増加し外乱による温度制御時の応答性が鈍くなる
とともに、コンパクト化できない問題があった。
ックスヒーターでは、ウェハー加熱面の均熱性を高める
必要がある。しかしながら、抵抗発熱体２２がワイヤー
状であるときは、均熱にするためには抵抗発熱体２２の
埋設時のピッチを小さくする必要があり、抵抗発熱体２
２同士が接触して短絡するためヒーターの役目を果たさ
なくなる不良が多発する問題があった。また、抵抗発熱
体２２が円形コイル状であるときは、ウェハー加熱用の
セラミック部材２１の厚みを大きくする必要があり、熱
容量が増加し外乱による温度制御時の応答性が鈍くなる
とともに、コンパクト化できない問題があった。
【０００４】本発明の目的は上述した課題を解消して、
均熱性が高く、温度制御時の応答性が良好で、コンパク
トなセラミックスヒーターを提供しようとするものであ
る。
均熱性が高く、温度制御時の応答性が良好で、コンパク
トなセラミックスヒーターを提供しようとするものであ
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明のセラミックスヒ
ーターは、盤状のウェハー加熱用セラミック部材に抵抗
発熱体を埋設したセラミックスヒーターにおいて、前記
抵抗発熱体が断面偏平でアスペクト比が１．５〜３のコ
イル状であり、前記抵抗発熱体の偏平面が前記抵抗発熱
体の径方向になるよう埋設したことを特徴とするもので
ある。
ーターは、盤状のウェハー加熱用セラミック部材に抵抗
発熱体を埋設したセラミックスヒーターにおいて、前記
抵抗発熱体が断面偏平でアスペクト比が１．５〜３のコ
イル状であり、前記抵抗発熱体の偏平面が前記抵抗発熱
体の径方向になるよう埋設したことを特徴とするもので
ある。
【０００６】
【作用】上述した構成において、コイル状の抵抗発熱体
のコイル形状の断面が所定のアスペクト比を有する偏平
になるようにして、偏平面がセラミック部材の径方向と
なるよう埋設したため、抵抗発熱体の存在しない部分を
少なくでき、ウェハー加熱面の均熱性を高めることがで
きるとともに、セラミック部材の厚みを薄くすることが
できるため、セラミックスヒーターのコンパクト化を達
成することができ、さらに温度制御時の応答性を高める
ことができる。
のコイル形状の断面が所定のアスペクト比を有する偏平
になるようにして、偏平面がセラミック部材の径方向と
なるよう埋設したため、抵抗発熱体の存在しない部分を
少なくでき、ウェハー加熱面の均熱性を高めることがで
きるとともに、セラミック部材の厚みを薄くすることが
できるため、セラミックスヒーターのコンパクト化を達
成することができ、さらに温度制御時の応答性を高める
ことができる。
【０００７】本発明において「断面偏平」とは、抵抗発
熱体の素線の断面形状が偏平ということではなく、コイ
ル形状に巻回してある抵抗発熱体のコイル断面が偏平と
いうことを意味している。また、本発明において「アス
ペクト比」とは、偏平したコイル断面の長軸方向の長さ
と短軸方向の長さとの比をいうものとする。なお、本発
明において、このアスペクト比を１．５〜３と限定する
のは、後述する実施例から明かなように、アスペクト比
が１．５未満では偏平にする意味が少なくて応答性も悪
化するとともに、アスペクト比が３を越えると断線が生
じて寿命が短くなるためである。さらに、「偏平面」と
は、偏平したコイル断面の長軸に沿って延在する面のこ
とをいう。
熱体の素線の断面形状が偏平ということではなく、コイ
ル形状に巻回してある抵抗発熱体のコイル断面が偏平と
いうことを意味している。また、本発明において「アス
ペクト比」とは、偏平したコイル断面の長軸方向の長さ
と短軸方向の長さとの比をいうものとする。なお、本発
明において、このアスペクト比を１．５〜３と限定する
のは、後述する実施例から明かなように、アスペクト比
が１．５未満では偏平にする意味が少なくて応答性も悪
化するとともに、アスペクト比が３を越えると断線が生
じて寿命が短くなるためである。さらに、「偏平面」と
は、偏平したコイル断面の長軸に沿って延在する面のこ
とをいう。
【０００８】
【実施例】図１は本発明のセラミックスヒーターの一例
の構成を示す図であり、図１（ａ）はその平面図を、図
１（ｂ）はＡ−Ａ線に沿った断面図を示す。なお、説明
の都合上、図１（ａ）に示す平面図では実際には見えな
い抵抗発熱体の透視像を実線で示すとともに、図１
（ｂ）に示す断面図では抵抗発熱体の素線の断面が見え
るはずであるがそれに代えて抵抗発熱体のコイル形状を
示している。図１において、１は窒化珪素等のような緻
密でガスタイトな無機質材料からなる盤状のウェハー加
熱用セラミック部材、２はセラミック部材１の内部に埋
設したタングステン、モリブデン等の金属材料からなる
コイル状の抵抗発熱体、３、４は抵抗発熱体２の中心部
および端部に設けた電力供給用の端子である。
の構成を示す図であり、図１（ａ）はその平面図を、図
１（ｂ）はＡ−Ａ線に沿った断面図を示す。なお、説明
の都合上、図１（ａ）に示す平面図では実際には見えな
い抵抗発熱体の透視像を実線で示すとともに、図１
（ｂ）に示す断面図では抵抗発熱体の素線の断面が見え
るはずであるがそれに代えて抵抗発熱体のコイル形状を
示している。図１において、１は窒化珪素等のような緻
密でガスタイトな無機質材料からなる盤状のウェハー加
熱用セラミック部材、２はセラミック部材１の内部に埋
設したタングステン、モリブデン等の金属材料からなる
コイル状の抵抗発熱体、３、４は抵抗発熱体２の中心部
および端部に設けた電力供給用の端子である。
【０００９】本発明のセラミックスヒーターで重要なの
は、抵抗発熱体２のコイル形状を断面偏平でアスペクト
比が１．５〜３のコイル状とするとともに、長軸に沿っ
て延在する偏平面を抵抗発熱体２の径方向にした点であ
る。すなわち、図２（ａ）に示すようなコイル形状の抵
抗発熱体２を図中上下から押して、矢印方向から見たコ
イル形状の断面を図２（ｂ）に示すように偏平としたも
のを使用している。そして、図２（ｂ）における長軸方
向の長さＡと短軸方向の長さＢとの比Ａ／Ｂをアスペク
ト比とし、このアスペクト比が１．５〜３の抵抗発熱体
２を、その長軸に沿う偏平面がセラミック部材１の径方
向になるようセラミック部材１中に埋設して本発明のセ
ラミックスヒーターを得ている。
は、抵抗発熱体２のコイル形状を断面偏平でアスペクト
比が１．５〜３のコイル状とするとともに、長軸に沿っ
て延在する偏平面を抵抗発熱体２の径方向にした点であ
る。すなわち、図２（ａ）に示すようなコイル形状の抵
抗発熱体２を図中上下から押して、矢印方向から見たコ
イル形状の断面を図２（ｂ）に示すように偏平としたも
のを使用している。そして、図２（ｂ）における長軸方
向の長さＡと短軸方向の長さＢとの比Ａ／Ｂをアスペク
ト比とし、このアスペクト比が１．５〜３の抵抗発熱体
２を、その長軸に沿う偏平面がセラミック部材１の径方
向になるようセラミック部材１中に埋設して本発明のセ
ラミックスヒーターを得ている。
【００１０】以下、実際の例について説明する。実施例１ 図２に示すようなタングステンからなるコイル状の抵抗
発熱体のアスペクト比を、以下の表１に示すように１〜
８の範囲で変化させて、窒化珪素からなるセラミック部
材中に図１に示すように偏平面が径方向になるよう埋設
して、試料No１〜６のセラミックスヒーターを作製し
た。作製にあたって、図３に示すように、各セラミック
スヒーターのコイル形状の中心間のピッチＰを１５ｍ
ｍ、コイル形状の最上点および最下点からセラミック部
材１の表面までの厚みＣ１、Ｃ２をＣ１＝Ｃ２＝５ｍｍ
とした。なお、Ｃ１とＣ２の厚さを５ｍｍとしたのは、
抵抗発熱体のコイル形状がセラミック部材表面の温度分
布に影響しないようにするためである。
発熱体のアスペクト比を、以下の表１に示すように１〜
８の範囲で変化させて、窒化珪素からなるセラミック部
材中に図１に示すように偏平面が径方向になるよう埋設
して、試料No１〜６のセラミックスヒーターを作製し
た。作製にあたって、図３に示すように、各セラミック
スヒーターのコイル形状の中心間のピッチＰを１５ｍ
ｍ、コイル形状の最上点および最下点からセラミック部
材１の表面までの厚みＣ１、Ｃ２をＣ１＝Ｃ２＝５ｍｍ
とした。なお、Ｃ１とＣ２の厚さを５ｍｍとしたのは、
抵抗発熱体のコイル形状がセラミック部材表面の温度分
布に影響しないようにするためである。
【００１１】得られたセラミックスヒーターの特性を評
価するため、得られたセラミックスヒーターを１０-5to
rrの減圧チャンバー内にて４００℃に加熱して、表面の
温度分布を求め最高温度と最低温度との幅を求めるとと
もに、成膜プロセスを模擬して、４００℃にて安定した
状態で０．１torrまでＮ2 ガスを導入して再び４００℃
にて安定するまでの時間を測定した。結果を表１に示
す。
価するため、得られたセラミックスヒーターを１０-5to
rrの減圧チャンバー内にて４００℃に加熱して、表面の
温度分布を求め最高温度と最低温度との幅を求めるとと
もに、成膜プロセスを模擬して、４００℃にて安定した
状態で０．１torrまでＮ2 ガスを導入して再び４００℃
にて安定するまでの時間を測定した。結果を表１に示
す。
【００１２】
【表１】
【００１３】表１の結果から、アスペクト比が１．５以
上の試料No２〜６は、アスペクト比が１の試料No１と比
較して温度分布のバラツキの幅が狭く均熱性が高いとと
もに、再安定するまでの時間が短く応答性も良好である
ことがわかり、その結果アスペクト比を１．５以上にす
る必要があることがわかる。
上の試料No２〜６は、アスペクト比が１の試料No１と比
較して温度分布のバラツキの幅が狭く均熱性が高いとと
もに、再安定するまでの時間が短く応答性も良好である
ことがわかり、その結果アスペクト比を１．５以上にす
る必要があることがわかる。
【００１４】実施例２ ヒートサイクルテストとして、実施例１における試料No
１〜６のセラミックスヒーターに対し、昇温速度６００
℃／ｈ、６００℃で１時間保持、降温速度６００℃／ｈ
を１サイクルとして、繰り返しヒートサイクル付加後の
抵抗変化率を求めた。結果を図４に示す。図４の結果か
ら、アスペクト比が１〜３の試料No１〜４は、アスペク
ト比が４の試料No５およびアスペクト比が６の試料No６
と比較して、抵抗の上昇さらには抵抗発熱体の断線がな
く、良好な特性を示すことがわかる。これは、セラミッ
ク部材と抵抗発熱体の熱膨張の違いにより、抵抗発熱体
素線の曲率の大きい部位で熱サイクルによる膨張・収縮
により応力が発生しクラック発生の原因となり、このク
ラックにより抵抗値が上昇し最終的に断線するものと考
えられる。
１〜６のセラミックスヒーターに対し、昇温速度６００
℃／ｈ、６００℃で１時間保持、降温速度６００℃／ｈ
を１サイクルとして、繰り返しヒートサイクル付加後の
抵抗変化率を求めた。結果を図４に示す。図４の結果か
ら、アスペクト比が１〜３の試料No１〜４は、アスペク
ト比が４の試料No５およびアスペクト比が６の試料No６
と比較して、抵抗の上昇さらには抵抗発熱体の断線がな
く、良好な特性を示すことがわかる。これは、セラミッ
ク部材と抵抗発熱体の熱膨張の違いにより、抵抗発熱体
素線の曲率の大きい部位で熱サイクルによる膨張・収縮
により応力が発生しクラック発生の原因となり、このク
ラックにより抵抗値が上昇し最終的に断線するものと考
えられる。
【００１５】以上の実施例１および実施例２の結果か
ら、抵抗発熱体のコイル形状の偏平断面のアスペクト比
は１．５〜３である必要があることがわかる。なお、上
述した実施例では、抵抗発熱体としてタングステンを、
セラミック部材として窒化珪素を使用したが、他の材料
例えば抵抗発熱体としてモリブデン等、セラミック部材
として窒化アルミニウム等を使用しても同様な効果を得
ることができることはいうまでもない。
ら、抵抗発熱体のコイル形状の偏平断面のアスペクト比
は１．５〜３である必要があることがわかる。なお、上
述した実施例では、抵抗発熱体としてタングステンを、
セラミック部材として窒化珪素を使用したが、他の材料
例えば抵抗発熱体としてモリブデン等、セラミック部材
として窒化アルミニウム等を使用しても同様な効果を得
ることができることはいうまでもない。
【００１６】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば、抵抗発熱体のコイル形状の断面が所定のアス
ペクト比を有する偏平になるようにして、偏平面がセラ
ミック部材の径方向となるよう埋設したため、抵抗発熱
体の存在しない部分を少なくでき、ウェハー加熱面の均
熱性を高めることができるとともに、セラミック部材の
厚みを薄くすることができるため、セラミックスヒータ
ーのコンパクト化を達成することができ、さらに温度制
御時の応答性を高めることができる。
によれば、抵抗発熱体のコイル形状の断面が所定のアス
ペクト比を有する偏平になるようにして、偏平面がセラ
ミック部材の径方向となるよう埋設したため、抵抗発熱
体の存在しない部分を少なくでき、ウェハー加熱面の均
熱性を高めることができるとともに、セラミック部材の
厚みを薄くすることができるため、セラミックスヒータ
ーのコンパクト化を達成することができ、さらに温度制
御時の応答性を高めることができる。
【図１】本発明のセラミックスヒーターの一例の構成を
示す図である。
示す図である。
【図２】本発明で使用する抵抗発熱体の構成を説明する
ための図である。
ための図である。
【図３】本発明の実施例における抵抗発熱体の位置を説
明するための図である。
明するための図である。
【図４】本発明の実施例におけるヒートサイクルテスト
の結果を示すグラフである。
の結果を示すグラフである。
【図５】従来のセラミックスヒーターの一例の構成を示
す図である。
す図である。
１ セラミック部材 ２ 抵抗発熱体 ３、４ 端子
Claims (1)
- 【請求項１】 盤状のウェハー加熱用セラミック部材に
抵抗発熱体を埋設したセラミックスヒーターにおいて、
前記抵抗発熱体が断面偏平でアスペクト比が１．５〜３
のコイル状であり、前記抵抗発熱体の偏平面が前記抵抗
発熱体の径方向になるよう埋設したことを特徴とするセ
ラミックスヒーター。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4201076A JP2902221B2 (ja) | 1992-07-28 | 1992-07-28 | 半導体ウェハー加熱用セラミックスヒーター |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4201076A JP2902221B2 (ja) | 1992-07-28 | 1992-07-28 | 半導体ウェハー加熱用セラミックスヒーター |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0652974A true JPH0652974A (ja) | 1994-02-25 |
| JP2902221B2 JP2902221B2 (ja) | 1999-06-07 |
Family
ID=16434996
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4201076A Expired - Lifetime JP2902221B2 (ja) | 1992-07-28 | 1992-07-28 | 半導体ウェハー加熱用セラミックスヒーター |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2902221B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1986006864A1 (en) * | 1985-05-03 | 1986-11-20 | Eastman Kodak Company | Flux sensitive tracking |
| US6080970A (en) * | 1997-12-26 | 2000-06-27 | Kyocera Corporation | Wafer heating apparatus |
| WO2001063972A1 (fr) * | 2000-02-25 | 2001-08-30 | Ibiden Co., Ltd. | Substrat en ceramique et son procede de production |
| US7011874B2 (en) | 2000-02-08 | 2006-03-14 | Ibiden Co., Ltd. | Ceramic substrate for semiconductor production and inspection devices |
| JP2021068652A (ja) * | 2019-10-25 | 2021-04-30 | 京セラ株式会社 | ヒータ |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5487951A (en) * | 1977-12-21 | 1979-07-12 | Gen Signal Corp | Electric heater |
| JPH0498784A (ja) * | 1990-08-14 | 1992-03-31 | Ngk Insulators Ltd | 半導体ウエハー加熱装置 |
-
1992
- 1992-07-28 JP JP4201076A patent/JP2902221B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5487951A (en) * | 1977-12-21 | 1979-07-12 | Gen Signal Corp | Electric heater |
| JPH0498784A (ja) * | 1990-08-14 | 1992-03-31 | Ngk Insulators Ltd | 半導体ウエハー加熱装置 |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| WO1986006864A1 (en) * | 1985-05-03 | 1986-11-20 | Eastman Kodak Company | Flux sensitive tracking |
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| US7011874B2 (en) | 2000-02-08 | 2006-03-14 | Ibiden Co., Ltd. | Ceramic substrate for semiconductor production and inspection devices |
| WO2001063972A1 (fr) * | 2000-02-25 | 2001-08-30 | Ibiden Co., Ltd. | Substrat en ceramique et son procede de production |
| US6507006B1 (en) | 2000-02-25 | 2003-01-14 | Ibiden Co., Ltd. | Ceramic substrate and process for producing the same |
| US6878907B2 (en) | 2000-02-25 | 2005-04-12 | Ibiden Co., Ltd. | Ceramic substrate and process for producing the same |
| JP2021068652A (ja) * | 2019-10-25 | 2021-04-30 | 京セラ株式会社 | ヒータ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2902221B2 (ja) | 1999-06-07 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
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