JPH0652141U - Semiconductor heat treatment equipment - Google Patents

Semiconductor heat treatment equipment

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JPH0652141U
JPH0652141U JP8711292U JP8711292U JPH0652141U JP H0652141 U JPH0652141 U JP H0652141U JP 8711292 U JP8711292 U JP 8711292U JP 8711292 U JP8711292 U JP 8711292U JP H0652141 U JPH0652141 U JP H0652141U
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JP
Japan
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barrier structure
heat treatment
heat barrier
boat
wafer
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Application number
JP8711292U
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
智行 石橋
Original Assignee
光洋リンドバーグ株式会社
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 ウェハ支持装置の取扱作業を簡単にする。取
扱時の破損の危険性を低下させる。ボートの製作精度を
向上させる。熱処理時にヒートバリア構造物に付着した
膜の除去のための洗浄処理のさいのボートの破損を防止
する。ヒートバリア構造物を、複数種の半導体熱処理装
置に共通なものとし、コストを安くする。 【構成】 下端が開口するとともに上端が閉鎖されたプ
ロセスチューブと、昇降自在でかつ上昇位置においてプ
ロセスチューブ内に位置させられるウェハ支持装置2と
を備えた半導体熱処理装置である。ウェハ支持装置2
は、その上昇位置においてプロセスチューブの下端開口
内に位置させられるヒートバリア構造物3と、ヒートバ
リア構造物3とは別個に形成され、かつヒートバリア構
造物3上に着脱自在に取付けられてウェハを支持するボ
ート4とよりなる。
(57) [Abstract] [Purpose] To simplify the handling work of the wafer support device. Reduces the risk of damage during handling. Improves boat production accuracy. Prevents damage to the boat during the cleaning process for removing the film adhering to the heat barrier structure during the heat treatment. The heat barrier structure is common to a plurality of types of semiconductor heat treatment apparatuses, and the cost is reduced. A semiconductor heat treatment apparatus is provided with a process tube having a lower end opened and an upper end closed, and a wafer support device 2 that is vertically movable and is located in the process tube at a raised position. Wafer support device 2
Is formed separately from the heat barrier structure 3 that is located in the lower end opening of the process tube in its raised position, and is detachably mounted on the heat barrier structure 3 and attached to the wafer. And a boat 4 for supporting.

Description

【考案の詳細な説明】[Detailed description of the device]

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】[Industrial applications]

この考案は半導体熱処理装置、さらに詳しくは、下端が開口するとともに上端 が閉鎖されたプロセスチューブと、昇降自在でかつ上昇位置においてプロセスチ ューブ内に位置させられるウェハ支持装置とよりなり、かつ半導体装置を製造す るためのウェハを熱処理するのに用いられる半導体熱処理装置に関する。 The present invention comprises a semiconductor heat treatment apparatus, and more specifically, a process tube having an open lower end and a closed upper end, and a wafer support device that can be moved up and down and is located in the process tube in a raised position. The present invention relates to a semiconductor heat treatment apparatus used for heat-treating a wafer for manufacturing.

【0002】[0002]

【従来の技術】[Prior art]

従来、この種半導体熱処理装置として、ヒートバリア構造物と、ヒートバリア 構造物の上のボートとが、石英により一体に形成されてなるウェハ支持装置を備 えたものが用いられていた。 Conventionally, as this kind of semiconductor heat treatment apparatus, one provided with a wafer supporting device in which a heat barrier structure and a boat on the heat barrier structure are integrally formed of quartz is used.

【0003】[0003]

【考案が解決しようとする課題】[Problems to be solved by the device]

しかしながら、従来の半導体熱処理装置では、ヒートバリア構造物とボート とが一体に形成されたウェハ支持装置を備えているので、次のような問題があっ た。 However, the conventional semiconductor heat treatment apparatus has the following problems because it has the wafer supporting device in which the heat barrier structure and the boat are integrally formed.

【0004】 すなわち、ウェハ支持装置の寸法が大きくなるとともに重量が大きくなるので 、取扱が困難である。しかも、取扱が困難であるために、ウェハ支持装置の昇降 装置への取付けおよび取外しのさいに他のものにぶつけて破損するおそれがある 。したがって、取付けおよび取外し作業を慎重に行わなければならず、時間がか かる。また、ウェハ支持装置の寸法が大きくなるので、ボート部を精度良く製作 することができない。さらに、ウェハに熱処理を施すさいにヒートバリア構造物 の表面に膜が付着するので、これを洗浄により除去する必要があるが、洗浄処理 をボートにも施す必要があってボートが破損するおそれがある。That is, since the size and weight of the wafer support device increase, handling is difficult. Moreover, since it is difficult to handle, there is a risk that the wafer supporting device may be hit by another object and damaged during mounting and removal of the wafer supporting device to the lifting device. Therefore, the installation and removal work must be done carefully and is time consuming. Further, the size of the wafer supporting device becomes large, so that the boat portion cannot be manufactured with high precision. Furthermore, since a film adheres to the surface of the heat barrier structure when heat-treating the wafer, it needs to be removed by cleaning, but the cleaning process also needs to be applied to the boat, which may damage the boat. is there.

【0005】 この考案の目的は、上記問題を解決した半導体熱処理装置を提供することにあ る。An object of the present invention is to provide a semiconductor heat treatment apparatus that solves the above problems.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】[Means for Solving the Problems]

この考案による半導体熱処理装置は、 下端が開口するとともに上端が閉鎖されたプロセスチューブと、昇降自在でか つ上昇位置においてプロセスチューブ内に位置させられるウェハ支持装置とを備 えた半導体熱処理装置であって、 ウェハ支持装置が、その上昇位置においてプロセスチューブの下端開口内に位 置させられるヒートバリア構造物と、ヒートバリア構造物とは別個に形成され、 かつヒートバリア構造物上に着脱自在に取付けられてウェハを支持するボートと よりなるものである。 The semiconductor heat treatment apparatus according to the present invention is a semiconductor heat treatment apparatus having a process tube having an open lower end and a closed upper end, and a wafer support device that is vertically movable and is located in the process tube in a raised position. The wafer supporting device is formed separately from the heat barrier structure, which is located in the lower end opening of the process tube in its raised position, and is detachably mounted on the heat barrier structure. And a boat for supporting the wafer.

【0007】[0007]

【作用】[Action]

ウェハ支持装置が、ウェハ支持装置の上昇位置においてプロセスチューブの下 端開口内に位置させられるヒートバリア構造物と、ヒートバリア構造物とは別個 に形成され、かつヒートバリア構造物上に着脱自在に取付けられてウェハを支持 するボートとよりなると、ヒートバリア構造物およびボートを別々に取扱うこと ができるので、取扱物の寸法および重量が小さくなり、取扱作業が簡単になる。 しかも、取扱作業が簡単であるので、昇降装置への取付け時および取外し時など の破損の危険性が低下する。また、ボートの寸法が小さくなるので、その製作精 度が向上する。また、熱処理時にヒートバリア構造物に付着した膜の除去のため の洗浄処理はヒートバリア構造物だけに施せばよいので、洗浄処理のさいのボー トの破損を防止できる。さらに、ヒートバリア構造物を、複数種の半導体熱処理 装置に共通なものとすることができるので、コストが安くなる。 The wafer supporting device is formed separately from the heat barrier structure, which is located in the lower opening of the process tube in the raised position of the wafer supporting device, and is detachably mounted on the heat barrier structure. With the boat mounted and supporting the wafer, the heat barrier structure and the boat can be handled separately, which reduces the size and weight of the handled product and simplifies handling. Moreover, since the handling work is simple, the risk of damage during installation and removal of the lifting device is reduced. In addition, since the size of the boat is reduced, its manufacturing accuracy is improved. Further, since the cleaning treatment for removing the film adhered to the heat barrier structure during the heat treatment only needs to be performed on the heat barrier structure, damage to the boat during the cleaning treatment can be prevented. Further, since the heat barrier structure can be common to a plurality of types of semiconductor heat treatment devices, the cost can be reduced.

【0008】[0008]

【実施例】【Example】

以下、この考案の実施例を、図面を参照して説明する。 An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0009】 半導体熱処理装置は、図示しない炉体内に配置されかつ下端が開口するととも に上端が閉鎖されている石英製垂直プロセスチューブ(1) と、昇降自在でかつ上 昇位置においてプロセスチューブ(1) 内に位置させられるウェハ支持装置(2) と を備えている。The semiconductor heat treatment apparatus comprises a quartz vertical process tube (1) which is arranged in a furnace body (not shown) and whose lower end is open and whose upper end is closed. ), And a wafer supporting device (2) located inside.

【0010】 ウェハ支持装置(2) は、その上昇位置においてプロセスチューブ(1) の下端開 口内に位置させられる石英製ヒートバリア構造物(3) と、ヒートバリア構造物(3 ) とは別個に形成され、かつヒートバリア構造物(3) 上に着脱自在に取付けられ てウェハを支持する石英製ボート(4) とよりなる。ヒートバリア構造物(3) は両 端が開口した円筒状で、その内周面の上端寄りの高さ位置に環状内方突出壁(5) が一体に形成されている。内方突出壁(5) よりも上方において、ヒートバリア構 造物(3) の周壁には、その上端から切欠き(6) が形成されている。また、ヒート バリア構造物(3) の外周面の下端部には外方に突出した位置決め片(7) が一体に 形成されている。The wafer support device (2) is separated from the heat barrier structure (3) made of quartz, which is located in the lower end opening of the process tube (1) in its raised position, separately from the heat barrier structure (3). The quartz boat (4) is formed and removably mounted on the heat barrier structure (3) to support the wafer. The heat barrier structure (3) is cylindrical with both ends open, and an annular inward protruding wall (5) is integrally formed at a height position near the upper end of the inner peripheral surface thereof. Above the inwardly projecting wall (5), a notch (6) is formed from the upper end of the peripheral wall of the heat barrier structure (3). A positioning piece (7) protruding outward is integrally formed at the lower end of the outer peripheral surface of the heat barrier structure (3).

【0011】 ボート(4) は、その下端にヒートバリア構造物(3) の内径と等しい外径を有す る円環状体(8) を備えている。円環状体(8) の外周部には、径方向に突出しかつ 切欠き(6) に嵌まる位置決め片(9) が一体に形成されている。The boat (4) is provided at its lower end with an annular body (8) having an outer diameter equal to the inner diameter of the heat barrier structure (3). A positioning piece (9), which protrudes in the radial direction and fits into the notch (6), is integrally formed on the outer peripheral portion of the annular body (8).

【0012】 ヒートバリア構造物(3) は、図示しない昇降装置の円板状昇降台(10)上に載せ られている。上昇位置において、昇降台(10)によりプロセスチューブ(1) の下端 開口が閉鎖される。昇降台(10)の上面には、ヒートバリア構造物(3) の外径と等 しい内径を有する環状上方突出壁(11)が一体に形成されている。上方突出壁(11) にはその上端から位置決め片(7) の嵌まる切欠き(12)が形成されている。なお、 ヒートバリア構造物(3) の内部において、図2に示すように、昇降台(10)上に石 英製の円筒状ヒートバリア構造物(13)が載せられていてもよい。The heat barrier structure (3) is placed on a disc-shaped lifting table (10) of a lifting device (not shown). In the raised position, the lift table (10) closes the lower end opening of the process tube (1). An annular upward projecting wall (11) having an inner diameter equal to the outer diameter of the heat barrier structure (3) is integrally formed on the upper surface of the lift table (10). The upper projecting wall (11) is formed with a notch (12) into which the positioning piece (7) fits from the upper end thereof. In addition, inside the heat barrier structure (3), as shown in FIG. 2, a cylindrical heat barrier structure (13) made of English may be placed on the lift table (10).

【0013】 このような構成において、昇降台(10)上にウェハ支持装置(2) を取付けるさい には、まずウェハ構造物(3) を昇降台(10)上における上方突出壁(11)で囲まれた 部分にのせ、位置決め片(7) を切欠き(12)内に嵌める。ついで、ボート(4) を、 その下端の円環状体(8) がヒートバリア構造物(3) の内方突出壁(5) 上に載り、 かつ位置決め片(9) が切欠き(6) 内に嵌まるようにヒートバリア構造物(3) 上に 配置する。こうして、ウェハ支持装置(2) が昇降台(10)に設置される。ウェハ支 持装置(2) の昇降台(10)上からの取外しは上記と逆の手順で行う。In such a configuration, when mounting the wafer support device (2) on the lift table (10), first, the wafer structure (3) is moved by the upper protruding wall (11) on the lift table (10). Place the locating piece (7) in the notch (12) on the enclosed part. Then, the boat (4) is placed on the inward protruding wall (5) of the heat barrier structure (3) with the annular body (8) at the lower end of the boat (4) and the positioning piece (9) inside the notch (6). It is placed on the heat barrier structure (3) so that it fits in. Thus, the wafer support device (2) is installed on the lift table (10). Removal of the wafer support device (2) from the lift table (10) is performed in the reverse order of the above.

【0014】 上記実施例においては、ボート(4) のヒートバリア構造物(3) に対する位置決 めは、ヒートバリア構造物(3) の周壁に形成された切欠き(6) と、ボート(4) の 円環状体(8) に形成された位置決め片(9) とにより行われているが、両者(3)(4) の位置決めは上記の手段に限らず、適宜変更可能である。また、ヒートバリア構 造物(3) の昇降台(10)に対する位置決めも、上記のものに限定されない。In the above-described embodiment, the boat (4) is positioned with respect to the heat barrier structure (3) by the notch (6) formed in the peripheral wall of the heat barrier structure (3) and the boat (4). The positioning piece (9) formed on the annular body (8) is used, but the positioning of both (3) and (4) is not limited to the above means, but can be changed as appropriate. Also, the positioning of the heat barrier structure (3) with respect to the lift table (10) is not limited to the above.

【0015】[0015]

【考案の効果】[Effect of device]

この考案の半導体熱処理装置によれば、上述のように、取扱物の寸法および重 量が小さくなり、取扱作業が簡単になる。しかも、取扱作業が簡単であるので、 昇降装置への取付け時および取外し時などの破損の危険性が低下する。また、ボ ートの寸法が小さくなるので、その製作精度が向上する。また、熱処理時にヒー トバリア構造物に付着した膜の除去のための洗浄処理のさいのボートの破損を防 止できる。さらに、ヒートバリア構造物を、複数種の半導体熱処理装置に共通な ものとすることができるので、コストが安くなる。 According to the semiconductor heat treatment apparatus of the present invention, as described above, the size and weight of the object to be handled are reduced, and the handling work is simplified. Moreover, since the handling work is simple, the risk of damage during installation and removal of the lifting device is reduced. Further, since the size of the boat is reduced, its manufacturing accuracy is improved. In addition, it is possible to prevent the boat from being damaged during the cleaning process for removing the film adhering to the heat barrier structure during the heat treatment. Further, since the heat barrier structure can be common to a plurality of types of semiconductor heat treatment apparatuses, the cost can be reduced.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】この考案による半導体熱処理装置のウェハ支持
装置の分解斜視図である。
FIG. 1 is an exploded perspective view of a wafer supporting device of a semiconductor heat treatment apparatus according to the present invention.

【図2】この考案による半導体熱処理装置の縦断面図で
ある。
FIG. 2 is a vertical sectional view of a semiconductor heat treatment apparatus according to the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 プロセスチューブ 2 ウェハ支持装置 3 ヒートバリア構造物 4 ボート 1 Process Tube 2 Wafer Support Device 3 Heat Barrier Structure 4 Boat

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】[Scope of utility model registration request] 【請求項1】 下端が開口するとともに上端が閉鎖され
たプロセスチューブと、昇降自在でかつ上昇位置におい
てプロセスチューブ内に位置させられるウェハ支持装置
とを備えた半導体熱処理装置であって、 ウェハ支持装置が、その上昇位置においてプロセスチュ
ーブの下端開口内に位置させられるヒートバリア構造物
と、ヒートバリア構造物とは別個に形成され、かつヒー
トバリア構造物上に着脱自在に取付けられてウェハを支
持するボートとよりなる半導体熱処理装置。
1. A semiconductor heat treatment apparatus comprising: a process tube having a lower end opened and an upper end closed; and a wafer heat treatment device that is vertically movable and is positioned in the process tube at a raised position. Of the heat barrier structure, which is located in the lower end opening of the process tube in its raised position, is formed separately from the heat barrier structure, and is detachably mounted on the heat barrier structure to support the wafer. Semiconductor heat treatment equipment consisting of a boat.
JP8711292U 1992-12-18 1992-12-18 Semiconductor heat treatment equipment Pending JPH0652141U (en)

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Effective date: 19971007