JP2001110874A - Transport hand for semiconductor wafer - Google Patents

Transport hand for semiconductor wafer

Info

Publication number
JP2001110874A
JP2001110874A JP28630999A JP28630999A JP2001110874A JP 2001110874 A JP2001110874 A JP 2001110874A JP 28630999 A JP28630999 A JP 28630999A JP 28630999 A JP28630999 A JP 28630999A JP 2001110874 A JP2001110874 A JP 2001110874A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor wafer
hand
transfer
wafer
transfer hand
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP28630999A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Noriaki Asami
典明 浅見
Toshiaki Nukaga
利明 額賀
Koichi Okada
光一 岡田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Texas Instruments Japan Ltd
Original Assignee
Texas Instruments Japan Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Texas Instruments Japan Ltd filed Critical Texas Instruments Japan Ltd
Priority to JP28630999A priority Critical patent/JP2001110874A/en
Publication of JP2001110874A publication Critical patent/JP2001110874A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To improve the manufacturing yield of a semiconductor wafer in a working process by improving the positioning accuracy of the wafer with respect to a transport hand. SOLUTION: A transport hand 10 is provided with a hand section 11 which is extended along the periphery of a semiconductor wafer W and almost horizontally bears the wafer W. The hand section 11 has a supporting surface 13a inclined in the thickness direction of the born wafer W at a prescribed inclined angle and bears the wafer W in such a way that the peripheral edge of the wafer W is placed on the surface 13a.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造装置に
おいて半導体ウェハをハンドリングするための搬送装置
に用いられる半導体ウェハの搬送ハンドに関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor wafer transfer hand used in a transfer apparatus for handling a semiconductor wafer in a semiconductor manufacturing apparatus.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体の製造工程は、半導体ウェハに対
する複数の処理工程、例えば、エッチング、酸化、フォ
トレジスト塗布、イオン注入を含む。各処理工程におい
て半導体ウェハは、真空中又は大気中で装置内又は装置
間を順次搬送され、次の工程に渡される。脆く、傷つき
やすい半導体ウェハのハンドリングは、専用の搬送ハン
ドを備えた搬送装置によって行われる。
2. Description of the Related Art Semiconductor manufacturing processes include a plurality of processing steps for a semiconductor wafer, such as etching, oxidation, photoresist coating, and ion implantation. In each processing step, the semiconductor wafer is sequentially transported in the apparatus or between the apparatuses in a vacuum or the atmosphere, and is transferred to the next step. Handling of fragile and easily damaged semiconductor wafers is performed by a transfer device provided with a dedicated transfer hand.

【0003】半導体ウェハをハンドリングするための1
つの方式として、ウェハガイド方式と呼ばれる形式に従
った搬送ハンドが知られている。図5及び図6は、従来
から用いられているこの種の搬送ハンドの一形態を示し
ている。従来の搬送ハンド50は、半導体ウェハWの周
に沿って延びる円弧状のハンド部51を有する。ハンド
部51に沿ってその内側には、半導体ウェハを載置する
載置面51aが水平に延びている。この搬送ハンド50
は、搬送装置における搬送アームの先端に取り付けら
れ、水平方向に移動自在にされる。半導体ウェハWはハ
ンド部51の壁51bの内側で、その周辺部を載置面5
1a上に置いて支承され、搬送アームの動きによって搬
送可能にされる。
[0003] 1 for handling semiconductor wafers
As one method, a transfer hand according to a type called a wafer guide method is known. FIG. 5 and FIG. 6 show an embodiment of this type of transport hand conventionally used. The conventional transfer hand 50 has an arc-shaped hand portion 51 extending along the periphery of the semiconductor wafer W. A mounting surface 51a on which the semiconductor wafer is mounted extends horizontally along the inside of the hand portion 51. This transfer hand 50
Is attached to the tip of the transfer arm in the transfer device, and is movable in the horizontal direction. The semiconductor wafer W is placed inside the wall 51b of the hand portion 51, and its peripheral portion is
1a, and is made transportable by the movement of the transport arm.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】従来の搬送ハンドにお
いて、解決すべき一つの問題がある。それは、搬送ハン
ドに対する半導体ウェハの位置決めの問題である。搬送
ハンドの設計に際しては、前記壁51bに囲まれた載置
面51a上に良好に半導体ウェハが載置されることを保
証しなければならない。実際の製造において半導体ウェ
ハの径Dには、いくらかのばらつきΔdが生じる。前記
載置面51aの外形、すなわち対向する壁間の距離D’
は、すくなくともこのばらつきによる寸法誤差を考慮し
て設計されなければならない。また、最大径の半導体ウ
ェハが載置面51aに置かれる場合における若干の遊び
s(両側で2s)を考慮しなければならない。
The conventional transfer hand has one problem to be solved. That is the problem of positioning the semiconductor wafer with respect to the transport hand. In designing the transfer hand, it must be ensured that the semiconductor wafer is properly mounted on the mounting surface 51a surrounded by the wall 51b. In actual manufacturing, the semiconductor wafer diameter D has some variation Δd. The outer shape of the placing surface 51a, that is, the distance D 'between the opposing walls.
Must be designed in consideration of at least the dimensional error due to this variation. Further, a slight play s (2 s on both sides) when the semiconductor wafer having the largest diameter is placed on the mounting surface 51a must be considered.

【0005】例えば、6インチ(約150mm)の半導
体ウェハ用の搬送ハンドの設計においては、その寸法誤
差としての+/-0.5mmに、更に前記遊びとして0.
5mmが考慮され、載置面の外形寸法は、151mm程
度とされる。このような設計において、最小径の半導体
ウェハ(149.5mm)をハンドリングする場合、搬
送ハンドに対する半導体ウェハの位置は、約1.5mm
ずれる可能性がある。搬送ハンドから半導体ウェハをク
ランプして(クランプリングやクランプ爪を用いる)次
工程に引き渡す際に、この位置ずれの問題が深刻になる
ことがある。
For example, in the design of a transfer hand for a 6-inch (approximately 150 mm) semiconductor wafer, the dimensional error is set to +/- 0.5 mm and the play is set to 0.1 mm.
Considering 5 mm, the outer dimensions of the mounting surface are set to about 151 mm. In such a design, when handling a semiconductor wafer having a minimum diameter (149.5 mm), the position of the semiconductor wafer with respect to the transfer hand is about 1.5 mm.
May shift. When the semiconductor wafer is clamped from the transfer hand (using a clamp ring or a clamp claw) and transferred to the next step, the problem of the positional shift may become serious.

【0006】一枚の半導体ウェハから切り出されるチッ
プの数を多くすることは、半導体製造工程において極め
て重要なことである。より広い範囲の半導体ウェハの領
域を、有効に活用するためには、半導体ウェハの中心と
各プロセスが施される領域の中心とが一致していなけれ
ばならない。しかしながら、プロセスが施される領域の
中心は、通常、前記半導体ウェハのクランプの位置に依
存するので、該中心のずれによって半導体ウェハ周囲に
おけるチップの歩留まりが低下する。
Increasing the number of chips cut from one semiconductor wafer is extremely important in a semiconductor manufacturing process. In order to effectively utilize the wider area of the semiconductor wafer, the center of the semiconductor wafer must coincide with the center of the area where each process is performed. However, since the center of the region to be processed usually depends on the position of the clamp on the semiconductor wafer, the shift of the center reduces the yield of chips around the semiconductor wafer.

【0007】また、図6に示すように、従来の搬送ハン
ド50においては、半導体ウェハWの底面と前記載置面
51aとは面的に接触する。これにより、載置面51a
上に堆積した微少な粉塵が、半導体ウェハWの底面に付
着する。半導体ウェハWに付着する粉塵が、半導体装置
の製造の過程で深刻な問題になり得ることは、当業者で
あれば明らかであろう。
Further, as shown in FIG. 6, in the conventional transfer hand 50, the bottom surface of the semiconductor wafer W and the mounting surface 51a are in surface contact. Thereby, the mounting surface 51a
The fine dust deposited on the top adheres to the bottom surface of the semiconductor wafer W. It will be apparent to those skilled in the art that dust adhering to the semiconductor wafer W can be a serious problem in the process of manufacturing a semiconductor device.

【0008】そこで本発明の目的は、搬送ハンドに対す
る半導体ウェハの位置決め精度を向上させ、前記位置ず
れに起因する問題を解消することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to improve the positioning accuracy of a semiconductor wafer with respect to a transfer hand, and to solve the above-mentioned problems caused by the displacement.

【0009】また本発明の別の目的は、搬送ハンドによ
るハンドリングの際の前記半導体ウェハに対する粉塵の
付着を極力抑えることにある。
Another object of the present invention is to minimize the adhesion of dust to the semiconductor wafer during handling by a transfer hand.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】本発明は、半導体ウェハ
の搬送ハンドに関する。本発明の搬送ハンドは、半導体
ウェハの周に沿って延び、該半導体ウェハを略水平に支
承するためのハンド部を備える。該ハンド部は、支承さ
れる半導体ウェハの厚み方向に所定の傾斜角で傾斜した
支持部を有し、該支持部に前記半導体ウェハの周縁部を
載置して該半導体ウェハを支承する。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention relates to a semiconductor wafer transfer hand. The transfer hand according to the present invention includes a hand portion that extends along the periphery of the semiconductor wafer and supports the semiconductor wafer substantially horizontally. The hand portion has a support portion inclined at a predetermined inclination angle in a thickness direction of the semiconductor wafer to be supported, and supports the semiconductor wafer by mounting a peripheral portion of the semiconductor wafer on the support portion.

【0011】前記傾斜した支持部による半導体ウェハの
支承は、半導体ウェハの径のばらつきに拘わらず、水平
方向において半導体ウェハを搬送ハンドに対して一定の
位置とする。特に、半導体ウェハを支承した状態で搬送
ハンドが搬送装置によって移動されると、該移動に伴う
微少振動が搬送ハンドに伝えら、傾斜した支持部に支承
される半導体ウェハは該微小振動を受けて最も安定する
位置、すなわち半導体ウェハが水平となる位置に位置決
めされる。
The support of the semiconductor wafer by the inclined support portion keeps the semiconductor wafer at a fixed position relative to the transfer hand in the horizontal direction regardless of the variation in the diameter of the semiconductor wafer. In particular, when the transfer hand is moved by the transfer device in a state where the semiconductor wafer is supported, the minute vibration accompanying the movement is transmitted to the transfer hand, and the semiconductor wafer supported by the inclined support portion receives the minute vibration. It is positioned at the most stable position, that is, the position where the semiconductor wafer is horizontal.

【0012】ここで、前記支持部が、前記ハンド部の内
周面に沿って形成されていることが好ましい。
Here, it is preferable that the support portion is formed along an inner peripheral surface of the hand portion.

【0013】また、前記支持部の最下部の径が支承する
半導体ウェハの最小径よりも小さく、最上部の径が支承
される半導体ウェハの最大径よりも大きいことが好まし
い。
It is preferable that the diameter of the lowermost part of the supporting portion is smaller than the minimum diameter of the semiconductor wafer to be supported, and the diameter of the uppermost part is larger than the maximum diameter of the semiconductor wafer to be supported.

【0014】また、前記半導体ウェハの周縁部の50%
以上の領域が前記支持部に載置されることが好ましい。
Further, 50% of the peripheral portion of the semiconductor wafer
It is preferable that the above region is placed on the support.

【0015】また、前記支持部が前記ハンド部の内周面
の適宜位置に複数形成されている構成としても良い。
Further, a plurality of the support portions may be formed at appropriate positions on the inner peripheral surface of the hand portion.

【0016】また、前記支持部の傾斜角は、好ましくは
水平面に対して45〜60度の範囲であり、前記支持部
の面粗さは、好ましくはRmax0.8μm以下であ
る。
The inclination of the support is preferably in the range of 45 to 60 degrees with respect to a horizontal plane, and the surface roughness of the support is preferably Rmax 0.8 μm or less.

【0017】[0017]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図面に
沿って説明する。図1は、本発明の一実施形態に係る搬
送ハンドの斜視図である。搬送ハンド10は、半導体ウ
ェハを直接的に支承するハンド部11及び腕部12で構
成される。図で明らかなように、ハンド部11は、概略
的に、円弧状のフレームであり、また腕部12はこのフ
レームの中央から延びる板状の部材である。搬送ハンド
10は、後述する搬送装置のアーム先端に、該腕部12
の先端を連結することにより、該搬送装置に取り付けら
れる。搬送ハンド10は、剛性が高く軽量である材料、
例えばアルミを鋳型成形することによって得られる。図
の実施形態では、より軽量化を図るために、ハンド部1
1及び腕部12の適宜箇所に孔10aが開けられてい
る。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a perspective view of a transport hand according to one embodiment of the present invention. The transfer hand 10 includes a hand unit 11 and an arm unit 12 that directly support a semiconductor wafer. As is apparent from the drawing, the hand unit 11 is a roughly arc-shaped frame, and the arm unit 12 is a plate-like member extending from the center of the frame. The transfer hand 10 is provided at the tip of an arm of a transfer device described later with the arm 12
Are attached to the transport device by connecting the tips of the transport devices. The transfer hand 10 is made of a material having high rigidity and light weight,
For example, it is obtained by molding aluminum. In the embodiment shown in the drawings, the hand unit 1
A hole 10a is formed at an appropriate position of the arm 1 and the arm 12.

【0018】ハンド部11は、略半導体ウェハWの外形
寸法に沿う大きさの円弧状のフレームである。他の搬送
装置との半導体ウェハの受け渡しのために、ハンド部1
1の先端側は、所定の開き角θを開けて終端している。
ハンド部11上に載置する半導体ウェハの安定した支承
を保証するために、開き角θは余り大きくないほうが良
い。一つの実施例において、該開き角θはおよそ120
度である。
The hand section 11 is an arc-shaped frame having a size substantially conforming to the outer dimensions of the semiconductor wafer W. Hand unit 1 for transferring a semiconductor wafer to / from another transfer device
1 is terminated at a predetermined opening angle θ.
In order to guarantee a stable support of the semiconductor wafer placed on the hand unit 11, the opening angle θ should not be too large. In one embodiment, the opening angle θ is approximately 120
Degrees.

【0019】また、ハンド部11は、その連続する方向
に沿って同じ断面形状を有する。図2にハンド部11の
任意箇所における断面が示されている。図に示されるよ
うに、ハンド部11は、基本的に壁部13及びその内側
に延びる、つば部14で構成される。ここで、壁部13
の内周面は、所定の角度で傾斜されており、(以下、こ
の面を傾斜面13aという)、この傾斜面13aが半導
体ウェハWを支承する面となる。つば部14は、この傾
斜面13aの下端から内側に延びている。
The hand section 11 has the same cross-sectional shape along the continuous direction. FIG. 2 shows a cross section at an arbitrary position of the hand unit 11. As shown in the figure, the hand unit 11 is basically composed of a wall 13 and a flange 14 extending inside the wall 13. Here, the wall 13
Is inclined at a predetermined angle (hereinafter, this surface is referred to as an inclined surface 13a), and the inclined surface 13a is a surface that supports the semiconductor wafer W. The flange portion 14 extends inward from the lower end of the inclined surface 13a.

【0020】すなわち図2及び図3に示すように、半導
体ウェハWは、壁部13の内側に納まり、その周端部を
傾斜面13aに当接させ、該対向する傾斜面間で支承さ
れる。半導体ウェハWの周端部は、傾斜面13aの所定
の高さ位置で線接触する。このような支承の方法によ
り、半導体ウェハWの径の誤差で、これが支承される傾
斜面13a上の高さ位置は変化するけれども、水平方向
に対するその中心位置は一定したものとなる。傾斜面1
3aにおいて半導体ウェハWを支承するために、半導体
ウェハWの径Dに対する対向する傾斜面13a間の上端
部の内径D1及び下端部の内径D2の寸法が重要であ
る。製造される半導体ウェハWの径には製造上の誤差
(ここでは、+/-Δdとする)があるので、これを考慮
して上端部の内径D1は、少なくとも半導体ウェハWの
径D+Δdよりも大きく設計され、下端部の内径D2
は、少なくとも径D−Δdよりも小さく設計される。ま
た、半導体ウェハWの壁部13間への受け入れを容易に
するため、上端部の内径D1は少しのゆとりが必要であ
る。実施例で、半導体ウェハWの径が150+/-0.5
mmであり、傾斜面13aの高さが約3.5mmで、傾
斜角αが60度の場合には、上端部の内径D1を153
mmとし、下端部の内径D2を148mmとすることが
好ましい。
That is, as shown in FIGS. 2 and 3, the semiconductor wafer W is accommodated inside the wall 13 and its peripheral end is brought into contact with the inclined surface 13a to be supported between the opposed inclined surfaces. . The peripheral end of the semiconductor wafer W makes line contact at a predetermined height position on the inclined surface 13a. According to such a supporting method, although the height position on the inclined surface 13a on which the semiconductor wafer W is supported changes due to the error of the diameter of the semiconductor wafer W, the center position in the horizontal direction is constant. Slope 1
In order to support the semiconductor wafer W at 3a, the dimensions of the inner diameter D1 at the upper end and the inner diameter D2 at the lower end between the opposed inclined surfaces 13a with respect to the diameter D of the semiconductor wafer W are important. Since the diameter of the semiconductor wafer W to be manufactured has a manufacturing error (here, +/- Δd), the inner diameter D1 at the upper end portion is at least larger than the diameter D + Δd of the semiconductor wafer W in consideration of this. Large design, inner diameter D2 at lower end
Is designed to be at least smaller than the diameter D-Δd. In addition, in order to facilitate the reception of the semiconductor wafer W between the wall portions 13, the inner diameter D1 of the upper end portion needs to have a little space. In the embodiment, the diameter of the semiconductor wafer W is 150 +/- 0.5
mm, the height of the inclined surface 13a is about 3.5 mm, and the inclination angle α is 60 degrees, the inner diameter D1 of the upper end portion is 153 mm.
mm, and the inner diameter D2 of the lower end is preferably 148 mm.

【0021】前記傾斜面の設計においては、更に、その
水平面に対する傾斜角α及び摩擦係数kが考慮される。
一般に、半導体ウェハWを安定して支承するためには、
傾斜面13aの傾斜角αを大きく取るのが良い。傾斜角
αが小さい場合、半導体ウェハWの周端部がこの傾斜面
13aを滑り落ちようとする力が小さくなり、その結
果、半導体ウェハWがハンド部11に対し傾いた状態で
支承される可能性が高くなる。一方で、傾斜角αが大き
すぎる場合、半導体ウェハWの自重に対する傾斜面13
aからの反力が大きくなり、傾斜面13a間に半導体ウ
ェハWがロックする危険性が出る。また、前記上端部の
内径D1と下端部の内径D2との要求される寸法差を確
保するためには、必要になる壁部13の高さHが高くな
ってしまう。このような観点から、傾斜面13aの傾斜
角αは、45〜60度程度が好ましい。
In designing the inclined surface, an inclination angle α and a coefficient of friction k with respect to the horizontal plane are further considered.
Generally, in order to stably support the semiconductor wafer W,
It is preferable to increase the inclination angle α of the inclined surface 13a. When the inclination angle α is small, the force at which the peripheral end of the semiconductor wafer W slides down the inclined surface 13a becomes small, and as a result, the semiconductor wafer W can be supported in an inclined state with respect to the hand unit 11. The nature becomes high. On the other hand, if the inclination angle α is too large, the inclination surface 13 with respect to the own weight of the semiconductor wafer W
a, the risk of locking the semiconductor wafer W between the inclined surfaces 13a is increased. Further, in order to secure a required dimensional difference between the inner diameter D1 of the upper end portion and the inner diameter D2 of the lower end portion, the height H of the wall portion 13 required is increased. From such a viewpoint, the inclination angle α of the inclined surface 13a is preferably about 45 to 60 degrees.

【0022】更に、前記傾斜角に関連して生じる問題
は、傾斜面13aの摩擦係数kにも関連する。一般に、
傾斜面13aの摩擦係数kが小さければ、半導体ウェハ
Wは最も安定した状態、すなわちその周端部が隙間無く
傾斜面13aに当接し、ハンド部11に対し水平に支承
される状態になり、またこれと共に、前記半導体ウェハ
Wのロックの問題が低減される。前記傾斜角αとの関連
で考慮される傾斜面13aの面粗さ(面粗度)は、Rm
ax≦0.8μmであることが好ましい。テフロン(商
標名)などのフッ素樹脂を傾斜面13aにコーティング
することによって面粗度を下げるようにしても良い。ま
た、傾斜面13aは、長期間の使用の中でその表面状態
が極端に変化せず、安定した面精度を維持できることが
必要である。一つの実施形態において、傾斜面の耐摩耗
性を高めるため、仕上げ加工されたアルミ素材の表面に
アノダイズ処理(陽極酸化被膜)を行うことが好まし
い。
Further, the problem related to the inclination angle relates to the friction coefficient k of the inclined surface 13a. In general,
If the friction coefficient k of the inclined surface 13a is small, the semiconductor wafer W is in the most stable state, that is, its peripheral end is in contact with the inclined surface 13a without any gap, and is in a state of being horizontally supported by the hand portion 11, and At the same time, the problem of locking the semiconductor wafer W is reduced. The surface roughness (surface roughness) of the inclined surface 13a considered in relation to the inclination angle α is Rm
It is preferable that ax ≦ 0.8 μm. The surface roughness may be reduced by coating the inclined surface 13a with a fluororesin such as Teflon (trade name). Further, it is necessary that the surface state of the inclined surface 13a does not change drastically during long-term use, and that stable surface accuracy can be maintained. In one embodiment, it is preferable to perform an anodizing treatment (anodized film) on the surface of the finished aluminum material in order to increase the wear resistance of the inclined surface.

【0023】図4は、前記搬送ハンド10を備えた搬送
装置40における半導体ウェハWの搬送動作を概略的に
示す平面図である。搬送ハンド10は、搬送装置40の
アーム41の先端に取り付けられる。搬送装置40は、
ステップモータにより回転駆動されると共に上下移動さ
れるアーム41の動きに従って、半導体ウェハWをプロ
セス処理室60内のウェハテーブル61に受け渡すため
に搬送ハンド10を移動させる。
FIG. 4 is a plan view schematically showing a transfer operation of the semiconductor wafer W in the transfer device 40 provided with the transfer hand 10. The transfer hand 10 is attached to a tip of an arm 41 of the transfer device 40. The transport device 40
The transfer hand 10 is moved to transfer the semiconductor wafer W to the wafer table 61 in the process chamber 60 in accordance with the movement of the arm 41 which is rotated and driven up and down by the step motor.

【0024】半導体ウェハWは、図示しないウェハ搬送
ロボットにより、バッファステージ71のウェハアライ
ナー72に載置される。このとき、半導体ウェハWは、
ウェハアライナー72の3つの孔73による真空吸着に
より固定される。搬送ハンド10は、バッファステージ
71に向けて水平移動され、バッファステージ71に載
置されている半導体ウェハWの下方に位置決めされる。
そして、搬送ハンド10が上方に移動して、半導体ウェ
ハWはハンド部11の壁部13内に導かれ、その径Dに
一致する傾斜面13aの高さ位置に支承される。この
際、ウェハアライナー71における真空吸着は解除され
てる。
The semiconductor wafer W is mounted on the wafer aligner 72 of the buffer stage 71 by a wafer transfer robot (not shown). At this time, the semiconductor wafer W
The wafer aligner 72 is fixed by vacuum suction through three holes 73. The transfer hand 10 is horizontally moved toward the buffer stage 71 and positioned below the semiconductor wafer W placed on the buffer stage 71.
Then, the transfer hand 10 moves upward, the semiconductor wafer W is guided into the wall portion 13 of the hand portion 11, and is supported at the height position of the inclined surface 13a corresponding to the diameter D thereof. At this time, the vacuum suction on the wafer aligner 71 has been released.

【0025】その後、搬送ハンド10は搬送装置40に
向けて水平移動して原位置に戻り、プロセス処理室60
のウェハテーブル61に半導体ウェハWを載置するため
にアーム41が回動する。ここで、アーム41を駆動す
るステップモータの微少振動が、半導体ウェハWを搬送
中の搬送ハンド10に伝達される。該微少振動によっ
て、ハンド部11に支承された半導体ウェハWが傾斜面
13aにおいてより安定する位置に調整され、半導体ウ
ェハWの安定した支承がより確実なもの、すなわち半導
体ウェハWの径の誤差に拘わらず、ハンド部11に対す
る半導体ウェハWの水平方向の位置は一定となる。ハン
ド部11上の半導体ウェハWをプロセス処理室60のウ
ェハテーブル61に載置するために、搬送ハンド10が
水平移動し、半導体ウェハWがウェハテーブル61の上
方に位置決めされる。この位置決めにおいては、半導体
ウェハWのハンド部11の中心とウェハテーブル61の
中心とが一致するように、搬送ハンド10が正確に制御
される。ここで、ウェハテーブル61においては、半導
体ウェハWを支承するための4本のウェハリフトピン6
2が突き出ている。
Thereafter, the transfer hand 10 moves horizontally toward the transfer device 40 and returns to its original position,
The arm 41 rotates to place the semiconductor wafer W on the wafer table 61 of FIG. Here, the minute vibration of the step motor that drives the arm 41 is transmitted to the transfer hand 10 that is transferring the semiconductor wafer W. Due to the minute vibration, the semiconductor wafer W supported by the hand unit 11 is adjusted to a more stable position on the inclined surface 13a, and the stable support of the semiconductor wafer W is more reliable, that is, the error of the diameter of the semiconductor wafer W is reduced. Regardless, the horizontal position of the semiconductor wafer W with respect to the hand unit 11 is constant. In order to place the semiconductor wafer W on the hand unit 11 on the wafer table 61 in the process chamber 60, the transfer hand 10 moves horizontally, and the semiconductor wafer W is positioned above the wafer table 61. In this positioning, the transfer hand 10 is accurately controlled so that the center of the hand unit 11 of the semiconductor wafer W and the center of the wafer table 61 match. Here, in the wafer table 61, four wafer lift pins 6 for supporting the semiconductor wafer W are provided.
Two are sticking out.

【0026】搬送ハンド10は、半導体ウェハWをウェ
ハリフトピン62に受け渡すために下降し、半導体ウェ
ハWはウェハリフトピン62に支承される。そして、搬
送ハンド10の搬送装置40への退避の後、ウェハリフ
トピン62が下降してウェハテーブル61内に収容され
ることにより、半導体ウェハWがウェハテーブル61上
に載置されることになる。そして、半導体ウェハWは、
クランプリング63によりウェハテーブル61に固定さ
れる。その後、半導体ウェハWに対するプロセス処理が
施される。半導体ウェハWのプロセス処理室60からの
搬出は、搬送装置40と同様の構成を有する搬送装置4
0’によって、上述した搬入動作と逆の動作により、バ
ッファステージ81のウェハアライナー82に載置され
る。その後、半導体ウェハWは、図示しないウェハ搬送
ロボットにより、他の処理室に向けて搬送される。
The transfer hand 10 is lowered to transfer the semiconductor wafer W to the wafer lift pins 62, and the semiconductor wafer W is supported by the wafer lift pins 62. After the transfer hand 10 retreats to the transfer device 40, the semiconductor wafer W is placed on the wafer table 61 by the lowering of the wafer lift pins 62 to be accommodated in the wafer table 61. And the semiconductor wafer W
It is fixed to the wafer table 61 by the clamp ring 63. After that, a process is performed on the semiconductor wafer W. The transfer of the semiconductor wafer W from the process chamber 60 is performed by the transfer device 4 having the same configuration as the transfer device 40.
Due to 0 ′, the wafer is placed on the wafer aligner 82 of the buffer stage 81 by an operation reverse to the above-described loading operation. Thereafter, the semiconductor wafer W is transferred to another processing chamber by a wafer transfer robot (not shown).

【0027】本発明による搬送ハンド10は、前述の通
り、そのハンド部11に対し半導体ウェハWを水平方向
において一定の位置(中心位置)に支承する。従って、
搬送ハンド10のハンド部11の中心がプロセス処理室
60のウェハテーブル61の中心に来るように制御する
ことにより、半導体ウェハWの中心とウェハテーブル6
1の中心とが一致するように半導体ウェハWをウェハテ
ーブル61に正確に載置することができる。
As described above, the transfer hand 10 according to the present invention supports the semiconductor wafer W at a fixed position (center position) in the horizontal direction with respect to the hand portion 11. Therefore,
By controlling the center of the hand unit 11 of the transfer hand 10 to be the center of the wafer table 61 of the process chamber 60, the center of the semiconductor wafer W and the wafer table 6 are controlled.
The semiconductor wafer W can be accurately placed on the wafer table 61 such that the center of the semiconductor wafer W coincides with the center of the wafer.

【0028】以上、本発明の実施形態を図面に沿って説
明した。本発明の適用範囲が、上記実施形態において示
した事項に限定されないことは明らかである。実施形態
においては、ハンド部11の壁部13の内周面の全てを
傾斜面13aとしたものを示した。しかしながら、該内
周面の適宜箇所に内側に突出する複数の凸部を形成し
(対向する位置に形成することが好ましい)、その内周
面を傾斜面として、この間に半導体ウェハWを支承する
ように構成することもできる。また、前記実施形態にお
いてはハンド部11につば部14を備えたものを示し
た。しかしながら、つば部14は、ハンド部11の剛性
を高めるために形成されたもので、ここに半導体ウェハ
Wが接触することはない。従って、前記ハンド部11の
強度が十分である場合には、つば部14は必ずしも必要
ではない。
The embodiment of the present invention has been described with reference to the drawings. Obviously, the scope of application of the present invention is not limited to the items shown in the above embodiment. In the embodiment, the entire inner peripheral surface of the wall portion 13 of the hand portion 11 is formed as the inclined surface 13a. However, a plurality of convex portions projecting inward are formed at appropriate places on the inner peripheral surface (preferably formed at opposing positions), and the inner peripheral surface is used as an inclined surface to support the semiconductor wafer W therebetween. It can also be configured as follows. In the above-described embodiment, the hand unit 11 is provided with the collar unit 14. However, the collar portion 14 is formed to increase the rigidity of the hand portion 11, and the semiconductor wafer W does not come into contact therewith. Therefore, if the strength of the hand part 11 is sufficient, the collar part 14 is not always necessary.

【0029】[0029]

【発明の効果】以上の如く本発明によれば、搬送ハンド
に対する半導体ウェハの位置決め精度が飛躍的に向上す
る。その結果、半導体ウェハの中心と半導体ウェハに対
する加工プロセスが施される領域の中心とを一致させる
ことができ、その製造歩留まりを向上させることができ
る。
As described above, according to the present invention, the positioning accuracy of the semiconductor wafer with respect to the transfer hand is dramatically improved. As a result, the center of the semiconductor wafer can be matched with the center of the region where the semiconductor wafer is processed, and the manufacturing yield can be improved.

【0030】また本発明による搬送ハンドは、半導体ウ
ェハの周端部による線接触によってこれを支承するの
で、ハンドリングの際の半導体ウェハに対する粉塵の付
着を極力抑えることができる。
Further, since the transfer hand according to the present invention supports the semiconductor wafer by line contact at the peripheral end thereof, the adhesion of dust to the semiconductor wafer during handling can be minimized.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の一実施形態に係る搬送ハンドの斜視図
である。
FIG. 1 is a perspective view of a transport hand according to an embodiment of the present invention.

【図2】ハンド部の断面を示す図1のA−A線における
断面図である。
FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line AA of FIG. 1 showing a cross section of the hand unit.

【図3】半導体ウェハを支承した状態における搬送ハン
ドの斜視図である。
FIG. 3 is a perspective view of a transfer hand in a state where a semiconductor wafer is supported.

【図4】本発明に係る搬送ハンドを備えた搬送装置にお
ける半導体ウェハの搬送動作を示す平面図である。
FIG. 4 is a plan view showing a transfer operation of the semiconductor wafer in the transfer device provided with the transfer hand according to the present invention.

【図5】従来の搬送ハンドの斜視図である。FIG. 5 is a perspective view of a conventional transfer hand.

【図6】図5のA−A線における断面図である。6 is a sectional view taken along line AA of FIG.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

W 半導体ウェハ 10 搬送ハンド 10a 孔 11 ハンド部 12 腕部 13 壁部 13a 傾斜面 14 つば部 W semiconductor wafer 10 transfer hand 10a hole 11 hand part 12 arm part 13 wall part 13a inclined surface 14 collar part

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 岡田 光一 茨城県稲敷郡美浦村木原2350 日本テキサ ス・インスツルメンツ株式会社内 Fターム(参考) 3C007 DS01 ES02 EV07 EW00 NS09 NS11 NS17 3F061 AA01 BA02 BE12 BF00 DB00 DB04 DB06 5F031 CA02 FA01 FA07 FA11 GA05 GA47 MA26 MA31 MA32 PA26 ────────────────────────────────────────────────── ─── Continuing on the front page (72) Inventor Koichi Okada 2350 Kihara, Miura-mura, Inashiki-gun, Ibaraki Japan F-term in Texas Instruments Co., Ltd. 3C007 DS01 ES02 EV07 EW00 NS09 NS11 NS17 3F061 AA01 BA02 BE12 BF00 DB00 DB04 DB06 5F031 CA02 FA01 FA07 FA11 GA05 GA47 MA26 MA31 MA32 PA26

Claims (8)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 半導体ウェハの周に沿って延び、該半導
体ウェハを略水平に支承するハンド部を備え、 該ハンド部は、支承される半導体ウェハの厚み方向に所
定の傾斜角で傾斜した支持部を有し、該支持部に前記半
導体ウェハの周縁部を載置して前記半導体ウェハを支承
する半導体ウェハの搬送ハンド。
1. A semiconductor device, comprising: a hand portion extending along a periphery of a semiconductor wafer and supporting the semiconductor wafer substantially horizontally, wherein the hand portion supports at a predetermined inclination angle in a thickness direction of the semiconductor wafer to be supported. And a semiconductor wafer transfer hand for supporting the semiconductor wafer by placing a peripheral portion of the semiconductor wafer on the support portion.
【請求項2】 前記支持部が前記ハンド部の内周面に沿
って形成されている請求項1に記載の半導体ウェハの搬
送ハンド。
2. The semiconductor wafer transfer hand according to claim 1, wherein said support portion is formed along an inner peripheral surface of said hand portion.
【請求項3】 前記支持部の最下部の径が支承する半導
体ウェハの最小径よりも小さく、最上部の径が支承され
る半導体ウェハの最大径よりも大きい請求項2に記載の
半導体ウェハの搬送ハンド。
3. The semiconductor wafer according to claim 2, wherein the lowermost diameter of the support portion is smaller than the minimum diameter of the semiconductor wafer to be supported, and the uppermost diameter is larger than the maximum diameter of the supported semiconductor wafer. Transfer hand.
【請求項4】 前記半導体ウェハの周縁部の50%以上
の領域が前記支持部に載置される請求項3に記載の半導
体ウェハの搬送ハンド。
4. The semiconductor wafer transfer hand according to claim 3, wherein a region of 50% or more of a peripheral portion of said semiconductor wafer is placed on said support portion.
【請求項5】 前記支持部が前記ハンド部の内周面の適
宜の位置に複数形成されている請求項1に記載の半導体
ウェハの搬送ハンド。
5. The semiconductor wafer transfer hand according to claim 1, wherein a plurality of the support portions are formed at appropriate positions on an inner peripheral surface of the hand portion.
【請求項6】 前記支持部の傾斜角が水平面に対して4
5〜60度の範囲である請求項1、2、3、4又は5に
記載の半導体ウェハの搬送ハンド。
6. An inclination angle of the support portion is 4 with respect to a horizontal plane.
The transfer hand for a semiconductor wafer according to claim 1, 2, 3, 4, or 5, wherein the angle is in a range of 5 to 60 degrees.
【請求項7】 前記支持部の面粗さが、Rmax0.8
μm以下である請求項6に記載の半導体ウェハの搬送ハ
ンド。
7. The surface roughness of the supporting portion is Rmax 0.8.
7. The transfer hand for a semiconductor wafer according to claim 6, wherein the diameter is not more than μm.
【請求項8】 請求項1〜7に記載の搬送ハンドを可動
アームの先端に備えた半導体ウェハの搬送装置。
8. A transfer device for a semiconductor wafer, comprising the transfer hand according to claim 1 at a tip of a movable arm.
JP28630999A 1999-10-07 1999-10-07 Transport hand for semiconductor wafer Pending JP2001110874A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP28630999A JP2001110874A (en) 1999-10-07 1999-10-07 Transport hand for semiconductor wafer

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP28630999A JP2001110874A (en) 1999-10-07 1999-10-07 Transport hand for semiconductor wafer

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2001110874A true JP2001110874A (en) 2001-04-20

Family

ID=17702723

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP28630999A Pending JP2001110874A (en) 1999-10-07 1999-10-07 Transport hand for semiconductor wafer

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2001110874A (en)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2003028071A2 (en) * 2001-09-25 2003-04-03 Intel Corporation Wafer cassette transport cart with self correcting fault alignment block and method
JP2009147283A (en) * 2007-12-14 2009-07-02 Genta Kagi Kogyo Kofun Yugenkoshi Apparatus for transferring substrate
WO2009137542A2 (en) * 2008-05-06 2009-11-12 Kennametal Inc. New method and loader apparatus for tem machine work chamber device
US8202473B2 (en) 2008-05-06 2012-06-19 Kennametal Inc. Framed TEM machine and method of operating same
US8231322B2 (en) 2001-07-02 2012-07-31 Brooks Automation, Inc. Fast swap dual substrate transport for load lock

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8231322B2 (en) 2001-07-02 2012-07-31 Brooks Automation, Inc. Fast swap dual substrate transport for load lock
US9859140B2 (en) 2001-07-02 2018-01-02 Brooks Automation, Inc. Fast swap dual substrate transport for load lock
WO2003028071A2 (en) * 2001-09-25 2003-04-03 Intel Corporation Wafer cassette transport cart with self correcting fault alignment block and method
WO2003028071A3 (en) * 2001-09-25 2004-03-25 Intel Corp Wafer cassette transport cart with self correcting fault alignment block and method
JP2009147283A (en) * 2007-12-14 2009-07-02 Genta Kagi Kogyo Kofun Yugenkoshi Apparatus for transferring substrate
WO2009137542A2 (en) * 2008-05-06 2009-11-12 Kennametal Inc. New method and loader apparatus for tem machine work chamber device
WO2009137542A3 (en) * 2008-05-06 2010-02-18 Kennametal Inc. New method and loader apparatus for tem machine work chamber device
JP2011523900A (en) * 2008-05-06 2011-08-25 ケンナメタル インコーポレイテッド Novel method and loader device for processing chamber device of TEM machine
US8157497B2 (en) 2008-05-06 2012-04-17 Kennametal Inc. Method and loader apparatus for TEM machine work chamber device
US8202473B2 (en) 2008-05-06 2012-06-19 Kennametal Inc. Framed TEM machine and method of operating same

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5676516B2 (en) Substrate container for storing substrates and apparatus for transporting wafers
EP3163603B1 (en) Method of operating a robot having an end effector
US6379095B1 (en) Robot for handling semiconductor wafers
KR100551220B1 (en) Substrate transfer apparatus and substrate processing apparatus
JP2002520860A (en) Wafer carrier and method for handling wafers with minimal contact
WO2020226152A1 (en) Substrate holder, substrate bonding device, and substrate bonding method
JP2004071730A (en) Reticle handling method, reticle handling unit, and exposure system
US6156125A (en) Adhesion apparatus
US20180350652A1 (en) Conveyance hand, conveyance apparatus, lithography apparatus, manufacturing method of article, and holding mechanism
JP2001110874A (en) Transport hand for semiconductor wafer
JP7131334B2 (en) Substrate support device, substrate transfer robot and aligner device
WO2007119613A1 (en) Conveyance apparatus, conveyance method, and device production method
JPH1171025A (en) Wafer conveying device
JPH05129417A (en) Processing equipment of tabular body
JPH02174244A (en) Tool frame for wafer carrier and wafer shifting device
JP2899911B2 (en) Plate-like body transfer method and apparatus
JP2630366B2 (en) Loading / unloading method and loading / unloading device for plate-like body
CN216980525U (en) Wafer alignment device
JPH1012707A (en) Correction device for wafer misalignment in boat
JP7316033B2 (en) Substrate transfer device and substrate transfer method
US20230108525A1 (en) Substrate transfer device
JP7453757B2 (en) Substrate processing equipment, substrate processing system, and substrate processing method
JPS6214434A (en) Wafer chuck
JPH10154740A (en) Setting system for wafer and tray, and device for setting wafer on tray for that purpose
KR20240041559A (en) Wafer transfer apparatus and wafe loading jig provided therein, and wafer transfer method by the apparatus

Legal Events

Date Code Title Description
A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20010507