JPH06511206A - 成形機のためのサーボ制御装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 成形機のためのサーボ制御装置 １、発明の分野 本発明は、一般に成形機械の制御に関する。特に、本発明は射出成形機（ｉｎｊ ｅｃｔｉｏｎ　；ｍｏｌｄｉｎｇ　ｍａｃｈｉｎｅ）の諸装置！（ｄｅｖｉｃｅ Ｓ）のサーボ制御に関する。

２、従来技術 例えば、型腔（即ち、巣＋ｍｏｌｄ　ｃａｖｉｔｙ）部を画成する係合ダイ構成 要素を動作させるクランプ、成形品に形成される材料を可塑化する押出し機、型 腔部内への可塑化材料の注入（射出：１ｎｊｃｃＬｉｏｎ）を行う注入ラム（射 出ラム：１ｎｊｃｃＬｉｏｎ　ｒａｍ）、および型腔部から完成品を取出すイジ ェクタを含む射出成形機に対するサーボ制御を提供することは公知である。アク チュエータが液圧動作で操作される機械においては、このようなサーボ機構制御 は液圧作動シリンダおよびモータを制御する電気的に動作される液圧作動弁を介 して行われる。また、射出成形される材料の温度を制御するため射出成形機ヒー タのサーボ制御を提供することもまた公知である。

米国特許第４．７４５，５４１号から、例えば、マイクロプロセッサによるプロ グラムの実行により制御アルゴリズムが実現される成形機械の諸機構のサーボ制 御を行うディジタル・デバイスを提供することが公知である。この制御アルゴリ ズムは、測定されたパラメータおよび制御信号の数学的関係として定義され、こ れらの関係は比例積分微分（Ｐ　Ｉ　Ｄ）構成要素を含んでいる。前記文献から は、調時された割込みの起生と同時にアルゴリズト処理を行い、複数のアクティ ブ状態の制御アルゴリズムから処理されるアルゴリズムを選択することが知られ る。

アナログ制御構成の固有の短所を克服しながら、この文献の制御は、唯１つのル ープ閉鎖間隔がアナログ信号プロセッサにより提供されることの短所から免れな い。従って、前記文献の制９１１プロセッサは、機械の諸機構およびヒータの両 者のサーボ制御を行うためには適さなかった。更に、同文献のサーボ制御は、常 に１つ以上のＰＩＤアルゴリズムに応答して１つのアナログ出力の制御を行うも のではなかった。その結果、制御信号は、例えば速度制御を実現しながら作動液 圧の解放を行うのには有効ではなかった。

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本発明の目的は、第１および第２のループ閉鎖間隔（ループ閉鎖インターバル： Ｉｏｏｐ　ｃｌｏｓｕｒｅ　１ｎｔｅｒｖａｌｓ）を提供する単一信号処理モジ ュールにより、射出成形機の諸機構およびヒータのサーボ制御の提供にある。

本発明の別の目的は、機械の諸機構のループ制御が信号処理モジュールにおり第 １のループ閉鎖間隔（ループ閉鎖インターバル）でディジタル的に行われ、また 射出成形機ヒータのサーボ制御が同じ信号処理モジュールにより第２のループ閉 鎖間隔で行われる射出成形機機構のサーボ制御の提供にある。

本発明の史に別の１」的は、熱電対接合の冷接点補償が悄゛号処理モジュールに より行われる射出成形機ヒータのサーボ制御の提供にある。

本発明の他の目的は、出力信号インターフェースが電流制限期間に応答するラッ チ電流制限回路を内蔵する過電流保護回路により提供される射出成形機ヒータの サーボ制御の提供にある。

本発明の更に他の目的は、制御された装置の動作により同時に影響を受ける所定 の条件を定義する２つの制御値の小さい方の選択により生じる制御信号に応答し て１つの制御される装置のサーボ制御の提供にある。

上記の目的に従って、第１および第２の予め定めたループ閉鎖間隔で制御アルゴ リズムを実行するディジタル信号プロセッサを備えた射出成形機のサーボ制御が 提供される。アナログ制御アルゴリズムは、例えば機構制御弁の制御のためのア ナログ出力信号を生じるため第１のループ閉鎖間隔で処理される。１つのアナロ グ出力は、制御される装置の動作により同時に影響を受ける機械の条件と関連す る２つの制御アルゴリズムに応答して定まる制御値の小さい方に応答して制御さ れる。温度制御アルゴリズムは、例えば射出成形機の押出し機のバレル・セグメ ントに与えられるヒータ・バンドに対する電力の供給を制御する制御信号を提供 するため第２のループ閉鎖間隔で処理される。信号処理モジュールは、サーボ制 御アルゴリズムを実行する市販のディジタル信号プロセッサを使用する。１つの 別の実施態様においては、弁のサーボ制御と関連して位置の制御および電流制御 を行うアルゴリズムが提供される。信号処理モジュールは、信号処理モジュール にインターフェースされた熱電対により生じる明らかな測定温度の補償を可能に する温度センサが設けられている。２進装置インターフェース回路が、押出し機 ヒータ・バンドに対する電力の供給を制御するため設けられている。これらのイ ンターフェース回路は、予め定めた期間の電流制限の検出に応答する電流制限お よびラッチされる障害制御を含む過電流保護機能を含む。

本発明の更に別の目的および利点については、添付図面およびその記述から明ら かになるであろう。

（図面の簡単な説明） 図１は、射出成形機の側面図、 図２は、図１の機械に用いられる機械のブロック図、図３は、本発明のサーボ制 御のブロック図、図４ａ、図４ｂおよび図４０は、図３のサーボ制御のプロセッ サにより実行される主要手順のフローチャート、 図５　ａ　ｓ図５ｂおよび図５ｃは、図４ｂのフローチャートと関連する手順を 示すフローチャート、 図６は、過電流保護を含むＤＣ出力インターフェース回路の回路図である。

（実施例） 本発明を例示するため、本発明の譲受人であるＣ１ｎｃｉｎｎａｔｊ　Ｍｉｌａ ｃｒｏｎ社により開発された射出成形機サーボ制御装置について詳細に記述する 。この制御装置は本発明の望ましい実施例を構成するが、本発明の範囲をこの制 御装置の特定の細部に限定することは出願人の意図ではない。むしろ、出願人の 意図は、本発明が請求の範囲およびその相等する全てによって定義されることで ある。

（射出成形機） 図１は、クランプ機構１２と、押出し機１４と、射出ユニット１６と、イジェク タ１８とを含む射出成形機１０の側面図である。成形品は、クランプ機構１２に より共働的に作動させられる係合グイ構成要素１９．２１により形成される型腔 部（東部：ｍｏｌｄ　ｃａｖｉＬｙ）内へ射出される可塑性材料から形成される 。機械の諸機構は各々、機械フレーム２０内に取付けられたポンプおよびタンク ・ユニット２２からの加圧作動流体が供給される液圧作動アクチュエータ（流体 圧作動アクチュエータ　ｈｙｄｒａｕｌｉｃ　ａｃｔｕａｔｏｒ）などにより動 作させられる。

更に図１によれば、クランプ機構１２は、機械フレーム２０に固定的に取付けら れた固定プラテン（固定盤）２４と、図１に示されるバー２８．３０を含む４本 の結合バー上に摺動自在に載置された可動プラテン（可動盤）２６とを含む。

可動プラテン２６の往復運動は、液圧作動シリンダ（流体圧作動シリンダ：ｈｙ ｄｒａｕｌ　ｉｃ　ｃｙｌ　１ｎｄｃｒ）３４により作動させられるトグル機構 ３２により行われる。トグルＩ！ａｍ３２は、図１に示されるリンク３７．３８ を含む一連のトグル・リンク装置により可動プラテン２６に対して作用力を及ぼ し、固定ダイ高さプラテン３６に対して枢動する。リンク３７．３８が機械フレ ームに対して平行に整合される時、トグル機構は、型腔部内への材料の注入の結 果として、可動プラテン２６に対して働く作用力に抗して機械的にロックされる 。可動プラテン２６の往復運動が、係合ダイ構成要素１９．２１により画成され る型腔部を開閉する。

押出し機１４は、周知のように働く加熱と材料の組合わせにより射出成形される 材料を可塑化する。押出し機１４は、押出し機モータ４２により回転させられる 可塑化スクリュー（図示せず）を含む長手方向の貫通内孔を有するバレル・セグ メント４０を含む。スクリューが回転するに伴い、材料が圧搾されて材料自体を 加熱する結果となる。外部ヒータ・バンド４６乃至５４は、バレル・セグメント ４０の外側に固定されて押出し機１４内部の可塑材化料の温度の制御を助ける。

可ｆｆＪ化される材料は、ホッパ５６を介して押出し機１４内へ充填される。ノ ズル４４がバレル・セグメント４０の出口端部に固定されている。ノズル４４は 、可塑化材料を型腔部内へ注入するための経路を提供する固定プラテン２４内の 流通路内へ挿入するためのノズル先端部を含む。ノズル４４は、可塑化材料のバ レル４０からの流出を制御するための遮断弁が備えられている。

可塑化材料の型腔部への注入を行うため、押出しスクリューがバレル４０内で固 定プラテン２４の方向に長手方向に前送させられる。これにより、予め定めた量 の可塑化材料が型腔部内へ強制される。押出しスクリューの往復運動は、押出し 機モータ４２が取付けられた注入ユニット・ラム５８のバレル・セグメント４０ が取付けられた引込みユニット６３に対する長手方向運動によつて生じる。注入 ユニット・ラム５８と引込みユニット６３の両者は、図１に示された注入ユニッ トアン案内ロッド４５を含む固定プラテン２４に取付けられた１対の対向する注 入ユニット案内ロッドにより摺動自在に支持されている。注入ユニット・ラム５ ８の運動は、引込みユニット６３に固定されたピストンを有する１対の液圧作動 シリンダ６０．６１により行われる。射出ユニット１６全体の往復運動は、図１ に示したシリンダ６２を含む引込みユニット６３に固定された１対の対向する引 込みユニット液圧作動シリンダにより行われる。引込みユニット液圧作動シリン ダのピストンは、注入ユニット案内ロッドに対して固定されている。引込みユニ ットの引込み運動が、固定プラテンからの押出し機ノズルの引込み運動を許容し て固定プラテン２４における通路における突起の破壊を行い、ノズル４４の変更 を可能にする。

グイ高さとして知られる固定プラテン２４と可動プラテン２６間の間隙の一部は 、型構成要素１９．２１の厚さを受入れるように調整することができる。グイ高 さは、図１に示されるナツト７２．７４を含むグイ高さプラテン３６を介して突 出する結合バ一端部へ螺合されるバーのナツトを回転させることにより調整され る。結果として得るグイ高さプラテン３６の変位が、可動プラテン２６を含むク ランプ機構１２の固定プラテン２４に対する位置を変更する。結合バー・ナツト の回転は、スプロケット７７．７８を含むナツトのスプロケットの周囲に巻付け られたチェーン７６と係合するスプロケット７５を介して駆動モータ７０により 生じる。

型腔部から完成した物品の取出しを確実にするため、イジェクタ１８が可動プラ テン２６に取付けられている。イジェクタ・プレート８０は、図１に示されるロ ッド８２．８４を含む案内ロッドに摺動自在に取付けられ、シリンダ８６を含む １対のイジェクタ液圧作動シリンダにより往復運動させられる。イジェクタ押し ロッド（図示せず）は、イジェクタ・プレート８０に固定され、可動プラテン２ ６の通路内でグイ構成要素１９に組込まれたイジェクタ・ビンと共働するように 働く。

キーボードおよびディスプレイを含むオペレータ・ステーション９０は、固定プ ラテン２４に取付けられている。オペレータ・ステーション９０は、オペレータ が機械の動作に介入して機械の性能を監視することを許容する。機械の動作は、 フレーム２０に配置されたキャビネット９２に含まれる機械制御盤９８により実 行されるプログラムにより制御される。機械の機構アクチュエータおよびヒータ の動作を制御するための設定点値を含むプログラムの実行時に使用されるデータ は、オペレータ・ステーション９０を介して入力される。

（機械の制９１１） 機械の制御のブロック図は、図２に関して説明される。制御装置盤９８は、例え ば出力インターフェース・モジュール１０２、ＤＣ入力インターフェース・モジ ュール１０６および信号処理モジュール１０４の如きインターフェース・モジュ ールが接続されたプロセッサ・モジュール１１０を含む。プロセッサ・モジュー ル１１０は、成形品の生産のための機械の動作サイクルを定義する機械制御アプ リケーション・プログラム１６０を実行する。更に、プロセッサ・モジュール１ １０はユーザ・アプリケーション・プログラム１４０を実行して、ディスプレイ ９４のための表示データの生成の如き選択された周辺装置と関連する諸機能を実 施する。機構アクチュエータの動作および押出し機ヒータに対する電力の供給の サーボ制御は、アプリケーション・プログラム１６０の実行によりプロセッサ・ モジュール１１０により生じる設定点信号に応答して、信号処理モジュール１０ ４により行われる。２進制御信号、即ちＯＮ１０　Ｆ　Ｆ信号により制御される 成形機１０と関連する諸装遣の動作は、例えばＤＣ出力インターフェース・モジ ュール１０２の如き出力インターフェース・モジュールを介して行われる。２進 状態信号を生じる装置の監視は、例えばＤＣ入力インターフェース・モジュール １０６の如き入力インターフェース・モジュールを介して得られる。モジュール １０２．１０４および１０６の各々は、データ、アドレスおよびバス制御信号が 送られる拡張バス１００を構成する対１００Ａ、１００Ｂおよび１００Ｃの如き プラグおよびソケット対を含むコネクタを介して、プロセッサ・モジュール１１ ０に電気的に接続される。拡張バス１００は、インダストリ・スタンダード・ア ーキテクチャ（ＩＳＡ）バス規定に合致し、拡張バス１００における１０個まで のモジュールを受入れるのに充分なコネクタ・ソケットがプロセッサ・モジュー ル１１０に設けられている。

機械制御アプリケーション・プログラム１６０およびユーザ・アプリケーション ・プログラム１４０はメモリー１１６に記憶されている。これらのプログラムは 、読出し専用メモリー（ＲＯＭ）１４２に記録されたオペレーティング・システ ム・プログラムの制御下でマイクロプロセッサ１１２により実行される。データ は、直接ローカル・データ・バス１１８−ヒでマイクロプロセッサ１１２および メモリー１１６の内部データ・バス間へ送られる。メモリー・データ・アドレス は、メモリー・アドレス・バス１２２上に送られ、アドレス・ラッチ１２０でラ ッチされる。メモリー・アドレス・バス１２２および拡張バスのデータおよびア ドレ又線は、バス・コントローラ１１４により制御される。マイクロプロセッサ １１２と拡張バス１００間の全てのデータ交換は、バス・コントローラ１１４に より行われる。出願人は、コントローラ１１４として、Ｃｈｉｐｓ　ａｎｄ　Ｔ ｅｃｈｎｏ１ｏｇｉｅｓ社から入手可能な８２Ｃ３８６ＳＸバス・コントローラ を選択した。バス・コントローラ１１４は、拡張バス１００におけるデータの転 送を制御する制御信号を生成し、マイクロプロセッサ１１２により生成されるデ ータ・バス信号のバッファリングを行い、割込みコントローラ、リアルタイム・ クロック・ジェネレータ、メモリー直接アクセス・コントローラ、プログラム可 能内部タイマー、８０３８７８Ｘ数値コプロセツサに対するインターフェース・ ロジック、および８０４２キーボード・コントローラに対するインターフェース ・ロジックを内蔵する。

キーボード９６により生じるキースイッチ信号は、キーボード・コントローラ１ ２８と接続された直列リンクによりプロセッサ・モジュール１１０ヘインターフ エースされる。出願人は、キーボード・コントローラ１２８としてＩｎｔｃ１社 から入手可能な８２４２プログラム可能キーボード・コントローラを選択した。

このデバイスは、キーボード・データを逐次受取り、キーボード・データをバス ・コントローラに接続された８ビツトのデータ・バスで得られるようにする。キ ーボード文字が受取られると、キーボード・コントローラ１２８は、キースイッ チ・データが転送の用意があることを表示するデータ使用可能割込み信号を生じ る。

出願人は、「エコー」されるようキーボード・コントローラ１２８へ予め定めた 文字を送ることにより、キーボード・コントローラ１２８およびオペレータ・ス テーション９０との通信の周期的な検証を行った。エコー文字がキーボード・コ ントローラ１２８による転送の用意ができると、キーボード・コントローラ１２ ８がデータ使用可能割込み要求を生成される。キーボード・コントローラ１２８ は、システム組込みおよび保守と関連して使用されるジャンパ・ブロック（図示 せず）と接続された・１ｒ列人カバスを含み、マイクロプロセッサ１１２による プログラムの実行に影響を及ぼす入力信号を与える。

ディスプレイ９４は、３２０行および２００列の表示要素として構成されるバッ ク・ライト付き液晶ディスプレイである９１表示データは、表示コントローラ１ ３４によりデータ信号バッファ１３０を介してディスプレイ９４へ出力される。

出願人は、表示コントローラ１３４として、Ｃｈｉｐｓ　＆　Ｔｅｃｈｎｏｌｏ ｇｉｃｓ社から入手可能な８２Ｃ４２６ＬＣＤ／ＣＲＴコントローラを選択した 。

ディスプレイ９４の各要素の状態を定式する表示データは、ユーザ・アプリケー ション・プログラム１４０の実行により生成される。表示データは、表示コント ローラ１３４の制御下で拡張バスのデータ線から表示メモリー１３２ヘコピーさ れる。表示データは、表示コントローラ１３４の制御下で４つの並列線上を一時 に４ビツトずつディスプレイ９４に対して送られる。

プログラミング・ユニット（図示せず）の如き外部デバイスに対するデータ通信 は、例えば逐次通信によるデータの転送を行う通信インターフェース１３６によ り行われる。出願人は、通信インターフェース１３６として、Ｃｈｉｐｓ　＆Ｔ ｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ社から入手可能な８２Ｃ６０１周辺装孟コントローラを 選択した。通信インターフェース１３６は、接続されたデバイスがデータを受取 る条件にあることに応答してデータが接続されたデバイスへ送られべき時にデー タ要求割込み要求を、また外部デバイスから受取るデータの使用可能であること に応答してデータ使用可能割込み要求を生成する。データは、拡張バス１００の データ線上で通信インターフェース１３６とバス・コントローラ１１４間に交換 される。

以上のことから理解されるように、マイクロプロセッサ１１２とプロセッサ・モ ジュール１１０の他の構成要素との間のデータ通信は、ローカル・データおよび アドレス・バス、および拡張バス１００のアドレスおよびデータ・バスの組合わ せにおいて行われる。マイクロプロセッサ１１２は、２４ビツトのアドレス・バ スと１６ビツトのデータ・バスとを含む。マイクロプロセッサ１１２のアドレス ・バスは、アドレス・トランシーバ１２４によりバッファされて拡張バス１００ に対するアドレス信号を生成する。バス・コントローラ１１４は、バッファされ ないアドレス・バスで受取られるアドレスからアドレス・バス１２２に対する８ ビツトのメモリー・アドレスを生成する。バス・コントローラ１１４の１６ビツ トのデータ・バスは、データ・バス・トランシーバ１２６によりバッファされて 拡張バス１００のデータ線を生じる。

マイクロプロセッサ１１２により実行されるオペレーティング・システム・プロ グラムは、事象検出プログラム１４４、データ取得プログラム１４６、バックグ ラウンド・プログラム１４８、診断プログラム１５２、機械制御インタプリタ・ プログラム１５４およびユーザ・プロセッサ・プログラム１５８を含む。事象検 出プログラム１４４は、選択された信号、およびこれら信号の予め定められた（ トリガー）条件の検ＩＵｉ二対するプログラムされた応答の連続的な監視を制御 する。

データ取得プログラム１４６は、機械制御アプリケーション・プログラムの制御 下でのプロセス監視を行う際に使用される選択された入力信号の周期的サンプリ ングを制御する。診断プログラムは、制御システム構成要素の診断、選択された データ値の初期化、およびシステム・プログラム実行の初期化に対する電力を提 供する。バックグラウンド・プログラム１４８は、ユーザ・アプリケーション・ プログラムに対するデータ・インターフェース、ならびにバス・コントローラ１ １４により生成されるリアルタイム・クロック・データの管理を提供する。

（信号プロセッサ・モジュール） 信号プロセッサ・モジュール１０４については、図３に関して記述する。信号処 理モジュール１０４が拡張バス１００によりプロセッサ・モジュール１１０に接 続されることが思出されよう。信号処理モジュール１０４とプロセッサ・モジュ ール１１０間に交換されるデータは、デュアル・ボート・メモリー５０４１Ｎ記 憶場所に書込まれる。拡張バス１００のアドレス線は、バス調停（アービトレー ション）回路５１８により生成される選択信号により制御されるアドレス・マル チプレクサ５０８を介してデュアル・ポート・メモリー５０４ヘゲートされる。

データは、デュアル・ポート・メモリー５０４と拡張バス１００のデータ線間に 、その転送方向がバス調停回路５１８により制御されるデータ・トランシーバ５ １０を介して送られる。

デュアル・ボート・メモリー５０４を実現するため、出願人は、バス調停回路５ １８と関連して動作する従来の単一アドレス・バス・ランダム・アクセス・メモ リー・デバイスを使用することを選択した。バス調停回路５１８は、拡張バス１ ００のアドレス線に現れるアドレスと信号処理モジュール１０４に生じる制御指 令に応答して、アドレス・マルチプレクサ５０８のアドレス選択入力を制御する 。デュアル・ボート・メモリーを介するデータ転送は、プロセッサ・モジュール １１０により実行される機械制御インタプリタ・プログラム１５４の制御下で交 換される多数のワード・ベクトルとして構成される。

信号処理モジュール１０４は、予め定めたループ閉鎖間隔（ループ閉鎖インター バル）でサーボ制御アルゴリズムの実行によりサーボ制御を行う。このアルゴリ ズムは、ディジタル信号プロセッサ５０６としてＴｅｘａｓ　Ｉｎｓｔｒｕｍｅ ｎｔｓ社から入手可能な７Ｍ３　３２０Ｅ１４ディジタル信号プロセッサを選択 した。このデバイスは、サーボ制御アルゴリズム・ルーチンとして出願人が選択 したプログラム可能読出し専用メモリーを含む。ディジタル信号プロセッサ５０ ６によりデュアル・ポート・メモリー５０４に関して読出されあるいは書込まれ るデータは、データ・トランシーバ５１２を経てローカル・データ・バス５１４ 上を転送される。ディジタル信号プロセッサ５０６は、発振器５１６により生じ るクロック入力を受取り、これから５００ミリ秒の第１のループ閉鎖間隔および ５０ミリ秒の第２のループ閉鎖間隔を定義するタイミング信号を得る。

制御される機械の処理と関連する処理パラメータは、処理パラメータの測定値を 表わすアナログ信号を生じるため測定される。信号処理モジュール１０４は、こ れらの入力信号に対する入力インターフェースを提供し、アナログ入力信号をそ のディジタル表示へ変換し、ディジタル信号プロセッサ５０６による制御アルゴ リズムの交換時にこのディジタル表示を使用する。射出成形機１ｏに用いられる と、信号処理モジュール１０４は、測定パラメータおよび適当な制御パラメータ の比例積分微分（Ｐ　Ｉ　Ｄ）項に関する制御アルゴリズムの実行により弁制御 信号およびヒータ制御信号を生成する。弁制御の場合は、弁スプール位置指令が 、例えば制御される装置位置または速度、ならびにポテンショメータ、タコジェ ネレータ、圧力ドランスジューサなどにより測定される流体圧力に応答して生成 される。例えば、可動プラテン２６の位置が得られるトグル・リンク位置を測定 する位置検出回転ポテンショメータ１６１が図２に示される。他の位置のトラン スジューサは、イジェクタ・プレート８０の位置を測定する図１に示した線形ポ テンショメータ８７、および注入ユニット・ラム５８の位置を測定するための図 するためタコジェネレータ４３が使用される。比例弁１７０の出力側の作動圧力 を監視する圧力ドランスジューサ２３が図２に示される。ヒータ制御の場合には 、ヒータ電力指令が、例えば図２に示され、バレル・セグメント４ｏ内でヒータ ・バンド４６乃至５４付近に配置される熱電対１６２乃至１６９の如き熱電対な どにより生成される測定温度に応答して生成される。

更に図３に関して、ディジタル信号プロセッサ５０６のデータ・バス出力はデコ ーダ５２０により復号されて、アナログ入力選択制御信号ＡＩＮ　ＳＥＬ。

熱電対入力選択制御信号ＴＣＳＥＬ、アナログ／ディジタル・コンバータ入力選 択信号Ａ／Ｄ　ＳＥＬ、アナログ／ディジタル変換制御信号Ａ／Ｄ　Ｃ０ＮＶ。

ディジタル／アナログ・コンバータ書込み信号ＤＡＣＷＲ，およびアナログ出力 選択信号ＡＯＰ　ＳＥＬを含む人出力信号処理のため使用されるデバイスを制御 する指令を生成する。更に、これらデコーダは、デュアル・ボート・メモリーを 介してデータ転送のためのアドレス信号ＡＤＤＲ１およびモジュール読出し信号 ＤＳＰＲＤ、’ＩＪ込み信号ＤＳＰＷＲおよびデータ要求信号ＤＳＰＲＱを生じ る。

弁制御および温度の両者に対する測定パラメータ信号処理は同様に行われる。

測定パラメータ信号は、それぞれ、アナログ入力フィルタ５３０および熱電対入 力「５３２によりフィルタされる。全ての測定されたパラメータ入力信号は差の 対として与えられ、信号のアナログ・バージョンはディジタル信号プロセッサ５ ０６のデータ・バス出力から復号される選択制御信号ＡＩＮ　ＳＥＬおよびＴＣ ＳＥＬの制御下で、マルチプレクサにより選択される。アナログ入力信号の選択 は、選択制御信号ＡＩＮ　ＳＥＬに応答してアナログ・マルチプレクサ５３４に より行われ、また熱電対入力信号の選択は選択制御信号ＴＣＳＥＬに応答してア ナログ・マルチプレクサ５３６により行われる。選択された差の対信号は、それ ぞれ差動増幅器５３８および５４０により増幅される。結果として得るアナログ 人力信号はアナログ・マルチプレクサ５４２へ入力され、ここでアナログ／ディ ジタル・コンバータ５４６へ与えるための選択制御信号Ａ／Ｄ　ＳＥＬに応答し て１つのアナログ信号が選択される。選択されたアナログ信号は、アナログ／デ ィジタル・コンバータ５４６へ加える前に増幅回路５４５によりバッファされク ランプされてアナログ／ディジタル・コンバータを過大な入力信号の大きさから 保護する。

物理的な速度トランスジューサによることなく注入ラムの速度のディジタル表示 の最大分解能を得るため、アナログ位１δ信号はアナログ微分回路５４８により そのアナログ形態で微分される。アナログ微分回路５４８の出力は、アナログ／ ディジタル・コンバータ５４６による選択および変換のためアナログ・マルチプ レクサ５４２へ入力される。当業者には、注入ラム速度のディジタル表示が位置 の信号からディジタル手段により得られることが理解されよう。しかし、低いラ ム速度では、弁制御ループ閉鎖速度における位置の変化の大きさは、従来のディ ジタル手法の使用には適さないほど小さなものである。アナログ微分回路５４８ は、注入ラムの最も低いあり得る速度を許容する時定数が与えられる。

出願人の望ましい実施態様においては、例えばバレル・セグメント４０内のヒー タ・バンド４６乃至５４付近に配置された熱電対により温度の検出が行われる。

ノズル４４における温度およびポンプおよびタンク・ユニット２２内部の作動流 体の温度別の熱電対を用いることができる。熱電対の接続により生じる有効熱電 対接合を許容するため、冷接合温度検出熱電対５５０が、信号処理モジュール１ ０４に載置され、また高精度電圧源により駆動される電圧駆動ネットワークに内 蔵されている。サーミスタ抵抗の温度誘起変化を表わすサーミスタ電圧は、アナ ログ・マルチプレクサ５４２に対する入力として与えられる。

入力信号処理は、ディジタル信号プロセッサ５０６のデータ・バス出力から復号 された変換制御信号Ａ／Ｄ　Ｃ０ＮＶに応答して、制御ループ閉鎖間隔における アナログ表示からディジタル表示への変換により完了する。アナログ／ディジタ ル・コンバータ５４６は、変換制御信号に応答して選択されたアナログ入力信号 のサンプリングを行うサンプルおよび保持回路を内蔵する。結果として得る入力 信号のディジタル表示は、ディジタル信号プロセッサ５０６により読出され、プ ロセッサ・モジュール１１０によるアクセスのためデュアル・ポート・メモリー ５０４へ周期的に書込まれる。

アナログ指令信号は、ディジタル信号プロセッサ５０６のデータ・バス出力から 復号されたデータ書込み信号ＤＡＣＷＲにより制御されるディジタル／アナログ ・コンバータ５２２により４１：成される。ディジタル／アナログ・コンバータ ５２２へ書込まれるデータはローカル・バス５１４から得られ、データ・バス・ バッファ５４４によりバッファされる。出願人は４つまでのアナログ出力信号を 提供し、信号の選択はアナログ・マルチプレクサ５５６において行われる。別の 実施例では、１つのアナログ出力を用い、マルチプレクサ出力が有効にバイパス される。ディジタル／アナログ・コンバータ５５２の出力は、選択されたアナロ グ出力信号がディジタル／アナログ・コンバータ５５２の出力間に記憶される保 持コンデンサを含むアナログ出力増幅器５５８へ与えられる。図１の射出成形機 に用いられると、増幅されたアナログ出力信号は、例えばクランプ機構アクチュ エータ３４を制御するための図２に示される適当な弁１７０の如き液圧作動弁へ 与えられる。先に述べたように、４つまでのアナログ出力信号が信号処理モジュ ール１０４により生成され、それぞれ例えば１つの機構アクチュエータを制御す る４つまでの比例値に対する制御信号を生じる。あるいはまた、１つの比例弁を 複数の機構アクチュエータを制御する指向性弁と組合わせて使用することができ る。

第１の別の実施例においては、アナログ出力指令が弁スプール位置を指令し、弁 スプール位置および弁型流制御回路を含む電力増幅器を備えた液圧作動弁へ与え られる。第２の別の実施例では、アナログ出力指令が、弁スプール位置指令、測 定された弁スプール位置および測定された弁型流から得る弁型流制御信号を表わ す。本例では、例えば、図２に示した線形可変差動トランスフォーマ（ＬＶＤＴ ）１７１などの如き位置トランスジューサにより生じる測定された弁位置信号、 および例えば図２に示した抵抗１７２などの如き電流検出分路抵抗により生じる 測定された弁型流信号に対して、別のアナログ入力インターフェースが提供され る。

サーボ制御に加えて、信号処理モジュール１０４は、例えばヒータ・バンド４６ 乃至５４の如き２通信号または０Ｎ１０ＦＦ信号に応答して動作する８つのデバ イスに対するル制御信弓を提供する。２進デバイス制御信号は、過電流保護回路 を含むＤＣ出力インターフエース回路５２８へ与えられる。出願人の望ましい実 施例はＤＣ出力インターフェースを含むが、２進動作のため意図されるＡＣ出力 インターフェースをこれに代えてもよい。２つの２進制御信号がディジタル信号 プロセッサ５０６のデータ・バス出力から復号され、別の６つの制御信号がディ ジタル信号プロセッサ５０６の出力で直接生成される。

（信号プロセッサ・モジュールの動作）弁制御および温度制御を行うためディジ タル信号プロセッサ５０６により実行される手順については、図４ａ乃至図４ｃ 、および図５ａ乃至図５ｃに関して記述する。制御は、３つの主要な手順、即ち 、プロセッサ・モジュール１１０との通信と関連するバックグラウンド処理、弁 制御ループ処理、および温度制御ループ処理により行われる１、弁制御ループ処 理および温度制御ループ処理は、ループ閉鎖間隔タイミング信号から得られる各 ループ閉鎖間隔信号に応答して行われる。

ディジタル信号プロセッサ５０６は、ループ閉鎖割込み信号の起生まで連続的に バックグラウンド処理を行う。

バックグラウンド処理は、図４Ａのフローチャートにより示される。信号処理モ ジュール１０４に対する電力の最初の供給により、診断ルーチンが処理ステップ ２００で実行されて、モジュール構成要素の適正な機能を検証する。障害が検出 される場合は、プロセッサ・モジュール１１０によるアクセスのため障害出力が デュアル・ボート・メモリー５０４にセットされる。診断ルーチンが成功裏に完 了すると、パワーアップ初期設定ルーチンの実行が処理ステップ２０２において 行われる。初期設定は、制御アルゴリズムの最初の実行を中断する初期値に出力 指令をセットすることを含む。診断および初期設定ルーチンの実行に続いて、バ ックグラウンド・ルーチンの連続的処理が行われる。ループ閉鎖間隔信号のいず れかの起生までバックグラウンド・ルーチンの連続的な実行を都合よく表示する 目的のため、判断ステップ２０４が図４８に示される。ループ閉鎖間隔の起生と 同時に、適当な割込みルーチンの実行が処理ステップ２０６により開始される。

バックグラウンド処理により行われる信号処理モジュール１０４とプロセッサ・ モジュール１１０間の通信は、（ａ）弁制御アルゴリズム、ランプ機能定数およ びアナログ処理モード指令のための利得定数を提供するアナログ形態ベクトル、 および（ｂ）Ｕ度制御アナログおよび温度ループ処理モード指令のための利得定 数を提供するディジタル形態ベクトルを含む多数のワード・ベクトルにより行わ れる。各ループ閉鎖により行われる信号処理モジュール１０４とプロセッサ・モ ジュール１１０間の通信は、２つの別のワード・ベクトル、即ち、（ａ）アナロ グ入力および測定温度のディジタル表示を行う入力レジスタ・ベクトル、および （ｂ）弁制御および温度制御のためのサーボ制御設定点値、および２進出力のた めの指令を提供する出力レジスタ・ベクトルを含む。ループ閉鎖間隔の起生まで 、デュアル・ボート・メモリー５０４におけるレジスタ値が照合されて、形態ベ クトル・データがプロセッサ・モジュール１１０により書込まれたかどうかを判 定する。形態ベクトル・データの存在の判定は、判断ステップ２０８および処理 ステップ２１０において行われ、形態ベクトル・データがデュアル・ボート・メ モリー５０４における予約場所ヘコピーされ、ディジタル形態データが受取られ たことを示す状態フラッグがセットされる。その後、判断ステップ２０４へ戻る 線によりンｆ＜される如く、バックグラウンド処理ループが続けられる。

（弁制御処理） 弁制御処理については、図４ｂおよび図５ａ乃至図５ｃに関して記述する。弁制 御ループ処理は、５００ミリ秒のループ閉鎖間隔で起生ずる。図４ｂのフローチ ャートは、弁制御ループ閉鎖割込み信号の起生毎にディジタル信号プロセッサ５ ０６により実行される手順を示す。プロセッサ・モジュール１１０により行われ る診断を可能にするため、弁開ｇＯ形態ベクトルに含まれる指令によってループ 手順が消勢される。判断ステップ２２０において、ループ処理が消勢されるかど うかが判定され、もしそうでなければ、アナログ／ディジタル・コンバータ出力 指令が処理ステップ２２２において空白値と等しくセットされ、処理ステップ２ ２１においてディジタル／アナログ・コンバータ５２２を介して出力される。処 理ステップ２２３において、ＤＣ出力がゼロに等しくセットされ、バックグラウ ンド処理が端子２４５を介する戻りを介して再開される。

判断ステップ２２０において弁制御ループ処理が可能化されると判定されるなら ば、図４ｂのフローチャートの実行が処理ステップ２２４において継続し、ここ でプロセッサ・モジュール１１０から受取る２進制９１Ｉ（Ｆ？号がＤＣ出力イ ンターフェース５２８へ出力される。処理ステップ２２Ｇにおいて、アナログ入 力信号がアナログ／ディジタル・コンバータ５４６によりディジタル表示へ変換 される。

処理ステップ２２８において、測定パラメータのディジタル表示がアナログ表示 を受けるオフセットおよび限度を勘案してスケールされる。全ての使用可能なデ ィジタル範囲にわたり拡張するようにディジタル表示を調整することが、スケー ル機能の目的である。処理ステップ２３０において、測定パラメータのディジタ ル表示がプロセッサ・モジュール１１０によるアクセスのためデュアル・ボート ・メモリー５０４へ書込まれる。

弁制御ループと関連する次の３つの処理モードが提供される。即ち、アナログ出 力指令がゼロに等しくセットされる空白モード、アナログ出力指令が出力レジス ターベクトル・データと共に含まれるベクトルに等しくセットされるプログラム ・モード、およびアナログ出力指令値が制御アルゴリズムに従って計算される制 御モードである。判断ステップ２３２において、空白モードがプログラムされた かどうかが判定される。空白モードがプログラムされたならば、アナログ出力指 令が処理ステップ２３４においてゼロあるいは適当な空値に等しくセットされる 。処理ステップ２３６乃至２４０は、処理ステップ２４０に続くフローチャート の主線へ戻るフロー制御線により示されるように飛越される。空白モードがプロ グラムされなかったとすると、判断ステップ２３６が、形態ベクトルによりプロ グラム・モードが真にセットされたかどうかを検出する。もしそうであれば、ア ナログ出力指令が処理ステップ２３８における設定点値と等しくセットされ、処 理ステップ２４０は飛越される。判断ステップ２３６においてプログラム・モー ドがアクティブ状態にセットされないと判定されるならば、実行は処理ステップ ２４０で継続し、ここでアナログ出力指令が、以下に更に詳細に述べるように関 連する制御アルゴリズムに従って計算される。

処理ステップ２３４．２３８および２４０の実行に続いて、図４ｂのフローチャ ートの実行は処理ステップ２５０乃至２４４に継続して２つの別の実施例に従っ て制御信号を生じる。第１の別の実施例においては、弁型流制御部を含む制御弁 へ直接加えるためアナログ出）Ｊ指令が生成される。本例においては、ステップ ２３４．２３８および２４０生じるアナログ出力指令は処理ステップ２５０にお いてディジタル／アナログ・コンバータ５５２を介して出力される。その後、ア ナログ出力指令値が、処理ステップ２４２においてプロセッサ・モジュール１１ ０によるアクセスのためデュアル・ポート・メモリー５０４の出力ベクトル場所 へ書込まれる。第２の別の実施例においては、弁電流制御がディジタル信号プロ セッサ５０６により行われ、ステップ２５０は飛越される。ステップ２４２に続 いて更に別の処理が行われて弁制御信号を生じる。処理ステップ２６０において 、弁型流制御信号値が計算される。処理ステップ２６２において、電流制御信号 がディジタル／アナログ・コンバータ５５２を介して出力される。処理ステップ ２６４において、電流指令および電流制御信号がプロセッサ・モジュール１１０ によるアクセスのためデュアル・ポート・メモリー５０４へ書込まれる。その後 、端子２４４の戻りを介してバックグラウンド処理が再開される。

図４ｂのフローチャートの処理ステップ２４０と関連するアナログ出力指令を計 算するための手順の詳細な説明が、図５８のフローチャートに関して行われる。

処理ステップ３５０において、圧力および速度に対するプログラム設定点が、デ ュアル・ポート・メモリーの出力レジスタ・ベクトル場所からディジタル信号プ ロセッサ５０６のローカル・メモリーへ読出される。処理ステップ３５２におい て、制御アルゴリズム利得が、デュアル・ポート・メモリー５０４からディジタ ル信号プロセッサ５０６のローカル・メモリーへ読出される。処理ステップ３５ ４において、プログラムされた値開のゆるやかな変化を生じるようにデュアル・ ポート・メモリー５０４から読出された設定点値が予め定めた過渡的機能に従っ て調整される。特に、速度指令における変更は、予め定めた加速および減速機能 に従って行われ、圧力指令における変更は予め定めたランプ機能に従って行われ る。加速、減速およびランプ機能の一般的形態は下記の如くである。即ち、Ｓ　 Ｐ　Ｅ　Ｆ−＝Ｓ　Ｐ　Ｅ　Ｆ−＋　＋　（Ｓ　Ｔ　Ｐ　Ｔ　Ｓ　Ｐ　Ｅ　Ｆ　 Ｎ−＋）　＊　Ｋｌ＋但し、 ５ＰＥＦ＝有効設定点 ５ＴＰＴ＝プログラムされた設定点 に、＝ランプ機能の利得 Ｎ＝相互作用指数 射出成形機のクランプ機構の制御と関連して用いられる如く設定点値の位置に基 く切換えを許容するように、過渡的位置に対する設定点値の勾配を生じるため更 に他の設定点調整が行われる。位置に基く勾配を生じるアルゴリズムは下記の如 くである。即ち、 Ｓ　Ｐ　Ｅ　ＦＮ＝ＳＴ　Ｐ　Ｔ２＋ＫＰｌ＊　（（ＡＣＴＰ　ＯＳＮ　Ｐ　Ｏ ３り−ｂ、）””（ＳＴＰＴ、−３ＴＰＴ２） 但し、 ５ＰＥＦ＝有効設定点 ５ＴＰＴ、＝過渡的位置までプログラムされた設定点５ＴＰＴ２＝過渡的位温か らプログラムされた設定点ＰＯ５，＝過渡的位置 ０　、、、＝括弧式の絶対値 ＡＣＴＰＯ３＝測定位置 Ｎ＝相互作用指数 クランプ機構１２に用いられる如（、ＡＣＴＰＯ５はポテンショメータ１６１か ら得られる。

更に図５ａに関して、判断ステップ３５６において、指標Ｉにより示される出力 指令に対して速度制御アルゴリズムカ呵能化されたかどうか判定される。もしそ うでなければ、アナログ出力指令値ＣＭＤＩが処理ステップ３５８において有効 速度設定点値に等しくセットされる。判断ステップ３５６において値制御アルゴ リズｔ・の４算が可能化されると判定されるならば、実行は処理ステップ３６０ で継続し、ここで速度指令値が下記に従って計算される。即ち、Ｖ　ＣＭＤ　Ｉ Ｍ＝　Ｖ　ＣＭＤ　＋　＋５−２１　＋　Ｖ　Ｋ　１　＊　Ｅ　Ｎ　＋　Ｖ　Ｋ ２＊　Ｅ　（Ｎ−１１＋　Ｖ　Ｋ：ｌ＊　Ｅ@（Ｎ−２１ 但し、 ＶＣＭＤ＝弁位置を定義する速度出力指令Ｅ＝サーボ・誤差、即ち、ＶＳＰＥＦ ＋ｓとＶＦＤＢＫＩＮの差イ１１し、 ＶＳＰＥＦ＝有効速度設定点 ＶＦＤＢＫ＝測定速度 Ｉ＝ループ這択指標 ＶＫ、＝第１の速度ループ利得 ＶＫ２＝第２＝速度ループ利得 ＶＫｊ＝第３の速度ループ利得 Ｎ＝相互作用指標 利得ＶＫ、、ＶＫ２およびＶＫ、は、下式に従って比例ＶＫ、、積分ＶＫ、およ び微分ＶＫ、利得と関連する。即ち、 ＶＫｌ＝ＶＫ、＋２ＶＫ、／Ｔ＋ＶＫ、Ｔ／２ＶＫ２＝ＶＫ、Ｔ−４ＶＫｄ／Ｔ ＶＫ３＝ＶＫ、Ｔ／２＋２ＶＫ、／Ｔ−ＶＫ。

但し、Ｔ＝ループ閉鎖間隔の時間 更に図５３のフローチャートに関して、判断ステップ３６２において、圧力制御 アルゴリズムの計算が可能化されたかどうかが判定される。もしそうでなければ 、圧力指令が処理ステップ３６８において最大値にセットされる。判断ステップ ３６２において、圧力ループ制御アルゴリズムの計算が可能化されると判定され るならば、圧力指令ＰＣＭＤ、が処理ステップ３７０において計算される。その 後、弁制御割込みルーチンの実行が端子３７２を介して続けられる。圧力指令の 計算は下記に従って行われる。即ち、Ｐ　ＣＭＤ　ＩＩＩ＝　Ｐ　ＣＭＤ　Ｉ　 ＋Ｉ＋−２１＋　Ｐ　Ｋｌ　＊　ＥＮ＋　Ｐ　Ｋ２＊　Ｅ　（Ｎ−１１＋　Ｐ　 Ｋ：＋＊　Ｅ　（m−２＋ 但し、 ＰＣＭＤ＝弁位置を定義する圧力出力指令Ｅ＝サーボ誤差、即ち、Ｐ　Ｓ　Ｐ　 Ｅ　Ｆ　１．およびＰＦＤＢＫ、、の差但し、 ＰＳＰＥＦ＝有効圧力設定点 ＰＦＤＢＫ＝測定圧力 ■＝ニル−選択指標 ＰＫ、＝第１の圧力ループ利得 ＰＫ２＝第２＝圧力ループ利得 ＰＫ３＝第３＝圧力ループ利得 Ｎ＝相互作用指標 また、利得ＰＫいＰＫ、おわりＰＫｌは、速度ループ・アルゴリズム計算に関し て述べたように、比例ＰＫ、、積分ＰＫ、および微分ＰＫ、利得と関連している 。

図４ｂのフローチャートの処理ステップ２５０と関連する弁位置指令を出力する 手順は、図５ｂのフローチャー１・により詳細に示される。判断ステップ３８０ において、速度指令Ｖ　ＣＭ　Ｄ　＋値と圧力指令ＰＣＭＤ、値の大きい方が決 定される。

速度指令ＶＣＭＤ、が制御される弁の比較的大きな閉鎖位置を定義するならば、 速度指令値は制御弁に対する最終出力のためセーブされる。判断ステップ３８０ において、圧力指令ＰＣＭＤ、が制御弁の更に閉じた位置を定義すると判定され るならば、圧力指令値は処理ステップ３８４において指令値としてセーブされる 。

圧力指令の計算がアクティブ状態ループに対して可能にされなかったならば、ア クティブ状態指令Ｐ　ＣＭ　Ｄ　＋は速度制御が行われることを保証する最大値 にセットされることが思出されよう。処理ステップ３８６において、セーブされ た指令値は予め定めた最小値および最大値より小さくないか大きくない大きさを 定義するように調整される。図５ｂのフローチャートの比較および選択ルーチン の効果は、調整可能な圧力設定点を用いて速度制御の間圧力の解放を行うことで ある。その後、弁制御アルゴリズムの実行が端子３８８を通して続けられる。

弁電流制御を提供する別の実施例と関連する電流制御信号を生じるための処理ス テップ２６０と関連する手順の詳細な説明は、図５ｃのフローチャートに関して 行う。処理ステップ３４０において、測定値位置信号がアナログ表示からディジ タル表示へ変換される。処理ステップ３４２において、弁制御ループ利得がデュ アル・ポート・メモリーからディジタル信号プロセッサ５０６のローカル・メモ リーへ読出される。処理ステップ３４４において、弁型流指令値が下記の制御ア ルゴリズムに従って計算される。即ち、１　ＣＭＤＩＮ＝　Ｉ　ＣＭＤ　＋　ｎ ＋−２，＋　ＳＫＩ＊　ＥＮ＋　ＳＫｚ＊　Ｅ　（Ｎ−１１＋　ｓＫ＊＊　Ｅ　 （Ｎ−２１但し、 ＩＣＭＤ＝弁電流を定電流る電流出力指令Ｅ＝サーボ誤差、即ち、ＣＭ　Ｄ　Ｉ 　Ｎおよび５ＦＤＢＫ、、の差但し、 ＣＭＤ＝弁位遣指位 置ＦＤＢＫ＝測定弁位置 ■＝ニル−選択指標 ５Ｋｌ＝第１の位置ループ利得 ５Ｋ２＝第２の位置ループ利得 ５Ｋ３＝第３の位置ループ利得 Ｎ＝反復指標 また、利得ＳＫ１、ＳＫ、およびＳＫ、は、速度ループ・アルゴリズムの計算各 二関して述べたように、比例ＳＫ、、積分ＳＫ、、微分ｓＫａ利得と関連して（ Ｘる。

図２の弁１７０の制御に対するように、測定弁スプール位置５ＦＤＢＫＩよＬＶ ＤＴ１７１から得られる。

更に図５０に関して、処理ステップ３４６において、アナログ／ディジタル・コ ンバータ５４６により測定値電流信Ｓ′Ｊ−がアナログ表示からディジタル表示 へ変換される。処理ステップ３４８において、電流制御信号値が下記の形態をも つ電流制御アルゴリズムに従って引算される。即ち、Ｉ　ＣＮＴ＋ｓ＝　Ｉ　Ｃ ＮＴ＋　（Ｎ−２１＋　Ｉ　Ｋｌ　＊　ＥＮ＋　Ｉ　Ｋ２＊　Ｅ　（ｓ−１１＋ 　Ｉ　Ｋ３＊　Ｅ　（Ｎ−２１但し、 ＩＣＮＴ＝電流出力信号 Ｅ＝サーボ誤差、即ち、ＩＣＭＤ＋ＮとＩＦＤＢＫ、。

但し、 ＩＣＭＤ＝弁電流指令 ＩＦＤＢＫ＝測定弁電流 ■＝ニル−選択指標 １に、−第１の電流ループ利得 ＩＫ２＝第２＝電流ループ利得 １に３＝第３の電流ループ利得 Ｎ＝相互作用指標 また、生じるＩＫ、、ＩＫ２およびＩＫ、は、速度ループ・アルゴリズムの計算 に関して述べたように、比例ＩＫ、、積分積分、および微分積分、利得と関連し ている。

図２の弁１７０の制御におけるように、測定弁電流Ｉ　ＦＤＢＫが分路抵抗１７ ２から得られる。その後、弁制御手順の処理が端子３４９を介して続けられる。

（温度制御処理） ディジタル信号プロセッサ５０６は、５０ミリ秒の温度制御ループ閉鎖間隔で温 度制御アルゴリズムを実行する。例えばヒータ・バンド４６乃至５４に対する電 力供給のデユーティ・サイクルを制御するための制御信号を生じる８つまでの温 度制御ループに対して処理が行われる。このデユーティ・サイクル周期はプログ ラム可能であり、プログラム可能周期内の有効デユーティ・サイクルは、５％増 分にてプログラム可能である。デユーティ・サイクル周期は、ディジタル形態ベ クトルでプログラムされたデータにより定義される。デユーティ・サイクル指令 値の計算は、測定温度、温度設定点、およびループ・アルゴリズム利得定数によ り表わされる如きプラント・パラメータと関連するＰＩＤ制御アルゴリズムに従 って行われる。先に述べたように、測定温度は、熱電対から得られ、信号処理モ ジュール１０４に対する熱電対リードの接続により生じる有効熱電対の補償は各 熱電対入力毎に行われる。この補償は、以下本文において「冷接合補償」と呼ば れる。

ディジタル信号プロセッサ５０６により実行される温度制御手順の記述は、図４ ０のフローチャートに関して行われる。弁制御手順の場合のように、温度制御処 理は形態ベクトルで与えられる指令によりプロセッサ・モジュール１１０により 不能化される。判断ステップ２７０において、温度制御ループ処理が可能化され たかどうかが判定される。もしそうでなかったならば、端子２７１の戻りを介し てバックグラウンド処理が再開される。温度制御ループ処理が可能化されたなら ば、処理ステップ２７２において実行が継続し、ここでディジタル形態ベクトル がデュアル・ポート・メモリー５０４へ書込まれたことを示す状態フラッグがセ ットされるかどうかが判定される。形態ベクトルが一切書込まれなかったならば 、温度制御ループ処理は行われない。その代わり、冷接合補償サニミスタ値が、 処理ステップ２７３においてアナログ／ディジタル・コンバータ５４６により変 換され、バックグラウンド処理が端子２７４の戻りを介して再開される。

更に図４Ｃに関して、温度制御ループ処理が可能化されディジタル形態ベクトル が書込まれたものとすれば、実行は処理ステップ２７６において継続し、ここで ループ処理の速度を制御するため使用された割込みカウンタが増分される。

判断ステップ２７８において、割込みカウンタがデユーティ・サイクル周期内の 温度制御ループ処理を行うため要求される予め定めた限度に等しいかどうかが判 定される。判断ステップ２７８において、割込みカウンタがこの限度値に等しく ないと判定されるならば、バックグラウンド処理の実行は端子２８０を介する戻 りを介して再開される。

１つのデユーティ・サイクル・カウンタを用いて、８つの全ての温度制御出力に 対するデユーティ・サイクル制御を行う。処理ステップ２８２において、デユー ティ・サイクル・カウンタが、割込みがプログラムされた限度値まで増分された 毎に１回増分される。デユーティ・サイクル・カウンタは、二次的に用いられて 温度制御手順の実行毎に実行されるヒータ制御信号処理の選択を制御する。デユ ーティ・サイクルの５％増分を行うためには、デユーティ・サイクル・カウンタ が８つの温度制御信号に対してデータを選択するため要求されるよりも大きい状 態数を持つことが判るであろう。判断ステップ２８４において、デユーティ・サ イクル・カウンタのその時の値が温度制御処理が要求されない値と等しいかどう かが判定される。もしそうであれば、バックグラウンド処理の実行は端子２８６ の戻りを介して再開される。

デユーティ・サイクル・カウンタ値がノーオペレーション値と等しくないものと すれば、図４０のフローチャートの実行は判断ステップ２８８において続行する 。ここで、デユーティ・サイクル・カウンタ値が冷接合補償処理を行うため割当 てられ値に対応するかどうかが判定される。もしそうでなければ、選択された温 度制御手順の処理が影響を受ける。処理ステップ２９４において、選択された熱 電対入力が変換される。判断ステップ２９６において、温度制御手順のプログラ ムされたモードがプロセッサ・モジュール１１０によりノーオペレーション条件 に等しくセットされたかどうかが判定される。もしそうであれば、バックグラウ ンド処理の実行が端子２９８を介する戻りを介して続行する。

プロセッサ・モジュール１１０が温度制御処理の空白モードを要求しなかったも のとすると、図４ｃのフローチャートの実行が判断ステップ３００において続行 し、ここでヒータ制御値が計算されるべきかどうかが判定される。もしそうであ れば、実行は処理ステップ３０２において続行し、ここでデユーティ・サイクル に対する新しい値が下記のアルゴリズムに従って測定温度に応答して計算される 。即ち、 Ｄ　ＣＭＤ　＋Ｎ＝Ｄ　ＣＭＤ　Ｉ　（Ｎ−２１＋ＨＫ　＋　＊　ＥＮ＋ＨＫ２ ＊　Ｅ　０１−１１　＋ＨＫｓ＊　Ｅ　（Ｎ−２１但し、 ＤＣＭＤ＝デユーティ・サイクル指令 Ｅ＝サーボ誤差、即ち、ＴＳＰＥＦ、、およびＴＦＤＢＫ、、の差但し、 ＴＳＰＥＦ＝温度有効設定点 ＴＦＤＢＫ＝測定温度 ■＝ニル−選択指標 ＨＫ、＝第１の加熱ループ利得 ＨＫ２−第２の加熱ループ利得 ＨＫ１＝第１＝加熱ループ利得 Ｎ＝相互作用指標 また、利得ＨＫ、、ＨＫ２およびＨＫ３は、速度ループ・アルゴリズムの計算に 関して述べたように、比例ＨＫ、、積分ＨＫ、および微分ＨＫ、利得と関連して いる。

デユーティ・サイクル指令値ＤＣＭＤＩの計算に続いて、ヒータ制御信号の値が 処理ステップ３０６において計算される。ヒータ制御信号は、電力が次の温度制 御ループ閉鎖間隔の間関連するヒータ・バンドへ与えられるべきかどうかを定義 する。有効デユーティ・サイクル指令値は、割込みカウンタのその時の値と組合 わされて制御信号の所要の状態を生じる。処理ステップ３０８において、計算値 がプロセッサ・モジュール１１０によるアクセスのためデュアル・ポート・メモ リー５０４へ書込まれる。その後、バックグラウンド処理の実行は、端子３１０ を介する戻りを介して再開される。

判断ステップ３００においてデユーティ・サイクルの計算が行われないと判定さ れるならば、処理ステップ３０２が飛越され、デユーティ・サイクル値がディジ タル信号プロセッサ５０６のローカル・メモリーにおけるデユーティ・サイクル ・レジスタへ直接ロードされることになる。その後、先に述べたように、ヒータ 制御信号が処理ステップ３０６において計算される。デユーティ・サイクル・レ ジスタの内容はプロセッサ・モジュール１１０により使用されて、例えば、信号 処理モジュール１０４におけるＤＣ出カインターフェース１０２またはＤＣ出力 インターフェース回路５２８を介して、２進制御信号を生じる。信号処理モジュ ール１０４に対する熱電対リードの接続における有効熱電対接合の冷接合補償は 、デユーティ・サイクル・カウンタの１つの状態に対して予約される。

判断ステップ２８８においてデユーティ・サイクル・カウンタが冷接合補償を行 うための状態に等しいと判定されるならば、図４０のフローチャートの手順の実 行は処理ステップ２９０において続行し、ここで冷接合サーミスタ５５０のアナ ログ表示がアナログ／ディジタル・コンバータ５４６によりディジタル表示へ変 換される。処理ステップ２９２において、冷接合温度値が選択された測定温度イ ｌＩ′１へ加算される１、その後、図４ｃのフローチャートの実行は先に述べた ように、判断ステップ２９６において続行する。

（ＤＣ出力インターフェース） ２進制御信号が図４ｂに示される処理ステップ２２４においてＤＣ出力インター フェース回路へ出力されることが思出されよう。２進出力インターフエースの最 終制御がプロセッサ１１０により実行されるアプリケーション・プログラム１６ ０により決定される間、出願人は、これら回路が例えばヒータ・バンド４６乃至 ５４へ電力を供給するためのスイッチング・デバイスを動作させるに充分なロー ド電流容量を提供した。２進出力インターフエースが信号処理モジュール１０４ を介する制御に適する他の機械の諸デバイスと関連して使用できることが認識さ れよう。いずれの場合も、回路構成要素に対する損傷を防止するため、これら出 力インターフェース回路に対する過電流保護を提供することが望ましい。

過電流保護回路を含む例示的な２進出力インターフェース回路について、図６に 関して記述する。出力駆動トランジスタ４００はＭＯ３電界効果トランジスタで ある。出力トランジスタ４００のスイッチング動作は、駆動トランジスタ４０２ により生じるゲート制御信号により制御され、このトランジスタは通常の動作に おいて、ディジタル信号プロセッサ５０６から復号されるＤＣ出力指令に応答し てオン／オフされる。抵抗４０８および４１０は、駆動トランジスタ４０２のベ ース−エミッタ接合に対する順バイアス電圧を生じるためＡＮＤゲート４１２の 出力に電圧分割ネットワークを提供する。駆動トランジスタ４０２が導通状態に なると、抵抗４０４．４０６は電圧分割器を形成して出力トランジスタ４００の 導通のため要求されるゲート・バイアス電圧を牛じる。

出力トランジスタ４００に破壊のおそれがある電流レベルが流れることを阻止す るため、２段の過電流保護が提供される。第１に、出力トランジスタ４００を飽 和状態から一時的に切換えることにより、瞬間的な過電流条件に応答して短期の 電流制限が提供される。電流制限は、出力電源と出力トランジスタ４００の電源 端子との間に接続された電流検出抵抗４１２により測定される負荷電流により制 御される。電流検出抵抗電圧は、電流制限抵抗４１４により電流制限トランジス タ４１８のベースに接続される。コンデンサ４１６は、電流制限トランジスタ４ １８の応答の遅れを生じて負荷電流信号のフィードバックからの振動を防止する 。負荷電流が予め定めた制限値に達すると、電流検出抵抗４１２の両端に現れる 電圧はトランジスタ４１８のベース−エミッタ接合に順バイアスを与えるに充分 になり、トランジスタ４１８を導通状態にする。電流制限トランジスタ４１８は 出力トランジスタ４００のゲートにおける電圧を増加するように線形的に動作さ れて、出力トランジスタ４００を飽和状態から保護し、これにより流される電流 を制限する。

過電流保護の第２段は、電流制限トランジスタ４１８により行われる電流制限時 間を監視し、長い過電流状態を検出するとこれに応答して全てのＤＣ出力インタ ーフェース回路に対してラッチされた禁Ｌｌ：信号を生じる。電流制限トランジ スタ４１８の導通条件は、入力ダイオード４２２を介して過電流ラッチ回路へ接 続される。各ＤＣ出力インターフェース回路に対する電流制限出力信号は、同様 に過電流ラッチ回路の入力ダイオードへ与えられ、入力ダイオードの接続により 有効にＯＲされる。抵抗４２４および４２６は、電圧分割器として働いて抵抗４ ２８およびコンデンサ４３０により生成される容量性調時ネットワークを充電す るための電圧を生じる。抵抗４２８およびコンデンサ４３０のネットワークの時 定数は、出力を不能状態にする前に、予め定めた電流制限期間を提供する。

過電流制限期間が充分に長ければ、コンデンサ４３０が予め定めた基準値を越え るバイアス電圧まで充電される。この条件は、抵抗４３２．４３４により形成さ れる電圧分割器により基準値が与えられるコンパレータ４３６で検出される。コ ンパレータ４３６において電流制限期間コンデンサが基準電圧まで充電されたと 判定されると、コンパレータ４３６の出力はフリップフロップ４３８をセットし て、各ＤＣ出力インターフェース回路の入力におけるゲート回路へ与えられるラ ッチ出力不能化信号を生じる。このラッチ信号は、ＡＮＤゲート４００の人力と して現れる。フリップ７０ツブ４３８がセットされると、駆動トランジスタ４０ ２は導通状態から出るようバイアスされ、フリップフロップ４３８がディジタル 信号プロセッサ５０６の出力から復号されるリセット信号の印加によりリセット されるまで、オンに切換えられることを不能化される。

望ましい実施態様において記載される２段の過電流保護の教示は、電流の制限お よび時間に基くラッチ動作を行うように別の構成要素を用いて応用できることが 理解されよう。この技法は、同じ技法がバイポーラ・電力トランジスタにおける 使用に容易に用いられるため、ＭＯＳ　ＦＥＴ）ランジスタに対する応用に限定 されるものと見做されるべきではない。

浄書（内容に変更なし） 浄書（内容に変更なし） 浄書（内容に変更なし） ＦＩＧ、　５ａ　ＦＩＧ、　５ｂ ＦＩＧ、　６ 手続補正書□ １、事件の表示 ＰＣＴ／ＵＳ９１１０９２１９ 平成４年特許願第５０４３０５号 ２、発明の名称 成形機のためのサーボ制御装置 ３、補正をする者 事件との関係　特許出願人 住所 名　称　シンシナティ・ミラクロン・インコーホレーテッド４、代理人 住　所　東京都千代田区大手町二丁目２番１号６、補正の対象 （１）出願人の代表音名を記載した国内書面（２）委任状及び翻訳文

Claims (25)

【特許請求の範囲】
1. １．測定温度および選択された射出成形機条件の測定値を表わす測定パラメータ 信号を生成するトランスジューサを備えた成形機の諸機構およびヒータを含む射 出成形機の諸デバイスのサーボ制御のための装置であって、前記諸デバイスの所 定の動作を定義する設定点値を表わす指令入力信号に応答してデバイス制御信号 を生成する装置において、 ａ．第１の予め定めたループ閉鎖インターバルで機構条件を表わす測定パラメー タ信号を周期的にサンプリングし、かつ第２のループ閉鎖インターバルで温度を 表わす測定条件信号を周期的にサンプリングする手段と、ｂ．前記指令入力信号 と、前記測定パラメータ信号のサンプル値とに応答して、第１の選択された設定 点値と機構条件値とに関連するアナログ・ループ・アルゴリズムを周期的に実行 して前記第１のループ閉鎖インターバルで機構制御信号を生成し、かつ第２の選 択された設定点値と測定温度とに関連する温度ループ・アルゴリズムを周期的に 実行して前記第２のループ閉鎖インターバルでヒータ制御信号を生成するプロセ ッサと を設けてなる装置。
2. ２．前記機構が、電気的に動作させられる液圧作動弁により制御され、前記プロ セッサが、設定点値と測定値とに関連する各弁に対するアナログ・ループ・アル ゴリズムを実行して弁閉鎖の大きさを定義する弁位置指令を生じ、弁位置指令値 と測定値とに関連する各弁に対する弁位置ループ・アルゴリズムを実行し弁電流 値を生じ、弁電流指令値と測定弁電流とに関連する各弁に対する電流ループ・ア ルゴリズムを実行して関連する機構制御信号により表わされる弁制御値を生じる 請求の範囲第１項記載の装置。
3. ３．前記機構が、電気的に動作させられる液圧作動弁により制御され、前記プロ セッサが、設定点値と測定値とに関連する各弁に対するアナログ・ループ・アル ゴリズムを実行して関連する機構の制御信号により表わされる弁閉鎖の大きさを 定義する弁位置指令を生じる請求の範囲第１項記載の装置。
4. ４．機構制御信号を弁へ与える弁駆動インターフェース回路を更に設けてなる請 求の範囲第３項記載の装置。
5. ５．前記成形様が、ダイ構成要素が取付けられた可動盤と、該可動盤の実際の位 置を測定する第１のトランスジューサとを含み、前記プロセッサが、可動盤の測 定位置の変化レートと設定点速度とに関連するクランプ速度ループ・アルゴリズ ムを実行して前記可動盤の速度を制御する制御信号を生じる請求の範囲第３項記 載の装置。
6. ６．前記プロセッサが、前記設定点速度を修正して前記可動盤の予め定めた場所 において速度変化を生じるランプ機能を実行する請求の範囲第５項記載の装置。
7. ７．前記成形機が、単部内へモールドされるように材料を強制する射出ラムと、 該射出ラムの実際の位置を測定する第２のトランスジューサと、材料を射出する ため与えられる液圧力を測定する第３のトランスジューサとを含み、前記プロセ ッサが、ｉ）第１の所定の射出制御弁位置指令値を生じる射出ラムの測定位置の 変化レートと射出速度設定位置とに関連する射出速度ループ・アルゴリズムと、 ｉｉ）測定射出圧力と、射出圧力設定点とに関連する射出圧力ループ・アルゴリ ズムとを実行して、第２の所望の射出制御弁の位置指令値を生じ、プロセッサは 、前記第１および第２の所望の射出制御弁位置指令値を組合わせて射出ラム制御 信号を生じる請求の範囲第３項記載の装置。
8. ８．前記射出ラム位置の測定値について演算して射出ラム位置の変化レートを決 定するアナログ微分器を更に設けてなる請求の範囲第７項記載の装置。
9. ９．前記成形機が、射出成形される材料を可塑化する押出し機と、実際の押出し 機の角速度を測定する第４のトランスジューサとを含み、前記プロセッサが、押 出し機の設定点速度と測定された押出し機の角速度とに関連する押出し機速度ル ープ制御アルゴリズムを実行して押出し機制御信号を生じる請求の範囲第３項記 載の装置。
10. １０．前記プロセッサが、測定温度と温度設定点とに関連する熱制御アルゴリズ ムを実行して、プログラム可能デューティ・サイクル周期中有効なヒータ付勢の デューティ・サイクルを定義するデューティ・サイクル指令値を生じる請求の範 囲第１項記載の装置。
11. １１．前記温度測定トランスジューサが成形機に取付けられた熱電対であり、前 記サンプリング手段に対する熱電対の接続の効果に対して測定温度を補償する冷 接合補償手段を更に設ける請求の範囲第１０項記載の装置。
12. １２．前記装置が更に、２進制御信号を選択された成形機のデバイスへ与えるＤ Ｃインターフェース回路を含む請求の範囲第１項記載の装置。
13. １３．前記ＤＣインターフェース回路が、ａ．前記インターフェース回路により 負荷に対して送られる電流を制限する電流制限回路と、 ｂ．電流制限の期間中監視する手段と、ｃ．電流制限期間が予め定めた制限を越 える時、前記監視手段に応答して前記インターフェース回路の出力をディセーブ ル状態にする手段とを含む請求の範囲第１２項記載の装置。
14. １４．選択された射出成形機の条件の測定値を表わす測定パラメータ信号を生じ るトランスジューサを備えた射出成形機の機構制御弁のサーボ制御の方法であっ て、制御される機構の所定の動作が成形機の動作パラメータの設定点値を表わす 設定点信号により定義される方法において、ａ．第１の予め定めたループ閉鎖イ ンターバルで機構条件を表わす測定パラメータ信号を周期的にサンプリングして アナログ入力信号を生成し、ｂ．第１の選択されたアナログ入力信号と、第１の 設定点信号と、該第１の設定点値と制御される機構の動作により影響を受ける第 １の測定パラメータ値に関連する予め定めたアルゴリズムとに応答して、第１の 指令値を生成し、ｃ．第２の選択されたアナログ入力信号と、第２の設定点信号 と、該第２の設定点値と制御される機構の動作により影響を受ける第２の測定パ ラメータ値に関連する第２の予め定めたアルゴリズムとに応答して、第２の指令 値を生成し、ｄ．制御される値の更に厳密な条件を定義する第１の指令値と第２ の指令値の一方を選択し、 ｃ．選択された指令値に応答して弁制御信号を生成するステップを含む方法。
15. １５．前記第１の選択されたアナログ入力信号が、制御されるデバイスの動作に より影響を受ける速度を表わし、前記第１の予め定めたアルゴリズムが速度設定 点値と測定速度値とに関連する請求の範囲第１４項記載の方法。
16. １６．前記第２の選択されたアナログ入力信号が、制御される弁を介して与えら れる作動流体圧力を表わし、前記第２の予め定めたアルゴリズムが、圧力設定点 値と測定作動流体圧力とに関連する請求の範囲第１５項記載の方法。
17. １７．測定温度および選択された成形機条件の値を表わす測定パラメータ信号を 生成するトランスジューサを備えた、諸機構およびヒータを含む射出成形機のデ バイスのサーボ制御のための方法であって、前記デバイスが、該デバイスの所望 の動作を定被する設定点値を表わす設定点信号に応答して生成される制御信号に 応答して制御される方法において、 ａ．第１の予め定めたループ閉鎖インターバルを定義する第１の割込み信号を周 期的に生成し、 ｂ．第２の予め定めたループ閉鎖インターバルを定義する第２の割込み生じるを 周期的に化成し、 ｃ．第１の予め定めたループ閉鎖インターバルで成形機の条件を表わす測定パラ メータ信号をサンプリングし、 ｄ．第２のループ閉鎖インターバルで温度を表わす測定条件信号をサンプリング し、 ｅ．第１の選択されたパラメータ値と、第１の選択された設定点値と、機構の条 件値とに関連するアナログ・ループ・アルゴリズムを実行して、第１のループ閉 鎖インターバルで機構の制御信号を生成し、ｆ．第２の選択されたパラメータ位 と、第２の選択された設定点値と、測定された温度とに関連する制御温度ループ ・アルゴリズムを実行するステップを含む方法。
18. １８．前記機構が電気的に動作させられる液圧作動弁により制御され、機構の制 御信号を生成するステップが更に、 ａ．設定点値と測定値とに関連する各弁に対するループ・アルゴリズムを実行し て、弁の閉鎖の大きさを定義する弁位置指令を生成し、ｂ．弁位置指令値に関す る各弁と測定弁位置に関する各弁に対する弁位置ループ・アルゴリズムを実行し て弁電流値を生成し、ｃ．弁電流指令値と測定弁電流とに関連する各弁に対する 電流ループ・アルゴリズムを実行して、関連する機構制御信号により表わされる 弁制御値を生成するステップを含む請求の範囲第１７項記載の方法。
19. １９．前記機構が、電気的に動作させられる液圧作動弁により制御され、機構の 制御信号を生成するステップが更に、設定点値と測定値とに関連する各弁に対す るループ・アルゴリズムを実行して関連する機構制御信号により表わされる弁の 閉鎖量を定義する弁位置指令を生成する請求の範囲第１７項記載の方法。
20. ２０．前記成形機が該成形機の構成要素の実際の位置を測定する位置トランスジ ューサと、関連する機構アクチュエータへ与えられる作動流体圧力を測定する圧 力トランスジューサとを含み、機構の制御信号を生成するステップが更に、ａ． 成形機構成要素の測定位置の変化レートと速度設定点とに関連する速度ループ・ アルゴリズムを実行して、第１の所定の制御弁位置指令値を生成し、ｂ．測定圧 力と圧力設定点とに関連する圧力ループ・アルゴリズムを実行して、第２の所定 の制御弁位置指令値を生成し、ｃ．前記第１および第２の所定の制御値位置指令 値を組合わせて機構制御信号を生成するステップを含む請求の範囲第１９項記載 の方法。
21. ２１．前記第１および第２の制御弁位置指令値を組合わせるステップが更に、ａ ．第１および第２の制御弁位置指令値を比較し、ｂ．弁の更に厳密な位置を定義 する前記制御弁位置指令値を選択することを含む請求の範囲第２０項記載の方法 。
22. ２２．ダイ構成要素が載置される可動盤を作動させるクランプ機構と、該可動盤 の実際の位置を測定する第１のトランスジューサとを設け、前記クランプ機構に 対する機構制御信号を生成するステップが更に、前記可動盤の測定位置の変化レ ートおよび設定点速度に関するクランプ速度ループ・アルゴリズムを実行して、 可動盤の速度を制御する機構制御信号を生成するステップを含む請求の範囲第１ ９項記載の方法。
23. ２３．前記機構制御信号を生成するステップが更にランプ機能を実行して設定点 速度を修正し、可動盤の予め定めた場所における速度変化を生じることを含む請 求の範囲第２２項記載の方法。
24. ２４．前記成形機が、単部内へモールドされるように材料を強制する射出ラムと 、該射出ラムの実際の位置を測定する第２のトランスジューサと、射出される作 動流体圧力を測定する節３のトランスジューサとを含み、機構制御信号を生成す るステップが更に、 ａ．射出ラムの測定位置の変化レートおよび射出速度設定点に関する射出速度ル ープ・アルゴリズムを実行して第１の所望の射出制御弁位置指令値を生成し、ｂ ．測定された射出圧力および射出圧力設定点に関する圧力ループ・アルゴリズム を実行して、第２の所望の射出制御弁位置指令値を生成し、かつｃ．前記第１お よび第２の所望の射出制御弁位置指令値を組合わせて制御信号を生成することを 含む請求の範囲第１９項記載の方法。
25. ２５．ヒータ制御信号を生成するステップが更に、測定された温度および温度設 定点に閲する熱制御アルゴリズムを実行して、プログラム可能デューティ・サイ クル期間におけるヒータ付勢のデューティ・サイクルを定義するデューティ・サ イクル指令値を生成するステップを含む請求の範囲第１７項記載の方法。