JPH0651070A - デジタルラジオグラフィ−で使用するのためのハイブリッド半導体画素検出器アレイ - Google Patents
デジタルラジオグラフィ−で使用するのためのハイブリッド半導体画素検出器アレイInfo
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Abstract
査が可能なX線非破壊試験システムを提供することを目
的とする。 【構成】 高エネルギ管、コバルト60、シンクロトロン
等のX線源12と、それにより発生されるX線15に露出さ
れて選択的にX線を吸収する被試験物体と、被試験物体
に接近して配置されて被試験物体を通過する吸収されて
いないX線光子を受けて電気信号に変換するハイブリッ
ド半導体画素アレイ4 と、この半導体画素アレイ4 の出
力電気信号を受信して電子画像に変換するプロセッサ35
とを具備していることを特徴とする。
Description
ハイブリッド画素アレイに関し、特にそれぞれ生物医学
応用および製造プロセスの有機物および無機物の非破壊
的実時間試験に関する。
体またはある種のシンチレーション材料のような変換装
置が知られている。固体装置により受けられるときX線
は電子信号に変換される。電子信号に直接X線を変換す
るためにシリコンを使用する可視光装置も知られてい
る。これらは個々の大型の検出器または約10ミクロンの
比較的浅い感知領域を有するモノリシックな電荷結合装
置(CCD)として製造される。単一の大型検出器また
はCCDのアレイは10KeVより低い低エネルギでX線
を検出し、イメ−ジ化するのに適している。
間的解像度が低いシンチレーション装置および蛍光画像
装置の解像度を改良する必要がある。
のみ製造プロセスにおける実時間の非破壊的検査に適し
ている。現在の実時間X線システムは最初にX線を可視
光に変換し結果的な可視画像を通常の、または低い光レ
ベルのビジコンまたはCCDカメラで観察する光コンバ
−タスクリ−ン又は増幅装置を使用する。これらの既知
のシステムは光コンバ−タスクリ−ンにおける非効率と
X線光子の感知および結果的なデジタル電子画像の期間
の多重段階のために感度と解像度が減少する。スクリ−
ン技術の欠点は処理と検出器に伝送するときの蛍光の自
然拡散により生じる空間的ぼけによる効率の損失がある
ことである。また空間的解像度とコントラスト感度はX
線コンバ−タスクリ−ンだけでなく可視観察システムに
より限定される。
の最も普通の構造である。CCDではシリコンに吸収さ
れた光は孔電子対を生成する。この可視波長の電荷生成
のほとんどは検出器表面の数ミクロン内である。電荷は
表面近辺の局部的な電界の影響下で拡散し、キャパシタ
のアレイ上に収集される。画像はトランジスタのチェイ
ンに沿って収集した電荷を連続してシフトすることによ
り読取られる。2次元読取りソウチは単一の読取り行の
連続するポ−トを空にするため多数の並列な列を整列す
ることにより達成され、単一読取り行の全体内容は列シ
フトのステップにつき一回シフトされる。小サイ信号は
単一の低雑音増幅器によりチップ上で増幅される。
ある。通常の埋設チャンネルCCDでは前面のゲ−トア
レイに直接近接する電界が電荷形態を1つの蓄積位置か
ら次の蓄積位置に伝送する役目がある。これらの電界は
バルクな基体シリコン中に延在しない。これらはゲ−ト
間距離よりも長い距離から拡散される電荷を効率的に捕
らえることができない。
である光画像感知、または1ミクロンの何分の1かであ
る低いX線帯域では特に重要ではない。
合するCCDの製造は困難である。検出器チップは高抵
抗、低ド−ピング濃度の基体を必要とし、一方読取りチ
ップには低抵抗媒体が最良である。
非破壊的検査が要求されている。実時間システムは製造
した製品のひび、欠陥、隠れた特徴のX線画像を可能に
する。この能力は広範囲の製造プロセスの監視および制
御を改良する。
回数により妨害される。蛍光ベースの電子アレイと画像
増幅装置は低解像度画像を生成する。これらの欠点はタ
−ビンブレ−ド検査のような最も臨界的な高端部応用に
対する製造にX線検査を限定する。高生産放率の鋳造ラ
インおよびはんだ付けされた回路板に適用された高動作
の高解像度X線ビジョンは生産効率と製品の品質を非常
に向上する。既存の検査方法はレ−ザ溶接のような処理
の閉ル−プ制御に利用できない。
非破壊的検査への特定の応用でX線画像を使用するため
のハイブリッド半導体画素アレイを適用する。本発明の
別の実施例としては産業および生産処理の実時間処理監
視と非破壊的試験検査も示されている。
けられるX線を生成するための光源を含む。物体がX線
に露出されると選択的にX線を吸収する。試験下の物体
近くに位置するハイブリッド半導体画素アレイは物体を
通る吸収されていないX線光子を受けて直接電子信号に
変換する。プロセッサは電気信号を受信し電子画像に変
換する。
非破壊的試験システムは試験下の物体に向けられたX線
源を備えている。物体は選択的にこれらのX線を吸収す
る。試験下の物体に近接して位置するハイブリッド半導
体画素アレイは通過する吸収していないX線光子を受け
て電気信号に変換する。ハイブリッド半導体画素アレイ
の読取り部分に接続されたプロセッサは電気信号を受信
し電子画像に変換する。コンピュータ化された断層レン
トゲン写真撮影のような画像再構成技術も使用される。
比較器はこの電子画像を試験下の物体の蓄積された既知
の画像と比較する。この比較期間中に発見された偏差は
比較器がフィ−ドバック電気信号を生成したとき製造プ
ロセスで補償される。フィ−ドバック電気信号は将来の
製造目的のためのシステムの補正を行う製造プロセスへ
の実時間入力となる。
試験下の有機物物体に向けられたX線の低エネルギ源を
備えている。低エネルギのX線に露出されている物体は
選択的にX線を吸収する。試験下の有機物物体に近接し
て位置されるハイブリッド半導体画素アレイは物体を通
過する吸収されていないX線光子を受信し電気信号に変
換する。プロセッサは電気信号を受信し試験下の有機物
物体の電子画像に変換する。
に変換するためハイブリッド半導体画素アレイを使用し
て有機および無機物体の両者の非破壊的試験の方法が開
示されている。
伴って後述の本発明の詳細な説明でより明白になるであ
ろう。
に対する個々の増幅器と信号条件回路を有する対応した
読取り装置に接続された単一の半導体基体上の数千の個
々の検出器画素を有する検出器アレイである。
ッド化される。インジウムバンプ接続の1例のみにより
説明する。相互接続バンプ技術はX線画像に対する大面
積で高密度の画素アレイを精製する赤外線以外のエネル
ギに最適なセンサに読取り装置をインタ−フェイスする
のに使用される。
を電子画像に変換するための半導体画素アレイ検出器の
能力に基づく。半導体画素検出器ではX線光子は単一の
段階で電気信号に直接変換される。ハイブリッドアレイ
は応用のエネルギ範囲を最適にするため変化される厚さ
の種々の固体材料を使用する柔軟性を提供する。増加し
た空間的解像度は製造される小型の30×30umの画素セ
ルの関数である。
取りアレイまたはチップは、検出器が読取りから別々に
進行されるので別々に最適化される。別々の最適化は性
能の改良と価格の減少のために提供される。1つの読取
りタイプは種々の異なった感知アレイで使用される。ハ
イブリッドのフォーマットは高い充満係数のために提供
される。検出器アレイは読取りアレイまたはチップの頂
点に位置され、95%以上の充満係数が達成される。30ミ
クロンより小さい画素サイズは高い生産で得られる。読
取り技術は100 Hzを超過するフレ−ム率を支持する。
画素検出器と比較して表1で示されている。
の100 ミクロンと比較して30ミクロンの高い空間的解像
度を提供する。1000ミクロンまでの厚さを検出する固体
画素検出器はX線の電気信号への直接変換を100 KeV
以上1KeV以下の全体のスペクトル範囲にわたって行
う。画素検出器アレイはCCDと共に使用するとき蛍光
コンバ−タスクリ−ンの中間使用を必要としない。
タスクリ−ンより大きい程度のコントラスト解像度とX
線エネルギの全領域にわたる空間解像度の改良係数5を
与える。
イを備えた自動製造プロセスの概略図である。製造装置
5において、X線試験システム10はX線非破壊的試験装
置8を使用して製造ユニット13を評価する。
12に露出される。試験下のユニット13' はX線15の露出
期間中、ハイブリッド半導体画素アレイ4上に位置され
る。試験下のユニット13' は露出に応答して画素アレイ
4に電気信号を生成させるためにX線15を選択的に吸収
する。
気信号を受信する。図1で示されているように画像コン
ピュ−タ35は信号を画像ディスプレイモニタ40に表示さ
れる電子画像に変換する。画像ディスプレイ局9に座る
オペレ−タはモニタ40からの画像を視覚的に解釈して試
験下のユニット13' の検出した欠陥に応答して製造プロ
セスに影響を与える。
プレイモニタにより受信された信号も処理制御システム
25への入力となる。処理制御システム25は試験下のユニ
ット13' の電子画像と既知の蓄積画像とを比較する。生
成した電子画像と蓄積した既知の電子画像との間の正確
な比較が存在しないと、試験下のユニット13' の欠陥が
検出される。フィ−ドバック信号6は将来の生成の欠陥
に対してユニット13を補正するために製造プロセスに送
られる。
車製造期間中、自動車本体のレ−ザ溶接ラインのX線非
破壊的試験およびフィ−ドバック制御を使用する。この
応用は多数の溶接を検査する実時間で動作する小型の軽
量のロボットに取付けられたシステムを使用する。
あることを確実に知る方法はない。不適切な溶接は安全
性の理由で許容できない。自動車本体の完全性を保証す
るために現在使用されている共通の技術は余分の溶接を
行うことである。典型的な自動車生産ラインでは統計を
基礎として、付加的な20%の余分な溶接が全ての自動車
本体は構造的に完全に造られることを保証するため自動
車本体に対して設計される。従って現在生産される自動
車の大部分は必要以上に溶接箇所が多く、溶接数および
全体的な自動車価格が上昇する。
はプロセス中100 %の溶接を検査する。セル制御ソフト
ウェアは不適切な溶接が検出されたときにのみ余分な溶
接が付加されるようにセットされる。溶接器は不適切な
溶接が生じたときも調節される。非破壊的試験システム
の実時間フィ−ドバック特性は従って100 %の良好な溶
接を保証する。
験システム10の概略図である。アレイ試験システム10は
5つの主要な部品、即ち検出パッケ−ジ構造(DPA)
20、制御電子ユニット(CEU)26、ディスプレイ電子
ユニット(DEU)30、ディスプレイモニタ40、制御コ
ンピュ−タ35に分かれる。画像システム設計はDPA20
とCEU26の交換の可能性を許容する。
X線照射を加える。試験下のユニット13' は画素アレイ
を含む検出パッケ−ジ構造20を露出するX線15を選択的
に吸収する。DPA20は通常のX線画像システムのX線
フィルムおよび保持装置または蛍光スクリ−ンのいずれ
かと同等である。DPA20はハイブリッド検出器および
読取りアレイを含むハイブリッド画素アレイおよびその
支持固定物またはコネクタを具備する。
ために室温より低い冷却を必要とするアレイで使用され
ると、小型の熱電気冷却装置のような冷却チップ手段は
DPA20に含まれる。CEU26は各ハイブリッドアレイ
を動作するのに必要な特殊設計のクロックとバイアス生
成電子装置を含む。このシステムはDEU30からのマス
タ−クロックパルスとバイアス信号34を受信し、画像コ
ンピュ−タ35により制御される。DPA30と同様に、C
EU26は使用されるアレイのタイプに応じて交換可能で
ある。
ップおよびCEU26のマスタ−クロックパルスとバイア
スを生成する。DEU30は利得/オフセット補正、アナ
ログデジタルコンバ−タ、多重フレ−ム蓄積バッファ、
画像信号のフレ−ム毎の表示のためのサブシステム表示
モニタへの直接接続を含む必要なデ−タ獲得電子装置を
提供する。
はDPA20とCEU26を制御し、従って画像デ−タの単
一および多重フレ−ムを得る。DPA20から受信したア
ナログデ−タ29は12ビットのアナログデジタルコンバ−
タを使用してデジタル化され、フレ−ムバッファに蓄積
される前に利得とオフセットの非均一性に対して補正さ
れる。デ−タは画像モニタ40に直接表示されるかまたは
フレ−ム付加および他の低レベルの画像処理アルゴリズ
ムのような付加的な操作のために画像コンピュ−タ35に
送信される。
X線試験システム10全体の制御に十分のパワ−であり、
システム外部の装置に対するインタ−フェイスとしての
役目をする。画像コンピュ−タ35には大型の固定したデ
ィスク蓄積容量と、獲得したデ−タを付加的な画像処理
が達成される他のコンピュ−タシステムに転送すること
に適しているネットワ−ク接続が設けられている。
備えた生物医学応用における非破壊的試験の概略図であ
る。X線の2次元画像は3次元コンピュ−タ断層レント
ゲン写真撮影の可能性も提供する。図3で示されている
ようにハイブリッド半導体画素アレイ4は検出器アレイ
22と内部接続23と読取りチップ24を含む。
成に使用される。画素検出器アレイ4は有機物物体2を
通るX線光路11,11',11'' の大きな分布から放射された
X線15を検出するのに使用される。多重X線光源12の使
用は回転機能の必要性を除去し、CT画像の生成時間を
短縮する。
源は、高エネルギ管、コバルト60またはシンクロトロン
により生成されたX線を含むがそれに限定されない。毎
秒100 フレ−ムを超過するフレ−ム速度を有する高速度
はダイナミックX線画像を容易にする。これらのアレイ
のより高い感度は試験下の有機物物体2に向けられたX
線の総量を減少する。
れている本発明の1つの応用は歯科のX線機械に導入さ
れている。この応用は高い空間解像度用の非常に小型の
検出器を必要とする。検出器は健康上の危険性を減少す
るため高いコントラスト、低エネルギ、短期間で少ない
照射回数で済む高感度を有する。完全な検出器アレイは
約1cm方形で数ミリメ−トルの厚さである。適切にパ
ッケ−ジするとアレイが簡単に口内の任意の部分にも適
合できる。画像の撮影は即座にディスプレイされ、増強
され、再度撮影され、現像され回収される。画像分析と
強化ソフトウェアは虫歯と他の歯の欠陥を即座に検出す
る。
験X線画像の他の生物医学の使用は低照射量、全電子的
X線、顕微鏡手術の内視鏡、ガラスにおける心臓動作、
セルの縮瞳および有糸分裂、ウイルス感染と蛋白質の結
晶学とX線顕微鏡と医学的コンピュ−タ断層レントゲン
写真撮影を含むがそれに限定されない。
導体画素アレイ4を備えた製造プロセスの概略図であ
る。X線源12は試験下のユニット13' にX線15を照射す
る。ユニット13' はX線光子16を選択的に吸収する。吸
収されていない光子はハイブリッド半導体画素アレイ4
への露出を通じて自動製造プロセスの画像獲得段に入力
される。画素アレイ4は制御および信号処理電子装置25
に入る電気信号60に直接受信した光子16を変換する。制
御および信号処理電子装置25により生成された電子画像
はメモリ50へのデジタルデ−タ65として蓄積される。メ
モリ50内に蓄積されたこのデ−タ65は画像プロセッサ35
により画像処理75された後ディスプレイ30のための適切
な電気表示画像信号70に変換される。同一のデ−タは蓄
積装置55のデジタル情報80として蓄積されるかまたはフ
ィ−ドバック信号6に変換される。フィ−ドバック信号
6は欠陥の検出に応答して製造プロセスに作用する。
概略図である。提案されたアレイ4は特定のX線エネル
ギに最適であることを許容する種々の厚さのシリコン、
或いははゲルマニウム、テルル化カドミウムのようなそ
の他の高い原子数材料から製造される。
ように通常の手段により製造されたシリコン読取りチッ
プ24に結合される。読取りチップ24と検出器チップ22は
個々に最適化される。より高い原子番号の検出器材料は
高エネルギのX線に有用である。ハイブリッド画素X線
検出器の使用は全ての製造プロセス応用の高解像度、低
照射量、実時間、高コントラスト画像を可能にする。こ
の非破壊的試験能力は強化するが、金属、合金鋳造凝
固、超高急冷速度合金形成、複合した微細な欠陥機構、
金属マトリクス組成混合の領域に限定されない。
た半導体材料の層はインジウムバンプ23結合により250,
000 画素以上に接続される。この能力をX線検出器に適
用することにより、X線15の広範囲のエネルギに感知す
る非常に小さい(−30μm)画素検出器4の領域または
線形アレイを生成する。
プ24との間に利用される内部接続処理は電気信号7の転
送を容易にする。検出器アレイ22の下部表面を読取りチ
ップ24の上部表面に内部接続するインジウムバンプ23の
結合処理は例示として図5に示されている。
検出器からの信号を処理する能力である。これは半導体
の2個のチップのハイブリッドが集積するインジウムバ
ンプ23のハイブリッド化により達成した。読取り装置と
検出器の処理フローの両者の最終段はアレイ4の各画素
21に対するそれぞれのインジウムバンプ23の配置と限定
である。
光電子は検出器媒体で生成される。光電子は典型的に媒
体により再吸収され、電子孔の対を生成する。例えば、
純粋なシリコン中の1つの電子孔の対を生成するのに必
要なエネルギは3.6 eVである。1−keVのX線は約
300 の電子孔対を生成する。
は雑音レベルと同等の電子信号を生成するフラックスに
ほぼ一致する。固体装置が20×20μmと毎秒10eの電子
雑音である単一の素子(画素)を有するならば最小の検
出可能なフラックスは以下のように算出される。
れ、電荷の最大量は読取り装置により蓄積されることが
できる。この蓄積能力は“ウエルの深さ”と呼ばれる。
CCDの典型的な蓄積能力は約2×105 から5×10
5 電子の範囲内である。フォトダイオ−ドアレイは典型
的に約107 電子のウエルの深さを有する大型の蓄積容
量を有する。直接のX線画像形成用のCCDはハイブリ
ッド画素アレイより低い等級の数個の配列である量子効
率を有する。
のV1−V1の線に沿って切断した断面図である。読取
りチップ24と検出器チップ22のダイはインジウムバンプ
23を接触させて位置される。機械的圧力はバンプ23を溶
解し冷溶接する。この溶着は各検出器画素21から対応す
る読取りユニットセル増幅器への電気接続を提供し、ま
た2つのチップの間の機械的接続の役目をする。ハイブ
リッド設計は検出器材料と厚さと読取りチップの設計と
処理が個々に最適化されることも許容する。
されているアレイはシリコンで構成されている。検出器
アレイ22はほぼ300 μmの厚さを有する約5000Ωcmの
Nタイプのシリコンである。読取りアレイまたはチップ
24は約1Ωcmのシリコンである。各画素21は30μm×
30μmの構造を有する。
変換するように動作可能な読取りおよび信号処理回路は
米国特許第4,970,567 号明細書(Ahlgrenによる“Meth
od and Apparatus for Detecting Infrared Radiation
”)に開示されている。読取りおよび信号処理回路は
文献(Bluzer N. とStehlac R.の“Bufferred Direct I
njection of Photocurrents into Charge-Coupled Devi
ces ”IEEE Transactionon Electron Devices, ED25,n.
2p. 160、1978年2月)に記載されたものとも類似して
いる。半導体層から出力を処理するための他の適切な手
段が使用できることも理解できよう。
れる物体と処理は使用するX線エネルギのパワ−を決定
する。与えられた材料中のX線の相互動作(吸収)は材
料の厚さと密度の指数関数である。材料の画像を最適化
するため送信した光子対吸収した光子の割合を最適化す
るようにX線光子エネルギの補正を選択しなければなら
ない。従って、複合体、エポキシ、有機物のような低密
度の材料は40KeVより低い低エネルギのX線を必要と
し、一方薄い金属のシ−トは40〜100 KeVの間のエネ
ルギを必要する。
ン部品および重量のある鉄鋳造物に用いられる。厚い壁
の重量のある鉄鋳造物または重量物金属の溶接は100 K
eVから1MeVの範囲のX線エネルギにより試験され
る。
−タにわたって半導体アレイの非常に改良されたエネル
ギ感度に基づいて、このシステムはプラスチック、複合
体、電子装置、薄い壁の鋳造物のX線非破壊的試験のた
めの例外的な利用を有することが推測できる。
6 ×256 フォーマットの既存の電子読取り装置に接続す
る30×30μm画素サイズを有するハイブリッド化した30
0 μmの厚さのシリコン画素検出装置アレイである。こ
のアレイは図5で示されているように高解像度のX線画
像を提供する。アレイの活性領域は約7.68mm方形であ
る。約300 個の電子の室温における電子読取り装置の雑
音レベルはこのアレイと関連づけられている。
アレイの製造に使用される。代りのアレイ材料はゲルマ
ニウム(Ge)、テルル化カドミウム(CdTe)、ア
ンチモン化インジウム(InSb)を含むがそれに限定
されない。1000ミクロンに達する感度の厚さを有するこ
れらの材料から製造される固体検出器はコンバ−タスク
リ−ンで使用される既存の検出器と比較して直接変換と
X線の改良した感度を提供する。
レイは現在のX線画像技術より3倍良好な空間解像度
と、現在技術の同じX線照射よりも10〜100 倍高いコン
トラスト感度と、現在技術の同じコントラスト解像度よ
りも5〜100 倍低い露出照射量と、現在技術より10倍以
上大きいダイナミック領域を提供する。
ハイブリッド半導体画素アレイを使用して有機物および
無機物物体の非破壊的試験を含むが、それに限定されな
いことが理解できよう。特に前述の本発明はX線ラジオ
グラフィ−、機械ビジョン、非破壊的試験および評価、
生物医学および科学的研究の分野で導入されるがそれに
限定されない。ハイブリッド半導体画素アレイを備えた
X線画像はいかなるところでも使用され、内部構造の高
解像度の画像が使用される。さらに図面で示されている
種々のブロックには代りの材料およびアナログまたはデ
ジタル部品が設けられている。
示され、説明されたが、本発明の技術的範囲から逸脱す
ることなく種々の形態および細部の変化が行われること
が可能であることが当業者に理解されるであろう。
造プロセスの概略図。
図。
学的応用の非破壊的試験の概略図。
えた製造プロセスの概略図。
1に沿った断面図。
Claims (14)
- 【請求項1】 少なくとも1つのX線源と、 前記X線に露出され、選択的に前記X線を吸収するよう
に動作可能な被試験物体と、 被試験物体を通過する吸収されていないX線光子を受け
て電気信号に変換するように動作可能な被試験物体に接
近して位置されたハイブリッド半導体画素アレイと、 前記電気信号を受信して電子画像に変換するように動作
可能なプロセッサとを具備していることを特徴とする非
破壊的試験システム。 - 【請求項2】 前記X線源が高エネルギ管を有する請求
項1記載の非破壊的試験システム。 - 【請求項3】 前記X線源がコバルト60を有する請求項
1記載の非破壊的試験システム。 - 【請求項4】 前記X線源がシンクロトロンを有する請
求項1記載の非破壊的試験システム。 - 【請求項5】 前記被試験物体が有機物物体である請求
項1記載の非破壊的試験システム。 - 【請求項6】 前記被試験物体が無機物物体である請求
項1記載の非破壊的試験システム。 - 【請求項7】 前記ハイブリッド半導体画素アレイが検
出器層と、読取り層と、前記検出器層と前記読取り層と
の間の内部接続とを有する請求項1記載の非破壊的試験
システム。 - 【請求項8】 少なくとも1つのX線源を設け、 前記X線に露出され、選択的に前記X線を吸収するよう
に動作可能な被試験物体を配置し、 前記被試験物体を通過する吸収されていないX線光子を
受けて電気信号に変換するように動作可能なハイブリッ
ド半導体画素アレイを前記被試験物体に接近して配置
し、 前記電気信号を受信して電子画像に変換するように動作
可能なプロセッサを設けることを特徴とする非破壊的試
験システムを与える方法。 - 【請求項9】 少なくとも1つの光源からのX線を生成
し、 被試験物体に近接して被試験物体を通る吸収されていな
いX線光子を受けて電気信号に変換するように動作する
ハイブリッド半導体画素アレイを配置置し、 前記電気信号を電子画像に処理するステップを有するこ
とを特徴とする非破壊的試験方法。 - 【請求項10】 少なくとも1つのX線源と、 前記X線を選択的に吸収するように動作可能な前記X線
に露出される被試験物体と、 前記被試験物体を通過する吸収されていないX線光子を
受けて電気信号に変換するように動作可能な被試験前記
物体に近接して配置されたハイブリッド半導体画素アレ
イと、 前記電気信号を受信して電子画像に変換するように動作
可能なプロセッサと、 前記電子画像を前記物体の蓄積された既知の画像と比較
し、前記製造プロセスへのフィ−ドバック電気信号を生
成するように動作可能な比較器とを具備していることを
特徴とする自動非破壊的試験システム。 - 【請求項11】 少なくとも1つのX線源を設け、 前記X線を選択的に吸収するように動作可能な被試験物
体を前記X線に露出されるように配置し、 前記被試験物体を通過する吸収されていないX線光子を
受けて電気信号に変換するように動作可能な前記被試験
物体に近接してハイブリッド半導体画素アレイを配置
し、 前記電気信号を受信して電子画像に変換するように動作
可能なプロセッサを設け、 前記電子画像を前記物体の蓄積された既知の画像と比較
し、前記製造プロセスへのフィ−ドバック電気信号を生
成するように動作可能な比較器を設けることを特徴とす
る製造プロセスに自動非破壊的試験システムを提供する
方法。 - 【請求項12】 X線を生成し、 X線を選択的に吸収するように動作可能な被試験製造物
体をX線に露出し、 被試験物体を通過する吸収されていないX線光子を受け
て電気信号に変換するハイブリッド半導体画素アレイを
被試験前記物体に近接して配置し、 前記電気信号を電子画像に処理し、 前記電子画像を前記製造された物体の蓄積された既知の
画像と比較し、 前記被試験製造物体と前記製造物体の前記蓄積した既知
の画像との間の比較に応答して製造プロセスを変更する
ステップを有することを特徴とする製造プロセスに組込
まれた非破壊的自動試験方法。 - 【請求項13】 少なくとも1つのX線源と、 X線を選択的に吸収するように動作可能なX線に露出さ
れる被試験有機物物体と、 前記被試験物体を通過する吸収されていないX線光子を
受けて電気信号に変換するように動作可能な前記被試験
物体に近接して配置されたハイブリッド半導体画素アレ
イと、 前記電気信号を受信して被試験前記有機物物体の電子画
像に変換するように動作可能なプロセッサとを具備して
いることを特徴とする生物医学用非破壊的試験システ
ム。 - 【請求項14】 少なくとも1つのX線源を設け、 X線を選択的に吸収するように動作可能な被試験有機物
物体をX線に露出させるように配置し、 前記被試験物体を通過する吸収されていないX線光子を
受けて電気信号に変換するように動作可能なハイブリッ
ド半導体画素アレイを被試験前記物体に近接して配置
し、 前記電気信号を受信して被試験前記有機物物体の電子画
像に変換するように動作可能なプロセッサを設けること
を特徴とする生物医学用非破壊的試験システムを提供す
る方法。
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