JPH06505575A - 高速電気信号／光信号トランスレータ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 高速電気信号／光信号トランスレータ 本発明の背景 本発明は、オプトエレクトロニクス・インターフェイス・システムに関し、特に 電気信号と光学信号との間の高速データ速度を有する情報の変換用の方法及び装 置に関する。

高速データ処理ノートは、ノート内の情報並びにノート間の情報ができるだけ速 いデータ速度を提供するデータリンクを介して伝達されることを必要とする。

データリンクの最大限に許容可能なデータ速度に対する制限としては、制限され た情報信号バント帯域、データリンクチャンネル及び制限された情報信号帯域の 信号−ノイズ比、データリンクトランスレータの信号対ノイズ比及び電力消失が ある。

従来技術によれば、内部モード（ｉ　ｎ　ｔ　ｒａ−ｍｏｄｅ）データリンク及 び相互モート（ｉ　ｎ　ｔ　ｅ　ｒ−ｍｏｄｅ）データリンクは、電気信号送信 ラインを有するデータリンクチャンネルを介して接続されたトランシーバ、また は送信機及び受信機を有するトランスレータを備えている。一般に電気的なトラ ンスレータは、情報信号帯域、信号対ノイズ比及び電力消失の間の交換を有する 。なぜならば、トランスレータの大きさは、良好な情報信号帯域を固定するため に小さくなければならないが、良好な情報信号帯域を有するトランスレータの小 さいサイズは、それらの電力処理または信号回復能力を制限し、低い信号対ノイ ズ比をっ（る。

電気的なデータリンクチャンネルは、情報信号帯域及び信号対ノイズ比の間の交 換を有する。なぜならば、電気的なデータリンクのノイズ内容の多くは、典型的 には、迷走電気信号又はノイズの容量結合または誘導結合によるものであり、こ のようなノイズの振幅は、はぼデータリンクチャンネルの周波数応答に比例する 。データリンクチャンネルは、漂遊結合を減少するために低いインピーダンスに してもよいけれど、信号電流が高くなると、チャンネル信号の減衰が大きくなる 。このことは、データリンクトランスレータが高い電力レヘルを処理することが できない限り信号対ノイズ比にロスを生じるが、一般的に良好な情報信号帯域特 性を有するトランスレータは制限された処理能力を有するので高い電力レベルの 処理は通常不可能である。

光学信号データリンクは、内部モード及び相互モートデータ伝送の双方において 電気信号データリンクシステムの多くの制限事項を克服することができる。光学 データリンクチャンネルノイズは、光学的な迷走信号の結合レヘルが高くないた めに、一般的に電気データリンクチャンネルノイズより低い３、光学データリン クチャンネルの情報信号帯域の方が、一般的にはるかに良好である。

電気光学信号トランスレータの性能は、情報信号帯域及び信号対ノイズ比の双ｔ １−に関してデータリンクの電気信号トランスレータにまさる利点を有するが、 電気光学信号トランスレータの製造には臨界的な設計パラメータが必要とされる ので、このような電気光学信号トランスレータから優れた性能を確保することは 困難である。遭遇する問題として、電気光学信号トランスレータと光学信号チャ ンネルととが１−分な結合をすること反びトランスレータの構成部品が互いに整 合されることがある。

各光信号チャンネルは、適当に終端処理された光ファイバからなる。従来技術に よる電気信号／′光学信号トランスレータは、レーザー源エレメント、変調器エ レメント、検出器エレメントまたはそれらの組み合わせからなり、これらは各々 取り付は基板−Ｆに取り付けられている。例えば、受信機モジュールを有する電 気光学トランスレータは、典型的には基板上に取り付けられた検出器エレメント を有する構造である。

送信機モジュールを有する電気光学トランスレータは、取り付は基板上に取りイ １１けられたレーザ源エレメントを有する構造である。レーザ源エレメントの電 源入力端に供給される電力は、電気的な入力信号に応じて強度が変化してレーザ 源エレメントを直接変調させる。この形状は簡単であるが、低い出力信号帯域及 び信号対ノイズ比を有するという欠点がある。なぜならば、入力信号は、レーザ 源エレメントを変調するために高水準まで電気的に増幅されなければならず、レ ーザー源エレメントは制限された信号周波数帯域を有するからである。

配分フィートバンクを使用するレーザを除いて直接変調されたレーザーのすべて は、ｌｌｉ、−モートファイバに結合されたときに大きな色分散を有する。なぜ ならば、これはその電流が変調されたときレーザの波長が飛び回るからである。

直接に変調されたレーザによるモード変化の結果として生じる異なる波長は、そ の各々が単一モートの光ファイバによって単一モードとして伝搬される。しかし ながら、これらの異なる伝搬波長もまた、光フアイバ内において異なる速度を有 し、その結果大きな変調ノイズ及び信号周波数帯域の減衰が生じる。

配分フィードバックを使用するレーザは、モート変化なしで直接的に変調するこ とができるが、それらは非常に高価になる。さらに、配分フィードバックを使用 する場合であっても、直接変調されたすべてのレーザは、非常に速いデータ速度 で変調されるときには、し張振動またはリンギングの問題を有する。リンギング は、それが最も高い変調信号周波数以上でない限り大きな変調ノイズ及び信号帯 域損失を発生し得る。

他方、光学送信モジュール用の余り一般的でない形状は、電気光学モジュラ−エ レメントに結合されたレーザ源エレメントを有し、レーザ源エレメント及びモジ ュラ−エレメントの双方は、共通の取り付は基板上に取り付けられている。この 形状は、比較的小さい入力信号によって優れた出力信号帯域及び信号対ノイズ比 を提供することができる。これは、入力信号及び変調入力の双方が低い水準であ って、設計パラメータが電力速度よりもむしろ電気光学信号変換性能用に対して 最適化されるからである。しかしながら、この構成は、レーザ源とそれらの取り 付は基板上の変調器エレメントとの間並びに関連する結合及び出力光学ファイバ との間に正確で十分な整合を必要とする。

試行されている他の送信モジュール構造は、単一の部材内に変調器と一体化され たレーザー源を使用して、別個の変調器エレメントを有するトランスミツタモジ ュールの性能を提供するが簡素化された整合を提供することを試みている。この 構造においては、整合ステップがレーザ源エレメントのみを使用する構造の場合 と同じステップ数に制限される。別個の変調器エレメントを有するが簡素化され た送信機モジュールの製造の試みにおいては、整合ステップがレーザ源エレメン トのみを使用する構造と同じ数に制限されるように簡単化される。しかしながら 、データに対するこのようなトランスミツタモジュール構造を製造する試みは、 不成功に終わった。

電気光学信号トランスレータの性能は、それらの構成部品エレメントの整合及び これらのエレメントとそれらが対応する光学チャンネルとの整合によると同じく らいにこれらの各個のエレメントの性能に依存する。これによって高性能の電気 光学信号トランスレータを製造する試みは、組み立て中、正確な整合を達成する ために電気光学信号トランスレータの性能について継続してテストしなければな らないという大きな労力を必要とする「能動的」な整合方法によって妨げられて いた１、 「能動的」な整合技術、すなわち、整合中にトランスミツタモジュールの作動的 なテストを必要とする整合技術は、関連するトランスミッタエレメント及び光フ ァイバの正確な操作、取り付は及び接着によって上述したい（つかの構造を有す るトランスミツタモジュールの製造が必要とされる。別個のトランスミッタレー ザー源及び光学結合に対する変調器エレメント、取り付は基板上の出力ファイバ は、特に高価であり、冗長であり、このような高性能のトランスミツタモジュー ルの製造を非常に高価にする。

発明の要約 本発明は、送信機モジュールへの臨界の出力光学ファイバを除いて高性能の電気 信号・光学信号トランスレータをつ（るために電気信号／光学信号ｉ・ランスレ ータ、アセンブリライン動作と置換し得る受動的な組み立て技術を利用する電気 信号　光学信号トランスレータの特徴、製造方法、整合技術からなる。能動的な 整合はトランスミツタモジュールへの臨界出力光学ファイバの取り付けを補償す る。レンーバモジュールアセンブリは、受動的な整合技術のみを含む。

電気信号／光学信号トランスレータは、基板上の相補的な整合マークと構成部品 がｒ７．いに整合したときに基板が接着されるようにそれらの各光軸に整合した 整合マークを有する構成部品及び構成部品取り付は基板を有する。

各モジュール用の構成部品及び基板は、レーザ接着放射線に対して比較的透明な 基板領域または代わりの各構成部品を介してはんだづけまたは溶接のようなレー ザ接着を行うことが好ましい補完的な接着バットを有する。取り付は基板は、取 り付は基板への尤ファイバの取り付けを容易にし、基板」−に取り付けられた構 成部品への有効な結合を保証するために整合マークに整合する特別の溝を有する 。

特定の取り付はニー具が取り付は基板への光ファイバの取り付けを容易にする。

好ましい実施例において、本発明は、規定された光軸を有するトランスレータ構 成部品取り付は基板と、前記基板の上面に取り付けられた規定された光軸を有す る少なくとも１つのトランスレータ構成部品と、前記基板の上面に取り付けられ た光ファイバと、前記基板の光軸にほぼ平行に前記光ファイバを整合させるため の第１の手段と、前記基板の形成された光軸に関して固定された関係を有する基 板の上面に少なくとも１つの構成部品を整合させるための少なくとも１つの第２ の手段と、少なくとも１つの構成部品の規定された光軸に関して固定された関係 及び整合のために前記第２の少なくとも１つの手段に関して固定された関係を有 する少な（とも１つの構成部品の下面上に少なくとも１つの構成部品を整合させ るための少な（とも１つの第３の手段とを有する電気及び光信号の間のインター フェイスとして作用する電気光学トランスレータを有する。

好ましい実施例によれば、電気信号と光信号との間のインターフェイスとして作 用する電気光学トランスレータにおいて、本発明は、前記基板上に取り付けられ る前記少な（とも１つの構成部品について前記基板上の形成された光軸に関して 固定された関係を有する前記基板の上面に少な（とも１つの基板整合マークをマ ークする段階と、前記少な（とも１つの構成部品上の形成された光軸に関して固 定された関係を有する前記少なくとも１つの構成部品の下面」−に少な（とも１ つの構成部品整合マークをマークする段階と、前記基板と前記少なくとも１つの コンーネントを有する第１のグループから前記選択されたものの厚さに対する吸 収スペクトルの透明領域に少な（とも重複するスペクトルを有する第１の放射線 を導く段階と、前記基板の上面の少なくとも一部及び前記少なくとも１つの構成 部品の前記隣接する下面の少なくとも一部から反射して出て（る前記第１の放射 線を監視する段階と、前記少なくとも１つの構成部品上の前記少な（とも１つの 構成部品の整合マークと前記基板上の少なくとも１つの基板整合マークを互いに 所定の関係になるように整合させて前記少なくとも１つの構成部品と前記基板の マークを整合させる段階と、前記基板及び前記基板の上面の少な（とも一部及び 前記導入された放射線の相当の量を吸収する少なくとも１つの構成部品の隣接す る下面の少な（とも一部に前記第２のグループの前記選択されたものの厚さに対 する吸収スペクトルの透明領域にスペクトルを有する前記少なくとも１つの構成 部品を有する第２のグループから選択されたものの厚さを通る第２の放射を方向 づける段階と、前記導かれた第２の放射線の出力を制御して前記基板の上面の少 な（とも一部を前記少な（とも１つの構成部品の隣接下面の少な（とも一部に接 着する段階と、光フアイバホルダの平面をマニピュレータに取り付ける段階と、 前記光ファイバを前記光フアイバホルダの持ち上げられた段状の軸受は領域に沿 って前記平面にほぼ平行に形成された溝に前記光ファイノくを取り付ける段階と 、前記マニピュレータによって前記取り付は基板の前記上面に沿って形成された 溝内に前記尤ファイバを配置する段階と、前記光ファイノ（及び光ファイｌくホ ルダを前記基板の上面に沿った溝に取り付ける段階とを有するトランスレータ構 成部品取り付は基板上に少なくとも１つのトランスレータ構成部品を組み付ける 方法を有する。

好ましい実施例において、電気信号と光信号との間のインターフェイスとして作 用する電気信号／光信号トランスレータにおいて、本発明は、前記基板上に取り 付けられる前記少なくとも１つの構成部品について前記基板上に形成された光軸 に関して固定された関係を有する前記基板の上面に歩な（とも１つの基板整合マ ークをマークする段階と、前記少なくとも１つの構成部品上の規定された光軸に 関して固定された関係を有する前記少なくとも１つの構成部品の下面上に少なく とも１つの構成部品整合マークをマークする段階と、前記少なくとも１つの構成 部品上の少なくとも１つの構成部品整合マークと前記基板の少なくとも１つの基 板整合マークとを互いに所定の関係になるように整合させて前記少なくとも１つ の構成部品と前記基板のマークとを整合させる段階とを有するトランスレータ構 成部品取り付は基板−ヒに少なくとも１つのトランスレータ構成部品を整合させ る方法を有する。

好ましい実施例によれば、本発明は、さらに電気信号と光信号との間のインター フェイスとして作用する電気信号／光信号トランスレータにおいて、前記少なく とも１つの構成部品の下面を前記基板の上面に位置決めして前記少なくとも１つ の構成部品を前記基板に取り付ける段階と、前記基板と前記基板の上面の少なく とも一部に陵び前記導かれた放射線の相当の量を吸収する少なくとも１つの構成 部品の隣接する下面の少なくとも一部に前記貫通した厚さに対して吸収スペクト ルの透明領域にスペクトルを有する前記少な（とも１つの構成部品とを有するグ ループから選択されたものの厚さを貫通して放射線を導く段階と、前記導かれた レーザ放射線の出力を制御して前記基板の上面の少な（とも一部を前記少な（と も１つの構成部品の隣接下面の少な（とも一部に接着する段階とを有するトラン スレータ構成部品取り付は基板上に少なくとも１つのトランスレータ構成部品を 取り付ける方法を有する。

好ましい実施例によれば、電気信号と光信号との間のインターフェイスとして作 用する電気信号／光学信号トランスレータにおいて、前記基板と、前記少なくと も１つの構成部品とを有するグループから選択されたものの厚みに対する吸収ス ペクトルの透明領域に少なくとも重複するスペクトルを有する放射線を導く段階 と、前記基板の上面の少な（とも一部及び前記少な（とも１つの構成部品の前記 隣接する下面の少なくとも一部から反射する前記放射線を監視する段階とを有す る少な（とも１つのトランスレータ構成部品の係合内面及びトランスレータ構成 部品取り付は基板上に少なくとも１つのトランスレータ構成部品を照射する方法 を有する。

好ましい実施例において、電気信号と光信号との間のインターフェイスとして作 用する電気信号／光信号トランスレータにおいて、本発明は、光フアイバホルダ の平面をマニピュレータに取り付ける段階と、前記光ファイバを前記光フアイバ ホルダの段状に高（なされた軸受は台頭域に沿って前記平面にほぼ平行に形成さ れた溝に前記光ファイバを取り付ける段階と、前記マニピュレータによって前記 取り付は基板の前記上面に沿って形成された溝内に前記光ファイバを配置する段 階と、前記光ファイバ及び光フアイバホルダを前記取り付は基板面に沿った前記 溝に取り付ける段階とを有する光ファイバをトランスレータ構成部品取り付は基 板に取り付ける方法を有する。

好ましい実施例によれば、電気信号と光信号との間のインターフェイスとして作 用する電気信号／光信号トランスレータにおいて、本発明は、前記基板の上面に ほぼ平行な光軸を有する入力部を備えたフォトディテクタエレメントを前記上面 上の所定の距離に取り付ける段階と、前記上面から前記フォトディテクタの前記 光軸までの所定の距離より小さい前記フォトディテクタの光軸までの距離を維持 する溝の深さを具備した前記基板の上面に沿った前記フォトディテクタの前記光 軸にほぼ平行に形成された溝内に前記光ファイバを取り付ける段階とを有する光 ファイバをトランスレータ構成部品取り付は基板に取り付ける方法を有する。

好ましい実施例によれば、電気信号と光信号との間のインターフェイスとして作 用する電気信号／光信号トランスレータにおいて、本発明は、さらにほぼ平行な 上面と、前記上面にほぼ直角な少な（とも１つのほぼ平坦な側面と、前記上面に ほぼ平行な軸受は面を有する前記上面から離れて伸びる軸受は領域と、前記側面 にほぼ平行な前記軸受は面に沿って形成されたファイバ保持溝とを有する光ファ イバをトランスレータ構成部品取り付は基板に取り付ける光フアイバホルダを有 する。

図面の簡単な説明 第１図は、本発明による光学送信機モジュールの平面図である。

第２図は、構成部品を取り付ける構成部品用のインターフェイス上の特徴を示す 第１図に示す送信機モジュール用の基板の平面図である。

第３図は、基板−１−の整合トーの特徴を有する送信機モジュール構成部品の整 合特徴部の整合を示すために送信機モジュールを透明とする第１図に示す送信機 モジュールの平面図である。

第４図はフォトディテクタエレメントの下の基板の領域上の整合特徴部の詳細な 平面図である。

第５図は、本発明による整合特徴部を示す基板取り付はフォトディテクタエレメ ントの底面図である。

第６図は、フォトディテクタニレメン＋−ｔ、の整合特徴部と基板の整合特徴部 の整合を示すためにフォトディテクタエレメントを透明にする取り付けられたフ ォトディテクタエレメントの詳細な平面図である。

第７図はレーザエレメントのような基板領域上の整合特徴部の詳細な平面図であ る。

第８図は、本発明による整合特徴部を示す基板取り付はレーザエレメントの底面 図である。

第９図は、レーザエレメント１−の整合特徴部と基板の整合特徴部の整合を示す ためにレーザエレメントを透明にする取り付けられたフォトディテクタエレメン トの詳細な平面図である。

第１０図は、変調器エレメントの下の基板領域上の整合特徴部の詳細な平面図で ある。

第１１図は、本発明による整合特徴部を示す基板取り付は変調器エレメントの底 面図である。

第１２図は、変調器エレメント上の整合特徴部と基板の整合特徴部の整合を示す ために変調器エレメントを透明にする取り付けられた変調器エレメントの詳細な 平面図である。

第１３図は、本発明による光フアイバホルダの底面図である。

第１４図は、整合処理中、第１３図に示す光フアイバホルダの第１の側面図であ る。

第１５図は、基板と光学ファイバを取り付けた後、第１３図及び第１４図に示す 光フアイバホルダの第２の側面図である。

第１６図は、本発明による光学受信機モジュールの平面図である。

第１７図は、構成部品を取り付けるためのインターフェイス上の特徴部を示す第 １６図に示す受信機モジュール用の基板の平面図である。

第１８図は、基板の整合特徴部と受信機モジュール構成部品の整合特徴部の整合 を示すために受信機モジュール構成部品を透明にする第１６図に示す受信機モジ ュールの平面図である。

第１９図は、７オトデイテクタエレメントの下の基板の領域上の整合特徴部の詳 細な平面図である。

第２０図は、本発明による整合特徴を示す基板取り付はフォトディテクタエレメ ントの底面図である。

第２１図は、フォトディテクタエレメント上の整合特徴部と基板の整合特徴部の 整合を示すためにフォトディテクタを透明にする取り付けられたフォトディテク タエレメントの詳細な平面図である。

本発明の詳細な説明 図面を通じて同様な、または対応する部品を参照符号が指示する図面を参照する と、図１は、本発明による光学送信機モジュール２を有する電気信号／光学信号 トランスレータの平面図である。送信機モジュール２は、少な（とも１つのレー ザ源エレメント６と、その上に取り付けられた電気光学変調器８とを有する送信 機モジュール基板４を有する。基板４は、シリコンまたはガリウムヒ素のような ゛１′、導体々び薄膜の製造技術の基板として適当な電気的絶縁材料からなる、 、レーザエレメント６は、レーザダイオードエレメントまたはレーザダイオード アレイのような小型の勺ブモジュールとしてパッケージされた適当な固体レーザ からなる。電気光学変調器エレメント８は、電気入力信号に比例して光伝送を変 化させ、電気吸収タイプの変調器のような小型のサブモジュールとしてパッケー ジすることができる適当な電気光学変調器からなる。

レーザエレメント６の出力レベルは、基板４上に取り付けられるフォトディテク タエレメント１０によって監視されるのが有利である。フォトディテクタエレメ ント１０は、ガリウムヒ素からつ（られた光電検出器のような小型のサブモジコ ールとしてパッケージすることができる適当な固体光電素子からなる。

第２図は構成部品を取り付けるための境界部分の特徴を示す基板４の平面図であ る。レーザエレメント６は、電源ライン１２を介して同一電位の電源によって供 給される電力を印加することによって励起される。電源ライン１２は、典型的に は周知の］ｊ法で基板４の−に面にパターン化された電導性金属通路からなる。

この電源ライン１２は、基板４の平面図を示す第２図に最も明瞭に示されている 。

レーザニレメン！・６用アース線１４は、典型的には基板４の上面にパターン化 された電導性金属通路を有する。アース線１４は、電源ライン１２上のレーザエ レメント６に供給される電力の電気的な戻りとして作用する。

レーザエレメント６の出力によって供給された光学的なエネルギーは、例えば、 九を放射するレーザエレメント６の主平面を、変調器エレメント８の集光面に当 接させることにより、変調器８の入力端に直接接続される。浅く広い溝１６をレ ーザエレメント６と変調器エレメント８との結合部の下方に設置する基板４の− Ｌ面にエツチングより形成して、基板４の上面から反射される位相が合っていな い九が結合されるのを防止する。この溝１６は、基＠４の上面に異方的にエツチ ングされるのが好ましい。

変調器エレメント８は、レーザエレメント６から集光した光学エネルギーを、変 調器ライン１８を介して変調器エレメント８の電気入力端に結合される電気的な 変調信号に比例して変調させる。この変調器ライン１８は、典型的には基板４の 面上に形成された導波タイプの電送ライン金属パターンからなる。

変調器エレメント８の出力端に搬送された変調された光学エネルギーは、変調さ れた光学エネルギーを目的の場所（図示せず）まで搬送する光ファイバ２０の入 力端に結合される。この光ファイバ２０は、好ましくは基板４の上面に異方的に エツチングされたＶ溝タイプの溝２２内に取り付けられる。

レーザエレメント６によって供給された光学的なエネルギーの一部は、好ましく は、光を放射するレーザエレメント６の第２の面を、放射された光を集光するフ ォトディテクタエレメント１０の表面に当接することによって、フォトディテク タエレメント１０の入力端に直接結合されている。小さい溝２４が、レーザエレ メント６と変調器エレメント８の結合部の下の基板４の上面にエツチングされて 、基板４のＬ面から反射される位相不整合な光が結合されるのを防止する。好ま しくは、溝２４は、基板４の上面に異方的にエツチングされる。

フォトディテクタエレメント１０の電気的な出力は、検出器出力ライン２６を介 して遠隔監視装置（図示せず）に搬送される。この検出器出力ライン２６は、周 知の技術によって基板４の」−面にパターン化された導電性金属通路からなる。

フォトディテクタエレメント１０用のアース線２８は、典型的には基板４の上面 にパターン化された導電性金属通路からなる。アース線２８は、出力ライン２６ 上の７オトデイテクタエレメント１０によって供給された信号のための電気の戻 りとして作用する。接触パターン３０のような付加的な金属パターンが、温度セ ンサエレメント（図示せず）のような補助構成部品用として基板４の表面上に形 成される。

本発明によれば、接着パッド３２のような付加的な金属パターンは、レーザエレ メント６、変調器エレメント８及び７オトデイテクタエレメント１０の基板４へ の取り付けを容易にするために基板４上につ（られる。接着パツト３２の上面は 、はんだまたは溶接によってレーザエレメント６、変調器エレメント８及びフォ トディテクタエレメント１０の隣接する各下面に接着される。

レーザエレメント６、変調器エレメント８及びフォトディテクタエレメント１０ は、各々基板４上に位置決めした後、接着パツト３２または他の適当な金属パタ ーンをこれらの各構成部品の下面に隣接するようにはんだづけまたは溶接のよう な方法によって接着することによって基板４に取り付けられることが好ましい。

本発明によれば、基板４は放射線がその下面から貫通することができるように厚 さ方向において比較的透明にされる。その結果、基板４を通って導かれる放射線 を使用して基板４を過熱しないで基板の−Ｅ面の接着パツト３２または他の適当 な金属パターンをレーザエレメント６、変調器エレメント８及びフォトディテク タエレメント１０の下面にはんだ付けすることができる。

放射線のスペクトルは、基板４の厚さが吸収スペクトルの透明領域にあるように 選択されるが、接着パッド３２のようなレーザ接着領域ががなりの量の放射線を 吸収するようなスペクトルの透明領域でもある。このようにして、レーザエレメ ント６、変調器エレメント８及びフォトディテクタニレメンｈｌＯがそれらを過 熱しないで基板４にはんだ付けされる。この用途のためにはレーザ光が好ましい が、その代わりに非コヒーレント源によってつくられた赤外線を使用してもよい 。

非コヒーレントな赤外線のような、基板４の厚さにおいて吸収スペクトルの透明 領域と少なくとも重さなるスペクトルを有する放射線は、以下に説明するように 、レーザエレメント６、変調器エレメント８及び基板４−Ｌのフォトディテクタ エレメント１０の整合を監視するために使用可能である。この場合、赤外光線は その上面から基板４を貫通する。

レーザ光はレーザエレメント６、変調器エレメント８及びフォトディテクタエレ メントＩＯを基板４に接着するために基板４の下面から基板４を貫通するので、 基板４上のレーザエレメント６、変調器エレメント８及びフォトディテクタエレ メント１０の整合を監視するためには、」二面がらレーザエレメント６、変調器 エレメント８及び基板４トのフォトディテクタエレメント１ｏを貫通する放射線 を使用することが好ましい。

この場合、監視に使用される放射線は、非コヒーレントな赤外光のような、レー ザエレメント６、変調器エレメント８及びフォトディテクタエレメント１ｏの厚 さに対する吸収スペクトルの透明領域に少なくとも重なるスペクトルを有しなけ ればならない。第３図は、第１図に示す送信機モジュール２の平面図であり、こ の図においては、レーザエレメント６、変調器エレメント８及びフォトディテク タエレメント１０上の整合性と基板４上の整合性との整合を示すために、送信機 モジュール構成部品は透明にしである。

上述したように整合を行うための照射用として非コヒーレント光が使用されると き、赤外線源は、それらの部分及び厚さによって規定される送信機構成部品の最 も長い波長の帯域ギャップより短い波長の光を取り除くためにローパスフィルタ にかけられるのが好ましい。これは、赤外線照射によって送信機の構成部品内の 量子エミッタが励磁されることにより疑似放射を防止する。

赤外線感知電荷結合素子（ＣＣＤ）カメラのような赤外線撮像装置（図示せず） が、レーザエレメント６、変調器エレメント８及びフォトディテクタエレメント １０上の整合性と基板４上の整合性との整合を監視するために使用される。撮像 装置によって受け取られた光は、フィルタ各にかけられて制限された帯域幅の濾 波された赤外光のみが通過せしめられ、各々の整合性を示す像が鮮明にされる。

別の方法として、また、本発明により、レーザエレメント６、変調器エレメント ８及びフォトディテクタエレメント１０は、それらの上面からそれらを貫通する レーザ光に対して比較的透過性を有するようにしてもよい。このようにして、レ ーザエレメント６、変調器エレメント８及び７オトデイテクタエレメント１０の 上面から導かれたレーザ光を使用して、レーザエレメント６、変調器エレメント ８及びフォトディテクタ１０を過熱しないで各々の下面に基板の上面上の接着パ ツト３２または他の適当な金属パターンをはんだ付けすることができる。

レーザ光の波長は、レーザエレメント６、変調器エレメント８及びフォトディテ クタＩＯの厚さに対する吸収スペクトルの透明領域にあるように選択されるが、 　“接着パツト３２のようなレーザ接着領域放射線のかなりの量を吸収するよう な波長に選択される。このようにしてレーザエレンメントロ、変調器エレメント ８及びフォトディテクタ１０が過熱されることな（基板４上に溶接される。

−上述したように、レーザ光の透過は、レーザエレンメントロ、変調器エレメン ト８及び７オｉ・ディテクタ１０のいずれかをしっかりと固定するように接着パ ツト３２の外に金属パターンを溶接するために使用される。例えば、第３図に示 すように、レーザエレメント６の下の電源ライン１２及び接地ライン１４の一部 分は、レーザエレメント６の下面に隣接するようにはんだ付けされる。同様に、 接触パット３０は、補助構成部品の下側に隣接するようにはんだ付けされる（図 示せず）、。

また本発明によれば、変調器エレメント８及びフォトディテクタエレメント１０ を基板４」−に位置決めした後、これらの下面に変調器ライン１８、検出器ライ ン２６及び接地ライン２８の一部分をはんだ付けすることによって低抵抗の接続 が確保される。

別の方法として、レーザエレンメントロ、変調器エレメント８及びフォトディテ クタ１０は、銀充填エポキシ樹脂のような導電性エポキシ樹脂材料で基板４に固 定してもよい。この場合には、以下に説明するように、レーザエレンメントロ、 変調器エレメント８及びフォトディテクタ１０の基板４への整合を容易にするた めに必要な放射線は、赤外線のみである。

本発明によれば、レーザエレンメントロ、変調器エレメント８及びフォトディテ クタ１０の基板４への位置決めは、基板に設けられた特別の整合マークを、各素 子に設けられた整合マークであってそれ自体各素子の光軸と整合させる助けとな る特別の整合マークに整合させることによって助長される。

第４図は、フォトディテクタエレメント１０の下の基板４の領域上の整合部分の 詳細な平面図である。第５図は、本発明による整合部分を示す７オトデイテクタ エレメント１０の底面図である。フォトディテクタエレメント１０の整合は、基 板４の上面に設けられた基板整合マーク３４をフォトディテクタエレメント１０ の下面に設けられた対応する部品上の整合マーク３６と整合させるによって実行 される１゜ 基板整合マーク３４の各々は、整合マーク３４が、基板４またはフォトディテク タエレメント１０を通過するレーザーまたは非コヒーレントの赤外光線源（図示 せず）によってつくられた赤外線のような赤外光によって区別し得るように赤ｔ ４光線吸収または反射パターンを有する。基板整合マーク３４のパターンは、４ 組の等間隔のバーの対が長い側面上に並べられたほぼ矩形のウィンドウ３８とし て示される。このパターンは、基板整合マーク３４として好ましいが、他のパタ ーンを使用してもよい。基板整合マーク３４は、基板４の光軸を規定する方法と 同じ処理方法で規定される。このことは、基板整合マーク３４が光フアイバ用の 溝２２を形成するマスクと同じマスク層によって形成されることを意味する。

同様に、第５図に示すように、フォトディテクタエレメント１０は、フォトディ テクタエレメント１０の下側に形成された対応する補完的な構成部品整合マーク ３６を有する。構成部品整合マーク３６の各々は、構成部品整合マーク３６が基 板４または７オトデイテクタエレメント１０を透過する赤外線によって区別され るように赤外線吸収または反射パターンを有する。

構成部品整合マーク３６のパターンは、対向して外側に伸びるリブ４４の４つの 等間隔の対を有するほぼバー形状の背骨形状４２として示される。このパターン は構成部品整合マーク３６として好ましいが、他のパターンを使用してもよい。

構成部品整合マーク３６は、フォトディテクタエレメントの光軸を形成するステ ップと同じ処理ステップで形成されている。このことは、構成部品整合マーク３ ６がフォトディテクタリブ４６を形成するものと同じマスク層によって形成され ることを意味する。フォトディテクタリブ４６は、フォトディテクタエレメント １０の光軸を規定する。

第６図は、構成部品整合マーク３６と基板整合マーク３４との整合を示すために ７オトデイテクタエレメント１０を透明にさせる、取り付は後のフォトディテク タエレメント１０の詳細な平面図である。基板４上のフォトディテクタエレメン ト１０の整合は、照射用の赤外線を使用してフォトディテクタエレメント１０の 下面上の構成部品整合マーク３６の各々と、フォトディテクタエレメント１０の 下の基板整合マーク３４の各々の整合によって確認される。

基板整合マーク３４用において示されるパターン及び第４図及び第５図に示す構 成部品整合マークに関しては、各基板整合マーク３４の各バーの対４０と各構成 部品整合マーク３６の各リブを整合させることによって実行されるが、各構成部 品整合マーク３６は、各基板整合マーク３４の各矩形のウィンドウ３８内で完全 に目視することができる。

旧述したように、基板整合マーク３４と構成部品整合マーク３６とは、［−直線 」の関係で互いに整合される。別の方法と１７で、整合は、エレメント６、変調 器エレメント８、゛７第１・ディテクタエレメント１ｏ及び光ファイバ２ｏの各 々の間の隣接する表面が同じ固定されｊ：角度によって形成された傾斜を有する ように所定の固定角度だけ対応する基板整合マーク３４に関して構成部品整合マ ーク３６の各々を傾斜させることによって行われる。

表向の間で形成されたこのような傾斜は、隣接表向の間で放射線を複数回反射さ せ、境界内に残るよりも表面の間の境界から出ていかせる。これは、レーザエレ メント６によってつくられたレーザ丸の内部反射によって起こる干渉を減少させ る。

第５図にはまた、４つの接着パツト３２、検出器出力接点４８及び検出器接地接 点５０が示されている。検出器出力接点４８及び検出器接地接点５ｏは、典型的 には整合の手順が終了するときに検出器出力ライン２６及び検出器接地ライン２ ８の隣接部と接触する金属化された小さいパッチである。フォトディテクタエレ メント１０の接着パツト３２及び接点４８及び５ｏは、基板４上のライン２６反 び２８の部分及び接着バット３２に好ましくはレーザによって溶接され、フォト ディテクタエレメント１０の取り付けを完了する。

第７図は、レーザエレメント６の下の基板４の領域上の整合部の詳細な平面図で ある。第８図は、本発明による整合特徴部を示ずレーザエレメント６の底面図で ある。第９図は、基板４の整合部とレーザエレメント６上の整合部との整合を示 すためにレーザエレメント６を透明にさせる、取り付は状態のレーザエレメント ６の詳細な平面図である３、 レーザエレメント６の丁の基板４の領域の整合マーク３４は、光フアイバ溝２２ を形成するものと同じマスクを用いて基板４の光軸を形成する場合と同じステッ プで形成される。同様に、レーザエレメント６の底部の整合マーク３６は、レー ザリブ５６を形成する場合と同じ処理ステップで形成される。レーザリブ５６は 、レーザエレメント６の光軸を形成する。

照射用に赤外線を使用することによって、レーザニレメンｌ−６の整合は、フォ トディテクタエレメント１０について一１二連したと同様の方法でレーザエレメ ント６の下面上の対応する構成部品整合マーク３６と基板４の」−１面の基板整 合マーク３４とを整合させることによって実行される。、また第８図にレーザ電 力接点５２及びレーザ接地接点［５４が示されている。レーザ電ＪＪ接点５２及 びレーザ接地接点５４は、典型的には、整合処理が完了するとき、電力ライン１ ２文び接地ライン１４の隣接部分に接触する金属化された大きなバッチである。

フォトディテクタエレメント１０上の接点４８及び５０は、基板４＋のライン１ ２泣び１４の部分に好ましくはレーザ溶接されてレーザエレメント６の取り付け を完了する。

第１０図は、変調器エレメント８の下の基板４の領域上の整合部の詳細な平面図 である。第１１図は、本発明による整合部を示す変調器エレメント８の底面図で ある。第１２図は、基板４の整合部と変調器エレメント８の整合部の整合を示す ように変調器エレメント８を透明にさせる取り付けられた状態の変調器エレメン トの詳細な平面図である。

第１０図に示すように、基板４は」二面に異方的にエツチングされた一対の溝を 有する。溝５８は双方とも、溝２２の軸線によって形成された基板の光軸に整合 され、それらは、溝２２と同じ処理ステップで形成される。

溝５８は、変調器８が基板４上に正しく整合されるとき、変調器エレメント８の 下面上に変調器リブ６０と整合するように基板４上に配置される。リブ６０は、 変調器エレメント８の光軸を形成する。照射のために赤外線を使用することによ って、変調器エレメント８の整合は、レーザエレメント６と７オトデイテクタエ レメント１０において上述したようなリブ６０と基板の上面、′ｒ、の溝５８と の整合によって実行される。

変調器接地接点６２は、変調器ライン１８を通って変調器ニレメンｈ８の回路に の戻りを提供する。接地接点６２は、各々、好ましくは変調器エレメント８の底 面上の金属化部を有する。

また、変調器エレメント８は、変調器接地接点６２に沿って、好ましくは基板４ 上の各接着パツト３２及び変調器ライン１８にレーザにより溶接され、フォトデ ィテクタエレメント１０の取り付けを完了する接着ハツト３２を有する。

本発明によれば、光ファイバ２０のような光ファイバは、好ましくは、第１３図 、第１４及び第１５図に示すように整合され、光フアイバホルダ６４に取り付け られる。第１３．１４及び第１５図は、ファイバホルダ６４の各底部、第１及び 第２の端面図である。ファイバホルダ６４の下面は一般に平坦であり、長さに沿 ってファイバ保持溝６８を有する中央の軸受は領域を有する。

九ファイバ２０のような光ファイバがファイバホルダ６４の溝６８に固定される 。ファイバホルダ６４は、整合する目的のために基準面として使用されるように 双りが、はぼ平坦な少なくとも１つの側面７０及び上面７２を有する。例えば、 第１４図において、ファイバホルダ６４は、光ファイバ２０の整合を補助するよ うにマニュピレータ（図示せず）のような真空チャックフィンガ７４の隣接面に 当接する側面７０と上面７２を有する。

上面７２から溝６８へファイバホルダ６４を貫通する小さい穴７６は、整合中、 光ファイバ２０を所定の位置に保持するために使用される。別の方法として、代 わりにエポキシの小さい小滴が使用される。

もし、光ファイバ２０が偏光固定形であり、尤ファイバ２０が好ましい偏光方向 て基板４−Ｌの溝２２に取り付けられることを望むならば、光ファイバ２０は、 その偏光が上面７２に対して固定された関係を有するように溝６８内で回転され 、それによって整合中、光ファイバ２０の偏光における基準を提供する。

また、上面７２は、真空チャック７４を確実に取り付けるための大きな面として 作用する。たとえ、上面７２の表面積力吠き（でも、軸受は台部分６６は、整合 中、基板４の上面に接触するファイバホルダの下面の部分を除いて光ファイバ２ ０の回転の自由度を可能にする高さ対幅の比を有する。

九ファイバ２０は、ファイバホルダ６４と真空チャック７４とを使用して基板４ の溝２２内に整合された後に、ファイバホルダ６４と光ファイバ２０は、第１５ 図に示すようにエポキシ樹脂または、はんだのような接着剤７８で基板の一上面 に取りつけられる。次に、真空チャック７４は、取り除かれて光ファイバ２０の 取り付けを終了する。

本発明による電気信号／光学信号トランスレータは、光受信機をも有する。第１ ６図は、トー述したトランスミンクモジュール基板４に対応する受信機モジュー ル基板８２と、尤ファイバ２０に接続され１１つ一１二連したフォトディテクタ ニレメン］・１０にｒ１応するフォトディテクタエレメント８４とを有する光受 信機モジュール８０の平面図である。

第１７図は、取り付ける構成部品の境界の特徴部を示す第１６図に示される受信 機モジュール８０の基板８４の平面図である。フォトディテクタエレメント８４ は、光ファイバ２０を介してフォトディテクタの光入力部に接続された変調され た光の強度に比例した電気出力信号を供給する。

フォトディテクタ８４からの電気出力信号は、検出器出力ライン８６に接続され る。検出器出力ライン８６は、典型的には上述した変調器ラインのような基板４ の表面上につ（られた導波タイプの電気的な送信ライン金属化パターンからなる 。

受信機モジュール８０は、好ましくは上述した送信機モジュールの場合に説明し たと同様の組み立て法を使用して組み立てられる。第１８図は、基板８２の整合 部と受信機モジュールの整合部の整合を示すために受信機モジュールを透明にさ せた第１６図に示す受信機モジュール８０の平面図である。

第１９図は、フォトディテクタエレメント８４の下の基板８２の領域上の整合部 の詳細な平面図である。第２０図は、本発明による整合部を示すフォトディテク タエレメント８４の底面図である。基板８２の上面は、基板整合マーク３４を含 み、フォトディテクタエレメント８４の底面は、構成部品整合マーク３６を含む 。フォトディテクタエレメント８４及び基板８２は、送信機モジュール２で上述 したように赤外光のような適当な照射を使用して互いに整合マーク３４及び３６ を適当に整合させることによって整合される。第２１図は基板８２の整合部とフ ォトディテクタエレメント８４の整合部との整合を示すために、適当な照射によ って７オトデイテクタエレメントを透明にさせた取り付は状態のフォＩ・ディテ クタエレメント８４の詳細な平面図である。

送信機モジュール２に関して１ユ述したように、基板整合マーク３４と構成部品 整合マーク３６は、基板８２とフォトディテクタエレメント８４の光軸に関して 固定された関係になるようにつくられる。これは、整合マーク３４が溝２２を形 成する場合と同じ処理ステップで基板８２上に形成され、整合マーク３６は検出 器リブ８８を形成する場合と同じステップで形成されることを意味する。

基板８２及びフォトディテクタエレメント８４は、整合の後に、トランスミノタ モジュール２に関して一卜述したように好ましくはレーザ溶接によって互いに固 定して取り付けるための相補形状の接着パツト３２を有する。検出器リブ８８に 接続されたフォトディテクタ８４の作動領域９０は、最善の性能のために光ファ イバ２０と検出器リブ８８との間の境界にできるだけ近づくように配置される。

検出器出力接点９２は、フォトディテクタエレメント８４と検出器ライン８６と の間の電気的な接触を行う。検出器出力接点９２は、好ましくはフォトディテク タエレメント８４の底面−Ｌの金属パターンからなる。検出器接点９２は、好ま しくは送信機モジュール２について上述したように検出器ライン８６にレーザに より溶接される。

検出器接地接点９４は、検出器ライン８６を通ってフォトディテクタエレメント 用の回路の戻りを提供する。好ましくは、接地接点９４は、各々がフォトディテ クタエレメント８４の底面上、に金属パターンを有する。検出器接地接点９４は 、好ましくは、送信機モジュール２に関して」−述したように検出器ライン８６ にレーザにより溶接される。

従って、ここにおいて、送信機モジュール接続の出力光ファイバを除いて高性能 の電気信号／光学信号トランスレータをつくるためにアセンブリライン操作と置 換可能な積極的なアセンブリ技術を使用する独特の信号トランスレータ構造、製 造プｊ法、整合技術及び整合装置を開示した。

Ｆ、９．、、　＄ Ｆ、３ＩＪ、、　ｚ− １１蟻計′ Ｆ＋３１４ｒｃ　（＝ Ｆ１コ鴫ル７ ＦＬ１＋、４ｒｃ（６ Ｆ１１＠Ｙξｔ７ 日ｙｒｔ　Ｌ曾 呂ゴｕｖｔ　Ｉヲ Ｆ）ｊ、Ｌｖ−４２，− 国際調査報告　。１ア／ＩＫ　Ｑ？／＋。、、２゜フロントページの続き （５１）　Ｉｎｔ、　Ｃ１，５識別記号　庁内整理番号ＨＯ４Ｂ　１０／１２ （７２）発明者　シュミット、メルヴイン・シーアメリカ合衆国イリノイ州６０ ５３２．ライル。

ビュー・マント・レーン　２３０１．アパートメント　３０１ Ｉ （７２）発明者　レッスル、マイケル・ジーアメリカ合衆国イリノイ州６０５５ ８．ウェスタン・スプリングス、キヤ口ライン　５１１６（７２）発明者　クワ セグロック、ジョン・ジーアメリカ合衆国イリノイ州６０１０２．アルゴンクィ ン、メガン・アベニュー　１５１５

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. １．電気信号と光信号との間のインターフェイスとして機能する電気／光トラン スレータであって、光軸が規矩されたトランスレータ構成部品取り付け基板と、 前記基板の上面に取り付けられ且つ規定された光軸を有する少なくとも１つのト ランスレータ構成部品と、 前記基板の上面に取り付けられた光ファイバと、前記基板の光軸にほぼ平行に前 記光ファイバを整合させるための第１の手段と、前記基板の上面に、前記基板の 光軸に関して固定された関係を有する少なくとも１つの構成部品を整合させるた めの少なくとも１つの第２の手段と、少なくとも１つの構成部品の規定された光 軸に関して固定された関係を有し且つ整合のために前記第２の少なくとも１つの 整合手段に関して固定された関係を有する、少なくとも１つの構成部品の下面に 前記少なくとも１つの構成部品を整合させるための少なくとも１つの第３の手段 とを有する、電気／光トランスレータ。
2. ２．電気信号と光信号との間のインターフェイスとして機能する電気／光トラン スレータのために、トランスレータ構成部品取り付け基板上に少なくとも１つの トランスレータ構成部品を組み付ける方法であって、前記基板上に取り付けられ る前記少なくとも１つの構成部品のために、前記基板上の規定された光軸に関し て固定された関係を有する前記基板の上面に、少なくとも１つの基板整合マーク をマークする段階と、 前記少なくとも１つの構成部品上に規定された光軸に閲して固定された関係を有 する前記少なくとも１つの構成部品の下面上に、少なくとも１つの構成部品整合 マークをマークする段階と、 前記基板と前記少なくとも１つの構成部品とからなる第１のグループであって、 前記少なくとも１つの構成部品は、当該第１のグループの前記選択されたものの 厚さに対する吸収スペクトルの透明領域に少なくとも重なるスペクトルを有する ような前記第１のグループから選択されたものの厚みを貫通して第１の放射線を 導く段階と、 前記基板の上面の少なくとも一部及び前記少なくとも１つの構成部品の前記隣接 する下面の少なくとも一部から反射して出る前記第１の放射線を監視する段階と 、 前記少なくとも１つの構成部品上の少なくとも１つの構成部品整合マークと前記 少なくとも１つの基板の基板整合マークとを互いに所定の関係になるように整合 させて前記少なくとも１つの構成部品と前記基板のマークとを整合させる段階と 、 前記基板及び前記少なくとも１つの構成部品からなる第２のグループから選択さ れたものであって、前記少なくとも１つの構成部品は当該第２のグループから選 択されたものの厚みに対する吸収スペクトルの透明領域にスペクトルを有するよ うな前記第２のグループから選択されたものの厚みを貫通して、第２の放射線を 、前記基板の上面の少なくとも一部分及び当該第２の放射線のかなりの量を吸収 する前記少なくとも１つの構成部品の下面の少なくとも一部に向けて導く段階と 、 前記導かれた第２の放射線の出力を制御して前記基板の上面の少なくとも一部を 前記少なくとも１つの構成部品の隣接下面の少なくとも一部に接着する段階と、 光ファイバホルダの平面をマニピュレータに取り付ける段階と、前記光ファイバ を、前記光ファイバホルダの高く段が付けられた軸受け台部分に沿って前記平面 にほぼ平行に形成された溝に前記光ファイバを取り付ける段階と、 前記マニピュレータによって前記取り付け基板の前記上面に沿っで形成された溝 内に前記光ファイバを配置する段階と、前記光ファイバ及び光ファイバホルダを 前記基板の上面に沿った溝に取り付ける段階と、からなる方法。
3. ３．電気信号と光信号との間のインターフェイスとして機能する電気／光トラン スレータのために、トランスレータ構成部品取り付け基板上に少なくとも１つの トランスレータ構成部品を整合させる方法であって、前記基板上に取り付けられ る前記少なくとも１つの構成部品にために、前記基板上に規定された光軸に関し て固定された関係を有する前記基板の上面に、少なくとも１つの基板整合マーク をマークする段階と、 前記少なくとも１つの構成部品上に規定された光軸に関して固定された関係を有 する前記少なくとも１つの構成部品の下面上に、少なくとも１つの構成部品整合 マークをマークする段階と、 前記少なくとも１つの構成部品上の少なくとも１つの構成部品整合マークと前記 少なくとも１つの基板の基板整合マークとを互いに所定の関係になるように整合 させて前記少なくとも１つの構成部品と前記基板のマークとを整合させる段階と 、からなる方法。
4. ４．電気信号と光信号との間のインターフェイスとして機能する電気／光信号ト ランスレータのために、少なくとも１つのトランスレータ構成部品をトランスレ ータ構成部品取り付け基板上に取り付ける方法であって、少なくとも１つの構成 部品の下面を前記基板の上面に位置決めして前記少なくとも１つの構成部品を前 記基板に取り付ける段階と、 前記基板と前記少なくとも１つの構成部品からなるグループから選択されたもの 厚みを貫通して放射線を、前記基板の上面の少なくとも一部分及び前記放射線の 大部分を吸収する前記少なくとも１つの構成部品の隣接下面に向けて導く段階で あって、前記少なくとも１つの構成部品は、前記厚みに対する吸収スペクトルの 透明領域にスペクトルを有するような前記放射線を導く段階と、前記導かれた放 射線の出力を制御して前記基板の上面の少なくとも一部を前記少なくとも１つの 構成部品の隣接下面の少なくとも一部に接着する段階と、からなる方法。
5. ５．電気信号と光信号との間のインターフェイスとして機能する電気／光信号ト ランスレータのために、少なくとも１つのトランスレータ構成部品の内面とトラ ンスレータ構成部品取り付け基板とを照射によって整合させる方法であって、前 記基板と前記少なくとも１つの構成部品からなる第１のグループから選択された もの厚みを貫通して放射線を導く段階であって、前記少なくとも１つの構成部品 は、前記第１のグループから選択されたものの厚みに対する吸収スペクトルの透 明領域と少なくとも重なるスペクトルを有するような、前記放射線を導く段階と 、 前記基板の上面の少なくとも一部及び前記少なくとも１つの構成部品の前記隣接 下面の少なくとも一部から反射して出てくる前記放射線を監視する段階と、から なる方法。
6. ６．光ファイバホルダの平面をマニピュレータに取り付ける段階と、光ファイバ を前記光ファイバホルダの持ち上げられた段状の軸受け台部分に沿って前記平面 にほぼ平行に形成された溝に前記光ファイバを取り付ける段階と、前記マニピュ レータによって前記取り付け基板の前記上面に沿って形成された溝内に前記光フ ァイバを配置する段階と、前記光ファイバ及び光ファイバホルダを前記取り付け 基板面に沿った前記溝に取り付ける段階とを有する、電気信号と光信号との間の インターフェイスとして作用する電気／光信号トランスレータにおいて、光ファ イバをトランスレータ構成部品取り付け基板に取り付ける方法。
7. ７．光ファイバホルダのほぼ平面に対して所定の角度の偏光を有するように光フ ァイバを回転する段階と、 前記光ファイバホルダの平面にほぼ平行に形成された前記光ファイバホルダ溝内 に前記光ファイバを取り付ける段階と、前記取り付け基板の上面にほぼ平行な前 記光ファイバの前記平面を有する前記取り付け基板の上面に前記光ファイバを取 り付け、前記取り付け基板の上面に対して前記所定の偏光角に前記光ファイバの 偏光を整合させる段階とを有する、電気信号と光信号との間のインターフェイス として作用する電気／光信号トランスレータにおいて、トランスレータ構成部品 取り付け基板に取り付ける光ファイバの光学的な偏光を整合する方法。
8. ８．電気信号と光信号との間のインターフェイスとして作用する電気／光信号ト ランスレータにおいて、光ファイバをトランスレータ構成部品取り付け基板に取 り付ける方法であって、前記基板の上面にほぼ平行な光軸を有する入力部を備え たフォトディテククエレメントを前記上面上の所定の距離に取り付ける段階と、 前記基板の上面に沿って、前記フォトディテクタの光軸とほぼ平行に形成された 溝に前記光ファイバを取り付ける段階であって、前記溝の深さは、前記光ファイ バの光軸を、前記上面から前記フォトディテクタの光軸までの前記所定の距離よ りも短く維持するような前記ファイバを取り付ける段階と、からなる方法。
9. ９．ほぼ平らな上面と、 前記上面にほぼ直角な少なくとも１つのほぼ平坦な側面と、前記上面にほぼ平行 な軸受け面を有する前記上面から離れて伸びる軸受け台部分と、 前記側面にほぼ平行な前記軸受け面に沿って形成されたファイバ保持溝とを有す る、電気信号と光信号との間のインターフェイスとして作用する電気／光信号ト ランスレータにおいて、光ファイバをトランスレータ構成部品取り付け基板に取 り付ける光ファイバホルダ。