JPH06504726A - 鋳型内鋳造方法及び装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、鋳型内での金属の鋳造に関連して、金属の成形に使用される鋳型に隣 接して配置された静磁界によって鋳造ストランドの非凝固部分内の液体金属の流 れを制御する方法及び装置に関する。この磁界の伝搬と磁束密度を制御しかつ分 布することによって、鋳型内へ流入する液体金属−場を減速させ、かつ鋳造スト ランドの非凝固部分内の液体金属の流れを制御し、したがって、その湯に伴う粒 子を分離させてその湯表面へ浮かび上から本発明は、スラグ粒子又は他の非金属 粒子を含む高温湯の無制御流、及び／又は無制御二次流が品質及び生産技術の両 観点から問題を招くようなチル鋳型内連続鋳造に特に応用される。

技術の背景 連続鋳造においては、高温湯は、直接又は湯口を通して、鋳型内へ流れる。鋳型 内で、この湯は冷却され、かつ凝固した自己支持表面層がストランド、すなわち 、ブランクが鋳型から外れる前に形成される。もし流入湯が無制御な仕方で鋳型 内に流入するのに任せるならば、こ１　の湯は、その衝動に起因して、このスト ランドの非凝固部分内へ深く浸透する。このことが、その場内に捕獲された粒子 の分離を困難にし、これらの粒子は上側表面へ分離される代わりにその凝固前面 に接着する。加えて、その自己支持表面層は弱められ、これが鋳型内に形成され たこの表面層を通して湯破壊の危険を増大する。

例えば、スエーデン國特許第４３６．２５１号から、流入湯をブレーキしかつ分 裂させるためにこの湯の通路内に１つ又はいくつかの静磁界又は周期的低周波磁 界を配置するることか知られている。これらの磁界は、磁極、すなわち、永久磁 石又は直流電流を供給される誘導コイルによって発生され、流入湯を横断して作 用するように配置される。これらの磁極は、２つの対抗する鋳型壁に接近して配 置される。しかしながら、上による解決は、この流れ形態のどんな変化も及び非 対称性も計算に入れていない。流れ形態の変化及び非対称性は、とりわけ、鋳型 寸法を変化した場合及び湯口の非対称配置の場合に起こり、また、例えば、湯口 からの流出を擾乱する腐食及び詰まりによっても起こる。

非対称流れ形態は、品質及び生産技術に関する大きな問題を招き、例えば、高温 湯は、非金属粒子を伴うにしろ伴わないにしろ、ブレーキを掛けらることなくス トランドの非凝固部分内へ深く流入して、品質問題を引き起こすことがある。上 側表面、すなわち、メニスカスへ向けての高温湯の上向き流が弱くなり過ぎるこ とがあり、その結果このメニスカスが凍結する危険がある。もし、代わりに、こ の上向き流が強くなり過ぎると、擾乱の結果として波形成がこの上側表面上に起 こり、これがスラグをこの上側表面から場内へ引き込み、その結果、品質問題を 引き起こす。

本発明の要約 本発明によれば、ストランドの非凝固部分内の湯の流れはその金属の鋳造中に制 御され、この鋳造では、少なくとも１つのストランド−スラブ、ブルーム、又は ビレットが鋳型内で成形され、この鋳型は下向きに開口しかつ、直接又は湯口を 通して、少なくとも１つの静磁界又は周期的低周波磁界によって、流入高温湯の 少なくとも１つの一次流を供給される。この静磁界は、磁極、すなわち、永久磁 石又は直流電流を供給されるコイルによって発生される。ここに述べた静磁界は 、この鋳型への流入高温湯の一次流をブレーキしかつ分裂させ、したがって、高 温湯がブレーキされることなくそのストランドの非凝固部分、すなわち、溜め内 へ深く浸透するのを防止するために、湯の通路内に、Ｏ，ｌテスラ（１，０００ ガウス）を超える鋳型内最大磁束密度を有して、作用するように印加される。同 時に、このストランドの非凝固部分内の湯の所望の制御循環を得るようにこの流 入高温湯の部分が上側表面に向けて流れるように制御される。

湯の制御循環、この流入場内に捕獲された粒子の分離、及び粒子を場内へ引き込 ませるほどに大きくなるこの湯の上側表面、すなわち、メニスカスの接近した擾 乱を伴うことのない鋳型の上側部分内の湯への制御熱供給波が、鋳型内にＯ，Ｉ テスラ（１０００ガウス）を超える最大磁束密度を有する、本発明に従う静磁界 の印加によって、得られる。この静磁界は、この鋳型内に成形される鋳造ストラ ンドの全幅Ｗに実質的にわたり作用するように少なくとも１つの静磁界を印加す るめに、好適には、磁極を可動に及び／又は調節可能の磁心要素を備へて配置す ることによって、制御されかつ分布され、その磁界の磁束密度は、この磁界の作 用範囲の中心のレベルにおいて、鋳造方向を横断する面内のその最大値の６０か ら１００パーセントの変動幅内で変動する一方、同時にこの湯の上側表面、すな わち、メニスカスにおいてはこの磁界の磁束密度は多くとも０．０５テスラ（５ ００ガウス）にしか達しない。

この磁界の作用範囲の中心のレベルにおいて、鋳造方向を横断する面内のこの磁 界の磁束密度の変動が上述の変動より大きいとき、好ましくない二次流が生じる 。

この磁界は、鋳型内最大磁束密度が０．１と０．２テスラ（即ち１０００と１８ ００ガウス）との間、好適には、０．１と０．１８テスラ（即ち１０００と１８ ００ガウス）との間に達するように適当に制御及び分布される。

このメニスカスに接近して充分な流路を得、かつ、したがって、このメニスカス が凍結するを防止する一方、同時にこの鋳造ストランドの非凝固部分のこれらの 上側部分内の流れがこの湯の上側表面上に波が形成されほどに強（ならないよう にするために、本発明による磁界の印加においては、それらの磁極は、その磁界 の作用範囲の中心、すなわち、その磁極中心がこの湯の上側表面、すなわち、メ ニスカスより下３００から６００ｍｍの距離にあるように配置さなければならな い。

この磁界をその鋳型に接近して印加するために、この磁界を通すことのできる磁 気回路が必要とされる。このような磁気回路は、磁極とこれらの磁極間に配置さ れた静磁界に加えて、好適には外部的に付加された磁気継鉄の形をした磁気帰路 を含むことがある。このようにして、必要な磁束平衡がストランド又は鋳型に対 して達成される。もとより、関連する磁極及び継鉄で以て、磁束平衡が各鋳型半 部又は鋳型の部分ごとに得られるように、磁界を配置することも可能である。鋳 型に含まれる磁気材料を、有利上、磁気帰路として使用してもよく、したがって 、多くの場合、磁束平衡を伴う磁気回路を得るために特別な継鉄を別に必要とし ない。

本発明の更に他の実施例によれば、鋳型内に成形されるストランドの全幅Ｗに実 質的にわたる静磁界の分布は、磁極及び鋳型壁に隣接する極板によって持たらさ れる。

これらの極板は、好適には、鋳型の長い側に沿い延びる。

これらの極板の背後に、数個の磁極が配置される。これらの極板を通して、複数 の磁極からの磁界が、−緒になるように導かれ、かつこの鋳型内の鋳造ストラン ドの全幅に実質的にわたりこれらの磁性間に作用するように印加される。加えて 、極板を配置することによって、この磁界は、鋳造ストランドの寸法、例えば、 スラブ鋳造におけるスラブの幅の変動に容易に適合する。

これらの磁極は、好適には、本発明により、鋳型の回りに置かれた水槽梁とこれ らを囲む枠構造との間に配置される。

本発明の先に説明した実施例によれば、それらの磁極は、可動であるように及び ／又は調節可能磁心要素を備えて配置される。このようにして、現在使用されて いる従来の連続鋳造鋳型に存在する取り付は制限にかかわらず、到来する一次流 、及び二次流の生起の良好な制御を保証するように、磁界の伝搬と磁束密度を制 御及び分布することができる。ルーズコイル又は永久磁石の形をした磁極は、鋳 型の回りに置かれた水槽渠内又はこれの近くに置かれたスロット又は支持梁内に 配置される。

上述の１実施例によれば、調節可能磁心要素を備える磁極を配置することによっ て、静磁界を制御し及び分布させることができる。

直流電流を供給されるコイルの形をした磁極の場合、この制御は、磁性区及び非 磁性区を備えるコイル磁心を配置することによって達成され、これらの磁性区及 び非磁性区はこのコイル磁心の幾何学的形状を変化させ、それゆえ、このコイル によって発生される磁界の伝搬と磁束密度を変化させるように交互に挿入かつ置 換される。

永久磁石の形をした磁極の場合、上述の制御は、永久磁石と鋳型との間に配置さ れ、磁性区及び非磁性区を備える磁心を備えることによって達成され、これらの 磁性区及び非磁性区はこの磁心の幾何学的形状を変化させ、それゆえ、この永久 磁石によって発生される磁界の伝搬と磁束密度を変化させるように交互に挿入か つ置換される。

流れは１０秒以上の時定数を持つ不活性現象であり、したがって、静磁界の磁束 密度と方向は、二次流の衝動が起こるのを制御するために、低周波で以て時間と 共に変動するのに有利に適合することができる。

本発明によって、鋳造ストランドの非凝固部分内の湯の運動が制御される。非金 属粒子の分離が向上される一方、同時にその凝固金属の構造が制御されるので、 品質改善が達成される。加えて、凝固表面層の再溶融又は湯の上側表面の凍結の 危険が実質的に除去され、このことが改善アベイラビリティ−及び上昇鋳造速度 の結果として工場における生産性の向上に反映されるので、生産観点上の改善を 持たらす。

図面の簡単な説明 鋳型内で鋳造中に鋳造ストランドの非凝固部分内の流れを制御するための静磁界 が第１図に示されており、この磁界はこの鋳型内に成形されるストランドの全幅 に実質的にわたり作用するように適合しており、その伝搬と磁束密度は本発明に より制御されかつ分布される。第２′図から第５図は、本発明の種々の実施例に よる、可動磁極及び／又は調節可能磁極の形をした磁極が、鋳型、鋳型の回りに 置かれた水槽梁、及び水槽梁を囲み配置された枠構造に対していかに配置される かを示す。

好適実施例の説明 鋳型内での少なくとも１つの鋳造ストランドの連続鋳造において、高温湯の少な くとも１つの一次流（２ｏ）を通して鋳型（１１）内へ流入する湯をブレーキし かつ分裂させるために、及び、通常、非金属粒子を含む一次流（２０）が鋳造ス トランド（１）の非凝固部分内へ深く浸透するのを防止するために、第１図から 明らかなように、少なくとも１つの静磁界（１０）が印加される。

湯は、自由渦ジェットを通して鋳型（１１）内へ供給されることがあるが、しか し、好適には、湯口（１２）を通して供給されるのに適合している。湯口（１２ ）は、任意の仕方で方向付けられた任意の数の出口を備え、かつ好適には鋳型（ １１）内の中心に配置される。しかしながら、様々な理由から、流入高温湯の一 次流（２ｏ）は、多くの場合、非対称になる。したがって、本発明によれば、１ つ以上の静磁界（１０）が、鋳型（１１）内のストランド（１）の全幅Ｗに実質 的にわたり作用するように適合させられる。これが、−電流（２０）を減速させ 、二次流（２１）に分割し、かつその流量を制御し、したがってストランド（１ ）の非凝固部分内の湯の制御循環が得られ、このことがあらゆる粒子の良好な分 離、鋳造構造の良好な制御だけでなく生産性の向上に対する良好な状態を持たら す。

本発明に従い、静磁界（ｌＯ）を、その作用範囲の中心、すなわち、その磁極中 心がメニスカス（１３）より下３００から６００ｍｍの距離Ｈに有するように配 置することによって、メニスカス（１３）の近くに流路が得られる。この流路は 、湯の上側表面、すなわち、メニスカス（１３）への充分な熱供給をすることを 保証し、その結果、擾乱及び上側表面（１３）近くでの波の形成が強過ぎるよう になってスラグをこの場内へ引き込む危険を持たらすことなく、上側表面（１３ ）が凝固するのを防止する。加えて、非金属粒子を分離させかつ上側表面（１３ ）上に位置するスラグ層へ浮き上がるせることを保証する。

本発明によれば、磁界（１−０）の磁束密度と伝搬は、鋳型内最大磁束密度が０ ．ｌテスラを超えるように制御されかつ分布される。適合上、鋳型内最大磁束密 度は０゜１から０．２テスラの変動幅内に維持されなけれならず、好適には、０ ．１から０．１８テスラの変動幅内に維持されなければならない。本発明によれ ば、鋳型（１１）内に成形される鋳造ストランド（１）の全幅にわたり鋳造方向 を横断する面内で、かつ磁界の作用範囲の中心、すなわち、磁極中心のレベルに おいて、印加磁界（ｌＯ）の磁束密度は、好ましくない無制御二次流を起こすこ となく、最大磁束密度の６０から１００パーセントの変動幅内で変動することが できる。

第２図から第５図で明らかにされるように、連続鋳造は、通常、内側チル鋳型（ １１）、好適には、水冷銅鋳型を含む。鋳型（１１）は、水槽梁（１４）によっ て囲まれ、この水槽梁は、これはこれで、枠構造（１７）によって囲まれる。本 発明に従い、連続鋳造鋳型内の鋳造ストランド（１）の非凝固部分内の湯の流れ の制御を遂行するために、磁極（１５）は、鋳型（１１）を囲む水槽梁（１４） 内又はその近くに配置される（第３図参照）。代替的には、磁極（１５）は、水 槽梁（１４）とこの水槽梁（１４）を囲む枠構造（１７）との間に配置される。

本発明によれば、磁極（１５）は、靜磁界（１０）を発生するのに適合しており 、この磁界の磁束密度と伝搬は鋳型（１１）内で鋳造ストランド（１）の全幅Ｗ に実質的にわたり作用するように制御されかつ分布され及び０，１テスラを超え る最大磁束を有する一方、同時にメニスカス（１３）のレベルにおける磁束密度 が０．０５テスラの最大値を存する。枠構造（１７）は磁気帰路（１８）を備え 、この磁気帰路は枠構造（Ｉ７）内に備わる鉄心としてこれらの図面に示され、 磁極（１５）及びこれらの磁極（Ｊ５）間に作用する磁界（１０）と−緒に鋳型 （１１）に対する磁気回路を形成する。磁極（１５）、磁界（１０）、及び磁気 帰路、すなわち、鉄心（１８）は、もとより、鋳型（１１）の各鋳型半部又は部 分ごとに磁束平衡を伴う回路が得られるように配置されてもよい。

上に説明された構造は、磁気コイル及び永久磁石両方の型式の磁極（Ｉ５）の挿 入の可能性に可なりの制限を課することがあるが、これは、特に、鋳型（１１） 内に成形される鋳造ストランド（１）の全幅Ｗを実質的に覆う静磁界（１０）が 望まれ、かつここでこの静磁界の磁束密度と伝搬が本発明により制御されるから である。このような制限を克服するために、磁極（１５）は、本発明のｌ実施例 においては、その鋳型の支持梁（１４）内のスロット内で可動であるように配置 される（第３図参照）。代替的に、可動磁極（１５）は、水槽梁とこれを囲む枠 構造（１７）との間に配置されることがある。可動配置磁極（１５）の場合、静 磁界（ｌＯ）の磁束密度と伝搬を、例えば、鋳造ストランド（１）の寸法変動、 好適には、幅変動の結果としての流れ形態の変化の際に、容易に変化させること ができる。

磁界（１０）の伝搬と磁束密度を制御しかつ分布させる可能性を更に向上するた めに、本発明の１実施例により、磁極（１５）は磁性区及び非磁性区両方の形を した調節可能磁心要素（１９）を備える。磁心要素（１９）は、磁界（１０）の 伝搬と磁束密度を変化させるために交互に挿入／置換されるのに適合している。

直流電流を供給される誘導コイルの形をした磁極（１５）の場合（第３図参照） 、このコイルの磁心（１５１’）は、磁性材料及び非磁性材料両方の調節可能磁 心要素（１９）を備えている。このようにして、誘導コイル（１５ａ）によって 発生された磁界（ｌＯ）の磁束密度と伝搬を制御する可能性が、増大される。永 久磁石（１５ｂ）の形をした磁極（１５）の場合（第５図参照）、磁心（１５２ ）は永久磁石（１５ｂ）と鋳型（１１）との間に配置され、磁心（１５ｂ）は磁 性磁心要素と非磁性磁心要素（１９）を含み、これらの磁心要素は永久磁石（１ ５ｂ）によって発生される磁界（１０）を変化させるために挿入／置換される。

永久磁石（１５ｂ）／誘導コイル（１５ａ）の使用は、もとりより、これらが例 示される据付設計と結び付いてはおらず、磁極（１５）の型式と据付設計とを互 いに独立に置換することができる。

第２図から第５図は、本発明のｌ実施例に従い、いかに極板（１６）が、鋳型の 互いに反対に位置した２つの側に隣接して配置されるかを示す。極板（１６）は 、鋳型（１１）のこれら両側に沿い延びるように適合している。これらの極板の 背後に１つ以上の磁極（１５）が直流電流を供給されるコイル又は永久磁石の形 をして配置される。これらの磁極（１５）からの磁界は、−緒になるように導か れかつ分布されて、磁界（ｌＯ）を発生しかつ印加し、この磁界（１０）は少な （とも０．Ｉテスラ、適合上、Ｏ，ｌと０．２テスラの間、好適には、０゜１と ０．１８テスラ間に達する最大磁束密度を有する。

本発明により、印加され、制御され、かつ分布される静磁界（ｌＯ）は、湯がブ レーキされることなく鋳造ストランド（１）内へ浸透するのを防止する一方、同 時に鋳造ストランド（１）の非凝固部分内の湯の流れの制御を提供する。加えて 、流入場内に含まれる非金属粒子を上側表面（１３）へ向けて分離すること、上 側表面、すなわち、メニスカス（１３）にこれが凝固しないように高温湯の充分 な量を供給すること、及びメニスカス（１３）上での擾乱及び波形成を実質的に 回避し、このことが磁極粉末、すなわち、スラグを上側表面（１３）上に位置す るスラグ層から下へ引き下げる危険を除去することを保証する。総じて、優れた 歩留り及び高生産性が可能とされるが、これは、介在物の量及び鋳造構造の改善 された制御の形での改善された品質管理を増大アベリラビリティー及び高鋳造速 度と組み合わすことができるからである。

ＦＩＧ、　７ ＦＩＧ、　３ ＦＩＧ、　２ ＦＩＧ、　５ ＦＩＧ、　４ 国際調査報告 一一一−＾ｔｅｌｌａｍ−ｍＬＰＣＴ／ＳＥ　９２１０００２５フロントページ の続き （７２）発明者　コールベルグ、ステンスウェーデン国ニス　−７２２２３ベス テルオース、ノルダンビイガタン　５８（７２）発明者　タールパック、ゴーテ スウェーデン国ニス　−７２２４０ベステルオース、バンプイガタン　１２−

Claims (14)

【特許請求の範囲】
1. １．金属の鋳造において、鋳型（１１）が直接又は湯口（１２）を通して高温流 入湯の少なくとも１つの一次流（２０）を供給され、かつ前記鋳型内で少なくと も１つの鋳造ストランド（１）が形成され、少なくとも１つの静磁界又は周期的 低周波磁界（１０）が前記鋳型に隣接して配置された磁極（１５）、すなわち、 永久磁石又は直流電流を供給されるコイルによって発生され、前記静磁界は前記 鋳型内への前記流入湯の前記一次流（２０）をブレーキしかつ分割するために及 び二次流（２１、２２）の起こるのを制御するために前記流入湯の通路に０．１ テスラを超える前記鋳型内最大磁束密度を有して作用するように印加される、前 記鋳造ストランドの非凝固部分内の前記湯の流れを制御する方法であって、前記 静磁界（１０）は前記鋳型（１１）内に成形される鋳造ストランド（１）の全幅 （Ｗ）に実質的にわたり作用するように印加され、前記静磁界（１０）の作用範 囲の中心のレベルにおいて、鋳造方向を横断する面内の前記磁界の磁束密度は該 磁束密度の最大値の６０から１００パーセントの変動幅内で変動する一方、同時 に前記湯の前記上側表面、すなわち、前記メニスカスのレベルにおける前記静磁 界の磁束密度は０．０５テスラの最大値を有することを特徴とする方法。
2. ２．請求の範囲第１項記載の方法において、前記磁界（１０）は０．１と０．２ テスラとの間に達する前記鋳型内最大磁束密度を有して作用するように制御され かつ分布されることを特徴とする方法。
3. ３．請求の範囲第１項又は第２項記載の方法において、前記磁界（１０）は、前 記鋳造ストランド（１）の非凝固部分内の前記湯の前記流れを制御するために、 前記湯の前記上側表面、すなわち、メニスカス（１３）より下へ３００から６０ ０ｍｍの距離（Ｈ）に配置された前記磁界の作用範囲の中心を有して作用するよ うに制御されかつ分布されることを特徴とする方法。
4. ４．請求の範囲第１項から第３項のうちいずれか１つに記載の方法において、前 記磁界（１０）は、可動であるように及び／又は調節可能磁心要素（１９）を備 えて磁極（１５）を配置することによって制御されかつ分布されることを特徴と する方法。
5. ５．請求の範囲第４項記載の方法において、前記静磁界（１０）の磁束密度と伝 搬とは前記磁極（１５）内又は該磁極に隣接して配置された調節可能磁心要素（ １９）によって制御されかつ分布され、前記磁心要素は前記磁極によって発生さ れた磁界の磁束密度と伝搬とを制御するために前記磁極内に交互に挿入又は隣接 させられる磁性区と非磁性区の両方を含むことを特徴とする方法。
6. ６．請求の範囲第１項から第５項のうちいずれか１つに記載の方法において、前 記磁界（１０）は、前記鋳型（１１）の壁の近くに配置された極板（１６）によ って前記鋳型内に成形される前記鋳造ストランド（１）の全幅（Ｗ）に実質的に わたり作用するように分布されることを特徴とする方法。
7. ７．金属の鋳造において、鋳型（１１）が直接又は湯口（１２）を通して高温流 入湯の少なくとも１つの一次流（２０）を供給され、かつ少なくとも１つの鋳造 ストランド（１）を形成するように適合し、１．０テスラを超える最大値に達す る前記鋳型内磁束密度を有する少なくとも１つの静磁界又は周期的低周波磁界（ １０）を発生するために磁極（１５）、すなわち、永久磁石又は直流電流を供給 されるコイル、を前記鋳型に隣接して配置され、前記磁界は前記流入湯の通路内 に作用し、前記作用によって前記鋳型（１１）内への前記流入湯の前記一次流（ ２０）をブレーキしかつ分割し及び二次流の起こるのを制御する、前記鋳造スト ランドの非凝固部分内の前記湯の流れを制御する装置であって、前記磁極（１５ ）は前記鋳型内に成形される前記鋳造ストランド（１）の全幅（Ｗ）に実質的に わたり作用するように前記静磁界（１０）を分布させるために可動であるように に及び／又は調節可能磁心要素（１９）を備えて配置され、前記磁界（１０）の 作用範囲の中心、すなわち、磁極中心のレベルにおいて、鋳造方向を横断する面 内の前記磁界の磁束密度は該磁束密度の最大値の６０か１００パーセントの変動 幅内で変動する一方、同時に前記湯の前記上側表面、すなわち、前記メニスカス のレベルにおける前記静磁界の磁束密度は０．０５テスラに達することを特徴と する、装置。
8. ８．請求の範囲第７項記載の装置において、前記磁極（１５）は、前記湯の前記 上側表面、すなわち、メニスカス（１３）より下へ３００から６００ｍｍの距離 （Ｈ）に配置された前記磁極の中心を有するように配置されることを特徴とする 装置。
9. ９．請求の範囲第７項又は第８項記載の装置において、直流電流を供給される誘 導コイル（１５ａ）の形をした前記磁極（１５）は磁性区と非磁性区の両方の形 をした調節可能磁心要素（１９）を備えて配置されることと、前記磁心要素は前 記磁界（１０）を変化させるために前記コイルの前記磁心（１５１）内へ交互に 挿入されるように適合していることとを特徴とする装置。
10. １０．請求の範囲第７項又は第８項記載の装置において、前記磁極（１５）は永 久磁石（１５ｂ）及び前記永久磁石（１５ｂ）と前記鋳型（１１）との間に配置 された磁心（１５２）の形に配置されることと、前記磁心は磁性区と非磁性区の 両方の形をした調節可能磁心要素（１９）を備えて配置されることと、前記磁心 要素は前記磁界（１０）を変化させるために前記磁心（１５２）内へ交互に挿入 されるように適合していることとを特徴とする装置。
11. １１．請求の範囲第７項から第１０項のうちいずれか１つに記載の装置において 、前記磁極（１５）は前記鋳型の水槽梁（１４）内に配置されることを特徴とす る装置。
12. １２．請求の範囲第７項から第１０項のうちいずれか１つに記載の装置において 、前記磁極（１５）は前記鋳型の水槽梁（１４）と前記鋳型の前記水槽梁（１４ ）を囲む枠構造（１７）との間に配置されることを特徴とする装置。
13. １３．請求の範囲第７項から第１２項のうちいずれか１つに記載の装置において 、磁気帰路（１８）が、前記磁極（１５）と前記磁極間に作用する前記磁界（１ ０）と一緒に磁気回路を構成するために、前記鋳型の前記水槽梁（１４）を囲み 、前記枠構造（１７）内に配置されることを特徴とする装置。
14. １４．請求の範囲第７項から第１３項のうちいずれか１つに記載の装置において 、極板（１６）が、前記鋳型内に成形される鋳造ストランド（１）の全幅（Ｗ） に実質的にわたり前記静磁界（１０）を分布するために前記鋳型（１１）の壁近 くに配置されることを特徴とする装置。