JPH0649663A - チタン酸バリウムストロンチウムの異方性エッチング方法 - Google Patents
チタン酸バリウムストロンチウムの異方性エッチング方法Info
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- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/53—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone involving the removal of at least part of the materials of the treated article, e.g. etching, drying of hardened concrete
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- C09K13/04—Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an inorganic acid
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- G—PHYSICS
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 チタン酸バリウムストロンチウムの異方性エ
ッチング方法を提供する。 【構成】 チタン酸バリウムストロンチウム基板３４が
液体雰囲気（例えば、１２モル濃度の塩化水素酸３０）
中へ浸され、放射源（例えば、２００ワットの水銀キセ
ノンアークランプ２０）によって発せられた電磁放射
（例えば、集束された可視／紫外の電磁放射２４）で以
て照明される。集束された電磁放射２４に対して本質的
に透明な窓２６が、放射されたエネルギーのチタン酸塩
基板３４への到達を許容する。放射源２０と基板３４と
の間にエッチマスク３２を配置することができる。チタ
ン酸塩基板３４と液体雰囲気３０とは公称温度（例え
ば、２５℃）に保たれる。照明なしではチタン酸塩は液
体雰囲気にほとんどエッチされない。照明されるとエッ
チ速度は本質的に増大する。
ッチング方法を提供する。 【構成】 チタン酸バリウムストロンチウム基板３４が
液体雰囲気（例えば、１２モル濃度の塩化水素酸３０）
中へ浸され、放射源（例えば、２００ワットの水銀キセ
ノンアークランプ２０）によって発せられた電磁放射
（例えば、集束された可視／紫外の電磁放射２４）で以
て照明される。集束された電磁放射２４に対して本質的
に透明な窓２６が、放射されたエネルギーのチタン酸塩
基板３４への到達を許容する。放射源２０と基板３４と
の間にエッチマスク３２を配置することができる。チタ
ン酸塩基板３４と液体雰囲気３０とは公称温度（例え
ば、２５℃）に保たれる。照明なしではチタン酸塩は液
体雰囲気にほとんどエッチされない。照明されるとエッ
チ速度は本質的に増大する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は一般的にはチタン酸バリ
ウムストロンチウムを異方性エッチングする方法に関す
るものである。
ウムストロンチウムを異方性エッチングする方法に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】本発明の範囲を限定することなしに、本
発明の背景について一例としてチタン酸バリウムストロ
ンチウムをエッチングする現状の方法に関連して説明す
る。
発明の背景について一例としてチタン酸バリウムストロ
ンチウムをエッチングする現状の方法に関連して説明す
る。
【０００３】チタン酸バリウムストロンチウム（ＢａＳ
ｒＴｉＯ3 、以降ではＢＳＴと略記する）はその電気的
及び機械的性質のためにエレクトロニクス分野において
数多くの用途を有する。ＢＳＴが示す非常に高い誘電率
はそれをコンデンサの誘電体として有用なものとする。
ＢＳＴはまた電気抵抗の温度係数が正であるため、過電
流状態による損傷から電動機を保護するための装置を作
るために利用できる。ＢＳＴを採用した微小な構造は、
赤外線を検出するために低温に冷却することを要するバ
ンドギャップ検出器材料を必要とせずに赤外線を検出す
るために使用される。
ｒＴｉＯ3 、以降ではＢＳＴと略記する）はその電気的
及び機械的性質のためにエレクトロニクス分野において
数多くの用途を有する。ＢＳＴが示す非常に高い誘電率
はそれをコンデンサの誘電体として有用なものとする。
ＢＳＴはまた電気抵抗の温度係数が正であるため、過電
流状態による損傷から電動機を保護するための装置を作
るために利用できる。ＢＳＴを採用した微小な構造は、
赤外線を検出するために低温に冷却することを要するバ
ンドギャップ検出器材料を必要とせずに赤外線を検出す
るために使用される。
【０００４】ＢＳＴのような材料はその特長的な性質を
利用する電気的装置を製造する場合にしばしばエッチン
グされる。ＢＳＴをエッチングするために用いられる方
法は一般的に、作製される装置の機能がそれに依存する
材料の性質を受け入れ難いように変化させてしまうよう
な損傷を導入することなしにエッチング可能でなければ
ならない。更に、エッチマスクパターン中の細部の形状
が保存されるような異方性のエッチング方法が通常望ま
れる。エッチング方法によるＢＳＴ（及び／または近傍
材料）の汚染は通常許容されない。
利用する電気的装置を製造する場合にしばしばエッチン
グされる。ＢＳＴをエッチングするために用いられる方
法は一般的に、作製される装置の機能がそれに依存する
材料の性質を受け入れ難いように変化させてしまうよう
な損傷を導入することなしにエッチング可能でなければ
ならない。更に、エッチマスクパターン中の細部の形状
が保存されるような異方性のエッチング方法が通常望ま
れる。エッチング方法によるＢＳＴ（及び／または近傍
材料）の汚染は通常許容されない。
【０００５】従って当該分野において、ＢＳＴは等方的
な湿式エッチングやイオンミリング、プラズマエッチン
グ、レーザースクライビングによって行われている。レ
ーザースクライビングは強いレーザー照射に曝すことに
よって材料の選ばれた部分に損傷を与えて弱くした後、
そこを除去する方法である。
な湿式エッチングやイオンミリング、プラズマエッチン
グ、レーザースクライビングによって行われている。レ
ーザースクライビングは強いレーザー照射に曝すことに
よって材料の選ばれた部分に損傷を与えて弱くした後、
そこを除去する方法である。
【０００６】
【発明の概要】ＢＳＴをエッチする現状の方法が、許容
できない結果をもたらすことが見いだされた。等方性湿
式エッチングはエッチマスクをアンダーカット（一般的
にエッチ深さと同程度の距離）してしまい、下層のＢＳ
Ｔに対してエッチマスクパターンと異なる形状を与えて
しまう。イオンミリングはＢＳＴ中にそれの電気的、化
学的、機械的、光学的、及び／または磁性的性質に関す
る許容できない欠陥を発生させる。プラズマエッチング
はイオンミリングによって引き起こされるのと同様な損
傷をもたらすことに加えてプラズマを構成する成分が基
板材料を汚染してしまい、しばしばそれは除去が困難で
ある。レーザースクライビングによるエッチングは材料
のアンダーカットは引き起こさないものの、レーザー照
射は高温度（約１４００℃）でのアニールによって修復
を必要とするような損傷をＢＳＴへ導入する。このアニ
ールはＢＳＴ中に望ましくない酸化物状態を作り、その
特長的な性質を損なう。高温アニールはまた、基板中に
存在する他の材料や構造に対して変化と損傷をもたらし
得る。
できない結果をもたらすことが見いだされた。等方性湿
式エッチングはエッチマスクをアンダーカット（一般的
にエッチ深さと同程度の距離）してしまい、下層のＢＳ
Ｔに対してエッチマスクパターンと異なる形状を与えて
しまう。イオンミリングはＢＳＴ中にそれの電気的、化
学的、機械的、光学的、及び／または磁性的性質に関す
る許容できない欠陥を発生させる。プラズマエッチング
はイオンミリングによって引き起こされるのと同様な損
傷をもたらすことに加えてプラズマを構成する成分が基
板材料を汚染してしまい、しばしばそれは除去が困難で
ある。レーザースクライビングによるエッチングは材料
のアンダーカットは引き起こさないものの、レーザー照
射は高温度（約１４００℃）でのアニールによって修復
を必要とするような損傷をＢＳＴへ導入する。このアニ
ールはＢＳＴ中に望ましくない酸化物状態を作り、その
特長的な性質を損なう。高温アニールはまた、基板中に
存在する他の材料や構造に対して変化と損傷をもたらし
得る。
【０００７】一般的に、そして本発明の１つの形態にお
いて、ＢＳＴのエッチングはそれを液体雰囲気中に浸
し、次にそれに対して電磁放射（例えば紫外光）を照射
し、表面の照射部分にエッチングを生じさせ、未照射部
分は本質的にエッチされることなく残存させることによ
って行われる。すなわちここに提供されるプロセスは液
相での異方性の光化学的エッチである。望ましくは、Ｂ
ＳＴはそれを１２モル濃度の塩化水素酸中に浸し、その
表面部分に水銀キセノンアークランプから供給される可
視及び紫外の電磁放射を照射することによってエッチさ
れる。フッ化水素酸を使用することもできる。表面に照
射パターンを定義するためにエッチマスクが使用され、
それによってエッチパターンが定義される。光の持つ高
度な方向性のためにこのエッチングは異方性エッチ法と
なる。
いて、ＢＳＴのエッチングはそれを液体雰囲気中に浸
し、次にそれに対して電磁放射（例えば紫外光）を照射
し、表面の照射部分にエッチングを生じさせ、未照射部
分は本質的にエッチされることなく残存させることによ
って行われる。すなわちここに提供されるプロセスは液
相での異方性の光化学的エッチである。望ましくは、Ｂ
ＳＴはそれを１２モル濃度の塩化水素酸中に浸し、その
表面部分に水銀キセノンアークランプから供給される可
視及び紫外の電磁放射を照射することによってエッチさ
れる。フッ化水素酸を使用することもできる。表面に照
射パターンを定義するためにエッチマスクが使用され、
それによってエッチパターンが定義される。光の持つ高
度な方向性のためにこのエッチングは異方性エッチ法と
なる。
【０００８】これは明らかにＢＳＴと液体雰囲気（例え
ば塩化水素及び／またはフッ化水素酸）との間の反応中
に光照射によって引き起こされる電子的励起を利用した
ＢＳＴのエッチング方法の最初のものである。本発明の
特長はそれがアンダーカットを引き起こさないことであ
る。マスク下の領域は影の中に留まりほとんどエッチさ
れない。更に、この方法はＢＳＴ材料中に許容できない
欠陥をもたらさないことが見いだされた。プラズマ種か
らの汚染は回避される。一般的に高温アニールは必要で
ない。
ば塩化水素及び／またはフッ化水素酸）との間の反応中
に光照射によって引き起こされる電子的励起を利用した
ＢＳＴのエッチング方法の最初のものである。本発明の
特長はそれがアンダーカットを引き起こさないことであ
る。マスク下の領域は影の中に留まりほとんどエッチさ
れない。更に、この方法はＢＳＴ材料中に許容できない
欠陥をもたらさないことが見いだされた。プラズマ種か
らの汚染は回避される。一般的に高温アニールは必要で
ない。
【０００９】本発明に特徴的と考えられる新規な性質に
ついては特許請求の範囲に述べた。しかし、本発明自身
についてはそれのその他の特徴及び利点と共に以下の詳
細な説明を図面と一緒に参照することによって最も良く
理解できよう。
ついては特許請求の範囲に述べた。しかし、本発明自身
についてはそれのその他の特徴及び利点と共に以下の詳
細な説明を図面と一緒に参照することによって最も良く
理解できよう。
【００１０】
【実施例】本発明の好適実施例において、そして図１を
参照すると、１２モル濃度の塩化水素酸（ＨＣｌ）３０
中に浸されて、２００ワットの水銀キセノンアークラン
プ２０によって発せられ本質的に基板表面３４に対して
垂直に伝搬する本質的に集束された可視／紫外の電磁放
射２４を照射されることによって、チタン酸バリウムス
トロンチウム（ＢａＳｒＴｉＯ3 ）の基板３４中にパタ
ーンがエッチされる。放射源２０からの電磁放射２１は
集束光学系２２によって平行に揃えられ、その結果の集
束された電磁放射２４が基板３４へ向かって照射され
る。反応容器２８の一部であり集束された電磁放射に対
して本質的に透明である窓２６は放射エネルギーがＢＳ
Ｔ基板３４に到達するのを許容する。エッチマスク３２
は基板の一部に電磁放射が到達するのを阻止することに
よってエッチされるパターンを定義する。ＢＳＴ基板３
４及び酸溶液３０は名目的には２５℃の温度にある。そ
のような温度及び酸濃度では照射なしではＢＳＴはＨＣ
ｌによってほとんどエッチされない。しかし、ランプか
ら発生した可視／紫外の電磁放射に照明されるとエッチ
速度はおよそ１時間当たり１ミクロン程度になる。照射
エリアでのエッチング反応の加速が熱的効果よりもむし
ろ光子衝撃による電子的な励起によるのは、部分的には
光源の比較的低い電力のためであろうと推測される。こ
こに用いられている”電磁放射”という用語は背景レベ
ルよりも高いレベルの電磁放射を意味し、例えば室内照
明よりも本質的に大きいレベルの照明を意味する。
参照すると、１２モル濃度の塩化水素酸（ＨＣｌ）３０
中に浸されて、２００ワットの水銀キセノンアークラン
プ２０によって発せられ本質的に基板表面３４に対して
垂直に伝搬する本質的に集束された可視／紫外の電磁放
射２４を照射されることによって、チタン酸バリウムス
トロンチウム（ＢａＳｒＴｉＯ3 ）の基板３４中にパタ
ーンがエッチされる。放射源２０からの電磁放射２１は
集束光学系２２によって平行に揃えられ、その結果の集
束された電磁放射２４が基板３４へ向かって照射され
る。反応容器２８の一部であり集束された電磁放射に対
して本質的に透明である窓２６は放射エネルギーがＢＳ
Ｔ基板３４に到達するのを許容する。エッチマスク３２
は基板の一部に電磁放射が到達するのを阻止することに
よってエッチされるパターンを定義する。ＢＳＴ基板３
４及び酸溶液３０は名目的には２５℃の温度にある。そ
のような温度及び酸濃度では照射なしではＢＳＴはＨＣ
ｌによってほとんどエッチされない。しかし、ランプか
ら発生した可視／紫外の電磁放射に照明されるとエッチ
速度はおよそ１時間当たり１ミクロン程度になる。照射
エリアでのエッチング反応の加速が熱的効果よりもむし
ろ光子衝撃による電子的な励起によるのは、部分的には
光源の比較的低い電力のためであろうと推測される。こ
こに用いられている”電磁放射”という用語は背景レベ
ルよりも高いレベルの電磁放射を意味し、例えば室内照
明よりも本質的に大きいレベルの照明を意味する。
【００１１】放射源２０とＢＳＴ基板３４との間のエッ
チマスク３２は望ましくはエッチされる表面に接近する
か接触して配置される。そのようなエッチマスク３２は
基板表面へ堆積させてもよい。エッチマスク３２は望ま
しくは二酸化シリコンでできている。一般には水銀キセ
ノンランプによって生成されるような可視及び紫外の光
に対して十分に不透明で、液体雰囲気によって本質的に
エッチまたは侵食されない酸化シリコンや窒化シリコン
の任意の材質が使用できる。マスク材料によって覆われ
ていない基板エリアはエッチングに曝される。
チマスク３２は望ましくはエッチされる表面に接近する
か接触して配置される。そのようなエッチマスク３２は
基板表面へ堆積させてもよい。エッチマスク３２は望ま
しくは二酸化シリコンでできている。一般には水銀キセ
ノンランプによって生成されるような可視及び紫外の光
に対して十分に不透明で、液体雰囲気によって本質的に
エッチまたは侵食されない酸化シリコンや窒化シリコン
の任意の材質が使用できる。マスク材料によって覆われ
ていない基板エリアはエッチングに曝される。
【００１２】別の実施例では、液体雰囲気は光照射なし
で材料をエッチする溶液のグループから選ぶことができ
る。この場合は、電磁放射は基板の照射部分でエッチ速
度を増速し、より等方性の少ないエッチを実現する。更
に別の実施例では液体雰囲気は塩を含み、液体雰囲気の
ｐＨ値は７に等しいかそれ以下（すなわち酸性および中
性）である。中性及び酸性の溶液が特に望ましく、本発
明の好適実施例において述べられたように優れた結果を
もたらしたのではあるが、更に別の実施例にはアルカリ
性のｐＨ値（すなわち、７より大きい）の液体雰囲気が
含まれる。
で材料をエッチする溶液のグループから選ぶことができ
る。この場合は、電磁放射は基板の照射部分でエッチ速
度を増速し、より等方性の少ないエッチを実現する。更
に別の実施例では液体雰囲気は塩を含み、液体雰囲気の
ｐＨ値は７に等しいかそれ以下（すなわち酸性および中
性）である。中性及び酸性の溶液が特に望ましく、本発
明の好適実施例において述べられたように優れた結果を
もたらしたのではあるが、更に別の実施例にはアルカリ
性のｐＨ値（すなわち、７より大きい）の液体雰囲気が
含まれる。
【００１３】本方法の付加的な面においては、エッチさ
れる材料と反応することなく溶解性またはわずかに溶解
性の生成物を形成する不動態化剤（パシベーティング・
エージェント）を液体雰囲気３０中へ加えることによっ
て側壁の断面形状制御が促進される。この不動態化剤
は、他のエッチ試薬が側壁に対して与える攻撃に関して
は側壁に”害”を及ぼすが、照射が表面から不動態化剤
をはがすので基板に対して垂直なエッチングを停止させ
ることはない。ＢＳＴのエッチングに関する不動態化剤
の例はリン酸である。
れる材料と反応することなく溶解性またはわずかに溶解
性の生成物を形成する不動態化剤（パシベーティング・
エージェント）を液体雰囲気３０中へ加えることによっ
て側壁の断面形状制御が促進される。この不動態化剤
は、他のエッチ試薬が側壁に対して与える攻撃に関して
は側壁に”害”を及ぼすが、照射が表面から不動態化剤
をはがすので基板に対して垂直なエッチングを停止させ
ることはない。ＢＳＴのエッチングに関する不動態化剤
の例はリン酸である。
【００１４】本発明の別の実施例では、基板に対してパ
ターン化された光を投影させることによってチタン酸塩
材料の表面へパターンがエッチされる。従来のフォトリ
ソグラフィ技術はそのようなパターン化された光を提供
する１つの方法である。
ターン化された光を投影させることによってチタン酸塩
材料の表面へパターンがエッチされる。従来のフォトリ
ソグラフィ技術はそのようなパターン化された光を提供
する１つの方法である。
【００１５】本発明の更に別の実施例では、液体雰囲気
が基板に相対的に流れるようにされる。液体雰囲気の流
速は変化させることができる。液温はエッチ速度及びエ
ッチングの方向性を変えるために変化させることができ
る。光子の線束を変化させることによってエッチングの
方向性とエッチング速度に影響を与えることができる。
電磁放射の波長を変化させることによってエッチングの
方向性とエッチング速度を変化させることができる。電
磁放射の伝搬方向は表面に対して垂直である必要はな
い。エッチング溶液は混合物でもよい（すなわち、異方
性を強調するための１つの液と材料をエッチするための
１つの液）。
が基板に相対的に流れるようにされる。液体雰囲気の流
速は変化させることができる。液温はエッチ速度及びエ
ッチングの方向性を変えるために変化させることができ
る。光子の線束を変化させることによってエッチングの
方向性とエッチング速度に影響を与えることができる。
電磁放射の波長を変化させることによってエッチングの
方向性とエッチング速度を変化させることができる。電
磁放射の伝搬方向は表面に対して垂直である必要はな
い。エッチング溶液は混合物でもよい（すなわち、異方
性を強調するための１つの液と材料をエッチするための
１つの液）。
【００１６】次の唯一の表はいくつかの実施例と図面の
要約である。
要約である。
【００１７】
【表１】
【００１８】以上のように数少ない実施例について詳細
に説明した。本発明の範囲にはこに述べていないが本発
明の特許請求の範囲には含まれるようなその他の実施例
包含されることは理解されたい。
に説明した。本発明の範囲にはこに述べていないが本発
明の特許請求の範囲には含まれるようなその他の実施例
包含されることは理解されたい。
【００１９】本発明は例示として取り上げた実施例に関
連して説明したが、この説明は限定的な意図のものでは
ない。例示実施例の各種の修正や組み合わせは本発明の
その他の実施例と共に、本明細書を参考にすることによ
って当業者には明かであろう。従って、本発明の範囲に
はそのようなすべての修正や実施例が包含されるべきで
ある。
連して説明したが、この説明は限定的な意図のものでは
ない。例示実施例の各種の修正や組み合わせは本発明の
その他の実施例と共に、本明細書を参考にすることによ
って当業者には明かであろう。従って、本発明の範囲に
はそのようなすべての修正や実施例が包含されるべきで
ある。
【００２０】以上の説明に関して更に以下の項を開示す
る。 （１）チタン酸バリウムストロンチウムを異方性エッチ
するための方法であって： （ａ）前記チタン酸バリウムストロンチウムの表面を液
体雰囲気中に浸すこと、及び（ｂ）前記表面の部分を電
磁放射で照明すること、の工程を含み、それによって前
記表面の前記照明された部分を前記表面の照明されてい
ない部分よりも本質的に大きい速度でエッチングする方
法。
る。 （１）チタン酸バリウムストロンチウムを異方性エッチ
するための方法であって： （ａ）前記チタン酸バリウムストロンチウムの表面を液
体雰囲気中に浸すこと、及び（ｂ）前記表面の部分を電
磁放射で照明すること、の工程を含み、それによって前
記表面の前記照明された部分を前記表面の照明されてい
ない部分よりも本質的に大きい速度でエッチングする方
法。
【００２１】（２）第１項記載の方法であって、前記照
明されている前記表面部分が前記表面の照明されていな
い部分の温度と本質的に同じ温度にある方法。
明されている前記表面部分が前記表面の照明されていな
い部分の温度と本質的に同じ温度にある方法。
【００２２】（３）第１項記載の方法であって、前記液
体雰囲気が塩化水素酸またはフッ化水素酸あるいはそれ
らの組み合わせを含んでいる方法。
体雰囲気が塩化水素酸またはフッ化水素酸あるいはそれ
らの組み合わせを含んでいる方法。
【００２３】（４）第１項記載の方法であって、前記電
磁放射が水銀キセノンアークランプによって生成される
方法。
磁放射が水銀キセノンアークランプによって生成される
方法。
【００２４】（５）第１項記載の方法であって、前記電
磁放射の伝搬方向が前記表面に対して本質的に垂直であ
る方法。
磁放射の伝搬方向が前記表面に対して本質的に垂直であ
る方法。
【００２５】（６）第１項記載の方法であって、前記電
磁放射の光源と前記表面との間にエッチマスクが挿入さ
れ、それによって前記表面の部分が照明されないように
なっている方法。
磁放射の光源と前記表面との間にエッチマスクが挿入さ
れ、それによって前記表面の部分が照明されないように
なっている方法。
【００２６】（７）第６項記載の方法であって、前記エ
ッチマスクが酸化シリコンである方法。
ッチマスクが酸化シリコンである方法。
【００２７】（８）第６項記載の方法であって、前記エ
ッチマスクが窒化シリコンである方法。
ッチマスクが窒化シリコンである方法。
【００２８】（９）第６項記載の方法であって、前記エ
ッチマスクが貴金属である方法。
ッチマスクが貴金属である方法。
【００２９】（１０）第９項記載の方法であって、前記
貴金属が白金である方法。
貴金属が白金である方法。
【００３０】（１１）第１項記載の方法であって、前記
液体雰囲気が酸性である方法。
液体雰囲気が酸性である方法。
【００３１】（１２）第１項記載の方法であって、前記
液体雰囲気が塩溶液を含んでいる方法。
液体雰囲気が塩溶液を含んでいる方法。
【００３２】（１３）チタン酸バリウムストロンチウム
を異方性エッチするための方法であって： （ａ）前記チタン酸バリウムストロンチウムの表面を１
２モルの塩化水素酸中へ浸すこと、及び（ｂ）水銀キセ
ノンアークランプによって生成された電磁放射によって
前記表面を照明すること、の工程を含み、それによって
前記表面の前記照明された部分を前記表面の照明されて
いない部分よりも本質的に大きい速度でエッチする方
法。
を異方性エッチするための方法であって： （ａ）前記チタン酸バリウムストロンチウムの表面を１
２モルの塩化水素酸中へ浸すこと、及び（ｂ）水銀キセ
ノンアークランプによって生成された電磁放射によって
前記表面を照明すること、の工程を含み、それによって
前記表面の前記照明された部分を前記表面の照明されて
いない部分よりも本質的に大きい速度でエッチする方
法。
【００３３】（１４）チタン酸バリウムストロンチウム
基板３４が液体雰囲気（例えば、１２モル濃度の塩化水
素酸３０）中へ浸され、放射源（例えば、２００ワット
の水銀キセノンアークランプ２０）によって発せられた
電磁放射（例えば、集束された可視／紫外の電磁放射２
４）で以て照明される。集束された電磁放射２４に対し
て本質的に透明な窓２６が、放射されたエネルギーのチ
タン酸塩基板３４への到達を許容する。放射源２０と基
板３４との間にエッチマスク３２を配置することができ
る。チタン酸塩基板３４と液体雰囲気３０とは公称温度
（例えば、２５℃）に保たれる。照明なしではチタン酸
塩は液体雰囲気にほとんどエッチされない。照明される
とエッチ速度は本質的に増大する。
基板３４が液体雰囲気（例えば、１２モル濃度の塩化水
素酸３０）中へ浸され、放射源（例えば、２００ワット
の水銀キセノンアークランプ２０）によって発せられた
電磁放射（例えば、集束された可視／紫外の電磁放射２
４）で以て照明される。集束された電磁放射２４に対し
て本質的に透明な窓２６が、放射されたエネルギーのチ
タン酸塩基板３４への到達を許容する。放射源２０と基
板３４との間にエッチマスク３２を配置することができ
る。チタン酸塩基板３４と液体雰囲気３０とは公称温度
（例えば、２５℃）に保たれる。照明なしではチタン酸
塩は液体雰囲気にほとんどエッチされない。照明される
とエッチ速度は本質的に増大する。
【００３４】
【関連出願へのクロスリファレンス】以下の関連出願を
本出願と同時に提出する：
本出願と同時に提出する：
【図１】ＢＳＴを異方性エッチするために用いられる装
置及び材料の模式図。
置及び材料の模式図。
２０ 水銀キセノンアークランプ ２１ 電磁放射 ２２ 集束光学系 ２４ 集束放射 ２６ 窓 ２８ 反応容器 ３０ 酸溶液 ３２ エッチマスク ３４ ＢＳＴ基板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 スコット アール．サマーフェルト アメリカ合衆国テキサス州ダラス，スキル マン ロード 9350，アパートメント ナ ンバー 2911
Claims (1)
- 【請求項１】 チタン酸バリウムストロンチウムを異方
性エッチするための方法であって： （ａ）前記チタン酸バリウムストロンチウムの表面を液
体雰囲気中に浸すこと、及び（ｂ）前記表面の部分を電
磁放射で照明すること、の工程を含み、それによって前
記表面の前記照明された部分を前記表面の照明されてい
ない部分よりも本質的に大きい速度でエッチングする方
法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US87098892A | 1992-04-20 | 1992-04-20 | |
| US870988 | 1992-04-20 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0649663A true JPH0649663A (ja) | 1994-02-22 |
Family
ID=25356471
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5091377A Pending JPH0649663A (ja) | 1992-04-20 | 1993-04-19 | チタン酸バリウムストロンチウムの異方性エッチング方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5374330A (ja) |
| JP (1) | JPH0649663A (ja) |
| KR (1) | KR100300282B1 (ja) |
| TW (1) | TW224493B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20160105220A (ko) * | 2015-02-27 | 2016-09-06 | 광운대학교 산학협력단 | 티탄산 바륨(BaTiO3)박막의 제조방법 |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5603848A (en) * | 1995-01-03 | 1997-02-18 | Texas Instruments Incorporated | Method for etching through a substrate to an attached coating |
| US5847390A (en) * | 1996-04-09 | 1998-12-08 | Texas Instruments Incorporated | Reduced stress electrode for focal plane array of thermal imaging system and method |
| US6054328A (en) * | 1996-12-06 | 2000-04-25 | International Business Machines Corporation | Method for cleaning the surface of a dielectric |
| US6083557A (en) * | 1997-10-28 | 2000-07-04 | Raytheon Company | System and method for making a conductive polymer coating |
| US6080987A (en) * | 1997-10-28 | 2000-06-27 | Raytheon Company | Infrared-sensitive conductive-polymer coating |
| WO2000068148A1 (en) * | 1999-04-27 | 2000-11-16 | The Penn State Research Foundation | ANISOTROPICALLY SHAPED SrTiO3 SINGLE CRYSTAL PARTICLES |
| US6379577B2 (en) | 1999-06-10 | 2002-04-30 | International Business Machines Corporation | Hydrogen peroxide and acid etchant for a wet etch process |
| DE10206687B4 (de) * | 2002-02-18 | 2004-02-19 | Infineon Technologies Ag | Vorrichtung und Verfahren zur lichtinduzierten chemischen Behandlung eines Werkstücks |
| CN104759753B (zh) * | 2015-03-30 | 2016-08-31 | 江苏大学 | 多系统自动化协调工作提高激光诱导空化强化的方法 |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4414066A (en) * | 1982-09-10 | 1983-11-08 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Electrochemical photoetching of compound semiconductors |
| US4391683A (en) * | 1982-09-10 | 1983-07-05 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Mask structures for photoetching procedures |
| US4415414A (en) * | 1982-09-10 | 1983-11-15 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Etching of optical surfaces |
| US4518456A (en) * | 1983-03-11 | 1985-05-21 | At&T Bell Laboratories | Light induced etching of InP by aqueous solutions of H3 PO4 |
| US4661201A (en) * | 1985-09-09 | 1987-04-28 | Cts Corporation | Preferential etching of a piezoelectric material |
| US4861421A (en) * | 1988-06-01 | 1989-08-29 | Texas Instruments Incorporated | Photochemical semiconductor etching |
| US4978418A (en) * | 1988-08-18 | 1990-12-18 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Controlled ion implant damage profile for etching |
| US5157000A (en) * | 1989-07-10 | 1992-10-20 | Texas Instruments Incorporated | Method for dry etching openings in integrated circuit layers |
| US5057184A (en) * | 1990-04-06 | 1991-10-15 | International Business Machines Corporation | Laser etching of materials in liquids |
| JPH04124078A (ja) * | 1990-09-17 | 1992-04-24 | Canon Inc | 微細加工方法 |
| US5165283A (en) * | 1991-05-02 | 1992-11-24 | Kulite Semiconductor Products, Inc. | High temperature transducers and methods of fabricating the same employing silicon carbide |
-
1993
- 1993-03-31 US US08/040,566 patent/US5374330A/en not_active Expired - Lifetime
- 1993-04-19 KR KR1019930006543A patent/KR100300282B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1993-04-19 JP JP5091377A patent/JPH0649663A/ja active Pending
- 1993-09-27 TW TW082107927A patent/TW224493B/zh active
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20160105220A (ko) * | 2015-02-27 | 2016-09-06 | 광운대학교 산학협력단 | 티탄산 바륨(BaTiO3)박막의 제조방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100300282B1 (ko) | 2001-11-22 |
| KR930021820A (ko) | 1993-11-23 |
| US5374330A (en) | 1994-12-20 |
| TW224493B (ja) | 1994-06-01 |
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