JPH0649123A - オレフィン重合触媒およびオレフィンの重合方法 - Google Patents

オレフィン重合触媒およびオレフィンの重合方法

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JPH0649123A
JPH0649123A JP4235118A JP23511892A JPH0649123A JP H0649123 A JPH0649123 A JP H0649123A JP 4235118 A JP4235118 A JP 4235118A JP 23511892 A JP23511892 A JP 23511892A JP H0649123 A JPH0649123 A JP H0649123A
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誠 曽根
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  • Transition And Organic Metals Composition Catalysts For Addition Polymerization (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 物性、加工性に優れたポリオレフィンを効率
よく製造できる触媒およびそれを用いたポリオレフィン
の製造方法を提供する。 【構成】 ヘテロ原子を含有し、またπ電子を有する環
状化合物を配位子とする遷移金属化合物およびアルミノ
オキサンを構成成分として含むオレフィン重合用触媒。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、周期表のV、VB、V
IまたはVIB族のヘテロ原子を含有し、またπ電子を
有する環状化合物を配位子とする周期表のIIIA、I
VA、VA、VIA、VIIAまたはVIII族の遷移
金属からなる遷移金属化合物およびアルミノオキサンを
含む触媒系、および、この触媒系の存在下でポリオレフ
ィンを製造する方法に関する。
【0002】
【従来の技術】オレフィンの重合には各種の重合方法お
よび触媒系が知られており、伝統的なアルキルアルミニ
ウムを助触媒とする遷移金属化合物からなるチーグラー
−ナッタ触媒系では、分子量分布の広い高分子量のポリ
オレフィンを製造できることが知られている。
【0003】最近、シクロペンタジエニル誘導体を配位
子として含有する遷移金属化合物(一般にメタロセン化
合物と呼ばれる)を含む触媒系が開発された。この触媒
系はオレフィンの重合触媒として働き、特にチタン、ジ
ルコニウムまたはハフニウム等のIVA族の遷移金属か
らなるメタロセンは、ポリエチレン、エチレン系共重合
体の製造に用いられ、アルミノオキサンを助触媒に用い
ることで高活性にポリオレフィンを製造できることが判
った(例えば、特開昭58−19309号公報など)。
【0004】種々のシクロペンタジエニル誘導体を配位
子として有するIVA族のメタロセン化合物とアルミノ
オキサンを含有する触媒系について多くの検討がなさ
れ、シクロペンタジエニル基に様々な置換基を導入する
ことで、生成するポリマーの立体構造、組成分布、製造
効率などを制御することが可能であることも明かとなっ
た(例えば、特開昭61−26491号公報、特開昭6
4−51408号公報、特開昭64−66216号公
報、特開平1−301704号公報、J.Am.Che
m.Soc.,1988,110,6255〜6262
など)。
【0005】ここで得られるポリマーは分子量分布が狭
く、共重合の際に均一な組成分布を示すなどの特徴がみ
られるが、重合に際し、助触媒として多量のアルミノオ
キサンを用いなければ高活性が得られないなどの幾つか
の問題も残されている。そこで、これらの問題を解決す
るために、新規触媒系の開発の必要性が増してきてい
る。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】本発明はこの問題を解
決するためになされたものであり、物性、加工性に優れ
たポリオレフィンを効率よく製造できる触媒およびそれ
を用いたポリオレフィンの製造方法を提供するものであ
る。
【0007】
【課題を解決するための手段】F.マーシーらは、シク
ロペンタジエニル基と同様の電子構造を持つホスホリル
基を配位子として含有する遷移金属化合物を幾つか報告
しており、Organometallics,198
8,7,921において、ホスホリル基を有するIVA
族遷移金属化合物が報告された。この化合物は、中心の
遷移金属まわりの電子状態が上記した触媒系の主触媒で
あるメタロセン化合物と類似したものではあるが、オレ
フィンの重合用触媒への応用は行われていない。
【0008】本発明者らは鋭意検討の結果、ヘテロ原子
を含有し、またπ電子を有する環状化合物を配位子とし
て有する遷移金属化合物をアルミノオキサンとの共存下
で用いることで、オレフィンに対して重合活性が発現す
ることを見いだし、本発見を完成するに到った。
【0009】すなわち本発明は、周期表のV、VB、V
IまたはVIB族のヘテロ原子を含有し、またπ電子を
有する環状化合物を配位子とする周期表のIIIA、I
VA、VA、VIA、VIIAまたはVIII族の遷移
金属からなる一般式(1)で表される遷移金属化合物
【0010】
【化4】 (但し、Mは周期表のIIIA、IVA、VA、VI
A、VIIAまたはVIII族の遷移金属であり、Eは
周期表のV、VB、VIまたはVIB族のヘテロ原子で
あり、R、R、RおよびRは各々水素、シリル
基または炭化水素基であり、Rは各々同一でも異なっ
ていてもよく、水素、ハロゲン、シリル基、アルキル
基、アリール基、アラルキル基、アルコキシド、アミ
ド、ホスフィドまたはスルフィドであり、nは1〜3の
整数であり、mは0〜4の整数である)および一般式
(2)または(3)で表されるアルミノオキサン
【0011】
【化5】
【0012】
【化6】 (但し、Rは同一でも異なっていてもよく、水素、ハ
ロゲン、アルコキシドまたはアルキル基、アリール基、
アラルキル基などの炭化水素基であり、qは0〜100
の整数である)を構成成分として含むオレフィン重合用
触媒および上記のオレフィン重合用触媒の存在下でオレ
フィンを重合させることを特徴とするポリオレフィンの
製造方法に関する。
【0013】以下に、本発明を詳細に説明する。
【0014】本発明で用いられる触媒構成成分の遷移金
属化合物は、一般式(1)で表されるヘテロ原子を含有
し、π電子を有するような環状化合物を配位子として有
するものであり、Mは周期表のIIIA、IVA、V
A、VIA、VIIAまたはVIII族の遷移金属であ
るが、好ましくはスカンジウム、イッテリウム、チタニ
ウム、ジルコニウム、ハフニウム、バナジウム、ニオビ
ウムまたはタリウムであり、特に好ましくはチタニウ
ム、ジルコニウムまたはハフニウムである。
【0015】また、ヘテロ原子を含有し、π電子を含有
する一般式(1)で表されるような配位子のうち、Eは
周期表のV、VB、VIまたはVIB族のヘテロ原子で
あるが、好ましくは窒素、リン、ヒ素、アンチモニイ、
酸素、イオウ、セレニウムまたはテルリウムであり、特
に好ましくは窒素、リン、ヒ素、アンチモニイである。
【0016】また、R、R、RおよびRは各々
水素、シリル基、炭化水素基であり、シリル基の例とし
てトリメチルシリル基、トリエチルシリル基、ブチルシ
リル基、フェニルシリル基、ジフェニルシリル基、トリ
フェニルシリル基等を挙げることができ、炭化水素基の
例としてメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、
ヘキシル基、オクチル基、フェニル基、トルイル基、シ
クロヘキシル基、ベンジル基等を挙げることができる。
【0017】さらに、配位子として化7〜化16に示す
ような環状の炭素骨格を有する化合物、例えばホスホイ
ンデニル基、ホスホフルオレニル基等を挙げることもで
きる。
【0018】
【化7】
【0019】
【化8】
【0020】
【化9】
【0021】
【化10】
【0022】
【化11】
【0023】
【化12】
【0024】
【化13】
【0025】
【化14】
【0026】
【化15】
【0027】
【化16】 (但し、Eは周期表のV、VB、VIまたはVIB族の
ヘテロ原子であり、R′およびR″は各々水素、シリル
基または炭化水素基である) 上記した化合物は遷移金属に対し、ヘテロ原子および/
または炭素原子で結合し、一般式(1)で表される遷移
金属化合物を安定化させるものである。
【0028】一般式(1)のRは各々同一でも異なっ
ていてもよく、水素、ハロゲン、シリル基、アルキル
基、アリール基、アラルキル基、アルコキシド、アリー
ルオキシド、アミド、ホスフィドまたはスルフィドであ
り、その例としてフッ素、塩素、臭素、ヨウ素、トリメ
チルシリル基、トリエチルシリル基、ブチルシリル基、
フェニルシリル基、ジフェニルシリル基、トリフェニル
シリル基、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル
基、ヘキシル基、オクチル基、フェニル基、トルイル
基、シクロヘキシル基、ベンジル基、メトキシ基、エト
キシ基、ジメチルアミド基、ジメチルホスフィド基、メ
チルスルフィド基等を挙げることができる。
【0029】さらに、その具体的な例としてビス(ホス
ホリル)スカンジウムヒドリド、ビス(ホスホリル)イ
ッテリウムヒドリド、ビス(ホスホリル)チタニウムジ
メチル、ビス(ホスホリル)ジルコニウムジメチル、ビ
ス(ホスホリル)ハフニウムジメチル、ビス(ホスホリ
ル)チタニウムジクロライド、ビス(ホスホリル)ジル
コニウムジクロライド、ビス(ホスホリル)ハフニウム
ジクロライド、ビス(2−メチルホスホリル)スカンジ
ウムヒドリド、ビス(2−メチルホスホリル)イッテリ
ウムヒドリド、ビス(2−メチルホスホリル)チタニウ
ムジメチル、ビス(2−メチルホスホリル)ジルコニウ
ムジメチル、ビス(2−メチルホスホリル)ハフニウム
ジメチル、ビス(2−メチルホスホリル)チタニウムジ
クロライド、ビス(2−メチルホスホリル)ジルコニウ
ムジクロライド、ビス(2−メチルホスホリル)ハフニ
ウムジクロライド、ビス(3−メチルホスホリル)スカ
ンジウムヒドリド、ビス(3−メチルホスホリル)イッ
テリウムヒドリド、ビス(3−メチルホスホリル)チタ
ニウムジメチル、ビス(3−メチルホスホリル)ジルコ
ニウムジメチル、ビス(3−メチルホスホリル)ハフニ
ウムジメチル、ビス(3−メチルホスホリル)チタニウ
ムジクロライド、ビス(3−メチルホスホリル)ジルコ
ニウムジクロライド、ビス(3−メチルホスホリル)ハ
フニウムジクロライド、ビス(2,3−ジメチルホスホ
リル)スカンジウムヒドリド、ビス(2,3−ジメチル
ホスホリル)イッテリウムヒドリド、ビス(2,3−ジ
メチルホスホリル)チタニウムジメチル、ビス(2,3
−ジメチルホスホリル)ジルコニウムジメチル、ビス
(2,3−ジメチルホスホリル)ハフニウムジメチル、
ビス(2,3−ジメチルホスホリル)チタニウムジクロ
ライド、ビス(2,3−ジメチルホスホリル)ジルコニ
ウムジクロライド、ビス(2,3−ジメチルホスホリ
ル)ハフニウムジクロライド、ビス(2,4−ジメチル
ホスホリル)スカンジウムヒドリド、ビス(2,4−ジ
メチルホスホリル)イッテリウムヒドリド、ビス(2,
4−ジメチルホスホリル)チタニウムジメチル、ビス
(2,4−ジメチルホスホリル)ジルコニウムジメチ
ル、ビス(2,4−ジメチルホスホリル)ハフニウムジ
メチル、ビス(2,4−ジメチルホスホリル)チタニウ
ムジクロライド、ビス(2,4−ジメチルホスホリル)
ジルコニウムジクロライド、ビス(2,4−ジメチルホ
スホリル)ハフニウムジクロライド、ビス(2,5−ジ
メチルホスホリル)スカンジウムヒドリド、ビス(2,
5−ジメチルホスホリル)イッテリウムヒドリド、ビス
(2,5−ジメチルホスホリル)チタニウムジメチル、
ビス(2,5−ジメチルホスホリル)ジルコニウムジメ
チル、ビス(2,5−ジメチルホスホリル)ハフニウム
ジメチル、ビス(2,5−ジメチルホスホリル)チタニ
ウムジクロライド、ビス(2,5−ジメチルホスホリ
ル)ジルコニウムジクロライド、ビス(2,5−ジメチ
ルホスホリル)ハフニウムジクロライド、ビス(3,4
−ジメチルホスホリル)スカンジウムヒドリド、ビス
(3,4−ジメチルホスホリル)イッテリウムヒドリ
ド、ビス(3,4−ジメチルホスホリル)チタニウムジ
メチル、ビス(3,4−ジメチルホスホリル)ジルコニ
ウムジメチル、ビス(3,4−ジメチルホスホリル)ハ
フニウムジメチル、ビス(3,4−ジメチルホスホリ
ル)チタニウムジクロライド、ビス(3,4−ジメチル
ホスホリル)ジルコニウムジクロライド、ビス(3,4
−ジメチルホスホリル)ハフニウムジクロライド、ビス
(2,3,4−トリメチルホスホリル)スカンジウムヒ
ドリド、ビス(2,3,4−トリメチルホスホリル)イ
ッテリウムヒドリド、ビス(2,3,4−トリメチルホ
スホリル)チタニウムジメチル、ビス(2,3,4−ト
リメチルホスホリル)ジルコニウムジメチル、ビス
(2,3,4−トリメチルホスホリル)ハフニウムジメ
チル、ビス(2,3,4−トリメチルホスホリル)チタ
ニウムジクロライド、ビス(2,3,4−トリメチルホ
スホリル)ジルコニウムジクロライド、ビス(2,3,
4−トリメチルホスホリル)ハフニウムジクロライド、
ビス(2,3,5−トリメチルホスホリル)スカンジウ
ムヒドリド、ビス(2,3,5−トリメチルホスホリ
ル)イッテリウムヒドリド、ビス(2,3,5−トリメ
チルホスホリル)チタニウムジメチル、ビス(2,3,
5−トリメチルホスホリル)ジルコニウムジメチル、ビ
ス(2,3,5−トリメチルホスホリル)ハフニウムジ
メチル、ビス(2,3,5−トリメチルホスホリル)チ
タニウムジクロライド、ビス(2,3,5−トリメチル
ホスホリル)ジルコニウムジクロライド、ビス(2,
3,5−トリメチルホスホリル)ハフニウムジクロライ
ド、ビス(2,3,4,5−テトラメチルホスホリル)
スカンジウムヒドリド、ビス(2,3,4,5−テトラ
メチルホスホリル)イッテリウムヒドリド、ビス(2,
3,4,5−テトラメチルホスホリル)チタニウムジメ
チル、ビス(2,3,4,5−テトラメチルホスホリ
ル)ジルコニウムジメチル、ビス(2,3,4,5−テ
トラメチルホスホリル)ハフニウムジメチル、ビス
(2,3,4,5−テトラメチルホスホリル)チタニウ
ムジクロライド、ビス(2,3,4,5−テトラメチル
ホスホリル)ジルコニウムジクロライド、ビス(2,
3,4,5−テトラメチルホスホリル)ハフニウムジク
ロライドなどが挙げられるが、これらに限定されるもの
ではない。
【0030】本発明で用いられるもう一つの触媒構成成
分であるアルミノオキサンは、一般式(2)または一般
式(3)で表される化合物であり、Rは同一でも異な
っていてもよく、水素、ハロゲン、アルコキシドまたは
炭化水素基であり、具体的な例として塩素、臭素、ヨウ
素、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ
基、フェノキシ基、メチル基、エチル基、プロピル基、
ブチル基、ヘキシル基、フェニル基、トリル基、シクロ
ヘキシル基等を挙げることができる。qは0〜100の
整数である。
【0031】この種の化合物の製法は公知であり、
(1)吸着水を有する化合物、結晶水を含有する塩類
(硫酸マグネシウム水和物、硫酸銅水和物、硫酸アルミ
ニウム水和物など)の炭化水素媒体懸濁液にトリアルキ
ルアルミニウムを添加して反応させる方法、または
(2)直接水を炭化水素媒体中のトリアルキルアルミニ
ウムと作用させる方法を例示することができる。
【0032】重合を行う際の二成分の比は特に制限はな
いが、好ましくは遷移金属化合物とアルミノオキサンの
アルミニウム原子当りのモル比はAl:M=0.1:1
〜1000000:1の範囲であり、特に好ましくはA
l:M=1:1〜100000:1の範囲である。
【0033】上述した二成分よりなる触媒を用いてのオ
レフィンの重合は、液相でも気相でも行える。重合を液
相で行う場合の溶媒としては一般に用いられる有機溶剤
であればいずれでもよく、具体的にはベンゼン、トルエ
ン、キシレン、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、塩化メ
チレン等が挙げられ、またはオレフィンそれ自身を溶媒
として用いることもできる。
【0034】重合反応に用いられるオレフィンはエチレ
ン,プロピレン,1−ブテン,4−メチル−1−ペンテ
ン,1−ヘキセン,スチレン等のα−オレフィン、ブタ
ジエン, 1,4−ヘキサジエン等の共役および非共役
ジエン、シクロブテン等の環状オレフィン等が挙げら
れ、これら2種以上の混合成分を用いることもできる。
【0035】重合温度、重合時間、触媒の濃度は特に制
限はないが、重合温度は−100〜230℃の範囲で行
うことが好ましい。
【0036】
【実施例】以下、実施例により本発明をさらに詳細に説
明するが、本発明はこれら実施例にのみ限定されるもの
ではない。
【0037】反応はすべて不活性ガス雰囲気下で行い、
反応に用いた溶媒はすべて予め公知の方法により精製、
乾燥および脱酸素を行ったものを用いた。
【0038】本発明で得られたポリオレフィンの分子量
は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GP
C)(ウオータース社製 150C型)を用い、カラム
がTSKゲル GMH、サンプル量350μl、カラム
温度140℃、流速1ml/分の条件で測定した。
【0039】本発明で得られたポリオレフィンのメルト
フローレート(MFR)は、2.16kg荷重、190
℃で測定した。
【0040】参考例 「ビス(2,3,4,5−テトラメチルホスホリル)ジ
ルコニウムジクロライド」の合成 ジクロロメタン250mlに2−ブチン 17.44g
を溶解させ、塩化アルミニウム22.7gをジクロロメ
タン250mlに懸濁させ、−10℃に冷却しておいた
ものに加えた。ここで得られた混合溶液を室温まで昇温
し、反応を完結させた。
【0041】この反応溶液を再び−30℃に冷却し、ジ
クロロフェニルホスフィン31.7gをジクロロメタン
250mlに溶解させたものを加えた。さらに、n−ブ
チルホスフィン39mlをジクロロメタン350mlに
溶解させたものを加え、反応を完結させた。
【0042】ヘキサン抽出、炭酸水素ナトリウム水溶液
で洗浄、硫酸マグネシウムで乾燥、溶媒除去し、残留物
を減圧蒸留することで24gの1−フェニル−2,3,
4,5−テトラメチルホスホールを得た。
【0043】テトラヒドロフラン50mlに1−フェニ
ル−2,3,4,5−テトラメチルホスホールを2.2
7g加え、さらに金属リチウム0.47gを加え、反応
させて余分なリチウムを除去した。この反応溶液に塩化
アルミニウムを加え、反応により生成してくるフェニル
リチウムを中和し、トルエン10mlに懸濁させた塩化
ジルコニウム1.17gを加えた。この反応溶液からオ
レンジ色の固体のビス(2,3,4,5−テトラメチル
ホスホリル)ジルコニウムジクロライド 2.3gを得
た。
【0044】実施例1 2lのオートクレーブに500mlのトルエンを加え、
これにメチルアルミノオキサン(東ソー・アクゾ(株)
製 平均分子量1121)をアルミニウム原子換算で
1.25ミリモルおよび実施例1で得られたビス(2,
3,4,5−テトラメチルホスホリル)ジルコニウムジ
クロライド 1.1mgを加えた。オートクレーブにエ
チレン圧が8kg/cmGとなるようにエチレンを供
給しながら60℃で1時間重合を行った。その結果、7
2.5gの顆粒状のポリエチレンを得た。重量平均分子
量(Mw)は490000、分子量分布(Mw/数平均
分子量(Mn))は3.3であった。
【0045】実施例2 メチルアルミノオキサンを5ミリモル用いた以外、実施
例1と同様にエチレンの重合を行った。その結果、8
9.9gの粉末状のポリエチレンを得た。Mwは220
000、Mw/Mnは4.3であった。
【0046】実施例3 ビス(2,3,4,5−テトラメチルホスホリル)ジル
コニウムジクロライド2.2mgを用い、重合時間を3
0分にした以外、実施例2と同様にエチレンの重合を行
った。その結果、65gの粉末状のポリエチレンを得
た。Mwは290000、Mw/Mnは4.9であっ
た。MFRは0.02g/10分であった。
【0047】実施例4 メチルアルミノオキサンを0.25ミリモル用いた以
外、実施例1と同様にエチレンの重合を行った。その結
果、27.1gの粉末状のポリエチレンを得た。ここで
得られたポリエチレンは分子量が大きすぎるためか、G
PCで測定することができなかった。
【0048】実施例5 メチルアルミノオキサンを25ミリモル用い、重合時間
を30分にした以外、実施例2と同様にエチレンの重合
を行った。その結果、93.2gの粉末状のポリエチレ
ンを得た。Mwは48800、Mw/Mnは4.05で
あった。
【0049】実施例6 2lのオートクレーブに500mlのトルエンを加え、
これにメチルアルミノオキサン(東ソー・アクゾ(株)
製 平均分子量1121)をアルミニウム原子換算で2
5ミリモルおよび実施例1で得られたビス(2,3,
4,5−テトラメチルホスホリル)ジルコニウムジクロ
ライド 1.1mgを加えた。オートクレーブにプロピ
レン500mlを加え、60℃に昇温し、1時間重合を
行った。その結果、3.1gのポリプロピレンを得た。
【0050】
【発明の効果】本発明によれば、周期表のV、VB、V
IまたはVIB族のヘテロ原子を含む化合物を配位子と
して持つような周期表のIIIA、IVA、VA、VI
A、VIIAまたはVIII族の遷移金属化合物を主触
媒とし、アルミノオキサンを助触媒としてオレフィンの
重合を行う際、高い活性を示し、また生成するポリマー
の形状、物性等に優れたポリオレフィンを製造すること
ができるので、工業的に価値の高い重合用触媒およびオ
レフィンの重合方法として利用することができる。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】ヘテロ原子を含有し、またπ電子を有する
    環状化合物を配位子とする一般式(1)で表される遷移
    金属化合物 【化1】 (但し、Mは周期表のIIIA、IVA、VA、VI
    A、VIIAまたはVIII族の遷移金属であり、Eは
    周期表のV、VB、VIまたはVIB族のヘテロ原子で
    あり、R、R、RおよびRは各々水素、シリル
    基または炭化水素基であり、Rは各々同一でも異なっ
    ていてもよく、水素、ハロゲン、シリル基、アルキル
    基、アリール基、アラルキル基、アルコキシド、アミ
    ド、ホスフィドまたはスルフィドであり、nは1〜3の
    整数であり、mは0〜4の整数である)および一般式
    (2)または(3)で表されるアルミノオキサン 【化2】 【化3】 (但し、Rは同一でも異なっていてもよく、水素、ハ
    ロゲン、アルコキシドまたはアルキル基、アリール基、
    アラルキル基などの炭化水素基であり、qは0〜100
    の整数である)を構成成分として含むオレフィン重合用
    触媒。
  2. 【請求項2】請求項1に記載のオレフィン重合用触媒の
    存在下にオレフィンを重合させることを特徴とするポリ
    オレフィンの製造方法。
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