JPH0648533B2 - 垂直磁気記録体の製造方法 - Google Patents
垂直磁気記録体の製造方法Info
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- JPH0648533B2 JPH0648533B2 JP59200383A JP20038384A JPH0648533B2 JP H0648533 B2 JPH0648533 B2 JP H0648533B2 JP 59200383 A JP59200383 A JP 59200383A JP 20038384 A JP20038384 A JP 20038384A JP H0648533 B2 JPH0648533 B2 JP H0648533B2
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Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、軟質磁性膜と垂直異方性硬質磁性膜を積層さ
せたいわゆる２層垂直記録媒体を備え、垂直ヘッドを用
いて記録するに適した垂直磁気記録体の製造方法に関す
る。
せたいわゆる２層垂直記録媒体を備え、垂直ヘッドを用
いて記録するに適した垂直磁気記録体の製造方法に関す
る。
（従来の技術） 最近、高密度記録の可能な新しい磁気記録方式として垂
直磁気記録が注目され研究されている。この方式に用い
られる磁気ヘッドとしては、垂直ヘッド（単磁極ヘッ
ド）とリングヘッドが考えられており、媒体としては軟
質磁性膜と垂直異方性硬質磁性膜を積層させた２層垂直
記録媒体が考えられている。
直磁気記録が注目され研究されている。この方式に用い
られる磁気ヘッドとしては、垂直ヘッド（単磁極ヘッ
ド）とリングヘッドが考えられており、媒体としては軟
質磁性膜と垂直異方性硬質磁性膜を積層させた２層垂直
記録媒体が考えられている。
従来、垂直磁気記録に用いられる垂直磁化膜は、Ku⊥≧
２πMs2 又はHc⊥／Hc≧１，Br⊥／Br≧１の磁気特
性をもつことが必要とされてきたが、最近になってCo-C
r 系垂直磁性膜を用いた２層垂直記録媒体を垂直ヘッド
を用いて記録する場合には、再生出力は上記の特性に依
存せず、反磁界補正後のヒステリシス曲線の角型比▲Ｍ
ｒ＊ ⊥▼／▲Ｍｓ（Ｍｒ＊ ⊥▼はＮ＝Hc／Mrより求める
実効的反磁界係数を用いて補正した時の残留磁化の値、
▲Ｍｒ＊ ⊥▼／Msの求め方は、岩崎，大内氏等により発
表された昭和５９年度電子通信学会総合全国大会講演論
文集１−２０９ｐ参照）と保磁力Hc⊥に依存することが
分かってきた。而して、該▲Ｍｒ＊ ⊥▼／MsとHc⊥とを
大きくしたCo-Cr 膜を用いた２層垂直記録媒体型の垂直
磁気記録体を得る試みがなされてきた。
２πMs2 又はHc⊥／Hc≧１，Br⊥／Br≧１の磁気特
性をもつことが必要とされてきたが、最近になってCo-C
r 系垂直磁性膜を用いた２層垂直記録媒体を垂直ヘッド
を用いて記録する場合には、再生出力は上記の特性に依
存せず、反磁界補正後のヒステリシス曲線の角型比▲Ｍ
ｒ＊ ⊥▼／▲Ｍｓ（Ｍｒ＊ ⊥▼はＮ＝Hc／Mrより求める
実効的反磁界係数を用いて補正した時の残留磁化の値、
▲Ｍｒ＊ ⊥▼／Msの求め方は、岩崎，大内氏等により発
表された昭和５９年度電子通信学会総合全国大会講演論
文集１−２０９ｐ参照）と保磁力Hc⊥に依存することが
分かってきた。而して、該▲Ｍｒ＊ ⊥▼／MsとHc⊥とを
大きくしたCo-Cr 膜を用いた２層垂直記録媒体型の垂直
磁気記録体を得る試みがなされてきた。
ところが、従来提案の上記Co-Cr 膜を用いた２層媒体型
垂直磁気記録体は、Co-Cr 膜を蒸着法で作成しようとす
ると、CoとCrの蒸気圧が異なるため組成制御がむづかし
いこと、高い垂直異方性のCo-Cr 膜を得るためには高温
に基材を加熱しておく必要があり、従って室温基材では
高い垂直異方性が得られないと共にポリイミドフィルム
のような高価な耐熱性基材を使用しなければならないこ
と、更に、垂直異方性は、軟質磁性膜として用いられる
パーマロイ膜の結晶配向度に依存するので、Ti膜等の下
地を必要とする等の問題があり、従来用いられてきたCo
-Cr 膜を用いる２層媒体では、特に蒸着法での製造は実
用上問題を生じた。
垂直磁気記録体は、Co-Cr 膜を蒸着法で作成しようとす
ると、CoとCrの蒸気圧が異なるため組成制御がむづかし
いこと、高い垂直異方性のCo-Cr 膜を得るためには高温
に基材を加熱しておく必要があり、従って室温基材では
高い垂直異方性が得られないと共にポリイミドフィルム
のような高価な耐熱性基材を使用しなければならないこ
と、更に、垂直異方性は、軟質磁性膜として用いられる
パーマロイ膜の結晶配向度に依存するので、Ti膜等の下
地を必要とする等の問題があり、従来用いられてきたCo
-Cr 膜を用いる２層媒体では、特に蒸着法での製造は実
用上問題を生じた。
そこで、本発明者は、先に、蒸着法で室温基材でも作成
し得る実用的な垂直異方性硬質磁性膜としてCo-0系（特
開昭59-162622 号）、Co-Ni-0系（特開昭59-163810
号）の蒸着膜に関する各種発明を提案した。
し得る実用的な垂直異方性硬質磁性膜としてCo-0系（特
開昭59-162622 号）、Co-Ni-0系（特開昭59-163810
号）の蒸着膜に関する各種発明を提案した。
（発明が解決しようとする課題） 然し乍ら、先に提案の（Co1-x Nix ）1-y Ｏy で表わさ
れるCo-0系、Co-Ni-0系の蒸着膜を用いた垂直磁気記録
体は、非磁性基材面に、直接、該蒸着膜を形成した場合
には、所望の高再生出力が得られるが、記録電流を小さ
くするため、非磁性基材面に、軟磁性薄膜層を介して、
該蒸着膜を形成した場合には、必ずしも所望の高再生出
力が得られないという問題が生じた。
れるCo-0系、Co-Ni-0系の蒸着膜を用いた垂直磁気記録
体は、非磁性基材面に、直接、該蒸着膜を形成した場合
には、所望の高再生出力が得られるが、記録電流を小さ
くするため、非磁性基材面に、軟磁性薄膜層を介して、
該蒸着膜を形成した場合には、必ずしも所望の高再生出
力が得られないという問題が生じた。
本発明の目的は、先に提案したCo-0、Co-Ni-0蒸着膜に
つき、再生出力の高い２層型垂直磁気記録体への応用を
検討し、その実用的な垂直磁気記録体を製造する方法を
提供することである。
つき、再生出力の高い２層型垂直磁気記録体への応用を
検討し、その実用的な垂直磁気記録体を製造する方法を
提供することである。
（課題を解決するための手段） そこで、多くの実験研究をした結果、一般の垂直磁性膜
として、垂直異方性が大きい膜ほど、角型比▲Ｍｒ＊ ⊥
▼／Msと保持力Hc⊥は大きい値が得られると考えられて
いるが、Co-Ni-0膜については、特異であり、たしかにH
c⊥の値は酸素組成がｙ＝0.50即ち50at% 付近までは増
大するが、▲Ｍｒ＊ ⊥▼／Msの値は、酸素組成がｙ＝0.
35以上、即ち35at% 以上では酸素組成が増加するほど低
下してしまうことが分った。これは、Co-Ni-0膜に固有
の現象である。膜中の酸素組成が余り増大するとCo粒子
が極めて微細化され、超常磁性粒子が１部混在するよう
になるためと解される。この関係を定量的に検討した
所、Co-Ni 柱状粒子の短軸方向の平均粒径が50Å以上で
あれば良いことが分った。従って、Co-Ni 粒子の粒径を
50Å以上維持するには、膜中の酸素組成はｙ≦0.35以下
即ち35at% 以下である必要がある。而して、Co-Ni 粒子
の平均粒径が50Å以上となるようにすれば、▲Ｍｒ＊ ⊥
▼／Msの値は0.90以上を保ち、優れた記録再生特性が得
られることが分かった。又、該膜中の酸素組成は、ｙ≧
0.10即ち、10at% 以下となるときは、高い再生出力が得
られないことが分った。これは、Co-Ni 強磁性粒子が非
強磁性酸化物（Co0-Ni0）で充分隔離できなくなり、垂
直異方性が小さくなり、▲Ｍｒ＊ ⊥▼／MsとHc⊥の値が
小さくなりすぎるためである。ｙ値が10at% での柱状Co
-Ni 粒子の平均粒径は500 Åであった。以上の結果か
ら、酸素組成値は0.10≦ｙ≦0.35の範囲で高再生出力が
得られることが分った。一方、Co-Ni-0 膜中のCoとNiの
組成比について検討すると、Co-Ni 組成中のNi成分は、
30at% 以下である必要が多くの試験検討の結果分った。
即ち、Co-Ni-0 垂直磁性膜では、析出する磁性粒子がHC
Pである必要があるが、30at% を超えるとFCC相が混在し
て来てこれに伴ない▲Ｍｒ＊ ⊥▼／Msの値が0.9 未満と
なるからである。
として、垂直異方性が大きい膜ほど、角型比▲Ｍｒ＊ ⊥
▼／Msと保持力Hc⊥は大きい値が得られると考えられて
いるが、Co-Ni-0膜については、特異であり、たしかにH
c⊥の値は酸素組成がｙ＝0.50即ち50at% 付近までは増
大するが、▲Ｍｒ＊ ⊥▼／Msの値は、酸素組成がｙ＝0.
35以上、即ち35at% 以上では酸素組成が増加するほど低
下してしまうことが分った。これは、Co-Ni-0膜に固有
の現象である。膜中の酸素組成が余り増大するとCo粒子
が極めて微細化され、超常磁性粒子が１部混在するよう
になるためと解される。この関係を定量的に検討した
所、Co-Ni 柱状粒子の短軸方向の平均粒径が50Å以上で
あれば良いことが分った。従って、Co-Ni 粒子の粒径を
50Å以上維持するには、膜中の酸素組成はｙ≦0.35以下
即ち35at% 以下である必要がある。而して、Co-Ni 粒子
の平均粒径が50Å以上となるようにすれば、▲Ｍｒ＊ ⊥
▼／Msの値は0.90以上を保ち、優れた記録再生特性が得
られることが分かった。又、該膜中の酸素組成は、ｙ≧
0.10即ち、10at% 以下となるときは、高い再生出力が得
られないことが分った。これは、Co-Ni 強磁性粒子が非
強磁性酸化物（Co0-Ni0）で充分隔離できなくなり、垂
直異方性が小さくなり、▲Ｍｒ＊ ⊥▼／MsとHc⊥の値が
小さくなりすぎるためである。ｙ値が10at% での柱状Co
-Ni 粒子の平均粒径は500 Åであった。以上の結果か
ら、酸素組成値は0.10≦ｙ≦0.35の範囲で高再生出力が
得られることが分った。一方、Co-Ni-0 膜中のCoとNiの
組成比について検討すると、Co-Ni 組成中のNi成分は、
30at% 以下である必要が多くの試験検討の結果分った。
即ち、Co-Ni-0 垂直磁性膜では、析出する磁性粒子がHC
Pである必要があるが、30at% を超えるとFCC相が混在し
て来てこれに伴ない▲Ｍｒ＊ ⊥▼／Msの値が0.9 未満と
なるからである。
このようにCo-Ni-0 系垂直磁性膜の膜中の酸素組成は、
0.10≦ｙ≦0.35の範囲でなければならないが、その膜厚
方向における酸素組成の変動が大きすぎると角型比▲Ｍ
ｒ＊ ⊥▼／Msに悪影響を与えることが分った。
0.10≦ｙ≦0.35の範囲でなければならないが、その膜厚
方向における酸素組成の変動が大きすぎると角型比▲Ｍ
ｒ＊ ⊥▼／Msに悪影響を与えることが分った。
この点を検討した所、角型比▲Ｍｒ＊ ⊥▼／Msの値0.9
以上を確保するには、該酸素組成のｙの変動は±0.05以
内であることが必要であることが分った。即ち、その変
動が±0.05以上であると柱状粒子構造が乱れ、▲Ｍｒ＊
⊥▼／Ms値が0.9 以下になることが分った。この膜厚方
向の酸素組成ｙの変動を±0.05の範囲にとゞめるには、
Co-Niの蒸着中に酸素分圧を一定に保つことが好まし
い。
以上を確保するには、該酸素組成のｙの変動は±0.05以
内であることが必要であることが分った。即ち、その変
動が±0.05以上であると柱状粒子構造が乱れ、▲Ｍｒ＊
⊥▼／Ms値が0.9 以下になることが分った。この膜厚方
向の酸素組成ｙの変動を±0.05の範囲にとゞめるには、
Co-Niの蒸着中に酸素分圧を一定に保つことが好まし
い。
本発明は上記の知見に基づくもので、非磁性基材に予め
設けた軟質磁性膜の面に、実質上垂直に入射するように
磁性金属（CoまたはCoとNi）を蒸着させると同時に酸素
ガスを導入して、（Co1-x Nix ）1-y Ｏy （但し、０≦
ｘ≦0.3）で表されるCo-Ni-0系の垂直異方性硬質磁化膜
を形成する垂直磁気記録体の製造方法において、前記磁
性金属の蒸発室と蒸着室とを区画壁にて分離し、その各
室を個別に真空排気しながら、該蒸着室の蒸着部近傍に
設けた酸素導入口より、前記酸素組成Ｏy のｙの値が0.
10≦ｙ≦0.35になるように酸素ガスを導入すると共に、
蒸着中の酸素分圧を一定に保つことにより、前記垂直異
方性硬質磁化膜の表面と界面との中間に存在する厚さ方
向の領域での酸素組成Ｏy のｙの変動Δｙが±0.05以内
になるようにしたことを特徴とする。
設けた軟質磁性膜の面に、実質上垂直に入射するように
磁性金属（CoまたはCoとNi）を蒸着させると同時に酸素
ガスを導入して、（Co1-x Nix ）1-y Ｏy （但し、０≦
ｘ≦0.3）で表されるCo-Ni-0系の垂直異方性硬質磁化膜
を形成する垂直磁気記録体の製造方法において、前記磁
性金属の蒸発室と蒸着室とを区画壁にて分離し、その各
室を個別に真空排気しながら、該蒸着室の蒸着部近傍に
設けた酸素導入口より、前記酸素組成Ｏy のｙの値が0.
10≦ｙ≦0.35になるように酸素ガスを導入すると共に、
蒸着中の酸素分圧を一定に保つことにより、前記垂直異
方性硬質磁化膜の表面と界面との中間に存在する厚さ方
向の領域での酸素組成Ｏy のｙの変動Δｙが±0.05以内
になるようにしたことを特徴とする。
（実施例） 次に本発明実施例を添付図面に基づき説明する。第１図
は、本発明の方法により製造した１例のテープ式の垂直
磁気記録体を示し、ａは厚さ12μｍのポリエステルフィ
ルムなどから成る非磁性基材、ｂはその上面に蒸着した
厚さ5000Åのパーマロイ膜などから成る軟質磁性膜、ｃ
は、その軟質磁性膜ｂ上面に蒸着積層した厚さ2000Åの
Co-Ni-0垂直異方性硬質磁性膜である。
は、本発明の方法により製造した１例のテープ式の垂直
磁気記録体を示し、ａは厚さ12μｍのポリエステルフィ
ルムなどから成る非磁性基材、ｂはその上面に蒸着した
厚さ5000Åのパーマロイ膜などから成る軟質磁性膜、ｃ
は、その軟質磁性膜ｂ上面に蒸着積層した厚さ2000Åの
Co-Ni-0垂直異方性硬質磁性膜である。
第２図示の装置は、本発明を実施する装置の１例であり
真空処理室(1)内を、区画壁(2)によって酸素導入管(3)
を含む真空蒸着室(1a)と金属材料蒸発室(1b)とに区画さ
れ、その各室(1a)(1b)に夫々真空ポンプに排気調節弁
(4)(5)を介して接続せしめて夫々独立した排気を行なえ
るようにし、該蒸着室(1a)内の酸素供給量が一定の割合
に行なえるようにした。(6)は電子ビームガン、(7)は蒸
発材料ｃを入れた容器、(8)は１対のまき出し及びまき
取りロール、(9)はその水冷キャンで、これらロール(8)
間にキャン(9)の周面を介してまたがり、軟質磁性膜ｂ
をもつプラスチックテープ基材ａをかけ渡す。該真空蒸
着室(1a)はその上部に仕切壁(10)を設けたその上部区画
室(1c)に形成し、その室(1c)の上端に排気調節弁(12)を
介して真空ポンプに接続し、その室(1c)内を浄化せしめ
るようにした。
真空処理室(1)内を、区画壁(2)によって酸素導入管(3)
を含む真空蒸着室(1a)と金属材料蒸発室(1b)とに区画さ
れ、その各室(1a)(1b)に夫々真空ポンプに排気調節弁
(4)(5)を介して接続せしめて夫々独立した排気を行なえ
るようにし、該蒸着室(1a)内の酸素供給量が一定の割合
に行なえるようにした。(6)は電子ビームガン、(7)は蒸
発材料ｃを入れた容器、(8)は１対のまき出し及びまき
取りロール、(9)はその水冷キャンで、これらロール(8)
間にキャン(9)の周面を介してまたがり、軟質磁性膜ｂ
をもつプラスチックテープ基材ａをかけ渡す。該真空蒸
着室(1a)はその上部に仕切壁(10)を設けたその上部区画
室(1c)に形成し、その室(1c)の上端に排気調節弁(12)を
介して真空ポンプに接続し、その室(1c)内を浄化せしめ
るようにした。
次に、第２図示の装置を用いて第１図示のようなテープ
状の垂直磁気記録体の製造例を説明する。表面平滑なポ
リエステルフィルムテープの上面に5000Å厚のパーマロ
イ膜を常法により形成する。この膜のHcは5 0e、最大透
磁率は500 であった。この膜の表面の種々の組成のCo-N
i-0垂直異方性硬質磁性膜を形成した。膜厚は2000Åの
一定とした。この磁性膜を積層形成するに第２図示の装
置を使用した。即ち、予め前記5000Å厚のパーマロイ膜
を備えた前記テープを前記真空処理室内に図示のように
装填し、１方向に一定速度で移行させる一方、Co、Co-1
0，20，30，40at% Ni合金の夫々を蒸発材料として夫々
用意しその夫々を蒸発源として蒸発させ、酸素導入管
(3)より02ガスを導入し酸素組成を色々に変えた媒体の
作成するに応じた一定量の供給下で垂直蒸着を行なっ
た。この時の真空蒸発室(1a)の到達真空度は１×10-5To
rr、その酸素導入量は10〜40cc/minに維持した。テープ
走行速度は1m/min、電子ビーム出力は７KW一定とした。
状の垂直磁気記録体の製造例を説明する。表面平滑なポ
リエステルフィルムテープの上面に5000Å厚のパーマロ
イ膜を常法により形成する。この膜のHcは5 0e、最大透
磁率は500 であった。この膜の表面の種々の組成のCo-N
i-0垂直異方性硬質磁性膜を形成した。膜厚は2000Åの
一定とした。この磁性膜を積層形成するに第２図示の装
置を使用した。即ち、予め前記5000Å厚のパーマロイ膜
を備えた前記テープを前記真空処理室内に図示のように
装填し、１方向に一定速度で移行させる一方、Co、Co-1
0，20，30，40at% Ni合金の夫々を蒸発材料として夫々
用意しその夫々を蒸発源として蒸発させ、酸素導入管
(3)より02ガスを導入し酸素組成を色々に変えた媒体の
作成するに応じた一定量の供給下で垂直蒸着を行なっ
た。この時の真空蒸発室(1a)の到達真空度は１×10-5To
rr、その酸素導入量は10〜40cc/minに維持した。テープ
走行速度は1m/min、電子ビーム出力は７KW一定とした。
このようにして、巻き取りロールに得られた各磁性膜の
組成の異なる垂直異方性硬質磁性膜とパーマロイ膜の２
層を備えた各種の磁気記録体を得た。この記録テープを
１／４インチ幅にスリットし、補助磁極励磁型垂直ヘッ
ドを用いて記録再生を行なった。主磁極厚は0.3μｍで
ある。記録密度を50KBPI一定にして、各媒体について最
適電流を求め記録し、その再生出力を比較した。Co1-y
０y 系膜の場合の結果を第３図a,b,cに示す。これか
ら、ｙが0.1〜0.35の領域で高い再生出力が得られるこ
とが分る。その時のHc⊥の値は300 ０ｅ以上、▲Ｍｒ＊
⊥▼／Msは0.9以上である。Hc⊥の値はｙが0.5まで増加
してゆくが、▲Ｍｒ＊ ⊥▼／Ms の値はｙが0.35以上で
減少する。これは、粒径が50Å以下となるためで、超常
磁性粒子が混在するためと考えられる。粒径はｙの下眼
値0.1 より、粒径500 Åまでとなる。
組成の異なる垂直異方性硬質磁性膜とパーマロイ膜の２
層を備えた各種の磁気記録体を得た。この記録テープを
１／４インチ幅にスリットし、補助磁極励磁型垂直ヘッ
ドを用いて記録再生を行なった。主磁極厚は0.3μｍで
ある。記録密度を50KBPI一定にして、各媒体について最
適電流を求め記録し、その再生出力を比較した。Co1-y
０y 系膜の場合の結果を第３図a,b,cに示す。これか
ら、ｙが0.1〜0.35の領域で高い再生出力が得られるこ
とが分る。その時のHc⊥の値は300 ０ｅ以上、▲Ｍｒ＊
⊥▼／Msは0.9以上である。Hc⊥の値はｙが0.5まで増加
してゆくが、▲Ｍｒ＊ ⊥▼／Ms の値はｙが0.35以上で
減少する。これは、粒径が50Å以下となるためで、超常
磁性粒子が混在するためと考えられる。粒径はｙの下眼
値0.1 より、粒径500 Åまでとなる。
Co-Ni-0系膜の同様の結果を第４図乃至第６図に示す。
図で斜線により囲まれた領域において高い再生出力と、
0.9以上の▲Ｍｒ＊ ⊥▼／Ms 値と、300 0e以上のHc⊥値
を得られることが分る。第７図は、Co0.6500.35の膜を
作成する際の析出速度を変化させることにより粒径を変
化させその時の▲Ｍｒ＊ ⊥▼/Ms を測定した結果を示
す。粒径50Å以下で▲Ｍｒ＊ ⊥▼/Ms の値は0.9 以下に
急激に減少することが分る。
図で斜線により囲まれた領域において高い再生出力と、
0.9以上の▲Ｍｒ＊ ⊥▼／Ms 値と、300 0e以上のHc⊥値
を得られることが分る。第７図は、Co0.6500.35の膜を
作成する際の析出速度を変化させることにより粒径を変
化させその時の▲Ｍｒ＊ ⊥▼/Ms を測定した結果を示
す。粒径50Å以下で▲Ｍｒ＊ ⊥▼/Ms の値は0.9 以下に
急激に減少することが分る。
第８図及び第９図は酸素組成ｙの変動Δｙと▲Ｍｒ＊ ⊥
▼/Ms との関係を示す。即ち第８図は、１例としてCo
0.7500.25膜（ｙ＝0.25）を作成したとき、その表面層
と裏面層を除く、膜厚方向の領域の酸化組成の変動Δｙ
をオージェ分析により求めた結果を示し、これと▲Ｍｒ
＊ ⊥▼/Ms との関係を測定した結果を第９図に示す。こ
れから明らかなように、Δｙが±0.05以上となると急激
に角型比が悪くなる。このように、粒径及び酸素変動に
より同じ組成の膜でも角型比▲Ｍｒ＊ ⊥▼/Ms は大きく
影響を受けることが分り、膜を▲Ｍｒ＊ ⊥▼/Ms 値0.9
以上とするためには、粒度は50Å以上で、膜厚方向の内
部層のｙの変動は所定値より±0.05以内である必要があ
る。尚上記の優れた結果は、スパッタ法、イオンプレー
ティング法によっても得られた。
▼/Ms との関係を示す。即ち第８図は、１例としてCo
0.7500.25膜（ｙ＝0.25）を作成したとき、その表面層
と裏面層を除く、膜厚方向の領域の酸化組成の変動Δｙ
をオージェ分析により求めた結果を示し、これと▲Ｍｒ
＊ ⊥▼/Ms との関係を測定した結果を第９図に示す。こ
れから明らかなように、Δｙが±0.05以上となると急激
に角型比が悪くなる。このように、粒径及び酸素変動に
より同じ組成の膜でも角型比▲Ｍｒ＊ ⊥▼/Ms は大きく
影響を受けることが分り、膜を▲Ｍｒ＊ ⊥▼/Ms 値0.9
以上とするためには、粒度は50Å以上で、膜厚方向の内
部層のｙの変動は所定値より±0.05以内である必要があ
る。尚上記の優れた結果は、スパッタ法、イオンプレー
ティング法によっても得られた。
（発明の効果） このように本発明によるときは、前記２層垂直記録体に
おいて用いられる垂直異方性硬質磁性膜（Co1-xNix ）
1-yＯy （但し、０≦ｘ≦0.3 ）の酸素組成0yのｙの値
が0.10≦ｙ≦0.35になるように酸素ガスを導入すると共
に、蒸着中の酸素分圧を一定に保ったので、その膜内の
厚さ方向の酸素組成ｙの所定の値の変動を±0.05以内と
することができ、粒径が50Å以上となり、Hc⊥≧300 0
e、▲Ｍｒ＊ ⊥▼/Ms ≧0.9 を有する磁気特性をもたら
し、高再生出力をもたらす垂直磁気記録体が得られ、又
室温蒸着法でも高再生出力をもつ垂直磁気記録体が得ら
れる等の効果を有する。
おいて用いられる垂直異方性硬質磁性膜（Co1-xNix ）
1-yＯy （但し、０≦ｘ≦0.3 ）の酸素組成0yのｙの値
が0.10≦ｙ≦0.35になるように酸素ガスを導入すると共
に、蒸着中の酸素分圧を一定に保ったので、その膜内の
厚さ方向の酸素組成ｙの所定の値の変動を±0.05以内と
することができ、粒径が50Å以上となり、Hc⊥≧300 0
e、▲Ｍｒ＊ ⊥▼/Ms ≧0.9 を有する磁気特性をもたら
し、高再生出力をもたらす垂直磁気記録体が得られ、又
室温蒸着法でも高再生出力をもつ垂直磁気記録体が得ら
れる等の効果を有する。
第１図は本発明実施の１例の１部の截断面図、第２図は
本発明の垂直磁気記録体を製造する装置の截断側面線
図、第３図は垂直異方性硬質磁性膜（Co1-y ０ｙ）の酸
素組成ｙと再生出力、保磁力角型比、磁性粒子粒径との
関係の各特性曲線図、第４図乃至第６図は、夫々垂直異
方性硬質磁性膜Co-Ni-0の酸素組成と再生出力、角型
比、保磁力との関係の各特性曲線、第７図はCo0.65０
0.35の粒径と角型比の関係曲線、第８図はCo0.75０0.25
膜の厚さ方向の各位置における酸素組成ｙの変動Δｙ値
を表す図、第９図は酸素組成の変動Δｙと角型比との関
係曲線図を示す。 ａ……非磁性基材 ｂ……軟質磁性膜 ｃ……垂直異方性硬質磁性膜
本発明の垂直磁気記録体を製造する装置の截断側面線
図、第３図は垂直異方性硬質磁性膜（Co1-y ０ｙ）の酸
素組成ｙと再生出力、保磁力角型比、磁性粒子粒径との
関係の各特性曲線図、第４図乃至第６図は、夫々垂直異
方性硬質磁性膜Co-Ni-0の酸素組成と再生出力、角型
比、保磁力との関係の各特性曲線、第７図はCo0.65０
0.35の粒径と角型比の関係曲線、第８図はCo0.75０0.25
膜の厚さ方向の各位置における酸素組成ｙの変動Δｙ値
を表す図、第９図は酸素組成の変動Δｙと角型比との関
係曲線図を示す。 ａ……非磁性基材 ｂ……軟質磁性膜 ｃ……垂直異方性硬質磁性膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 谷 典明 千葉県印旛郡八街町朝日617―２ (56)参考文献 特開 昭59−163810（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】非磁性基材に予め設けた軟質磁性膜の面
に、実質上垂直に入射するように磁性金属（CoまたはCo
とNi）を蒸着させると同時に酸素ガスを導入して、（Co
1-x Nix ）1-y Ｏｙ（但し、０≦ｘ≦0.3）で表されるC
o-Ni-0 系の垂直異方性硬質磁化膜を形成する垂直磁気
記録体の製造方法において、前記磁性金属の蒸発室と蒸
着室とを区画壁にて分離し、その各室を個別に真空排気
しながら、該蒸着室の蒸着部近傍に設けた酸素導入口よ
り、前記酸素組成Ｏｙのｙの値が0.10≦ｙ≦0.35になる
ように酸素ガスを導入すると共に、蒸着中の酸素分圧を
一定に保つことにより、前記垂直異方性硬質磁化膜の表
面と界面との中間に存在する厚さ方向の領域での酸素組
成Ｏｙのｙの変動Δｙが±0.05以内になるようにしたこ
とを特徴とする垂直磁気記録体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59200383A JPH0648533B2 (ja) | 1984-09-27 | 1984-09-27 | 垂直磁気記録体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59200383A JPH0648533B2 (ja) | 1984-09-27 | 1984-09-27 | 垂直磁気記録体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6180521A JPS6180521A (ja) | 1986-04-24 |
| JPH0648533B2 true JPH0648533B2 (ja) | 1994-06-22 |
Family
ID=16423404
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59200383A Expired - Lifetime JPH0648533B2 (ja) | 1984-09-27 | 1984-09-27 | 垂直磁気記録体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0648533B2 (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59163810A (ja) * | 1983-03-08 | 1984-09-14 | Ulvac Corp | 垂直磁気記録体並びにその製造法 |
-
1984
- 1984-09-27 JP JP59200383A patent/JPH0648533B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6180521A (ja) | 1986-04-24 |
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