JPH0645099A - Ｓｏｒ装置のビームチャンネル内斜入射ミラーの脱ガス方法およびその装置 - Google Patents
Ｓｏｒ装置のビームチャンネル内斜入射ミラーの脱ガス方法およびその装置Info
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- JPH0645099A JPH0645099A JP31271692A JP31271692A JPH0645099A JP H0645099 A JPH0645099 A JP H0645099A JP 31271692 A JP31271692 A JP 31271692A JP 31271692 A JP31271692 A JP 31271692A JP H0645099 A JPH0645099 A JP H0645099A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ビームチャンネルに配した斜入射ミラーにＳ
ＯＲ光を照射して脱ガス処理する際に、脱ガスによる斜
入射ミラーの曇りを防止する。 【構成】 蓄積リング２２から放射されるＳＯＲ光２９
はビームチャンネル２６に導かれる。ビームチャンネル
２６にはミラーチャンバー４６が配設され、その中に斜
入射ミラーが収容されている。ビームチャンネル２６の
立上げ当初にＳＯＲ光２９を斜入射ミラーに照射して脱
ガスを行なう。ガスは排気ポンプ５０で排出される。制
御手段５２は圧力検出器４８でミラーチャンバー４６内
の圧力を検出しながら蓄積リング２２の蓄積電流値を徐
々に増大させてＳＯＲ光２９の強度を徐々に増大させて
いく。これにより、排気能力を上回る脱ガス量の発生が
防止され、脱ガスで斜入射ミラーが曇るのが防止され
る。
ＯＲ光を照射して脱ガス処理する際に、脱ガスによる斜
入射ミラーの曇りを防止する。 【構成】 蓄積リング２２から放射されるＳＯＲ光２９
はビームチャンネル２６に導かれる。ビームチャンネル
２６にはミラーチャンバー４６が配設され、その中に斜
入射ミラーが収容されている。ビームチャンネル２６の
立上げ当初にＳＯＲ光２９を斜入射ミラーに照射して脱
ガスを行なう。ガスは排気ポンプ５０で排出される。制
御手段５２は圧力検出器４８でミラーチャンバー４６内
の圧力を検出しながら蓄積リング２２の蓄積電流値を徐
々に増大させてＳＯＲ光２９の強度を徐々に増大させて
いく。これにより、排気能力を上回る脱ガス量の発生が
防止され、脱ガスで斜入射ミラーが曇るのが防止され
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、ＳＯＲ光（シンクロ
トロン放射光）出射用ビームチャンバー内に斜入射ミラ
ーを有するＳＯＲ装置において、ビームチャンネルを立
上げる際に斜入射ミラーにＳＯＲ光を照射して脱ガスを
するための方法およびその装置に関し、脱ガスによる斜
入射ミラー表面の曇りを防止したものである。
トロン放射光）出射用ビームチャンバー内に斜入射ミラ
ーを有するＳＯＲ装置において、ビームチャンネルを立
上げる際に斜入射ミラーにＳＯＲ光を照射して脱ガスを
するための方法およびその装置に関し、脱ガスによる斜
入射ミラー表面の曇りを防止したものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、小型ＳＯＲ装置は超々ＬＳＩ回路
の作成、医療分野における診断、分子解析、構造解析等
様々な分野への適用が期待されている。
の作成、医療分野における診断、分子解析、構造解析等
様々な分野への適用が期待されている。
【０００３】小型ＳＯＲ装置の概要を図２に示す。荷電
粒子発生装置（電子銃等）１０で発生した電子ビームは
線型加速装置（ライナック）１２で光速近くに加速さ
れ、ビーム輸送部１４の偏向電磁石１６で偏向されて、
インフレクタ１８を介して蓄積リング２２内に入射され
る。蓄積リング２２に入射された電子ビームは高周波加
速空洞２１でエネルギを与えられながら収束電磁石２３
（垂直方向用）、２５（水平方向用）で収束され、偏向
電磁石２４で偏向されて蓄積リング２２内を周回し続け
る。偏向電磁石２４で偏向される時に発生するＳＯＲ光
はビームチャンネル２６を通して露光部２８に送られて
超々ＬＳＩ回路作成のためのリソグラフィ用光源等とし
て利用される。
粒子発生装置（電子銃等）１０で発生した電子ビームは
線型加速装置（ライナック）１２で光速近くに加速さ
れ、ビーム輸送部１４の偏向電磁石１６で偏向されて、
インフレクタ１８を介して蓄積リング２２内に入射され
る。蓄積リング２２に入射された電子ビームは高周波加
速空洞２１でエネルギを与えられながら収束電磁石２３
（垂直方向用）、２５（水平方向用）で収束され、偏向
電磁石２４で偏向されて蓄積リング２２内を周回し続け
る。偏向電磁石２４で偏向される時に発生するＳＯＲ光
はビームチャンネル２６を通して露光部２８に送られて
超々ＬＳＩ回路作成のためのリソグラフィ用光源等とし
て利用される。
【０００４】ＳＯＲ光は水平方向には広がっているが垂
直方向の幅は狭い。そこで、リソグラフィ等の露光に用
いる場合にはビームチャンネル内に斜入射ミラーを配置
し、ＳＯＲ光をこの斜入射ミラーに入射し、この斜入射
ミラーを上下方向に揺動させることにより、ＳＯＲ光を
上下方向に振って露光面積を拡大する。
直方向の幅は狭い。そこで、リソグラフィ等の露光に用
いる場合にはビームチャンネル内に斜入射ミラーを配置
し、ＳＯＲ光をこの斜入射ミラーに入射し、この斜入射
ミラーを上下方向に揺動させることにより、ＳＯＲ光を
上下方向に振って露光面積を拡大する。
【０００５】ビームチャンネル内に配置される斜入射ミ
ラーおよびその揺動機構の構成例を図３に側面図で示
す。光取り出しライン２６の中には、斜入射ミラー３０
が配設されている。斜入射ミラー３０は、無酸素銅Ｓｉ
Ｃ，Ａｕ，Ｐｔ等による平面鏡やシリンドリカルミラー
等で構成され、ＳＯＲ光２９を反射して光取り出しライ
ン２６端部の窓板３１の中央部に取り付けられたベリリ
ウム窓３２から出射されて露光部２８内の露光対象３５
（マスクおよびウエハ）を露光する。
ラーおよびその揺動機構の構成例を図３に側面図で示
す。光取り出しライン２６の中には、斜入射ミラー３０
が配設されている。斜入射ミラー３０は、無酸素銅Ｓｉ
Ｃ，Ａｕ，Ｐｔ等による平面鏡やシリンドリカルミラー
等で構成され、ＳＯＲ光２９を反射して光取り出しライ
ン２６端部の窓板３１の中央部に取り付けられたベリリ
ウム窓３２から出射されて露光部２８内の露光対象３５
（マスクおよびウエハ）を露光する。
【０００６】斜入射ミラー３０は軸３４を支点として、
上下方向に揺動自在に支持されている。斜入射ミラー３
０の端部にはミラー揺動機構３６のロッド３８が取り付
けられている。ロッド３８はモータ４０で駆動されるカ
ム４２の回転により上下方向に動作し、斜入射ミラー３
０を上下方向に揺動して、ＳＯＲ光２９を上下方向に振
らせる。これにより、露光対象３５の露光面積が確保さ
れる。
上下方向に揺動自在に支持されている。斜入射ミラー３
０の端部にはミラー揺動機構３６のロッド３８が取り付
けられている。ロッド３８はモータ４０で駆動されるカ
ム４２の回転により上下方向に動作し、斜入射ミラー３
０を上下方向に揺動して、ＳＯＲ光２９を上下方向に振
らせる。これにより、露光対象３５の露光面積が確保さ
れる。
【０００７】図３のように光取り出しライン２６に斜入
射ミラー３０を有する場合、光取り出しライン（ビーム
チャンネル）２６の立上げ時に斜入射ミラー３０の脱ガ
スを行なう必要がある。
射ミラー３０を有する場合、光取り出しライン（ビーム
チャンネル）２６の立上げ時に斜入射ミラー３０の脱ガ
スを行なう必要がある。
【０００８】従来においては、光取り出しライン２６内
を高真空に立ち上げた後排気しながら一定強度のＳＯＲ
光２９を斜入射ミラー３０に照射することによりＳＯＲ
光２９のエネルギで脱ガスを行なうようにしていた。
を高真空に立ち上げた後排気しながら一定強度のＳＯＲ
光２９を斜入射ミラー３０に照射することによりＳＯＲ
光２９のエネルギで脱ガスを行なうようにしていた。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】前記従来の脱ガス方法
による脱ガス状況を図４に示す、イに示すように一定強
度のＳＯＲ光を斜入射ミラー３０に照射した場合、脱ガ
ス量はロに示すようにはじめは多くその後徐々に少なく
なる。ところが排気ポンプの排気能力はハに示すように
一定であるため、脱ガス開始当初脱ガス量が排気能力を
上回り（斜線で示す部分）、光取り出しライン２６内の
真空度が低下する。そして、真空度が１０-8Torrより低
下（圧力が上昇）すると、斜入射ミラー３０の反射面に
脱ガスが分解してできた炭素が付着して反射面を曇らす
ことがあった。
による脱ガス状況を図４に示す、イに示すように一定強
度のＳＯＲ光を斜入射ミラー３０に照射した場合、脱ガ
ス量はロに示すようにはじめは多くその後徐々に少なく
なる。ところが排気ポンプの排気能力はハに示すように
一定であるため、脱ガス開始当初脱ガス量が排気能力を
上回り（斜線で示す部分）、光取り出しライン２６内の
真空度が低下する。そして、真空度が１０-8Torrより低
下（圧力が上昇）すると、斜入射ミラー３０の反射面に
脱ガスが分解してできた炭素が付着して反射面を曇らす
ことがあった。
【００１０】この発明は、前記従来の技術における問題
点を解決して、斜入射ミラーにＳＯＲ光を照射して脱ガ
スをする際の斜入射ミラー反射面の曇りを防止したＳＯ
Ｒ装置のビームチャンネル内斜入射ミラーの脱ガス方法
およびその装置を提供しようとするものである。
点を解決して、斜入射ミラーにＳＯＲ光を照射して脱ガ
スをする際の斜入射ミラー反射面の曇りを防止したＳＯ
Ｒ装置のビームチャンネル内斜入射ミラーの脱ガス方法
およびその装置を提供しようとするものである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】この発明の斜入射ミラー
の脱ガス方法は、蓄積リングを周回している電子ビーム
の偏向位置から放射されるＳＯＲ光をビームチャンネル
に導いて当該ビームチャンネル内に配置された斜入射ミ
ラーで反射して出射するＳＯＲ装置において、前記ビー
ムチャンネル内を真空排気しながら前記斜入射ミラーに
前記ＳＯＲ光を照射して当該斜入射ミラーの脱ガスをす
る際に、前記ＳＯＲ光の強度をはじめは弱くその後強く
することを特徴とするものである。。
の脱ガス方法は、蓄積リングを周回している電子ビーム
の偏向位置から放射されるＳＯＲ光をビームチャンネル
に導いて当該ビームチャンネル内に配置された斜入射ミ
ラーで反射して出射するＳＯＲ装置において、前記ビー
ムチャンネル内を真空排気しながら前記斜入射ミラーに
前記ＳＯＲ光を照射して当該斜入射ミラーの脱ガスをす
る際に、前記ＳＯＲ光の強度をはじめは弱くその後強く
することを特徴とするものである。。
【００１２】また、この発明の斜入射ミラーの脱ガス装
置は、蓄積リングを周回している電子ビームの偏向位置
から放射されるＳＯＲ光をビームチャンネルに導いて当
該ビームチャンネル内に配置された斜入射ミラーで反射
して出射するＳＯＲ装置において、前記ビームチャンネ
ル内を真空排気する排気手段と、前記ＳＯＲ光を遮断し
て前記斜入射ミラーへの入射を停止させるＳＯＲ光遮断
手段と、前記ビームチャンネル内の圧力が所定値より低
い時は前記ＳＯＲ光遮断手段を開放状態にして前記ＳＯ
Ｒ光を前記斜入射ミラーに照射するとともに当該ＳＯＲ
光の強度を徐々に高めていき、前記ビームチャンネルの
圧力が所定値より高い時は前記ＳＯＲ光遮断手段を閉止
状態にするとともに前記ＳＯＲ光強度の上昇を停止させ
る制御手段とを具備してなるものである。
置は、蓄積リングを周回している電子ビームの偏向位置
から放射されるＳＯＲ光をビームチャンネルに導いて当
該ビームチャンネル内に配置された斜入射ミラーで反射
して出射するＳＯＲ装置において、前記ビームチャンネ
ル内を真空排気する排気手段と、前記ＳＯＲ光を遮断し
て前記斜入射ミラーへの入射を停止させるＳＯＲ光遮断
手段と、前記ビームチャンネル内の圧力が所定値より低
い時は前記ＳＯＲ光遮断手段を開放状態にして前記ＳＯ
Ｒ光を前記斜入射ミラーに照射するとともに当該ＳＯＲ
光の強度を徐々に高めていき、前記ビームチャンネルの
圧力が所定値より高い時は前記ＳＯＲ光遮断手段を閉止
状態にするとともに前記ＳＯＲ光強度の上昇を停止させ
る制御手段とを具備してなるものである。
【００１３】
【作用】この発明の斜入射ミラーの脱ガス方法によれ
ば、ＳＯＲ光強度をはじめは弱くその後強くして脱ガス
を行なうようにしたので、脱ガス量が排気能力を大幅に
上回るのが防止され、斜入射ミラー反射面の曇りを防止
することができる。
ば、ＳＯＲ光強度をはじめは弱くその後強くして脱ガス
を行なうようにしたので、脱ガス量が排気能力を大幅に
上回るのが防止され、斜入射ミラー反射面の曇りを防止
することができる。
【００１４】また、この発明の斜入射ミラーの脱ガス装
置によれば、ビームチャンネル内圧力を検出して斜入射
ミラーが曇らない圧力に保持しながらＳＯＲ光強度を徐
々に高めていくようにしたので、脱ガス作業を自動的に
行なうことができる。
置によれば、ビームチャンネル内圧力を検出して斜入射
ミラーが曇らない圧力に保持しながらＳＯＲ光強度を徐
々に高めていくようにしたので、脱ガス作業を自動的に
行なうことができる。
【００１５】
（実施例１）この発明の実施例を以下説明する。図１
は、この発明が適用されたＳＯＲ装置の全体構成を示す
ものである。荷電粒子発生装置（電子銃等）１０で発生
した電子ビームは線型加速装置（ライナック）１２で光
速近くに加速され、ビーム輸送部１４の偏向電磁石１６
で偏向されて、インフレクタ１８を介して蓄積リング２
２内に入射される。蓄積リング２２に入射された電子ビ
ームは高周波加速空洞２１でエネルギを与えられながら
収束電磁石２３（垂直方向用）、２５（水平方向用）で
収束され、偏向電磁石２４で偏向されて蓄積リング２２
内を周回し続ける。偏向電磁石２４で偏向される時に発
生するＳＯＲ光２９はビームチャンネル２６を通して露
光部２８に送られて超々ＬＳＩ回路作成のためのリソグ
ラフィ用光源等として利用される。
は、この発明が適用されたＳＯＲ装置の全体構成を示す
ものである。荷電粒子発生装置（電子銃等）１０で発生
した電子ビームは線型加速装置（ライナック）１２で光
速近くに加速され、ビーム輸送部１４の偏向電磁石１６
で偏向されて、インフレクタ１８を介して蓄積リング２
２内に入射される。蓄積リング２２に入射された電子ビ
ームは高周波加速空洞２１でエネルギを与えられながら
収束電磁石２３（垂直方向用）、２５（水平方向用）で
収束され、偏向電磁石２４で偏向されて蓄積リング２２
内を周回し続ける。偏向電磁石２４で偏向される時に発
生するＳＯＲ光２９はビームチャンネル２６を通して露
光部２８に送られて超々ＬＳＩ回路作成のためのリソグ
ラフィ用光源等として利用される。
【００１６】ビームチャンネル２６には、ビームチャン
ネル２６と蓄積リング２２とを遮断するためのバルブ４
２と、ＳＯＲ光２９を遮断するためのアブソーバ４４
と、ミラーチャンバー４６と、ビームチャンネル２６
（ミラーチャンバー４６）内の気圧を検出する圧力検出
手段４８と、ビームチャンバー２６（ミラーチャンバー
４６）内を排気する排気ポンプ５０等が配設されてい
る。ミラーチャンバー４６内は前記図３のように構成さ
れ、内部に斜入射ミラー３０が配設されて、ミラー揺動
機構３６によって揺動される。
ネル２６と蓄積リング２２とを遮断するためのバルブ４
２と、ＳＯＲ光２９を遮断するためのアブソーバ４４
と、ミラーチャンバー４６と、ビームチャンネル２６
（ミラーチャンバー４６）内の気圧を検出する圧力検出
手段４８と、ビームチャンバー２６（ミラーチャンバー
４６）内を排気する排気ポンプ５０等が配設されてい
る。ミラーチャンバー４６内は前記図３のように構成さ
れ、内部に斜入射ミラー３０が配設されて、ミラー揺動
機構３６によって揺動される。
【００１７】斜入射ミラー３０はＳＯＲ光２９が照射さ
れるとその内部に含まれる不純物がＳＯＲ光２９のエネ
ルギによって少しずつ外に排出されるため、ビームチャ
ンネル２６内を超高真空に保つことができず、この状態
では露光等実際の運転に支障をきたす。そこで、ビーム
チャンネル２６を蓄積リング２２につないで運転を立上
げる際に、斜入射ミラー３０にＳＯＲ光２９を当てて斜
入射ミラー３０の内部に含まれる不純物を予め排出する
脱ガス処理を行なう。脱ガス速度はＳＯＲ光２９の強度
に応じて変化し、また、ＳＯＲ光２９の強度は、蓄積電
流値をＩ、蓄積エネルギをＥとすると、ＩＥ3 に比例す
る。
れるとその内部に含まれる不純物がＳＯＲ光２９のエネ
ルギによって少しずつ外に排出されるため、ビームチャ
ンネル２６内を超高真空に保つことができず、この状態
では露光等実際の運転に支障をきたす。そこで、ビーム
チャンネル２６を蓄積リング２２につないで運転を立上
げる際に、斜入射ミラー３０にＳＯＲ光２９を当てて斜
入射ミラー３０の内部に含まれる不純物を予め排出する
脱ガス処理を行なう。脱ガス速度はＳＯＲ光２９の強度
に応じて変化し、また、ＳＯＲ光２９の強度は、蓄積電
流値をＩ、蓄積エネルギをＥとすると、ＩＥ3 に比例す
る。
【００１８】そこで、図１の制御手段５２は、斜入射ミ
ラー３０の脱ガス処理時に圧力検出手段４８で検出され
るビームチャンネル２６内の気圧に応じて電子発生装置
１０から電子ビームを出射して蓄積リング２２に入射す
ることにより、蓄積リング２２内の蓄積電流値を徐々に
高めてＳＯＲ光２９の強度を徐々に高めて脱ガス処理を
行なう。蓄積リング２２の蓄積電流値はビーム電流モニ
タ５４によって検出される。
ラー３０の脱ガス処理時に圧力検出手段４８で検出され
るビームチャンネル２６内の気圧に応じて電子発生装置
１０から電子ビームを出射して蓄積リング２２に入射す
ることにより、蓄積リング２２内の蓄積電流値を徐々に
高めてＳＯＲ光２９の強度を徐々に高めて脱ガス処理を
行なう。蓄積リング２２の蓄積電流値はビーム電流モニ
タ５４によって検出される。
【００１９】制御手段５２による脱ガス処理の制御フロ
ーの一例を図５に示す。脱ガス処理を行なう時蓄積リン
グ２２内はすでに超高真空に保持され、また蓄積電流値
Ｉは０とされている。この状態で蓄積リング２２にビー
ムチャンネル２６をつなぎ、排気ポンプ５０を駆動して
ビームチャンネル２６内を排気する（Ｓ１）。
ーの一例を図５に示す。脱ガス処理を行なう時蓄積リン
グ２２内はすでに超高真空に保持され、また蓄積電流値
Ｉは０とされている。この状態で蓄積リング２２にビー
ムチャンネル２６をつなぎ、排気ポンプ５０を駆動して
ビームチャンネル２６内を排気する（Ｓ１）。
【００２０】ビームチャンネル２６内が所定の高真空状
態（例えば１０-9〜１０-10 Torr以上の高真空）に達す
ると（Ｓ２）、バルブ４２を開いて蓄積リング２２とビ
ームチャンネル２６を連通させる（Ｓ３）とともに、ア
ブソーバ４４を開く（Ｓ４）。フルエネルギ入射の場
合、電子発生装置１０から電子ビームを発射して、蓄積
リング２２に徐々に入射することにより、蓄積電流値Ｉ
を例えば０．数mAから一定の変化率で増大させる（Ｓ
５，Ｓ６）。これにより、蓄積リング２２の偏向位置か
ら放射されるＳＯＲ光２９の強度が徐々に高められてミ
ラーチャンバー４６内の斜入射ミラー３０に照射されて
脱ガスを行なう。斜入射ミラー３０から排出されたガス
は、排気ポンプ５０で排気される。なお、脱ガスを行な
う時斜入射ミラー３０を揺動させることにより、斜入射
ミラー３０全体をまんべんなく脱ガスすることができ
る。
態（例えば１０-9〜１０-10 Torr以上の高真空）に達す
ると（Ｓ２）、バルブ４２を開いて蓄積リング２２とビ
ームチャンネル２６を連通させる（Ｓ３）とともに、ア
ブソーバ４４を開く（Ｓ４）。フルエネルギ入射の場
合、電子発生装置１０から電子ビームを発射して、蓄積
リング２２に徐々に入射することにより、蓄積電流値Ｉ
を例えば０．数mAから一定の変化率で増大させる（Ｓ
５，Ｓ６）。これにより、蓄積リング２２の偏向位置か
ら放射されるＳＯＲ光２９の強度が徐々に高められてミ
ラーチャンバー４６内の斜入射ミラー３０に照射されて
脱ガスを行なう。斜入射ミラー３０から排出されたガス
は、排気ポンプ５０で排気される。なお、脱ガスを行な
う時斜入射ミラー３０を揺動させることにより、斜入射
ミラー３０全体をまんべんなく脱ガスすることができ
る。
【００２１】ビームチャンネル２６内の圧力が斜入射ミ
ラー３０に曇りを生じさせる圧力（例えば１０-8Torr）
に近い値Ｐmax （例えば１０-9Torr。図６参照）に上昇
したら、アブソーバ４４を閉じて、ＳＯＲ光２９を遮断
し、斜入射ミラー３０への照射を停止する（Ｓ５，Ｓ
７）。これで斜入射ミラー３０からのガスの排出はなく
なるが、排気ポンプ３０は駆動され続けるので、ビーム
チャンネル２６内の圧力は徐々に低下する。そして、ビ
ームチャンネル２６内の圧力がＰmax より低い所定値Ｐ
min （例えば１０-10 Torr。図６参照）まで下降する
と、アブソーバ４４を開いて（Ｓ８，Ｓ４）、脱ガスを
再開する（Ｓ５，Ｓ６）。
ラー３０に曇りを生じさせる圧力（例えば１０-8Torr）
に近い値Ｐmax （例えば１０-9Torr。図６参照）に上昇
したら、アブソーバ４４を閉じて、ＳＯＲ光２９を遮断
し、斜入射ミラー３０への照射を停止する（Ｓ５，Ｓ
７）。これで斜入射ミラー３０からのガスの排出はなく
なるが、排気ポンプ３０は駆動され続けるので、ビーム
チャンネル２６内の圧力は徐々に低下する。そして、ビ
ームチャンネル２６内の圧力がＰmax より低い所定値Ｐ
min （例えば１０-10 Torr。図６参照）まで下降する
と、アブソーバ４４を開いて（Ｓ８，Ｓ４）、脱ガスを
再開する（Ｓ５，Ｓ６）。
【００２２】以上のようにして、ビームチャンネル２６
内圧力上昇を抑制しながら脱ガス処理を行なうことがで
きる。
内圧力上昇を抑制しながら脱ガス処理を行なうことがで
きる。
【００２３】図７は、以上の制御による脱ガス状況を示
すものである。ＳＯＲ光２９の強度をイのように徐々に
高めていくことにより、常にロの脱ガス量をハの排気能
力以下に抑えることができるので、脱ガスによる斜入射
ミラー３０の反射面の曇りを防止することができる。
すものである。ＳＯＲ光２９の強度をイのように徐々に
高めていくことにより、常にロの脱ガス量をハの排気能
力以下に抑えることができるので、脱ガスによる斜入射
ミラー３０の反射面の曇りを防止することができる。
【００２４】（実施例２）前記実施例では、蓄積電流値
ＩによりＳＯＲ光強度を可変するようにしたが、蓄積エ
ネルギーＥによりＳＯＲ光強度を可変することもでき
る。その一実施例を図８に示す。
ＩによりＳＯＲ光強度を可変するようにしたが、蓄積エ
ネルギーＥによりＳＯＲ光強度を可変することもでき
る。その一実施例を図８に示す。
【００２５】図８において、４個の偏向電磁石２４はコ
イルが直接に接続されて、偏向電磁石電源５５から励磁
電流が供給されて、等しい励磁量（磁場強度）に励磁さ
れる。この磁場強度の大きさは、蓄積リング２２内を周
回している電子ビームの蓄積エネルギ値に対応してい
る。すなわち、偏向電磁石２４の磁場強度をＢ（Teal
a）、偏向の曲率半径（軌道半径）をρ（ｍ）、蓄積エ
ネルギをＥ（GeＶ）とすると Ｅ＝０．３Ｂρ の関係があり、磁場強度Ｂが小さい時は電子ビームエネ
ルギーＥも小さくなり、磁場強度Ｂが大きい時は電子ビ
ームエネルギーＥも大きくなる。したがって、制御手段
５２で偏向電磁石２４の励磁電流値を制御することによ
り電子ビームエネルギを変動させることができる。
イルが直接に接続されて、偏向電磁石電源５５から励磁
電流が供給されて、等しい励磁量（磁場強度）に励磁さ
れる。この磁場強度の大きさは、蓄積リング２２内を周
回している電子ビームの蓄積エネルギ値に対応してい
る。すなわち、偏向電磁石２４の磁場強度をＢ（Teal
a）、偏向の曲率半径（軌道半径）をρ（ｍ）、蓄積エ
ネルギをＥ（GeＶ）とすると Ｅ＝０．３Ｂρ の関係があり、磁場強度Ｂが小さい時は電子ビームエネ
ルギーＥも小さくなり、磁場強度Ｂが大きい時は電子ビ
ームエネルギーＥも大きくなる。したがって、制御手段
５２で偏向電磁石２４の励磁電流値を制御することによ
り電子ビームエネルギを変動させることができる。
【００２６】制御手段５２による脱ガス処理の制御フロ
ーの一例を図９に示す。脱ガス処理を行なう時蓄積リン
グ２２内はすでに超高真空に保持され、また蓄積電流値
Ｉは所定値とされ、蓄積エネルギーＥは所定値（低い
値）とされている。この状態で蓄積リング２２にビーム
チャンネル２６をつなぎ、排気ポンプ５０を駆動してビ
ームチャンネル２６内を排気する（Ｓ１）。
ーの一例を図９に示す。脱ガス処理を行なう時蓄積リン
グ２２内はすでに超高真空に保持され、また蓄積電流値
Ｉは所定値とされ、蓄積エネルギーＥは所定値（低い
値）とされている。この状態で蓄積リング２２にビーム
チャンネル２６をつなぎ、排気ポンプ５０を駆動してビ
ームチャンネル２６内を排気する（Ｓ１）。
【００２７】ビームチャンネル２６内が所定の高真空状
態（例えば１０-9〜１０-10 Torr以上の高真空）に達す
ると（Ｓ２）、バルブ４２を開いて蓄積リング２２とビ
ームチャンネル２６を連通させる（Ｓ３）とともに、ア
ブソーバ４４を開く（Ｓ４）。そして、偏向電磁石２４
の励磁電流値を除々に増大させて、蓄積エネルギーＥを
除々に増大させる（Ｓ５，Ｓ６）。これにより、蓄積リ
ング２２の偏向位置から放射されるＳＯＲ光２９の強度
が徐々に高められてミラーチャンバー４６内の斜入射ミ
ラー３０に照射されて脱ガスを行なう。斜入射ミラー３
０から排出されたガスは、排気ポンプ５０で排気され
る。なお、脱ガスを行なう時斜入射ミラー３０を揺動さ
せることにより、斜入射ミラー３０全体をまんべんなく
脱ガスすることができる。
態（例えば１０-9〜１０-10 Torr以上の高真空）に達す
ると（Ｓ２）、バルブ４２を開いて蓄積リング２２とビ
ームチャンネル２６を連通させる（Ｓ３）とともに、ア
ブソーバ４４を開く（Ｓ４）。そして、偏向電磁石２４
の励磁電流値を除々に増大させて、蓄積エネルギーＥを
除々に増大させる（Ｓ５，Ｓ６）。これにより、蓄積リ
ング２２の偏向位置から放射されるＳＯＲ光２９の強度
が徐々に高められてミラーチャンバー４６内の斜入射ミ
ラー３０に照射されて脱ガスを行なう。斜入射ミラー３
０から排出されたガスは、排気ポンプ５０で排気され
る。なお、脱ガスを行なう時斜入射ミラー３０を揺動さ
せることにより、斜入射ミラー３０全体をまんべんなく
脱ガスすることができる。
【００２８】ビームチャンネル２６内の圧力が斜入射ミ
ラー３０に曇りを生じさせる圧力（例えば１０-8Torr）
に近い値Ｐmax （例えば１０-9Torr。図６参照）に上昇
したら、アブソーバ４４を閉じて、ＳＯＲ光２９を遮断
し、斜入射ミラー３０への照射を停止する（Ｓ５，Ｓ
７）。これで斜入射ミラー３０からのガスの排出はなく
なるが、排気ポンプ３０は駆動され続けるので、ビーム
チャンネル２６内の圧力は徐々に低下する。そして、ビ
ームチャンネル２６内の圧力がＰmax より低い所定値Ｐ
min （例えば１０-10 Torr。図６参照）まで下降する
と、アブソーバ４４を開いて（Ｓ８，Ｓ４）、脱ガスを
再開する（Ｓ５，Ｓ６）。
ラー３０に曇りを生じさせる圧力（例えば１０-8Torr）
に近い値Ｐmax （例えば１０-9Torr。図６参照）に上昇
したら、アブソーバ４４を閉じて、ＳＯＲ光２９を遮断
し、斜入射ミラー３０への照射を停止する（Ｓ５，Ｓ
７）。これで斜入射ミラー３０からのガスの排出はなく
なるが、排気ポンプ３０は駆動され続けるので、ビーム
チャンネル２６内の圧力は徐々に低下する。そして、ビ
ームチャンネル２６内の圧力がＰmax より低い所定値Ｐ
min （例えば１０-10 Torr。図６参照）まで下降する
と、アブソーバ４４を開いて（Ｓ８，Ｓ４）、脱ガスを
再開する（Ｓ５，Ｓ６）。
【００２９】以上のようにして、ビームチャンネル２６
内圧力上昇を抑制しながら脱ガス処理を行なうことがで
きる。
内圧力上昇を抑制しながら脱ガス処理を行なうことがで
きる。
【００３０】このように、電子ビームエネルギーＥによ
りＳＯＲ光強度を上げる方法によれば脱ガスをより促進
させることができる。すなわち、図１０に示すように、
ＳＯＲ光の波長ｈνは電子ビームエネルギーＥにより変
化し、電子ビームエネルギーＥが低い時はＳＯＲ光の波
長は長くなり、電子ビームエネルギーＥが高い時はＳＯ
Ｒ光の波長は短くなる。そして、ＳＯＲ光の波長が長い
時はフォトンがミラー表面５７の近くにしか進入しない
ので、ミラー表面５７の近くの浅いところからしか脱ガ
ス５９が排出されない。これに対し、ＳＯＲ光の波長が
短い時は、フォトンがミラー内部６１の深いところまで
進入するので、ミラー表面５７の近くのみならず、ミラ
ー内部６１の深いところからも脱ガス６３が排出され
る。したがって、この実施例２により電子ビームエネル
ギーＥを除々に高めていけば、脱ガスをより促進させる
ことができる。
りＳＯＲ光強度を上げる方法によれば脱ガスをより促進
させることができる。すなわち、図１０に示すように、
ＳＯＲ光の波長ｈνは電子ビームエネルギーＥにより変
化し、電子ビームエネルギーＥが低い時はＳＯＲ光の波
長は長くなり、電子ビームエネルギーＥが高い時はＳＯ
Ｒ光の波長は短くなる。そして、ＳＯＲ光の波長が長い
時はフォトンがミラー表面５７の近くにしか進入しない
ので、ミラー表面５７の近くの浅いところからしか脱ガ
ス５９が排出されない。これに対し、ＳＯＲ光の波長が
短い時は、フォトンがミラー内部６１の深いところまで
進入するので、ミラー表面５７の近くのみならず、ミラ
ー内部６１の深いところからも脱ガス６３が排出され
る。したがって、この実施例２により電子ビームエネル
ギーＥを除々に高めていけば、脱ガスをより促進させる
ことができる。
【００３１】（実施例３）前記実施例１，２では蓄積電
流値Ｉ、蓄積ビームエネルギーＥの一方を変動させるよ
うにしたが、図８に点線で示す部分を追加して蓄積電流
値Ｉ、蓄積ビームエネルギーＥの両方を変動させること
もできる。変動のさせ方としては、例えばＩ，Ｅとも除
々に増大させる方法がある。また、別の方法としてはは
じめに蓄積電流値Ｉを除々に増大させて、蓄積電流値Ｉ
が所定値まで達したら今度は蓄積ビームエネルギーＥを
除々に増大させる方法などが考えられる。
流値Ｉ、蓄積ビームエネルギーＥの一方を変動させるよ
うにしたが、図８に点線で示す部分を追加して蓄積電流
値Ｉ、蓄積ビームエネルギーＥの両方を変動させること
もできる。変動のさせ方としては、例えばＩ，Ｅとも除
々に増大させる方法がある。また、別の方法としてはは
じめに蓄積電流値Ｉを除々に増大させて、蓄積電流値Ｉ
が所定値まで達したら今度は蓄積ビームエネルギーＥを
除々に増大させる方法などが考えられる。
【００３２】
【変更例】前記実施例ではこの発明を揺動式の斜入射ミ
ラーの脱ガスに適用した場合について説明したが、揺動
式でない斜入射ミラーにも適用することができる。
ラーの脱ガスに適用した場合について説明したが、揺動
式でない斜入射ミラーにも適用することができる。
【００３３】
【発明の効果】以上説明したように、この発明の斜入射
ミラーの脱ガス方法によれば、ＳＯＲ光強度をはじめは
弱くその後強くして脱ガスを行なうようにしたので、脱
ガス量が排気能力を大幅に上回るのが防止され、斜入射
ミラー反射面の曇りを防止することができる。
ミラーの脱ガス方法によれば、ＳＯＲ光強度をはじめは
弱くその後強くして脱ガスを行なうようにしたので、脱
ガス量が排気能力を大幅に上回るのが防止され、斜入射
ミラー反射面の曇りを防止することができる。
【００３４】また、この発明の斜入射ミラーの脱ガス装
置によれば、ビームチャンネル内圧力を検出して斜入射
ミラーが曇らない圧力に保持しながらＳＯＲ光強度を徐
々に高めていくようにしたので、脱ガス作業を自動的に
行なうことができる。
置によれば、ビームチャンネル内圧力を検出して斜入射
ミラーが曇らない圧力に保持しながらＳＯＲ光強度を徐
々に高めていくようにしたので、脱ガス作業を自動的に
行なうことができる。
【図１】この発明の一実施例を示すＳＯＲ装置の平面図
および制御ブロック図である。
および制御ブロック図である。
【図２】ＳＯＲ装置の概要を示す平面図である。
【図３】斜入射ミラーおよびミラー揺動機構を示す側面
断面図である。
断面図である。
【図４】従来の脱ガス処理の時間経過を示す線図であ
る。
る。
【図５】図１の制御手段による脱ガス処理の制御フロー
の一例を示す図である。
の一例を示す図である。
【図６】図５の制御フローにおけるＰmax ，Ｐmin の説
明図である。
明図である。
【図７】図５の脱ガス処理の時間経過を示す線図であ
る。
る。
【図８】この発明の他の実施例を示すブロック図であ
る。
る。
【図９】図８の制御手段による脱ガス処理の制御フロー
の一例を示す図である。
の一例を示す図である。
【図１０】電子ビームエネルギーによる脱ガス状態の違
いを示すミラーの断面図である。
いを示すミラーの断面図である。
２２ 蓄積リング ２６ ビームチャンネル ２９ ＳＯＲ光 ３０ 斜入射ミラー ４４ アブソーバ（ＳＯＲ光遮断手段） ４８ 圧力検出手段 ５０ 排気ポンプ（排気手段） ５２ 制御手段
Claims (2)
- 【請求項１】蓄積リングを周回している電子ビームの偏
向位置から放射されるＳＯＲ光をビームチャンネルに導
いて当該ビームチャンネル内に配置された斜入射ミラー
で反射して出射するＳＯＲ装置において、前記ビームチ
ャンネル内を真空排気しながら前記斜入射ミラーに前記
ＳＯＲ光を照射して当該斜入射ミラーの脱ガスをする際
に、前記ＳＯＲ光の強度をはじめは弱くその後強くする
ことを特徴とするＳＯＲ装置のビームチャンネル内斜入
射ミラーの脱ガス方法。 - 【請求項２】蓄積リングを周回している電子ビームの偏
向位置から放射されるＳＯＲ光をビームチャンネルに導
いて当該ビームチャンネル内に配置された斜入射ミラー
で反射して出射するＳＯＲ装置において、 前記ビームチャンネル内を真空排気する排気手段と、 前記ＳＯＲ光を遮断して前記斜入射ミラーへの入射を停
止させるＳＯＲ光遮断手段と、 前記ビームチャンネル内の圧力が所定値より低い時は前
記ＳＯＲ光遮断手段を開放状態にして前記ＳＯＲ光を前
記斜入射ミラーに照射するとともに当該ＳＯＲ光の強度
を徐々に高めていき、前記ビームチャンネルの圧力が所
定値より高い時は前記ＳＯＲ光遮断手段を閉止状態にす
るとともに前記ＳＯＲ光強度の上昇を停止させる制御手
段とを具備してなるＳＯＲ装置のビームチャンネル内斜
入射ミラーの脱ガス装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31271692A JPH0645099A (ja) | 1992-05-27 | 1992-10-28 | Ｓｏｒ装置のビームチャンネル内斜入射ミラーの脱ガス方法およびその装置 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4-160122 | 1992-05-27 | ||
| JP16012292 | 1992-05-27 | ||
| JP31271692A JPH0645099A (ja) | 1992-05-27 | 1992-10-28 | Ｓｏｒ装置のビームチャンネル内斜入射ミラーの脱ガス方法およびその装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0645099A true JPH0645099A (ja) | 1994-02-18 |
Family
ID=26486712
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31271692A Pending JPH0645099A (ja) | 1992-05-27 | 1992-10-28 | Ｓｏｒ装置のビームチャンネル内斜入射ミラーの脱ガス方法およびその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0645099A (ja) |
-
1992
- 1992-10-28 JP JP31271692A patent/JPH0645099A/ja active Pending
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