JPH0637355U - Wafer plating machine - Google Patents

Wafer plating machine

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JPH0637355U
JPH0637355U JP7756592U JP7756592U JPH0637355U JP H0637355 U JPH0637355 U JP H0637355U JP 7756592 U JP7756592 U JP 7756592U JP 7756592 U JP7756592 U JP 7756592U JP H0637355 U JPH0637355 U JP H0637355U
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JP
Japan
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plating solution
wafer
plating
cup
outlet
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Application number
JP7756592U
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Japanese (ja)
Inventor
猛 若林
Original Assignee
カシオ計算機株式会社
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 ウエハの下面に接触しているメッキ液中の気
泡を完全に除去する。 【構成】 カップ2の上面の所定の一領域にはメッキ液
流出口21が設けられ、該メッキ液流出口21と対向す
る側におけるカップ2内の底部にはメッキ液噴流口5が
設けられている。そして、メッキ液噴流口5からカップ
2内に噴流されたメッキ液4はウエハ12の下面に沿っ
てメッキ液噴流口5に対応する側からメッキ液流出口2
1に対応する側に向かって一方向に流れ、1つのメッキ
液流出口21からオーバーフローされることになる。こ
の場合、メッキ液流出口21が1つであるので、このメ
ッキ液流出口21を通過するメッキ液4の流れが比較的
速く、しかもメッキ液4をウエハ12の被メッキ面に沿
って所定の一方向に流した後オーバーフローさせている
ので、ウエハ12の下面に接触しているメッキ液4中の
気泡をどこにも停留させることなくスムーズに排除する
ことができる。
(57) [Summary] [Purpose] To completely remove the bubbles in the plating solution that are in contact with the lower surface of the wafer. A plating solution outlet 21 is provided in a predetermined area on the upper surface of the cup 2, and a plating solution jet port 5 is provided at the bottom of the cup 2 on the side facing the plating solution outlet 21. There is. Then, the plating solution 4 jetted into the cup 2 from the plating solution jet port 5 runs along the lower surface of the wafer 12 from the side corresponding to the plating solution jet port 5 to the plating solution outlet port 2.
It flows in one direction toward the side corresponding to 1, and overflows from one plating solution outlet 21. In this case, since there is only one plating solution outlet 21, the flow of the plating solution 4 passing through the plating solution outlet 21 is relatively fast, and the plating solution 4 is provided along the surface to be plated of the wafer 12 in a predetermined manner. Since the air flows in one direction and then overflows, the bubbles in the plating solution 4 contacting the lower surface of the wafer 12 can be smoothly removed without stopping anywhere.

Description

【考案の詳細な説明】[Detailed description of the device]

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】[Industrial applications]

この考案は半導体ウエハにメッキを施すためのウエハ用メッキ装置に関する。 This invention relates to a wafer plating apparatus for plating a semiconductor wafer.

【0002】[0002]

【従来の技術】[Prior art]

例えば、半導体ウエハ(以下、単にウエハという)にバンプ電極を形成する場 合、ウエハのバンプ電極形成面(被メッキ面)にメッキレジスト層を形成し、こ のメッキレジスト層をエッチングして開口を形成することにより、この開口を介 してパッド部を露出させ、この露出したパッド部にウエハ用メッキ装置を用いて 金等のメッキを施し、この施したメッキによってバンプ電極を形成している。 For example, when forming bump electrodes on a semiconductor wafer (hereinafter simply referred to as a wafer), a plating resist layer is formed on the bump electrode formation surface (surface to be plated) of the wafer, and the plating resist layer is etched to form openings. By forming the pad portion, the pad portion is exposed through this opening, and the exposed pad portion is plated with gold or the like by using a wafer plating apparatus, and the bump electrode is formed by this plating.

【0003】 ところで、従来のウエハ用メッキ装置は、メッキ液が噴流されるカップの上面 とその上側に配置されるウエハの被メッキ面の周囲との間にほぼ全体にわたって 隙間を設け、この隙間からメッキ液をオーバーフローさせることにより、メッキ 液を回収するようになっている。しかしながら、ウエハの被メッキ面の周囲の所 定の複数個所に設けられたメッキ用接続端子に接続されるカソード電極をカップ の上面に設けているので、カソード電極がオーバーフローするメッキ液と接触し てメッキされるのを防止し、ひいてはメッキ液中の高価な金(メッキ金属)が無 駄に消費されるのを防止するために、カソード電極の部分を複雑な構造とする必 要がある。By the way, in the conventional wafer plating apparatus, a gap is provided almost entirely between the upper surface of the cup on which the plating solution is jetted and the periphery of the surface to be plated of the wafer arranged above the cup. The plating solution is collected by overflowing the plating solution. However, since the cathode electrode connected to the plating connection terminals provided at a plurality of predetermined locations around the surface to be plated of the wafer is provided on the upper surface of the cup, the cathode electrode does not come into contact with the overflowing plating solution. In order to prevent the plating, and thus the expensive gold (plating metal) in the plating solution from being consumed unnecessarily, it is necessary to make the cathode electrode part have a complicated structure.

【0004】 そこで、最近では、カップの上面にウエハの被メッキ面の周囲を密接させて配 置し、カソード電極の部分を簡単な構造としたウエハ用メッキ装置が考えられて いる。図3(A)、(B)は従来のこのようなウエハ用メッキ装置を示したもの である。このウエハ用メッキ装置では、メッキ槽1内にカップ2が設けられてい る。カップ2は、カップ本体の上面にリング状のゴムシート2aが設けられた構 造となっている。ゴムシート2aの厚さは無負荷のとき全体にわたって均一とな っている。メッキ槽1とカップ2とは液路3によって連通されている。液路3に は、メッキ槽1内に収容されているメッキ液(イオン化された金を含む)4をカ ップ2内の底部中央に設けられたメッキ液噴流口5からカップ2内に噴流させる ための噴流ポンプ6が介在されている。カップ2内の底部には網状のアノード電 極7が設けられている。アノード電極7はリード線8を介して図示しない電源装 置の陽極に接続されている。カップ2の上壁部の等間隔ずつ離間する多数の個所 にはメッキ液流出孔9が放射状に設けられている。ゴムシート2aの上面の等間 隔ずつ離間する所定の3個所には、側面ほぼL字状のカソード電極10がその端 部をゴムシート2aの内周端よりも所定の距離だけ外側に位置させられた状態で 設けられている。カソード電極10はリード線11を介して電源装置の陰極に接 続されている。Therefore, recently, a wafer plating apparatus has been considered in which the periphery of the surface to be plated of the wafer is placed in close contact with the upper surface of the cup and the cathode electrode portion has a simple structure. FIGS. 3A and 3B show such a conventional wafer plating apparatus. In this wafer plating apparatus, a cup 2 is provided in the plating tank 1. The cup 2 has a structure in which a ring-shaped rubber sheet 2a is provided on the upper surface of the cup body. The thickness of the rubber sheet 2a is uniform throughout when no load is applied. The plating tank 1 and the cup 2 are connected by a liquid path 3. In the liquid passage 3, the plating liquid (including ionized gold) 4 contained in the plating tank 1 is jetted into the cup 2 from the plating liquid jet port 5 provided at the center of the bottom of the cup 2. A jet pump 6 for interposing is provided. A net-shaped anode electrode 7 is provided at the bottom of the cup 2. The anode electrode 7 is connected via a lead wire 8 to an anode of a power supply device (not shown). The plating solution outflow holes 9 are radially provided at a large number of places on the upper wall portion of the cup 2 that are spaced at equal intervals. Cathode electrodes 10 each having a substantially L-shaped side surface are provided with their ends located outside the inner peripheral end of the rubber sheet 2a by a predetermined distance at predetermined three positions on the upper surface of the rubber sheet 2a. It is provided in a fixed state. The cathode electrode 10 is connected to the cathode of the power supply device via a lead wire 11.

【0005】 ゴムシート2aの上面および3つのカソード電極10の所定の上面にはウエハ 12の下面(被メッキ面)の周囲が密接されて配置されている。この場合、図示 していないが、ウエハ12は、メッキ槽1の上部に取り付けられた上蓋の下面に 設けられた板バネによって押え付けられている。このため、ウエハ12がカソー ド電極10を押え付けることにより、カソード電極10がゴムシート2aにこれ を弾性変形させつつ食い込み、ウエハ12の下面の周囲がゴムシート2aの上面 に密接され、その間が液密状態となっている。また、ウエハ12は、詳細には図 示していないが、既に説明したように、下面(バンプ電極形成面)に形成された メッキレジスト層に開口が形成されていることにより、この開口を介してパッド 部が露出され、さらにカソード電極10の所定の上面と接触する部分にメッキ用 接続端子が設けられた構造となっている。The periphery of the lower surface (surface to be plated) of the wafer 12 is arranged in close contact with the upper surface of the rubber sheet 2a and the predetermined upper surfaces of the three cathode electrodes 10. In this case, although not shown, the wafer 12 is pressed by a leaf spring provided on the lower surface of the upper lid attached to the upper portion of the plating tank 1. Therefore, when the wafer 12 presses the cathode electrode 10, the cathode electrode 10 bites into the rubber sheet 2a while elastically deforming it, and the periphery of the lower surface of the wafer 12 is brought into close contact with the upper surface of the rubber sheet 2a, and the space between It is liquid tight. Although not shown in detail in the wafer 12, as described above, since the opening is formed in the plating resist layer formed on the lower surface (bump electrode formation surface), the opening is formed through this opening. The pad portion is exposed, and a plating connection terminal is further provided at a portion in contact with a predetermined upper surface of the cathode electrode 10.

【0006】 そして、このウエハ用メッキ装置の噴流ポンプ6が駆動すると、メッキ槽1内 に収容されているメッキ液4がメッキ液噴流口5からアノード電極7を通過して カップ2内に噴流され、ウエハ12の下面中央部に噴き付けられる。ウエハ12 の下面中央部に噴き付けられたメッキ液4は、例えば図3(A)において矢印で 示すように、ウエハ12の下面に沿って外側に向かって放射状に流れ、多数のメ ッキ液流出孔9から流出してメッキ槽1内に回収される。このとき、アノード電 極7とカソード電極10との間にメッキ電流を流すと、ウエハ12の下面に露出 したパッド部に金メッキが施され、この施された金メッキによってバンプ電極が 形成される。Then, when the jet pump 6 of the wafer plating apparatus is driven, the plating solution 4 contained in the plating tank 1 is jetted into the cup 2 from the plating solution jet port 5 through the anode electrode 7. , Is sprayed on the central portion of the lower surface of the wafer 12. The plating solution 4 sprayed on the central portion of the lower surface of the wafer 12 radially flows outward along the lower surface of the wafer 12 as indicated by an arrow in FIG. It flows out from the outflow hole 9 and is collected in the plating tank 1. At this time, when a plating current is passed between the anode electrode 7 and the cathode electrode 10, the pad portion exposed on the lower surface of the wafer 12 is gold-plated, and the bump electrode is formed by this gold plating.

【0007】 ところで、このウエハ用メッキ装置では、ウエハ12の下面の周囲をゴムシー ト2aの上面に密接させてその間を液密状態としているので、この間からメッキ 液4が流出しないようにすることができ、またカソード電極10の端部をゴムシ ート2aの内周端よりも所定の距離だけ外側に位置させているので、カソード電 極10がメッキ液4と全く接触しないようにすることができる。この結果、カッ プ2の上面に設けたカソード電極10がメッキ液4と接触してメッキされるのを 防止することができる上、カソード電極10の部分を簡単な構造とすることがで きる。また、メッキ液4をカップ2内の底部中央に設けたメッキ液噴流口5から カップ2内に噴流させるとともにカップ2の上壁部に放射状に設けた多数のメッ キ液流出孔9から流出させるようにしているので、ウエハ12の下面に常に新し いメッキ液4を供給することができる。By the way, in this wafer plating apparatus, since the periphery of the lower surface of the wafer 12 is brought into close contact with the upper surface of the rubber sheet 2a to make the space between them liquid-tight, it is possible to prevent the plating liquid 4 from flowing out during this period. In addition, since the end of the cathode electrode 10 is located outside the inner peripheral end of the rubber sheet 2a by a predetermined distance, it is possible to prevent the cathode electrode 10 from contacting the plating solution 4 at all. . As a result, it is possible to prevent the cathode electrode 10 provided on the upper surface of the cup 2 from coming into contact with the plating solution 4 and being plated, and also the portion of the cathode electrode 10 can have a simple structure. Further, the plating solution 4 is jetted into the cup 2 from the plating solution jet port 5 provided at the center of the bottom of the cup 2 and is also discharged from a large number of mesh solution outflow holes 9 radially provided on the upper wall of the cup 2. Therefore, the new plating liquid 4 can be constantly supplied to the lower surface of the wafer 12.

【0008】[0008]

【考案が解決しようとする課題】[Problems to be solved by the device]

しかしながら、従来のこのようなウエハ用メッキ装置では、メッキ液4の回収 をカップ2の上壁部に放射状に設けた多数のメッキ液流出孔9を介して行なって いるので、各メッキ液流出孔9を通過するメッキ液4の流れが比較的遅く、一方 、相隣接するメッキ液流出孔9間にある程度の間隔が存在し、このため例えば図 3(B)に示すように、相隣接するメッキ液流出孔9の中間部に気泡13が停留 しやすく、またゴムシート2aの上面とメッキ液流出孔9との間にある程度の間 隔が存在し、このためこの部分にも気泡が停留しやすく、さらに以上のような部 分に気泡が当初から存在している場合にはこれを排除しがたく、ひいてはウエハ 12の下面に接触しているメッキ液4中の気泡を完全に除去することができず、 メッキ不良が発生してしまうことがあるという問題があった。 この考案の目的は、ウエハの下面に接触しているメッキ液中の気泡を完全に除 去することのできるウエハ用メッキ装置を提供することにある。 However, in such a conventional wafer plating apparatus, the recovery of the plating solution 4 is performed through a large number of plating solution outflow holes 9 provided radially on the upper wall of the cup 2, so that each plating solution outflow hole is formed. The flow of the plating solution 4 passing through 9 is relatively slow, while there is a certain distance between the adjacent plating solution outflow holes 9. Therefore, for example, as shown in FIG. Bubbles 13 are likely to stay in the middle portion of the liquid outflow hole 9, and there is a certain distance between the upper surface of the rubber sheet 2a and the plating solution outflow hole 9. Therefore, bubbles are easily retained in this portion as well. In addition, it is difficult to eliminate the bubbles existing in the above-mentioned portion from the beginning, and it is possible to completely remove the bubbles in the plating solution 4 contacting the lower surface of the wafer 12. Can not be done, plating failure occurs There was a problem in that it may become is. An object of the present invention is to provide a wafer plating apparatus capable of completely removing air bubbles in the plating solution which are in contact with the lower surface of the wafer.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】[Means for Solving the Problems]

この考案は、メッキ液が噴流されるカップの上面にウエハの被メッキ面の周囲 を密接させて配置するようにしたウエハ用メッキ装置において、前記カップの上 面の一領域にメッキ液流出口を設けるとともに、該メッキ液流出口と対向する側 における前記カップ内の底部にメッキ液噴流口を設けたものである。 This invention is a plating apparatus for a wafer in which the periphery of the surface to be plated of the wafer is placed in close contact with the upper surface of the cup on which the plating solution is jetted, and a plating solution outlet is provided in a region of the upper surface of the cup. In addition to the provision, a plating solution jet port is provided at the bottom of the cup on the side facing the plating solution outlet.

【0010】[0010]

【作用】[Action]

この考案によれば、メッキ液噴流口からカップ内に噴流されたメッキ液がウエ ハの被メッキ面に沿ってメッキ液噴流口に対応する側からメッキ液流出口に対応 する側に向かって一方向に流れ、1つのメッキ液流出口からオーバーフローされ ることになる。この場合、メッキ液流出口が1つであるので、このメッキ液流出 口を通過するメッキ液の流れが比較的速く、しかもメッキ液をウエハの被メッキ 面に沿って所定の一方向に流した後オーバーフローさせているので、ウエハの下 面に接触しているメッキ液中の気泡をどこにも停留させることなくスムーズに排 除することができ、したがってウエハの下面に接触しているメッキ液中の気泡を 完全に除去することができる。 According to this invention, the plating solution jetted into the cup from the plating solution jet port flows along the surface to be plated of the wafer from the side corresponding to the plating solution jet port to the side corresponding to the plating solution outlet. Flow in one direction and overflow from one plating solution outlet. In this case, since there is only one plating solution outlet, the flow of the plating solution through this plating solution outlet is relatively fast, and the plating solution was caused to flow in a predetermined direction along the surface to be plated of the wafer. Since it overflows afterwards, bubbles in the plating solution that are in contact with the lower surface of the wafer can be smoothly removed without being trapped anywhere, so that the bubbles in the plating solution that are in contact with the lower surface of the wafer can be removed. Bubbles can be completely removed.

【0011】[0011]

【実施例】【Example】

図1(A)、(B)はこの考案の一実施例におけるウエハ用メッキ装置を示し たものである。これらの図において、図3(A)、(B)と同一名称部分には同 一の符号を付し、その説明を適宜省略する。このウエハ用メッキ装置におけるカ ップ2は、カップ本体の上面にほぼC字状のゴムシート2aが設けられ、ゴムシ ート2aが設けられていない部分によって1つの領域にメッキ液流出口21が形 成された構造となっている。また、メッキ液流出口21と対向する側におけるカ ップ2内の底部にはメッキ液噴流口5が設けられている。 1 (A) and 1 (B) show a wafer plating apparatus according to an embodiment of the present invention. In these figures, parts having the same names as those in FIGS. In the cup 2 in this wafer plating apparatus, a substantially C-shaped rubber sheet 2a is provided on the upper surface of the cup body, and the plating solution outlet 21 is provided in one region by the portion where the rubber sheet 2a is not provided. It has a structured structure. A plating solution jet port 5 is provided at the bottom of the cup 2 on the side facing the plating solution outlet 21.

【0012】 そして、このウエハ用メッキ装置の噴流ポンプ6が駆動すると、メッキ槽1内 に収容されているメッキ液4がメッキ液噴流口5からアノード電極7を通過して カップ2内に噴流され、ウエハ12の下面一端部(図1(B)において例えば時 計の9時の部分)に噴き付けられる。ウエハ12の下面一端部に噴き付けられた メッキ液4は、例えば図1(B)において矢印で示すように、ウエハ12の下面 に沿ってメッキ液噴流口5に対応する側からメッキ液流出口21に対応する側に 向かって一方向に流れ、1つのメッキ液流出口21からオーバーフローしてメッ キ槽1内に回収される。このとき、アノード電極7とカソード電極10との間に メッキ電流を流すと、ウエハ12の下面に露出したパッド部に金メッキが施され 、この施された金メッキによってバンプ電極が形成される。When the jet pump 6 of this wafer plating apparatus is driven, the plating solution 4 contained in the plating tank 1 is jetted into the cup 2 from the plating solution jet port 5 through the anode electrode 7. , Is sprayed onto one end of the lower surface of the wafer 12 (for example, the portion at 9 o'clock in FIG. 1B). The plating solution 4 sprayed onto one end of the lower surface of the wafer 12 is, for example, as shown by an arrow in FIG. 1B, the plating solution 4 from the side corresponding to the plating solution jet port 5 along the lower surface of the wafer 12. It flows in one direction toward the side corresponding to 21 and overflows from one plating solution outlet 21 and is collected in the plating tank 1. At this time, when a plating current is passed between the anode electrode 7 and the cathode electrode 10, the pad portion exposed on the lower surface of the wafer 12 is gold-plated, and the bump electrode is formed by this gold plating.

【0013】 このように、このウエハ用メッキ装置では、メッキ液噴流口5からカップ2内 に噴流されたメッキ液4がウエハ12の下面に沿ってメッキ液噴流口5に対応す る側からメッキ液流出口21に対応する側に向かって一方向に流れ、1つのメッ キ液流出口21からオーバーフローされることになる。この場合、メッキ液流出 口21が1つであるので、このメッキ液流出口21を通過するメッキ液4の流れ が比較的速く、しかもメッキ液4をウエハ12の被メッキ面に沿って所定の一方 向に流した後オーバーフローさせているので、ウエハ12の下面に接触している メッキ液4中の気泡をどこにも停留させることなくスムーズに排除することがで き、したがってウエハ12の下面に接触しているメッキ液4中の気泡を完全に除 去することができ、ひいてはメッキ不良が発生しないようにすることができる。As described above, in this wafer plating apparatus, the plating solution 4 jetted from the plating solution jet port 5 into the cup 2 is plated from the side corresponding to the plating solution jet port 5 along the lower surface of the wafer 12. It flows in one direction toward the side corresponding to the liquid outlet 21, and overflows from one mesh liquid outlet 21. In this case, since the plating solution outlet 21 is one, the flow of the plating solution 4 through the plating solution outlet 21 is relatively fast, and the plating solution 4 is provided along the surface to be plated of the wafer 12 at a predetermined level. Since it flows in one direction and then overflows, the bubbles in the plating solution 4 that are in contact with the lower surface of the wafer 12 can be smoothly removed without staying anywhere, and therefore the lower surface of the wafer 12 can be contacted. It is possible to completely remove the air bubbles in the plating liquid 4 that are being formed, and thus prevent defective plating from occurring.

【0014】 なお、上記実施例ではカップ2の上面を水平としているが、例えば図2に示す ように、カップ2の上面をメッキ液流出口21を最も上側に位置させてある程度 傾斜させるようにしてもよい。このようにすると、メッキ液4中において上方へ 移動する傾向にある気泡をより一層スムーズに排除することができる。Although the upper surface of the cup 2 is horizontal in the above embodiment, the upper surface of the cup 2 may be inclined to a certain extent with the plating solution outlet 21 located at the uppermost position as shown in FIG. 2, for example. Good. In this way, the bubbles that tend to move upward in the plating solution 4 can be eliminated more smoothly.

【0015】[0015]

【考案の効果】[Effect of device]

以上説明したように、この考案によれば、メッキ液噴流口からカップ内に噴流 されたメッキ液をウエハの被メッキ面に沿って所定の一方向に比較的速い流速で 流した後1つのメッキ液流出口からオーバーフローさせているので、ウエハの下 面に接触しているメッキ液中の気泡をどこにも停留させることなくスムーズに排 除することができ、したがってウエハの下面に接触しているメッキ液中の気泡を 完全に除去することができ、ひいてはメッキ不良が発生しないようにすることが できる。 As described above, according to the present invention, the plating solution jetted into the cup from the plating solution jet port is flowed along the surface to be plated of the wafer in a predetermined direction at a relatively high flow rate, and then one plating is performed. Since it overflows from the liquid outlet, the bubbles in the plating solution that are in contact with the lower surface of the wafer can be smoothly removed without staying anywhere, and therefore the plating that is in contact with the lower surface of the wafer can be removed. It is possible to completely remove the air bubbles in the liquid and prevent defective plating from occurring.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】(A)はこの考案の一実施例におけるウエハ用
メッキ装置の断面図、(B)はその一部の平面図。
1A is a sectional view of a wafer plating apparatus according to an embodiment of the present invention, and FIG. 1B is a partial plan view thereof.

【図2】この考案の他の実施例におけるウエハ用メッキ
装置の断面図。
FIG. 2 is a sectional view of a wafer plating apparatus according to another embodiment of the present invention.

【図3】(A)は従来のウエハ用メッキ装置の断面図、
(B)はその一部の平面図。
FIG. 3A is a cross-sectional view of a conventional wafer plating apparatus,
(B) is a plan view of a part thereof.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 メッキ槽 2 カップ 4 メッキ液 5 メッキ液噴流口 12 ウエハ 21 メッキ液流出口 1 plating tank 2 cup 4 plating liquid 5 plating liquid jet 12 wafer 21 plating liquid outlet

Claims (2)

【実用新案登録請求の範囲】[Scope of utility model registration request] 【請求項1】 メッキ液が噴流されるカップの上面にウ
エハの被メッキ面の周囲を密接させて配置するようにし
たウエハ用メッキ装置において、 前記カップの上面の一領域にメッキ液流出口を設けると
ともに、該メッキ液流出口と対向する側における前記カ
ップ内の底部にメッキ液噴流口を設けたことを特徴とす
るウエハ用メッキ装置。
1. A wafer plating apparatus in which a periphery of a surface to be plated of a wafer is arranged in close contact with an upper surface of a cup on which a plating solution is jetted, and a plating solution outlet is provided in a region of an upper surface of the cup. A plating apparatus for a wafer, wherein the plating solution jetting port is provided at the bottom of the cup on the side facing the plating solution outlet.
【請求項2】 前記カップの上面は前記メッキ液流出口
が最も上側に位置するように傾斜していることを特徴と
する請求項1記載のウエハ用メッキ装置。
2. The wafer plating apparatus according to claim 1, wherein an upper surface of the cup is inclined such that the plating solution outlet is located at an uppermost position.
JP7756592U 1992-10-14 1992-10-14 Wafer plating machine Pending JPH0637355U (en)

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JP7756592U JPH0637355U (en) 1992-10-14 1992-10-14 Wafer plating machine

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001316871A (en) * 2000-05-08 2001-11-16 Tokyo Electron Ltd Method and equipment for liquid treatment

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2001316871A (en) * 2000-05-08 2001-11-16 Tokyo Electron Ltd Method and equipment for liquid treatment

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