JPH0637057A - プラズマエッチング方法及び装置 - Google Patents
プラズマエッチング方法及び装置Info
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- JPH0637057A JPH0637057A JP21330792A JP21330792A JPH0637057A JP H0637057 A JPH0637057 A JP H0637057A JP 21330792 A JP21330792 A JP 21330792A JP 21330792 A JP21330792 A JP 21330792A JP H0637057 A JPH0637057 A JP H0637057A
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- etching
- plasma etching
- etched
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 基板面内を均一に高精度にプラズマエッチン
グする。 【構成】 プラズマエッチング処理室内の基板載置電極
２に載置した、被エッチング基板３の中央部又は周辺部
のいずれかで、あるいはその両方において設置した、２
つ以上の測定点の温度を温度測定子８及び複チャネル温
度計測器１０により測定し、その比較を中央処理装置１
１により行うことによりエッチング工程を監視及び制御
して、エッチング工程を管理することを特徴とする。
グする。 【構成】 プラズマエッチング処理室内の基板載置電極
２に載置した、被エッチング基板３の中央部又は周辺部
のいずれかで、あるいはその両方において設置した、２
つ以上の測定点の温度を温度測定子８及び複チャネル温
度計測器１０により測定し、その比較を中央処理装置１
１により行うことによりエッチング工程を監視及び制御
して、エッチング工程を管理することを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体素子や液晶表示
（ＬＣＤ）素子の製造工程の１つであるプラズマドライ
エッチングにおいて、被エッチング基板面内を均一に、
高精度なエッチング加工を行うことが可能な、プラズマ
エッチング方法および装置に関するものである。
（ＬＣＤ）素子の製造工程の１つであるプラズマドライ
エッチングにおいて、被エッチング基板面内を均一に、
高精度なエッチング加工を行うことが可能な、プラズマ
エッチング方法および装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体素子やＬＣＤ素子の製造工程の１
つであるドライエッチングにおいては、一般に被エッチ
ング基板の材質に応じたエッチングガスを、あらかじめ
基板を載置したエッチング処理室に導入し所定の圧力条
件ににて交流電場の印加により発生させるプラズマを用
いたプラズマエッチング装置が使用されている。プラズ
マエッチング装置の動作は、あらかじめ設定したプログ
ラムによって進行するが、被エッチング基板の材質や構
成の如何によらず、常に被エッチング基板の全面におい
て均一な安定したエッチング特性を得るためには、エッ
チング工程での各種計測データをもとに中央処理装置に
よって装置の動作条件を制御して処理を進行させる必要
がある。
つであるドライエッチングにおいては、一般に被エッチ
ング基板の材質に応じたエッチングガスを、あらかじめ
基板を載置したエッチング処理室に導入し所定の圧力条
件ににて交流電場の印加により発生させるプラズマを用
いたプラズマエッチング装置が使用されている。プラズ
マエッチング装置の動作は、あらかじめ設定したプログ
ラムによって進行するが、被エッチング基板の材質や構
成の如何によらず、常に被エッチング基板の全面におい
て均一な安定したエッチング特性を得るためには、エッ
チング工程での各種計測データをもとに中央処理装置に
よって装置の動作条件を制御して処理を進行させる必要
がある。
【０００３】被エッチング基板全面に均一なエッチング
特性分布を得るための重要な装置制御条件のひとつとし
て、エッチング中の基板温度の均一化制御があげられ
る。基板温度はエッチング反応およびプラズマ作用によ
る加熱効果を、温度制御した裏面電極よりの接触伝熱に
より緩和して適度な一定温度に保つことが必要で、特に
この接触伝熱効果を効率よく得るため、一般に基板と電
極の接触隙間にヘリウムを加圧し有効な伝熱面積を増加
して効率よく基板を温度制御する方法がとられている。
特性分布を得るための重要な装置制御条件のひとつとし
て、エッチング中の基板温度の均一化制御があげられ
る。基板温度はエッチング反応およびプラズマ作用によ
る加熱効果を、温度制御した裏面電極よりの接触伝熱に
より緩和して適度な一定温度に保つことが必要で、特に
この接触伝熱効果を効率よく得るため、一般に基板と電
極の接触隙間にヘリウムを加圧し有効な伝熱面積を増加
して効率よく基板を温度制御する方法がとられている。
【０００４】図３は従来のプラズマエッチング装置の基
板温度制御機構を説明する図である。エッチング加工を
行う基板３は処理室真空隔壁１で隔てた真空域に設置し
た基板載置電極２に載置され、その周辺はクランパ４で
固定され処理を受ける。基板３は前述のようにエッチン
グ中の温度制御を行うため、あらかじめ所定の温度制御
をした基板載置電極２と接触しているが、両者の伝熱効
率を高めるため、冷却用ヘリウム配管５を通じヘリウム
ガスが加圧して導入される。
板温度制御機構を説明する図である。エッチング加工を
行う基板３は処理室真空隔壁１で隔てた真空域に設置し
た基板載置電極２に載置され、その周辺はクランパ４で
固定され処理を受ける。基板３は前述のようにエッチン
グ中の温度制御を行うため、あらかじめ所定の温度制御
をした基板載置電極２と接触しているが、両者の伝熱効
率を高めるため、冷却用ヘリウム配管５を通じヘリウム
ガスが加圧して導入される。
【０００５】ここで、ヘリウム印加により基板は裏面方
向より全面にわたり圧力をうけるが、その周辺はクラン
パ４により固定されるので、主に基板中央を中心に、基
板の弾性特性に応じた程度で球状に変形する。ヘリウム
圧力が過大であると変形が大きく、基板３と基板載置電
極２間の隙間が大きすぎ伝熱効率が逆に低下し、また圧
力が少なすぎても両者の伝熱補助効果が薄く伝熱効率が
悪いので、適度なヘリウム圧力を得るためヘリウム圧力
検出器６の検出圧力値で、ヘリウム圧力制御器７を制御
して調節を行っている。このような温度制御をうけた基
板３の温度値は基板裏面に接触させた温度測定子８と単
チャネル温度計測器９によって計測される。
向より全面にわたり圧力をうけるが、その周辺はクラン
パ４により固定されるので、主に基板中央を中心に、基
板の弾性特性に応じた程度で球状に変形する。ヘリウム
圧力が過大であると変形が大きく、基板３と基板載置電
極２間の隙間が大きすぎ伝熱効率が逆に低下し、また圧
力が少なすぎても両者の伝熱補助効果が薄く伝熱効率が
悪いので、適度なヘリウム圧力を得るためヘリウム圧力
検出器６の検出圧力値で、ヘリウム圧力制御器７を制御
して調節を行っている。このような温度制御をうけた基
板３の温度値は基板裏面に接触させた温度測定子８と単
チャネル温度計測器９によって計測される。
【０００６】従来のプラズマエッチングにおいては、以
下に示すような課題が存在しており、高精度のエッチン
グ工程の実施に支障をきたしていた。課題の第１は、エ
ッチング処理を受ける基板３と温度測定子８を常に適度
に接触を保ち、正確に基板温度を測定するのが困難なこ
とである。その詳細を実際のエッチング処理についてみ
ると、基板３と基板載置電極２の距離が一定でないた
め、一定位置に温度測定子８を固定するとその接触圧が
一定せず接触不良を起こしやすいことがあげられる。こ
の両者の距離は、基板材料の弾性とヘリウム圧力の程度
によって決まり、基板の種類やヘリウム圧力条件を変え
ると、ヘリウム圧力による基板３のそり具合が変化する
ことに起因し、距離が変化すると接触圧も変化するため
温度測定子８の測定値に不完全な接触による誤差を生じ
る。
下に示すような課題が存在しており、高精度のエッチン
グ工程の実施に支障をきたしていた。課題の第１は、エ
ッチング処理を受ける基板３と温度測定子８を常に適度
に接触を保ち、正確に基板温度を測定するのが困難なこ
とである。その詳細を実際のエッチング処理についてみ
ると、基板３と基板載置電極２の距離が一定でないた
め、一定位置に温度測定子８を固定するとその接触圧が
一定せず接触不良を起こしやすいことがあげられる。こ
の両者の距離は、基板材料の弾性とヘリウム圧力の程度
によって決まり、基板の種類やヘリウム圧力条件を変え
ると、ヘリウム圧力による基板３のそり具合が変化する
ことに起因し、距離が変化すると接触圧も変化するため
温度測定子８の測定値に不完全な接触による誤差を生じ
る。
【０００７】そこで接触不良を避けるため、接触圧を多
めに設定すると、温度測定子８の先端を破損しやすく、
たとえ光ファイバーなどの弾性のある温度測定子８を用
いても、長期的な使用では変形が避けられず、徐々に接
触圧が低下し、接触が不完全になる問題があった。特に
ヘリウム圧力値は、基板３の全面を均一な温度分布でエ
ッチングを進行させるため、詳細に調整する必要がある
が、前述のように圧力によって接触圧がかわり温度測定
に支障をきたすため、エッチング条件の調整が困難とな
り基板温度を制御することによる高精度のエッチング加
工特性が得られなかった。
めに設定すると、温度測定子８の先端を破損しやすく、
たとえ光ファイバーなどの弾性のある温度測定子８を用
いても、長期的な使用では変形が避けられず、徐々に接
触圧が低下し、接触が不完全になる問題があった。特に
ヘリウム圧力値は、基板３の全面を均一な温度分布でエ
ッチングを進行させるため、詳細に調整する必要がある
が、前述のように圧力によって接触圧がかわり温度測定
に支障をきたすため、エッチング条件の調整が困難とな
り基板温度を制御することによる高精度のエッチング加
工特性が得られなかった。
【０００８】課題の第２は、単一箇所の基板温度測定で
は、基板の温度分布がわからないうえ、温度測定に必要
な温度測定子８の最適接触圧が求められないことであ
る。基板３の温度分布は、ヘリウム圧力値による基板の
そり具合の影響が大きく、均一な温度分布の確認には単
一箇所の温度値では解析が困難であった。
は、基板の温度分布がわからないうえ、温度測定に必要
な温度測定子８の最適接触圧が求められないことであ
る。基板３の温度分布は、ヘリウム圧力値による基板の
そり具合の影響が大きく、均一な温度分布の確認には単
一箇所の温度値では解析が困難であった。
【０００９】そのうえ基板３のそりに応じて温度測定子
８の位置を再調整する場合、比較対照としてたとえば、
そりの少ない基板周辺での測定値を基準に、同じ値を得
られる接触圧に温度測定子８を調節するのが校正として
容易な方法であるが、単一の測定点だけでは温度測定子
８を基板３上のどこに設置してもこの方法は用いること
はできず、前述のように接触不良による計測誤差を避け
るため必要以上に過大に接触圧を設定しなければならな
いため、温度測定子８が破損しやすく寿命が短い課題が
あった。
８の位置を再調整する場合、比較対照としてたとえば、
そりの少ない基板周辺での測定値を基準に、同じ値を得
られる接触圧に温度測定子８を調節するのが校正として
容易な方法であるが、単一の測定点だけでは温度測定子
８を基板３上のどこに設置してもこの方法は用いること
はできず、前述のように接触不良による計測誤差を避け
るため必要以上に過大に接触圧を設定しなければならな
いため、温度測定子８が破損しやすく寿命が短い課題が
あった。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明方法は、上記の課
題を解決するため、エッチング加工のためプラズマエッ
チング処理室内に載置した、被エッチング基板の温度測
定において、該基板の中央部または周辺部のいずれか
で、あるいはその両方において設置した、２つ以上の複
数の測定点の温度をおのおの測定し、その比較をするこ
とによりエッチング工程を監視および制御して、エッチ
ング工程を管理することを特徴とする。又、本発明装置
は同じ課題を解決するため、エッチング加工のためプラ
ズマエッチング処理室内に載置した、被エッチング基板
の温度測定において、該基板の中央部または周辺部のい
ずれかで、あるいはその両方において設置した、２つ以
上の複数の測定点の温度をおのおの測定し、その比較を
することによりエッチング工程を監視および制御して、
エッチング工程を管理する手段を有することを特徴とす
る。
題を解決するため、エッチング加工のためプラズマエッ
チング処理室内に載置した、被エッチング基板の温度測
定において、該基板の中央部または周辺部のいずれか
で、あるいはその両方において設置した、２つ以上の複
数の測定点の温度をおのおの測定し、その比較をするこ
とによりエッチング工程を監視および制御して、エッチ
ング工程を管理することを特徴とする。又、本発明装置
は同じ課題を解決するため、エッチング加工のためプラ
ズマエッチング処理室内に載置した、被エッチング基板
の温度測定において、該基板の中央部または周辺部のい
ずれかで、あるいはその両方において設置した、２つ以
上の複数の測定点の温度をおのおの測定し、その比較を
することによりエッチング工程を監視および制御して、
エッチング工程を管理する手段を有することを特徴とす
る。
【００１１】このような構成とすることにより被エッチ
ング基板のエッチングプロセスにおいて基板温度を適切
に測定することができることになり、被エッチング基板
の面内を均一に高精度にプラズマエッチングすることが
できることになる。
ング基板のエッチングプロセスにおいて基板温度を適切
に測定することができることになり、被エッチング基板
の面内を均一に高精度にプラズマエッチングすることが
できることになる。
【００１２】
【実施例】図１は本発明によるプラズマエッチング装置
の基板温度制御機構の１例を説明する図である。エッチ
ング加工を行う基板３は処理室真空隔壁１で隔てた真空
域に設置した基板載置電極２に載置され、その周辺はク
ランパ４で固定され処理を受ける。基板３は従来方法と
同様にエッチング中の温度制御を行うため、あらかじめ
所定の温度制御をした基板載置電極２と接触しており、
冷却用ヘリウム配管５を通じヘリウムガスが基板３との
すきまに加圧して導入される。
の基板温度制御機構の１例を説明する図である。エッチ
ング加工を行う基板３は処理室真空隔壁１で隔てた真空
域に設置した基板載置電極２に載置され、その周辺はク
ランパ４で固定され処理を受ける。基板３は従来方法と
同様にエッチング中の温度制御を行うため、あらかじめ
所定の温度制御をした基板載置電極２と接触しており、
冷却用ヘリウム配管５を通じヘリウムガスが基板３との
すきまに加圧して導入される。
【００１３】ここで、ヘリウム印加により基板３は裏面
方向より全面にわたり圧力をうけ、そりにより基板３と
基板載置電極２の隙間に変化が生じる。基板載置電極２
には、複数個の温度測定子８が複チャネル温度計測器１
０に接続され、温度分布の同時計測が可能であるが、お
のおのの温度測定子８は測定子駆動制御器１３により測
定子変位および接触圧検出器１２の信号をもとに設置位
置を中央処理装置１１により制御することができる。
方向より全面にわたり圧力をうけ、そりにより基板３と
基板載置電極２の隙間に変化が生じる。基板載置電極２
には、複数個の温度測定子８が複チャネル温度計測器１
０に接続され、温度分布の同時計測が可能であるが、お
のおのの温度測定子８は測定子駆動制御器１３により測
定子変位および接触圧検出器１２の信号をもとに設置位
置を中央処理装置１１により制御することができる。
【００１４】ヘリウム圧力も同様にヘリウム圧力検出器
６の検出圧力値をもとに中央処理装置１１がヘリウム圧
力制御器７を制御して調節を行っている。基板３上の複
数個の温度測定子８の設置位置としては、少なくともヘ
リウム圧力によるそりに起因する温度変化の最も大きい
基板中央部と、逆にもっとも影響の少ない基板周辺部の
２箇所が比較対照できるように配置するのが本発明によ
る方法の実施に適当である。
６の検出圧力値をもとに中央処理装置１１がヘリウム圧
力制御器７を制御して調節を行っている。基板３上の複
数個の温度測定子８の設置位置としては、少なくともヘ
リウム圧力によるそりに起因する温度変化の最も大きい
基板中央部と、逆にもっとも影響の少ない基板周辺部の
２箇所が比較対照できるように配置するのが本発明によ
る方法の実施に適当である。
【００１５】つぎに本発明によるプラズマエッチング方
法の１実施例を図２に示し、この内容に基き、本方法の
特徴を説明する。図２は被エッチング基板の処理進行に
伴う、温度測定子８の測定子変位カーブ１４と接触圧カ
ーブ１５、ヘリウム圧力カーブ１６および測温子測定値
カーブ１７の測定値の変化の相互関係を示すものであ
る。エッチング処理は、基板３が基板載置電極２に載置
されクランプで固定されることを示す、基板クランプ開
始１８で始められる。なお、温度測定子８は熱電対、赤
外放射計など各種計測方法が使用可能であるが、一般に
蛍光式光ファイバ方式が、電気絶縁が容易で電界の影響
もなく、さらにファイバにより遠隔測定が自由に実施で
き最適である。
法の１実施例を図２に示し、この内容に基き、本方法の
特徴を説明する。図２は被エッチング基板の処理進行に
伴う、温度測定子８の測定子変位カーブ１４と接触圧カ
ーブ１５、ヘリウム圧力カーブ１６および測温子測定値
カーブ１７の測定値の変化の相互関係を示すものであ
る。エッチング処理は、基板３が基板載置電極２に載置
されクランプで固定されることを示す、基板クランプ開
始１８で始められる。なお、温度測定子８は熱電対、赤
外放射計など各種計測方法が使用可能であるが、一般に
蛍光式光ファイバ方式が、電気絶縁が容易で電界の影響
もなく、さらにファイバにより遠隔測定が自由に実施で
き最適である。
【００１６】基板クランプ開始後ただちに測定子駆動制
御器１３により温度測定子８が基板３の裏面に接近を開
始し、所定の接触圧に達したところで、測定子変位値が
一定になり測定子接触完了１９となる。この時点で測温
子測定値カーブ１７が実際に基板３の温度を代表できる
ようになる。ここで温度測定子８の位置は、基板３との
接触圧を検出し中央処理装置１１の動作を介して温度計
測に必要な過不足のない所定値に自動的に定めることが
できる。
御器１３により温度測定子８が基板３の裏面に接近を開
始し、所定の接触圧に達したところで、測定子変位値が
一定になり測定子接触完了１９となる。この時点で測温
子測定値カーブ１７が実際に基板３の温度を代表できる
ようになる。ここで温度測定子８の位置は、基板３との
接触圧を検出し中央処理装置１１の動作を介して温度計
測に必要な過不足のない所定値に自動的に定めることが
できる。
【００１７】このため、基板３の材質、性状に基く弾
性、平坦性とヘリウム圧力の程度によるさまざまな基板
３のそりに対して自動的に追従し、つねに一定の接触圧
で温度計測が可能なため、接触不足や、過大圧による温
度測定子８の損傷がないため、従来方法にくらべ容易に
高精度の温度測定が可能である。
性、平坦性とヘリウム圧力の程度によるさまざまな基板
３のそりに対して自動的に追従し、つねに一定の接触圧
で温度計測が可能なため、接触不足や、過大圧による温
度測定子８の損傷がないため、従来方法にくらべ容易に
高精度の温度測定が可能である。
【００１８】また、本発明による方法では、特に基板３
上の単一点のみではなく複数点の温度測定子８の計測を
おこなうため以下に述べる、高精度エッチング加工に有
効な利点がある。たとえば、本実施例にあるように基板
３の中央部と周辺部でおのおの温度を計測する場合は、
単に基板上の温度分布を知ることができるのみならず、
周辺部ではクランパ４による固定のため基板３のそりが
わずかで、温度測定子８の接触維持のための変位量がほ
とんどなく、中央部での温度測定子８の変位量調節の対
照基準として利用することができる。
上の単一点のみではなく複数点の温度測定子８の計測を
おこなうため以下に述べる、高精度エッチング加工に有
効な利点がある。たとえば、本実施例にあるように基板
３の中央部と周辺部でおのおの温度を計測する場合は、
単に基板上の温度分布を知ることができるのみならず、
周辺部ではクランパ４による固定のため基板３のそりが
わずかで、温度測定子８の接触維持のための変位量がほ
とんどなく、中央部での温度測定子８の変位量調節の対
照基準として利用することができる。
【００１９】中央部の大きなそりに対応して適切に温度
測定子８を上昇させ適度な接触を保つ目安として、単に
接触圧だけでなく測定子測定値を周辺部の対照データと
同じに調節することより正確に中央部の温度測定が可能
となり、基板３の温度分布測定が高精度に実施でき均一
なエッチング特性の制御の目的を達することができる。
測定子８を上昇させ適度な接触を保つ目安として、単に
接触圧だけでなく測定子測定値を周辺部の対照データと
同じに調節することより正確に中央部の温度測定が可能
となり、基板３の温度分布測定が高精度に実施でき均一
なエッチング特性の制御の目的を達することができる。
【００２０】また、基板３の周辺部で複数の温度測定子
８を配置した場合は、相互の温度測定子８の測定子変位
のバラツキがクランパ４の基板固定圧力の偏差を示して
いるので、クランパ４の均一な作動力の調整のモニタ値
として、容易かつ正確なきわめて優れた利用方法であ
る。従来は、基板載置電極２内にクランパ４の作動圧力
を定量できる計測機構を設けるのは設置スペース、高周
波絶縁等の問題があり困難で、均一な固定状態の確認は
困難であった。
８を配置した場合は、相互の温度測定子８の測定子変位
のバラツキがクランパ４の基板固定圧力の偏差を示して
いるので、クランパ４の均一な作動力の調整のモニタ値
として、容易かつ正確なきわめて優れた利用方法であ
る。従来は、基板載置電極２内にクランパ４の作動圧力
を定量できる計測機構を設けるのは設置スペース、高周
波絶縁等の問題があり困難で、均一な固定状態の確認は
困難であった。
【００２１】基板載置電極２に基板３が固定され、温度
測定子８による温度計測が開始すると、ついでエッチン
グ処理での温度制御としてヘリウム加圧開始２０に移
る。ヘリウム圧力は、まず暫定的にヘリウム圧力初期設
定値２８を目標として加圧が制御され、それに伴い基板
３のそりに追従して温度測定子８の接触圧が一定となる
よう測定子変位が増加する。前述のように測定子変位量
の制御目標値は、接触圧および測温子測定値が基板３周
辺部の検出値と同じになる値であり、中央処理装置１１
が各検出値をもとに判断し変位量を制御する。
測定子８による温度計測が開始すると、ついでエッチン
グ処理での温度制御としてヘリウム加圧開始２０に移
る。ヘリウム圧力は、まず暫定的にヘリウム圧力初期設
定値２８を目標として加圧が制御され、それに伴い基板
３のそりに追従して温度測定子８の接触圧が一定となる
よう測定子変位が増加する。前述のように測定子変位量
の制御目標値は、接触圧および測温子測定値が基板３周
辺部の検出値と同じになる値であり、中央処理装置１１
が各検出値をもとに判断し変位量を制御する。
【００２２】この一連の制御が完了するとヘリウム加圧
完了２１となり、ヘリウム加圧による基板３と基板載置
電極２の伝熱効率向上により、測温子測定値はエッチン
グ準備に必要な所定の基板温度に基板３が制御されたこ
とをしめす。ついで高周波放電によりエッチング開始２
２にうつり、基板温度が上昇を開始し、たとえば基板３
中央部が所定の温度を超過する場合は、例として次のエ
ッチング条件制御が本発明による温度測定方法をもちい
て実施される。
完了２１となり、ヘリウム加圧による基板３と基板載置
電極２の伝熱効率向上により、測温子測定値はエッチン
グ準備に必要な所定の基板温度に基板３が制御されたこ
とをしめす。ついで高周波放電によりエッチング開始２
２にうつり、基板温度が上昇を開始し、たとえば基板３
中央部が所定の温度を超過する場合は、例として次のエ
ッチング条件制御が本発明による温度測定方法をもちい
て実施される。
【００２３】測温子測定値が基板３面内の均一なエッチ
ング加工に必要な基板温度適正値２７を超過すると、た
とえばその原因が、ヘリウム圧力過多による伝熱不良で
ある場合は、中央処理装置１１によりヘリウム圧力調整
開始２３が進行し、ヘリウム圧力適正値２９に調整され
る。その制御基準は測温子測定値が基板温度適正値２７
に一致することである。この際、測定子変位も前述と同
様適度な接触を得るよう、補正され、接触圧は変移しな
い。この一連の補正は、ヘリウム圧調整完了２４で完了
し、所定の均一なエッチング特性をうる条件を維持して
エッチング終了２５をむかえ、ついで処理終了にともな
いヘリウム加圧、温度測定子８接触が解除され、基板ク
ランプ終了２６となり、処理済基板が処理室より搬出さ
れて、エッチング処理の完了となる。
ング加工に必要な基板温度適正値２７を超過すると、た
とえばその原因が、ヘリウム圧力過多による伝熱不良で
ある場合は、中央処理装置１１によりヘリウム圧力調整
開始２３が進行し、ヘリウム圧力適正値２９に調整され
る。その制御基準は測温子測定値が基板温度適正値２７
に一致することである。この際、測定子変位も前述と同
様適度な接触を得るよう、補正され、接触圧は変移しな
い。この一連の補正は、ヘリウム圧調整完了２４で完了
し、所定の均一なエッチング特性をうる条件を維持して
エッチング終了２５をむかえ、ついで処理終了にともな
いヘリウム加圧、温度測定子８接触が解除され、基板ク
ランプ終了２６となり、処理済基板が処理室より搬出さ
れて、エッチング処理の完了となる。
【００２４】実際のエッチングプロセスでは、被エッチ
ング基板の種類は１種にとどまらず、このため、エッチ
ング特性の維持に必要なヘリウム圧力値や基板温度値は
一定ではなくプロセスによって変更が必要とされるが、
本発明による装置を用いた方法をとれば、常に安定して
基板全面の正確な温度計測と制御が可能なため、正確に
均一なエッチング加工を、特にＬＣＤ素子のような大面
積の基板においても実施することができる。
ング基板の種類は１種にとどまらず、このため、エッチ
ング特性の維持に必要なヘリウム圧力値や基板温度値は
一定ではなくプロセスによって変更が必要とされるが、
本発明による装置を用いた方法をとれば、常に安定して
基板全面の正確な温度計測と制御が可能なため、正確に
均一なエッチング加工を、特にＬＣＤ素子のような大面
積の基板においても実施することができる。
【００２５】
【発明の効果】上述の説明により明らかなように本発明
によれば、被エッチング基板において複数位置での温度
測定により、エッチングの進行に必要な、基板の温度測
定、温度制御が基板の材質や性状によらず安定にかつ正
確に行え、大面積の基板に対して、均一に高精度のプラ
ズマエッチングを実施することが可能である。特にＬＣ
Ｄ用大型ガラス基板のエッチングにおいては、大面積の
角形状基板を均一にクランプし、そのエッチング温度を
均一に維持することがプロセス上重要であるが、本発明
においては、基板温度測定を通じ、容易に偏りのない基
板クランプ状態をもとめ、面内均一性の良い基板温度制
御に基ずく均一なエッチング処理を実施することができ
る、高度のプラズマエッチング方法および装置を与える
ものである。
によれば、被エッチング基板において複数位置での温度
測定により、エッチングの進行に必要な、基板の温度測
定、温度制御が基板の材質や性状によらず安定にかつ正
確に行え、大面積の基板に対して、均一に高精度のプラ
ズマエッチングを実施することが可能である。特にＬＣ
Ｄ用大型ガラス基板のエッチングにおいては、大面積の
角形状基板を均一にクランプし、そのエッチング温度を
均一に維持することがプロセス上重要であるが、本発明
においては、基板温度測定を通じ、容易に偏りのない基
板クランプ状態をもとめ、面内均一性の良い基板温度制
御に基ずく均一なエッチング処理を実施することができ
る、高度のプラズマエッチング方法および装置を与える
ものである。
【図１】本発明によるプラズマエッチング装置の１実施
例を示す説明図である。
例を示す説明図である。
【図２】本発明によるプラズマエッチング方法の１実施
例を示す説明図である。
例を示す説明図である。
【図３】従来のプラズマエッチング装置の１例を示す説
明図である。
明図である。
１ 処理室真空隔壁 ２ 基板載置電極 ３ 基板 ４ クランパ ５ 冷却用ヘリウム配管 ６ ヘリウム圧力検出器 ７ ヘリウム圧力制御器 ８ 温度測定子 ９ 単チャネル温度計測器 １０ 複チャネル温度計測器 １１ 中央処理装置 １２ 測定子変位および接触圧検出器 １３ 測定子駆動制御器 １４ 測定子変位カーブ １５ 接触圧カーブ １６ ヘリウム圧力カーブ １７ 測定子測定値カーブ １８ 基板クランプ開始 １９ 測定子接触完了 ２０ ヘリウム加圧開始 ２１ ヘリウム加圧完了 ２２ エッチング開始 ２３ ヘリウム圧調整開始 ２４ ヘリウム圧調整完了 ２５ エッチング終了 ２６ 基板クランプ終了 ２７ 基板温度適正値 ２８ ヘリウム圧力初期設定値 ２９ ヘリウム圧力適正値
Claims (13)
- 【請求項１】 エッチング加工のためプラズマエッチン
グ処理室内に載置した、被エッチング基板の温度測定に
おいて、該基板の中央部または周辺部のいずれかで、あ
るいはその両方において設置した、２つ以上の複数の測
定点の温度をおのおの測定し、その比較をすることによ
りエッチング工程を監視および制御して、エッチング工
程を管理することを特徴とするプラズマエッチング方
法。 - 【請求項２】 エッチング処理室内に載置された被エッ
チング基板において計測した複数点の温度分布の判定に
もとづき、基板裏面の冷却用ヘリウムガスを適切な圧力
に自動的に調節することによって、エッチング特性を制
御することを特徴とする請求項１のプラズマエッチング
方法。 - 【請求項３】 エッチング処理室内に載置された被エッ
チング基板において計測した複数点の温度分布の判定に
もとづき、基板裏面に接触する温度測定子の接触不良を
検知し、自動的に適正な接触圧力に補正し、正確に基板
温度を測定することを特徴とする請求項１のプラズマエ
ッチング方法。 - 【請求項４】 エッチング処理室内に載置された被エッ
チング基板において計測した複数点の温度分布の判定に
もとづき、基板裏面に接触する温度測定子の接触圧力を
自動的に調節することによって、測定子の環境変化によ
る特性の変動をさけ長期にわたり正確に基板温度を測定
することを特徴とする請求項１のプラズマエッチング方
法。 - 【請求項５】 エッチング処理室内に載置された被エッ
チング基板において計測した複数点の温度分布の判定に
もとづき、基板裏面に接触する温度測定子の接触圧力を
自動的に調節することによって、被測定基板の材質また
は形状、あるいは材質及び形状の両方による測定誤差を
補正し正確に基板温度を測定することを特徴とする請求
項１のプラズマエッチング方法。 - 【請求項６】 エッチング処理室内に載置された被エッ
チング基板において計測した複数点の温度分布の判定に
もとづき、基板の周辺を押さえるクランパ圧力の不均衡
を自動的に補正して、均一な基板の固定を行えることを
特徴とする請求項１のプラズマエッチング方法。 - 【請求項７】 エッチング加工のためプラズマエッチン
グ処理室内に載置した、被エッチング基板の温度測定に
おいて、該基板の中央部または周辺部のいずれかで、あ
るいはその両方において設置した、２つ以上の複数の測
定点の温度をおのおの測定し、その比較をすることによ
りエッチング工程を監視および制御して、エッチング工
程を管理する手段を有することを特徴とするプラズマエ
ッチング装置。 - 【請求項８】 エッチング処理室内に載置された被エッ
チング基板において計測した複数点の温度分布の判定に
もとづき、基板裏面の冷却用ヘリウムガスを適切な圧力
に自動的に調節することによって、エッチング特性を制
御する手段を有することを特徴とする請求項７のプラズ
マエッチング装置。 - 【請求項９】 エッチング処理室内に載置された被エッ
チング基板において計測した複数点の温度分布の判定に
もとづき、基板裏面に接触する温度測定子の接触不良を
検知し自動的に適正な接触圧力に補正し、正確に基板温
度を測定する手段を有することを特徴とする請求項７の
プラズマエッチング装置。 - 【請求項10】 エッチング処理室内に載置された被エッ
チング基板において計測した複数点の温度分布の判定に
もとづき、基板裏面に接触する温度測定子の接触圧力を
自動的に調節することによって、測定子の環境変化によ
る特性の変動をさけ長期にわたり正確に基板温度を測定
する手段を有することを特徴とする請求項７のプラズマ
エッチング装置。 - 【請求項11】 エッチング処理室内に載置された被エッ
チング基板において計測した複数点の温度分布の判定に
もとづき、基板裏面に接触する温度測定子の接触圧力を
自動的に調節することによって、被測定基板の材質また
は形状、あるいは材質及び形状の両方による測定誤差を
補正し正確に基板温度を測定する手段を有することを特
徴とする請求項７のプラズマエッチング装置。 - 【請求項12】 エッチング処理室内に載置された被エッ
チング基板において計測した複数点の温度分布の判定に
もとづき、基板の周辺を押さえるクランパ圧力の不均衡
を自動的に補正して、均一な基板の固定を行える手段を
有することを特徴とする請求項７のプラズマエッチング
装置。 - 【請求項13】 蛍光式光ファイバ温度計を温度測定手段
として用いることを特徴とする請求項７のプラズマエッ
チング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21330792A JPH0637057A (ja) | 1992-07-16 | 1992-07-16 | プラズマエッチング方法及び装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21330792A JPH0637057A (ja) | 1992-07-16 | 1992-07-16 | プラズマエッチング方法及び装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0637057A true JPH0637057A (ja) | 1994-02-10 |
Family
ID=16636968
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21330792A Pending JPH0637057A (ja) | 1992-07-16 | 1992-07-16 | プラズマエッチング方法及び装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0637057A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1232934A2 (en) | 2001-02-20 | 2002-08-21 | Fuji Jukogyo Kabushiki Kaisha | Blower unit mounting structure and method for mounting a blower unit |
-
1992
- 1992-07-16 JP JP21330792A patent/JPH0637057A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1232934A2 (en) | 2001-02-20 | 2002-08-21 | Fuji Jukogyo Kabushiki Kaisha | Blower unit mounting structure and method for mounting a blower unit |
| US6866320B2 (en) | 2001-02-20 | 2005-03-15 | Fuji Jukogyo Kabushiki Kaisha | Blower unit mounting structure and method for mounting a blower unit |
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